JP2806293B2 - 光ピックアップ及びその製造方法 - Google Patents

光ピックアップ及びその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光素子、光ディスクへの
情報の記録または再生を行う光ピックアップ及びその製
造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、レーザ光を利用して情報の記録や
再生を行う光ディスク装置の小型化が望まれており、光
学部品点数の削減等により光ピックアップの小型化及び
軽量化の試みが行われている。光ピックアップの小型・
軽量化は、装置全体の小型化だけでなく、アクセス時間
の短縮などの性能向上に有利となる。近年、光ピックア
ップの小型・軽量化の手段としてホログラム光ピックア
ップの利用が挙げられており、一部実用化に供してい
る。
【0003】以下に図35から図38を参照しながらホ
ログラム光ピックアップを利用した光ピックアップの従
来例を説明する。図35(a)は従来例における光ピッ
クアップの平面図、図35(b)は従来例における光ピ
ックアップの側面図である。
【0004】まず、発光素子である半導体レーザから、
光ディスク盤に至る往路の光路について説明する。図3
5(b)においてセンサ基板1上に水平にマウントされ
た半導体レーザチップ2から水平に放出されたレーザ光
3は、同じくセンサ基板1上に反射面を半導体レーザチ
ップ2に対向するようにマウントされた台形状の反射プ
リズム4により、透明な光ガイド部材5の第2面5bの
入射窓6から光ガイド部材5内部に入射し拡散光7にな
る。光ガイド部材5の第1面5aにはホログラム8が形
成されていていて、拡散光7はホログラム8から光ガイ
ド部材5外部に出射し拡散光9になる。拡散光9は対物
レンズ10に入射し、光ディスク盤11の情報記録層1
1aにスポット12として集光する往路集束光13に変
換される。
【0005】次に光ディスク盤から受光センサに至る復
路について説明する。光ディスク盤11の情報記録層1
1aで反射された反射光14は対物レンズ10に再び入
射し復路集束光15に変換された後、ホログラム8に入
射する。
【0006】ホログラム8は図36のような、光ディス
ク盤11のトラック方向と同一方向の分割線を境界とし
て、各々異なるパターンを持つ2つの等面積の領域を有
し、復路集束光15を、半導体レーザチップ2の偏光方
向に対して例えば45゜と135゜等の(2n+1)π
/4のいずれかの角度を有する異なった方向に回折する
第1回折光16と第2回折光17に変換する。
【0007】光ガイド部材5の第2面5bには、両回折
光16、17のP偏光成分を透過し、S偏光成分を反射
する復路偏光分離膜がコーティングされた第1復路偏光
分離部18及び第2復路偏光分離部19が形成してあ
る。
【0008】図35(a)においてホログラム8に入射
する拡散光7の偏光状態を矢印で表すような直線偏光2
3とすると、両回折光16、17の回折方向が直線偏光
23の偏光方向に対して(2n+1)π/4に設定して
あるので、両復路偏光分離部18、19に入射する両回
折光16、17は両復路偏光分離部18、19に対して
P偏光成分、S偏光成分が各々約半分となり、両復路偏
光分離部18、19からの第1透過光24及び第2透過
光25の光量は各々第1回折光16及び第2回折光17
の約半分になる。両透過光24、25は各々センサ基板
1に形成された第1受光センサ26及び第2受光センサ
27を照射する。両復路偏光分離部18、19で反射さ
れた両回折光16、17の残りの約半分である第1反射
光28、第2反射光29は、各々第1面5aの第1復路
反射部30及び第2復路反射部31で反射され再び第2
面5bへ向かう第3反射光32及び第4反射光33とな
る。この第3反射光32及び第4反射光33は、各々第
2面5bの第1透過窓34及び第2透過窓35を透過し
た後、各々第3透過光36及び第4透過光37となり、
両透過光36、37は各々第3受光センサ38及び第4
受光センサ39を照射する。両回折光16、17は各々
両復路偏光分離部18、19と第3、第4受光センサ3
8、39間に焦点が存在するように設計されている。
【0009】図37を用いて詳細に光磁気信号検出原理
を説明する。図37において23は前述のようにホログ
ラム8に入射する直線偏光の偏光方向である。ホログラ
ム8は偏光面には影響を与えないから、光ディスク盤1
1の情報記録面11aに情報が記録されていなければ
(情報記録面11aが磁化されていなければ)、スポッ
ト12の反射光である両回折光16、17も直線偏光2
3と同じ偏光方向を有する。このような状態の両回折光
16、17の偏光方向を、P偏光成分をほぼ100%透
過させ、S偏光成分をほぼ100%反射する両復路偏光
分離部18、19に対し、図37に示すように方位45
゜と135゜で入射するように両回折光16、17の回
折方向を直線偏光23の偏光方向に対して各々45゜と
135゜に設定する。直線偏光23は光ディスク盤11
の磁化された情報ピットで反射すると、磁化の極性と磁
化の強さによって回転方向は±θkの範囲で変化する
(カー効果)。
【0010】いま直線偏光23の状態からθk回転した
状態を直線偏光40、−θk回転した状態を直線偏光4
1とする。直線偏光40から直線偏光41まで変調され
た光磁気信号を両偏光分離部18、19の偏光分離膜に
入射する場合を考える。
【0011】復路集束光15の偏光状態が前記直線偏光
23の状態からθk回転した場合、前記第1回折光16
の偏光状態は直線偏光40に、前記第2回折光17の偏
光状態は直線偏光41に変調される。また復路集束光1
5の偏光状態が前記直線偏光23の状態から−θk回転
した場合、前記第1回折光16の偏光状態は直線偏光4
1に前記第2回折光17の偏光状態は直線偏光40に変
調される。従って前記第2回折光17のP偏光成分は前
記第1回折光16のS偏光成分と等しく、前記第2回折
光17のS偏光成分は前記第1回折光16のP偏光成分
と等しくなる。従ってRF再生信号は前記第1回折光1
6のP偏光成分の信号と第2回折光17のS偏光成分の
信号の和信号と前記第1回折光16のS偏光成分の信号
と第2回折光17のP偏光成分の信号の和信号との差動
つまり以下の(数式1)により信号成分は2倍となり、
また同位相成分のノイズはキャンセルされるから結果的
に高C/N比の信号が得られる。
【0012】半導体レーザチップ2およびの受光センサ
群等が形成されているセンサ基板1への各種信号の入出
力は、リードフレーム44を介して行われる。
【0013】次に、図38を用いて第1受光センサ2
6、第2受光センサ27、第3受光センサ38および第
4受光センサ39の形状と、信号検出原理について説明
する。
【0014】第2受光センサ27および第4受光センサ
39は3分割センサで、それぞれ27a、27b、27
cおよび39a、39b、39cに分割されている。こ
こで、第1受光センサ26および第3受光センサ38か
らの出力を、各々I(26)およびI(38)で表し、
また第2受光センサ27および第4受光センサ39の各
部分27a、27b、27cおよび39a、39b、3
9cからの出力を、それぞれI27a、I27b、I2
7cおよびI39a、I39b、I39cで表す。
【0015】まず、各種信号の内RF再生信号(R.
F.)について説明する。前述のように回折光16のP
偏光成分と回折光17のS偏光成分との和信号と回折光
16のS偏光成分と回折光17のP偏光成分との和信号
との差動により得られるから、図38の回路図の回路構
成からわかるように以下の式により得られる。
【0016】 R.F.=[I26−(I27a+I27b+I27c)] −[I38−(I39a+I39b+I39c)] 次にフォーカスエラー信号(F.E.)についてに説明
する。F.E.は図38の回路図の回路構成からわかる
ように以下の数式6により得られる。
【0017】F.E.=[(I27a+I27c)+I
39b]−[(I39a+I39c)+I27b] いま光ディスク盤11の情報記録層11aに、対物レン
ズ10のスポット12が正確に合焦しており、この合焦
状態における第2受光センサ27および第4受光センサ
39上のレーザ光の照射形状をそれぞれ45a、46a
とすると、以下の式になるようにレーザ光の照射強度分
布と、受光センサの位置関係が調整されている。
【0018】F.E.=0 次に、光ディスク盤11と対物レンズ10との間の距離
が合焦状態から近接した場合、第2受光センサ27およ
び第4受光センサ39上のレーザ光の照射形状はそれぞ
れ45c、46cとなり、F.E.は以下の式の様に変
化する。
【0019】F.E.>0 逆に、光ディスク盤11と対物レンズ10との間の距離
が合焦状態から離れた場合、第2受光センサ27および
第4受光センサ39上のレーザ光の照射形状は45b、
46bとなり、F.E.は以下の式の様に変化する。
【0020】F.E.<0 以上のようなフォーカスエラー検出方式はスポットサイ
ズ法として知られている。
【0021】次にトラッキングエラー信号(T.E.)
について説明する。ホログラム8のパターンの異なる2
つの等面積の領域の境界がトラック方向と同一方向であ
るため、光ディスク盤11からの反射光が含んでいるト
ラック情報はホログラム8によりスポット12のトラッ
ク方向の中心線で分割される左右のトラック情報の2つ
に分けられ、その2つのトラック情報は第1回折光16
と第2回折光17とに分離される。さらに、第1回折光
16と第2回折光17についてのホログラム8の各々の
領域の第1回折光16と第2回折光17についての回折
効率が同等になるようにホログラム8は設計されてい
る。従ってT.E.は図38の回路図の回路構成よりわ
かるように以下の式で得られる。
【0022】T.E.=[(I27a+I27b+I2
7c)+(I39a+I39b+I39c)]−(I2
6+I38) スポット12がトラック中心を照射している場合、ホロ
グラム8の2つの領域に入射する復路集束光15の光量
は等しいため、第1回折光16と第2回折光17の光量
は等しく、両回折光16、17の各々の光量である第1
受光センサ26の信号と第3受光センサ38の信号の和
信号及び第2受光センサ27の信号と第4受光センサ3
9信号の和信号とが等しくなるためT.E.は以下の式
のようになる。
【0023】T.E.=0 また、光ディスク盤11面のスポット12がトラック中
心からトラックに対して90゜方向に偏心した場合は、
ホログラム8に入射する復路集束光15の光量がホログ
ラム8の2つの領域で異なるため、第1回折光16の光
量である第1受光センサ26の信号と第3受光センサ3
8信号の和信号と、第2回折光17の光量である第2受
光センサ27の信号と第4受光センサ39の信号の和信
号は等しくなくなり、T.E.は以下の2式のいずれか
のようになる。
【0024】T.E.>0 T.E.<0 このトラッキングエラー検出方法はプッシュプル法とし
て知られている。
【0025】このように、ホログラム8をトラック方向
と同一方向の分割線を境界として、パターンの異なる2
つの等面積の領域に分け、ホログラム8の2つの領域の
各々両回折光16、17に対する回折効率が同等になる
ように設計することでトラッキングエラー信号を得るこ
とができる。
【0026】また特開平5−258382号公報や特開
平5−258386号公報の光ピックアップの製造に際
しては、各境界に具備される光学機能素子を形成した光
ガイド部材5を張り合わせ集合ブロック体を形成した後
斜面形成さらに偏光膜の成膜を行い所定の幅を持って切
断され、光ピックアップ素子が形成される。
【0027】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の構
成では以下のような問題点によりRF信号のC/Nの悪
化が生じる。
【0028】・往復路分離用としてホログラムを用いて
いるが、往路では0次回折光を復路光では1次光を利用
し、かつ偏光分離部への入射角の制限よりホログラムの
ピッチが小さくブレーズ化による−1次回折光発生の抑
制が難しくまたS偏光成分の1次回折効率がP偏光成分
の1次回折効率より低いため、ホログラムの往復路光利
用効率(往路0次回折効率×復路1次回折効率)を向上
させるのに限界があり、ホログラムでの光量損失が大き
い。
【0029】・フォーカスエラー信号を検出する分割さ
れた受光センサでRF信号も検出するため、分割部の不
感帯での光量損失が生じる。
【0030】・偏光選択性のあるビームスプリッター膜
を使用しないため見かけのカー回転角を拡大するエンハ
ンス効果が得られない。
【0031】また以下の問題点によりフォーカスエラー
信号とトラッキングエラー信号の悪化が生じる。
【0032】・受光センサ上でのP偏光のスポットサイ
ズとS偏光のスポットサイズでフォーカスエラー信号を
検出するため、複屈折及びカー回転等で回折光のP偏光
とS偏光の光量比が変化するとフォーカスエラー信号に
オフセットが生じる。
【0033】・トラッキングエラー信号をプッシュプル
で検出するため光ディスク盤のピットや溝の深さの影響
を受け易い。
【0034】・回折格子を用い3ビーム法でトラッキン
グエラー信号を検出する場合、受光センサー上でのスポ
ットサイズが大きいためメインビームとサイドビームの
クロストークが発生する。
【0035】また特開平5−258382号公報や特開
平5−258386号公報の光ピックアップの製造に際
して集合ブロック体にあっては光ガイド部材の長手方向
で1つの集合ブロック体からの素子取れ数が決定され、
また斜面を有するため短手方向に同一素子の配列は困難
で素子取れ数が少なく生産性が低い。
【0036】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる光ピック
アップは、発光素子と、受光素子と、前記発光素子から
射出された光のうち入射する光の拡散角を変換する第1
の拡散角変換手段と、前記第1の拡散角変換手段から送
られてくる光を透過光と反射光に分離する偏光選択性の
ある第1のビームスプリッター膜と、前記第1のビーム
スプリッター膜からの反射光を光ディスク盤の情報記録
面上に集光する集光手段と、光ディスク盤からの戻り光
が前記第1のビームスプリッター膜を透過した光を透過
光、反射光に分離する偏光選択性のある第2のビームス
プリッター膜と、前記第2のビームスプリッター膜から
の反射光を前記受光素子に導き焦点誤差を検出する焦点
誤差検出素子と、前記第2のビームスプリッター膜から
の透過光をP偏光成分とS偏光成分に分け前記受光素子
に導く検光子と、前記第2のビームスプリッター膜から
検光子へ至る光路中にあり前記検光子への入射光の偏光
状態を約45゜の直線偏光に変換する機能を有する溝状
の反射面を有する溝基板あるいは旋光素子とを備える光
ピックアップであって、前記第1の拡散角変換手段は前
記第1のビームスプリッター膜を反射し集光手段に入射
する球面波の位相を揃えるものである。
【0037】基板上に光学薄膜を設けた構成体を形成
し、前記構成体を複数用意し、前記光学薄膜を基盤同士
で挟むように接合して集合構成体を形成し、前記集合構
成体を接合面に対して傾斜して切断する。
【0038】また、本発明は必要に応じて、前記第1の
拡散角変換手段から前記第1のビームスプリッター膜へ
至る光路中に前記受光素子からの射出光を複数のビーム
に分光する回折格子を設置するものである。
【0039】また、本発明は必要に応じて、前記第1の
拡散角変換手段によって略平行光に変換しかつ前記第1
のビームスプリッター膜と集光手段の間に前記第1の偏
光ビームスプリッター膜から送られてくる略平行光を拡
散光に変換するレンズあるいはホログラムを設置するも
のである。
【0040】また、本発明は必要に応じて、前記第1の
拡散角変換手段の代わりに別の第2の拡散角変換手段を
設置しさらに前記第2の拡散角変換手段から前記第1の
ビームスプリッター膜へ至る光路中に第3の拡散角変換
手段を設置することにより、前記集光手段への入射光の
アスペクト比が前記発光素子からの射出光のアスペクト
比と異なるものである。
【0041】
【作用】本発明は上記構成により、検光子に入射するデ
ィスク盤からの復路光の偏光状態は約45゜の直線偏光
でP偏光成分とS偏光成分が各々約50%の光となり、
各成分を受光する受光センサに各々50%の割合で分光
し、両受光センサの差動増幅により光磁気信号以外の同
位相ノイズ成分が除去するとともに、RF信号を検出す
る受光センサーはRF信号のみを検出するため両受光セ
ンサは分割させる必要がなく不感帯による光量損失をな
くすことや、発光素子からの光とディスク盤からの復路
光を分離するために偏光選択性のあるビームスプリッタ
ー膜を用いることで見かけのカー回転角を増加させるこ
とによりC/N比の高いRF再生信号を得ることができ
る。またP偏光成分とS偏光成分に分離せずに焦点検出
手段としての機能を有する焦点誤差検出素子にディスク
盤からの復路光を導きフォーカスエラー信号を検出する
ため複屈折及びカー回転等でディスク盤からの復路光の
P偏光とS偏光の光量比が変化してもフォーカスエラー
信号にオフセットが生じることはない。また3ビーム法
でトラッキングエラー信号を検出する場合もセンサ上で
のスポットサイズを小さくすることができ、メインビー
ムとサイドビームのクロストークの発生を抑制できる。
また、拡散角変換手段によって記録消去時に必要な高い
光利用効率が確保され、さらに光学的位相が管理しやす
くC/Nの劣化を防ぎ、光学系を小型化することができ
る。また、拡散角変換手段によって拡散角が小さい光あ
るいは略平行光に変換できるので偏光ビームスプリッタ
及び検光子等への入射光の入射角のばらつきが小さく光
学的位相を管理しやすい。さらに、集光手段への入射光
は理想球面波となるので、光ディスク盤での結像スポッ
トはほぼ回折限界まで絞り込まれ理想的な大きさとな
り、情報の記録または再生を容易に行うことができる。
また、拡散角変換手段を2段備えることにより前記集光
手段への入射光のアスペクト比を前記発光素子からの射
出光のアスペクト比を異ならせ、光ディスク盤での結像
スポットの楕円率を小さくすることで、隣のピット列か
らの光磁気信号の漏れ込みによるC/Nの劣化を抑制す
ることができる。
【0042】また構成体を複数個接合して集合構成体を
形成し接合面に対して傾斜して切断することにより工数
が低減でき生産性の向上が図れる。
【0043】
【実施例】以下本発明の第1実施例について、図面を参
照しながら説明する。図1は本発明の第1実施例におけ
る光ピックアップの側面図、図2は本発明の第1実施例
における光ピックアップの平面図である。
【0044】図1及び図2において基板101上にサブ
マウント102を介して水平にマウントされた半導体レ
ーザチップ103から水平に放出されたレーザ光は、平
行な複数の斜面を有する光ガイド部材104の面104
cから概光ガイド部材104に入射し、光ガイド部材1
04の第2斜面105bに形成されかつ入射する光の拡
散角に対して射出する光の拡散角を変換する(以下拡散
角を変換すると呼ぶ)機能を有する反射型の拡散角変換
ホログラム106に到達する。拡散角変換ホログラム1
06によって拡散角を変換されかつ反射した光は第1斜
面105aに形成された反射型の回折格子107によっ
て0次回折光(以下メインビームと呼ぶ)と±1次回折
光(以下サイドビームと呼ぶ)とに分けられる。回折格
子107によって発生するメインビーム及びサイドビー
ムは第1のビームスプリッター膜108(第1の偏光選
択性のあるビームスプリッター膜)に入射する。第1の
ビームスプリッター膜108に入射する光のうち第1の
ビームスプリッター膜を透過する光は半導体レーザチッ
プ103からの射出光のモニター光として利用される。
また、第1のビームスプリッター膜108を反射するメ
インビーム及びサイドビームは、光ガイド部材の面10
4aを透過、対物レンズ109に入射し、対物レンズ1
09の集光作用によって光ディスク盤110の情報記録
面111に結像される。この時、情報記録面111上に
おいて2つのサイドビームの結像スポット112及び1
14はメインビームの結像スポット113を中心として
ほぼ対称な位置に結像される。情報記録面111に対し
てメインビーム及びサイドビームの結像スポット113
及び112、114により情報の記録または再生信号及
びトラッキング、フォーカシングいわゆるサーボ信号の
読みだしを行う。
【0045】拡散角変換ホログラム106は、半導体レ
ーザチップ103からの射出光のうち拡散角変換ホログ
ラム106へ入射することのできる光束の拡散角に対し
て、拡散角変換ホログラム106からの反射光の拡散角
を自由に変換することができる。また、拡散角変換ホロ
グラム106によって拡散角をまったく持たない平行光
にも変換可能である。また、同じ拡散角変換ホログラム
106によって図1に示されるように光ガイド部材10
4射出後の光束が途中経路で積算された波面収差が取り
除かれた理想球面波115となる。したがって、対物レ
ンズ109への入射光は理想球面波115となり、対物
レンズ109による光ディスク盤110での結像スポッ
トはほぼ回折限界まで絞り込まれ理想的な大きさとな
り、情報の記録または再生を容易に行うことができる。
【0046】光ディスク盤110の情報記録面111に
よって反射されたメインビーム及びサイドビームの戻り
光は対物レンズ109、光ガイド部材104の第1斜面
105aを再び通過し、再び光ガイド部材104の第2
斜面105bに形成された第1のビームスプリッター膜
108に入射する。第1のビームスプリッター膜108
は入射面に対して平行な振動成分を有する光(以下単に
S偏光成分と呼ぶ)に対して一定の反射率を有し、垂直
な振動成分(以下単にP偏光成分と呼ぶ)に対してはほ
ぼ100%の透過率を有する。
【0047】光ディスク盤110からの戻り光のうち第
1のビームスプリッター膜108から透過する光は光ガ
イド部材104の第1斜面105aに平行な第3斜面1
05c上に形成された第2のビームスプリッター膜11
6(第2の偏光選択性のあるビームスプリッター膜)に
入射する。第2のビームスプリッター膜116は第1の
ビームスプリッター膜108と同様に入射面に対して平
行な振動成分を有する光(以下単にS偏光成分と呼ぶ)
に対して一定の反射率を有し、垂直な振動成分(以下単
にP偏光成分と呼ぶ)に対してはほぼ100%の透過率
を有する。
【0048】ここで第2のビームスプリッター膜116
に入射した光束の内、透過光117に関して説明する。
透過光117は第3斜面105c上に積層されたV溝基
板118に入射する。図3は本発明の第1実施例におけ
る光ピックアップのV溝基板118の斜視図を示す。V
溝基板118にはV字型の溝部(以下V溝と呼ぶ)がモ
ールド成形あるいは切削加工等で形成されており、第3
斜面105c上に積層されている。第2のビームスプリ
ッター膜116からの透過光117はV溝基板118の
溝部の反射膜が形成された反射面118aによって反射
する。
【0049】図4はセンサー基板119上の受光センサ
ーの配置を示したものである。V溝基板118の面11
8aからの反射光120は第3斜面105cに形成され
た偏光分離膜121に入射する。反射光120のP偏光
成分は偏光分離膜121によってほぼ100%透過し、
さらに光ガイド部材の第2斜面105bに形成された反
射膜122によって反射し、センサー基板上119の受
光センサ170に到達する。一方、V溝基板118の面
118aからの反射光120のS偏光成分は偏光分離膜
121によってほぼ100%反射し、センサー基板11
9上の受光センサー171に到達する。
【0050】図4〜6を用いて詳細に光磁気信号検出原
理を説明する。良質なRF再生信号を得、C/Nを上げ
るためにカー回転角θkを見かけ上増幅させるエンハン
ス構造を設ける構成が採られている。図5において矢印
150は前述のように光ディスク盤110の情報記録面
111に情報が記録されていない場合の偏光分離膜12
1に入射する直線偏光の偏光方向である。直線偏光15
0は光ディスク盤110の磁化された情報ピットで反射
すると、磁化の極性と磁化の強さによって回転方向は±
θkの範囲で変化する(カー効果)。θkをカー回転角と
呼ぶ。今直線偏光150の状態からθk回転した状態を
直線偏光151、−θk回転した状態を152とする。
光ディスク盤110からの戻り光は光ガイド部材104
の上面104aを透過した後第2斜面105bに形成さ
れた第1のビームスプリッター膜108に入射する。第
1のビームスプリッター膜108はS偏光に対して一定
の反射率を有し、P偏光に対してはほぼ100%の透過
率を有する、従って図5の直線偏光方向はθk回転した
状態の直線偏光151はθk’回転した状態、153と
なり、また−θk回転した直線偏光152は−θk’回転
した状態154となりカー回転角θkは見かけ上大きく
なる。さらに第3斜面105c上に形成された第2のビ
ームスプリッター膜116を透過した透過光120に対
しても同様のことが発生し直線偏光方向はθk’回転し
た状態の直線偏光153はθk’’回転した状態、15
5となり、また−θk’回転した直線偏光154は−θ
k’’回転した状態156となりカー回転角θkはさらに
見かけ上大きくなる。このように、見かけのカー回転角
θkを増大させる構造をエンハンス構造と一般的に呼
ぶ。
【0051】したがって、偏光分離膜121へ入射する
V溝基板118の反射面118aからの反射光120は
既に見かけのカー回転角がθkからθk’’へと増大され
ていることになる。図6は本発明の第1実施例における
偏光分離膜121における偏光の状態を説明する図であ
る。V溝基板118の面118aは反射光120が第3
斜面105cに形成された偏光分離膜121への入射面
に対してそのP偏光成分(入射面に平行な成分)とS偏
光成分(入射面に対して垂直な成分)とがほぼ半々とな
るような角度に形成されている。
【0052】いま直線偏光150の状態からθk’’回
転した状態を直線偏光155、−θk’’回転した状態
を直線偏光156とする。直線偏光155から直線偏光
156まで変調された光磁気信号を偏光分離膜121に
入射すると、受光センサ170で受光するP偏光成分の
信号は信号161となり、受光センサー171で受光す
るS偏光成分の信号は信号162となる。従ってRF再
生信号は反射光のP偏光成分の信号161とS偏光成分
の信号162、つまり受光センサー170の信号と受光
センサー171の信号との差動を取ることにより信号成
分は2倍となり、また同位相成分のノイズはキャンセル
されるから結果的に高C/N比の信号が得られる。
【0053】ここでRF信号(R.F)は第1受光セン
サー170で検出される光電流I170と第2受光セン
サー171で検出される光電流I171とすれば以下の
式で検出される。
【0054】R.F=I170−I171 次に第2のビームスプリッター膜116に入射した光束
のうち反射光123に関して説明する。反射光123は
第2斜面105b上の反射型のホログラムで形成された
非点収差発生ホログラム124に入射する。反射光12
3は非点収差発生ホログラム124によって非点収差を
発生しつつ反射し、更に第3斜面105cの反射膜12
5で反射し、第2斜面105bの反射膜126で反射し
た後、メインビームの戻り光はセンサー基板119上の
受光センサー172に、サイドビームの戻り光はセンサ
ー基板119上の受光センサー176及び177に到達
する。
【0055】図4、図7を用いて非点収差法によるフォ
ーカスエラー信号検出と本実施例における非点収差の様
子についてさらに詳しく説明する。
【0056】図7(a)、(b)、(c)は各々光ディ
スク盤110が合焦位置にある場合、光ディスク盤11
0が合焦点位置より近づいた場合、光ディスク盤110
が合焦位置より遠ざかった場合の非点収差光束の外観図
である。また図7(d)、(e)、(f)各々図5
(a)、(b)、(c)の場合の非点収差発生ホログラ
ム124によって発生した光の受光センサー172a、
172b、172c、172d上のスポット形状を示し
たものである。
【0057】非点収差発生ホログラム124は光ディス
ク盤110が合焦位置にある場合受光センサー172に
対して上流に第1焦点178を受光センサー172に対
して下流に第2焦点179を発生させ、図7(d)、
(e)、(f)に示すようにx軸方向とy軸方向をとる
と、第1焦点178の位置ではy軸方向の線像を結び第
2焦点179の位置ではx軸上の線像を結ぶことにな
る。また光ディスク盤110が合焦位置にある場合、非
点収差によって発生したx軸y軸方向のそれぞれのスポ
ット径が等しくなり円形のスポット形状になる位置に非
点収差発生ホログラム124は設計される。
【0058】フォーカスエラー信号は受光センサー17
2a、172b、172c、172dからの光電流をそ
れぞれI172a、I172b、I172c、I172
dとすれば図4の回路図からもわかるように以下の式で
表すことができる。
【0059】F.E.=(I172a+I172c)−
(I172b+I172d) 光ディスク盤110が合焦位置にある場合、図7
(a)、(d)からもわかるようにx軸y軸方向のそれ
ぞれのスポット径が等しくなり円形のスポット形状にな
るため172aと170cでの合計受光量と172bと
170dでの合計受光量が等しくなるためフォーカスエ
ラー信号は以下の式となる。
【0060】F.E.=0 光ディスク盤110が合焦位置より近づいた場合、図7
(b)に示すように非点収差発生ホログラム124で発
生した第1焦点178と第2焦点179は焦点誤差検出
素子124から遠ざかるため受光センサー172a、1
72b、172c、172d上のスポット形状は図7
(e)に示したようにy軸方向に長軸を有する楕円光束
となり受光センサー172a、172cの受光量が受光
センサー172b、172dの受光量に比べ多くなりフ
ォーカスエラー信号は以下の式となる。
【0061】F.E>0 光ディスク盤110が合焦位置より離れた場合、図7
(c)に示すように非点収差発生ホログラム124で発
生した第1焦点178と第2焦点179は非点収差発生
ホログラム124に近づくため受光センサー172a、
172b、172c、172d上のスポット形状は図5
fに示したようにx軸方向に長軸を有する楕円光束とな
り受光センサー172b、172dの受光量が受光セン
サー172a、172cの受光量に比べ多くなりフォー
カスエラー信号は以下の式となる。
【0062】F.E<0 以上のようなフォーカスエラー信号検出方法は非点収差
法として知られている。
【0063】さらにトラッキング検出方法について図
4、図8を用いて説明する。図8は本発明における第1
実施例における光ピックアップの光ディスク盤上の結像
スポットと情報トラック180の位置関係を示した図で
ある。図8(b)に示したように2つのサイドビームの
結像スポット181、183はメインビームの結像スポ
ット182を中心にトラック方向に対して対称に位置し
ており、さらに情報トラック180に対して互いに反対
の方向に僅かにずれている。今図8のサイドビームスポ
ット181、183は非点収差法の光路と同様にセンサ
ー基板119上の受光センサーの176、177に到達
し、スポット184及び186を結ぶ。この時受光セン
サー176、177に発生する光電流をそれぞれI17
6、I177とする。今、情報トラック180が結像ス
ポット182に対して図8(a)に示すように左にずれ
たときは、結像スポット183はほぼ情報トラック18
0の上に位置するのでその反射光の強度は低下する。こ
れに対して、結像スポット181は情報トラック180
から外れ、反射光は増加する。一方、情報トラック18
0が結像スポットに対して図8(c)に示すように右に
ずれたときは、上記とは逆の現象となり、結像スポット
181の反射光量は減少し、結像スポット183の反射
光量は増加する。
【0064】したがって、図4の回路図からもわかるよ
うに以下の式に示されるような回路を構成すればトラッ
キングエラー信号(T.E.)が得られる。
【0065】T.E.=I176−I177 以上のようなトラッキングエラー信号検出方法は3ビー
ム法として知られている。
【0066】次にプッシュプル法によるトラッキング検
出方法について説明する。プッシュプル法は対物レンズ
109による結像スポットのトラックずれの情報を光デ
ィスク盤110表面の案内トラックおよび記録ピットで
発生する+1次回折光と−1次回折光の光量のバランス
を捕らえることによりトラッキングエラー信号を得るも
のである。図7中の結像スポット182からの反射光は
前述のような経路でセンサー基板119の受光センサー
172に到達し、スポット185を結ぶ。図4中の受光
センサー172上のスポット185に於て、エリア18
5aは光ディスク盤110表面で発生する0次回折光と
−1次回折光の戻り光が重なった領域で、エリア185
bは0次回折光の戻り光のみの領域で、さらにエリア1
85cは0次回折光と+1次回折光の戻り光が重なった
領域である。したがって、エリア185aとエリア18
5cに含まれる光の光量バランスを受光センサー172
aと172cの差動で検出することによりトラックずれ
の情報が得られる。172aで受光し発生した光電流を
I172a、172cで受光し発生光電流をI172c
とすれば、トラッキングエラー信号(T.E.)は受光
センサー172aと172cの出力より以下の式で得ら
れる。
【0067】 T.E.=I172a−I172c ・・・・(1) 半導体レーザチップ103から射出する光のうち拡散角
変換ホログラム106に入射する光の拡散角をθ1、拡
散角変換ホログラム106から射出する光の拡散角をθ
2とする。拡散角変換ホログラム106に入射する光の
拡散角θ1は記録消去時に必要な高い光利用効率(半導
体レーザチップからの射出全光量に対する結像に関わる
光の量)を確保するためにより大きな値であることが望
ましい。その下限は以下の式を満たす量である。
【0068】sinθ1>0.18 また、拡散角θ1をかなり大きくすると拡散角変換ホロ
グラム106の有効エリアを大きくする必要があり、拡
散角変換後の光の径が大きくなりセンサー基板119到
達までの引き回しすべての光の径が大きくなるので光学
系が構成できなくなる。その上限は以下の式を満たす量
である。
【0069】sinθ1<0.3 一方、拡散角変換ホログラム106から射出する光の拡
散角θ2とほぼ同等な拡散角で第1及び第2偏光ビーム
スプリッタ、検光子等へ入射するので、これら偏光ビー
ムスプリッタ、検光子における光学的位相を管理しやす
くするために拡散角θ2はより小さいことが望ましい。
その上限は以下の式を満たす量である。
【0070】sinθ2<0.17 また、拡散角変換ホログラム106から射出する光の拡
散角θ2とほぼ同等な拡散角で対物レンズ109へ到達
するするため、拡散角θ2によって対物レンズ109の
倍率が制限される。拡散角θ2を小さくしすぎると対物
レンズ109の物像間距離が大きくなり光ガイド部材1
04と対物レンズ109との距離が長くなり光学系全体
が大きくなる。その下限は以下の式を満たす量である。
【0071】sinθ2>0.06 したがって、拡散角変換ホログラム106は半導体レー
ザチップ103から射出する光を以下の2式を満たすよ
うに形成されていることが望ましい。
【0072】 0.18<sinθ1<0.3 ・・・・(2) 0.06<sinθ2<0.17 ・・・・(3) 以上説明したように拡散角θ1及び拡散角θ2をそれぞれ
式(2)、式(3)のように設定し、拡散角をθ1から
θ2へ縮小化することにより、記録消去時に必要な高い
光利用効率が確保され、さらに光学的位相が管理しやす
くC/Nの劣化を防ぎ、光学系を小型化することができ
る。
【0073】さらに、拡散角変換ホログラム106は半
導体レーザチップ103から射出する光を以下の2式を
満たすように形成されていることが望ましい。
【0074】0.18<sinθ1<0.23 0.09<sinθ2<0.15 また、本実施例においては反射型の回折格子107をも
ちいて3ビームを発生させ3ビーム法によりトラッキン
グエラー信号を得ているが、回折格子107の替わりに
別の反射膜を備え3ビームを発生させなくても前述のよ
うに式(1)の演算でプッシュプル法によりトラッキン
グエラー信号を得られる。
【0075】さらに、本実施例においては半導体レーザ
チップ103からの射出光を第2斜面105bに形成し
た拡散角変換ホログラム106で1回反射させ、第1斜
面105aに形成した回折格子107でさらに1回反射
し、合計2回反射することにより第1のビームスプリッ
ター膜108へ光を導いているが、第1斜面105aお
よび第2斜面105bを複数回反射させても良い。この
場合、拡散角変換ホログラム106及び回折格子107
は第1及び第2斜面いずれの斜面に形成しても良い。
【0076】さらに、本実施例においては非点収差発生
ホログラム124を反射膜125あるいは反射膜126
いずれか同じ位置に形成しても同様の作用を及ぼし、サ
ーボ信号を検出することができる。また、反射膜125
あるいは反射膜126をなくし第3斜面105cをその
まま透過させることで受光センサー172、176、あ
るいは177に光を導くことができる。
【0077】さらに、本実施例においては拡散角変換ホ
ログラム106、非点収差発生ホログラム124として
反射型のホログラムを用いているがホログラムの代わり
に同様の作用を生じる反射型のレンズ等を用いても良
い。
【0078】さらに、本実施例においては非点収差発生
ホログラム124を用いて非点収差法にてフォーカスエ
ラー信号を得ているが、非点収差発生ホログラム124
の代わりに第2のビームスプリッター膜116からの反
射光123をセンサー基板119上で結像させ、ナイフ
エッジ法あるいはフーコー法等によりフォーカスエラー
信号を得ることができる1つのパターンあるいは複数の
パターンを有する反射型のホログラムや反射型のレンズ
等を用いても良い。
【0079】本実施例の光ガイド部材104の製造方法
に関し図9から図22を用いて説明する。本実施例の光
ガイド部材104は3枚の平行平板基板及びV溝が形成
されたV溝基板118の4枚を接着層を介して張り合わ
せ、構成する集合ブロックと集合ブロックを接着層を介
して張り合わせ、構成した複合ブロックを各集合ブロッ
クの接合面に対して斜めに切断し、切り出した平面ブロ
ックからバーブロックを形成し各実施例の光ガイド部材
104を切り出す。
【0080】本実施例ではV溝基板118形成に研削法
と硝子モールド成型法を用いた。本発明の研削法による
V溝形成にはカップ砥石を使用する。図9を用いてカッ
プ砥石210によるV溝形成法の原理を説明する。図9
(a)はカップ砥石210の正面図、図9(b)は図9
(a)中のA−B断面図を示す。カップ砥石台座211
に砥粒212が形成され、砥粒212の先端角は略45
°に形成されている。図9(c)にカップ砥石210を
用いて基板213を研削する外観図を示す。カップ砥石
210を高速で回転させ基板213を図中X軸方向に送
ることで図9(d)中の研削痕214が研削される。さ
らに図9(d)中Z軸方向に基板を稼働させれば研削痕
214の最も深く研削された点215を頂点とするV溝
が形成されることになる。図9(e)はZ軸方向に基板
213を稼働させながら研削を行った基板213の正面
図で、図9(f)はその側面図である。点215を結ぶ
線を頂点とするV溝が形成される。図9(f)中のV溝
角θ1の角度はカップ砥石210の砥石先端面216に
対してθ1となる様に基板213をセットすればよい。
またV溝深さLは図中9(c)のX軸方向の稼働量で決
定されることは明らかである。研削時のV溝深さLは予
め予備V溝深さL1分研削し、基板表面217を研削、
ラッピングし、V溝深さLに追い込む加工方法でも良
い。カップ砥石210による研削では基板213と砥粒
212は略線接触によって加工が進行する。線接触で基
板213を稼働させることでV溝を形成するのでV溝先
端角θ2は図9(b)中の砥石先端面216と砥石側面
218のなす角をカップ砥石の負荷量、またカップ砥石
の反りに関係なく正確に転写することが可能となる。次
に実施例1に用いたV溝基板118の研削法に関して図
9を用いて説明する。図9aはV溝基板118の正面
図、図9bはA−Bの断面図である。基板側面231に
対してθ4の角度方向にV溝232を形成しV溝面10
8aと第3斜面105cのなす角をθ3とする。基板研
削治具220の基板張り合わせ面223はカップ砥石先
端面216との角をθ3になるように形成され、基板側
面231とマイクログラインダー基板研削治具固定ステ
ージ226(以下単に治具ステージと呼ぶ)のZ軸方向
となす角がθ4となるように基板研削治具220にV溝
基板118をワックス224を介して張り合わせ面22
3上に固定する。治具ステージ226は図中X軸、Y
軸、Z軸方向に稼働する。基板の研削ポイント227の
位置までY軸調整を行い、マイクログラインダー222
に取付けたカップ砥石210を高速回転させ治具ステー
ジ226をX方向Z方向に稼働させながら研削しV溝を
形成する。カップ砥石210のメッシュは#2500〜
#4000を用い、表面粗さRmax0.02μを得
た。
【0081】次に本実施例の光ガイド部材104形成に
おいて集合ブロックを形成する3枚の基板及びV溝基板
118上に形成されるにそれぞれの実装される光学機能
素子の製造法に関して図11〜図18を用いて説明す
る。まず本実施例に実装される光ピックアップを図11
を用いて説明する。
【0082】第1基板241の第1面105aに反射型
の回折格子107、及び第1張り合わせ位置決めマーカ
ー244a、第1基板241の第2面105bに反射型
の拡散角変換ホログラム106、第1デプスマーカー2
46a、第1のビームスプリッター膜108、第2張り
合わせ位置決めマーカー244bを形成する。第2基板
242の第1面105bに反射膜122、第2デプスマ
ーカー246b、反射型の非点収差発生ホログラム12
4、第3張り合わせ位置決めマーカー244c、第2基
板242の第2面105cに第2のビームスプリッター
膜116、偏光分離膜121、反射膜125、第4張り
合わせ位置決めマーカー244d、を形成する。第3基
板243第1面105d上に第5張り合わせ位置決めマ
ーカー244e、第1カッティングマーカー245a、
第2カッティングマーカー245b、第3基板243第
2面105aに第6張り合わせ位置決めマーカー244
fを形成する。V溝基板118の第1面105cに第7
張り合わせ位置決めマーカー244g,V溝基板118
の第2面105dに第8張り合わせ位置決めマーカー2
44hを形成し、V溝斜面108a上に位相調整反射膜
248を形成する。
【0083】ここで各基板毎に実装される光学機能素子
の形成方法に関して説明する。第1張り合わせ位置決め
マーカー244a形成において図12を用いて説明す
る。第1面105aに真空成膜装置によって第1張り合
わせ位置決めマーカー244aの第1マーカー形成材料
251aを形成する。第1張り合わせ位置決めマーカー
244aの第1マーカー形成材料251aとしてはT
i,Cr,Cu,Au,Ag,Ta,Al等の金属材料
がある。特に第1マーカー形成材料251aはウエット
エッチング可能な材料がコスト、工数の面から望まし
い。ここではTi膜を用いた。フォトリソグラフィー技
術をもって第1張り合わせ位置決めマーカー244aの
パターン252を形成した後、スプレーエッチングによ
るウエットエッチングによってパターンのサイドエッチ
ングを押さえ、パターン形成外の部分を除去、パターン
252を除去することで第1張り合わせ位置決めマーカ
ー244aを形成する。次に第2張り合わせ位置決めマ
ーカー244bの形成方法に関して図13を用いて説明
する。第2面105bに真空成膜装置によってを第2張
り合わせ位置決めマーカー244bの第2マーカー形成
材料252を形成する。マーカー形成材料251はウエ
ットエッチング可能な材料としTi,Cr,Cu,A
u,Ag,Ta,Al等の金属材料がある。さらに第1
マーカー形成材料251aと撰択エッチング可能な材料
を用いることが望ましい。ここではCr膜を用いた。C
r膜のエッチング液として、硝酸第2セリュウムアンモ
ン17g、過塩素酸5cc、純水100ccを用いた。
Crエッチング液はTi膜をエッチングする事無く、C
r膜をエッチングすることができ、第1張り合わせ位置
決めマーカー244aに損傷を与えることなく工程を進
める事が可能である。第2張り合わせ位置決めマーカー
244bは第1張り合わせ位置決めマーカー244aを
基準に形成されなければならない。パターン露光には両
面マスクアライナーを用いたフォトリソグラフィー技術
をもって第2張り合わせ位置決めマーカー244bのパ
ターン252を形成する。スプレーエッチングによるウ
エットエッチングによってパターン形成外の部分を除
去、更にパターン252を除去することで第2張り合わ
せ位置決めマーカー244bを形成する。ここではウエ
ットエッチング主体に実施したが、サイドエッチングが
より少ないイオンミリングエッチング、反応性エッチン
グ等のドライエッチング技術を用いたプロセス工法でも
よい。またリフトオフ工法によるパターン形成であって
もよい。
【0084】図11中の第3、第5、第7の張り合わせ
位置決めマーカー244c、244e、244g、の夫
々の形成法は、第1張り合わせ位置決めマーカー244
aの形成方法と同一の形成方法である。図11中の第
4、第6の張り合わせ位置決めマーカー244d、24
4fの夫々の形成法は、第2張り合わせ位置決めマーカ
ー244bの形成方法と同一の形成方法である。
【0085】第1基板241の第1面105aに形成さ
れる反射型の回折格子107の形成方法に関し図14を
用いて説明する。第1張り合わせ位置決めマーカー24
4aを基準マーカーとして所定位置にフォトリソグラフ
ィー技術を用いて反射型の回折格子107の回折格子パ
ターン253を形成する。反応性イオンエッチング、あ
るいはイオンミリング工法を用いて所定の深さにエッチ
ングを行う。エッチング完了後、回折格子パターン25
3を酸素プラズマアッシャー或いは有機溶剤により除去
し、第1基板第1面に回折格子254を形成する。更に
回折格子254上に反射膜255をリフトオフ工法で形
成するために回折格子反射膜パターン256を形成す
る。回折格子反射膜パターン256はリフトオフがやり
易い用に逆テーパー形状のパターンとなるようにネガ型
のホトレジストを用いる、或いはヘキスト社のAZ−5
218Eに代表されるようなネガポジ反転型のフォトレ
ジストを用いてパターン形成を実施する。ここではヘキ
スト社のAZ−5218Eを用いて回折格子反射膜パタ
ーン256を形成した。回折格子反射膜パターン256
形成後、真空成膜装置によって反射型の回折格子107
の反射膜255を成膜する。ここでは真空蒸着法によっ
て形成した。反射膜255の形成材料としては反射型の
回折格子107の高効率化の為に、Ag,Al,Cu,
Au等の高反射率を有する金属材料をもちいる。特にA
gはコスト面にも優れ、高反射率材料で、しかも設計中
心波長λ0(790nm)に対して5.1程の吸収係数
を有するために極めて薄い膜厚で高反射率を実現するこ
とができリフトオフ工程に於ては容易にリフトオフが可
能となる。材料形成の後、有機溶剤、或いはリムーバー
溶剤によってリフトオフを実施、反射型の回折格子10
7を形成する。反射膜255形成はリフトオフ工程によ
ってパターン形成がなされたが、第1張り合わせ位置決
めマーカー形成244aと同様のパターン形成とスプレ
ーエッチングによるウエットエッチングによる形成方法
でもよい。エッチング方法に関してはドライエッチング
を用いた形成法であってもよい。
【0086】次に図15を用いて反射型の拡散角変換ホ
ログラム106の形成方法に関して説明する。本実施例
では拡散角変換ホログラム106の回折効率を上げるた
めに4段ステップ型ホログラムを形成した。図15aは
4段ステップ型ホログラムの正面図、図15(b)は図
15(a)中のX−X’の断面図である。4段のステッ
プ形状を形成するために2回のホログラムパターン形
成、2回のホログラムパターンエッチングを行って形成
する。図15(c)は4段ステップホログラム形成のプ
ロセスフローを示したものである。第1回のパターン形
成とし、4段ステップホログラムピッチP(以下単にホ
ログラムピッチと呼ぶ)に対してデューティー比50/
50の第1ステップホログラムパターン261を形成す
る。第1回のエッチングは最終エッチング量Dに対して
略2/3d分をエッチングする。エッチング方法に関し
ては反射型の回折格子107と同様の手段を用いて行
う。エッチング終了後、第1ステップホログラムパター
ン261を酸素プラズマアッシャー或いは有機溶剤によ
り除去し第1ステップホログラム262を形成する。続
いて、第2回のパターン形成として形成された第1ステ
ップホログラム262上に第2ステップホログラムパタ
ーン263を形成する。第2ステップホログラムパター
ン263は第1ステップホログラム262の第1ステッ
プホログラムライン部分264及び第1ステップホログ
ラムスペース部分265を夫々デューティー比50/5
0とするパターンである。第2回のエッチングは最終エ
ッチング量Dに対して略1/3d分をエッチングする。
エッチング方法に関しては反射型の回折格子107と同
様の手段を用いて行う。エッチング終了後、第2ステッ
プホログラムパターン263を酸素プラズマアッシャー
或いは有機溶剤により除去し第2ステップホログラム2
66を形成する。更に反射膜267を形成し4段ステッ
プホログラムの反射型の拡散角変換ホログラム106を
形成する。反射膜267の形成材料は反射型の回折格子
107の形成方法で示した同一の理由によりAgを用い
た。反射膜267の形成方法は反射型の回折格子107
の反射膜255と同様にリフトオフ工程によってAgの
反射膜を形成する。図15(d)は第1基板241第2
面105b上に形成した反射型の拡散角変換ホログラム
106を示す。
【0087】図11中、反射型の非点収差発生ホログラ
ム124に関しても反射型の拡散角変換ホログラム10
6とパターン形状は異なるが、反射型、4段ステップホ
ログラムを有し同一の製造方法を用いた。
【0088】次に第1デプスマーカー246a、第2デ
プスマーカー246bの形成法に関して図16を用いて
説明する。第1デプスマーカー246aは図16(a)
半導体レーザーチップ103から反射型の拡散角変換ホ
ログラム106までの距離を正確に決めるために、最終
加工工程で面104cから拡散角変換ホログラム106
の距離L1を正確に加工することを目的とする。第1デ
プスマーカー246aの形成には反射型の拡散角変換ホ
ログラム106形成時に同時且つ同一面に形成され、さ
らに第1基板241の屈折率と十分異なる材料で構成さ
れ、加工工程においてより鮮明に加工量が判断できるこ
とが望ましい。ここで第1基板241はBK−7を使用
し、その屈折率は1.511程度であるので、反射型の
拡散角変換ホログラム反射膜267であるAgを用い反
射膜と同時に形成した。したがって第1デプスマーカー
パターン271は反射型の拡散角変換ホログラム反射膜
パターン268と同一マスク上に配置し反射型の拡散角
変換ホログラム反射膜267形成時に同時に形成する。
図16(b)は第1デプスマーカーパターン271と反
射型の拡散角変換ホログラム反射膜パターン268を形
成し、反射型拡散角変換ホログラム反射膜267を形成
した外観図である。図16(c)は第1デプスマーカー
246aが形成された第1基板241の側面図である。
これらの形成方法は本実施例中の第2デプスマーカー2
46bに対し同様の理由によって図11中反射型の非点
収差発生ホログラム124の反射膜248形成時に同時
に形成した。第2デプスマーカー246bは反射型の非
点収差発生ホログラム124のセンサー基板119の面
104dまでの距離L2を規制するために設ける。最終
加工工程にあって面104aまでの距離を第2デプスマ
ーカー246によって規制し、104a面を基準として
光ガイド部材104の最終高さhを決定する。従って第
2デプスマーカーパターン249は反射型の非点収差発
生ホログラム反射膜パターン129と同一マスク上に配
置し、第2デプスマーカー246bは反射型の非点収差
発生ホログラム反射膜248形成時に同時形成する。図
16(d)は第2デプスマーカーパターン249と非点
収差発生ホログラム反射膜パターン129を形成し非点
収差発生ホログラム反射膜248を形成した外観図であ
る。
【0089】その他、図11中第1、第2カッティング
マーカー245a、246b及び、反射膜122、12
5の形成方法は反射膜255形成時と同一の形成方法が
適応できる。
【0090】次に第1基板241の第2面105bに形
成される第1のビームスプリッター膜108形成に関し
て説明する。本実施例における第1のビームスプリッタ
ー膜108はS偏光入射タイプでP偏光に対して略10
0%の透過率を有し、S偏光に対して一定の透過率を有
しかつ透過光のS偏光とP偏光の相対位相差が略0でな
ければならない。このため一般的に偏光選択性のあるビ
ームスプリッター膜は誘電帯多層膜で形成される。誘電
帯多層膜の構成材料としては各材料の成膜時に発生する
内部応力が引っ張り応力と圧縮応力を示す材料で多層成
膜時にお互いの内部応力を打ち消しあう組み合わせで構
成し、さらに形成基板の膨張係数が組み合わせ材料の膨
張係数の中間にあることが望ましい。これらの点を考慮
し多層成膜時の剥離、基板面精度低下、クラックの発生
を防止する。これらの点を考慮し、TiO2/SiO2
Ta25/SiO2,Al23/SiO2,ZnS/Mg
2といった代表的な組合せがある。いずれもビームス
プリッター膜設計において設計屈折率値で夫々の組合わ
せを決定する。特に本実施例の場合入射角が45°で入
射光束側の屈折率ngがBK−7である場合Al23
SiO2の組み合わせによってブリュースター条件を満
足することができP偏光に対する反射を略0にすること
ができ略100%の透過率を得ることができる。以下に
ブリュースター条件式を示す。
【0091】 (ng)2=2×(nh)2×(nl)2/((nh)2+(nl)2) ・・(4) ng=1.511、Al23の屈折率nh=1.580、
SiO2の屈折率、nl=1.450で式(4)が満足で
きる。一方光学的膜厚は設計中心波長λ0に対して以下
の式になるように決定する。
【0092】nH、L×d=λ0/(4×cosθt) θtは各薄膜への屈折角を示す。屈折角はSnellの
法則によって以下の式で決定できる。
【0093】ng×sinθ0=nH、L×sinθt θ0は入射角を示す。ただしこれらの膜厚の決定はS偏
光の反射率仕様に応じて変化し、更にS偏光とP偏光の
相対位相差を略0にするために調整される。これらの組
合せによれば成膜段階での膜厚精度によるP偏光の反射
を発生させることなくビームスプリッター膜を形成でき
る。ただしこれらの構成材料として、すでに示した組み
合わせでも設計可能である。特にそれらの設計を可能に
する設計手法としてThelen法などがある。更に本
実施例の構成によれば入射光速は反射型拡散角変換ホロ
グラム106で変換された有限光速で第1偏光ビームス
プリッター膜108に入射するためその有限光速に対し
てS偏光、P偏光夫々の分光特性になり、且つ発生位相
差が最も小さくなるように設計を行った。第1のビーム
スプリッター膜108形成方法は反射型の回折格子10
7の反射膜255と同様にリフトオフ工程によって形成
する。
【0094】次に第2基板242の第2面105cに形
成される第2のビームスプリッター膜116形成に関し
て説明する。第2のビームスプリッター膜116に関し
ては第1のビームスプリッター膜108と同様の設計手
法、パターン形状形成法を適応し実施した。第2のビー
ムスプリッター膜116の形成方法に関しては第1のビ
ームスプリッター膜108の形成方法と同様の形成方法
を実施する。
【0095】次に偏光分離膜121の形成方法に関して
説明する。本実施例に形成される偏光分離膜121は設
計中心波長λ0のS偏光に対して略100%の反射率を
有し、P偏光に対しては略100%の透過率を有する。
このため一般に誘電帯多層膜で形成される。第1のビー
ムスプリッター膜106形成時と同様の理由から構成材
料を決定した。本実施例における偏光分離膜121への
入社角は53°であり、TiO2/SiO2の組み合わせ
で実施した。P偏光を略100%透過させるために偏光
分離膜121の光学アドミタンスYepは入射光束媒質
の光学アドミタンスY0と同じでなければならない。こ
のため設計にはThelen法を用いた。ここでThe
len法に関し簡単に説明する。Thelen法は長波
長透過フィルター設計の基本膜構成となる以下の式の多
層膜の光学的アドミタンスYmを別の基本構成多層膜の
光学的アドミタンスYnによって全体多層膜の光学的ア
ドミタンス(ここでは偏光分離膜121の光学的アドミ
タンスYepを入射光束媒質の光学的アドミタンスY0
と同じに成るように構成する。
【0096】 (0.5H×L×0.5H)m ・・・・(5) H、Lは高、低屈折率材料の光学的膜厚を示し、mは繰
り返し数を示す。式(5)が示す多層膜形の光学的アド
ミタンスYmがY0と設計中心波長λ0で等しくなるよ
うに以下の式(6)に示す調整層を設ける。基本膜構成
(H’,L’) nの調整層を有する多層膜を入射光速媒
質側と出射光速媒質側に設け、P偏光の透過率を略10
0%となるようにH,L,H’,L’の膜厚を決定す
る。
【0097】 (0.5H’×L’×0.5H’)n×(0.5H×L×0.5H)m×(0 .5H’×L’×0.5H’)n ・・・(6) 偏光分離膜121の形成方法に関しては第1偏光ビーム
スプリッター膜108の形成方法と同様の形成方法を実
施する。
【0098】次にV溝基板118、V溝面118a上に
形成する反射膜118bに関して図17を用いて説明す
る。反射膜118bはS偏光、P偏光に対して高反射率
を有し、更にS偏光、P偏光の相対位相差が略0でなけ
ればならない。本実施例においてV溝面118aへの入
射角は45°である。第1偏光ビームスプリッター膜1
08、偏光分離膜121同様誘電帯多層膜で構成するこ
とも可能であるが、P偏光に対する高反射率達成するた
めに積層数が増え、パターン形成が困難となってくる。
ここでは反射膜118bの形成材料としてはAg,A
l,Cu,Au等の高反射率を有する金属材料をもちい
る。特にAgはコスト面にも優れ、高反射率材料で、し
かも設計中心波長λ0(790nm)に対して5.1程
の吸収係数を有するために極めて薄い膜厚で高反射率を
実現することができリフトオフ工程に於ては容易にリフ
トオフが可能となる。しかし設計中心波長λ0でのAg
の屈折率はng=0.09−5.45iで反射光281
のS偏光、P偏光の相対位相差158.9deg(2
1.1deg)が発生し位相差を0にする位相調整膜1
18cが必要となる。ここでは位相調整膜118cとし
てTiO2で所定の膜厚を形成した。その他のAl,C
u,Au等の高反射率材料であっても同様に反射光28
1に相対位相差が発生し、相対位相差を略0とする位相
調整膜118cを形成し、反射膜118bと位相調整膜
118cをもって位相調整反射膜248を実装できる。
位相調整反射膜248の形成方法に関しては回折格子1
07の反射膜255形成と同様の形成方法を実施する。
【0099】次に本光ガイド部材104の加工製造方法
に関する実施例を図18〜22を用いて説明する。図1
8は本発明の第1実施例における光ピックアップの集合
ブロック形成前の各基板の側面図である。前述の光学機
能素子形成方法により、第1集合ブロックを構成する第
1基板241の第1面105aに反射型回折格子10
7、第1デプスマーカー246a及び第1張り合わせ位
置決めマーカー244a、第1基板241の第2面10
5bに反射型の拡散角変換ホログラム106、第1偏光
ビームスプリッター膜108、第2張り合わせ位置決め
マーカー244bを形成し、第2基板242の第1面1
05bに反射膜122、反射型の非点収差発生ホログラ
ム124、第3張り合わせ位置決めマーカー244c、
第2基板242の第2面105cに第2偏光ビームスプ
リッター膜116、偏光分離膜121、反射膜125、
第4張り合わせ位置決めマーカー244d、第2デプス
マーカー246b、を形成し、第3基板243第1面1
05d上に張り合わせ第5張り合わせ位置決めマーカー
244e、第1カッティングマーカー245a、第2カ
ッティングマーカー245b、第3基板243第2面1
05aに第6張り合わせ位置決めマーカー244fを形
成し、V溝基板118の第1面105cに第7張り合わ
せ位置決めマーカー244g、V溝基板118の第2面
105dに第8張り合わせ位置決めマーカー244hを
形成し、V溝斜面108a上に位相調整反射膜248を
形成する。
【0100】ここで集合ブロックの形成方法に関して図
19を用いて説明する。第1基板241と第2基板24
2を第2張り合わせ位置決めマーカー244bと第3張
り合わせ位置決めマーカー244cを用いて張り合わせ
位置を決め接合する。同様に第4張り合わせ位置決めマ
ーカー244dと第5張り合わせ位置決めマーカー24
4eを用いて第1基板241と接合された第2基板24
2とV溝基板118を張り合わせ、さらに第6張り合わ
せ位置決めマーカー244fと第1基板241、第2基
板242に接合されたV溝基板118と第3基板243
を張り合わせ、第1集合ブロックを形成する。張り合わ
せに用いた接着樹脂はエポキシ樹脂で極めて第1から第
3基板241、242、243、V溝基板118の屈折
率に近い物を使用した。接着樹脂の屈折率を第1から第
3基板241、242、243、V溝基板118の屈折
率に近いものを使用し、界面におけるS偏光、P偏光の
相対位相差の発生をなくすことができる。
【0101】次に集合構成体の形成方法に関して図20
を用いて説明する。図20(a)はこの第1集合ブロッ
クを複数用意し(ここではn個とする)第1張り合わせ
位置決めマーカー244aと他の集合ブロックの張り合
わせ位置決めマーカー244fをもって2つの集合ブロ
ックを張り合わせる場合の外観図である。これをn個の
集合ブロックに対して接合する。これにより集合ブロッ
ク中第1基板241第1面105a上の光学機能素子は
他の集合ブロック中第3基板243に鋏み込む様に接合
される。このうち最外集合ブロック(n番目の集合ブロ
ック)に第3基板243を第1張り合わせ位置決めマー
カー244aと第3基板243の張り合わせ位置決めマ
ーカー244gをもって張り合わせ集合構成体を形成す
る。図20(b)は集合構成体の側面図である。
【0102】次に平面ブロックの形成方法に関して図2
0と図21を用いて説明する。図20(b)の集合構成
体は各集合ブロックと他方の集合ブロックをずらし分L
ずらして張り合わせ形成されている。これは平面ブロッ
クの形状を同一の平面基板に加工するためである。ずら
し分Lは集合ブロックの厚みdで以下の式で決定され
る。
【0103】L=d/tanθ また傾斜角θは本発明光ガイド部材の入射光中心軸の張
り合わせ面への入射角でありここでは略45°である。
張り合わせ面に対し傾斜角θだけ傾斜させた方向をX’
としてX’ーY’面を含む様に平面ブロックは切り出さ
れる。カッティングに際しては集合ブロック中最外集合
ブロックに張り合わされた第3基板243に形成された
第1カッティングマーカー245aをもって行う。図2
1(a)は切り出された平面ブロックの正面図、図21
(b)はその側面図である。これによってX’方向に各
集合ブロック中に実装された各光学機能素子が配置さ
れ、切り出された平面ブロック中に本発明光ガイド部材
が複数配置される。図21(c)、(d)は図21
(a)、(b)の拡大図である。平面ブロックの第1面
285aには切り出された時点で第2デプスマーカー2
46bが表層に現われている。第2デプスマーカー24
6bは反射型の非点収差発生ホログラム124の平面ブ
ロック第1面285aまでの距離を制御するものでデプ
スマーカー値DL1が所定の値となるよう、加工を進め
第1面285aの加工を終了する。続いて第1面285
aを基準面として本発明光ガイド部材の素子高さhとな
るように第2面285bの加工を完了する。加工完了後
第1面285a、第2面285bに設計中心波長λ0に
対する反射防止膜286を形成する。反射防止膜286
材料としては誘電帯材料を用いる。ここでは後工程の加
工研削に膜が損傷しないようにハードコーティング材の
TiO2/SiO2で形成した。反射防止膜286形成に
は真空成膜装置をもって成膜する。
【0104】続いて平面ブロックよりバーブロック形成
の工程を図22を用いて説明する。図22(a)は平面
ブロックの正面図で図中Y軸方向にカットしバーブロッ
クを形成する。図22(b),(c)は切り出されたバ
ーブロックの正面図、と側面図である。バーブロックの
第1面288aには切り出された時点で第1デプスマー
カー246aが表層に現われている。第1デプスマーカ
ー246aは反射型の拡散角変換素子106のバーブロ
ック第1面288aまでの距離を制御するものでデプス
マーカー値DL2が所定の値となるよう、加工を進め第
1面288aの加工を終了する。続いて第1面288a
を基準面として本発明光ガイド部材104の素子長さL
となるように第2面288bの加工を完了する。加工完
了後第1面288aに設計中心波長λ0に対する反射防
止膜289を形成する。反射防止膜材料としては誘電帯
材料を用いる。ここでは後工程の加工研削に膜が損傷し
ないようにハードコーティング材のTiO2/SiO2
形成した。反射防止膜形成には真空成膜装置をもって成
膜する。
【0105】最後に第1カッティングマーカー245を
もってカッティングし、本発明光ガイド部材104を形
成する。図22(d)にカッティングされたチップ外観
を示す。
【0106】以下本発明の第2実施例について、図面を
参照しながら説明する。図23は本発明の第2実施例に
おける光ピックアップの側面図、図24は本発明第2実
施例における光ピックアップの平面図である。
【0107】本実施例における光ピックアップは基板3
01、サブマウント302、半導体レーザチップ30
3、拡散角変換ホログラム306、回折格子307、対
物レンズ309、第1のビームスプリッター膜308、
第2のビームスプリッター膜316、センサー基板31
9、等の配置は同等であるが、第1実施例のV溝基板の
代わりに第1、第2及び第3斜面と平行な第4斜面30
5dの上に1/2波長板318を積層する。
【0108】本実施例において半導体レーザチップ30
3から光ディスク盤310までの光の経路及び光ディス
ク盤310から第2のビームスプリッター膜316まで
の経路は第1実施例と同等である。図25は本発明の第
2実施例における受光センサー配置及び信号処理回路説
明図である。第2のビームスプリッター膜316からの
透過光317は第4斜面305dの上に積層された1/
2波長板318に入射する。透過光317は1/2波長
板318によって偏光面が45度回転され、第1、第2
及び第3、第4斜面と平行な第5斜面305eに形成さ
れた偏光分離膜321にその入射面に対して45度の直
線偏光で入射し、偏光分離膜321の作用によってその
P偏光成分は透過し、S偏光成分は反射される。偏光分
離膜321を透過したP偏光成分は受光センサー370
に到達する。一方、偏光分離膜321を反射したS偏光
成分は第3斜面305cの反射膜327によって反射
し、さらに1/2波長板318を透過した後受光センサ
ー371に到達する。
【0109】図26は本発明の第2実施例における偏光
分離膜321における偏光の状態を説明する図である。
図26において矢印350は前述のように光ディスク盤
310の情報記録面311に情報が記録されていない場
合の偏光分離膜321に入射する直線偏光の偏光方向で
ある。偏光分離膜321に入射する光束は第1実施例と
同様に既に第1のビームスプリッター膜308及び第2
のビームスプリッター膜316によってそのカー回転角
がθkからθk’’へと増大されており、光ディスク盤3
10の磁化方向により偏光方向が直線偏光355から直
線偏光356へと変調される。したがって、第1実施例
と同様に以下の式で示されるように受光センサー370
で検出される信号と受光センサー371で検出される信
号との差動を採ることにより光磁気再生信号が得られ
る。
【0110】R.F=I370−I371 また、第2のビームスプリッター膜316からの反射光
320は第1実施例と同経路で非点収差発生ホログラム
324へ導かれ、非点収差を発生しつつ、さらに反射膜
325及び反射膜326で反射され、受光センサー37
2及び受光センサー376、377へ到達する。フォー
カスエラー信号は第1実施例と同様に非点収差法により
得られる。つまり、受光センサー372a、372b、
372c、372dからの光電流をそれぞれI372
a、I372b、I372c、I372dとすれば図2
5の回路図からもわかるようにフォーカスエラー信号は
以下の式で示される。
【0111】F.E.=(I372a+I372c)−
(I372b+I372d) トラッキングエラー信号は第1実施例と同様に3ビーム
法あるいはプッシュプル法により得られる。受光センサ
ー376、377からの光電流をそれぞれI376、I
357とすれば図25の回路図からもわかるように3ビ
ーム法によるトラッキングエラー信号が得られる。ま
た、以下の数式11で示されるように、受光センサーI
372a、I372b、I372c、I372dを用い
てプッシュプル法によるトラッキングエラー信号を得る
ことができる。
【0112】本実施例においては拡散角変換ホログラム
306及び非点収差発生ホログラム324として反射型
のホログラムを用いているがホログラムの代わりに同様
の作用を生じる反射型のレンズ等を用いても良い。
【0113】また、本実施例においては非点収差発生ホ
ログラム324を用いて非点収差法にてフォーカスエラ
ー信号を得ているが、非点収差発生ホログラム324の
代わりに第2のビームスプリッター膜316からの反射
光328をセンサー基盤319上で結像させ、ナイフエ
ッジ法あるいはフーコー法等によりフォーカスエラー信
号を得ることができる1つのパターンあるいは複数のパ
ターンを有する反射型のホログラムや反射型のレンズ等
を用いても良い。
【0114】また、本第2実施例の光ガイド部材304
は3枚の平行平板基板及び水晶板の4枚を接着層を介し
て張り合わせ、構成する集合ブロックと集合ブロックを
接着層を介して張り合わせ、構成した複合ブロックを各
集合ブロックの接合面に対して斜めに切断し、切り出し
た平面ブロックから最小構成ブロックで光ガイド部材3
04を切り出す。
【0115】さらに、本実施例においては半導体レーザ
チップ303からの射出光を第2斜面305bに形成し
た拡散角変換ホログラム306で1回反射させ、第1斜
面305aに形成した回折格子307でさらに1回反射
し、合計2回反射することにより第1のビームスプリッ
ター膜308へ光を導いているが、第1斜面305aお
よび第2斜面305bを複数回反射させても良い。この
場合、拡散角変換ホログラム306及び回折格子307
は第1及び第2斜面いずれの斜面に形成しても良い。
【0116】さらに、本実施例においては非点収差発生
ホログラム324を反射膜325あるいは反射膜326
いずれか同じ位置に形成しても同様の作用を及ぼし、サ
ーボ信号を検出することができる。また、反射膜325
あるいは反射膜326をなくし第3斜面305cをその
まま透過させることで受光センサー372、376、あ
るいは377に光を導くことができる。
【0117】さらに、本実施例においては偏光分離膜3
21から反射されるS偏光成分を第3斜面305cの反
射膜325によってさらに反射し受光センサー371に
光を導いているが、反射膜325をなくし第2斜面30
5bに新たな反射膜を形成しS偏光成分をこの反射膜に
よって反射することにより受光センサー371に導くこ
ともできる。
【0118】以下本発明の第3実施例について、図面を
参照しながら説明する。図27は本発明の第3実施例に
おける光ピックアップの側面図、図28は本発明の第3
実施例における平面図である。
【0119】本実施例における光ピックアップは基板4
01、サブマウント402、半導体レーザチップ40
3、平行な複数の斜面を有する光ガイド部材404、回
折格子407、対物レンズ409、第1のビームスプリ
ッター膜408、第2のビームスプリッター膜416、
V溝基板418、偏光分離膜421、センサー基板41
9、受光センサー470、471、472及び476、
477等は本発明第1実施例と同様に配置されている。
【0120】基板401上にサブマウント402を介し
て水平にマウントされた半導体レーザチップ403から
水平に放出されたレーザ光は、平行な複数の斜面を有す
る光ガイド部材404の側面404cから光ガイド部材
404に入射し、光ガイド部材404の第2斜面405
bに形成された拡散角変換ホログラム406に入射し、
位相を補正しつつ平行光に変換される。拡散角変換ホロ
グラ406によって略平行光に変換されかつ反射した光
束は第1斜面405aに形成された反射型の回折格子4
07によって0次回折光(以下メインビームと呼ぶ)と
±1次回折光(以下サイドビームと呼ぶ)とに分けられ
さらに反射する。回折格子607からの反射光は第1の
ビームスプリッター膜408に入射する。第1のビーム
スプリッター膜408によって反射された光は光ガイド
部材404の上面404aに張り合わされた平凹レンズ
490に入射する。平凹レンズ490に入射した光束は
再び拡散光となり、対物レンズ409に入射し、光ディ
スク盤410上で結像される。このとき、第1実施例と
同様に平凹レンズ490を透過し対物レンズ409に入
射する光は拡散角変換ホログラム406によって位相を
補正され、理想球面波415となっている。光ディスク
盤410からの反射光は再び対物レンズ409を透過
し、さらに平凹レンズ490によって略平行光に戻され
透過する。平凹レンズ490を透過した光は略平行光の
まま第1実施例と同様な経路で、そのP偏光成分が第1
受光センサー470へ、またそのS偏光成分が第2受光
センサー471へ導かれその差動信号から光磁気信号が
得られる。
【0121】またサーボ信号検出についても光ディスク
盤410からの戻り光を略平行光のまま第1実施例と同
様な経路で非点収差検出ホログラム424に導くことに
より行う。フォーカスエラー信号は本発明第1実施例と
同様に非点収差法により検出する。トラッキングエラー
信号は本発明第1実施例と同様に3ビーム法あるいはプ
ッシュプル法により検出する。
【0122】また、本実施例においても第1実施例及び
第3実施例と同様に非点収差発生ホログラム424の代
わりに第1のビームスプリッター膜408からの反射光
428をセンサー基盤419上で結像させ、ナイフエッ
ジ法あるいはフーコー法等によりフォーカスエラー信号
を得ることができる1つのパターンあるいは複数のパタ
ーンを有する反射型のホログラムや反射型のレンズ等を
用いても良い。
【0123】以下本発明の第4実施例について、図面を
参照しながら説明する。図29は本発明の第4実施例に
おける光ピックアップの側面図、図30は本発明の第4
実施例における光ピックアップの平面図である。
【0124】本実施例における光ピックアップは基板5
01、サブマウント502、半導体レーザーチップ50
3、平行な複数の斜面を有する光ガイド部材504、対
物レンズ509、第1のビームスプリッター膜508、
第2のビームスプリッター膜516、V溝基板518、
偏光分離膜521、センサー基板519、非点収差発生
ホログラム524、受光センサー570、571、57
2及び576、577等は本発明第1実施例と同様に配
置されている。
【0125】基板501上にサブマウント502を介し
て水平にマウントされた半導体レーザチップ503から
水平に放出されたレーザ光は、平行な複数の斜面を有す
る光ガイド部材504の側面504cから光ガイド部材
504に入射し、光ガイド部材504の第2斜面505
bに形成された第1の拡散角変換ホログラム506に入
射する。ここで、半導体レーザチップ503からの射出
光の振動方向に対して平行な方向をx方向とし、垂直な
方向をy方向とする。第1の拡散角変換ホログラム50
6は、半導体レーザチップ503からの射出光のうち第
1の拡散角変換ホログラム506へ入射することのでき
る光束の拡散角に対して、反射する光のx方向の拡散角
とy方向の拡散角をそれぞれ異なる変換率で変換するこ
とができる(以下、拡散角を変換すると呼ぶ)。反射型
のホログラムからなる第1の拡散角変換ホログラム50
6に入射しx,y両方向の拡散角がそれぞれ異なる変換
率で変換され反射した光は、反射型のホログラムからな
る第2の拡散角変換ホログラム507に入射し、x,y
両方向の拡散角がそれぞれ異なる変換率で変換され反射
する。第2の拡散角変換ホログラム507によって拡散
角を変換され反射した光は第1のビームスプリッター膜
508に入射する。第1のビームスプリッター膜508
によって反射された光は光ガイド部材504の上面50
4aから射出し、対物レンズ509に入射する。対物レ
ンズ509に入射する光は第1及び第2の拡散角ホログ
ラムによってビーム整形され、理想球面波に変換されて
いる。図31〜34を用いて以下に詳細に第1及び第2
の拡散角変換ホログラムによるビーム整形の原理を説明
する。図31(a)は第1及び第2の拡散角変換ホログ
ラムがない場合のx方向のビーム断面図、図31(b)
は第1及び第2の拡散角変換ホログラムがない場合のy
方向のビーム断面図。図32(a)は第1及び第2の拡
散角変換ホログラム変換がなくかつ対物レンズ509が
位置509aの位置にある場合の光ディスク盤510上
の結像スポットである。また、図32(b)は第1及び
第2の拡散角変換ホログラムがなくかつ対物レンズ50
9が位置509bの位置にある場合の光ディスク盤51
0上の結像スポットである。図33(a)は第1及び第
2の拡散角変換ホログラムがある場合のx方向のビーム
断面図、図33(b)は第1及び第2の拡散角変換ホロ
グラムがない場合のy方向のビーム断面図。図34は第
1及び第2の拡散角変換ホログラムがある場合の光ディ
スク盤510上の結像スポットである。実際には斜面5
05a、505b等で反射するので図31、図33のよ
うな簡単な断面にはならないが説明のため便宜上簡単化
している。図33のZ1−Z1’平面は第1の拡散角変
換ホログラム506が存在する便宜上の位置である。ま
た、Z2−Z2’平面は第2の拡散角変換ホログラム5
07が存在する便宜上の位置を示す。図31に示したよ
うにのように第1及び第2の拡散角変換ホログラムがな
く対物レンズ509が位置509aにある場合はさらに
図32(a)に示したように結像スポット513はトラ
ック90度方向のスポットサイズがピット列595に対
して大きく隣のピット列に光が当たり、隣のピット情報
が漏れ込み光磁気再生信号のC/Nの劣化に至る。これ
は、対物レンズ509に入射する光のx方向の半値全幅
Wxが対物レンズ509の有効径Dに対して1/2程度
であるところによる。また、対物レンズ509が位置5
09bにある場合は、対物レンズ509に入射する光の
x方向の半値全幅Wxが対物レンズ509の有効径Dと
同等以上となり、図32(b)に示したよう楕円率の低
い結像スポット513で隣のピット列に光が混入するこ
とはないが、光利用効率(半導体レーザチップ503か
らの射出全光量に対する結像に関わる光の量)が低くな
る。このように、半導体レーザチップ503からの射出
光は光の拡がり角の比θy/θx(アスペクト比と呼
ぶ)にして2〜3.5程度であり、x方向とy方向で拡
がり角が大きく異なるために、光ディスク盤510上の
結像スポット513の楕円率が大きい。そこで、拡がり
角の比θy/θxがなるべく1に近くなるようにビーム
整形という手法が一般的に採られる。本実施例において
はが第1及び第2の拡散角変換ホログラムの2段でビー
ム整形を行う。既に図33に示したように第1の拡散角
変換ホログラム506で光束の広がり角をx,y方向そ
れぞれ変換すれば、第2の拡散角変換ホログラム507
に入射する光の広がり角の比θ’y/θ’xは半導体レ
ーザチップ503からの射出光のアスペクト比θy/θ
xに対してある程度縮小される。しかし、第1の拡散角
変換ホログラム506のみでは拡散角の変換率をうまく
選んだとしてもx方向とy方向で見かけの発光点が異な
り(図33中595bと595c)、非点収差となる。
そこでさらに、第2の拡散角変換ホログラム506で適
当な拡散角の変換率を選べば、変換後の見かけの発光点
(図33中595d)がx方向とy方向とでほぼ同じ位
置になる。しかも同時に第2の拡散角変換ホログラム5
07は対物レンズ509へ入射する光の位相を揃える機
能を持ち、対物レンズ509へ入射する光は理想球面波
515となっている。したがって、対物レンズ505に
入射する光のx方向とy方向の半値全幅Wx、Wyが対
物レンズ509の有効径Dとほぼ同等となり、図34の
ように楕円率の低い結像スポット513で隣のピット列
に光が混入せずC/Nの劣化を生じない。しかも、対物
レンズ509に入射する光は見かけの発光点(図33中
595d)がx方向とy方向とでほぼ同じ位置になるの
で非点収差が取り除かれた理想球面波515となってい
るので、対物レンズ509による光ディスク盤510で
の結像スポット513はほぼ回折限界まで絞り込まれ理
想的な大きさとなり、情報の記録または再生を容易に行
うことができる。
【0126】光ディスク盤510からの戻り光は第1実
施例と同様な経路で、そのP偏光成分が第1受光センサ
ー570へ、またそのS偏光成分が第2受光センサー5
71へ導かれその差動信号から光磁気信号が得られる。
【0127】またサーボ信号検出についても光ディスク
盤510からの戻り光を第1実施例と同様な経路で非点
収差検出素子に導くことにより行う。フォーカスエラー
信号は本発明第1実施例と同様に非点収差法やナイフエ
ッジ法やフーコー法により検出する。トラッキングエラ
ー信号は本発明第1実施例と同様な3ビームを発生する
回折格子を持たないので3ビーム法では検出できない
が、本発明第1実施例と同様にプッシュプル法により検
出することができる。
【0128】本実施例においては第3の斜面505cに
積層されたV溝基板518によって偏光分離膜521へ
入射する光を45度の直線偏光へ変換し光磁気信号を得
ているが、V溝基板518のかわりに1/2波長板31
8を用いて第2実施例と同様な構成で光磁気信号を得て
もよい。
【0129】本実施例においては第1及び第2の拡散角
変換ホログラム、非点収差発生ホログラムとして反射型
のホログラムを用いているがホログラムの代わりに同様
の作用を生じる反射型のレンズ等を用いても良い。
【0130】さらに、本実施例においては半導体レーザ
チップ503からの射出光を第2斜面505bに形成し
た第1の拡散角変換ホログラム506で1回反射させ、
第1斜面505aに形成した第2の拡散角変換ホログラ
ム506でさらに1回反射し、合計2回反射することに
より第1のビームスプリッタ膜508へ光を導いている
が、第1斜面505aおよび第2斜面505bを複数回
反射させても良い。この場合、第1の拡散角変換ホログ
ラム506及び第2の拡散角変換ホログラム507は第
1斜面505a及び第2斜面505bいずれの斜面に形
成しても良い。
【0131】
【発明の効果】以上の実施例から明らかなように、本発
明により、検光子に入射するディスク盤からの復路光の
偏光状態は約45゜の直線偏光でP偏光成分とS偏光成
分が各々約50%の光となり、各成分を受光する受光セ
ンサに各々50%の割合で分光し、両受光センサーの差
動増幅により光磁気信号以外の同位相ノイズ成分が除去
するとともに、RF信号を検出する受光センサーはRF
信号のみを検出するため両受光センサーは分割させる必
要がなく不感帯による光量損失をなくすことや、発光素
子からの光とディスク盤からの復路光を分離するために
偏光選択性のあるビームスプリッター膜を用いることで
見かけのカー回転角を増加させることによりC/N比の
高いRF再生信号を得ることができる。またP偏光成分
とS偏光成分に分離せずに焦点検出手段としての機能を
有する焦点誤差検出素子にディスク盤からの復路光を導
きフォーカスエラー信号を検出するため複屈折及びカー
回転等でディスク盤からの復路光のP偏光とS偏光の光
量比が変化してもフォーカスエラー信号にオフセットが
生じることはない。また3ビーム法でトラッキングエラ
ー信号を検出する場合もセンサ上でのスポットサイズを
小さくすることができ、メインビームとサイドビームの
クロストークの発生を抑制できる。また、拡散角変換手
段によって拡散角が小さい光あるいは略平行光に変換で
きるので偏光ビームスプリッタ及び検光子等への入射光
の入射角のばらつきが小さく光学的位相を管理しやす
い。さらに、集光手段への入射光は理想球面波となるの
で、光ディスク盤での結像スポットはほぼ回折限界まで
絞り込まれ理想的な大きさとなり、情報の記録または再
生を容易に行うことができる。また、拡散角変換手段を
2段備えることにより前記集光手段への入射光のアスペ
クト比を前記発光素子からの射出光のアスペクト比を異
ならせ、光ディスク盤での結像スポットの楕円率を小さ
くすることで、隣のピット列からの光磁気信号の漏れ込
みによるC/Nの劣化を抑制することができる。
【0132】また、拡散角変換手段によって拡散角が小
さい光あるいは略平行光に変換できるので偏記録消去時
に必要な高い光利用効率が確保され、さらに光学的位相
が管理しやすくC/Nの劣化を防ぎ、光学系を小型化す
ることができる。また、拡散角変換手段によって拡散角
が小さい光あるいは略平行光に変換できるので偏光ビー
ムスプリッタ及び検光子等への入射光の入射角のばらつ
きが小さく光学的位相を管理しやすい。さらに、集光手
段への入射光は理想球面波となるので、光ディスク盤で
の結像スポットはほぼ回折限界まで絞り込まれ理想的な
大きさとなり、情報の記録または再生を容易に行うこと
ができる。さらに、集光手段への入射光は理想球面波と
なるので、光ディスク盤での結像スポットはほぼ回折限
界まで絞り込まれ理想的な大きさとなり、情報の記録ま
たは再生を容易に行うことができる。また、拡散角変換
手段を2段備えることにより前記集光手段への入射光の
アスペクト比を前記発光素子からの射出光のアスペクト
比と異ならせ、光ディスク盤での結像スポットの楕円率
を小さくすることで、隣のピット列からの光磁気信号の
漏れ込みによるC/Nの劣化を抑制することができる。
【0133】さらに、基板上に光学薄膜を設けた構成体
を形成し、前記構成体を複数用意し、前記光学薄膜を基
盤同士で挟むように接合して集合構成体を形成し、前記
集合構成体を接合面に対して傾斜して切断することによ
り工数が低減でき生産性の向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例における光ピックアップの
側面図
【図2】本発明の第1実施例における光ピックアップの
平面図
【図3】本発明の第1実施例における光ピックアップの
V溝基板の斜視図
【図4】本発明の第1実施例における光ピックアップの
受光センサー配置及び信号処理回路説明図
【図5】本発明の第1実施例における光ピックアップの
光磁気信号検出原理の説明図
【図6】本発明の第1実施例おける偏光分離膜における
偏光の状態を説明する図
【図7】本発明における非点収差法によるフォーカスエ
ラー信号検出原理説明図
【図8】本発明における第1実施例における光ピックア
ップの光ディスク盤上の結像スポットと情報トラックの
位置関係を示した図
【図9】本発明の第1実施例における光ピックアップの
V溝形成の研削方法の説明図
【図10】本発明の第1実施例における光ピックアップ
のV溝形成実施例の説明図
【図11】本発明の第1実施例における光ピックアップ
の実装光ピックアップ説明図
【図12】本発明の第1実施例における光ピックアップ
の張り合わせ位置決めマーカー形成説明図
【図13】本発明の第1実施例における光ピックアップ
の張り合わせ位置決めマーカー形成説明図
【図14】本発明の第1実施例における光ピックアップ
の反射型回折格子形成説明図
【図15】本発明の第1実施例における光ピックアップ
の反射型拡散角変換ホログラム素子形成説明図
【図16】本発明の第1実施例における光ピックアップ
の反射型回折格子反射膜及び第1デプスマーカー形成説
明図
【図17】本発明の第1実施例における光ピックアップ
のV溝面位相調整反射膜形成説明図
【図18】本発明の第1実施例における光ピックアップ
の集合ブロック形成前の各基板の側面図
【図19】本発明の第1実施例における光ピックアップ
の集合ブロック形成説明図
【図20】本発明の第1実施例における光ピックアップ
の集合ブロック形成説明図
【図21】本発明の第1実施例における光ピックアップ
の平面ブロック形成説明図
【図22】本発明の第1実施例における光ピックアップ
のバーブロック形成及び最終切断説明図
【図23】本発明の第2実施例における光ピックアップ
の側面図
【図24】本発明の第2実施例における光ピックアップ
の平面図
【図25】本発明の第2実施例における受光センサー配
置及び信号処理回路説明図
【図26】本発明の第2実施例における光ピックアップ
の偏光分離膜における偏光の状態を説明する図
【図27】本発明の第3実施例における光ピックアップ
の側面図
【図28】本発明の第3実施例における光ピックアップ
の平面図
【図29】本発明の第4実施例における光ピックアップ
の側面図
【図30】本発明の第4実施例における光ピックアップ
の平面図
【図31】本発明の第4実施例における光ピックアップ
の第1及び第2の拡散角変換ホログラムがない場合のx
方向及びy方向のビーム断面図
【図32】本発明の第4実施例における光ピックアップ
の第1及び第2の拡散角変換ホログラムがない場合の光
ディスク盤上の結像スポットの様子を示す図
【図33】本発明の第4実施例における光ピックアップ
の第1及び第2の拡散角変換ホログラムがある場合のx
方向及びy方向のビーム断面図
【図34】本発明の第4実施例における第1及び第2の
拡散角変換ホログラムがある場合の光ディスク盤上の結
像スポットの様子を示す図
【図35】従来の光ピックアップを示す図
【図36】従来のホログラムのパターンの様子を示す図
【図37】従来の偏光分離膜における偏光の状態を説明
する図
【図38】従来例における信号処理回路説明図
【符号の説明】
1 センサ基板 2 半導体レーザチップ 4 反射プリズム 5 光ガイド部材 6 入射窓 8 ホログラム 10 対物レンズ 11 光ディスク盤 18 第1復路偏光分離部 19 第2復路偏光分離部 26 第1受光センサ 27 第2受光センサ 30 第1復路反射部 31 第2復路反射部 34 第1透過窓 35 第2透過窓 38 第3受光センサ 39 第4受光センサ 44 リードフレーム 101 基板 102 サブマウント 103 半導体レーザチップ 104 光ガイド部材 106 拡散角変換ホログラム 107 回折格子 108 第1のビームスプリッター膜 109 対物レンズ 110 光ディスク盤 116 第2のビームスプリッター膜 118 V溝基板 119 センサー基板 121 偏光分離膜 122 反射膜 124 非点収差発生ホログラム 125 反射膜 170、171、172、176、177 受光センサ
ー 180 情報トラック 210 カップ砥石 211 カップ砥石台座 212 砥粒 213 基板 214 研削痕 216 砥石先端面 218 砥石側面 220 基板研削治具 222 マイクログラインダー 241 第1基板 242 第2基板 243 第3基板 244 張り合わせ位置決めマーカー 245 カッティングマーカー 246 デプスマーカー 251 マーカー形成材料 252 パターン 253 回折格子パターン 254 回折格子 255 反射膜 256 回折格子反射膜パターン 261 第1ステップホログラムパターン 262 第1ステップホログラム 263 第2ステップホログラムパターン 266 第2ステップホログラム 267 反射膜 268 反射型拡散角変換ホログラム反射膜パターン 271 デプスマーカーパターン 281 反射光 285 平面ブロック面 286 反射防止膜 201a 平面ブロック基準面 201b 201aの他方の面 220a 第1接合基準マーカー 220b 第2接合基準マーカー 220c 第3接合基準マーカー 220d 第4接合基準マーカー 222 カッティングマーカー 230 105の第1面と平面ブロック基準面の交線 301 基板 302 サブマウント 303 半導体レーザチップ 304 光ガイド部材 306 拡散角変換ホログラム 307 回折格子 308 第1のビームスプリッター膜 309 対物レンズ 310 光ディスク盤 316 第2のビームスプリッター膜 318 1/2波長板 319 センサー基板 321 偏光分離膜 322 反射膜 324 非点収差発生ホログラム 325、326 反射膜 370、371、372、376、377 受光センサ
ー 401 基板 402 サブマウント 403 半導体レーザチップ 404 光ガイド部材 406 拡散角変換ホログラム 407 回折格子 408 第1のビームスプリッター膜 409 対物レンズ 410 光ディスク盤 416 第2のビームスプリッター膜 418 V溝基板 419 センサー基板 421 偏光分離膜 422 反射膜 424 非点収差発生ホログラム 425、426 反射膜 470、471、472、476、477 受光センサ
ー 490 平凹レンズ 501 基板 502 サブマウント 503 半導体レーザチップ 504 光ガイド部材 506 第1の拡散角変換ホログラム 507 第2の拡散角変換ホログラム 508 第1のビームスプリッター膜 509 対物レンズ 510 光ディスク盤 516 第2のビームスプリッター膜 518 V溝基板 519 センサー基板 521 偏光分離膜 522 反射膜 524 非点収差発生ホログラム 525、526 反射膜 570、571、572、576、577 受光センサ
ー 595 ピット列
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉中 秀樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 古賀 稔浩 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 三政 治郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 釘崎 英博 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平5−67345(JP,A) 特開 平5−135420(JP,A) 特開 平4−188440(JP,A) 特開 平6−68537(JP,A) 特開 平7−311989(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G11B 7/135 G11B 7/09

Claims (48)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】発光素子と、入射する光の拡散角に対して
    射出する光の拡散角を変換する(以下拡散角を変換する
    と呼ぶ)機能を持つ拡散角変換手段と、偏光選択性のあ
    るビームスプリッター膜と、光を光ディスク盤の情報記
    録面上に集光する集光手段とを備え、前記発光素子から
    射出される光を前記拡散角変換手段によってその拡散角
    を変換し、前記拡散角変換手段によって拡散角を変換さ
    れた光を前記ビームスプリッター膜で反射あるいは透過
    させ前記集光手段へ導く光ピックアップであって、前記
    発光素子から射出する光のうち前記拡散角変換手段に入
    射する光の拡散角をθ1、拡散角変換手段から射出する
    光の拡散角をθ2とするとき、前記拡散角変換手段が以
    下の式を満たすように形成され、かつ前記拡散角変換手
    段が前記ビームスプリッター膜から前記集光手段に送ら
    れてくる球面波の位相を揃えることを特徴とする光ピッ
    クアップ。 0.18<sinθ1<0.30 0.06<sinθ2<0.17
  2. 【請求項2】拡散角変換手段としてホログラムを用いる
    事を特徴とする請求項1記載の光ピックアップ。
  3. 【請求項3】拡散角変換手段として用いたホログラムが
    反射型である事を特徴とする請求項2記載の光ピックア
    ップ。
  4. 【請求項4】拡散角変換手段としてレンズを用いる事を
    特徴とする請求項1記載の光ピックアップ。
  5. 【請求項5】拡散角変換手段として用いたホログラムが
    反射型である事を特徴とする請求項4記載の光ピックア
    ップ。
  6. 【請求項6】発光素子と、複数の受光素子と、前記発光
    素子から射出される光に対して傾斜しかつ互いに平行な
    第1、第2及び第3の斜面と、前記第1あるいは第2の
    斜面いずれか1斜面に形成され前記発光素子から射出さ
    れた光のうち入射する光の拡散角を変換する拡散角変換
    手段と、前記第2の斜面に形成されかつ前記拡散角変換
    手段からの光を透過する光と反射する光に分離する偏光
    選択性のある第1のビームスプリッター膜と、前記第1
    のビームスプリッター膜からの反射光を光ディスク盤の
    情報記録面上に集光する集光手段と、前記第3の斜面に
    形成されかつ光ディスク盤からの戻り光が前記第1のビ
    ームスプリッター膜を透過した光を透過光、反射光に分
    離する偏光選択性のある第2のビームスプリッター膜
    と、前記第2の斜面が存在しない側から前記第3の斜面
    上に積層されかつ前記第2のビームスプリッター膜から
    の透過光を反射する溝部に形成された反射面を備えた溝
    基板と、前記第3の斜面にありかつ前記溝基板によって
    反射する光に対してそのP偏光成分を透過し第1の受光
    素子へ導きさらにS偏光成分を反射し第2の受光素子へ
    導く検光子と、前記第2あるいは第3のいずれか1斜面
    に形成されかつ前記第2のビームスプリッター膜からの
    反射光を前記受光素子へと導く焦点誤差検出素子とを備
    え、前記拡散角変換手段は前記第1のビームスプリッタ
    ー膜を反射し集光手段に入射する球面波の位相を揃える
    機能を有し、前記溝基板の前記反射面が前記検光子への
    入射光の偏光状態を約45゜の直線偏光に変換する機能
    を有することを特徴とする光ピックアップ。
  7. 【請求項7】発光素子と、受光素子と、前記発光素子か
    ら射出される光に対して傾斜しかつ互いに平行な第1、
    第2、第3及び第4、第5の斜面と、前記第1あるいは
    第2いずれか1斜面に形成され前記発光素子から射出さ
    れた光のうち入射する光の拡散角を変換する拡散角変換
    手段と、前記第2の斜面に形成されかつ前記拡散角変換
    手段からの光を透過する光と反射する光に分離する偏光
    選択性のある第1のビームスプリッター膜と、前記第1
    のビームスプリッター膜からの反射光を光ディスク盤の
    情報記録面上に集光する集光手段と、前記第3の斜面に
    形成されかつ光ディスク盤からの戻り光が前記第1のビ
    ームスプリッター膜を透過した光を透過する光と反射す
    る光に分離する偏光選択性のある第2のビームスプリッ
    ター膜と、前記第3の斜面が存在しない側から前記第4
    の斜面上に積層されかつ前記第2のビームスプリッター
    膜からの透過光の偏光面を45度回転する旋光素子と、
    前記第5の斜面に形成されかつ前記旋光素子によって偏
    光面が回転した光に対してそのP偏光成分を透過し第1
    の受光素子に導きさらにS偏光成分を反射し第2の受光
    素子へと導く検光子と、前記第2あるいは第3いずれか
    1斜面に形成されかつ前記第2のビームスプリッター膜
    からの反射光を第3受光素子へと導く焦点誤差検出素子
    とを備え、前記拡散角変換手段は前記第1のビームスプ
    リッター膜を反射し集光手段に入射する球面波の位相を
    揃える機能を有していることを特徴とする光ピックアッ
    プ。
  8. 【請求項8】前記第1あるいは第2のいずれか1斜面に
    形成されかつ前記拡散角変換手段からの光を0次回折光
    と±1次回折光の3つのビームに分け前記第1のビーム
    スプリッター膜へと導く反射型の回折格子を備えたこと
    を特徴とする請求項6あるいは7いずれか1項記載の光
    ピックアップ。
  9. 【請求項9】発光素子と、複数の受光素子と、前記発光
    素子から射出される光に対して傾斜しかつ互いに平行な
    第1、第2及び第3の斜面と、前記第2の斜面に形成さ
    れ前記発光素子から射出された光のうち入射する光の拡
    散角を変換する拡散角変換手段と、前記第1の斜面に形
    成され0次回折光と±1次回折光の3つのビームに分け
    る反射型の回折格子と、前記第2の斜面に形成されかつ
    前記反射型の回折格子によって発生する3つのビームを
    透過する光と反射する光に分離する偏光選択性のある第
    1のビームスプリッター膜と、前記第1のビームスプリ
    ッター膜からの反射光を光ディスク盤の情報記録面上に
    集光する集光手段と、前記第3の斜面に形成されかつ光
    ディスク盤からの戻り光が前記第1のビームスプリッタ
    ー膜を透過した光を透過光、反射光に分離する偏光選択
    性のある第2のビームスプリッター膜と、前記第2の斜
    面が存在しない側から前記第3の斜面上に積層されかつ
    前記第2のビームスプリッター膜からの透過光を反射す
    る溝部に形成された反射面を備えた溝基板と、前記第3
    の斜面にありかつ前記溝基板によって反射する光に対し
    てそのP偏光成分を透過しさらにS偏光成分を反射し第
    1の受光素子へ導く検光子と、前記第2の斜面にありか
    つ前記検光子を透過するP偏光成分を反射し第2受光素
    子へと導く第1の反射膜と、前記第2の斜面に形成され
    かつ前記第2のビームスプリッター膜からの反射光を反
    射する焦点誤差検出素子と、前記第3の斜面にありかつ
    前記焦点誤差検出素子からの反射光を反射する第2の反
    射膜と、前記第2の斜面にありかつ前記第2の反射膜か
    らの反射光を反射し第3の受光素子へと導く第3の反射
    膜とを備え、前記拡散角変換手段は前記第1のビームス
    プリッター膜を反射し集光手段に入射する球面波の位相
    を揃える機能を有し、前記溝基板の前記反射面が前記検
    光子への入射光の偏光状態を約45゜の直線偏光に変換
    する機能を有することを特徴とする光ピックアップ。
  10. 【請求項10】発光素子と、複数の受光素子と、前記発
    光素子から射出される光に対して傾斜しかつ互いに平行
    な第1、第2及び第3の斜面と、前記第2の斜面に形成
    され前記発光素子から射出された光のうち入射する光の
    拡散角を変換する拡散角変換手段と、前記第1の斜面に
    形成され前記拡散角変換手段からの反射光を反射する第
    4の反射膜と、前記第2の斜面に形成されかつ前記第4
    の反射膜によって反射する光を透過光と反射光に分離す
    る偏光選択性のある第1のビームスプリッター膜と、前
    記第1のビームスプリッター膜からの反射光を光ディス
    ク盤の情報記録面上に集光する集光手段と、前記第3の
    斜面に形成されかつ光ディスク盤からの戻り光が前記第
    1のビームスプリッター膜を透過した光を透過光、反射
    光に分離する偏光選択性のある第2のビームスプリッタ
    ー膜と、前記第2の斜面が存在しない側から前記第3の
    斜面上に積層されかつ前記第2のビームスプリッター膜
    からの透過光を反射する溝部に形成された反射面を備え
    た溝基板と、前記第3の斜面にありかつ前記溝基板によ
    って反射する光に対してそのP偏光成分を透過しさらに
    S偏光成分を反射し第1の受光素子へ導く検光子と、前
    記第2の斜面にありかつ前記検光子を透過するP偏光成
    分を反射し第2受光素子へと導く第1の反射膜と、前記
    第2斜面に形成されかつ前記第2のビームスプリッター
    膜からの反射光を反射する焦点誤差検出素子と、前記第
    3の斜面にありかつ前記焦点誤差検出素子からの反射光
    を反射する第2の反射膜と、前記第2の斜面にありかつ
    前記第2の反射膜からの反射光を反射し第3の受光素子
    へと導く第3の反射膜とを備え、前記拡散角変換手段は
    前記第1のビームスプリッター膜を反射し集光手段に入
    射する球面波の位相を揃える機能を有し、前記溝基板の
    前記反射面が前記検光子への入射光の偏光状態を約45
    ゜の直線偏光に変換する機能を有することを特徴とする
    光ピックアップ。
  11. 【請求項11】発光素子と、複数の受光素子と、前記発
    光素子から射出される光に対して傾斜しかつ互いに平行
    な第1、第2、第3及び第4、第5の斜面と、前記第2
    の斜面に形成され前記発光素子から射出された光のうち
    入射する光の拡散角を変換する拡散角変換手段と、前記
    第1の斜面に形成され0次回折光と±1次回折光の3つ
    のビームに分ける反射型の回折格子と、前記第2の斜面
    に形成されかつ前記反射型の回折格子によって発生する
    3つのビームを透過する光と反射する光に分離する偏光
    選択性のある第1のビームスプリッター膜と、前記第1
    のビームスプリッター膜からの反射光を光ディスク盤の
    情報記録面上に集光する集光手段と、前記第3の斜面に
    形成されかつ光ディスク盤からの戻り光が前記第1のビ
    ームスプリッター膜を透過した光を透過する光と反射す
    る光に分離する偏光選択性のある第2のビームスプリッ
    ター膜と、前記第3の斜面が存在しない側から前記第4
    の斜面上に積層されかつ前記第2のビームスプリッター
    膜からの透過光の偏光面を45度回転する旋光素子と、
    前記第5の斜面に形成されかつ前記旋光素子によって偏
    光面が回転した光に対してそのP偏光成分を透過し第1
    の受光素子に導きさらにS偏光成分を反射する検光子
    と、前記第3の斜面にありかつ前記検光子を反射するS
    偏光成分を反射し第2の受光素子へと導く第1の反射膜
    と、前記第2の斜面に形成されかつ前記第2のビームス
    プリッター膜からの反射光を反射する焦点誤差検出素子
    と、前記第3の斜面にありかつ前記焦点誤差検出素子か
    らの反射光を反射する第2の反射膜と、前記第2の斜面
    にありかつ前記第2の反射膜からの反射光を反射し第3
    の受光素子へと導く第3の反射膜とを備え、前記拡散角
    変換手段は前記第1のビームスプリッター膜を反射し集
    光手段に入射する球面波の位相を揃える機能を有しいる
    ことを特徴とする光ピックアップ。
  12. 【請求項12】発光素子と、複数の受光素子と、前記発
    光素子から射出される光に対して傾斜しかつ互いに平行
    な第1、第2、第3及び第4、第5の斜面と、前記第2
    の斜面に形成され前記発光素子から射出された光のうち
    入射する光の拡散角を変換する拡散角変換手段と、前記
    第1の斜面に形成され前記拡散角変換手段からの反射光
    を反射する第4の反射膜と、前記第2の斜面に形成され
    かつ前記第4の反射膜によって反射する光を透過光と反
    射光に分離する偏光選択性のある第1のビームスプリッ
    ター膜と、前記第1のビームスプリッター膜からの反射
    光を光ディスク盤の情報記録面上に集光する集光手段
    と、前記第3の斜面に形成されかつ光ディスク盤からの
    戻り光が前記第1のビームスプリッター膜を透過した光
    を透過する光と反射する光に分離する偏光選択性のある
    第2のビームスプリッター膜と、前記第3の斜面が存在
    しない側から前記第4の斜面上に積層されかつ前記第2
    のビームスプリッター膜からの透過光の偏光面を45度
    回転する旋光素子と、前記第5の斜面に形成されかつ前
    記旋光素子によって偏光面が回転した光に対してそのP
    偏光成分を透過し第1の受光素子に導きさらにS偏光成
    分を反射する検光子と、前記第3の斜面にありかつ前記
    検光子を反射するS偏光成分を反射し第2の受光素子へ
    と導く第1の反射膜と、前記第2の斜面に形成されかつ
    前記第2のビームスプリッター膜からの反射光を反射す
    る焦点誤差検出素子と、前記第3の斜面にありかつ前記
    焦点誤差検出素子からの反射光を反射する第2の反射膜
    と、前記第2の斜面にありかつ前記第2の反射膜からの
    反射光を反射し第3の受光素子へと導く第3の反射膜と
    を備え、前記拡散角変換手段は前記第1のビームスプリ
    ッター膜を反射し集光手段に入射する球面波の位相を揃
    える機能を有しいることを特徴とする光ピックアップ。
  13. 【請求項13】前記発光素子から射出する光のうち前記
    拡散角変換手段に入射する光の拡散角をθ1、拡散角変
    換手段から射出する光の拡散角をθ2とするとき、前記
    拡散角変換手段が以下の式を満たすように形成されてい
    ることを特徴とする請求項6、7、9あるいは10、1
    1、12いずれか1項記載の光ピックアップ。 0.18<sinθ1<0.30 0.06<sinθ2<0.17
  14. 【請求項14】発光素子からの射出光を前記拡散角変換
    手段によって略平行光に変換し、かつ前記第1のビーム
    スプリッター膜からの反射光を略平行光から拡散光に変
    換するレンズを備えることを特徴とする請求項6、7、
    9あるいは10、11、12いずれか1項記載の光ピッ
    クアップ。
  15. 【請求項15】拡散角変換手段としてホログラムを用い
    る事を特徴とする請求項6、7、9あるいは10、1
    1、12いずれか1項記載の光ピックアップ。
  16. 【請求項16】拡散角変換手段として用いたホログラム
    が反射型である事を特徴とする請求項15記載の光ピッ
    クアップ。
  17. 【請求項17】拡散角変換手段としてレンズを用いる事
    を特徴とする請求項6、7、9あるいは10、11、1
    2いずれか1項記載の光ピックアップ。
  18. 【請求項18】拡散角変換手段として用いたレンズが反
    射型である事を特徴とする請求項17記載の光ピックア
    ップ。
  19. 【請求項19】発光素子と、発光素子からの射出光の振
    動方向に対して平行な方向と垂直な方向とで変換率を異
    ならせて拡散角を変換することによりアスペクト比(発
    光素子からの射出光の振動方向に対して平行な方向と垂
    直な方向の広がり角の比)を変換させる機能を持つ第1
    および第2の拡散角変換手段と、偏光選択性のあるビー
    ムスプリッター膜と、光を光ディスク盤の情報記録面上
    に集光する集光手段とを備え、前記発光素子から射出さ
    れる光を前記第1の拡散角変換手段によってアスペクト
    比を変換し、さらに前記第1の拡散角変換手段によって
    アスペクト比を変換された光を第2の拡散角変換手段に
    よってアスペクト比を変換し、前記第2の拡散角変換手
    段によってアスペクト比を変換された光を前記ビームス
    プリッター膜で反射あるいは透過させ前記集光手段へ導
    く光ピックアップであって、第2の拡散角変換手段によ
    ってアスペクトを変換することにより集光手段に入射す
    る光の非点収差をなくし球面波の位相を揃えることを特
    徴とする光ピックアップ。
  20. 【請求項20】発光素子と、複数の受光素子と、前記発
    光素子から射出される光に対して傾斜しかつ互いに平行
    な第1、第2及び第3の斜面と、前記第1あるいは第2
    の斜面いずれか1斜面に形成されかつ前記発光素子から
    射出された光のアスペクト比を変換する第1の拡散角変
    換手段と、前記第1あるいは第2の斜面いずれか1斜面
    に形成されかつ前記第1の拡散角変換手段から送られて
    くる光のアスペクト比をさらに変換する第2の拡散角変
    換手段と、前記第2の斜面に形成されかつ前記拡散角変
    換手段からの光を透過する光と反射する光に分離する偏
    光選択性のある第1のビームスプリッター膜と、前記第
    1のビームスプリッター膜からの反射光を光ディスク盤
    の情報記録面上に集光する集光手段と、前記第3の斜面
    に形成されかつ光ディスク盤からの戻り光が前記第1の
    ビームスプリッター膜を透過した光を透過光、反射光に
    分離する偏光選択性のある第2のビームスプリッター膜
    と、前記第2の斜面が存在しない側から前記第3の斜面
    上に積層されかつ前記第2のビームスプリッター膜から
    の透過光を反射する溝部に形成された反射面を備えた溝
    基板と、前記第3の斜面にありかつ前記溝基板によって
    反射する光に対してそのP偏光成分を透過し第1の受光
    素子へ導きさらにS偏光成分を反射し第2の受光素子へ
    導く検光子と、前記第2あるいは第3のいずれか1斜面
    に形成されかつ前記第2のビームスプリッター膜からの
    反射光を前記受光素子へと導く焦点誤差検出素子とを備
    え、前記第2の拡散角変換手段は前記第1の拡散角変換
    手段から送られてくる光のアスペクト比を変えることに
    より前記第1のビームスプリッター膜を反射し集光手段
    に入射する光の非点収差をなくし球面波の位相を揃える
    機能を有し、さらに前記溝基板の前記反射面が前記検光
    子への入射光の偏光状態を約45゜の直線偏光に変換す
    る機能を有することを特徴とする光ピックアップ。
  21. 【請求項21】発光素子と、受光素子と、前記発光素子
    から射出される光に対して傾斜しかつ互いに平行な第
    1、第2、第3及び第4、第5の斜面と、前記第1ある
    いは第2の斜面いずれか1斜面に形成されかつ前記発光
    素子から射出された光のアスペクト比を変換する第1の
    拡散角変換手段と、前記第1あるいは第2の斜面いずれ
    か1斜面に形成されかつ前記第1の拡散角変換手段から
    送られてくる光のアスペクト比をさらに変換する第2の
    拡散角変換手段と、前記第2の斜面に形成されかつ前記
    拡散角変換手段からの光を透過する光と反射する光に分
    離する偏光選択性のある第1のビームスプリッター膜
    と、前記第1のビームスプリッター膜からの反射光を光
    ディスク盤の情報記録面上に集光する集光手段と、前記
    第3の斜面に形成されかつ光ディスク盤からの戻り光が
    前記第1のビームスプリッター膜を透過した光を透過す
    る光と反射する光に分離する偏光選択性のある第2のビ
    ームスプリッター膜と、前記第3の斜面が存在しない側
    から前記第4の斜面上に積層されかつ前記第2のビーム
    スプリッター膜からの透過光の偏光面を45度回転する
    旋光素子と、前記第5の斜面に形成されかつ前記旋光素
    子によって偏光面が回転した光に対してそのP偏光成分
    を透過し第1の受光素子に導きさらにS偏光成分を反射
    し第2の受光素子へと導く検光子と、前記第2あるいは
    第3いずれか1斜面に形成されかつ前記第2のビームス
    プリッター膜からの反射光を第3受光素子へと導く焦点
    誤差検出素子とを備え、前記第2の拡散角変換手段は前
    記第1の拡散角変換手段から送られてくる光のアスペク
    ト比を変えることにより前記第1のビームスプリッター
    膜を反射し集光手段に入射する光の非点収差をなくし球
    面波の位相を揃える機能を有していることを特徴とする
    光ピックアップ。
  22. 【請求項22】発光素子と、複数の受光素子と、前記発
    光素子から射出される光に対して傾斜しかつ互いに平行
    な第1、第2及び第3の斜面と、前記第2の斜面に形成
    されかつ前記発光素子から射出された光のアスペクト比
    を変換する第1の拡散角変換手段と、前記第1の斜面に
    形成されかつ前記第1の拡散角変換手段から送られてく
    る光のアスペクト比をさらに変換する第2の拡散角変換
    手段と、前記第2の斜面に形成されかつ前記第2の拡散
    角変換手段から送られてくる光を透過光と反射光に分離
    する偏光選択性のある第1のビームスプリッター膜と、
    前記第1のビームスプリッター膜からの反射光を光ディ
    スク盤の情報記録面上に集光する集光手段と、前記第3
    の斜面に形成されかつ光ディスク盤からの戻り光が前記
    第1のビームスプリッター膜を透過した光を透過する光
    と反射する光に分離する偏光選択性のある第2のビーム
    スプリッター膜と、前記第3の斜面が存在しない側から
    前記第4の斜面上に積層されかつ前記第2のビームスプ
    リッター膜からの透過光の偏光面を45度回転する旋光
    素子と、前記第5の斜面に形成されかつ前記旋光素子に
    よって偏光面が回転した光に対してそのP偏光成分を透
    過し第1の受光素子に導きさらにS偏光成分を反射する
    検光子と、前記第3の斜面にありかつ前記検光子を反射
    するS偏光成分を反射し第2の受光素子へと導く第1の
    反射膜と、前記第2の斜面に形成されかつ前記第2のビ
    ームスプリッター膜からの反射光を反射する焦点誤差検
    出素子と、前記第3の斜面にありかつ前記焦点誤差検出
    素子からの反射光を反射する第2の反射膜と、前記第2
    の斜面にありかつ前記第2の反射膜からの反射光を反射
    し第3の受光素子へと導く第3の反射膜とを備え、前記
    第2の拡散角変換手段は前記第1の拡散角変換手段から
    送られてくる光のアスペクト比を変えることにより前記
    第1のビームスプリッター膜を反射し集光手段に入射す
    る光の非点収差をなくし球面波の位相を揃える機能を有
    し、さらに前記溝基板の前記反射面が前記検光子への入
    射光の偏光状態を約45゜の直線偏光に変換する機能を
    有することを特徴とする光ピックアップ。
  23. 【請求項23】発光素子と、複数の受光素子と、前記発
    光素子から射出される光に対して傾斜しかつ互いに平行
    な第1、第2、第3及び第4、第5の斜面と、前記第2
    の斜面に形成されかつ前記発光素子から射出された光の
    アスペクト比を変換する第1の拡散角変換手段と、前記
    第1の斜面に形成されかつ前記拡散角変換手段から送ら
    れてくる光のアスペクト比をさらに変換する第2の拡散
    角変換手段と、前記第2の斜面に形成されかつ前記第2
    の拡散角変換手段から送られてくる光を透過光と反射光
    に分離する偏光選択性のある第1のビームスプリッター
    膜と、前記第1のビームスプリッター膜からの反射光を
    光ディスク盤の情報記録面上に集光する集光手段と、前
    記第3の斜面に形成されかつ光ディスク盤からの戻り光
    が前記第1のビームスプリッター膜を透過した光を透過
    する光と反射する光に分離する偏光選択性のある第2の
    ビームスプリッター膜と、前記第3の斜面が存在しない
    側から前記第4の斜面上に積層されかつ前記第2のビー
    ムスプリッター膜からの透過光の偏光面を45度回転す
    る旋光素子と、前記第5の斜面に形成されかつ前記旋光
    素子によって偏光面が回転した光に対してそのP偏光成
    分を透過し第1の受光素子に導きさらにS偏光成分を反
    射する検光子と、前記第3の斜面にありかつ前記検光子
    を反射するS偏光成分を反射し第2の受光素子へと導く
    第1の反射膜と、前記第2の斜面に形成されかつ前記第
    2のビームスプリッター膜からの反射光を反射する焦点
    誤差検出素子と、前記第3の斜面にありかつ前記焦点誤
    差検出素子からの反射光を反射する第2の反射膜と、前
    記第2の斜面にありかつ前記第2の反射膜からの反射光
    を反射し第3の受光素子へと導く第3の反射膜とを備
    え、前記第2の拡散角変換手段は前記第1の拡散角変換
    手段から送られてくる光のアスペクト比を変えることに
    より前記第1のビームスプリッター膜を反射し集光手段
    に入射する光の非点収差をなくし球面波の位相を揃える
    機能を有していることを特徴とする光ピックアップ。
  24. 【請求項24】第1あるいは第2の拡散角変換手段とし
    てホログラムを用いる事を特徴とする請求項19、2
    0、21、22あるいは23いずれか1項記載の光ピッ
    クアップ。
  25. 【請求項25】第1あるいは第2の拡散角変換手段とし
    て用いたホログラムが反射型である事を特徴とする請求
    項24記載の光ピックアップ。
  26. 【請求項26】第1あるいは第2の拡散角変換手段とし
    てレンズを用いる事を特徴とする請求項19、20、2
    1、22あるいは23いずれか1項記載の光ピックアッ
    プ。
  27. 【請求項27】第1あるいは第2の拡散角変換手段とし
    て用いたレンズが反射型である事を特徴とする請求項2
    6記載の光ピックアップ。
  28. 【請求項28】検光子として偏光分離膜を用いる事を特
    徴とする請求項6、7、9、10、11、12あるいは
    19、20、21、22、23いずれか1項記載の光ピ
    ックアップ。
  29. 【請求項29】旋光素子として1/2波長板を用いる事
    を特徴とする請求項6、7、9、10、11、12ある
    いは19、20、21、22、23いずれか1項記載の
    光ピックアップ。
  30. 【請求項30】焦点誤差検出素子としてホログラムを用
    い、非点収差法あるいはナイフエッジ法あるいはフーコ
    ー法でフォーカスエラー信号を検出する事を特徴とする
    請求項6、7、9、10、11、12あるいは19、2
    0、21、22、23いずれか1項記載の光ピックアッ
    プ。
  31. 【請求項31】焦点誤差検出素子として用いたホログラ
    ムが反射型である事を特徴とする請求項30記載の光ピ
    ックアップ。
  32. 【請求項32】焦点誤差検出素子としてレンズを用い、
    非点収差法あるいはナイフエッジ法あるいはフーコー法
    でフォーカスエラー信号を検出する事を特徴とする請求
    項6、7、9、10、11、12あるいは19、20、
    21、22、23いずれか1項記載の光ピックアップ。
  33. 【請求項33】焦点誤差検出素子として用いたレンズが
    反射型である事を特徴とする請求項32記載の光ピック
    アップ。
  34. 【請求項34】基板上に光学薄膜を形成し前記光学薄膜
    上に他の基板を接合した接合ブロックを形成し前記接合
    ブロックを前記接合面に対して傾斜して切断する事を特
    徴とする光ピックアップの製造方法。
  35. 【請求項35】基板上に光学薄膜及び透明部材を積層
    し、更に前記光学薄膜上に他の基板を接合した接合ブロ
    ックを形成し前記接合ブロックを前記接合面に対して傾
    斜して切断する事を特徴とする光ピックアップの製造方
    法。
  36. 【請求項36】基板上の一方の面に反射型の回折格子あ
    るいは第1の反射膜を設け、他の面に拡散角変換素子と
    第1の偏光選択性のあるビームスプリッター膜を別々に
    形成し、前記基板上に第1の透明部材を積層し、前記透
    明部材上の一方の面に焦点誤差検出素子と第2の反射膜
    を設け、他の面に偏光分離膜と第2の偏光選択性のある
    ビームスプリッター膜を形成し、前記第1の透明部材上
    に反射面を備えたV溝が形成されたV溝基板を積層し前
    記V溝基板上に第3の透明部材を積層し、前記第3の透
    明部材の上に他の基板を接合した接合ブロックを形成し
    前記接合ブロックを前記接合面に対して傾斜して切断す
    る事を特徴とする光ピックアップの製造方法。
  37. 【請求項37】基板上の一方の面に反射型の回折格子あ
    るいは第1の反射膜を設け、他の面に拡散角変換素子と
    第1の偏光選択性のあるビームスプリッター膜を別々に
    形成し、前記基板上に第1の透明部材を積層し、前記透
    明部材上の一方の面に焦点誤差検出素子と第2の反射膜
    を設け、他の面に第2の偏光選択性のあるビームスプリ
    ッター膜と第3の反射膜を形成し、前記第1の透明部材
    上に第2の透明部材を積層し一方の面に第4の反射膜を
    設け、前記第2の透明部材上に水晶板を積層し、前記水
    晶板上に第3の透明部材を積層し、その一方の面に偏光
    分離膜を形成し、前記第3の透明部材の上に第4の透明
    部材を設け、他の基板を接合した接合ブロックを形成し
    前記接合ブロックを前記接合面に対して傾斜して切断す
    る事を特徴とする光ピックアップの製造方法。
  38. 【請求項38】基板上に光学薄膜を設けた構成体を形成
    し、前記構成体を複数用意し、前記光学薄膜を前記基板
    同士で挟む様に互いに接合して集合構成体を形成し、前
    記集合構成体を接合面に対して傾斜して切断する事を特
    徴とする光ピックアップの製造方法。
  39. 【請求項39】積層方向に対して直角な長手方向の長さ
    が同じ構成体を用いたことを特徴とする請求項38記載
    の光ピックアップの製造方法。
  40. 【請求項40】構成体の端面が同一平面上に並ばない様
    に接合し前記集合構成体を形成する事を特徴とする請求
    項38記載の光ピックアップの製造方法。
  41. 【請求項41】基板上に第1のビームスプリッター膜を
    形成し、前記基板上に第1の透明部材を積層し、前記透
    明部材上に焦点検出素子及び反射膜を形成し、前記第1
    の透明部材の上に他の基板を接合した接合ブロックを形
    成し前記接合ブロックを前記接合面に対して傾斜して切
    断する事を特徴とする光ピックアップの製造方法。
  42. 【請求項42】発光素子と、拡散角変換手段及びビーム
    スプリッタ膜を一体に設けた光ガイド部材と、光を集光
    する集光手段をとを備え、前記発光素子からの光を前記
    拡散角変換手段によってその拡散角を変換し、前記拡散
    角変換手段によって拡散角を変換した光をビームスプリ
    ッタで反射あるいは透過させて前記集光手段に導く光ピ
    ックアップであって、前記発光素子から射出する光のう
    ち前記拡散角変換手段に入射する光の拡散角をθ1、拡
    散角変換手段から射出する光の拡散角をθ2とすると
    き、前記拡散角変換手段が以下の式を満たすように形成
    されたことを特徴とする光ピックアップ。 0.18<sinθ1<0.30 0.06<sinθ2<0.17
  43. 【請求項43】拡散角変換手段とビームスプリッタ膜を
    発光素子の光射出方向に対して傾斜させた事を特徴とす
    る請求項42記載の光ピックアップ。
  44. 【請求項44】発光素子から光ガイド部材に光を射出す
    る方向と前記光ガイド部材から集光手段へ光が出ていく
    方向が略直交している事を特徴とする請求項42,43
    いずれか1記載の光ピックアップ。
  45. 【請求項45】拡散角変換手段とビームスプリッタ膜が
    略平行であることを特徴とする請求項43記載の光ピッ
    クアップ。
  46. 【請求項46】発光素子と、受光素子と、拡散角変換手
    段,偏光分離手段及びビームスプリッタ膜を一体に設け
    た光ガイド部材と、光を集光する集光手段をとを備え、
    前記発光素子からの光を前記拡散角変換手段によってそ
    の拡散角を変換し、前記拡散角変換手段によって拡散角
    を変換した光をビームスプリッタで反射あるいは透過さ
    せて前記集光手段に導いて、前記集光手段によって集光
    された光を光媒体に照射し、前記光媒体から戻ってきた
    光を前記偏光分離手段によってP成分とS成分に分離
    し、その分離した光を前記受光素子にて受光する光ピッ
    クアップであって、前記発光素子から射出する光のうち
    前記拡散角変換手段に入射する光の拡散角をθ1、拡散
    角変換手段から射出する光の拡散角をθ2とするとき、
    前記拡散角変換手段が以下の式を満たすように形成され
    たことを特徴とする光ピックアップ。 0.18<sinθ1<0.30 0.06<sinθ2<0.17
  47. 【請求項47】光ガイド部材の一面側に受光素子を設
    け、前記一面と反対側に集光手段を設け、前記一面に垂
    直な面側に光源を設けた事を特徴とする請求項46記載
    の光ピックアップ。
  48. 【請求項48】拡散角変換手段とビームスプリッタ膜を
    発光素子の光射出方向に対して傾斜させた事を特徴とす
    る請求項46記載の光ピックアップ。
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Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5910854A (en) 1993-02-26 1999-06-08 Donnelly Corporation Electrochromic polymeric solid films, manufacturing electrochromic devices using such solid films, and processes for making such solid films and devices
US5668663A (en) * 1994-05-05 1997-09-16 Donnelly Corporation Electrochromic mirrors and devices
US6891563B2 (en) 1996-05-22 2005-05-10 Donnelly Corporation Vehicular vision system
US5771218A (en) * 1996-09-27 1998-06-23 Digital Optics Corporation Passively aligned integrated optical head including light source, detector, and optical element and methods of forming same
US8153957B2 (en) 1996-09-27 2012-04-10 Digitaloptics Corporation East Integrated optical imaging systems including an interior space between opposing substrates and associated methods
US5912872A (en) 1996-09-27 1999-06-15 Digital Optics Corporation Integrated optical apparatus providing separated beams on a detector and associated methods
US5886971A (en) * 1996-09-27 1999-03-23 Digital Optics Corporation Optical head structures including support substrates adjacent transparent substrates and related methods
US6556533B1 (en) * 1996-10-01 2003-04-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical pickup device
US6181666B1 (en) * 1996-10-21 2001-01-30 Olympus Optical Company, Ltd. Optical pickup
JPH10222863A (ja) * 1996-12-06 1998-08-21 Pioneer Electron Corp 光ピックアップ装置
US20010050892A1 (en) * 1997-07-11 2001-12-13 Yoshitaka Takahashi Optical disk apparatus compatible with different types of mediums
US6172613B1 (en) 1998-02-18 2001-01-09 Donnelly Corporation Rearview mirror assembly incorporating vehicle information display
US6326613B1 (en) 1998-01-07 2001-12-04 Donnelly Corporation Vehicle interior mirror assembly adapted for containing a rain sensor
US6124886A (en) 1997-08-25 2000-09-26 Donnelly Corporation Modular rearview mirror assembly
US8294975B2 (en) 1997-08-25 2012-10-23 Donnelly Corporation Automotive rearview mirror assembly
US6487016B1 (en) * 1997-08-26 2002-11-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical head
JP3638417B2 (ja) * 1997-10-24 2005-04-13 富士通株式会社 光ピックアップ
US8288711B2 (en) 1998-01-07 2012-10-16 Donnelly Corporation Interior rearview mirror system with forwardly-viewing camera and a control
US6445287B1 (en) 2000-02-28 2002-09-03 Donnelly Corporation Tire inflation assistance monitoring system
JP3407679B2 (ja) * 1998-03-24 2003-05-19 日本電気株式会社 光ヘッド及び光ヘッドの製造装置
US6329925B1 (en) 1999-11-24 2001-12-11 Donnelly Corporation Rearview mirror assembly with added feature modular display
US6693517B2 (en) 2000-04-21 2004-02-17 Donnelly Corporation Vehicle mirror assembly communicating wirelessly with vehicle accessories and occupants
US6477464B2 (en) 2000-03-09 2002-11-05 Donnelly Corporation Complete mirror-based global-positioning system (GPS) navigation solution
JP2000182253A (ja) * 1998-12-15 2000-06-30 Sony Corp 情報記録再生装置
JP3437517B2 (ja) * 1999-02-16 2003-08-18 キヤノン株式会社 二次元位相型光学素子の作製方法
JP2001056952A (ja) * 1999-08-19 2001-02-27 Hitachi Ltd 光ヘッド装置およびその製造方法
US6903756B1 (en) * 1999-10-14 2005-06-07 Jarbridge, Inc. Merged images viewed via a virtual storage closet
KR100516786B1 (ko) 2000-02-21 2005-09-22 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 광 픽업 장치
US7370983B2 (en) 2000-03-02 2008-05-13 Donnelly Corporation Interior mirror assembly with display
EP1263626A2 (en) 2000-03-02 2002-12-11 Donnelly Corporation Video mirror systems incorporating an accessory module
US7167796B2 (en) 2000-03-09 2007-01-23 Donnelly Corporation Vehicle navigation system for use with a telematics system
CN1168078C (zh) * 2000-03-15 2004-09-22 株式会社东芝 用于光头设备的基片单元的制造方法
US6909687B2 (en) * 2000-03-29 2005-06-21 Sanyo Electric Co., Ltd. Optical pickup with a diffraction element consist of six regions providing spatial variation corresponding to a focas state
JP2002109778A (ja) * 2000-09-29 2002-04-12 Pioneer Electronic Corp 光ピックアップ装置
JP2002163837A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Pioneer Electronic Corp 光ピックアップ装置及びレーザダイオードチップ
EP1363810B1 (en) 2001-01-23 2007-05-30 Donnelly Corporation Improved vehicular lighting system
US7581859B2 (en) 2005-09-14 2009-09-01 Donnelly Corp. Display device for exterior rearview mirror
US7255451B2 (en) 2002-09-20 2007-08-14 Donnelly Corporation Electro-optic mirror cell
EP1300698B1 (en) * 2001-10-01 2011-11-02 Sony Corporation Polarization selecting prism for a projection device
EP1304586A3 (en) * 2001-10-19 2004-01-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical element, method of manufacturing the optical element and optical head using the optical element
US7146064B2 (en) * 2001-12-21 2006-12-05 Gsi Group Corporation System and method for producing optical circuits
WO2003079338A2 (en) 2002-03-20 2003-09-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Control method for focus and tracking in pickup apparatus
US6918674B2 (en) 2002-05-03 2005-07-19 Donnelly Corporation Vehicle rearview mirror system
EP1514246A4 (en) 2002-06-06 2008-04-16 Donnelly Corp COMPASS INTERIOR COURTESY MIRROR SYSTEM
US7329013B2 (en) 2002-06-06 2008-02-12 Donnelly Corporation Interior rearview mirror system with compass
JP2004127482A (ja) * 2002-08-07 2004-04-22 Sharp Corp 光ピックアップ装置
US7310177B2 (en) 2002-09-20 2007-12-18 Donnelly Corporation Electro-optic reflective element assembly
WO2004026633A2 (en) 2002-09-20 2004-04-01 Donnelly Corporation Mirror reflective element assembly
JP4100155B2 (ja) * 2002-12-05 2008-06-11 オムロン株式会社 発光光源、発光光源アレイ及び当該発光光源を用いた機器
US7289037B2 (en) 2003-05-19 2007-10-30 Donnelly Corporation Mirror assembly for vehicle
US7446924B2 (en) 2003-10-02 2008-11-04 Donnelly Corporation Mirror reflective element assembly including electronic component
US7308341B2 (en) 2003-10-14 2007-12-11 Donnelly Corporation Vehicle communication system
JP3836483B2 (ja) * 2004-08-25 2006-10-25 シャープ株式会社 光集積ユニットおよびそれを備えた光ピックアップ装置
US20060086898A1 (en) * 2004-10-26 2006-04-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus of making highly repetitive micro-pattern using laser writer
EP1883855B1 (en) 2005-05-16 2011-07-20 Donnelly Corporation Vehicle mirror assembly with indicia at reflective element
EP1949666B1 (en) 2005-11-01 2013-07-17 Magna Mirrors of America, Inc. Interior rearview mirror with display
US20080049583A1 (en) * 2006-08-25 2008-02-28 Tatsuro Ide Optical pickup device
US8958070B2 (en) * 2007-05-29 2015-02-17 OptoTrace (SuZhou) Technologies, Inc. Multi-layer variable micro structure for sensing substance
US8154418B2 (en) 2008-03-31 2012-04-10 Magna Mirrors Of America, Inc. Interior rearview mirror system
CN108803069A (zh) * 2017-05-02 2018-11-13 颢天光电股份有限公司 装配装置及其方法
CN108803070A (zh) * 2017-05-02 2018-11-13 颢天光电股份有限公司 装配装置及其方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1091966A (en) * 1976-10-15 1980-12-23 Chiaki Kojima Apparatus for reading signals recorded on a record carrier
JPS5971141A (ja) * 1982-10-14 1984-04-21 Mitsubishi Electric Corp 光学的信号読出し装置
JPS62117150A (ja) * 1985-11-15 1987-05-28 Alps Electric Co Ltd 光学式ピツクアツプ
JPS6427043A (en) * 1987-07-23 1989-01-30 Olympus Optical Co Optical pickup device
JPH01273238A (ja) * 1988-04-25 1989-11-01 Sony Corp 光学ヘッド装置
DE68909663T2 (de) * 1988-04-26 1994-04-07 Philips Nv Anordnung zum optischen Abtasten eines magneto-optischen Aufzeichnungsträgers.
NL8802988A (nl) * 1988-12-05 1990-07-02 Philips Nv Inrichting voor het met optische straling aftasten van een informatievlak.
US5200946A (en) * 1991-10-02 1993-04-06 Honeywell Inc. Simple magneto-optic rewritable head for roughedized environments
JP3167171B2 (ja) * 1992-03-09 2001-05-21 アルプス電気株式会社 光ヘッド
JP3366017B2 (ja) * 1992-03-13 2003-01-14 アルプス電気株式会社 光ヘッド
JP3200171B2 (ja) * 1992-06-10 2001-08-20 パイオニア株式会社 光ディスクプレーヤ
JP3255306B2 (ja) * 1992-12-30 2002-02-12 ソニー株式会社 光磁気検出器及び光磁気デイスク装置

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