JP2568662B2 - 光ヘッド - Google Patents
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- JP2568662B2 JP2568662B2 JP63319034A JP31903488A JP2568662B2 JP 2568662 B2 JP2568662 B2 JP 2568662B2 JP 63319034 A JP63319034 A JP 63319034A JP 31903488 A JP31903488 A JP 31903488A JP 2568662 B2 JP2568662 B2 JP 2568662B2
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- light
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は情報記録媒体に光学的に情報を記録または再
生する光ディスク装置の光ヘッドに関するものである。
生する光ディスク装置の光ヘッドに関するものである。
従来の技術 半導体レーザを用いて情報記録媒体に情報を記録，再
生する光ディスク装置の光ヘッドとして、一般的なもの
は第５図に示すようなものである。
生する光ディスク装置の光ヘッドとして、一般的なもの
は第５図に示すようなものである。
第５図において、１の半導体レーザから出射した発散
光は集光レンズ２により平行な光束に変換されて光ビー
ム３となる。半導体レーザ１は接合面に平行方向と垂直
方向で発光角が異なり、光ビーム３の光分布は楕円形状
になっている。４は整形プリズムで、入射角4aには偏光
分離膜が形成されている。光ビーム３はＰ偏光（整形プ
リズム４の入射面に対して）でこの偏光分離膜に入射
し、この膜を透過するとともに、略円形の光分布形状と
なるように一軸方向のビーム幅が拡大される。上記発光
角は平行方向で８〜10゜、垂直方向で20〜25゜程度であ
り、平行方向の光ビーム幅を約2.5倍拡大すれば略円形
になる。略円形になった光ビーム５は、1/4波長板６を
通って対物レンズ７で集束され、情報記録媒体が塗布さ
れたディスク８上に光スポット９を形成する。ディスク
８から反射した光ビーム５は、対物レンズ7,1/4波長板
６を通過することによりＳ偏光となり、整形プリズム４
に入射して偏光分離膜4aで反射する。ここで反射した光
ビーム５はさらに検出レンズ10,シリンドリカルレンズ1
1で絞られて、光検出器12に受光される。光検出器12
は、再生信号を検出すると共に、いわゆる非点収差法に
よりフォーカスエラー信号を、プッシュプル法によりト
ラッキングエラー信号を検出するように構成されてい
る。
光は集光レンズ２により平行な光束に変換されて光ビー
ム３となる。半導体レーザ１は接合面に平行方向と垂直
方向で発光角が異なり、光ビーム３の光分布は楕円形状
になっている。４は整形プリズムで、入射角4aには偏光
分離膜が形成されている。光ビーム３はＰ偏光（整形プ
リズム４の入射面に対して）でこの偏光分離膜に入射
し、この膜を透過するとともに、略円形の光分布形状と
なるように一軸方向のビーム幅が拡大される。上記発光
角は平行方向で８〜10゜、垂直方向で20〜25゜程度であ
り、平行方向の光ビーム幅を約2.5倍拡大すれば略円形
になる。略円形になった光ビーム５は、1/4波長板６を
通って対物レンズ７で集束され、情報記録媒体が塗布さ
れたディスク８上に光スポット９を形成する。ディスク
８から反射した光ビーム５は、対物レンズ7,1/4波長板
６を通過することによりＳ偏光となり、整形プリズム４
に入射して偏光分離膜4aで反射する。ここで反射した光
ビーム５はさらに検出レンズ10,シリンドリカルレンズ1
1で絞られて、光検出器12に受光される。光検出器12
は、再生信号を検出すると共に、いわゆる非点収差法に
よりフォーカスエラー信号を、プッシュプル法によりト
ラッキングエラー信号を検出するように構成されてい
る。
発明が解決しようとする課題 上記のように構成された光ヘッドにおいて、記録から
再生、あるいは再生から記録へ切り替えると、半導体レ
ーザ１の出力が急峻に変化し、それに伴って波長も急峻
に変化する。半導体レーザ１の出力と、波長は第３図に
示すような関係にあり、大部分はモードホッピングによ
り不連続に変化する。一方、記録と再生に要する半導体
レーザの出力は、情報記録媒体の材質及びディスクの回
転数によって異なるが、一般に記録では25〜50mW程度、
再生では２〜4mW程度が用いられている。一例として、
半導体レーザ１から出射する再生時の出力P1を4mW、記
録時の出力P2を50mWとした場合、波長の変化は多くて第
３図の曲線S1のように5nm程度となり、少なくて曲線S2
のように2nm程度となる。
再生、あるいは再生から記録へ切り替えると、半導体レ
ーザ１の出力が急峻に変化し、それに伴って波長も急峻
に変化する。半導体レーザ１の出力と、波長は第３図に
示すような関係にあり、大部分はモードホッピングによ
り不連続に変化する。一方、記録と再生に要する半導体
レーザの出力は、情報記録媒体の材質及びディスクの回
転数によって異なるが、一般に記録では25〜50mW程度、
再生では２〜4mW程度が用いられている。一例として、
半導体レーザ１から出射する再生時の出力P1を4mW、記
録時の出力P2を50mWとした場合、波長の変化は多くて第
３図の曲線S1のように5nm程度となり、少なくて曲線S2
のように2nm程度となる。
上記整形プリズム４の硝材として広く使用されている
BK7を用いた場合、波長が5nm変化すると、整形プリズム
から出射する光ビーム５は0.00478゜の角度ずれを起こ
す。BK7はクラウンガラスでありフリントガラス等に比
べてアッベ数νが大きく（分散率が小さい）上記角度ず
れの起こりにくい硝材であり、この程度のずれは避けら
れない。さらに、対物レンズ７の焦点距離を4mmとする
と、この角度ずれによって光スポット９は0.33μｍの位
置ずれを起こす。普通、光ヘッドでは、この位置ずれが
ディスク８上に形成されたトラックの長手方向に生じる
ようにしている。これはトラックの直交方向（トラッキ
ング方向）に位置ずれが発生すると、オフトラックとな
って記録再生特性を劣化させるためである。オフトラッ
クの許容値は0.1〜0.15μｍ程度であるから上記波長変
化による位置ずれは到底許容できない値である。一方ト
ラックの長手方向に発生するようにした場合は、ジッタ
ー成分になるが、その許容値はオフトラックよりは大き
い。一般に記録される信号波長の半分がジッターマージ
ンで、ジッターの許容値はその1/3にしている。従っ
て、波長の1/6がジッター許容値の目安である。光スポ
ット９は回折限界まで絞られるから、ディスク８上に記
録される最小のドットあるいはピットの長さは約0.80μ
ｍになる。従って、記録される信号波長は1.6μｍ程度
であり、ジッターの許容値としては0.27μｍになる。上
記のように従来の光ヘッドでは、このずれが0.33μｍ発
生する可能性があり、半導体レーザの波長変化による光
スポット９の位置ずれをトラックの長手にしてもジッタ
ー許容値を越えてしまうという問題があった。
BK7を用いた場合、波長が5nm変化すると、整形プリズム
から出射する光ビーム５は0.00478゜の角度ずれを起こ
す。BK7はクラウンガラスでありフリントガラス等に比
べてアッベ数νが大きく（分散率が小さい）上記角度ず
れの起こりにくい硝材であり、この程度のずれは避けら
れない。さらに、対物レンズ７の焦点距離を4mmとする
と、この角度ずれによって光スポット９は0.33μｍの位
置ずれを起こす。普通、光ヘッドでは、この位置ずれが
ディスク８上に形成されたトラックの長手方向に生じる
ようにしている。これはトラックの直交方向（トラッキ
ング方向）に位置ずれが発生すると、オフトラックとな
って記録再生特性を劣化させるためである。オフトラッ
クの許容値は0.1〜0.15μｍ程度であるから上記波長変
化による位置ずれは到底許容できない値である。一方ト
ラックの長手方向に発生するようにした場合は、ジッタ
ー成分になるが、その許容値はオフトラックよりは大き
い。一般に記録される信号波長の半分がジッターマージ
ンで、ジッターの許容値はその1/3にしている。従っ
て、波長の1/6がジッター許容値の目安である。光スポ
ット９は回折限界まで絞られるから、ディスク８上に記
録される最小のドットあるいはピットの長さは約0.80μ
ｍになる。従って、記録される信号波長は1.6μｍ程度
であり、ジッターの許容値としては0.27μｍになる。上
記のように従来の光ヘッドでは、このずれが0.33μｍ発
生する可能性があり、半導体レーザの波長変化による光
スポット９の位置ずれをトラックの長手にしてもジッタ
ー許容値を越えてしまうという問題があった。
なお、このずれを減らすために上記整形プリズムを２
つのプリズムで構成し、各々のプリズムの硝材を変えて
波長の違いによる角度ずれを補正（色補正）する方法も
あるが、コストが高くなることと、硝材の屈折率の違い
により接合面に干渉縞が発生し光学特性を劣化させると
いう問題がある。
つのプリズムで構成し、各々のプリズムの硝材を変えて
波長の違いによる角度ずれを補正（色補正）する方法も
あるが、コストが高くなることと、硝材の屈折率の違い
により接合面に干渉縞が発生し光学特性を劣化させると
いう問題がある。
また、整形プリズム４を１つのプリズムで構成した場
合、第５図に示すように、ディスク８へ向かう光ビーム
５と検出器へ向かう光ビーム５のなす角φが78゜程度に
なるため、光ヘッドの構成上むだなスペースができ全体
が大きくなるという問題もある。
合、第５図に示すように、ディスク８へ向かう光ビーム
５と検出器へ向かう光ビーム５のなす角φが78゜程度に
なるため、光ヘッドの構成上むだなスペースができ全体
が大きくなるという問題もある。
課題を解決するための手段 本発明は、上記のような課題を解決するため、（１）
半導体レーザと、このレーザからの光を集光して平行な
光ビームにする集光レンズと、１つのプリズムから成り
上記集光された光ビームの一軸方向のビーム幅を拡大す
る整形プリズムと、整形された光ビームをディスク上に
集束する焦点距離fmmの対物レンズと、上記ディスクの
反射光を検出する検出器とを備え、光ビームが整形プリ
ズムの第一面に入射角θ１で入射しかつ第一面と角度α
をなす第二面から出射角θ２で出射するよう構成し、第
一面と第二面における光ビームの拡大縮小率を各々m1,m
2、整形プリズムのアッベ数をνとして m1・m2・cos θ１×（m1・COt α・COS θ１ ＋１−m12・COS2 θ１） ≧｛0.0055/（ν−10）｝/tan-1（0.00027/f） なる関係にあるように構成したものである。さらに
（２）上記の構成に加え、上記第一面に半透明膜または
偏光分離膜を形成して、上記ディスクの反射光が上記第
一面と角度αをなす第三面から出射角θ２で出射するよ
うに成し、第二面から出射する光ビームと第三面から出
射する光ビームが略直角を成すように構成したものであ
る。
半導体レーザと、このレーザからの光を集光して平行な
光ビームにする集光レンズと、１つのプリズムから成り
上記集光された光ビームの一軸方向のビーム幅を拡大す
る整形プリズムと、整形された光ビームをディスク上に
集束する焦点距離fmmの対物レンズと、上記ディスクの
反射光を検出する検出器とを備え、光ビームが整形プリ
ズムの第一面に入射角θ１で入射しかつ第一面と角度α
をなす第二面から出射角θ２で出射するよう構成し、第
一面と第二面における光ビームの拡大縮小率を各々m1,m
2、整形プリズムのアッベ数をνとして m1・m2・cos θ１×（m1・COt α・COS θ１ ＋１−m12・COS2 θ１） ≧｛0.0055/（ν−10）｝/tan-1（0.00027/f） なる関係にあるように構成したものである。さらに
（２）上記の構成に加え、上記第一面に半透明膜または
偏光分離膜を形成して、上記ディスクの反射光が上記第
一面と角度αをなす第三面から出射角θ２で出射するよ
うに成し、第二面から出射する光ビームと第三面から出
射する光ビームが略直角を成すように構成したものであ
る。
作用 上記のような構成により、半導体レーザの波長変化に
よって生じる光スポットの位置ずれを低減して、ディス
ク上に安定した光スポットを集束することができ、ジッ
タの改善あるいはクロストークの改善ができる。また、
整形プリズムの出射光路と検出光路を直交することによ
り、むだなスペースを減らすことができ、光ヘッドを小
型化できる。
よって生じる光スポットの位置ずれを低減して、ディス
ク上に安定した光スポットを集束することができ、ジッ
タの改善あるいはクロストークの改善ができる。また、
整形プリズムの出射光路と検出光路を直交することによ
り、むだなスペースを減らすことができ、光ヘッドを小
型化できる。
実施例 以下本発明の一実施例を第１図から第５図に基づいて
説明する。第１図は本発明による一実施例の光ヘッドの
構成図を示すものである。
説明する。第１図は本発明による一実施例の光ヘッドの
構成図を示すものである。
第１図に示すように、21の半導体レーザから出た光は
集光レンズ22により集光され平行な光ビーム23となり、
24の整形プリズムに入射角θ１で入射する。整形プリズ
ム24の第一面24aには、偏光分離膜が形成されており、
Ｐ偏光で入射するように構成された光ビーム23はこの偏
光分離膜を透過し、整形プリズム24内の光ビーム25とな
る。光ビーム25は整形プリズム24の第二面24bから出射
角θ２で出射する。この時、第一面24aで一軸方向のビ
ーム幅が拡大され、第二面24bで縮小される。第一面の
拡大縮小率をm1,第二面の拡大縮小率をm2とすると、従
来例のように半導体レーザ１の接合面に平行方向の光ビ
ームの幅を約2.5倍拡大して略円形にするためには、m1
×m2が2.5倍になるように設定する必要がある。略円形
になった光ビーム26は、1/4波長板27を通って対物レン
ズ28で集束され、ディスク29の記録面上に絞り込まれた
光スポット30を形成する。ディスク29より反射した光
は、対物レンズ28および1/4波長板27を通り、Ｓ偏光に
なって再び整形プリズム24の第二面24bに入射角θ２で
入射する。この光ビームは、Ｓ偏光のため第一面に形成
された偏光分離膜で反射して光ビーム31となり、整形プ
リズム24の第三面24cより出射角θ２で出射して、光ビ
ーム32となる。この光ビーム32は光ビーム26に対して略
直交するように設定されており、検出レンズ33,シリン
ドリカルレンズ34で集束されて、光検出器35上に結像
し、光検出器35からは従来例同様、再生信号とともに非
点収差法でフォーカスエラー信号を、プッシュプル法で
トラッキングエラー信号が検出されるように構成されて
いる。
集光レンズ22により集光され平行な光ビーム23となり、
24の整形プリズムに入射角θ１で入射する。整形プリズ
ム24の第一面24aには、偏光分離膜が形成されており、
Ｐ偏光で入射するように構成された光ビーム23はこの偏
光分離膜を透過し、整形プリズム24内の光ビーム25とな
る。光ビーム25は整形プリズム24の第二面24bから出射
角θ２で出射する。この時、第一面24aで一軸方向のビ
ーム幅が拡大され、第二面24bで縮小される。第一面の
拡大縮小率をm1,第二面の拡大縮小率をm2とすると、従
来例のように半導体レーザ１の接合面に平行方向の光ビ
ームの幅を約2.5倍拡大して略円形にするためには、m1
×m2が2.5倍になるように設定する必要がある。略円形
になった光ビーム26は、1/4波長板27を通って対物レン
ズ28で集束され、ディスク29の記録面上に絞り込まれた
光スポット30を形成する。ディスク29より反射した光
は、対物レンズ28および1/4波長板27を通り、Ｓ偏光に
なって再び整形プリズム24の第二面24bに入射角θ２で
入射する。この光ビームは、Ｓ偏光のため第一面に形成
された偏光分離膜で反射して光ビーム31となり、整形プ
リズム24の第三面24cより出射角θ２で出射して、光ビ
ーム32となる。この光ビーム32は光ビーム26に対して略
直交するように設定されており、検出レンズ33,シリン
ドリカルレンズ34で集束されて、光検出器35上に結像
し、光検出器35からは従来例同様、再生信号とともに非
点収差法でフォーカスエラー信号を、プッシュプル法で
トラッキングエラー信号が検出されるように構成されて
いる。
以上のような構成において、下記に整形プリズム24に
入射する光ビーム23の入射後の光ビーム25および出射す
る光ビーム26の関係を明らかにする。第２図は整形プリ
ズム24の詳細図で、φ１は第一面24aからプリズム内に
出射する出射角、φ２は第二面24bへの入射角、αは第
一面24aと第二面24bとなす角、及び第一面24aと第三面2
4cとなす角である。半導体レーザ１の発光波長における
硝材の屈折率をｎとすると上記の関係は下記のようにな
る。
入射する光ビーム23の入射後の光ビーム25および出射す
る光ビーム26の関係を明らかにする。第２図は整形プリ
ズム24の詳細図で、φ１は第一面24aからプリズム内に
出射する出射角、φ２は第二面24bへの入射角、αは第
一面24aと第二面24bとなす角、及び第一面24aと第三面2
4cとなす角である。半導体レーザ１の発光波長における
硝材の屈折率をｎとすると上記の関係は下記のようにな
る。
sin θ１＝ｎ・sin φ１ ……（１） φ２＝φ１−α ……（２） ｎ・sin φ２＝sin θ２ ……（３） 屈折率ｎが半導体レーザ１の波長変化によって変化す
ると、それにつれてθ1,φ1,φ2,θ２が変化する。それ
らの間の関係は、（１）〜（３）の微分をとることによ
って求めることができ ｄθ２×｛m1・m2・COS θ１×（m1・COt α・COS θ１ ＋１−m12・COS2 θ１）｝＝dn となる。従って、屈折率がΔｎ微分変化した時の出射角
θ２の変化量をΔθ２とすると なる関係が成り立つ。
ると、それにつれてθ1,φ1,φ2,θ２が変化する。それ
らの間の関係は、（１）〜（３）の微分をとることによ
って求めることができ ｄθ２×｛m1・m2・COS θ１×（m1・COt α・COS θ１ ＋１−m12・COS2 θ１）｝＝dn となる。従って、屈折率がΔｎ微分変化した時の出射角
θ２の変化量をΔθ２とすると なる関係が成り立つ。
一方、上記課題で説明したように、ジッター許容値よ
り光スポット30の急峻な変化量は0.27μｍ以下にする必
要がある。Δθ２はこのジッター許容値で限定され、対
物レンズの焦点距離をfmmとすると Δθ２≦tan-1（0.00027/f） ……（５） でなければならない。
り光スポット30の急峻な変化量は0.27μｍ以下にする必
要がある。Δθ２はこのジッター許容値で限定され、対
物レンズの焦点距離をfmmとすると Δθ２≦tan-1（0.00027/f） ……（５） でなければならない。
また、一般的に半導体レーザ１の波長は780nm〜830nm
であり、従来例で説明したように、記録と再生の切替え
で起こる半導体レーザ１の波長ずれは、大きくみて5nm
である。よって、Δｎは上記波長において、波長が5nm
ずれた時の屈折率の変化量とすることができる。この変
化量は硝材の部分分散であるが、概略主分散で置き換え
られ、硝材のアッベ数νの逆数で表現できる。波長を78
0nm〜830nmとし、波長変化を5nmとしたときアッベ数ν
と屈折率の変化量Δｎを各硝材についてプロットすると
第４図のような関係になり、下記のごとく近似できる。
であり、従来例で説明したように、記録と再生の切替え
で起こる半導体レーザ１の波長ずれは、大きくみて5nm
である。よって、Δｎは上記波長において、波長が5nm
ずれた時の屈折率の変化量とすることができる。この変
化量は硝材の部分分散であるが、概略主分散で置き換え
られ、硝材のアッベ数νの逆数で表現できる。波長を78
0nm〜830nmとし、波長変化を5nmとしたときアッベ数ν
と屈折率の変化量Δｎを各硝材についてプロットすると
第４図のような関係になり、下記のごとく近似できる。
Δｎ＝0.005/（ν−10） ……（６） よって、（４）式に（５），（６）式の代入すると次
式のようになる。
式のようになる。
従って、（７）式を満たすようにm1,m2,θ１及び硝材
のアッベ数ν，対物レンズの焦点距離ｆを決定すれば、
光スポット30の位置ずれをジッター許容値以下に抑える
ことができる。
のアッベ数ν，対物レンズの焦点距離ｆを決定すれば、
光スポット30の位置ずれをジッター許容値以下に抑える
ことができる。
具体例として、整形プリズム24の硝材にBK7（アッベ
数ν＝64.1）を使用し、対物レンズ28の焦点距離ｆを4m
mとすると、（７）式の右辺は ｛0.0055/（ν−10）｝/tan-1（0.00027/f）＝1.51 となる。また、θ１を72゜，αを27.5゜とするとm1＝2.
515,m2＝0.973となり、（７）式の左辺は となる。よって（７）式は成立し本発明の条件をみたし
たことになる。この時の光ビーム26の光ビーム23に対す
る拡大率は概略2.5倍となり、5nmの波長ずれによる出射
角θ２の角度ずれは0.00368゜で光スポット30の位置ず
れは0.257μｍとなる。これは、従来例に対して25％低
減したことになり、ジッター許容値以下に抑えられるこ
とになる。
数ν＝64.1）を使用し、対物レンズ28の焦点距離ｆを4m
mとすると、（７）式の右辺は ｛0.0055/（ν−10）｝/tan-1（0.00027/f）＝1.51 となる。また、θ１を72゜，αを27.5゜とするとm1＝2.
515,m2＝0.973となり、（７）式の左辺は となる。よって（７）式は成立し本発明の条件をみたし
たことになる。この時の光ビーム26の光ビーム23に対す
る拡大率は概略2.5倍となり、5nmの波長ずれによる出射
角θ２の角度ずれは0.00368゜で光スポット30の位置ず
れは0.257μｍとなる。これは、従来例に対して25％低
減したことになり、ジッター許容値以下に抑えられるこ
とになる。
なお、上記の説明はジッターを許容値以内に低減する
ための条件として求めたが、光スポット30の位置ずれが
トラック直交方向（トラッキング方向）に起こるように
した時には、クロストークの低減になることは明らかで
ある。
ための条件として求めたが、光スポット30の位置ずれが
トラック直交方向（トラッキング方向）に起こるように
した時には、クロストークの低減になることは明らかで
ある。
一方、ディスク29からの反射光は整形プリズム24の第
一面24aで反射し、第三面24cから出射するが、この第三
面24cは第一面24aに対して、第二面24b同様に角度αを
なすように構成されているから、光ビーム31はこの面で
縮小され、光ビーム32となる。この時の拡大縮小率はm2
であるから、反射光が第二面に入射する時の拡大縮小率
1/m2と掛け合わされて、整形プリズム24を通過した時の
拡大縮小率は１となり、結局光ビーム32のビーム幅は光
ビーム26と同じになる。さらに、光ビーム32と光ビーム
26が略直交することと、上記（７）式が成り立つことは
両立させることができ、両立するように上記角度αを選
定することで構成上むだの少ない光学系を得ることがで
きる。
一面24aで反射し、第三面24cから出射するが、この第三
面24cは第一面24aに対して、第二面24b同様に角度αを
なすように構成されているから、光ビーム31はこの面で
縮小され、光ビーム32となる。この時の拡大縮小率はm2
であるから、反射光が第二面に入射する時の拡大縮小率
1/m2と掛け合わされて、整形プリズム24を通過した時の
拡大縮小率は１となり、結局光ビーム32のビーム幅は光
ビーム26と同じになる。さらに、光ビーム32と光ビーム
26が略直交することと、上記（７）式が成り立つことは
両立させることができ、両立するように上記角度αを選
定することで構成上むだの少ない光学系を得ることがで
きる。
発明の効果 以上本発明の光ヘッドにより、半導体レーザの出力の
変化に伴う波長変化で起こる光スポットの位置ずれを抑
えることができる。このため、ジッター成分の低減、あ
るいはオフトラックの低減によるクロストーク特性の劣
化防止ができる。
変化に伴う波長変化で起こる光スポットの位置ずれを抑
えることができる。このため、ジッター成分の低減、あ
るいはオフトラックの低減によるクロストーク特性の劣
化防止ができる。
また、整形プリズムの出射光路と検出光路を直交する
ことにより、むだなスペースを低減でき、光ヘッドの小
型化ができる。
ことにより、むだなスペースを低減でき、光ヘッドの小
型化ができる。
第１図は本発明の一実施例における光ヘッドの原理図、
第２図は実施例における整形プリズムの説明図、第３図
は半導体レーザの波長変化を示す特性図、第４図は整形
プリズムに用いる硝材のアッベ数の屈折率変化を示す特
性図、第５図は従来の光ヘッドの原理図である。 21……半導体レーザ、22……集光レンズ、23……光ビー
ム、24……整形プリズム、24a……第一面、24b……第二
面、24c……第三面、25……光ビーム、28……対物レン
ズ、29……ディスク、30……光スポット。
第２図は実施例における整形プリズムの説明図、第３図
は半導体レーザの波長変化を示す特性図、第４図は整形
プリズムに用いる硝材のアッベ数の屈折率変化を示す特
性図、第５図は従来の光ヘッドの原理図である。 21……半導体レーザ、22……集光レンズ、23……光ビー
ム、24……整形プリズム、24a……第一面、24b……第二
面、24c……第三面、25……光ビーム、28……対物レン
ズ、29……ディスク、30……光スポット。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 稔雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−234247（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−189702（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−141651（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−149234（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】半導体レーザと、このレーザからの光を集
光して平行な光ビームにする集光レンズと、１つのプリ
ズムから成り上記集光された光ビームの一軸方向のビー
ム幅を拡大する整形プリズムと、整形された光ビームを
ディスク上に集束する焦点距離fmmの対物レンズと、上
記ディスクの反射光を検出する検出器とを備え、光ビー
ムが整形プリズムの第一面に入射角θ１で入射しかつ第
一面と角度αをなす第二面から出射角θ２で出射するよ
う構成し、第一面と第二面における光ビームの拡大縮小
率を各々m1,m2、整形プリズムのアッベ数をνとして なる関係にあることを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項２】整形プリズムの第一面に半透明膜または偏
光分離膜を形成したことを特徴とする請求項（１）記載
の光ヘッド。 - 【請求項３】半導体レーザと、このレーザからの光を集
光して平行な光ビームとする集光レンズと、１つのプリ
ズムから成り上記集光された光ビームの一軸方向のビー
ム軸を拡大する整形プリズムと、整形された光ビームを
ディスク上に集束する焦点距離fmmの対物レンズと、上
記ディスクの反射光を検出する検出器とを備え、光ビー
ムが整形プリズムの第一面に入射角θ１で入射しかつ第
一面と角度αをなす第二面から出射角θ２で出射するよ
う構成し、第一面と第二面における光ビームの拡大縮小
率を各々m1,m2、整形プリズムのアッベ数をνとして なる関係にあるとともに、上記第一面に半透明膜または
偏光分離膜を形成して、上記ディスクの反射光が上記第
一面と角度αをなす第三面から出射角θ２で出射するよ
う構成し、第二面から出射する光ビームと第三面から出
射する光ビームが略直角を成すようにしたことを特徴と
する光ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63319034A JP2568662B2 (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 光ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63319034A JP2568662B2 (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 光ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02162542A JPH02162542A (ja) | 1990-06-22 |
| JP2568662B2 true JP2568662B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=18105776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63319034A Expired - Fee Related JP2568662B2 (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 光ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2568662B2 (ja) |
-
1988
- 1988-12-16 JP JP63319034A patent/JP2568662B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02162542A (ja) | 1990-06-22 |
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Legal Events
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