JP2803792B2 - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタを有
するアクティブマトリクス型液晶表示装置に関する。
するアクティブマトリクス型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５にアクティブマトリクス型液晶表示
装置を構成するアクティブマトリクス基板の配線および
駆動回路の構成を示す。
装置を構成するアクティブマトリクス基板の配線および
駆動回路の構成を示す。
【０００３】このアクティブマトリクス基板は絶縁性の
ベース基板１１３の上に複数の走査信号配線１０１と複
数のデーター信号配線１０２とが互いに直交して配設さ
れ、隣接する各走査信号配線１０１と各データ信号配線
１０２とが囲むそれぞれの領域には、絵素１０７のスイ
ッチング素子である薄膜トランジスタ１０５（ＴhinＦi
lm Ｔransistor、以下ＴＦＴと略称する。）が設けら
れている。また、絵素１０７と並列に付加容量１０６も
設けられており、データ信号はこの絵素１０７と付加容
量１０６とに書き込まれる。各絵素１０７および各付加
容量１０６のそれぞれのドレイン電極とは別の電極は走
査信号配線１０１に平行に配設される一本の付加容量配
線１０８に接続されている。これらの付加容量配線１０
８はさらに一本の配線に集約され一つの共通電極１１１
に接続されている。この共通電極１１１はさらに対向基
板（図示せず）上の対向電極（図示せず）に接続されて
いる。全ての絵素１０７を包含する表示領域の周囲に
は、この表示領域を囲んで樹脂からなる所定の幅のシー
ル部材１１０が形成されており、このシール部材１１０
はベース基板１１３に対向配置される対向基板（図示せ
ず）とベース基板１１３との間に液晶を挟んで両基板を
接着している。
ベース基板１１３の上に複数の走査信号配線１０１と複
数のデーター信号配線１０２とが互いに直交して配設さ
れ、隣接する各走査信号配線１０１と各データ信号配線
１０２とが囲むそれぞれの領域には、絵素１０７のスイ
ッチング素子である薄膜トランジスタ１０５（ＴhinＦi
lm Ｔransistor、以下ＴＦＴと略称する。）が設けら
れている。また、絵素１０７と並列に付加容量１０６も
設けられており、データ信号はこの絵素１０７と付加容
量１０６とに書き込まれる。各絵素１０７および各付加
容量１０６のそれぞれのドレイン電極とは別の電極は走
査信号配線１０１に平行に配設される一本の付加容量配
線１０８に接続されている。これらの付加容量配線１０
８はさらに一本の配線に集約され一つの共通電極１１１
に接続されている。この共通電極１１１はさらに対向基
板（図示せず）上の対向電極（図示せず）に接続されて
いる。全ての絵素１０７を包含する表示領域の周囲に
は、この表示領域を囲んで樹脂からなる所定の幅のシー
ル部材１１０が形成されており、このシール部材１１０
はベース基板１１３に対向配置される対向基板（図示せ
ず）とベース基板１１３との間に液晶を挟んで両基板を
接着している。
【０００４】走査信号線駆動回路１０４とデータ信号線
駆動回路１０３はそれぞれシール部材１１０が構成する
閉領域の外側に設けられる。これは、シール部材１１０
とそれぞれの駆動回路１０４、１０３とを重ねて形成す
ると駆動回路の歩留りが低下するためである。また、付
加容量配線１０８の共通電極１１１もシール部材１１０
の外側に形成され、対向基板上の対向電極（図示せず）
に接続される。
駆動回路１０３はそれぞれシール部材１１０が構成する
閉領域の外側に設けられる。これは、シール部材１１０
とそれぞれの駆動回路１０４、１０３とを重ねて形成す
ると駆動回路の歩留りが低下するためである。また、付
加容量配線１０８の共通電極１１１もシール部材１１０
の外側に形成され、対向基板上の対向電極（図示せず）
に接続される。
【０００５】この様に走査信号線駆動回路１０４、デー
タ信号線駆動回路１０３、および付加容量配線１０８の
共通電極１１１はシール部材１１０の外側に形成される
ので、走査信号配線１０１と走査信号線駆動回路１０４
とを結ぶ配線、データ信号配線１０２とデータ信号線駆
動回路１０３とを結ぶ配線、および付加容量配線１０８
と付加容量配線１０８の共通電極１１１とを結ぶ配線は
それぞれシール部材１１０の直下を通る構造となってい
る。
タ信号線駆動回路１０３、および付加容量配線１０８の
共通電極１１１はシール部材１１０の外側に形成される
ので、走査信号配線１０１と走査信号線駆動回路１０４
とを結ぶ配線、データ信号配線１０２とデータ信号線駆
動回路１０３とを結ぶ配線、および付加容量配線１０８
と付加容量配線１０８の共通電極１１１とを結ぶ配線は
それぞれシール部材１１０の直下を通る構造となってい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、シール部材
１１０の直下に配線を設ける構造のアクティブマトリク
ス基板では、その製造工程において配線の断線が多く発
生し、この構造のアクティブマトリクス基板を有する液
晶表示装置の製造の歩留りが低下するという問題があ
る。この断線の発生の原因を以下に述べる。
１１０の直下に配線を設ける構造のアクティブマトリク
ス基板では、その製造工程において配線の断線が多く発
生し、この構造のアクティブマトリクス基板を有する液
晶表示装置の製造の歩留りが低下するという問題があ
る。この断線の発生の原因を以下に述べる。
【０００７】液晶表示装置の製造工程において、アクテ
ィブマトリクス基板とその対向基板をシール部材で貼り
合わせる手順は一般的に次のように行われる。
ィブマトリクス基板とその対向基板をシール部材で貼り
合わせる手順は一般的に次のように行われる。
【０００８】まず、対向基板上にシール部材１１０用の
樹脂を印刷して所定のパターンを形成する。次にアクテ
ィブマトリクス基板と対向基板の水平方向の位置関係を
数μmの精度で位置合わせしつつ貼り合わせ、垂直方向
には両基板の間隔が５μmになるようにプレスする。こ
の場合樹脂中には所望の基板間隔に対応した径を持つフ
ァイバー等を混入させておく。そして、所望の位置にな
ったところで樹脂を加熱しＵＶ光等の照射によりこの樹
脂を硬化させる。この垂直方向の位置決め時には約２０
ｋgｆ／cm2という大きな圧力を必要とする。このためシ
ール部材の直下に形成した配線には大きな力が加わるこ
とになり、断線等の不良が発生する。
樹脂を印刷して所定のパターンを形成する。次にアクテ
ィブマトリクス基板と対向基板の水平方向の位置関係を
数μmの精度で位置合わせしつつ貼り合わせ、垂直方向
には両基板の間隔が５μmになるようにプレスする。こ
の場合樹脂中には所望の基板間隔に対応した径を持つフ
ァイバー等を混入させておく。そして、所望の位置にな
ったところで樹脂を加熱しＵＶ光等の照射によりこの樹
脂を硬化させる。この垂直方向の位置決め時には約２０
ｋgｆ／cm2という大きな圧力を必要とする。このためシ
ール部材の直下に形成した配線には大きな力が加わるこ
とになり、断線等の不良が発生する。
【０００９】断線の起こり易さは、アクティブマトリク
ス基板の断面構造にもよる。
ス基板の断面構造にもよる。
【００１０】図６にアクティブマトリクス基板のＴＦＴ
１０５を含む部分の断面構成の一例を示す。
１０５を含む部分の断面構成の一例を示す。
【００１１】アクティブマトリクス基板は透明な絶縁性
のベース基板１１３の上に、ＴＦＴ１０５の半導体部１
１４、ＴＦＴ１０５のソース電極１１５ａ、ＴＦＴ１０
５のドレイン電極１１５ｂ、および付加容量の下部電極
１１６が形成されており、これらを覆うようにして基板
全体にゲート絶縁膜１１７が設けられている。このゲー
ト絶縁膜１１７の上にＴＦＴ１０５のゲート電極１１
８、付加容量の上部電極１１９が形成されており、これ
らを覆って層間絶縁膜１２０が基板全面にわたって形成
されている。層間絶縁膜１２０の上にデータ信号配線１
２１が形成されており、さらにこれを覆って第２の層間
絶縁膜１２２が基板全面にわたって形成されている。そ
して、第２の層間絶縁膜１２２の上に透明導電膜からな
る絵素電極１２３がパターン形成されている。この絵素
電極１２３はＴＦＴ１０５のドレイン電極１１５ｂ部の
形成位置においてゲート絶縁膜１１７、第１の層間絶縁
膜、および第２の層間絶縁膜を貫いて形成されているコ
ンタクトホールを介してこのＴＦＴ１０５のドレイン電
極１１５ｂに接続されている。シール直下を通る配線は
抵抗が低いことが望ましいが、データ信号の遅延、なま
りを抑制するためにも更に低抵抗であることが要求さ
れ、上記のような断面構造の場合にはこの配線はデータ
信号配線と共にＡｌなどの低抵抗金属を用いて形成する
ことが一般的である。また、低抵抗化のためにある程度
膜厚を厚くすることが望ましいが、膜厚の厚いＡｌは平
坦化することが難しい。従って、この配線が形成された
部分は凹凸が激しく、配線の真上にあるシール部材１１
０に加えられる力の影響を受け易いので断線が起こり易
くなる。シール部材１１０の直下を通る配線は表示部の
素子数にもよるが、一般的に数百ないし数千という単位
であり、この内の一本でも断線していると表示装置とし
ては致命的な欠陥となる。
のベース基板１１３の上に、ＴＦＴ１０５の半導体部１
１４、ＴＦＴ１０５のソース電極１１５ａ、ＴＦＴ１０
５のドレイン電極１１５ｂ、および付加容量の下部電極
１１６が形成されており、これらを覆うようにして基板
全体にゲート絶縁膜１１７が設けられている。このゲー
ト絶縁膜１１７の上にＴＦＴ１０５のゲート電極１１
８、付加容量の上部電極１１９が形成されており、これ
らを覆って層間絶縁膜１２０が基板全面にわたって形成
されている。層間絶縁膜１２０の上にデータ信号配線１
２１が形成されており、さらにこれを覆って第２の層間
絶縁膜１２２が基板全面にわたって形成されている。そ
して、第２の層間絶縁膜１２２の上に透明導電膜からな
る絵素電極１２３がパターン形成されている。この絵素
電極１２３はＴＦＴ１０５のドレイン電極１１５ｂ部の
形成位置においてゲート絶縁膜１１７、第１の層間絶縁
膜、および第２の層間絶縁膜を貫いて形成されているコ
ンタクトホールを介してこのＴＦＴ１０５のドレイン電
極１１５ｂに接続されている。シール直下を通る配線は
抵抗が低いことが望ましいが、データ信号の遅延、なま
りを抑制するためにも更に低抵抗であることが要求さ
れ、上記のような断面構造の場合にはこの配線はデータ
信号配線と共にＡｌなどの低抵抗金属を用いて形成する
ことが一般的である。また、低抵抗化のためにある程度
膜厚を厚くすることが望ましいが、膜厚の厚いＡｌは平
坦化することが難しい。従って、この配線が形成された
部分は凹凸が激しく、配線の真上にあるシール部材１１
０に加えられる力の影響を受け易いので断線が起こり易
くなる。シール部材１１０の直下を通る配線は表示部の
素子数にもよるが、一般的に数百ないし数千という単位
であり、この内の一本でも断線していると表示装置とし
ては致命的な欠陥となる。
【００１２】本発明は、このような従来技術の課題を解
決するためになされたものであり、アクティブマトリク
ス型の液晶表示装置において、アクティブマトリクス基
板のシール部材の直下に配設される配線の断線不良の発
生を抑制し、歩留りの高い製造が可能な構造のアクティ
ブマトリクス基板を有する液晶表示装置を提供すること
を目的とする。
決するためになされたものであり、アクティブマトリク
ス型の液晶表示装置において、アクティブマトリクス基
板のシール部材の直下に配設される配線の断線不良の発
生を抑制し、歩留りの高い製造が可能な構造のアクティ
ブマトリクス基板を有する液晶表示装置を提供すること
を目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス型液晶表示装置は、対向配置される一対の絶縁性
基板の間に液晶層が挟持され、該一対の絶縁性基板の一
方の液晶層側の面に絵素電極がマトリクス状に配設され
ているとともに、各絵素電極の周囲を通って複数の走査
信号配線と複数のデータ信号配線とが互いに交差して配
設され、さらに両信号配線の交差部の近傍に設けられた
スイッチング素子が絵素電極に接続されたアクティブマ
トリクス型液晶表示装置であって、該絵素電極がマトリ
クス状に設けられた表示領域の外側に、該表示領域を囲
み、かつ、該一対の絶縁性基板ではさんで設けられたシ
ール部材により該液晶が封止され、各走査信号配線と各
データ信号配線とがシール部材の外側に延出されている
とともに、各走査信号配線と各データ信号配線のそれぞ
れのシール部材と重なる部分が複数本の分岐線で構成さ
れている、そのことにより、上記目的が達成される。
リクス型液晶表示装置は、対向配置される一対の絶縁性
基板の間に液晶層が挟持され、該一対の絶縁性基板の一
方の液晶層側の面に絵素電極がマトリクス状に配設され
ているとともに、各絵素電極の周囲を通って複数の走査
信号配線と複数のデータ信号配線とが互いに交差して配
設され、さらに両信号配線の交差部の近傍に設けられた
スイッチング素子が絵素電極に接続されたアクティブマ
トリクス型液晶表示装置であって、該絵素電極がマトリ
クス状に設けられた表示領域の外側に、該表示領域を囲
み、かつ、該一対の絶縁性基板ではさんで設けられたシ
ール部材により該液晶が封止され、各走査信号配線と各
データ信号配線とがシール部材の外側に延出されている
とともに、各走査信号配線と各データ信号配線のそれぞ
れのシール部材と重なる部分が複数本の分岐線で構成さ
れている、そのことにより、上記目的が達成される。
【００１４】また、前記シール部材と重なる各走査信号
配線部分と各データ信号配線部分とが厚み３００nm以上
で形成されていてもよい。
配線部分と各データ信号配線部分とが厚み３００nm以上
で形成されていてもよい。
【００１５】また、前記分岐線の少なくとも一本が走査
信号配線と同一面上に形成され、他の分岐線の少なくと
も一本がデータ信号配線と同一面上に形成されていても
よい。
信号配線と同一面上に形成され、他の分岐線の少なくと
も一本がデータ信号配線と同一面上に形成されていても
よい。
【００１６】また、前記走査信号配線および／または前
記データ信号配線へ信号を与える駆動回路が同一基板上
に設けられていてもよい。
記データ信号配線へ信号を与える駆動回路が同一基板上
に設けられていてもよい。
【００１７】
【作用】本発明によれば、アクティブマトリクス型液晶
表示装置の各走査信号配線と各データ信号配線とが液晶
のシール部材の外側に延出されているとともに、各走査
信号配線と各データ信号配線のそれぞれのシール部材と
重なる部分を挟む区間が複数本の分岐線で構成されてい
る。よって、一本の分岐線が断線しても残りの分岐線に
より導通が可能となる。
表示装置の各走査信号配線と各データ信号配線とが液晶
のシール部材の外側に延出されているとともに、各走査
信号配線と各データ信号配線のそれぞれのシール部材と
重なる部分を挟む区間が複数本の分岐線で構成されてい
る。よって、一本の分岐線が断線しても残りの分岐線に
より導通が可能となる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００１９】［第１の実施例］図１に本発明によるアク
ティブマトリクス型液晶表示装置を構成するアクティブ
マトリクス基板の回路構成の一部を示す。
ティブマトリクス型液晶表示装置を構成するアクティブ
マトリクス基板の回路構成の一部を示す。
【００２０】絶縁性のベース基板２０の上に複数の走査
信号配線１と複数のデーター信号配線２とが互いに直交
して配設され、隣接する各走査信号配線１と各データ信
号配線２とが囲むそれぞれの領域には、絵素７のスイッ
チング素子である薄膜トランジスタ５（Ｔhin Ｆilm
Ｔransistor、以下ＴＦＴと略称する。）が設けられて
いる。この薄膜トランジスタ５はその領域を構成する一
方の走査信号配線１とデータ信号配線２とに接続されて
いる。また、各絵素７にはそれぞれの絵素７と並列に付
加容量６も設けられており、ＴＦＴ５がオンの時、デー
タ信号はこの絵素７と付加容量６とに書き込まれる。各
絵素７および各付加容量６のそれぞれのドレイン電極と
は別の電極は走査信号配線１に平行に配設される一本の
付加容量配線８に接続されている。これらの付加容量配
線８はさらに一本の配線に集約され一つの共通電極１１
に接続されている。この共通電極１１はさらに対向基板
（図示せず）上の対向電極（図示せず）に接続されてい
る。
信号配線１と複数のデーター信号配線２とが互いに直交
して配設され、隣接する各走査信号配線１と各データ信
号配線２とが囲むそれぞれの領域には、絵素７のスイッ
チング素子である薄膜トランジスタ５（Ｔhin Ｆilm
Ｔransistor、以下ＴＦＴと略称する。）が設けられて
いる。この薄膜トランジスタ５はその領域を構成する一
方の走査信号配線１とデータ信号配線２とに接続されて
いる。また、各絵素７にはそれぞれの絵素７と並列に付
加容量６も設けられており、ＴＦＴ５がオンの時、デー
タ信号はこの絵素７と付加容量６とに書き込まれる。各
絵素７および各付加容量６のそれぞれのドレイン電極と
は別の電極は走査信号配線１に平行に配設される一本の
付加容量配線８に接続されている。これらの付加容量配
線８はさらに一本の配線に集約され一つの共通電極１１
に接続されている。この共通電極１１はさらに対向基板
（図示せず）上の対向電極（図示せず）に接続されてい
る。
【００２１】全ての絵素７を包含する表示領域の周囲に
は、この表示領域を囲んで樹脂からなる所定の幅のシー
ル部材１０が形成されており、このシール部材１０はベ
ース基板２０に対向配置される対向基板（図示せず）と
ベース基板２０との間に液晶（図示せず）を挟んで、両
基板を接着している。
は、この表示領域を囲んで樹脂からなる所定の幅のシー
ル部材１０が形成されており、このシール部材１０はベ
ース基板２０に対向配置される対向基板（図示せず）と
ベース基板２０との間に液晶（図示せず）を挟んで、両
基板を接着している。
【００２２】シール部材１０の外側、つまり表示領域の
外側には走査信号線駆動回路４とデータ信号線駆動回路
３および付加容量配線８の共通電極１１が設けられてお
り、走査信号配線１と走査信号線駆動回路４とを結ぶ配
線、データ信号配線２とデータ信号線駆動回路３とを結
ぶ配線、および付加容量配線８と付加容量配線８の共通
電極１１とを結ぶ配線はそれぞれシール部材１０の直下
を通る。シール部材１０の直下を通過する配線はデータ
信号配線２と同じ低抵抗金属を用いて形成されるが、こ
の区間の配線のそれぞれには、この配線の分岐線１２が
設けられている。
外側には走査信号線駆動回路４とデータ信号線駆動回路
３および付加容量配線８の共通電極１１が設けられてお
り、走査信号配線１と走査信号線駆動回路４とを結ぶ配
線、データ信号配線２とデータ信号線駆動回路３とを結
ぶ配線、および付加容量配線８と付加容量配線８の共通
電極１１とを結ぶ配線はそれぞれシール部材１０の直下
を通る。シール部材１０の直下を通過する配線はデータ
信号配線２と同じ低抵抗金属を用いて形成されるが、こ
の区間の配線のそれぞれには、この配線の分岐線１２が
設けられている。
【００２３】図２はこのシール部材１０の直下を通る配
線とその分岐線１２の構造を詳細に示している。配線の
分岐線１２は配線に平行に走り、分岐線１２が配線から
分岐する二箇所の分岐点はそれぞれシール部材１０の内
側（表示領域側）と外側に設けられている。このような
構造のため、配線とその分岐線１２の内のいずれかが断
線しても残りの道筋の配線あるいは分岐線１２が断線し
なければ、表示装置としては不良とならない。
線とその分岐線１２の構造を詳細に示している。配線の
分岐線１２は配線に平行に走り、分岐線１２が配線から
分岐する二箇所の分岐点はそれぞれシール部材１０の内
側（表示領域側）と外側に設けられている。このような
構造のため、配線とその分岐線１２の内のいずれかが断
線しても残りの道筋の配線あるいは分岐線１２が断線し
なければ、表示装置としては不良とならない。
【００２４】従ってこの配線および分岐線１２には低抵
抗化のために膜厚の厚い配線を用いても良好な歩留りが
得られることが期待でき、データ信号配線２と同じ低抵
抗金属を用いて３００nm以上の厚みのものを用いること
も可能である。
抗化のために膜厚の厚い配線を用いても良好な歩留りが
得られることが期待でき、データ信号配線２と同じ低抵
抗金属を用いて３００nm以上の厚みのものを用いること
も可能である。
【００２５】本実施例では一つの配線に対して一本だけ
の分岐線１２を設ける構造としたが一つの配線に対して
複数本の分岐線１２を設けても良い。
の分岐線１２を設ける構造としたが一つの配線に対して
複数本の分岐線１２を設けても良い。
【００２６】［第２の実施例］第２の実施例において
は、図３に示すようにシール部材１０直下の区間にある
配線とこの配線に平行に走る分岐線１２の間に、配線の
走る方向に垂直に複数の分岐路１３を設け、これらの分
岐路１３によって配線と分岐線１２をつないでいる。従
って、第１の実施例のようにシール部材１０直下の配線
の分岐線１２が配線に平行に走る道筋だけの構造である
のに比べて迂回路が増えるので、断線不良を回避できる
確率が高くなっている。
は、図３に示すようにシール部材１０直下の区間にある
配線とこの配線に平行に走る分岐線１２の間に、配線の
走る方向に垂直に複数の分岐路１３を設け、これらの分
岐路１３によって配線と分岐線１２をつないでいる。従
って、第１の実施例のようにシール部材１０直下の配線
の分岐線１２が配線に平行に走る道筋だけの構造である
のに比べて迂回路が増えるので、断線不良を回避できる
確率が高くなっている。
【００２７】［第３の実施例］図４に本発明の第３の実
施例によるシール部材１０直下の配線構造を示す。
施例によるシール部材１０直下の配線構造を示す。
【００２８】第３の実施例においては、図４（ａ）に示
すように走査信号配線１と同じ層において形成される配
線に、この配線のシール部材１０の外側と内側の地点に
設けられたコンタクトホール１４を介してデータ信号配
線２と同じ層で形成された分岐線１２を並列に接続して
いる。この実施例においては、配線に走査信号配線１と
同じ層のものを用い、分岐線にデータ信号配線２と同じ
層のものを用いたが、配線にデータ信号配線２と同じ層
のものを用い、分岐線に走査信号配線１と同じ層のもの
を用いてもよい。図４（ｂ）はコンタクトホール１４を
シール部材１０の外側と内側だけでなく、シール部材１
０の直下の区間にも設ける場合を示している。第３の実
施例の（ｂ）の場合も第１の実施例に比べてシール部材
１０直下の配線の迂回路が増える構造であるので、断線
不良を回避できる確立が高くなっている。
すように走査信号配線１と同じ層において形成される配
線に、この配線のシール部材１０の外側と内側の地点に
設けられたコンタクトホール１４を介してデータ信号配
線２と同じ層で形成された分岐線１２を並列に接続して
いる。この実施例においては、配線に走査信号配線１と
同じ層のものを用い、分岐線にデータ信号配線２と同じ
層のものを用いたが、配線にデータ信号配線２と同じ層
のものを用い、分岐線に走査信号配線１と同じ層のもの
を用いてもよい。図４（ｂ）はコンタクトホール１４を
シール部材１０の外側と内側だけでなく、シール部材１
０の直下の区間にも設ける場合を示している。第３の実
施例の（ｂ）の場合も第１の実施例に比べてシール部材
１０直下の配線の迂回路が増える構造であるので、断線
不良を回避できる確立が高くなっている。
【００２９】また、第３の実施例においてはシール部材
１０直下の配線の一方を走査信号線１と同じ層において
形成するが、この走査信号線１はＳiを用いて形成され
ることが多く、Ｓiは金属に比べて耐熱性が高く、より
高温のプロセスを用いることができるため、その断差を
平坦化し易い。従って、第３の実施例においてＳiを用
いて形成される配線はその平坦化が容易に行え、シール
部材１０に圧力を加えて基板を接着させる際に配線に加
わる不均一な力の発生を抑制することができ、上記の構
造と相まってシール部形成時の断線の発生をさらに抑さ
えることが期待できる。
１０直下の配線の一方を走査信号線１と同じ層において
形成するが、この走査信号線１はＳiを用いて形成され
ることが多く、Ｓiは金属に比べて耐熱性が高く、より
高温のプロセスを用いることができるため、その断差を
平坦化し易い。従って、第３の実施例においてＳiを用
いて形成される配線はその平坦化が容易に行え、シール
部材１０に圧力を加えて基板を接着させる際に配線に加
わる不均一な力の発生を抑制することができ、上記の構
造と相まってシール部形成時の断線の発生をさらに抑さ
えることが期待できる。
【００３０】
【発明の効果】以上、詳述したように本発明のアクティ
ブマトリクス基板の構成によれば、シール樹脂の直下に
配設される配線のそれぞれに複路が設けられるので、各
配線とその複路のいずれかが断線しても他方が断線しな
ければ不良とはならないので、製造工程中における断線
不良の発生を抑制できる。従って、本発明のアクティブ
マトリクス基板の構成によれば断線不良の少ない液晶表
示装置を歩留り高く製造できる。
ブマトリクス基板の構成によれば、シール樹脂の直下に
配設される配線のそれぞれに複路が設けられるので、各
配線とその複路のいずれかが断線しても他方が断線しな
ければ不良とはならないので、製造工程中における断線
不良の発生を抑制できる。従って、本発明のアクティブ
マトリクス基板の構成によれば断線不良の少ない液晶表
示装置を歩留り高く製造できる。
【図１】本発明による液晶表示装置のアクティブマトリ
クス基板の配線及び回路構成を示す図。
クス基板の配線及び回路構成を示す図。
【図２】本発明の第１の実施例によるアクティブマトリ
クス基板のシール部材直下の配線とその分岐線を示す
図。
クス基板のシール部材直下の配線とその分岐線を示す
図。
【図３】本発明の第２の実施例によるアクティブマトリ
クス基板のシール部材直下の配線とその分岐線を示す
図。
クス基板のシール部材直下の配線とその分岐線を示す
図。
【図４】本発明の第３の実施例によるアクティブマトリ
クス基板のシール部材直下の配線とその分岐線を示す
図。（ａ）はコンタクトホール１４をシール部材１０の
両側にのみ設ける場合を示し、（ｂ）はコンタクトホー
ル１４をシール部材１０の直下の区間にも設ける場合を
示す。
クス基板のシール部材直下の配線とその分岐線を示す
図。（ａ）はコンタクトホール１４をシール部材１０の
両側にのみ設ける場合を示し、（ｂ）はコンタクトホー
ル１４をシール部材１０の直下の区間にも設ける場合を
示す。
【図５】従来例によるアクティブマトリクス基板の配線
及び駆動回路構成を示す図。
及び駆動回路構成を示す図。
【図６】アクティブマトリクス基板のＴＦＴを含む部分
の断面図。
の断面図。
１ 走査信号配線 ２ データ信号配線 ３ データ信号線駆動回路 ４ 走査信号線駆動回路 ５ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） ６ 付加容量 ７ 絵素 ８ 付加容量配線 １０ シール部材 １１ 共通電極 １２ 配線の分岐線 １３ 分岐線の分岐路 １４ コンタクトホール ２０ ベース基板
フロントページの続き (72)発明者 吉村 洋二 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 久保 真澄 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/1345 G02F 1/1339
Claims (4)
- 【請求項１】対向配置される一対の絶縁性基板の間に液
晶層が挟持され、 該一対の絶縁性基板の一方の液晶層側の面に絵素電極が
マトリクス状に配設されているとともに、各絵素電極の
周囲を通って複数の走査信号配線と複数のデータ信号配
線とが互いに交差して配設され、さらに両信号配線の交
差部の近傍に設けられたスイッチング素子が絵素電極に
接続されたアクティブマトリクス型液晶表示装置であっ
て、 該絵素電極がマトリクス状に設けられた表示領域の外側
に、該表示領域を囲み、かつ、該一対の絶縁性基板では
さんで設けられたシール部材により該液晶が封止され、
各走査信号配線と各データ信号配線とがシール部材の外
側に延出されているとともに、各走査信号配線と各デー
タ信号配線のそれぞれのシール部材と重なる部分が複数
本の分岐線で構成されているアクティブマトリクス型液
晶表示装置。 - 【請求項２】前記シール部材と重なる各走査信号配線部
分と各データ信号配線部分とが厚み３００nm以上で形成
されている請求項１に記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置。 - 【請求項３】前記分岐線の少なくとも一本が走査信号配
線と同一面上に形成され、他の分岐線の少なくとも一本
がデータ信号配線と同一面上に形成されている請求項１
または２に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
置。 - 【請求項４】前記走査信号配線および／または前記デー
タ信号配線へ信号を与える駆動回路が同一基板上に設け
られている請求項１、２または３に記載のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23055592A JP2803792B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23055592A JP2803792B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0682815A JPH0682815A (ja) | 1994-03-25 |
| JP2803792B2 true JP2803792B2 (ja) | 1998-09-24 |
Family
ID=16909596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23055592A Expired - Fee Related JP2803792B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2803792B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2001222017A (ja) | 1999-05-24 | 2001-08-17 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP4587063B2 (ja) * | 2004-03-18 | 2010-11-24 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | 表示装置 |
| KR101404542B1 (ko) * | 2006-05-25 | 2014-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| JP5062677B2 (ja) * | 2007-09-18 | 2012-10-31 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | 表示装置 |
| JP5194162B2 (ja) * | 2011-11-11 | 2013-05-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP2014021472A (ja) * | 2012-07-24 | 2014-02-03 | Mitsubishi Electric Corp | 表示パネルおよび表示装置 |
| CN103399434B (zh) * | 2013-08-01 | 2015-09-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示面板及其扇出线结构 |
| JP6401923B2 (ja) | 2014-03-20 | 2018-10-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
-
1992
- 1992-08-28 JP JP23055592A patent/JP2803792B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0682815A (ja) | 1994-03-25 |
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