JP2735192B2 - エネルギービーム加工方法及びその装置 - Google Patents
エネルギービーム加工方法及びその装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、集束イオンビーム等を用いて、LSIや露光
用マスクに加工を行う際の、加工深さ制御技術に関す
る。 〔従来の技術〕 近年LSIの開発工程において、LSIチップ内配線の一部
を切断したり、接続したりして不良箇所のデバッグ，修
正、あるいは不良解析を行うことが大変重要になってき
ている。この目的のため従来、集束イオンビームにより
LSIの配線を切断する例が報告されている。 例えば特開昭58−106750（フォーカス・イオンビーム
加工方法）には、イオンビームの照射量照射時間，加速
電圧等を変えることによりエッチ深さの異なった加工が
可能であることが示されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記従来技術では、いかにして所望の加工深さが得ら
れた時点を判断し、加工をストップするかについては、
照射時間，照射量等を可変にするという事が述べられて
いるだけである。P4にエッチング深さＳを表す式が示さ
れているが、この式よりどうすれば目標とする深さの加
工が出来るかに関する具体的な記述はない。具体的な加
工終点検出方法については、２次イオンを分析する方法
をあげている。 しかし、LSIが多層配線を採用しており、下層の配線
を切断するためには第３図の加工部断面に示すように、
典型的には加工面積□５μm,加工深さ10μｍのように高
いアスペクト比を有する穴をあけなくてはならない。第
２図に示すように加工深さが浅い場合は、十分な量の二
次イオン29が二次イオン検出器30にとらえられるが、第
３図のようにアスペクト比が高くなると、二次イオン29
はほとんど検出されなくなる。このため、この方法で加
工終点を検出することは不可能である。 一方、ビーム電流と加速電圧が一定であるならば、加
工深さは加工時間に比例する。加工深さが浅い場合は加
工時間が短いので、この時間内でビーム電流が一定であ
るという仮定をし、加工時間で深さを制御しても大きな
誤差は生じなかった。 しかし第３図に示した穴では、例えば典型的な加工速
度:0.3μm3/Sにて体積５×５×10＝250μm3を加工する
ので約14分を要し、この時間内では第４図に示すように
ビーム電流iBのドリフトを無視することはできない。ド
リフトは10％を超す場合もある。このため第５図に示す
ように、当初の設定電流値を基準に加工時間を設定し
て、その後ビーム電流が減る方向にドリフトした場合
は、実際の深さが不足し、配線31の切断ができない。ま
た逆に当初の設定電流値よりも実際の電流値が増す方向
にドリフトした場合は、目標深さよりも深く加工してし
まうため、下層配線まで加工してしまい、下層配線から
の再付着33により上層配線との短絡を生じる等の問題が
おこる。 本発明の目的は、上記従来技術の欠点を解決し、加工
中にビーム電流が変化してもその影響を受けることなく
高い精度で加工深さを制御することが可能なエネルギー
ビーム加工方法及びその装置を提供することに有る。 〔問題点を解決するための手段〕 上記目的は、加工中に十分短い時間間隔でビーム電流
を測定し、これを時間積分して求めた照射イオン量（以
下ドーズ量と呼ぶ）を用いて、加工深さを算出すること
により、達成される。 即ち、上記目的は、エネルギービームを集束偏向走査
して被加工物の所定の領域に照射し、この所定の領域を
加工するエネルギービーム加工方法において、所定時間
ごとに照射するエネルギービームを偏向させて電流測定
部へ照射し、この電流検出部により偏向させたエネルギ
ービームの電流を測定し、この測定した偏向させたエネ
ルギービームの電流値から所定の領域に照射したエネル
ギービームのドーズ量を求め、このドーズ量と被加工物
の単位入射エネルギービーム量当たりのスパッタ体積と
加工開始時の開口面積とに基づいて又はドーズ量と予め
求めた加工深さとの関係に基づいて被加工物の所定の領
域の加工深さを算出し、この算出した加工深さの値を予
め定められた値と比較して加工の終点を検出して所定の
領域へのエネルギービームの照射を停止する方法及びそ
の装置を採用することにより達成される。 また、上記目的は、エネルギービームを集束偏向走査
して被加工物の所定の領域に照射し、この所定の領域を
加工するエネルギービーム加工方法において、エネルギ
ービームを被加工物の所定の領域に照射しているときに
エネルギービームを集束偏向させるレンズ電極に流入す
るエネルギービームの電流を測定し、この測定したレン
ズ電極に流入したエネルギービームの電流値から所定の
領域に照射したエネルギビームのドーズ量を求め、この
ドーズ量と被加工物の単位入射エネルギービーム量当た
りのスパッタ体積と加工開始時の開口面積とに基づいて
又はドーズ量と予め求めた加工深さとの関係に基づいて
被加工物の所定の領域の加工深さを算出し、この算出し
た加工深さの値を予め定められた値と比較して加工の終
点を検出して所定の領域への前記エネルギービームの照
射を停止する方法及びその装置を採用することにより達
成される。 〔作用〕 集束イオンビーム加工では、第６図に示す様にイオン
ビーム28によりスパッタされた原子34が、加工穴側壁に
再付着し再付着層35を形成し、加工穴側壁が形斜する。
この再付着層による加工穴形状の変化は、加工深さの進
行速度に影響を与える。 我々は実験の結果第７図に示す関係を得た。まず、ビ
ーム径ｄの２倍2dに対して、加工巾Ｌが十分大きい（4d
以上）場合は、加工を開始し加工穴底面に平坦な部分が
残っている間は、加工深さＺはドーズ量Ｄに比例する。
さらに加工を進めて、再付着により加工底面の平坦部が
消失し加工穴がくさび状になった後は、加工深さＺの進
行速度は第７図の様に遅くなる。次に、上記の場合より
加工巾Ｌが狭い場合、すなわちＬがビーム径ｄの２倍と
ほぼ同じかそれ以下の場合は、加工開始時点からＺとＤ
は比例関係を示さず、加工の進行に伴いＺの進行速度は
遅くなる。そこで、ＺがＤに比例する場合とそれ以外の
場合について、それぞれ深さ制御方法を発明した。 ＺがＤに比例する場合、まず加工中に十分短い時間間
隔でビーム電流を測定し、これを時間積分してドーズ量
Ｄを求め、Ｄに比例定数をかけて深さＺを求める。ここ
で、被加工材質Ｍの単位入射イオン量あたりのスパッタ
体積をkM〔μm3/nC〕（以下材質Ｍの加工速度係数と呼
ぶ）とし、加工開始時の開口面積をＡ〔μm2〕（Ａ＝
L1,L2,L1,L2は加工部の縦横巾）とする。加工深さＺ
は、再付着を無視し、スパッタ原子がすべてなくなると
仮定した。直方体状の加工穴体積Ｖ（以下スパッタ体積
と呼ぶ）を開口面積Ａで除して求まるので次式が成り立
つ。 従って、上記ＺとＤの比例定数はkM/Aとなる。 次にＺとＤが比例しない場合、ドーズ量Ｄを求めるの
は上記と同様である。Ｄを求めた後、あらかじめ試し加
工実験により求めておいた加工深さ関数Ｚ＝ｇ（Ｄ）を
用いて、深さＺを求める。 〔実施例〕 以下、本発明の一実施例を第１図及び第８図，第９
図，第10図により説明する。 第10図において、イオン源１により引出されたイオン
ビームは、第1,第2,第３レンズ電流（それぞれ図中の2,
3,4）により試料８上に焦点を結ぶように集束される。
ブランキング電極５に必要に応じ電圧を印加することに
よりビームを曲げブランキング・アパーチャ６に当て、
試料８への照射を無くすことができる。デフレクタ電極
７に偏向電圧をかけることにより、ビームを加工領域内
で走査することができる。 試料８は、ステージ９に固定され、ステージ９は図示
されない駆動装置により駆動される。加工中はステージ
９を固定し、ビームを偏向走査し加工を行う。 ブランキング電極5,デフレクタ電極７にはそれぞれ、
ブランキングコントローラ11,デフレクタコントローラ1
0により、必要な電圧が供給される。 第10図に示した装置により、加工深さを制御するフロ
ーチャートを第１図に示す。加工する場合まず加工パラ
メータとして、ビーム径ｄと加工巾L1,L2（それぞれ縦
巾，横巾）を設定する。ｄとL1,L2の大きさを比較し、
深さＺがドーズ量Ｄに比例する場合か否かを判定し、そ
れぞれ別のフローで加工をスタートする。ここでＺとＤ
の比例関係を判定するためのd,L1,L2の関係は、被加工
物により変化するため、実験によりあらかじめ求める必
要がある。例えば、Al配線とスパッタSiO2膜からなるLS
Iの多層配線を加工する場合は、L1≧4dかつL2≧4dのと
きＺ∝D,L1＜2dまたはL22dのときＺはＤに比例しな
い、その中間領域では必要深さ精度に応じて、Ｚ∝Ｄと
近似できるかどうかが決まる、という関係を実験により
得た。 ＺがＤに比例する場合は、第１図で左側に示したフロ
ーにより加工を行なう。加工スタートと同時にタイマを
働かせ一定時間tS毎にビーム電流iBを測定する。サンプ
リング時間tSは、この範囲内でのビーム電流変動が十分
に小さい時間に選ぶ。ビーム電流の測定は、例えば第10
図に示す様に、加工の一走査毎に、ブランキングを動作
させた時に、ブランキングアパーチャ６に流入しアース
に向って流れるイオン電流iBLを測定する。ブランキン
グアパーチャ６の構造を、発生する２次電子を全て包み
込む形状にすることで、iBLはビーム電流iBの値に一致
する。 この時、サンプリング時間tSの最小単位は、１回の走
査時間となるが、これは十分短い時間である。 iBLの測定方法を第11図，第12図，第13図により説明
する。ブランキングを動作させ、イオンビームをブラン
キングアパーチャ６でさえぎると、イオンの衝突により
２次電子36がブランキングアパーチャ６より発生する。
発生した２次電子36が、例えばブランキング電極５の生
成する電界に引かれて飛び去ると、２次電子分の電流が
増加した電流iBLが電流計12に流れる。このiBLはもはや
加工時の照射ビーム電流iBに一致しない。従って測定電
流iBLを照射ビーム電流iBに一致させるためには、発生
する２次電子36を全てブランキングアパーチャ６で捕ら
える必要がある。 第11図に示した例では、ブランキングアパーチャ６の
上部にブランキング電極５との間をさえぎるひさし状の
部分を設けた。これにより、２次電子36はブランキング
電極５の生成する電界の影響を受けないため、全てブラ
ンキングアパーチャ６で捕らえることができる。 第12図に示した例では、ブランキングアパーチャ６に
ファラデーカップ37を設け、ブランキング動作時には、
イオンビーム28がファラデーカップ37に入射する様にし
た。これにより、２次電子36は全てファラデーカップ37
内に捕らえることができ、ファラデーカップ37からの測
定電流iBLは照射ビーム電流iBに一致する。 第13図に示した例では、ブランキグアパーチャ６とブ
ランキング電極５の間に２次電子トラップ電極38を設
け、２次電子トラップ電源39よりトラップ電圧を印加す
る様にした。２次電子トラップ電極38は例えば平板電極
の中央に穴を開け、そこに金属メッシュを設けたもので
ある。２次電子36のエネルギーは数eVから数10eV程度で
あるから、上記トラップ電圧は−100V前後に設定すれば
よい。これにより、２次電子36は全てブランキングアパ
ーチャ６に向って追いかえされ、ブランキングアパーチ
ャ６で捕らえることができる。なお、トラップ電圧がイ
オンビーム28の集束性に与える影響はわずかであり、レ
ンズ電圧等により容易に補正が可能である。 次に、iBの値を他の電流値から間接的に、計算により
求める方法について第14図，第15図，第16図，第17図を
用いて説明する。 測定電流として、イオン源から放出され第１レンズ電
極２（引出電極）に流入する全イオン電流（以下ソース
電流iSと呼ぶ）を用いた例を第14図に示す。引出電源41
を通して流れるソース電流iSを電流計42で測定し、A/D
コンバータ43でデジタル化した後、光データリンク44に
より測定値をCPU45に送信する。ここで、iSの測定系が
アースに対して加速電圧分だけ浮いているため、電気的
に絶縁するために光データリンク44を用いる。CPU45で
は、あらかじめ実験により得たソース電流iSと照射ビー
ム電流iBの関係 iB＝Ｆ（iS） ……（３） を用いて、測定値iSからiBの値を算出する。 実際に実験を行なった結果、上記iSとiBの関係Ｆ
（iS）は、第15図に示す様に１次関数 iB＝α１′iS＋β１ ……（４） により十分な精度で表わすことができた。 次に測定電流として、第３レンズ電極４（ビームリミ
ッティングアパーチャ）によって照射イオン量を制限し
た残りの電流（以下アパーチャ電流iAと呼ぶ）を用いた
例を第16図に示す。第３レンズ電極４から流れる。アパ
ーチャ電流iAを電流計46で測定し、A/Dコンバータ43で
デジタル化した後、CPU45に送信する。CPU45ではソース
電流iSを用いた場合と同様に、あらかじめ実験により得
たアパーチャ電流iAと、照射ビーム電流iBの関係 iB＝Ｇ（iA） ……（５） を用いて、測定値iAからiBの値を算出する。 実験によれば、上記iAとiBの関係Ｇ（iA）も、第17図
に示す様に１次関数 iB＝α２′iS＋β２ ……（６） により十分な精度で表わすことができた。 iSやiAの値を測定し、計算によりiBの値を求めるこれ
らの方法では、計算に用いる関数Ｆ（iS）あるいはＧ
（iA）の精度が深さ精度に影響を与える。Ｆ（iS）やＧ
（iA）を１次関数で近似した場合、加工深さ５μｍに対
して±0.3μｍの深さ制御が可能であった。しかしさら
に５μｍ以上の加工を行う場合や、より高い深さ精度が
要求される場合には、Ｆ（iS）やＧ（iA）の精度が問題
となる可能性がある。 ブランキングアパーチャの構造は多少複雑になるが、
より高い深さ精度を得るためには、iBLを用いてiBの値
を直接測定する。前述の方法が適している。 以上のようにして得たiB〔nA〕とtS〔sec〕の積に、
加工速度係数kM〔μm3/nC〕を乗じて、サンプリング時
間内のスパッタ体積の増分ΔＶ〔μm3〕を求める。 ΔＶ＝kM′iB′tS ……（７） 加工開始からのスパッタ体積Ｖ〔μm3〕にΔＶを加え
て、さらに加工部開口面積Ａ〔μm2〕（Ａ＝L1,L2）で
除することにより、現在の加工深さＺ〔μｍ〕が算出で
きる。 Ｖ＝Ｖ＋kM′iB′tS ……（８） Ｚ＝V/A ……（９） 求めたＺが、設定した目標深さZ0を越えるまで加工を
tS毎に繰り返し、Z0を越えた時点で加工をストップす
る。 以上のフローの中で、加工速度係数kMの値は被加工物
の材質Ｍにより変化する。そこで、多層試料を加工する
場合は、tSのサンプリング毎に材質Ｍを判定し、kMの値
を定める必要がある。材質Ｍの判定は、例えばあらかじ
め被加工物の各層の厚さを干渉計等により測定し、材質
Ｍを深さＺの関数ｆ（Ｚ）として求めておき、サンプリ
ング時点のＺの値により判定を行う。 第８図に材質関数ｆ（Ｚ）の例を示す。第８図に示し
た多層構造を、上層から順に加工する場合、加工深さＺ
の進行に伴い材質はグラフのように変化し、これが材質
関数ｆ（Ｚ）となる。 次にＺがＤに比例しない場合は、第１図で右側に示し
たフローにより加工を行う。加工スタートと同時にタイ
マを働かせ一定時間tS毎にビーム電流iBを測定する。iB
〔nA〕にtS〔sec〕を乗じて、サンプリング時間内のド
ーズ量の増分ΔＤ＝iB・tSを求め、加工開始からのドー
ズ量にΔＤ〔nC〕を加えて累積ドーズ量Ｄ〔nC〕を求め
る。 Ｄ＝Ｄ＋iB・tS ……（10） あらかじめ求めておいた、ＺとＤの関数Ｚ＝ｇ（Ｄ）
と求めたＤから現在の加工深さＺ〔μｍ〕を得る。Ｚが
設定目標深さZ0を越えるまで、加工をtS毎に繰り返し、
Z0を越えた時点で加工をストップする。 第９図にＺとＤの関係を表わした加工深さ関数Ｚ＝ｇ
（Ｄ）の例を示す。実際の加工を行う前に、加工箇所と
同じ層構造のサンプルを用い、Ｄを変化させて試し加工
を行い、加工穴の深さＺを電子顕微鏡等により実測し
て、上記の関数関係Ｚ＝ｇ（Ｄ）を得る。Ｚ＝ｇ（Ｄ）
は単調増加関数である。従って、上記試し加工は加工を
行う深さ全般にわたり、詳細に行う必要はなく、目標深
さZ0の前後のみ詳細に行い、残りの領域はＺ＝ｇ（Ｄ）
を直線で近似すればよい。例えば第９図に示した多層構
造を、Al層まですなわち目標深さ４μｍまで加工する場
合、深さＺが４μｍ前後となる領域のみ、詳細に試し加
工を行い、残りの領域を直線で近似すると、グラフの関
係を得るが、これが加工深さ関数ｇ（Ｄ）となる。 以上の加工フローを実現する制御装置の構成例を第10
図に示す。データメモリ27に、tS,d,L1,L2,M＝ｆ
（Ｚ）,Z＝ｇ（Ｄ）,Z0等の必要なデータを入力する。
加工中は、ブランキングアパーチャ６で検出したビーム
電流iBを、電流計12で測定し、A/Dコンバータ13でデジ
タル化した信号を、制御装置に送る。加工開始と同時
に、タイマ14が働き、tS毎にトリガ信号がA/Dコンバー
タ13に送られ、A/Dコンバータ13が動作し、iBの値がス
イッチ回路15に送られる。入力データd,L1,L2の値か
ら、判定回路16がＺとＤの比較関係を判定し、スイッチ
回路15でiBの値を次の回路に振り分ける。 ＺとＤが比例する場合、iBの値は乗算回路17側に送ら
れる。深さＺと材質関数Ｍ＝ｆ（Ｚ）から判定回路21が
材質Ｍを判定し、kMの値を設定する。iB,tS,kMの値を乗
算回路17で乗じ、加算回路18でスパッタ体積Ｖの値を求
め、さらに除算回路19で開口面積ＡでＶを除することに
より、現在の深さＺを算出する。ここでＡの値は乗算回
路22により、L1,L2の値から求められる。Ｚと目標深さZ
0を比較回路20で比較し、ＺがZ0を越えた時点でブラン
キングコントローラ11に信号を送り、ブランキング電極
に電圧を印加し加工を停止する。 ＺとＤが比例しない場合、iBの値は乗算回路23側に送
られる。iB,tSの値を乗算回路23で乗じ、加算回路24で
累積ドーズ量Ｄの値を求め、さらに判定回路25で、Ｚ＝
ｇ（Ｄ）から現在の深さＺを求める。Ｚと目標深さZ0を
比較回路26で比較し、ＺがZ0を越えた時点で、ブランキ
ングコントローラ11に信号を送り加工を停止する。 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば、ビーム電流の
変動を無視できない時間にわたり加工を行う場合でも、
ブランキングアパーチャやファラデーカップなどのビー
ム電流測定手段により十分短い時間間隔で測定したビー
ム電流値、又は加工中にレンズ電極に流れる電流値から
算出されるビーム電流値をもとに加工深さを制御できる
ので、高い深さ精度の穴加工を行えるという効果があ
る。
用マスクに加工を行う際の、加工深さ制御技術に関す
る。 〔従来の技術〕 近年LSIの開発工程において、LSIチップ内配線の一部
を切断したり、接続したりして不良箇所のデバッグ，修
正、あるいは不良解析を行うことが大変重要になってき
ている。この目的のため従来、集束イオンビームにより
LSIの配線を切断する例が報告されている。 例えば特開昭58−106750（フォーカス・イオンビーム
加工方法）には、イオンビームの照射量照射時間，加速
電圧等を変えることによりエッチ深さの異なった加工が
可能であることが示されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記従来技術では、いかにして所望の加工深さが得ら
れた時点を判断し、加工をストップするかについては、
照射時間，照射量等を可変にするという事が述べられて
いるだけである。P4にエッチング深さＳを表す式が示さ
れているが、この式よりどうすれば目標とする深さの加
工が出来るかに関する具体的な記述はない。具体的な加
工終点検出方法については、２次イオンを分析する方法
をあげている。 しかし、LSIが多層配線を採用しており、下層の配線
を切断するためには第３図の加工部断面に示すように、
典型的には加工面積□５μm,加工深さ10μｍのように高
いアスペクト比を有する穴をあけなくてはならない。第
２図に示すように加工深さが浅い場合は、十分な量の二
次イオン29が二次イオン検出器30にとらえられるが、第
３図のようにアスペクト比が高くなると、二次イオン29
はほとんど検出されなくなる。このため、この方法で加
工終点を検出することは不可能である。 一方、ビーム電流と加速電圧が一定であるならば、加
工深さは加工時間に比例する。加工深さが浅い場合は加
工時間が短いので、この時間内でビーム電流が一定であ
るという仮定をし、加工時間で深さを制御しても大きな
誤差は生じなかった。 しかし第３図に示した穴では、例えば典型的な加工速
度:0.3μm3/Sにて体積５×５×10＝250μm3を加工する
ので約14分を要し、この時間内では第４図に示すように
ビーム電流iBのドリフトを無視することはできない。ド
リフトは10％を超す場合もある。このため第５図に示す
ように、当初の設定電流値を基準に加工時間を設定し
て、その後ビーム電流が減る方向にドリフトした場合
は、実際の深さが不足し、配線31の切断ができない。ま
た逆に当初の設定電流値よりも実際の電流値が増す方向
にドリフトした場合は、目標深さよりも深く加工してし
まうため、下層配線まで加工してしまい、下層配線から
の再付着33により上層配線との短絡を生じる等の問題が
おこる。 本発明の目的は、上記従来技術の欠点を解決し、加工
中にビーム電流が変化してもその影響を受けることなく
高い精度で加工深さを制御することが可能なエネルギー
ビーム加工方法及びその装置を提供することに有る。 〔問題点を解決するための手段〕 上記目的は、加工中に十分短い時間間隔でビーム電流
を測定し、これを時間積分して求めた照射イオン量（以
下ドーズ量と呼ぶ）を用いて、加工深さを算出すること
により、達成される。 即ち、上記目的は、エネルギービームを集束偏向走査
して被加工物の所定の領域に照射し、この所定の領域を
加工するエネルギービーム加工方法において、所定時間
ごとに照射するエネルギービームを偏向させて電流測定
部へ照射し、この電流検出部により偏向させたエネルギ
ービームの電流を測定し、この測定した偏向させたエネ
ルギービームの電流値から所定の領域に照射したエネル
ギービームのドーズ量を求め、このドーズ量と被加工物
の単位入射エネルギービーム量当たりのスパッタ体積と
加工開始時の開口面積とに基づいて又はドーズ量と予め
求めた加工深さとの関係に基づいて被加工物の所定の領
域の加工深さを算出し、この算出した加工深さの値を予
め定められた値と比較して加工の終点を検出して所定の
領域へのエネルギービームの照射を停止する方法及びそ
の装置を採用することにより達成される。 また、上記目的は、エネルギービームを集束偏向走査
して被加工物の所定の領域に照射し、この所定の領域を
加工するエネルギービーム加工方法において、エネルギ
ービームを被加工物の所定の領域に照射しているときに
エネルギービームを集束偏向させるレンズ電極に流入す
るエネルギービームの電流を測定し、この測定したレン
ズ電極に流入したエネルギービームの電流値から所定の
領域に照射したエネルギビームのドーズ量を求め、この
ドーズ量と被加工物の単位入射エネルギービーム量当た
りのスパッタ体積と加工開始時の開口面積とに基づいて
又はドーズ量と予め求めた加工深さとの関係に基づいて
被加工物の所定の領域の加工深さを算出し、この算出し
た加工深さの値を予め定められた値と比較して加工の終
点を検出して所定の領域への前記エネルギービームの照
射を停止する方法及びその装置を採用することにより達
成される。 〔作用〕 集束イオンビーム加工では、第６図に示す様にイオン
ビーム28によりスパッタされた原子34が、加工穴側壁に
再付着し再付着層35を形成し、加工穴側壁が形斜する。
この再付着層による加工穴形状の変化は、加工深さの進
行速度に影響を与える。 我々は実験の結果第７図に示す関係を得た。まず、ビ
ーム径ｄの２倍2dに対して、加工巾Ｌが十分大きい（4d
以上）場合は、加工を開始し加工穴底面に平坦な部分が
残っている間は、加工深さＺはドーズ量Ｄに比例する。
さらに加工を進めて、再付着により加工底面の平坦部が
消失し加工穴がくさび状になった後は、加工深さＺの進
行速度は第７図の様に遅くなる。次に、上記の場合より
加工巾Ｌが狭い場合、すなわちＬがビーム径ｄの２倍と
ほぼ同じかそれ以下の場合は、加工開始時点からＺとＤ
は比例関係を示さず、加工の進行に伴いＺの進行速度は
遅くなる。そこで、ＺがＤに比例する場合とそれ以外の
場合について、それぞれ深さ制御方法を発明した。 ＺがＤに比例する場合、まず加工中に十分短い時間間
隔でビーム電流を測定し、これを時間積分してドーズ量
Ｄを求め、Ｄに比例定数をかけて深さＺを求める。ここ
で、被加工材質Ｍの単位入射イオン量あたりのスパッタ
体積をkM〔μm3/nC〕（以下材質Ｍの加工速度係数と呼
ぶ）とし、加工開始時の開口面積をＡ〔μm2〕（Ａ＝
L1,L2,L1,L2は加工部の縦横巾）とする。加工深さＺ
は、再付着を無視し、スパッタ原子がすべてなくなると
仮定した。直方体状の加工穴体積Ｖ（以下スパッタ体積
と呼ぶ）を開口面積Ａで除して求まるので次式が成り立
つ。 従って、上記ＺとＤの比例定数はkM/Aとなる。 次にＺとＤが比例しない場合、ドーズ量Ｄを求めるの
は上記と同様である。Ｄを求めた後、あらかじめ試し加
工実験により求めておいた加工深さ関数Ｚ＝ｇ（Ｄ）を
用いて、深さＺを求める。 〔実施例〕 以下、本発明の一実施例を第１図及び第８図，第９
図，第10図により説明する。 第10図において、イオン源１により引出されたイオン
ビームは、第1,第2,第３レンズ電流（それぞれ図中の2,
3,4）により試料８上に焦点を結ぶように集束される。
ブランキング電極５に必要に応じ電圧を印加することに
よりビームを曲げブランキング・アパーチャ６に当て、
試料８への照射を無くすことができる。デフレクタ電極
７に偏向電圧をかけることにより、ビームを加工領域内
で走査することができる。 試料８は、ステージ９に固定され、ステージ９は図示
されない駆動装置により駆動される。加工中はステージ
９を固定し、ビームを偏向走査し加工を行う。 ブランキング電極5,デフレクタ電極７にはそれぞれ、
ブランキングコントローラ11,デフレクタコントローラ1
0により、必要な電圧が供給される。 第10図に示した装置により、加工深さを制御するフロ
ーチャートを第１図に示す。加工する場合まず加工パラ
メータとして、ビーム径ｄと加工巾L1,L2（それぞれ縦
巾，横巾）を設定する。ｄとL1,L2の大きさを比較し、
深さＺがドーズ量Ｄに比例する場合か否かを判定し、そ
れぞれ別のフローで加工をスタートする。ここでＺとＤ
の比例関係を判定するためのd,L1,L2の関係は、被加工
物により変化するため、実験によりあらかじめ求める必
要がある。例えば、Al配線とスパッタSiO2膜からなるLS
Iの多層配線を加工する場合は、L1≧4dかつL2≧4dのと
きＺ∝D,L1＜2dまたはL22dのときＺはＤに比例しな
い、その中間領域では必要深さ精度に応じて、Ｚ∝Ｄと
近似できるかどうかが決まる、という関係を実験により
得た。 ＺがＤに比例する場合は、第１図で左側に示したフロ
ーにより加工を行なう。加工スタートと同時にタイマを
働かせ一定時間tS毎にビーム電流iBを測定する。サンプ
リング時間tSは、この範囲内でのビーム電流変動が十分
に小さい時間に選ぶ。ビーム電流の測定は、例えば第10
図に示す様に、加工の一走査毎に、ブランキングを動作
させた時に、ブランキングアパーチャ６に流入しアース
に向って流れるイオン電流iBLを測定する。ブランキン
グアパーチャ６の構造を、発生する２次電子を全て包み
込む形状にすることで、iBLはビーム電流iBの値に一致
する。 この時、サンプリング時間tSの最小単位は、１回の走
査時間となるが、これは十分短い時間である。 iBLの測定方法を第11図，第12図，第13図により説明
する。ブランキングを動作させ、イオンビームをブラン
キングアパーチャ６でさえぎると、イオンの衝突により
２次電子36がブランキングアパーチャ６より発生する。
発生した２次電子36が、例えばブランキング電極５の生
成する電界に引かれて飛び去ると、２次電子分の電流が
増加した電流iBLが電流計12に流れる。このiBLはもはや
加工時の照射ビーム電流iBに一致しない。従って測定電
流iBLを照射ビーム電流iBに一致させるためには、発生
する２次電子36を全てブランキングアパーチャ６で捕ら
える必要がある。 第11図に示した例では、ブランキングアパーチャ６の
上部にブランキング電極５との間をさえぎるひさし状の
部分を設けた。これにより、２次電子36はブランキング
電極５の生成する電界の影響を受けないため、全てブラ
ンキングアパーチャ６で捕らえることができる。 第12図に示した例では、ブランキングアパーチャ６に
ファラデーカップ37を設け、ブランキング動作時には、
イオンビーム28がファラデーカップ37に入射する様にし
た。これにより、２次電子36は全てファラデーカップ37
内に捕らえることができ、ファラデーカップ37からの測
定電流iBLは照射ビーム電流iBに一致する。 第13図に示した例では、ブランキグアパーチャ６とブ
ランキング電極５の間に２次電子トラップ電極38を設
け、２次電子トラップ電源39よりトラップ電圧を印加す
る様にした。２次電子トラップ電極38は例えば平板電極
の中央に穴を開け、そこに金属メッシュを設けたもので
ある。２次電子36のエネルギーは数eVから数10eV程度で
あるから、上記トラップ電圧は−100V前後に設定すれば
よい。これにより、２次電子36は全てブランキングアパ
ーチャ６に向って追いかえされ、ブランキングアパーチ
ャ６で捕らえることができる。なお、トラップ電圧がイ
オンビーム28の集束性に与える影響はわずかであり、レ
ンズ電圧等により容易に補正が可能である。 次に、iBの値を他の電流値から間接的に、計算により
求める方法について第14図，第15図，第16図，第17図を
用いて説明する。 測定電流として、イオン源から放出され第１レンズ電
極２（引出電極）に流入する全イオン電流（以下ソース
電流iSと呼ぶ）を用いた例を第14図に示す。引出電源41
を通して流れるソース電流iSを電流計42で測定し、A/D
コンバータ43でデジタル化した後、光データリンク44に
より測定値をCPU45に送信する。ここで、iSの測定系が
アースに対して加速電圧分だけ浮いているため、電気的
に絶縁するために光データリンク44を用いる。CPU45で
は、あらかじめ実験により得たソース電流iSと照射ビー
ム電流iBの関係 iB＝Ｆ（iS） ……（３） を用いて、測定値iSからiBの値を算出する。 実際に実験を行なった結果、上記iSとiBの関係Ｆ
（iS）は、第15図に示す様に１次関数 iB＝α１′iS＋β１ ……（４） により十分な精度で表わすことができた。 次に測定電流として、第３レンズ電極４（ビームリミ
ッティングアパーチャ）によって照射イオン量を制限し
た残りの電流（以下アパーチャ電流iAと呼ぶ）を用いた
例を第16図に示す。第３レンズ電極４から流れる。アパ
ーチャ電流iAを電流計46で測定し、A/Dコンバータ43で
デジタル化した後、CPU45に送信する。CPU45ではソース
電流iSを用いた場合と同様に、あらかじめ実験により得
たアパーチャ電流iAと、照射ビーム電流iBの関係 iB＝Ｇ（iA） ……（５） を用いて、測定値iAからiBの値を算出する。 実験によれば、上記iAとiBの関係Ｇ（iA）も、第17図
に示す様に１次関数 iB＝α２′iS＋β２ ……（６） により十分な精度で表わすことができた。 iSやiAの値を測定し、計算によりiBの値を求めるこれ
らの方法では、計算に用いる関数Ｆ（iS）あるいはＧ
（iA）の精度が深さ精度に影響を与える。Ｆ（iS）やＧ
（iA）を１次関数で近似した場合、加工深さ５μｍに対
して±0.3μｍの深さ制御が可能であった。しかしさら
に５μｍ以上の加工を行う場合や、より高い深さ精度が
要求される場合には、Ｆ（iS）やＧ（iA）の精度が問題
となる可能性がある。 ブランキングアパーチャの構造は多少複雑になるが、
より高い深さ精度を得るためには、iBLを用いてiBの値
を直接測定する。前述の方法が適している。 以上のようにして得たiB〔nA〕とtS〔sec〕の積に、
加工速度係数kM〔μm3/nC〕を乗じて、サンプリング時
間内のスパッタ体積の増分ΔＶ〔μm3〕を求める。 ΔＶ＝kM′iB′tS ……（７） 加工開始からのスパッタ体積Ｖ〔μm3〕にΔＶを加え
て、さらに加工部開口面積Ａ〔μm2〕（Ａ＝L1,L2）で
除することにより、現在の加工深さＺ〔μｍ〕が算出で
きる。 Ｖ＝Ｖ＋kM′iB′tS ……（８） Ｚ＝V/A ……（９） 求めたＺが、設定した目標深さZ0を越えるまで加工を
tS毎に繰り返し、Z0を越えた時点で加工をストップす
る。 以上のフローの中で、加工速度係数kMの値は被加工物
の材質Ｍにより変化する。そこで、多層試料を加工する
場合は、tSのサンプリング毎に材質Ｍを判定し、kMの値
を定める必要がある。材質Ｍの判定は、例えばあらかじ
め被加工物の各層の厚さを干渉計等により測定し、材質
Ｍを深さＺの関数ｆ（Ｚ）として求めておき、サンプリ
ング時点のＺの値により判定を行う。 第８図に材質関数ｆ（Ｚ）の例を示す。第８図に示し
た多層構造を、上層から順に加工する場合、加工深さＺ
の進行に伴い材質はグラフのように変化し、これが材質
関数ｆ（Ｚ）となる。 次にＺがＤに比例しない場合は、第１図で右側に示し
たフローにより加工を行う。加工スタートと同時にタイ
マを働かせ一定時間tS毎にビーム電流iBを測定する。iB
〔nA〕にtS〔sec〕を乗じて、サンプリング時間内のド
ーズ量の増分ΔＤ＝iB・tSを求め、加工開始からのドー
ズ量にΔＤ〔nC〕を加えて累積ドーズ量Ｄ〔nC〕を求め
る。 Ｄ＝Ｄ＋iB・tS ……（10） あらかじめ求めておいた、ＺとＤの関数Ｚ＝ｇ（Ｄ）
と求めたＤから現在の加工深さＺ〔μｍ〕を得る。Ｚが
設定目標深さZ0を越えるまで、加工をtS毎に繰り返し、
Z0を越えた時点で加工をストップする。 第９図にＺとＤの関係を表わした加工深さ関数Ｚ＝ｇ
（Ｄ）の例を示す。実際の加工を行う前に、加工箇所と
同じ層構造のサンプルを用い、Ｄを変化させて試し加工
を行い、加工穴の深さＺを電子顕微鏡等により実測し
て、上記の関数関係Ｚ＝ｇ（Ｄ）を得る。Ｚ＝ｇ（Ｄ）
は単調増加関数である。従って、上記試し加工は加工を
行う深さ全般にわたり、詳細に行う必要はなく、目標深
さZ0の前後のみ詳細に行い、残りの領域はＺ＝ｇ（Ｄ）
を直線で近似すればよい。例えば第９図に示した多層構
造を、Al層まですなわち目標深さ４μｍまで加工する場
合、深さＺが４μｍ前後となる領域のみ、詳細に試し加
工を行い、残りの領域を直線で近似すると、グラフの関
係を得るが、これが加工深さ関数ｇ（Ｄ）となる。 以上の加工フローを実現する制御装置の構成例を第10
図に示す。データメモリ27に、tS,d,L1,L2,M＝ｆ
（Ｚ）,Z＝ｇ（Ｄ）,Z0等の必要なデータを入力する。
加工中は、ブランキングアパーチャ６で検出したビーム
電流iBを、電流計12で測定し、A/Dコンバータ13でデジ
タル化した信号を、制御装置に送る。加工開始と同時
に、タイマ14が働き、tS毎にトリガ信号がA/Dコンバー
タ13に送られ、A/Dコンバータ13が動作し、iBの値がス
イッチ回路15に送られる。入力データd,L1,L2の値か
ら、判定回路16がＺとＤの比較関係を判定し、スイッチ
回路15でiBの値を次の回路に振り分ける。 ＺとＤが比例する場合、iBの値は乗算回路17側に送ら
れる。深さＺと材質関数Ｍ＝ｆ（Ｚ）から判定回路21が
材質Ｍを判定し、kMの値を設定する。iB,tS,kMの値を乗
算回路17で乗じ、加算回路18でスパッタ体積Ｖの値を求
め、さらに除算回路19で開口面積ＡでＶを除することに
より、現在の深さＺを算出する。ここでＡの値は乗算回
路22により、L1,L2の値から求められる。Ｚと目標深さZ
0を比較回路20で比較し、ＺがZ0を越えた時点でブラン
キングコントローラ11に信号を送り、ブランキング電極
に電圧を印加し加工を停止する。 ＺとＤが比例しない場合、iBの値は乗算回路23側に送
られる。iB,tSの値を乗算回路23で乗じ、加算回路24で
累積ドーズ量Ｄの値を求め、さらに判定回路25で、Ｚ＝
ｇ（Ｄ）から現在の深さＺを求める。Ｚと目標深さZ0を
比較回路26で比較し、ＺがZ0を越えた時点で、ブランキ
ングコントローラ11に信号を送り加工を停止する。 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば、ビーム電流の
変動を無視できない時間にわたり加工を行う場合でも、
ブランキングアパーチャやファラデーカップなどのビー
ム電流測定手段により十分短い時間間隔で測定したビー
ム電流値、又は加工中にレンズ電極に流れる電流値から
算出されるビーム電流値をもとに加工深さを制御できる
ので、高い深さ精度の穴加工を行えるという効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例のフローチャートを示す図、
第２図及び第３図は２次イオン検出方法を説明する断面
図、第４図はビーム電流の時間変化を示す図、第５図は
従来方法による加工状態を示す図、第６図は加工穴断面
図、第７図は加工に伴う加工深さの変化を示す図、第８
図は実施例の材質関数を示す図、第９図は実施例の加工
深さ関数を示す図、第10図は実施例の装置構成図、第11
図，第12図及び第13図はビーム電流を測定する方法を示
す図、第14図，第15図，第16図及び第17図はビーム電流
を間接的に計算により求める方法について示した図であ
る。 １……イオン源、２……第１レンズ電極、３……第２レ
ンズ電極、４……第３レンズ電極、５……ブランキング
電極、６……ブランキングアパーチャ、７……デフレク
タ電極、８……試料、９……ステージ、10……デフレク
タコントローラ、11……ブランキングコントローラ、1
2,42,46……電流計、13,43……A/Dコンバータ、14……
タイマ、15……スイッチ回路、16……判定回路、17……
乗算回路、18……加算回路、19……除算回路、20……比
較回路、21……判定回路、22……乗算回路、23……乗算
回路、24……加算回路、25……判定回路、26……比較回
路、27……データメモリ、28……イオンビーム、29……
二次イオン、30……二次イオン検出器、31……配線、32
……層間絶縁膜、33……下層配線からの再付着物質、34
……スパッタ原子、35……再付着層、iB……ビーム電
流、iBL……ブランキングアパーチャ電流、tS……電流
サンプリング時間、ｄ……ビーム径、L1,L2……加工
巾、Ｍ……材質、ｆ（Ｚ）……材質関数、Z5……加工深
さ、ｇ（Ｄ）……加工深さ関数、Z0……目標深さ、kM…
…材質Ｍの加工速度係数、Ｖ……スパッタ体積、Ａ……
加工穴開口面積、Ｄ……ドーズ量。 36……２次電子、37……ファラデーカップ、38……２次
電子トラップ電極、39……２次電子トラップ電源、40…
…加速電源、41……引出電源、44……光データリンク、
45……CPU。
第２図及び第３図は２次イオン検出方法を説明する断面
図、第４図はビーム電流の時間変化を示す図、第５図は
従来方法による加工状態を示す図、第６図は加工穴断面
図、第７図は加工に伴う加工深さの変化を示す図、第８
図は実施例の材質関数を示す図、第９図は実施例の加工
深さ関数を示す図、第10図は実施例の装置構成図、第11
図，第12図及び第13図はビーム電流を測定する方法を示
す図、第14図，第15図，第16図及び第17図はビーム電流
を間接的に計算により求める方法について示した図であ
る。 １……イオン源、２……第１レンズ電極、３……第２レ
ンズ電極、４……第３レンズ電極、５……ブランキング
電極、６……ブランキングアパーチャ、７……デフレク
タ電極、８……試料、９……ステージ、10……デフレク
タコントローラ、11……ブランキングコントローラ、1
2,42,46……電流計、13,43……A/Dコンバータ、14……
タイマ、15……スイッチ回路、16……判定回路、17……
乗算回路、18……加算回路、19……除算回路、20……比
較回路、21……判定回路、22……乗算回路、23……乗算
回路、24……加算回路、25……判定回路、26……比較回
路、27……データメモリ、28……イオンビーム、29……
二次イオン、30……二次イオン検出器、31……配線、32
……層間絶縁膜、33……下層配線からの再付着物質、34
……スパッタ原子、35……再付着層、iB……ビーム電
流、iBL……ブランキングアパーチャ電流、tS……電流
サンプリング時間、ｄ……ビーム径、L1,L2……加工
巾、Ｍ……材質、ｆ（Ｚ）……材質関数、Z5……加工深
さ、ｇ（Ｄ）……加工深さ関数、Z0……目標深さ、kM…
…材質Ｍの加工速度係数、Ｖ……スパッタ体積、Ａ……
加工穴開口面積、Ｄ……ドーズ量。 36……２次電子、37……ファラデーカップ、38……２次
電子トラップ電極、39……２次電子トラップ電源、40…
…加速電源、41……引出電源、44……光データリンク、
45……CPU。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 嶋瀬 朗
神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地
株式会社日立製作所生産技術研究所内
(72)発明者 高橋 貴彦
東京都青梅市今井2326番地 株式会社日
立製作所デバイス開発センタ内
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．エネルギービームを集束偏向走査して被加工物の所
定の領域に照射し、該所定の領域を加工するエネルギー
ビーム加工方法において、所定時間ごとに前記照射する
エネルギービームを偏向させてビーム電流測定部へ照射
し、該ビーム電流測定部により前記偏向させたエネルギ
ービームの電流を測定し、該測定した前記偏向させたエ
ネルギービームの電流値から前記所定の領域に照射した
エネルギービームのドーズ量を求め、該ドーズ量と前記
被加工物の単位入射エネルギービーム量当たりのスパッ
タ体積と加工開始時の開口面積とに基づいて又は該ドー
ズ量と予め求めた加工深さとの関係に基づいて前記被加
工物の所定の領域の加工深さを算出し、該算出した加工
深さの値を予め定められた値と比較して加工の終点を検
出して前記所定の領域への前記エネルギービームの照射
を停止することを特徴とするエネルギービーム加工方
法。 ２．エネルギービームを集束偏向走査して被加工物の所
定の領域に照射し、該所定の領域を加工するエネルギー
ビーム加工方法において、前記エネルギービームを前記
被加工物の所定の領域に照射しているときに前記エネル
ギービームを集束偏向させるレンズ電極に流入する前記
エネルギービームの電流を測定し、該測定した前記レン
ズ電極に流入したエネルギービームの電流値から前記所
定の領域に照射したエネルギビームのドーズ量を求め、
該ドーズ量と前記被加工物の単位入射エネルギービーム
量当たりのスパッタ体積と加工開始時の開口面積とに基
づいて又は該ドーズ量と予め求めた加工深さとの関係に
基づいて前記被加工物の所定の領域の加工深さを算出
し、該算出した加工深さの値を予め定められた値と比較
して加工の終点を検出して前記所定の領域への前記エネ
ルギービームの照射を停止することを特徴とするエネル
ギービーム加工方法。 ３．エネルギービームを集束偏向走査して被加工物の所
定の領域に照射し、該所定の領域を加工するエネルギー
ビーム加工装置において、所定時間ごとに前記照射する
エネルギービームを偏向させ該偏向させたエネルギービ
ームの電流を測定するビーム電流測定手段と、該ビーム
電流測定手段で測定した前記偏向させたエネルギービー
ムの電流値から前記所定の領域に照射した前記エネルギ
ービームのドーズ量を求めるドーズ量算出手段と、該ド
ーズ量算出手段で求めたドーズ量と前記被加工物の単位
入射イオン量当たりのスパッタ体積と加工開始時の開口
面積とに基づいて又は該ドーズ量と予め求めた加工深さ
との関係に基づいて前記被加工物の所定の領域の加工深
さを算出して該算出した加工深さの値を予め定められた
値と比較して加工の終点を検出して前記所定の領域への
前記エネルギービームの照射を停止させる終点判定手段
とを備えたことを特徴とするエネルギービーム加工装
置。 ４．前記ビーム電流測定手段は、ブランキングアパーチ
ャにより構成されていることを特徴とする特許請求の範
囲第３項記載のエネルギービーム加工装置。 ５．前記ブランキングアパーチャは、前記エネルギービ
ームの電流の測定時に前記アパーチャに照射された前記
エネルギービームにより発生する２次電子がブランキン
グ電極の生成する電界の影響を防止するためのひさし状
の反射防止板をブランキング電極との間に有することを
特徴とする特許請求の範囲第４項記載のエネルギービー
ム加工装置。 ６．エネルギービームを集束偏向走査して被加工物の所
定の領域に照射し、該所定の領域を加工するエネルギー
ビーム加工装置において、前記エネルギービームを前記
被加工物の所定の領域に照射しているときに前記エネル
ギービームを集束偏向させるレンズ電極に流入する前記
エネルギービームの電流を測定するビーム電流測定手段
と、該ビーム電流測定手段で測定した前記レンズ電極に
流入したエネルギービームの電流値から前記所定の領域
に照射したエネルギービームのドーズ量を求めるドーズ
量算出手段と、該ドーズ量算出手段で求めたドーズ量と
前記被加工物の単位入射エネルギービームイオン量当た
りのスパッタ体積と加工開始時の開口面積とに基づいて
又は該ドーズ量と予め求めた加工深さとの関係に基づい
て前記被加工物の所定の領域の加工深さを算出して該算
出した加工深さの値を予め定められた値と比較して加工
の終点を検出して前記所定の領域への前記エネルギービ
ームの照射を停止させる終点判定手段とを備えたことを
特徴とするエネルギービーム加工装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62187507A JP2735192B2 (ja) | 1987-07-29 | 1987-07-29 | エネルギービーム加工方法及びその装置 |
| EP19880305199 EP0295065A3 (en) | 1987-06-10 | 1988-06-08 | Semiconductor integrated circuit device, method of making same or cutting method for same, and cutting system using energy beam for same |
| US07/584,180 US6753253B1 (en) | 1986-06-18 | 1990-09-18 | Method of making wiring and logic corrections on a semiconductor device by use of focused ion beams |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62187507A JP2735192B2 (ja) | 1987-07-29 | 1987-07-29 | エネルギービーム加工方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6431582A JPS6431582A (en) | 1989-02-01 |
| JP2735192B2 true JP2735192B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=16207274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62187507A Expired - Lifetime JP2735192B2 (ja) | 1986-06-18 | 1987-07-29 | エネルギービーム加工方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2735192B2 (ja) |
-
1987
- 1987-07-29 JP JP62187507A patent/JP2735192B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6431582A (en) | 1989-02-01 |
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