JPH0312452B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0312452B2 JPH0312452B2 JP19786781A JP19786781A JPH0312452B2 JP H0312452 B2 JPH0312452 B2 JP H0312452B2 JP 19786781 A JP19786781 A JP 19786781A JP 19786781 A JP19786781 A JP 19786781A JP H0312452 B2 JPH0312452 B2 JP H0312452B2
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- JP
- Japan
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- ray
- layer
- membrane film
- ray absorption
- absorption layer
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- Expired - Lifetime
Links
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- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 7
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体用ホトマスクに関する。特に、
Ｘ線ホトリソグラフイにおけるＸ線露光ホトマス
クにおて有効である。
Ｘ線ホトリソグラフイにおけるＸ線露光ホトマス
クにおて有効である。
従来Ｘ線露光ホトマスクはSiN、SiO2、SiCな
どのＸ線露光マスク基板上にＸ線吸収層をAuで
形成する場合、電子ビーム露光で形成したレジス
トパターンを他の厚膜パターンに再現しAu選択
メツキ法によりＸ線吸収層を形成して構成される
のが通例であつた。しかるにレジストパターンを
他の厚膜にパターンを再現する場合は、エツチン
グやリフトオフ工程によりホトマスクのパターニ
ング精度が悪くなるという欠点があり、サブミク
ロン半導体装置製造に要求される精密性を十分満
足するものではなかつた。
どのＸ線露光マスク基板上にＸ線吸収層をAuで
形成する場合、電子ビーム露光で形成したレジス
トパターンを他の厚膜パターンに再現しAu選択
メツキ法によりＸ線吸収層を形成して構成される
のが通例であつた。しかるにレジストパターンを
他の厚膜にパターンを再現する場合は、エツチン
グやリフトオフ工程によりホトマスクのパターニ
ング精度が悪くなるという欠点があり、サブミク
ロン半導体装置製造に要求される精密性を十分満
足するものではなかつた。
本発明ははるかに従来技術の欠点をなくすため
に、Ｘ線露光マスク基板にはＸ線吸収能を有する
不純物が注入されてなることを特徴としている。
本発明の目的とするところはサブミクロン半導体
製造に要求される起精密性を十分満足するために
製造工程にエツチングやリフトオフ工程を含まな
いＸ線露光ホトマスクを提供することにある。
に、Ｘ線露光マスク基板にはＸ線吸収能を有する
不純物が注入されてなることを特徴としている。
本発明の目的とするところはサブミクロン半導体
製造に要求される起精密性を十分満足するために
製造工程にエツチングやリフトオフ工程を含まな
いＸ線露光ホトマスクを提供することにある。
以下実施例を用いて詳細に説明する。
第１図〜第５図は従来のＸ線露光ホトマスクの
製造工程断面図である。第１図〜第５図について
説明する。
製造工程断面図である。第１図〜第５図について
説明する。
メンブレン膜４上にTi層３・Au層２・ポリイ
ミド層１を形成する（第１図）。レジスト５を電
子ビーム露光でレジストパターンを形成した後表
面をTi層６で覆う（第２図）。レジスト５とレジ
スト上のTi層を除去後プラズマイオンミリング
によりポリイミド層を選択エツチングする（第３
図）。次にAuエレクトロプレテイングによりＸ線
吸収Au層２を形成後プラズマエツチングにより
ポリイミドを除去する（第４図）。最後にAuと
Tiをエツチングして第５図の従来のＸ線露光ホ
トマスクができる。従来の製造工程では、Ti層
のリフトオフポリイミド層のエツチング、Au・
Ti層のエツチング工程がそれぞれパターニング
精度を落とし、電子ビーム露光で形成されたレジ
ストパターンがＸ線吸収層Auパターンに高精度
の再現性をもつて変換されていない。従来のＸ線
露光ホトマスクには以上のような欠点があつた。
ミド層１を形成する（第１図）。レジスト５を電
子ビーム露光でレジストパターンを形成した後表
面をTi層６で覆う（第２図）。レジスト５とレジ
スト上のTi層を除去後プラズマイオンミリング
によりポリイミド層を選択エツチングする（第３
図）。次にAuエレクトロプレテイングによりＸ線
吸収Au層２を形成後プラズマエツチングにより
ポリイミドを除去する（第４図）。最後にAuと
Tiをエツチングして第５図の従来のＸ線露光ホ
トマスクができる。従来の製造工程では、Ti層
のリフトオフポリイミド層のエツチング、Au・
Ti層のエツチング工程がそれぞれパターニング
精度を落とし、電子ビーム露光で形成されたレジ
ストパターンがＸ線吸収層Auパターンに高精度
の再現性をもつて変換されていない。従来のＸ線
露光ホトマスクには以上のような欠点があつた。
また、第６図は本発明の実施例を理解し易くす
るための図である。第６図はメンブレン膜４に直
接、Ｘ線吸収能を有する不純物としてAuをもち
いてAuイオンビーム描画１１を行ないＸ線吸収
層７を形成したＸ線露光ホトマスクである。この
ような第６図の方法によればＸ線露光ホトマスク
のパターニング精度は注入されるＸ線吸収能を有
する不純物Auの横広がりだけで決まり高精度の
パターニングが可能になる。
るための図である。第６図はメンブレン膜４に直
接、Ｘ線吸収能を有する不純物としてAuをもち
いてAuイオンビーム描画１１を行ないＸ線吸収
層７を形成したＸ線露光ホトマスクである。この
ような第６図の方法によればＸ線露光ホトマスク
のパターニング精度は注入されるＸ線吸収能を有
する不純物Auの横広がりだけで決まり高精度の
パターニングが可能になる。
しかし、第６図の方法では、イオンビームシス
テムの電流及び加速エネルギーが１回の照射でＸ
線を吸収するに充分な厚み及び濃度を保証できな
い場合がある。
テムの電流及び加速エネルギーが１回の照射でＸ
線を吸収するに充分な厚み及び濃度を保証できな
い場合がある。
そこで、以上のような問題点を解決する本発明
の実施例として、Ｘ線露光ホトマスクの製造方法
を第７図〜第１０図に示す。
の実施例として、Ｘ線露光ホトマスクの製造方法
を第７図〜第１０図に示す。
第７図はメンブレン膜４上にレジストまたは
SiO2などのメンブレン薄膜９を形成後直接Auイ
オンビーム描画を行ないＸ線吸収領域８を形成し
ている。次に再び９と同じメンブレン薄膜１０を
形成する（第８図）。第７図で行なつたと同じパ
ターンをAuイオンビームにて再び描画する（第
９図）。そして、Ｘ線吸収領域８が必要なＸ線減
衰を行なうに充分な厚みを持つよう第８図、第９
図の工程をくり返すことにより、第１０図の本発
明によるＸ線露光ホトマスクができる。第１０図
は９の１０のメンブレン薄膜にレジストを用いた
場合でありAuイオンビームの照射のない部分は
現像されている。本発明によればＸ線露光ホトマ
スクのパターニング精度は注入されるＸ線吸収能
を有する不純物Auの横拡がりとイオンビーム描
画の多層間の位置合わせだけで決まり、高精度の
パターニング精度が可能になる。
SiO2などのメンブレン薄膜９を形成後直接Auイ
オンビーム描画を行ないＸ線吸収領域８を形成し
ている。次に再び９と同じメンブレン薄膜１０を
形成する（第８図）。第７図で行なつたと同じパ
ターンをAuイオンビームにて再び描画する（第
９図）。そして、Ｘ線吸収領域８が必要なＸ線減
衰を行なうに充分な厚みを持つよう第８図、第９
図の工程をくり返すことにより、第１０図の本発
明によるＸ線露光ホトマスクができる。第１０図
は９の１０のメンブレン薄膜にレジストを用いた
場合でありAuイオンビームの照射のない部分は
現像されている。本発明によればＸ線露光ホトマ
スクのパターニング精度は注入されるＸ線吸収能
を有する不純物Auの横拡がりとイオンビーム描
画の多層間の位置合わせだけで決まり、高精度の
パターニング精度が可能になる。
第１図〜第５図……従来のＸ線露光マスクの製
造工程。第６図……本発明の実施例を理解し易く
するためのＸ線露光マスクの断面図。第７図〜第
１０図……本発明によるＸ線露光マスクの製造工
程断面図。 １……ポリイミド、２……Au、３……Ti、４
……メンブレン膜、５……PMMA、６……Ti、
７……イオン注入によるＸ線吸収層、８……イオ
ン注入による多層Ｘ線吸収領域、９，１０……メ
ンブレン薄膜。
造工程。第６図……本発明の実施例を理解し易く
するためのＸ線露光マスクの断面図。第７図〜第
１０図……本発明によるＸ線露光マスクの製造工
程断面図。 １……ポリイミド、２……Au、３……Ti、４
……メンブレン膜、５……PMMA、６……Ti、
７……イオン注入によるＸ線吸収層、８……イオ
ン注入による多層Ｘ線吸収領域、９，１０……メ
ンブレン薄膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板となる第１メンブレン膜に、Ｘ線吸収能
を有する不純物を導入することにより形成された
第1X線吸収層、 前記第1X線吸収層を有する前記第１メンブレ
ン膜上に形成された第２メンブレン膜、 前記第２メンブレン膜に、Ｘ線吸収能を有する
不純物を前記第1X線吸収層と同じ形状となるよ
うに導入することにより形成され、かつ前記第
1X線吸収層と接するように前記第1X線吸収層上
に存在する第2X線吸収層、 を具備することを特徴とするＸ線露光ホトマス
ク。 ２ 基板となるメンブレン膜に、Ｘ線吸収能を有
する不純物を導入することにより形成された第
1X線吸収層、 前記メンブレン膜に設けられた前記第1X線吸
収層上に前記第1X線吸収層と同じ形状となるよ
うに存在し、かつＸ線吸収能を有する不純物が導
入された第2X線吸収層、 を具備することを特徴とするＸ線露光ホトマス
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56197867A JPS5898923A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | Ｘ線露光ホトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56197867A JPS5898923A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | Ｘ線露光ホトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5898923A JPS5898923A (ja) | 1983-06-13 |
| JPH0312452B2 true JPH0312452B2 (ja) | 1991-02-20 |
Family
ID=16381647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56197867A Granted JPS5898923A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | Ｘ線露光ホトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5898923A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010023911A1 (ja) | 2008-08-29 | 2010-03-04 | オイレス工業株式会社 | 複層摺動部材及びそれを用いた自動車のラックピニオン式舵取装置におけるラックガイド |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1313792C (en) * | 1986-02-28 | 1993-02-23 | Junji Hirokane | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
| JPH063791B2 (ja) * | 1989-06-30 | 1994-01-12 | 工業技術院長 | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
-
1981
- 1981-12-09 JP JP56197867A patent/JPS5898923A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010023911A1 (ja) | 2008-08-29 | 2010-03-04 | オイレス工業株式会社 | 複層摺動部材及びそれを用いた自動車のラックピニオン式舵取装置におけるラックガイド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5898923A (ja) | 1983-06-13 |
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