JP2825606B2 - 集積回路用コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
集積回路用コンデンサおよびその製造方法Info
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、集積回路の製造に関するものである。特
に、本発明は、集積回路に用いられるコンデンサ用多層
電極構造体に関するものである。
に、本発明は、集積回路に用いられるコンデンサ用多層
電極構造体に関するものである。
強誘電性コンデンサすなわち高誘電率コンデンサを製
造する場合には、2個の単層電極を誘電体によって分離
してコンデンサを形成する。各電極は、白金、アルミニ
ウムまたは銀のような単一材料から製造する。
造する場合には、2個の単層電極を誘電体によって分離
してコンデンサを形成する。各電極は、白金、アルミニ
ウムまたは銀のような単一材料から製造する。
各集積回路におけるすべての構成部品またはデバイス
は、集積回路を大規模に製造する場合には、いくつかの
必要条件を満たす必要がある。このような必要条件とし
ては良好な接着特性、高導電率、プラズマ中におけるエ
ッチング性、反応性イオンエンチング剤中におけるエッ
チング性、適切な誘電体薄膜を成長させるための配向し
た格子面、耐酸化性、耐拡散性および安い価格がある。
コンデンサ電極として標準的に選択された材料である白
金、アルミニウムおよび銀はこれらの必要条件のいくつ
かを満たすことができるが、集積回路におけるコンデン
サの多くの異なる用途においてこれらの必要条件のすべ
てを満たすことはない。
は、集積回路を大規模に製造する場合には、いくつかの
必要条件を満たす必要がある。このような必要条件とし
ては良好な接着特性、高導電率、プラズマ中におけるエ
ッチング性、反応性イオンエンチング剤中におけるエッ
チング性、適切な誘電体薄膜を成長させるための配向し
た格子面、耐酸化性、耐拡散性および安い価格がある。
コンデンサ電極として標準的に選択された材料である白
金、アルミニウムおよび銀はこれらの必要条件のいくつ
かを満たすことができるが、集積回路におけるコンデン
サの多くの異なる用途においてこれらの必要条件のすべ
てを満たすことはない。
従って、本発明の目的は、これらの必要条件のすべて
を満たす集積回路用コンデンサ電極を提供することにあ
る。
を満たす集積回路用コンデンサ電極を提供することにあ
る。
本発明の目的および利点は、集積回路において、多層
コンデンサ構造体を形成することによって達成される。
本発明の1つの面においては、第1電極は、基板上に少
なくとも1個の層を形成し、次いで、この形成された層
の上にプレート層を形成することにより形成する。第2
電極は、誘電体層上にプレート層を形成し、次いでこの
プレート層の上に少なくとも1個の追加層を形成するこ
とにより形成する。各層に1種以上の作用をさせること
ができる。
コンデンサ構造体を形成することによって達成される。
本発明の1つの面においては、第1電極は、基板上に少
なくとも1個の層を形成し、次いで、この形成された層
の上にプレート層を形成することにより形成する。第2
電極は、誘電体層上にプレート層を形成し、次いでこの
プレート層の上に少なくとも1個の追加層を形成するこ
とにより形成する。各層に1種以上の作用をさせること
ができる。
本発明の他の例においては、第1電極は、基板上に少
なくとも1個の層を形成し、次いで、この形成された層
の上にプレート層を形成することにより形成する。第1
電極の上に誘電体層を形成する。次いで、生成した構造
体を好ましくは酸素雰囲気中で加熱して下側層を酸化す
る。第2電極は第1電極とは逆の順序で誘電体層の上に
形成する。
なくとも1個の層を形成し、次いで、この形成された層
の上にプレート層を形成することにより形成する。第1
電極の上に誘電体層を形成する。次いで、生成した構造
体を好ましくは酸素雰囲気中で加熱して下側層を酸化す
る。第2電極は第1電極とは逆の順序で誘電体層の上に
形成する。
選定した製造方法とは関係なく、本発明はまた、従来
のように一方の電極が他方の電極から分離されている
が、少なくとも一方の電極が多層であるコンデンサ構造
体を提供する。例えば、電極は、プレート層、拡散障壁
層および電気的コンタクト層を具えることができる。各
層は他の層とは異なるものとすることができる。しか
も、電極を半導体基板に接触させようとする場合には、
接着層を半導体基板のすぐ近くに、好ましくは底部電極
の最下層として設けることができる。
のように一方の電極が他方の電極から分離されている
が、少なくとも一方の電極が多層であるコンデンサ構造
体を提供する。例えば、電極は、プレート層、拡散障壁
層および電気的コンタクト層を具えることができる。各
層は他の層とは異なるものとすることができる。しか
も、電極を半導体基板に接触させようとする場合には、
接着層を半導体基板のすぐ近くに、好ましくは底部電極
の最下層として設けることができる。
底部電極に使用する物質は、例えば、チタン、窒化チ
タンおよび白金とすることができる。誘電体層は、標準
誘電体層または強誘電体層とすることができる。頂部電
極における物質は、例えば、白金、チタンおよびアルミ
ニウムとすることができる。
タンおよび白金とすることができる。誘電体層は、標準
誘電体層または強誘電体層とすることができる。頂部電
極における物質は、例えば、白金、チタンおよびアルミ
ニウムとすることができる。
次に本発明を図面を参照しつつ、実施例について説明
する。
する。
第1図は、本発明に係るコンデンサの一例の断面図で
ある。集積回路用コンデンサは、基板上に形成するのが
通例であるので、以下に説明する例は、これに沿って行
う。しかし、本発明に係る多層電極構造は、他のコンデ
ンサ配列にも適用することができる。例示のために、多
層コンデンサ10を集積回路デバイスの基板12の上に形成
する。一般的にコンデンサ10は、業界において知られて
いるように第1電極すなわち底部電極14、誘電体層16、
および第2電極すなわち頂部電極18を具える。底部電極
14および頂部電極18は、いずれも本発明に係る多層構造
を有する。普通、第1図に示すように、底部電極14は、
例えば、4種の別個の材料層から形成され、各層は、異
なる作用をする。しかし、この例は、本発明のコンデン
サの1個の一例であるにすぎず、各電極における層の数
がこれにより多い場合または少ない場合も本発明の範囲
内にある。
ある。集積回路用コンデンサは、基板上に形成するのが
通例であるので、以下に説明する例は、これに沿って行
う。しかし、本発明に係る多層電極構造は、他のコンデ
ンサ配列にも適用することができる。例示のために、多
層コンデンサ10を集積回路デバイスの基板12の上に形成
する。一般的にコンデンサ10は、業界において知られて
いるように第1電極すなわち底部電極14、誘電体層16、
および第2電極すなわち頂部電極18を具える。底部電極
14および頂部電極18は、いずれも本発明に係る多層構造
を有する。普通、第1図に示すように、底部電極14は、
例えば、4種の別個の材料層から形成され、各層は、異
なる作用をする。しかし、この例は、本発明のコンデン
サの1個の一例であるにすぎず、各電極における層の数
がこれにより多い場合または少ない場合も本発明の範囲
内にある。
底部電極14の第1層20は、接着層から構成するのが好
ましい。第1層20は、底部電極14、従ってコンデンサ20
の全体の基板12に対する接着を促進する。接着層20の上
に第2層22を形成する。第2層22は、拡散障壁層から構
成するのが好ましい。拡散障壁層22は、業界において知
られているように上側層すなわち追加層の材料が例えば
ヒルオック(hill−ock)によって下側層のなかに拡散
すなわち移動して、下側層のなかに意図しない電気通路
および不純物が形成するのを防止する。
ましい。第1層20は、底部電極14、従ってコンデンサ20
の全体の基板12に対する接着を促進する。接着層20の上
に第2層22を形成する。第2層22は、拡散障壁層から構
成するのが好ましい。拡散障壁層22は、業界において知
られているように上側層すなわち追加層の材料が例えば
ヒルオック(hill−ock)によって下側層のなかに拡散
すなわち移動して、下側層のなかに意図しない電気通路
および不純物が形成するのを防止する。
第3層24は、電気的コンタクト層とすることができ、
この層は、コンデンサ10を集積回路上の他のデバイスお
よび構成部品に電気的に接続する作用をする。
この層は、コンデンサ10を集積回路上の他のデバイスお
よび構成部品に電気的に接続する作用をする。
第4層26は、底部電極14における他の層の上に形成す
ることができる。第4層26はプレート層とすることがで
き、この層はコンデンサにおいて普通に見られるように
電極またはプレートの作用をする。また、この例におい
て、第4層26は、以下に説明するように誘電体を成長さ
せるための核形成層を提供することができる。
ることができる。第4層26はプレート層とすることがで
き、この層はコンデンサにおいて普通に見られるように
電極またはプレートの作用をする。また、この例におい
て、第4層26は、以下に説明するように誘電体を成長さ
せるための核形成層を提供することができる。
第1図のコンデンサを上方向に続けて説明する。誘電
体層16を業界において知られているように第1電極すな
わち底部電極14の上に成長、堆積あるいは他の方法によ
って形成する。
体層16を業界において知られているように第1電極すな
わち底部電極14の上に成長、堆積あるいは他の方法によ
って形成する。
第2電極すなわち頂部電極18は誘電体層16の頂面上に
多層構造として形成することができ、第2電極18の構造
は第1電極の多層構造と類似なものとすることができる
が、その鏡像である。すなわち、第2電極18の底部層30
は、誘電体層16の上に形成したプレート層とすることが
できる。第2電極18の第2層32はプレート層30の上に形
成することができる。第2電極18の第2層32は、業界に
おいて知られかつ先に底部電極14の第2層22に関連して
説明したように、拡散障壁層とすることができる。
多層構造として形成することができ、第2電極18の構造
は第1電極の多層構造と類似なものとすることができる
が、その鏡像である。すなわち、第2電極18の底部層30
は、誘電体層16の上に形成したプレート層とすることが
できる。第2電極18の第2層32はプレート層30の上に形
成することができる。第2電極18の第2層32は、業界に
おいて知られかつ先に底部電極14の第2層22に関連して
説明したように、拡散障壁層とすることができる。
第2電極すなわち頂部電極18の第3層34は、第2層32
の上に形成することができる。第2層32は、例えば、集
積回路において近く(または他の場所)に位置する他の
構成部品またはディバイスとの回路または接続部を形成
する第2電気的コンタクト層とすることができる。次い
で、集積回路の追加層を業界において知られているよう
にコンデンサの上に形成することができる。
の上に形成することができる。第2層32は、例えば、集
積回路において近く(または他の場所)に位置する他の
構成部品またはディバイスとの回路または接続部を形成
する第2電気的コンタクト層とすることができる。次い
で、集積回路の追加層を業界において知られているよう
にコンデンサの上に形成することができる。
第2図は、本発明のコンデンサの他の例の断面図であ
り、多層電極コンデンサを製造するのに使用することが
できる種々の層および材料を示す。第2図に例示するコ
ンデンサを符号110で示す。コンデンサ110は、第1図の
コンデンサ10と同じく、集積回路の基板112上に形成さ
れ、第1電極すなわち底部電極114、該電極114上の誘電
体層116および該層116によって底部電極114から離間さ
れている第2電極すなわち頂部電極118を具える。両電
極114および118は、本発明に従って多層構造に形成す
る。
り、多層電極コンデンサを製造するのに使用することが
できる種々の層および材料を示す。第2図に例示するコ
ンデンサを符号110で示す。コンデンサ110は、第1図の
コンデンサ10と同じく、集積回路の基板112上に形成さ
れ、第1電極すなわち底部電極114、該電極114上の誘電
体層116および該層116によって底部電極114から離間さ
れている第2電極すなわち頂部電極118を具える。両電
極114および118は、本発明に従って多層構造に形成す
る。
第2図に示す例のコンデンサは、業界において知られ
ているように、排気した室内において、好ましくは該室
を別個に2回排気または「ポンプ排気(pump down」)
して、形成する。第1電極すなわち底部電極114および
誘電体層116は第1ポンプ排気中に形成し、第2電極す
なわち頂部電極118は第2ポンプ排気中に形成する。以
下の説明において、厚さはすべて約+100%〜−50%の
範囲内で変えることができる。
ているように、排気した室内において、好ましくは該室
を別個に2回排気または「ポンプ排気(pump down」)
して、形成する。第1電極すなわち底部電極114および
誘電体層116は第1ポンプ排気中に形成し、第2電極す
なわち頂部電極118は第2ポンプ排気中に形成する。以
下の説明において、厚さはすべて約+100%〜−50%の
範囲内で変えることができる。
第2図に示す例のコンデンサにおいては、底部電極11
4は、基板112の上の3個の層から構成される。基板112
は、半導体基板上の絶縁材料、例えば、SiまたはGaAs上
に堆積させたSiO2から構成することができる。あるいは
また、基板112はMOSトランジスタのドレインおよびバイ
ポーラトランジスタのエミッタのような半導体材料から
構成することができる。
4は、基板112の上の3個の層から構成される。基板112
は、半導体基板上の絶縁材料、例えば、SiまたはGaAs上
に堆積させたSiO2から構成することができる。あるいは
また、基板112はMOSトランジスタのドレインおよびバイ
ポーラトランジスタのエミッタのような半導体材料から
構成することができる。
第1層120は、チタンから構成することができ、この
層は、基板112とコンデンサ110との間の接着層として作
用する。チタン層120は、後述のように約0.5ミクロンの
好ましい厚さに形成する。
層は、基板112とコンデンサ110との間の接着層として作
用する。チタン層120は、後述のように約0.5ミクロンの
好ましい厚さに形成する。
第1電極114の第2層124は、例えば窒化チタンから構
成することができる。この層124は、第2図のコンデン
サの底部電極114と集積回路上の他のディバイスとの間
の電気的コンタクト層として作用し、また拡散障壁層と
して作用する。窒化チタンからなる第2層124は、約0.1
ミクロンの好ましい厚さに堆積させる。
成することができる。この層124は、第2図のコンデン
サの底部電極114と集積回路上の他のディバイスとの間
の電気的コンタクト層として作用し、また拡散障壁層と
して作用する。窒化チタンからなる第2層124は、約0.1
ミクロンの好ましい厚さに堆積させる。
第1電極114の第3層126は、白金から構成することが
でき、この層はいくつかの作用をする。白金層126は、
電極プレートとして作用することができる。白金は、誘
電体層116の核形成にとって良好な材料である。白金
は、誘電体層116と導電体層124との間の化学的不活性界
面である。白金からなる第3層126は既知手段によって
約0.05ミクロンの好ましい厚さに堆積させる。第1電極
114は、この点において実質的に完成する。
でき、この層はいくつかの作用をする。白金層126は、
電極プレートとして作用することができる。白金は、誘
電体層116の核形成にとって良好な材料である。白金
は、誘電体層116と導電体層124との間の化学的不活性界
面である。白金からなる第3層126は既知手段によって
約0.05ミクロンの好ましい厚さに堆積させる。第1電極
114は、この点において実質的に完成する。
このコンデンサにおいて次の層は、誘電体層116であ
る。この層は、業界において知られている方法で堆積さ
せることができ、あるいは当業界において知られている
ようにして成長させることができる。誘電体は、強誘電
性材料すなわち高誘電率材料とすることができる。誘電
体層116の厚さは、選定した材料に依存する。高誘電率
材料の厚さはコンデンサの所望のキャパシタンスに逆比
例して変化する。強誘電体層の厚さは、下側の回路の動
作電圧に依存する。約5ボルトという代表的な動作電圧
の場合には、強誘電体層の厚さは、約0.4ミクロンであ
る。
る。この層は、業界において知られている方法で堆積さ
せることができ、あるいは当業界において知られている
ようにして成長させることができる。誘電体は、強誘電
性材料すなわち高誘電率材料とすることができる。誘電
体層116の厚さは、選定した材料に依存する。高誘電率
材料の厚さはコンデンサの所望のキャパシタンスに逆比
例して変化する。強誘電体層の厚さは、下側の回路の動
作電圧に依存する。約5ボルトという代表的な動作電圧
の場合には、強誘電体層の厚さは、約0.4ミクロンであ
る。
第2電極すなわち頂部電極118の第1層130を誘電体層
116の上に堆積させることができる。第1層130は、例え
ば白金から形成することができる。白金層130は、頂部
電極プレートとして作用し、誘電体層116と導電体層と
の間の化学的に不活性な界面として動作する。第2電極
118の白金層130は、業界において知られている方法によ
り約0.05ミクロンの好ましい厚さまで堆積させる。
116の上に堆積させることができる。第1層130は、例え
ば白金から形成することができる。白金層130は、頂部
電極プレートとして作用し、誘電体層116と導電体層と
の間の化学的に不活性な界面として動作する。第2電極
118の白金層130は、業界において知られている方法によ
り約0.05ミクロンの好ましい厚さまで堆積させる。
次いで、第2層132を第1層130の上に堆積あるいは他
の方法により形成する。第2層132は、チタンから構成
するのが好ましい。チタン層132は、頂部電極118におい
て拡散障壁および接着層として作用する。チタン層132
は、既知手段により約0.1ミクロンの好ましい厚さまで
堆積させる。
の方法により形成する。第2層132は、チタンから構成
するのが好ましい。チタン層132は、頂部電極118におい
て拡散障壁および接着層として作用する。チタン層132
は、既知手段により約0.1ミクロンの好ましい厚さまで
堆積させる。
第2図の例において、頂部電極118の第3層134は、ア
ルミニウムから形成するのが好ましい。アルミニウムか
らなる第3層134は集積回路における他のディバイスに
対する頂部電極の電気的コンタクト層として作用する。
アルミニウムからなる第3層134は、約0.1ミクロンの好
ましい厚さまで堆積させる。
ルミニウムから形成するのが好ましい。アルミニウムか
らなる第3層134は集積回路における他のディバイスに
対する頂部電極の電気的コンタクト層として作用する。
アルミニウムからなる第3層134は、約0.1ミクロンの好
ましい厚さまで堆積させる。
上述のように、頂部電極および底部電極のいずれにお
いても各層はいくつかの既知技術によって堆積または形
成することができる。これらの既知技術は層およびこれ
を取巻く構成部品のために選定した材料にとって適当で
あることが必要であるにすぎない。適当な方法としては
スパッタリング、蒸着、化学的気相堆積、分子線エタピ
キシーおよびスピンコーティングがあるが、これらの方
法に限定されるものではない。さらに、多層電極構造の
最終形態は堆積層または成長層の制御された化学反応に
よって達成することができる。
いても各層はいくつかの既知技術によって堆積または形
成することができる。これらの既知技術は層およびこれ
を取巻く構成部品のために選定した材料にとって適当で
あることが必要であるにすぎない。適当な方法としては
スパッタリング、蒸着、化学的気相堆積、分子線エタピ
キシーおよびスピンコーティングがあるが、これらの方
法に限定されるものではない。さらに、多層電極構造の
最終形態は堆積層または成長層の制御された化学反応に
よって達成することができる。
第3図および第4図には、本発明のコンデンサの他の
例を示す。この例においては、多層構造は、堆積層の制
御された化学反応によって形成される。第3図に部分的
に完成された本発明のコンデンサ210の断面を示す。こ
の例のコンデンサ210は基板212の上に形成され、第1電
極すなわち底部電極214、該電極の上の誘電体層216およ
び頂部電極(図示せず)を具える。この例においては、
材料の堆積を1回のポンプ排気で行うのが好ましい。こ
の例においては、チタンからなる第1層220を上述の当
業界において知られている方法によって基板212の上に
堆積させることができる。チタンからなる第1層220
は、厚さを0.15ミクロンとするのが好ましい(また、こ
の例においてはすべての層の厚さを約+100%〜−50%
の範囲で変えることができる)。
例を示す。この例においては、多層構造は、堆積層の制
御された化学反応によって形成される。第3図に部分的
に完成された本発明のコンデンサ210の断面を示す。こ
の例のコンデンサ210は基板212の上に形成され、第1電
極すなわち底部電極214、該電極の上の誘電体層216およ
び頂部電極(図示せず)を具える。この例においては、
材料の堆積を1回のポンプ排気で行うのが好ましい。こ
の例においては、チタンからなる第1層220を上述の当
業界において知られている方法によって基板212の上に
堆積させることができる。チタンからなる第1層220
は、厚さを0.15ミクロンとするのが好ましい(また、こ
の例においてはすべての層の厚さを約+100%〜−50%
の範囲で変えることができる)。
白金からなる第2層226を第1層220の上に0.05ミクロ
ンの好ましい厚さまで堆積させる。次に、上述の好適例
の場合と同様に、誘電体層216を白金からなる第2層226
の上に堆積させる。
ンの好ましい厚さまで堆積させる。次に、上述の好適例
の場合と同様に、誘電体層216を白金からなる第2層226
の上に堆積させる。
次に第4図について説明する。第3図について説明し
たようにして形成した構造体を酸素雰囲気中で約750℃
まで加熱する。この結果、第3図のチタンからなる第1
層220は第4図では二酸化チタン層220Aになる。第4図
に示すように、基板212A、白金からなる第2層226A、お
よび誘電体層216Aはこの工程による影響を相対的に受け
ない。次いで、全く同じかあるいは同様な方法によって
頂部電極または第2電極を形成する。
たようにして形成した構造体を酸素雰囲気中で約750℃
まで加熱する。この結果、第3図のチタンからなる第1
層220は第4図では二酸化チタン層220Aになる。第4図
に示すように、基板212A、白金からなる第2層226A、お
よび誘電体層216Aはこの工程による影響を相対的に受け
ない。次いで、全く同じかあるいは同様な方法によって
頂部電極または第2電極を形成する。
第3図のチタン層220が酸化すると白金の接着が改善
され、薄膜の応力が低下する。この例の多層電極には、
回路、所要の結線などに応じて他の層を加えることがで
きる。
され、薄膜の応力が低下する。この例の多層電極には、
回路、所要の結線などに応じて他の層を加えることがで
きる。
上述のように、好適例においては、集積回路における
コンデンサの両方の電極を2個または3個以上の異なる
層から形成し、各層に1種または2種以上の作用をさせ
ることができる。勿論、所定の適用分野が一方の電極の
みを本発明に従って多層にすることを要求している場合
には、両方の電極を多層に形成する必要はない。
コンデンサの両方の電極を2個または3個以上の異なる
層から形成し、各層に1種または2種以上の作用をさせ
ることができる。勿論、所定の適用分野が一方の電極の
みを本発明に従って多層にすることを要求している場合
には、両方の電極を多層に形成する必要はない。
第1図は、本発明のコンデンサの一例の断面図、 第2図は、本発明のコンデンサの他の例の断面図、 第3図は、本発明のコンデンサのさらに他の例の部分的
に完成した状態にある部分断面図、 第4図は、第3図の次に酸化工程を施した後の第3図の
コンデンサのなお部分的に完成した状態にある部分断面
図である。 10……コンデンサ、12……基板 14……第1電極(底部電極)、16……誘電体層 18……第2電極(頂部電極)、20……第1層(接着
層)、22……第2層(拡散障壁層) 24……第3層(電気的コンタクト層) 26……第4層(プレートおよび核形成層) 30……底部層(プレート層) 32……第2層(拡散障壁層) 34……第3層(電気的コンタクト層) 110……コンデンサ、112……基板 114……第1電極(底部電極) 116……誘電体層 118……第2電極(頂部電極) 120……第1層(チタン層、接着層) 124……第2層(窒化チタン層、導電体層、電気的コン
タクト層) 126……第3層(白金層、プレートおよび核形成層) 130……第1層(白金層、プレート層) 132……第2層(チタン層、拡散障壁および接着層)、1
34……第3層(アルミニウム層、電気的コンタクト層) 210,210A……コンデンサ 212,212A……基板 214,214A……第1電極(底部電極) 216A……誘電体層 220……第1層(チタン層) 220A……二酸化チタン層 226,226A……第2層(白金層)
に完成した状態にある部分断面図、 第4図は、第3図の次に酸化工程を施した後の第3図の
コンデンサのなお部分的に完成した状態にある部分断面
図である。 10……コンデンサ、12……基板 14……第1電極(底部電極)、16……誘電体層 18……第2電極(頂部電極)、20……第1層(接着
層)、22……第2層(拡散障壁層) 24……第3層(電気的コンタクト層) 26……第4層(プレートおよび核形成層) 30……底部層(プレート層) 32……第2層(拡散障壁層) 34……第3層(電気的コンタクト層) 110……コンデンサ、112……基板 114……第1電極(底部電極) 116……誘電体層 118……第2電極(頂部電極) 120……第1層(チタン層、接着層) 124……第2層(窒化チタン層、導電体層、電気的コン
タクト層) 126……第3層(白金層、プレートおよび核形成層) 130……第1層(白金層、プレート層) 132……第2層(チタン層、拡散障壁および接着層)、1
34……第3層(アルミニウム層、電気的コンタクト層) 210,210A……コンデンサ 212,212A……基板 214,214A……第1電極(底部電極) 216A……誘電体層 220……第1層(チタン層) 220A……二酸化チタン層 226,226A……第2層(白金層)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−66850(JP,A) IBM Technical Dis closure Bulletin V ol.23 No.12 May 1981 P.5373−P.5374 (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 27/04 H01L 21/822
Claims (13)
- 【請求項1】集積回路用多層電極コンデンサを製造する
に当り、 (a)基板上に接着層を形成し、(b)該接着層の上に
拡散障壁層を形成し、(c)該拡散障壁層の上に導電体
層を形成し、(d)該導電体層の上にプレートおよび核
形成層を形成することにより第1多層電極を形成し; (a)誘電体層の上に第2プレート層を形成し、(b)
該第2プレート層の上に第2拡散障壁層を形成し、
(c)該第2拡散障壁層の上に第2導電体層を形成する
ことにより第2多層電極を形成すること を特徴とする集積回路用コンデンサの製造方法。 - 【請求項2】集積回路用コンデンサにおいて、 第1電極および第2電極と、第1電極と第2電極との間
に位置する誘電体層とを具え、前記電極の一方は前記誘
電体層に隣接するプレート層および2個の追加層を具え
ることを特徴とする集積回路用コンデンサ。 - 【請求項3】前記一方の電極は少なくとも3個の異なる
層を具えることを特徴とする請求項2記載のコンデン
サ。 - 【請求項4】前記電極の他方は第2プレート層および少
なくとも1個の第2追加層を具えることを特徴とする請
求項3記載のコンデンサ。 - 【請求項5】前記一方の電極は前記プレート層、電気的
コンタクト層、接着層および拡散障壁層を具えることを
特徴とする請求項3記載のコンデンサ。 - 【請求項6】基板上の接着層と、いずれも前記プレート
層と前記基板との間に位置する拡散障壁層および電気的
コンタクト層とを具えることを特徴とする請求項2記載
のコンデンサ。 - 【請求項7】前記一方の電極において前記追加層は電気
的コンタクト層および拡散障壁層を具えることを特徴と
する請求項2記載のコンデンサ。 - 【請求項8】さらに接着層を具えることを特徴とする請
求項7記載のコンデンサ。 - 【請求項9】前記追加層はチタンまたは窒化チタンから
構成されていることを特徴とする請求項2記載のコンデ
ンサ。 - 【請求項10】集積回路用コンデンサにおいて、 第1電極および第2電極と、第1電極と第2電極との間
に位置する誘電体層とを具え、前記電極の一方は前記誘
電体層に隣接するプレート層および少なくとも1個の追
加層を具え、該追加層はチタン層および窒化チタン層を
具えることを特徴とする集積回路用コンデンサ。 - 【請求項11】前記追加層はさらにアルミニウム層を具
えることを特徴とする請求項10記載のコンデンサ。 - 【請求項12】集積回路用コンデンサを製造するに当
り、 誘電体層によって分離された第1電極および第2電極を
形成し、 この際、前記電極の一方を、(a)少なくとも1個の層
を形成し、(b)該少なくとも1個の層のうちの頂部層
の上にプレート層を前記誘電体層に隣接させて形成し、
(b)前記一方の電極を酸化して前記少なくとも1個の
層を酸化することにより形成すること を特徴とする集積回路用コンデンサの製造方法。 - 【請求項13】前記電極の他方を、(a)第2プレート
層を前記誘電体層に隣接させて形成し、(b)前記第2
プレート層の上に少なくとも1個の追加層を形成し、
(c)前記他方の電極を酸化して前記追加層を酸化する
ことにより形成する特許請求の範囲第12項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/368,668 US5005102A (en) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | Multilayer electrodes for integrated circuit capacitors |
US368668 | 1989-06-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03204967A JPH03204967A (ja) | 1991-09-06 |
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Family
ID=23452232
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2097783A Expired - Fee Related JP2825606B2 (ja) | 1989-06-20 | 1990-04-16 | 集積回路用コンデンサおよびその製造方法 |
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---|---|
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EP (1) | EP0404295B1 (ja) |
JP (1) | JP2825606B2 (ja) |
AU (1) | AU640934B2 (ja) |
DE (2) | DE404295T1 (ja) |
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NL9000602A (nl) * | 1990-03-16 | 1991-10-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met geheugenelementen vormende condensatoren met een ferroelectrisch dielectricum. |
JP3021800B2 (ja) * | 1990-07-24 | 2000-03-15 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US5273927A (en) * | 1990-12-03 | 1993-12-28 | Micron Technology, Inc. | Method of making a ferroelectric capacitor and forming local interconnect |
US5262920A (en) * | 1991-05-16 | 1993-11-16 | Nec Corporation | Thin film capacitor |
EP0516031A1 (en) * | 1991-05-29 | 1992-12-02 | Ramtron International Corporation | Stacked ferroelectric memory cell and method |
US5142437A (en) * | 1991-06-13 | 1992-08-25 | Ramtron Corporation | Conducting electrode layers for ferroelectric capacitors in integrated circuits and method |
US5164808A (en) * | 1991-08-09 | 1992-11-17 | Radiant Technologies | Platinum electrode structure for use in conjunction with ferroelectric materials |
US5262662A (en) * | 1991-10-31 | 1993-11-16 | Micron Technology, Inc. | Storage node capacitor having tungsten and etched tin storage node capacitor plate |
US5338951A (en) * | 1991-11-06 | 1994-08-16 | Ramtron International Corporation | Structure of high dielectric constant metal/dielectric/semiconductor capacitor for use as the storage capacitor in memory devices |
US5206788A (en) * | 1991-12-12 | 1993-04-27 | Ramtron Corporation | Series ferroelectric capacitor structure for monolithic integrated circuits and method |
US5406447A (en) * | 1992-01-06 | 1995-04-11 | Nec Corporation | Capacitor used in an integrated circuit and comprising opposing electrodes having barrier metal films in contact with a dielectric film |
US5401680A (en) * | 1992-02-18 | 1995-03-28 | National Semiconductor Corporation | Method for forming a ceramic oxide capacitor having barrier layers |
US5382817A (en) * | 1992-02-20 | 1995-01-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having a ferroelectric capacitor with a planarized lower electrode |
US5212620A (en) * | 1992-03-03 | 1993-05-18 | Radiant Technologies | Method for isolating SiO2 layers from PZT, PLZT, and platinum layers |
KR100325967B1 (ko) * | 1992-04-20 | 2002-06-20 | 윌리엄 비. 켐플러 | 유전체 물질에의 전기 접속부 |
US5191510A (en) * | 1992-04-29 | 1993-03-02 | Ramtron International Corporation | Use of palladium as an adhesion layer and as an electrode in ferroelectric memory devices |
US5185689A (en) * | 1992-04-29 | 1993-02-09 | Motorola Inc. | Capacitor having a ruthenate electrode and method of formation |
JP3407204B2 (ja) * | 1992-07-23 | 2003-05-19 | オリンパス光学工業株式会社 | 強誘電体集積回路及びその製造方法 |
US5453347A (en) * | 1992-11-02 | 1995-09-26 | Radiant Technologies | Method for constructing ferroelectric capacitors on integrated circuit substrates |
US5348894A (en) * | 1993-01-27 | 1994-09-20 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming electrical connections to high dielectric constant materials |
US5381302A (en) * | 1993-04-02 | 1995-01-10 | Micron Semiconductor, Inc. | Capacitor compatible with high dielectric constant materials having a low contact resistance layer and the method for forming same |
US6791131B1 (en) | 1993-04-02 | 2004-09-14 | Micron Technology, Inc. | Method for forming a storage cell capacitor compatible with high dielectric constant materials |
US5392189A (en) | 1993-04-02 | 1995-02-21 | Micron Semiconductor, Inc. | Capacitor compatible with high dielectric constant materials having two independent insulative layers and the method for forming same |
US6030847A (en) * | 1993-04-02 | 2000-02-29 | Micron Technology, Inc. | Method for forming a storage cell capacitor compatible with high dielectric constant materials |
US6531730B2 (en) * | 1993-08-10 | 2003-03-11 | Micron Technology, Inc. | Capacitor compatible with high dielectric constant materials having a low contact resistance layer and the method for forming same |
JP3412051B2 (ja) * | 1993-05-14 | 2003-06-03 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | キャパシタ |
US5407855A (en) * | 1993-06-07 | 1995-04-18 | Motorola, Inc. | Process for forming a semiconductor device having a reducing/oxidizing conductive material |
JPH0714993A (ja) * | 1993-06-18 | 1995-01-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US5439840A (en) * | 1993-08-02 | 1995-08-08 | Motorola, Inc. | Method of forming a nonvolatile random access memory capacitor cell having a metal-oxide dielectric |
US5645976A (en) * | 1993-10-14 | 1997-07-08 | Matsushita Electronics Corporation | Capacitor apparatus and method of manufacture of same |
US6447838B1 (en) * | 1993-12-10 | 2002-09-10 | Symetrix Corporation | Integrated circuit capacitors with barrier layer and process for making the same |
US6052271A (en) * | 1994-01-13 | 2000-04-18 | Rohm Co., Ltd. | Ferroelectric capacitor including an iridium oxide layer in the lower electrode |
US5608246A (en) * | 1994-02-10 | 1997-03-04 | Ramtron International Corporation | Integration of high value capacitor with ferroelectric memory |
US5793600A (en) * | 1994-05-16 | 1998-08-11 | Texas Instruments Incorporated | Method for forming high dielectric capacitor electrode structure and semiconductor memory devices |
JP3045928B2 (ja) * | 1994-06-28 | 2000-05-29 | 松下電子工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3407409B2 (ja) * | 1994-07-27 | 2003-05-19 | 富士通株式会社 | 高誘電率薄膜の製造方法 |
US5585300A (en) * | 1994-08-01 | 1996-12-17 | Texas Instruments Incorporated | Method of making conductive amorphous-nitride barrier layer for high-dielectric-constant material electrodes |
US5622893A (en) * | 1994-08-01 | 1997-04-22 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming conductive noble-metal-insulator-alloy barrier layer for high-dielectric-constant material electrodes |
US5504041A (en) * | 1994-08-01 | 1996-04-02 | Texas Instruments Incorporated | Conductive exotic-nitride barrier layer for high-dielectric-constant materials |
JP2703206B2 (ja) * | 1994-09-30 | 1998-01-26 | 三星電子株式会社 | 強誘電体キャパシタ及びその製造方法 |
US5479317A (en) * | 1994-10-05 | 1995-12-26 | Bell Communications Research, Inc. | Ferroelectric capacitor heterostructure and method of making same |
US5576240A (en) * | 1994-12-09 | 1996-11-19 | Lucent Technologies Inc. | Method for making a metal to metal capacitor |
US6204111B1 (en) | 1994-12-28 | 2001-03-20 | Matsushita Electronics Corporation | Fabrication method of capacitor for integrated circuit |
CN1075243C (zh) * | 1994-12-28 | 2001-11-21 | 松下电器产业株式会社 | 集成电路用电容元件及其制造方法 |
JP3683972B2 (ja) * | 1995-03-22 | 2005-08-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
US5874364A (en) * | 1995-03-27 | 1999-02-23 | Fujitsu Limited | Thin film deposition method, capacitor device and method for fabricating the same, and semiconductor device and method for fabricating the same |
US5708302A (en) * | 1995-04-26 | 1998-01-13 | Symetrix Corporation | Bottom electrode structure for dielectric capacitors |
US6040616A (en) * | 1995-06-06 | 2000-03-21 | Lucent Technologies Inc. | Device and method of forming a metal to metal capacitor within an integrated circuit |
US5638252A (en) * | 1995-06-14 | 1997-06-10 | Hughes Aircraft Company | Electrical device and method utilizing a positive-temperature-coefficient ferroelectric capacitor |
WO1997001854A1 (en) * | 1995-06-28 | 1997-01-16 | Bell Communication Research, Inc. | Barrier layer for ferroelectric capacitor integrated on silicon |
JP3929513B2 (ja) * | 1995-07-07 | 2007-06-13 | ローム株式会社 | 誘電体キャパシタおよびその製造方法 |
JP3188179B2 (ja) * | 1995-09-26 | 2001-07-16 | シャープ株式会社 | 強誘電体薄膜素子の製造方法及び強誘電体メモリ素子の製造方法 |
JP3417167B2 (ja) * | 1995-09-29 | 2003-06-16 | ソニー株式会社 | 半導体メモリ素子のキャパシタ構造及びその形成方法 |
US5612560A (en) * | 1995-10-31 | 1997-03-18 | Northern Telecom Limited | Electrode structure for ferroelectric capacitors for integrated circuits |
JPH09260600A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-10-03 | Sharp Corp | 半導体メモリ素子の製造方法 |
KR100234361B1 (ko) * | 1996-06-17 | 1999-12-15 | 윤종용 | 강유전체 캐패시터를 구비하는 반도체 메모리장치 및그제조방법 |
DE19630883A1 (de) * | 1996-07-31 | 1998-02-05 | Philips Patentverwaltung | Bauteil mit einem Kondensator |
JPH10116964A (ja) * | 1996-10-09 | 1998-05-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置とその製造方法およびスパッタリング装置 |
KR100239417B1 (ko) * | 1996-12-03 | 2000-01-15 | 김영환 | 반도체 소자의 커패시터 및 그의 제조방법 |
KR100239418B1 (ko) * | 1996-12-03 | 2000-01-15 | 김영환 | 반도체소자의 커패시터 및 그 제조방법 |
US5874369A (en) * | 1996-12-05 | 1999-02-23 | International Business Machines Corporation | Method for forming vias in a dielectric film |
US5790366A (en) * | 1996-12-06 | 1998-08-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | High temperature electrode-barriers for ferroelectric and other capacitor structures |
JP3452763B2 (ja) | 1996-12-06 | 2003-09-29 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置および半導体記憶装置の製造方法 |
TW468253B (en) * | 1997-01-13 | 2001-12-11 | Hitachi Ltd | Semiconductor memory device |
USRE38565E1 (en) * | 1997-03-03 | 2004-08-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film ferroelectric capacitors having improved memory retention through the use of essentially smooth bottom electrode structures |
US6265738B1 (en) * | 1997-03-03 | 2001-07-24 | Matsushita Electronics Corporation | Thin film ferroelectric capacitors having improved memory retention through the use of essentially smooth bottom electrode structures |
US6396092B1 (en) | 1997-03-27 | 2002-05-28 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US5872696A (en) * | 1997-04-09 | 1999-02-16 | Fujitsu Limited | Sputtered and anodized capacitors capable of withstanding exposure to high temperatures |
US6188097B1 (en) | 1997-07-02 | 2001-02-13 | Micron Technology, Inc. | Rough electrode (high surface area) from Ti and TiN |
EP0893832A3 (en) | 1997-07-24 | 1999-11-03 | Matsushita Electronics Corporation | Semiconductor device including a capacitor device and method for fabricating the same |
JP3484324B2 (ja) | 1997-07-29 | 2004-01-06 | シャープ株式会社 | 半導体メモリ素子 |
JP3319994B2 (ja) * | 1997-09-29 | 2002-09-03 | シャープ株式会社 | 半導体記憶素子 |
US5923970A (en) * | 1997-11-20 | 1999-07-13 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method of fabricating a ferrolelectric capacitor with a graded barrier layer structure |
US6180481B1 (en) * | 1998-01-09 | 2001-01-30 | Micron Technology, Inc. | Barrier layer fabrication methods |
JP3209175B2 (ja) * | 1998-02-23 | 2001-09-17 | 日本電気株式会社 | 薄膜キャパシタの製造方法 |
US6197628B1 (en) * | 1998-08-27 | 2001-03-06 | Micron Technology, Inc. | Ruthenium silicide diffusion barrier layers and methods of forming same |
TW457703B (en) | 1998-08-31 | 2001-10-01 | Siemens Ag | Micro-electronic structure, method for its production and its application in a memory-cell |
CA2289239C (en) * | 1998-11-23 | 2010-07-20 | Micro Coating Technologies | Formation of thin film capacitors |
US6433993B1 (en) * | 1998-11-23 | 2002-08-13 | Microcoating Technologies, Inc. | Formation of thin film capacitors |
KR100324591B1 (ko) * | 1998-12-24 | 2002-04-17 | 박종섭 | 티타늄 알루미늄 질소 합금막을 상부전극의 확산방지막으로서 이용하는 캐패시터 제조 방법 |
US6150707A (en) * | 1999-01-07 | 2000-11-21 | International Business Machines Corporation | Metal-to-metal capacitor having thin insulator |
US6323044B1 (en) * | 1999-01-12 | 2001-11-27 | Agere Systems Guardian Corp. | Method of forming capacitor having the lower metal electrode for preventing undesired defects at the surface of the metal plug |
US6421223B2 (en) * | 1999-03-01 | 2002-07-16 | Micron Technology, Inc. | Thin film structure that may be used with an adhesion layer |
US6242299B1 (en) | 1999-04-01 | 2001-06-05 | Ramtron International Corporation | Barrier layer to protect a ferroelectric capacitor after contact has been made to the capacitor electrode |
DE19915247A1 (de) * | 1999-04-03 | 2000-10-05 | Philips Corp Intellectual Pty | Spannungsabhängiger Dünnschichtkondensator |
US6420740B1 (en) * | 1999-05-24 | 2002-07-16 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Lead germanate ferroelectric structure with multi-layered electrode |
JP4737789B2 (ja) * | 1999-06-18 | 2011-08-03 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2001015713A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-01-19 | Mitsubishi Electric Corp | 容量性素子 |
US6153463A (en) * | 1999-07-09 | 2000-11-28 | Macronix International Co., Ltd. | Triple plate capacitor and method for manufacturing |
DE19959711A1 (de) * | 1999-12-10 | 2001-06-21 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Metallschicht |
US6339527B1 (en) * | 1999-12-22 | 2002-01-15 | International Business Machines Corporation | Thin film capacitor on ceramic |
US6737728B1 (en) * | 2000-10-12 | 2004-05-18 | Intel Corporation | On-chip decoupling capacitor and method of making same |
US6794705B2 (en) * | 2000-12-28 | 2004-09-21 | Infineon Technologies Ag | Multi-layer Pt electrode for DRAM and FRAM with high K dielectric materials |
US7082026B2 (en) * | 2001-10-09 | 2006-07-25 | Schmidt Dominik J | On chip capacitor |
US6707115B2 (en) * | 2001-04-16 | 2004-03-16 | Airip Corporation | Transistor with minimal hot electron injection |
KR20030025494A (ko) * | 2001-09-21 | 2003-03-29 | 삼성전자주식회사 | 루테늄막과 금속층간의 콘택을 포함하는 반도체 장치 및그의 제조 방법 |
US6576977B1 (en) | 2002-09-17 | 2003-06-10 | National Semiconductor Corporation | Low cost bias technique for dual plate integrated capacitors |
US6621683B1 (en) * | 2002-09-19 | 2003-09-16 | Infineon Technologies Aktiengesellschaft | Memory cells with improved reliability |
US20040061990A1 (en) * | 2002-09-26 | 2004-04-01 | Dougherty T. Kirk | Temperature-compensated ferroelectric capacitor device, and its fabrication |
KR100492903B1 (ko) * | 2002-11-13 | 2005-06-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 강유전체 메모리 소자의 캐패시터 제조방법 |
US6999298B2 (en) * | 2003-09-18 | 2006-02-14 | American Semiconductor, Inc. | MIM multilayer capacitor |
KR100548999B1 (ko) * | 2003-10-28 | 2006-02-02 | 삼성전자주식회사 | 수직으로 연장된 배선간 엠아이엠 커패시터를 갖는로직소자 및 그것을 제조하는 방법 |
US20050267420A1 (en) * | 2004-05-25 | 2005-12-01 | Young Christopher S | Protective device for a needle assembly and assembly comprising same |
US20060077020A1 (en) * | 2004-10-13 | 2006-04-13 | Cyntec Company | Circuits and manufacturing configurations of compact band-pass filter |
KR100712502B1 (ko) * | 2004-11-30 | 2007-05-02 | 삼성전자주식회사 | 금속-유전막-금속 캐패시터 및 그 제조방법 |
US8344438B2 (en) * | 2008-01-31 | 2013-01-01 | Qimonda Ag | Electrode of an integrated circuit |
US8107218B2 (en) * | 2009-06-02 | 2012-01-31 | Micron Technology, Inc. | Capacitors |
JP5617441B2 (ja) * | 2009-09-02 | 2014-11-05 | 三菱マテリアル株式会社 | 誘電体薄膜の形成方法及び該誘電体薄膜を有する薄膜キャパシタ |
US9092582B2 (en) | 2010-07-09 | 2015-07-28 | Cypress Semiconductor Corporation | Low power, low pin count interface for an RFID transponder |
US9846664B2 (en) | 2010-07-09 | 2017-12-19 | Cypress Semiconductor Corporation | RFID interface and interrupt |
US8723654B2 (en) | 2010-07-09 | 2014-05-13 | Cypress Semiconductor Corporation | Interrupt generation and acknowledgment for RFID |
US8664076B2 (en) * | 2011-09-21 | 2014-03-04 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming a robust, modular MIS (metal-insulator-semiconductor) capacitor with improved capacitance density |
US8809827B1 (en) * | 2013-03-13 | 2014-08-19 | International Business Machines Corporation | Thermally assisted MRAM with multilayer strap and top contact for low thermal conductivity |
US9515251B2 (en) | 2014-04-09 | 2016-12-06 | International Business Machines Corporation | Structure for thermally assisted MRAM |
KR102406971B1 (ko) * | 2015-12-24 | 2022-06-10 | 삼성전자주식회사 | 커패시터를 포함하는 반도체 장치 및 이의 제조 방법 |
US10186595B2 (en) | 2016-08-05 | 2019-01-22 | Northwestern University | Noncentrosymmetric metal electrodes for ferroic devices |
JP7056290B2 (ja) * | 2018-03-23 | 2022-04-19 | Tdk株式会社 | 薄膜キャパシタ、及び薄膜キャパシタの製造方法 |
TWI691092B (zh) | 2018-11-05 | 2020-04-11 | 力晶積成電子製造股份有限公司 | 電容單元及其製造方法 |
US12046658B2 (en) * | 2019-07-11 | 2024-07-23 | Micron Technology, Inc. | Electrode formation |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL146323B (nl) * | 1968-03-25 | 1975-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Werkwijze voor het vervaardigen van een dunfoeliecondensator en condensator, verkregen volgens deze werkwijze. |
US3668484A (en) * | 1970-10-28 | 1972-06-06 | Rca Corp | Semiconductor device with multi-level metalization and method of making the same |
US3699409A (en) * | 1971-09-30 | 1972-10-17 | Gte Laboratories Inc | Solid state device having dielectric and semiconductor films sandwiched between electrodes |
JPS5685848A (en) * | 1979-12-15 | 1981-07-13 | Toshiba Corp | Manufacture of bipolar integrated circuit |
JPS5696854A (en) * | 1979-12-29 | 1981-08-05 | Fujitsu Ltd | Semiconductor memory device |
JPS5745968A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-16 | Ibm | Capacitor with double dielectric unit |
JPS59215764A (ja) * | 1983-05-24 | 1984-12-05 | Nec Corp | 半導体装置用キヤパシタの製造方法 |
JPS6074556A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Fujitsu Ltd | キヤパシタ |
JP2559360B2 (ja) * | 1984-11-28 | 1996-12-04 | 株式会社日立製作所 | 半導体メモリ装置 |
-
1989
- 1989-06-20 US US07/368,668 patent/US5005102A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-03-21 DE DE199090303064T patent/DE404295T1/de active Pending
- 1990-03-21 EP EP90303064A patent/EP0404295B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-21 DE DE69030843T patent/DE69030843T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-04-16 JP JP2097783A patent/JP2825606B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1990-06-19 AU AU57614/90A patent/AU640934B2/en not_active Ceased
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
IBM Technical Disclosure Bulletin Vol.23 No.12 May 1981 P.5373−P.5374 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0404295A1 (en) | 1990-12-27 |
DE69030843T2 (de) | 1997-09-18 |
JPH03204967A (ja) | 1991-09-06 |
US5005102A (en) | 1991-04-02 |
DE404295T1 (de) | 1991-11-28 |
AU640934B2 (en) | 1993-09-09 |
DE69030843D1 (de) | 1997-07-10 |
EP0404295B1 (en) | 1997-06-04 |
AU5761490A (en) | 1991-01-31 |
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