JPH0223081B2

JPH0223081B2 -

Info

Publication number: JPH0223081B2
Application number: JP59050461A
Authority: JP
Inventors: Noriaki Naito
Original assignee: Nippon Ferrite Ltd
Current assignee: Proterial Ltd
Priority date: 1984-03-16
Filing date: 1984-03-16
Publication date: 1990-05-22
Also published as: JPS60194801A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、集中定数型のサーキユレータおよび
アイソレータの改良に関するものである。

従来の集中定数型アイソレータの中心導体周辺
の構造を第１図に示す。フエライトコア５及びシ
ールド板６内に、互いに電気的絶縁状態で中心導
体４ａ，４ｂ，４ｃが配列されている。この中心
導体には、それぞれ、非可逆性インダクタとの並
列共振用コンデンサ３ａ，３ｂ，３ｃ及び直列共
振用として誘導性リアクタンス素子１ａ，１ｂ，
１ｃとコンデンサ２ａ，２ｂ，２ｃさらには、ダ
ミー負荷抵抗７が半田付あるいは溶接により接続
されている。

また、この従来例の等価回路を第２図に示す。

上記した様に、従来の集中定数型アイソレータ
は、コンデンサの点数が多く、組立製作時に、多
大の工数を要し、各コンデンサを高精度に取付け
ることが難しく、更に、調整には、熟練及び工数
が必要であつた。この欠点は、従来の集中定数型
サーキユレータについても同様であつた。

本発明は、上記の欠点を解消し、組立製作及び
調整を簡素化したサーキユレータおよびアイソレ
ータを得ることを目的とするものである。

本発明は、上記の目的を達成する為に、共振用
コンデンサを誘導体基板の両面に電極を形成する
ことにより、構成させるものである。例えば、
Alを主成分としたセラミツク基板にAgあるいは
Ag−Pdを電極として10μｍの膜厚に印刷し、非
可逆性インダクタとの並列共振用のコンデンサを
一つの基板で構成し、また、同様に他の一つの基
板に直列素子の誘導性リアクタンス素子との直列
共振用のコンデンサを構成させるものである。

以下、実施例により詳細に説明する。

第３図は本発明に係り一実施例に関し、イは、
非可逆性インダクタとの並列共振用コンデンサを
構成するセラミツク基板の平面図であり、ロは、
その下面図であり、ハは、誘導性リアクタンス素
子との直列共振用コンデンサを構成するセラミツ
ク基板の平面図であり、ニは、その下面図であ
る。

図に示す様に、並列共振用セラミツク基板９の
両面には、Ag又はAg−Pdを電極として印刷して
ある。そして、電極１０ａと１０ｄとの間で第１
図に示したコンデンサ３ａを構成し、同様に電極
１０ｂと１０ｄとの間で第１図に示したコンデン
サ３ｂ，及び電極１０ｃと１０ｄとの間で第１図
に示したコンデンサ３ｃを構成するものである。
また、酸化ルテニウムによりダミー負荷抵抗７を
構成し、このダミー負荷抵抗７は、スルーホール
１４により電極１０ｄに接続されている。また、
電極１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄは端子固定
用である。また、この並列共振用セラミツク基板
９の中央には、配列された中心導体を保持するフ
エライトコアを覆うシールド板が挿入可能な孔１
１ａが設けてある。

また、直列共振用セラミツク基板１３も同様
に、両面に電極が印刷されている。そして、電極
１０ｅと１０ｈとの間で第１図に示したコンデン
サ２ａ，電極１０ｆと１０ｊとの間でコンデンサ
２ｂ，電極１０ｇと１０ｉとの間でコンデンサ２
ｃを構成するものである。そして、１２ａ，１２
ｂ，１２ｃ，１２ｄは、端子取付用の孔であり、
中央には、配列された中心導体を保持するフエラ
イトコアを覆うシールド板が挿入可能な孔１１ｂ
が設けてある。

この第３図で示した並列共振用セラミツク基板
９及び直列共振用セラミツク基板１３を使用した
本発明に係る一実施例の集中定数型広帯域アイソ
レータのケース内の分解斜視図を第４図に示す。
また、第４図に示した本発明に係る一実施例のＡ
−Ａ断面図を第５図に示す。

この実施例は、電気的絶縁状態で120度の間隔
で配列された中心導体４ａ，４ｂ，４ｃに上下に
フエライトコア５を装荷し、更にその周囲をシー
ルド板６で覆い、これが並列共振用セラミツク基
板の孔１１ａに挿入されている。この際、中心導
体の非接地側片を電極１０ａ，１０ｂ，１０ｃ面
上に位置させてある。また、直列共振用セラミツ
ク基板１３は、端子取付用の孔１２ａ，１２ｂ，
１２ｃ，１２ｄに端子８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄを
取り付け、更に電極１０ｅ，１０ｆ，１０ｇと端
子８ａ，８ｂ，８ｃとの間に誘導性リアクタンス
１８ａ，１８ｂ，１８ｃを接続する。そして、こ
の両セラミツク基板９，１３を重ね、各部の接続
には、クリーム状あるいはペースト状半田（融点
100〜200℃）を用い、加熱処理を施す。また、ケ
ース１７と電極１０ｄとの接続、及びケース１７
とシールド板６との接続も同様に行う。また、シ
ールド板６の上部には、永久磁石１６を配置され
ている。

上記の様な構造のアイソレータ又は、サーキユ
レータにおいて、中心周波数、帯域幅は、各セラ
ミツク基板に印刷する電極の形、面積の設定の仕
方により調整することができる。また、各方向の
必要減衰量は、広帯域化の効果と合せ、一定の直
流磁界のもとで、誘導性リアクタンスのインピー
ダンスを加減し、容易に満足できる。

なお、本発明は、集中定数型広帯域アイソレー
タを例に説明したが、集中定数型広帯域サーキユ
レータについても同様の効果を得るものであり、
また集中定数型狭帯域アイソレータ及びサーキユ
レータにおいても同様の効果を得ることができ
る。

また、電極を形成させるには、印刷以外でも、
塗布またはその他の方法を用いてもよい。

また、誘電体基板についても、セラミツク基板
以外の誘電体基板を用いても良い。

以上詳記した如く、本発明によるアイソレータ
及びサーキユレータは従来中心導体に数多く接続
されていたコンデンサをすべてセラミツク基板で
構成することにより、組立製作の工数及び組立精
度の大幅な改善を得ることができ、またこのこと
により、調整も一定の直流磁界のもとで誘導性リ
アクタンス素子のインピーダンスのみを加減する
ことによつて満足でき、コスト低減、生産性の向
上に極めて有効なものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来の集中定数型アイソレータの構
造図であり、第２図は、第１図の等価回路であ
り、第３図は、本発明に係る一実施例の並列共振
用セラミツク基板の平面図イ及び下面図ロと、直
列共振用セラミツク基板の平面図ハ及び下面図ニ
であり、第４図は、本発明に係る一実施例の集中
定数型広帯域アイソレータのケース内の分解斜視
図であり、第５図は、第４図のアイソレータ組立
製作後のＡ−Ａ断面図である。１ａ，１ｂ，１ｃ，１８ａ，１８ｂ，１８ｃ…
…誘導性リアクタンス、２ａ，２ｂ，２ｃ，３
ａ，３ｂ，３ｃ……コンデンサ、４ａ，４ｂ，４
ｃ……中心導体、５……フエライトコア、６……
シールド板、７……ダミー負荷抵抗、８ａ，８
ｂ，８ｃ，８ｄ……端子、９……並列共振用セラ
ミツク基板、１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，
１０ｅ，１０ｆ，１０ｇ，１０ｈ，１０ｉ，１０
ｊ，１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ……電極、
１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２
ｄ……孔、１３……直列共振用セラミツク基板、
１４……スルーホール、１６……永久磁石、１７
……ケース。

Claims

【特許請求の範囲】

１中央部に電気的絶縁状態で120度の間隔で配
列された中心導体を有し、該中心導体の上下には
フエライトコア及びシールド板が装荷されている
集中定数型サーキユレータおよびアイソレータに
おいて、前記フエライトコア及びシールド板を挿
入する孔を有し、かつ両面に電極を形成しコンデ
ンサを構成する誘電体基板を２枚具備し、前記誘
電体基板の一方を並列共振用として接地側に配置
し、もう一方の誘電体基板を直列共振用として前
記並列共振用誘電体基板上に重ね、前記中心導体
の非接地側片を前記２枚の誘電体基板間の接合す
る電極間に配置したことを特徴とする集中定数型
サーキユレータおよびアイソレータ。