JPH0223081B2 - - Google Patents
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- JPH0223081B2 JPH0223081B2 JP59050461A JP5046184A JPH0223081B2 JP H0223081 B2 JPH0223081 B2 JP H0223081B2 JP 59050461 A JP59050461 A JP 59050461A JP 5046184 A JP5046184 A JP 5046184A JP H0223081 B2 JPH0223081 B2 JP H0223081B2
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- JP
- Japan
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- electrodes
- parallel resonance
- capacitor
- shield plate
- center conductor
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 12
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 16
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- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
- H01P1/38—Circulators
- H01P1/383—Junction circulators, e.g. Y-circulators
- H01P1/387—Strip line circulators
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、集中定数型のサーキユレータおよび
アイソレータの改良に関するものである。
アイソレータの改良に関するものである。
従来の集中定数型アイソレータの中心導体周辺
の構造を第1図に示す。フエライトコア5及びシ
ールド板6内に、互いに電気的絶縁状態で中心導
体4a,4b,4cが配列されている。この中心
導体には、それぞれ、非可逆性インダクタとの並
列共振用コンデンサ3a,3b,3c及び直列共
振用として誘導性リアクタンス素子1a,1b,
1cとコンデンサ2a,2b,2cさらには、ダ
ミー負荷抵抗7が半田付あるいは溶接により接続
されている。
の構造を第1図に示す。フエライトコア5及びシ
ールド板6内に、互いに電気的絶縁状態で中心導
体4a,4b,4cが配列されている。この中心
導体には、それぞれ、非可逆性インダクタとの並
列共振用コンデンサ3a,3b,3c及び直列共
振用として誘導性リアクタンス素子1a,1b,
1cとコンデンサ2a,2b,2cさらには、ダ
ミー負荷抵抗7が半田付あるいは溶接により接続
されている。
また、この従来例の等価回路を第2図に示す。
上記した様に、従来の集中定数型アイソレータ
は、コンデンサの点数が多く、組立製作時に、多
大の工数を要し、各コンデンサを高精度に取付け
ることが難しく、更に、調整には、熟練及び工数
が必要であつた。この欠点は、従来の集中定数型
サーキユレータについても同様であつた。
は、コンデンサの点数が多く、組立製作時に、多
大の工数を要し、各コンデンサを高精度に取付け
ることが難しく、更に、調整には、熟練及び工数
が必要であつた。この欠点は、従来の集中定数型
サーキユレータについても同様であつた。
本発明は、上記の欠点を解消し、組立製作及び
調整を簡素化したサーキユレータおよびアイソレ
ータを得ることを目的とするものである。
調整を簡素化したサーキユレータおよびアイソレ
ータを得ることを目的とするものである。
本発明は、上記の目的を達成する為に、共振用
コンデンサを誘導体基板の両面に電極を形成する
ことにより、構成させるものである。例えば、
Alを主成分としたセラミツク基板にAgあるいは
Ag−Pdを電極として10μmの膜厚に印刷し、非
可逆性インダクタとの並列共振用のコンデンサを
一つの基板で構成し、また、同様に他の一つの基
板に直列素子の誘導性リアクタンス素子との直列
共振用のコンデンサを構成させるものである。
コンデンサを誘導体基板の両面に電極を形成する
ことにより、構成させるものである。例えば、
Alを主成分としたセラミツク基板にAgあるいは
Ag−Pdを電極として10μmの膜厚に印刷し、非
可逆性インダクタとの並列共振用のコンデンサを
一つの基板で構成し、また、同様に他の一つの基
板に直列素子の誘導性リアクタンス素子との直列
共振用のコンデンサを構成させるものである。
以下、実施例により詳細に説明する。
第3図は本発明に係り一実施例に関し、イは、
非可逆性インダクタとの並列共振用コンデンサを
構成するセラミツク基板の平面図であり、ロは、
その下面図であり、ハは、誘導性リアクタンス素
子との直列共振用コンデンサを構成するセラミツ
ク基板の平面図であり、ニは、その下面図であ
る。
非可逆性インダクタとの並列共振用コンデンサを
構成するセラミツク基板の平面図であり、ロは、
その下面図であり、ハは、誘導性リアクタンス素
子との直列共振用コンデンサを構成するセラミツ
ク基板の平面図であり、ニは、その下面図であ
る。
図に示す様に、並列共振用セラミツク基板9の
両面には、Ag又はAg−Pdを電極として印刷して
ある。そして、電極10aと10dとの間で第1
図に示したコンデンサ3aを構成し、同様に電極
10bと10dとの間で第1図に示したコンデン
サ3b,及び電極10cと10dとの間で第1図
に示したコンデンサ3cを構成するものである。
また、酸化ルテニウムによりダミー負荷抵抗7を
構成し、このダミー負荷抵抗7は、スルーホール
14により電極10dに接続されている。また、
電極15a,15b,15c,15dは端子固定
用である。また、この並列共振用セラミツク基板
9の中央には、配列された中心導体を保持するフ
エライトコアを覆うシールド板が挿入可能な孔1
1aが設けてある。
両面には、Ag又はAg−Pdを電極として印刷して
ある。そして、電極10aと10dとの間で第1
図に示したコンデンサ3aを構成し、同様に電極
10bと10dとの間で第1図に示したコンデン
サ3b,及び電極10cと10dとの間で第1図
に示したコンデンサ3cを構成するものである。
また、酸化ルテニウムによりダミー負荷抵抗7を
構成し、このダミー負荷抵抗7は、スルーホール
14により電極10dに接続されている。また、
電極15a,15b,15c,15dは端子固定
用である。また、この並列共振用セラミツク基板
9の中央には、配列された中心導体を保持するフ
エライトコアを覆うシールド板が挿入可能な孔1
1aが設けてある。
また、直列共振用セラミツク基板13も同様
に、両面に電極が印刷されている。そして、電極
10eと10hとの間で第1図に示したコンデン
サ2a,電極10fと10jとの間でコンデンサ
2b,電極10gと10iとの間でコンデンサ2
cを構成するものである。そして、12a,12
b,12c,12dは、端子取付用の孔であり、
中央には、配列された中心導体を保持するフエラ
イトコアを覆うシールド板が挿入可能な孔11b
が設けてある。
に、両面に電極が印刷されている。そして、電極
10eと10hとの間で第1図に示したコンデン
サ2a,電極10fと10jとの間でコンデンサ
2b,電極10gと10iとの間でコンデンサ2
cを構成するものである。そして、12a,12
b,12c,12dは、端子取付用の孔であり、
中央には、配列された中心導体を保持するフエラ
イトコアを覆うシールド板が挿入可能な孔11b
が設けてある。
この第3図で示した並列共振用セラミツク基板
9及び直列共振用セラミツク基板13を使用した
本発明に係る一実施例の集中定数型広帯域アイソ
レータのケース内の分解斜視図を第4図に示す。
また、第4図に示した本発明に係る一実施例のA
−A断面図を第5図に示す。
9及び直列共振用セラミツク基板13を使用した
本発明に係る一実施例の集中定数型広帯域アイソ
レータのケース内の分解斜視図を第4図に示す。
また、第4図に示した本発明に係る一実施例のA
−A断面図を第5図に示す。
この実施例は、電気的絶縁状態で120度の間隔
で配列された中心導体4a,4b,4cに上下に
フエライトコア5を装荷し、更にその周囲をシー
ルド板6で覆い、これが並列共振用セラミツク基
板の孔11aに挿入されている。この際、中心導
体の非接地側片を電極10a,10b,10c面
上に位置させてある。また、直列共振用セラミツ
ク基板13は、端子取付用の孔12a,12b,
12c,12dに端子8a,8b,8c,8dを
取り付け、更に電極10e,10f,10gと端
子8a,8b,8cとの間に誘導性リアクタンス
18a,18b,18cを接続する。そして、こ
の両セラミツク基板9,13を重ね、各部の接続
には、クリーム状あるいはペースト状半田(融点
100〜200℃)を用い、加熱処理を施す。また、ケ
ース17と電極10dとの接続、及びケース17
とシールド板6との接続も同様に行う。また、シ
ールド板6の上部には、永久磁石16を配置され
ている。
で配列された中心導体4a,4b,4cに上下に
フエライトコア5を装荷し、更にその周囲をシー
ルド板6で覆い、これが並列共振用セラミツク基
板の孔11aに挿入されている。この際、中心導
体の非接地側片を電極10a,10b,10c面
上に位置させてある。また、直列共振用セラミツ
ク基板13は、端子取付用の孔12a,12b,
12c,12dに端子8a,8b,8c,8dを
取り付け、更に電極10e,10f,10gと端
子8a,8b,8cとの間に誘導性リアクタンス
18a,18b,18cを接続する。そして、こ
の両セラミツク基板9,13を重ね、各部の接続
には、クリーム状あるいはペースト状半田(融点
100〜200℃)を用い、加熱処理を施す。また、ケ
ース17と電極10dとの接続、及びケース17
とシールド板6との接続も同様に行う。また、シ
ールド板6の上部には、永久磁石16を配置され
ている。
上記の様な構造のアイソレータ又は、サーキユ
レータにおいて、中心周波数、帯域幅は、各セラ
ミツク基板に印刷する電極の形、面積の設定の仕
方により調整することができる。また、各方向の
必要減衰量は、広帯域化の効果と合せ、一定の直
流磁界のもとで、誘導性リアクタンスのインピー
ダンスを加減し、容易に満足できる。
レータにおいて、中心周波数、帯域幅は、各セラ
ミツク基板に印刷する電極の形、面積の設定の仕
方により調整することができる。また、各方向の
必要減衰量は、広帯域化の効果と合せ、一定の直
流磁界のもとで、誘導性リアクタンスのインピー
ダンスを加減し、容易に満足できる。
なお、本発明は、集中定数型広帯域アイソレー
タを例に説明したが、集中定数型広帯域サーキユ
レータについても同様の効果を得るものであり、
また集中定数型狭帯域アイソレータ及びサーキユ
レータにおいても同様の効果を得ることができ
る。
タを例に説明したが、集中定数型広帯域サーキユ
レータについても同様の効果を得るものであり、
また集中定数型狭帯域アイソレータ及びサーキユ
レータにおいても同様の効果を得ることができ
る。
また、電極を形成させるには、印刷以外でも、
塗布またはその他の方法を用いてもよい。
塗布またはその他の方法を用いてもよい。
また、誘電体基板についても、セラミツク基板
以外の誘電体基板を用いても良い。
以外の誘電体基板を用いても良い。
以上詳記した如く、本発明によるアイソレータ
及びサーキユレータは従来中心導体に数多く接続
されていたコンデンサをすべてセラミツク基板で
構成することにより、組立製作の工数及び組立精
度の大幅な改善を得ることができ、またこのこと
により、調整も一定の直流磁界のもとで誘導性リ
アクタンス素子のインピーダンスのみを加減する
ことによつて満足でき、コスト低減、生産性の向
上に極めて有効なものである。
及びサーキユレータは従来中心導体に数多く接続
されていたコンデンサをすべてセラミツク基板で
構成することにより、組立製作の工数及び組立精
度の大幅な改善を得ることができ、またこのこと
により、調整も一定の直流磁界のもとで誘導性リ
アクタンス素子のインピーダンスのみを加減する
ことによつて満足でき、コスト低減、生産性の向
上に極めて有効なものである。
第1図は、従来の集中定数型アイソレータの構
造図であり、第2図は、第1図の等価回路であ
り、第3図は、本発明に係る一実施例の並列共振
用セラミツク基板の平面図イ及び下面図ロと、直
列共振用セラミツク基板の平面図ハ及び下面図ニ
であり、第4図は、本発明に係る一実施例の集中
定数型広帯域アイソレータのケース内の分解斜視
図であり、第5図は、第4図のアイソレータ組立
製作後のA−A断面図である。 1a,1b,1c,18a,18b,18c…
…誘導性リアクタンス、2a,2b,2c,3
a,3b,3c……コンデンサ、4a,4b,4
c……中心導体、5……フエライトコア、6……
シールド板、7……ダミー負荷抵抗、8a,8
b,8c,8d……端子、9……並列共振用セラ
ミツク基板、10a,10b,10c,10d,
10e,10f,10g,10h,10i,10
j,15a,15b,15c,15d……電極、
11a,11b,12a,12b,12c,12
d……孔、13……直列共振用セラミツク基板、
14……スルーホール、16……永久磁石、17
……ケース。
造図であり、第2図は、第1図の等価回路であ
り、第3図は、本発明に係る一実施例の並列共振
用セラミツク基板の平面図イ及び下面図ロと、直
列共振用セラミツク基板の平面図ハ及び下面図ニ
であり、第4図は、本発明に係る一実施例の集中
定数型広帯域アイソレータのケース内の分解斜視
図であり、第5図は、第4図のアイソレータ組立
製作後のA−A断面図である。 1a,1b,1c,18a,18b,18c…
…誘導性リアクタンス、2a,2b,2c,3
a,3b,3c……コンデンサ、4a,4b,4
c……中心導体、5……フエライトコア、6……
シールド板、7……ダミー負荷抵抗、8a,8
b,8c,8d……端子、9……並列共振用セラ
ミツク基板、10a,10b,10c,10d,
10e,10f,10g,10h,10i,10
j,15a,15b,15c,15d……電極、
11a,11b,12a,12b,12c,12
d……孔、13……直列共振用セラミツク基板、
14……スルーホール、16……永久磁石、17
……ケース。
Claims (1)
- 1 中央部に電気的絶縁状態で120度の間隔で配
列された中心導体を有し、該中心導体の上下には
フエライトコア及びシールド板が装荷されている
集中定数型サーキユレータおよびアイソレータに
おいて、前記フエライトコア及びシールド板を挿
入する孔を有し、かつ両面に電極を形成しコンデ
ンサを構成する誘電体基板を2枚具備し、前記誘
電体基板の一方を並列共振用として接地側に配置
し、もう一方の誘電体基板を直列共振用として前
記並列共振用誘電体基板上に重ね、前記中心導体
の非接地側片を前記2枚の誘電体基板間の接合す
る電極間に配置したことを特徴とする集中定数型
サーキユレータおよびアイソレータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5046184A JPS60194801A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 集中定数型サ−キユレ−タおよびアイソレ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5046184A JPS60194801A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 集中定数型サ−キユレ−タおよびアイソレ−タ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60194801A JPS60194801A (ja) | 1985-10-03 |
JPH0223081B2 true JPH0223081B2 (ja) | 1990-05-22 |
Family
ID=12859508
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5046184A Granted JPS60194801A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 集中定数型サ−キユレ−タおよびアイソレ−タ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60194801A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61195601U (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-05 | ||
JPS6286706U (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-03 | ||
CN107623160A (zh) * | 2017-10-17 | 2018-01-23 | 上海馥莱电子有限公司 | 一种宽带隔离器 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5950462A (ja) * | 1982-09-16 | 1984-03-23 | Fuji Xerox Co Ltd | カラ−電子複写装置 |
JPS5950463A (ja) * | 1982-09-17 | 1984-03-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子写真複写機 |
-
1984
- 1984-03-16 JP JP5046184A patent/JPS60194801A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5950462A (ja) * | 1982-09-16 | 1984-03-23 | Fuji Xerox Co Ltd | カラ−電子複写装置 |
JPS5950463A (ja) * | 1982-09-17 | 1984-03-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子写真複写機 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60194801A (ja) | 1985-10-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |