JP2713567B2 - 光学活性ナフタレン誘導体 - Google Patents
光学活性ナフタレン誘導体Info
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はナフタレン骨格を含む新規な光学活性化合物
および該化合物を含有してなる液晶組成物に関するもの
である。 〔従来の技術〕 現在、液晶表示素子はその低電圧動作、低消費電力
性、薄形表示が可能なこと、また受光型で目が疲れない
ことなどの優れた特徴を有しており、各種表示素子とし
て広範囲に用いられている。 なかでも、ネマチィック液晶を用いたTN（Twisted Ne
matic）型表示方式が広く利用されている。しかしこの
表示方式は応答速度が遅いという欠点がある。 最近の産業技術の進展は、液晶表示素子にも高速応答
性を強く要求し、このような要求に対しては、液晶材料
の改良による種々の試みがなされている。既に上記要望
に応えるものとして、強誘電性液晶の光スイッチング現
象を利用した表示デバイスが提案されている（アプライ
ド・フィジックス・レター（Appl.Phys.Lett.,36,899
（1980））。強誘電性液晶は液晶相としてはカイラルス
メクチックＣ（SC＊）が実用上望ましいものであり、カ
イラルスメクチックＣ相を示す液晶化合物はこれまでに
もいくつか検討されており、その内で代表的なものとし
て第１表に示すものがある。 ナフタレン骨格を有する強誘電性液晶化合物に関して
は、特開昭60−248790号公報に示唆されているものの、
具体的化合物の例示は全くなされていない。またどのよ
うな骨格を有する化合物が強誘電性を有する液晶となる
のか、また強誘電性液晶となった場合、どのような物性
を示すのかに関しては全く予測することができないのが
当分野における現状である。本発明は後記の如く、該公
報に例示されている化合物に対し、ナフタレン骨格を有
する液晶化合物が著しく優れた性質を示すことを見出し
たことに基づいている。 〔発明が解決しようとする課題〕 従来の第１表の化合物は光により短時間の間に異性化
を起こしたり、また水分により加水分解を起こし液晶相
を示さなくなるという不安定要素を持つなど表示素子等
の各種光学素子として実用上好ましい特性を十分に満足
しているとは言い難い。 本発明は、液晶組成物、特に強誘電性液晶組成物とし
て好適な光および化学的安定性にすぐれた新規強誘電性
液晶物質もしくは液晶組成物の構成成分として有用な化
合物を提供するものである。 また本発明は高速応答性を有する液晶素子に適した液
晶組成物を同時に提供するものである。 〔課題を解決するための手段〕 前記の課題を解決するために本発明者らは多くの光学
活性基を含むナフタレン誘導体を合成し、検討した結果、本発明に到達した。 すなわち、本発明は一般式（Ｉ）で表わされる。 一般式（Ｉ） 〔式中、Ｘは水素原子 ハロゲン原子、メチル基、エチ
ル基またはメトキシ基であり、ＡおよびＢは少なくとも
一方は不斉炭素原子を含む独立してそれぞれ基 であり、ここでＣ環、Ｄ環はそれぞれ独立して、1,4-フ
ェニレン、2,6-ナフチレン、ピリミジン‐2,5-ジイル、
トランス‐1,4-シクロヘキシレン、トランス‐1,3-ジオ
キサン‐2,5-ジイル、トランス‐1,3-オキサチアン‐2,
5-ジイル、トランス‐1,3-ジチアン‐2,5-ジイルまたは
トランス‐1,3,2-ジオキサボリナン‐2,5-ジイル基であ
り、これらの基はハロゲン原子、シアノ基、メチル基、
エチル基またはメトキシ基により単置換あるいは多置換
されていてもよく、ｍおよびｎは０、１または２の整数
であり、Z1、Z2、Z3およびZ4はそれぞれ単結合、 −Ｏ−、−CH2−、−CH＝CH−または−Ｃ≡Ｃ−の群か
ら選んだ１種または２種以上の結合基であり、Ｙは水素
原子、ハロゲン原子、または炭素数１〜20を有する直鎖
状または分岐鎖状のアルキル基あるいはアルケニルアル
キル基（但し、ＡおよびＢ中のｍおよびｎが同時に０で
ある場合は、Ｙは炭素数２〜20の直鎖または分岐鎖状の
アルキル基あるいはアルケニルアルキル基である）（こ
れらのアルキル基中の１個のCH2基または隣接していな
い２個のCH2基は−Ｏ−、 により置き換えられていてもよく、また１個の水素原子
はハロゲン原子あるいはアルコキシル基に置き換えられ
ていてもよい）である。但し、ＡがRO−、 （式中、Ｒはアルキル基を表し、Ｗは水素原子またはハ
ロゲン原子を表す）であり、A,Bに含まれるアルキル基
の少なくとも一方は不斉炭素原子を含む下記式で表され
る炭素数４〜８の光学活性なアルキル基であり、 （ここで、ｐは０〜３の整数、ｑは１または２の整数を
示し、＊は不斉炭素原子を示す） 且つ、他方のアルキル基が炭素数４〜18のアルキル基を
表す場合、および、ＡがＲ′−（Ｒ′は炭素数４〜10の
アルキル基）であり、 （＊は不斉炭素原子を示す）である場合を除く。〕で示
される光学活性ナフタレン誘導体および該化合物を少な
くとも一種含有する液晶組成物である。 一般式（Ｉ）の化合物の多くは強誘電性液晶相として
重要なカイラルスメクチックＣ相を単独で示す。 また一般式（Ｉ）の化合物の中にはスメクチックＡ相
および（または）カイラルネマチック（コレステリッ
ク）相のみを示しカイラルスメクチックＣ相を示さない
もの、あるいは単独では液晶相を示さないものも存在す
るが、これらは複数の（Ｉ）式で表わされる化合物の配
合、あるいは他のカイラルスメクチック液晶化合物、さ
らには他のスメクチック液晶化合物等との配合等によ
り、強誘電性を示す液晶組成物として用いることができ
る。 一般式（Ｉ）においてＡおよびＢのナフタレン環に置
換する位置についてはＡおよびＢが１位と４位、１位と
５位または２位と６位に置換しているのが好ましく、２
位と６位に置換しているのがより好ましい。 またＸは水素原子、ハロゲン原子またはメチル基が好
ましい。 一般式（Ｉ）においてＡおよびＢ中のZ1、Z2、Z3およ
びZ4は単結合、 −Ｏ−、−CH2−、−CH＝CH−または−Ｃ≡Ｃ−の中か
ら１種又は２種以上を任意に選択できるが光化学的ある
いは化学的安定性を考慮すると、単結合、 −Ｏ−または−CH2−が好ましく、さらに−Z1−Z2−基
および−Z3−Z4−基が単結合、 または−OCH2−であるのがより好ましい。 Ｃ環、Ｄ環は1,4-フェニレン、2,6-ナフチレン、ピリ
ミジン‐2,5-ジイル、トランス‐1,4-シクロヘキシレ
ン、トランス‐1,3-ジオキサン‐2,5-ジイル、トランス
‐1,3-オキサチン‐2,5-ジイル、トランス‐1,3-ジチア
ン‐2,5-ジイルまたはトランス‐1,3,2-ジオキサボリナ
ン‐2,5-ジイル基あるいはそれらの水素原子がハロゲン
原子、シアノ基、メチル基、エチル基またはメトキシ基
で単置換または多置換された基より任意に選択すること
ができるが、好ましくは1,4-フェニレン、2,6-ナフチレ
ン、ピリミジン‐2,5-ジイル、トランス‐1,4-シクロヘ
キシレンまたはトランス‐1,3,2-ジオキサボリナン基あ
るいはそれらのハロゲン原子、シアノ基、メチル基、エ
チル基またはメトキシ基により置換された基であり、さ
らに好ましくは1,4-フェニレン、2,6-ナフチレンまたは
トランス‐1,4-シクロヘキシレン基あるいはそれらのハ
ロゲン原子、シアノ基、メチル基、エチル基またはメト
キシ基により置換された基である。 またＡおよびＢ中のｍおよびｎは０、１または２の整
数であるが、より好ましくはｍ＋ｎ≦２を満たす。 一般式（Ｉ）で示される化合物の中で特に好ましい化
合物を一般式で示すと次の通りである。 このタイプの具体的一般式としては このタイプの具体的一般式としては このタイプの具体的一般式としては このタイプの具体的一般式としては このタイプの具体的一般式としては このタイプの具体的一般式としては （但し、R1およびR2は少なくとも一方は光学活性基を含
む、独立してそれぞれ基−Ｒ、−OR、 であり、ここでＲは水素原子、ハロゲン原子又は炭素数
１〜20個（但し、一般式（12−０）の場合は２〜20個）
を有する直鎖状または分岐鎖状のアルキル基、アルコキ
シアルキル基、ハロゲノアルキル基、アルケニルアルキ
ル基、アルコキシカルボニルアルキル基を示し、X1、X2
は水素原子、ハロゲン原子、メチル基、エチル基または
メトキシ基、X3〜X6は水素原子、ハロゲン原子、メチル
基、エチル基、シアノ基またはメトキシ基であり、Ｚは
単結合、 CH2O−、または−OCH2−基を示す。） 一般式（Ｉ）の化合物には少なくとも１個以上の不斉
炭素原子が存在するが、それはＡおよび（または）Ｂ中
のＹの中に存在するのが好ましい。Ｙは水素原子、ハロ
ゲン原子または炭素数１〜20個を有する直鎖状あるいは
分岐鎖状のアルキル基またはアルケニルアルキル基（但
し、ＡおよびＢ中のｍおよびｎが同時に０である場合
は、Ｙは炭素数２〜20の直鎖または分岐鎖状のアルキル
基あるいはアルケニルアルキル基である）であり、さら
にこれらのアルキル基中の１個のCH2基または隣接して
ない２個のCH2基は−Ｏ−、 または により置き換えられていてもよく、また１個の水素原子
はハロゲン原子、シアノ基あるいはアルコキシル基に置
き換えられていてもよく、より好ましくはＹは水素原
子、ハロゲン原子または炭素数１〜20個を有する直鎖状
あるいは分岐鎖状のアルキル基またはアルケニルアルキ
ル基（これらのアルキル基中の１個のCH2基または隣接
していない２個のCH2基は−Ｏ−または に、また１個の水素原子はハロゲン原子あるいはアルコ
キシル基に置き換えられていてもよい。）である。 不斉炭素原子としては、すべての光学活性物質が有用
であるが、特に光学活性アルコール類および光学活性カ
ルボン酸類が出発原料として有用である。 光学活性アルコール類としては例えば、光学活性2-メ
チル‐ブタノール、光学活性3-メチル‐ペンタノール、
光学活性4-メチル‐ヘキサノール、光学活性5-メチル‐
ヘプタノール、光学活性6-メチル‐オクタノール、光学
活性シトロネロール、光学活性3,7-ジメチルオクタノー
ル、光学活性2-ブタノール、光学活性2-ペンタノール、
光学活性2-ヘキサノール、光学活性2-ヘプタノール、光
学活性2-オクタノール、光学活性2-ノナノール、光学活
性2-デカノール、光学活性2-ウンデカノール、光学活性
2-ドデカノール、光学活性2-メチル‐ペンタノール、光
学活性2-メチル‐ヘキサノール、光学活性2-アルキルオ
キシプロパノール、光学活性3-アルキルオキシブタノー
ル、光学活性3-アルキルオキシペンタノール、光学活性
乳酸エステル、光学活性3-ヒドロキシ‐2-メチル‐プロ
パン酸エステル、光学活性3-ヒドロキシブタン酸エステ
ル、光学活性3-ヒドロキシペンタン酸エステル、光学活
性2-ハロゲノ‐プロパノール、光学活性2-ハロゲノ‐ブ
タノール、光学活性2-ハロゲノ‐ペンタノール、光学活
性2-ハロゲノ‐ヘキサノール、光学活性2-ハロゲノ‐ヘ
プタノール、光学活性2-ハロゲノ‐オクタノール、光学
活性2-ハロゲノ‐ノナノール、光学活性2-ハロゲノ‐デ
カノール、光学活性2-ハロゲノ‐ウンデカノール、光学
活性2-ハロゲノ‐ドデカノールが有用である。 光学活性カルボン酸としては例えば光学活性2-メチル
‐ブタン酸、光学活性3-メチル‐ペンタン酸、光学活性
4-メチル‐ヘキサン酸、光学活性2-メチル‐ペンタン
酸、光学活性3,7-ジメチル‐オクタン酸、光学活性3-メ
チル‐2-ハロゲノ‐ペンタン酸、光学活性4-メチル‐2-
ハロゲノ‐ブタン酸、光学活性2-アルキルオキシ‐プロ
パン酸、光学活性3-アルキルオキシ‐ブタン酸、光学活
性3-アルキルオキシ‐ペンタン酸が有用である。 本発明によって提供される液晶組成物は一般式（Ｉ）
で表わされる本発明の化合物２種以上を組み合わせて構
成することができるが、次の一般式（II）で表わされる
化合物と任意に組み合わせても構成することができる。 （式中、ＥおよびＦ環はそれぞれ独立して基 （Ｇは水素原子、ハロゲン原子、シアノ基またはメチル
基）であり、ａおよびｂはそれぞれ０、１または２の整
数でありZ5、Z6およびZ7は単結合、−Ｏ−、 −CH2O−、−OCH2−または−CH2CH2−であり、Ｒおよび
Ｒ′は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基あるいは１〜
20個の炭素原子よりなるアルキル基、アルコキシル基、
光学活性アルキル基、光学活性アルコキシル基、光学活
性アルコキシアルキル基、光学活性アルケニルアルキル
基または光学活性ハロゲノアルキル基である。） 本発明の一般式（Ｉ）で表わされる化合物でカイラル
スメクチックＣ相を単独で示す化合物の構成成分として
の割合は５重量％以上が好ましい。10重量％存在すれ
ば、公知の液晶化合物の応答速度を非常に速める。SC＊
相を表わさない構成成分の割合としては50重量％未満が
好ましい。 一般式（Ｉ）の化合物は文献（たとえば、ホーベン・
ヴェィルによるメトーデン・デル・オルガニッシェン・
ヘミーのような標準的学術書）に記載されている各単位
操作それ自体既知である方法に準じ組合せて製造でき
る。この点に関しては本明細書に詳細には記載されてい
ないそれ自体既知の変形方法もまた用いることができ
る。 式（Ｉ）中のＡまたは（および）Ｂの−Z1−Z2−が または（および） の場合、原料物質として好ましくは式（III）、（IV）
の化合物 そして（Ｖ）〜（VIII）の化合物である。 （Ｘ、Z1、Z2、Z3、Z4、環Ｃ、ＤおよびＹは前記と同
じ） すなわち式（III）の化合物と式（VI）あるいは（VII
I）の化合物または式（IV）の化合物と式（Ｖ）あるい
は式（VII）の化合物とで通常用いられるエステル化の
方法により一般式（Ｉ）の化合物を製造できる。たとえ
ばカルボン酸化合物式（IV）、（VI）および（VIII）の
化合物をカルボン酸ハロライド（特にクロライド、ブロ
マイド）あるいはカルボン酸無水物等の反応性誘導体と
した後に式（III）、（Ｖ）あるいは（VII）の化合物と
反応させる方法である。 Ａまたは（および）Ｂの−Z1−Z2−が−CH2O−または
（および）−OCH2−の場合、原料物質として好ましくは
式（III）、（Ｖ）、（VII）の化合物および式（IX），
（Ｘ）、（XI）の化合物である。 エーテル化の反応は通常用いられる方法、たとえば塩
基（水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水素化ナトリ
ウム、水素化カリウム等）存在下、ヒドロキシ化合物を
ハロゲン化物等の反応性アルキル誘導体と反応させて製
造できる。 第２表に本発明の化合物の代表的化合物を列挙する。 〔実施例〕 以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、勿
論、本発明の主旨と適用範囲はこれらの実施例によって
限定されるものではない。 表中、Ｃは結晶相、SC＊はカイラルスメクチックＣ
相、SAはスメクチックＡ相、Chはコレステリック（カイ
ラルネマティック）相、Ｉは等方性液体、そしてSXは素
性不明のスメクチック相を表わし、各相の・印とその右
側の数字がその相から右側の相への転移温度を示し、−
印はその相を示さないことを意味する。なお、（ ）内
の値はモノトロピック相転移温度である。また＊は不斉
炭素原子を表わす。 実施例１ （Ｒ）‐6-ベンジルオキシナフタレン‐2-カルボン酸
１′‐メチル‐ヘプチルエステルの製造 6-ベンジルオキシナフタレン‐2-カルボン酸65gを500
mlのベンゼン中、50gのシュウ酸塩化物と４時間加熱還
流した後過剰のシュウ酸塩化物とベンゼンを減圧下留去
し、酸塩化物を得た。この酸塩化物を100mlのベンゼン
に溶解し、この溶液に（Ｒ）‐2-オクタノール30gをピ
リジン30mlに溶解した溶液を加え、室温で８時間放置し
た。析出したピリジン塩酸塩を濾別した後有機層を2N-
塩酸、2N-水酸化ナトリウム水溶液を洗い、さらに中性
になるまで水洗した。有機層を分離し、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥させベンゼンを減圧下留去した後、残渣を
エタノールより再結晶し、目的とする（Ｒ）‐6-ベンジ
ルオキシナフタレン‐2-カルボン酸１′‐メチル‐ヘプ
チルエステル80gを得た。 この化合物の相転移温度は第３表に示した。 またこの化合物の元素分析値は次のとおり理論値とよ
く一致した。 理論値（C26H30O9として） 分析値 Ｃ 79.9％ 79.89％ Ｈ 7.74％ 7.70％ 実施例２〜７ 実施例１において（Ｒ）‐2-オクタノールの代りに種
々の光学活性アルコールを使用し、同様の反応を行なう
ことにより種々の光学活性‐6-ベンジルオキシナフタレ
ン‐2-カルボン酸アルキルエステルを製造した。その物
性値である相転移温度を第３表に示した。 実施例９ （Ｒ）‐6-（４′‐デシルオキシフェニルカルボニルオ
キシ）‐2-ナフタレンカルボン酸１″‐メチル‐ヘプチ
ルエステルの製造 （ｉ）実施例１で製造した（Ｒ）‐6-ベンジルオキシナ
フタレン‐2-カルボン酸１′‐メチル‐ヘプチルエステ
ル30gを200mlのエタノールに溶解し、５％‐パラジウム
／炭素4gの存在下常圧、40℃で水素化した。パラジウム
／炭素を濾別後溶媒を減圧下留去し、融点67〜68℃の脱
ベンジル化生成物23gを得た。 （ii）（ｉ）で得た生成物（Ｒ）‐6-ヒドロキシナフタ
レン‐2-カルボン酸１′‐メチル‐ヘプチルエステル4.
0g、4-デシルオキシ安息香酸3.7g、N,N′‐ジシクロヘ
キシルカルボジイミド2.6g及び10mlの4-ピロリジノピリ
ジンを50mlのクロロホルムに溶解し、８時間室温に放置
した。副生したN,N′‐ジシクロヘキシル尿素を濾別後
有機層を2N-塩酸、2N-水酸化ナトリウム水溶液で洗浄し
さらに水洗した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥
し、溶媒を留去し粗生成物を得た。このものをベンゼン
を溶出液としシリカゲルカラムクロマトグラフィーを用
い精製した。さらにエタノールより再結晶し無色針状の
結晶として目的とする（Ｒ）‐6-（４′‐デシルオキシ
フェニルカルボニルオキシ）‐2-ナフタレンカルボン酸
１″‐メチル‐ヘプチルエステル5.0gを得た。収率67
％。この化合物の相転移温度は第３表に示した。またこ
の化合物の元素分析値は次のとおり理論値とよく一致し
ている。 理論値（C36H48O5として） 分析値 Ｃ 77.11％ 77.25％ Ｈ 8.63％ 8.59％ またSC＊−SA転移温度よりも10℃低い温度で求めた自
発分極（Ps）の値は87nC/cm2であった。 実施例10〜19 実施例９の（ii）において、4-デシルオキシ安息香酸
の代わりに各種4-アルキルオキシ安息香酸、4-アルキル
安息香酸あるいは4-アルキルオキシ‐3-ハロゲノ安息香
酸を用いることにより各種のエステル化合物を製造し
た。その物性値である相転移温度は第３表にまとめて示
した。 実施例20〜37 実施例９（ｉ）に示した方法に準じた方法により製造
した種々光学活性‐6-ヒドロキシナフタレン‐2-カルボ
ン酸アルキルエステル、あるいは各種光学活性‐6-ヒド
ロキシ‐5-ハロゲノナフタレン‐2-カルボン酸アルキル
エステルと種々の4-アルコキシ安息香酸、4-アルコキシ
‐3-ハロゲノ安息香酸、あるいは4-光学活性アルコキシ
安息香酸とを実施例９（ii）に示した方法に準じた方法
により各種エステル化合物を製造した。その物性値であ
る相転移温度は第３表に示した。 実施例39 （ｓ）‐6-（２′‐メチル‐ブチルオキシ）‐2-ナフチ
ル‐４″‐デシルオキシ安息香酸エステルの製造 4-デシルオキシ安息香酸1.0g、（ｓ）‐6-（２′‐メ
チル‐ブチルオキシ）‐2-ナフトール750mg、N,N′‐ジ
シクロヘキシルカルボジイミド700mgおよび4-ピロリジ
ノピリジン20mgを50mlの塩化メチレンに入れ室温で４時
間放置した。副生したN,N′‐ジシクロヘキシルウレア
を濾別した後、有機層を５％塩酸、５％水酸化ナトリウ
ム水溶液、水の順で洗浄し、無水硫酸マグネシウムを用
いて乾燥させた。塩化メチレンを留去した後、残渣をベ
ンゼンを溶出液とし、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーを用い精製した。さらに得られた結晶をエタノール
より２回再結晶を行い750mg無色針状晶の結晶として、
目的とする（ｓ）‐6-（２′‐メチルブチルオキシ）‐
2-ナフチル‐４″‐デシルオキシ安息香酸エステルを得
た。収率47％であった。このものの相転移温度は第３表
に示した。元素分析値は次の如くであり理論値とよく一
致している。 理論値（C32H42O4として） 分析値 Ｃ 78.33％ 78.41％ Ｈ 8.63％ 8.72％ またSC＊−SA転移温度よりも10℃低い温度で求めた自
発分極（Ps）の値は2nC/cm2であった。 実施例40〜49 実施例39において4-デシルオキシ安息香酸の代わりに
種々の4-アルコキシ安息香酸あるいは4-アルキル安息香
酸を用いた他は実施例39の方法に従い各種の光学活性エ
ステル化合物を製造した。その物性値である相転移温度
は第３表に示した。 実施例50〜67及び71〜73 各種光学活性6-アルキルオキシ‐2-ナフトール、ある
いは光学活性6-アルコキシアルキルオキシ‐2-ナフトー
ルと4-アルコキシ安息香酸、または各種6-アルコキシ‐
2-ナフトールと光学活性4-アルコキシ安息香酸とを実施
例39に記載した方法に準じて反応させ各種光学活性エス
テルを製造した。その物性値である相転移温度は第３表
に示した。 実施例74 （ｓ）‐４′‐（２″‐メチルブチル）フェニル‐6-ブ
チルオキシナフタレン‐2-カルボン酸エステルの製造 6-ブチルオキシナフタレン‐2-カルボン酸2.4g、
（ｓ）‐4-（２′‐メチルブチル）フェノール1.6g、N,
N′‐ジシクロヘキシルカルボジイミド2.1gおよび4-ピ
ロリジノピリジン50mgを50mlの塩化メチレンに溶かし、
室温で15時間放置した。副生したN,N′‐ジシクロヘキ
シル尿素を濾別した後、有機層を５％塩酸、５％水酸化
ナトリウム水溶液、水の順で洗浄し無水硫酸マグネシウ
ムを用い乾燥させた。塩化メチレンを留去した後、残渣
をベンゼンを溶出液とし、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーを用い精製した。さらに得られた液晶をエタノ
ールより２回再結晶し、2.1gの無色針状晶の結晶として
目的とする（ｓ）‐４′‐（２″‐メチルブチル）フェ
ニル‐6-ブチルオキシナフタレン‐2-カルボン酸エステ
ルを得た。収率54％ この化合物の相転移温度は第３表に示した。またこの
化合物の元素物性値は次の通り理論値とよく一致した。 理論値（C26H30O3として） 分析値 Ｃ 80.00％ 80.10％ Ｈ 7.69％ 7.70％ 実施例75 （ｓ）‐４′‐（２″‐メチルブチル）フェニル‐6-ヘ
プチルオキシナフタレン‐2-カルボン酸エステルの製造 実施例74において、6-ブチルオキシナフタレン‐2-カ
ルボン酸の代わりに、6-ヘプチルオキシナフタレン‐2-
カルボン酸を使用した以外は、実施例74に示した方法に
従い、（ｓ）‐４′‐（２″‐メチルブチル）フェニル
‐6-ヘプチルオキシナフタレン‐2-カルボン酸エステル
を製造した。 物性値である相転移温度は第３表に示した。 実施例76 （ｓ）‐４′‐フルオロフェニル‐６′‐（１″‐メチ
ルヘプチルオキシ）ナフタレン‐2-カルボン酸エステル
の製造 実施例74において、6-ブチルオキシナフタレン‐2-カ
ルボン酸の代わりに（ｓ）‐6-（１′‐メチルヘプチル
オキシ）ナフタレン‐2-カルボン酸を使用し、さらに、
（ｓ）‐4-（２″‐メチルブチル）フェノールの代わり
に4-フルオロフェノールを使用した以外は、実施例74に
示した方法に従い、（ｓ）‐４′‐フルオロフェニル‐
6-（１″‐メチルヘプチルオキシ）ナフタレン‐2-カル
ボン酸エステルを製造した。 物性値である相転移温度は第３表に示した。 実施例77 （Ｒ）‐4-〔６′‐（２″‐ブチルオキシエチルオキ
シ）‐２′‐ナフトイルオキシ〕安息香酸‐１‐メチ
ルプロピルエステルの製造 （Ｒ）‐4-ヒドロキシ安息香酸‐１″‐メチルプロピ
ルエステル1.9g、6-（２′‐ブチルオキシエチルオキ
シ）‐2-ナフタレンカルボン酸2.9g、N,N′‐ジシクロ
ヘキシルカルボジイミド2.1gおよび4-ピロリジノピリジ
ン50mgを30mlの塩化メチレンに溶かし、室温で10時間放
置した。副生したN,N′‐ジシクロヘキシル尿素を濾別
した後、有機層を５％塩酸、５％水酸化ナトリウム水溶
液、水の順で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを用い
乾燥させた。塩化メチレンを留去した後、残渣をベンゼ
ンを溶出液とし、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
により精製し、得られた結晶をエタノールより再結晶
し、無色針状晶の結晶として目的とする（Ｒ）‐4-
〔６′‐（２″‐ブチルオキシエチルオキシ）‐２′‐
ナフトイルオキシ〕安息香酸‐１‐メチルプロピルエ
ステルを2.3g得た。収率50％ この化合物の相転移温度は第３表に示した。またこの
化合物の元素分析値は次のとおり理論値とよく一致し
た。 理論値（C28H32O6として） 分析値 Ｃ 72.41％ 72.50％ Ｈ 6.90％ 6.91％ 実施例78〜83 実施例77において、6-（２′‐ブチルオキシエチルオ
キシ）ナフタレン‐2-カルボン酸を使用する代わりに、
各種6-アルキルオキシナフタレン‐2-カルボン酸を使用
し、さらに、（Ｒ）‐4-ヒドロキシ安息香酸‐１′‐メ
チルプロピルエステルの代わりに、（Ｒ）‐4-ヒドロキ
シ安息香酸‐１′‐メチルペンチルエステルまたは
（Ｒ）‐4-ヒドロキシ安息香酸‐１′‐メチルヘキシル
エステルを使用した以外は、実施例77に記載した方法に
従い、各種エステル化合物を製造した。その物性値であ
る相転移温度は第３表に示した。 実施例84 （Ｒ）‐6-（４″‐ヘプチルビフェニル‐４′‐カルボ
ニルオキシ）‐2-ナフタレンカルボン酸‐１‐メチル
プロピルエステルの製造 ４′‐ヘプチルビフェニル‐4-カルボン酸3.0gと20ml
の塩化チオニルを300mlのベンゼン中で、５時間加熱還
流後、過剰の塩化チオニルとベンゼンを減圧下留去し
た。残渣のカルボン酸クロライドに、（Ｒ）‐6-ヒドロ
キシナフタレン‐2-カルボン酸‐１′‐メチルプロピル
エステル2.5gと30mlのピリジンおよび300mlのベンゼン
を加え、５時間加熱還流した。 室温にまで冷却後、ピリジン塩酸塩を濾別後、濾液を
水、10％塩酸、飽和NaHCO3水、水の順で洗浄した後、無
水硫酸マグネシウムを用い乾燥させた。ベンゼンを留去
後、ベンゼンを溶出液とし、シリカゲルカラムクロマト
グラフィーを用い、分離精製した。さらに得られた結晶
をエタノール‐酢酸エチルエステルより再結晶し、2.9g
の無色の結晶として目的の（Ｒ）‐6-（４″‐ヘプチル
ビフェニル‐４′‐カルボニルオキシ）‐2-ナフタレン
カルボン酸‐１‐メチルプロピルエステルを得た。収
率55％ この化合物の相転移温度は第４表に示した。またこの
化合物の元素分析値は次の通り理論値とよく一致した。 理論値（C35H38O4として） 分析値 Ｃ 80.50％ 80.65％ Ｈ 7.28％ 7.24％ 実施例85 （Ｒ）‐6-（４″‐オクチルビフェニル‐４′‐カルボ
ニルオキシ）‐2-ナフタレンカルボン酸‐１‐メチル
プロピルエステルの製造 実施例84において、４′‐ヘプチルビフェニル‐4-カ
ルボン酸の代わりに４′‐オクチルビフェニル‐4-カル
ボン酸を使用した以外は、実施例84に示した方法に従
い、（Ｒ）‐6-（４″‐オクチルビフェニル‐４′‐カ
ルボニルオキシ）‐2-ナフタレンカルボン酸‐１‐メ
チルプロピルエステルを製造した。 物性値である相転移温度は第４表に示した。 実施例86〜93 実施例84において、４′‐ヘプチルビフェニル‐4-カ
ルボン酸の代わりに、種々の４′‐アルキルオキシビフ
ェニル‐4-カルボン酸あるいは４′‐アルキルビフェニ
ル‐4-カルボン酸あるいは３′‐ハロゲノ‐４′‐アル
キルオキシビフェニル‐4-カルボン酸を使用し、さらに
（Ｒ）‐6-ヒドロキシナフタレン‐2-カルボン酸‐１′
‐メチルプロピルエステルの代わりに、（Ｒ）‐6-ヒド
ロキシナフタレン‐2-カルボン酸‐１′‐メチルヘプチ
ルエステルを使用した以外は、実施例84に示した方法に
従い、各種光学活性エステル化合物を製造した。その物
性値である相転移温度は第４表に示した。 実施例94 （Ｓ）‐6-（２′‐メチルブチルオキシ）‐2-ナフチル
‐４″‐オクチルオキシビフェニル‐４‐カルボン酸
エステルの製造 ４′‐オクチルオキシビフェニル‐4-カルボン酸400m
g、（Ｓ）‐6-（２′‐メチルブチルオキシ）‐2-ナフ
トール290mg、N,N′‐ジシクロヘキシルカルボジイミド
260mgおよび4-ピロリジノピリジン20mgを30mlの塩化メ
チレンに入れ室温で20時間放置した。副生したN,N′‐
ジシクロヘキシルウレアを濾別した後、有機層を、５％
塩酸、５％水酸化ナトリウム水溶液、水の順で洗浄し、
無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥させた。 塩化メチレンを留去した後、残渣をベンゼンを溶出液
とし、シリカゲルカラムクロマトグラフィーを用いて精
製した。さらに得られた結晶をエタノール‐酢酸エチル
より再結晶し280mgの無色針状晶状の結晶として目的の
（Ｓ）‐6-（２′‐メチルブチルオキシ）‐2-ナフチル
‐４″‐オクチルオキシビフェニル‐４‐カルボン酸
エステルを得た。その収率は42％であり、相転移温度は
第４表に示した。また元素分析値は次のとおり理論値と
よく一致している。 理論値（C36H42O4として） 分析値 Ｃ 80.26％ 80.07％ Ｈ 7.86％ 7.85％ またSC＊−SA転移温度より10℃低い温度で求めた自発分
極（Ps）の値は2nc/cm2であった。 実施例95〜99 実施例94において４′‐オクチルオキシビフェニル‐
4-カルボン酸の代わりに種々の４′‐アルキルオキシビ
フェニル‐4-カルボン酸あるいは光学活性４′‐アルキ
ルオキシビフェニル‐4-カルボン酸を使用しさらに
（Ｓ）‐6-（２′‐メチルブチルオキシ）‐2-ナフトー
ルの代わりに種々光学活性6-（アルキルオキシ）‐2-ナ
フトールあるいは6-アルキルオキシ‐2-ナフトールある
いは6-アルキル‐2-ナフトールを使用し実施例94に記載
した方法に従い各種光学活性エステル化合物を製造し
た。その物性値である相転移温度は第４表に示した。 実施例100 （Ｓ）‐6-デシルオキシ‐2-ナフチル‐６′‐（２″‐
メチルブチルオキシ）ナフタレン‐２′‐カルボン酸エ
ステルの製造 （Ｓ）‐6-（２′‐メチルブチルオキシ）‐ナフタレ
ン‐2-カルボン酸300mg、6-デシルオキシ‐2-ナフトー
ル350mg、N,N′‐ジシクロヘキシルカルボジイミド240m
g、4-ピロリジノピリジン10mgを20mlの塩化メチレンに
入れ室温で３時間放置した。副生したN,N′‐ジシクロ
ヘキシルウレアを濾別後、有機層を５％塩酸、５％水酸
化ナトリウム水溶液、水の順で洗浄し無水硫酸マグネシ
ウムを用い乾燥させた。塩化メチレンを留去後残渣をベ
ンゼンを溶出液としシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーを用い精製した。さらに得られた結晶をエタノール‐
酢酸エチルより再結晶し320mgの無色針状の結晶として
目的とする（Ｓ）‐6-デシルオキシ‐2-ナフチル‐６′
‐（２″‐メチルブチルオキシ）ナフタレン‐２′‐カ
ルボン酸エステルを得た。収率51％。この化合物の相転
移温度は第５表に示した。また元素分析値は次のとおり
理論値とよく一致している。 理論値（C36H44O4として） 分析値 Ｃ 79.96％ 80.03％ Ｈ 8.20％ 8.15％ 実施例101 実施例100において（Ｓ）‐6-（２′‐メチルブチル
オキシ）‐ナフタレン‐2-カルボン酸の代りに（Ｓ）‐
6-（４′‐メチルヘキシルオキシ）‐ナフタレン‐2-カ
ルボン酸を使用した以外は実施例100に記載した方法に
より光学活性エステル化合物を製造した。その物性値で
ある相転移温度は第５表に示した。 実施例102 （Ｒ）‐6-（トランス‐４′‐ブチルシクロヘキシルカ
ルボニルオキシ）‐2-ナフタレンカルボン酸１″‐メチ
ル‐ヘプチルエステルの製造 トランス‐4-ブチルシクロヘキシルカルボン酸1g、
（Ｒ）‐6-ヒドロキシナフタレン‐2-カルボン酸１′‐
メチル‐ヘプチルエステル1.7g、N,N′‐ジシクロヘキ
シルカルボジイミド1.2g及び20mgの4-ピロリジノピリジ
ンを50mlのクロロホルムに溶解し、８時間室温に放置し
た。副生したN,N′‐ジシクロヘキシル尿素を濾別後、
有機層を2N-塩酸、2N-水酸化ナトリウム水溶液で洗浄し
さらに水洗した。このものをベンゼンを溶出液としシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーを用い精製し、無色の
油状物として目的とする（Ｒ）‐6-（トランス‐４′‐
ブチルシクロヘキシルカルボニルオキシ）‐2-ナフタレ
ンカルボン酸１″‐メチル‐ヘプチルエステルを1.2g得
た。収率47％。この化合物の相転移温度は第６表に示し
た。またこの化合物の元素分析値は次のとおり理論値と
よく一致している。 理論値（C30H42O4として） 分析値 Ｃ 77.21％ 77.25％ Ｈ 9.07％ 9.10％ 実施例103 実施例102においてトランス‐4-ブチルシクロヘキシ
ルカルボン酸の代りにトランス‐4-ノニルシクロヘキシ
ルカルボン酸を使用した以外は実施例102に記載した方
法により光学活性エステル化合物を製造した。その物性
値である相転移温度は第６表に示した。 実施例104〜107 実施例102においてトランス‐4-ブチルシクロヘキシ
ルカルボン酸の代りに種々のトランス‐4-アルキルシク
ロヘキシルカルボン酸を用いさらに（Ｒ）‐6-ヒドロキ
シナフタレン‐2-カルボン酸１′‐メチル‐ヘプチルエ
ステルの代りに種々の光学活性6-ヒドロキシナフタレン
‐2-カルボン酸アルキルエステルを使用し実施例102に
記載した方法に従い各種光学活性エステル化合物を製造
した。その物性値である相転移温度は第６表に示した。 実施例108 （ｓ）‐6-オクチルナフタレン‐2-カルボン酸‐２″‐
メチルブチルエステルの製造 6-オクチルナフタレン‐2-カルボン酸2.8gと5mlの塩
化チオニルを50mlのトルエン中、５時間加熱還流した。
トルエンおよび過剰の塩化チオニルを減圧下留去した
後、残渣を20mlのトルエンに溶解し、1gの（ｓ）‐2-メ
チルブタノールを含む10mlのピリジン溶液に加え、10時
間室温で撹拌した。反応混合物を20％塩酸、10％水酸化
ナトリウム水溶液および水の順で洗浄した。有機層を無
水硫酸マグネシウムで乾燥後、トルエンを留去し残渣の
オイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精
製し、（ｓ）‐6-オクチルナフタレン‐2-カルボン酸‐
２″‐メチルブチルエステル1.9gを得た。収率55％。 この化合物の相転移温度は第７表に示した。 またこの化合物の元素分析値は次のとおり理論値とよ
く一致した。 理論値（C24H34O3として） 分析値 Ｃ 81.36％ 81.51％ Ｈ 9.60％ 9.55％ 実施例109〜119 実施例108において、6-オクチルナフタレン‐2-カル
ボン酸の代りに種々の6-アルキルオキシナフタレン‐2-
カルボン酸を使用し、さらに（ｓ）‐2-メチル‐ブタノ
ールの代りに種々の光学活性アルコール類を使用し実施
例108に記載した方法により各種光学活性エステルを製
造した。その物性値である相転移温度は第７表に示し
た。 実施例120 （ｓ）‐4-メチルカプロン酸‐２′‐（６′‐デシルオ
キシ）ナフチルエステルの製造 6-デシルオキシ‐2-ナフトール600mg、（ｓ）‐4-メ
チルカプロン酸260mg、N,N′‐ジシクロヘキシルカルボ
ジイミド420mgおよび4-ピロリジノピリジン10mgを15ml
の塩化メチレンに入れ室温で２時間放置した。副生した
N,N′‐ジシクロヘキシルウレアを濾別した後、有機層
を、５％塩酸、５％水酸化ナトリウム水溶液、水の順で
洗浄し、無水硫酸マグネシウムを用い乾燥させた。塩化
メチレンを留去した後残渣をベンゼンを溶出液としシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、600m
gの（ｓ）‐4-メチルカプロン酸‐２′‐（６′‐デシ
ルオキシ）ナフチルエステルを得た。収率73％、このも
のの相転移温度を第７表に示した。 このものの元素分析値は次のとおり理論値とよく一致
した。 理論値（C27H40O3として） 分析値 Ｃ 78.59％ 78.40％ Ｈ 9.77％ 9.80％ 実施例121〜123 実施例120において、6-デシルオキシ‐2-ナフトール
の代りに種々の6-アルキルオキシ‐2-ナフトールを使用
した以外は実施例120に記載した方法に従い各種光学活
性エステルを製造した。その物性値である相転移温度は
第７表に示した。 実施例124〜127 実施例120において、6-デシルオキシ‐2-ナフトール
の代りに種々の6-アルキルオキシ‐2-ナフトールを使用
し、さらに（ｓ）‐4-メチルカプロン酸の代りに種々の
光学活性カルボン酸類を使用し実施例120に記載した方
法により各種光学活性エステル化合物を製造した。その
物性値である相転移温度を第７表に示した。 実施例128本発明の液晶化合物 から構成された液晶組成物は47℃までSC＊相を示し47〜
95℃まではSA相それ以上の温度では等方性液体となり、
室温付近での表示素子として適している。 この混合物を電極面にシリカの斜方蒸着を施した電極
間隔が５μｍのセルに注入した。この液晶セルを直交ニ
コル状態に配置した２枚の偏光子の間にはさみ、10Vの
低周波数（1Hz）の交流を印加したところ、明瞭なスイ
ッチング現象が観察され、コントラストも非常に良く、
さらには応答速度も非常に速い（80μsec）液晶表示素
子が得られた。なお自発分極の値Psは42nC/cm2であっ
た。 実施例129 本発明の液晶化合物 から構成された液晶組成物は40℃までSC＊相を示し40〜
67℃まではSA相、それ以上の温度では等方性液体とな
り、室温付近での表示素子として適している。 この混合物を電極面にシリカの斜方蒸着を施した電極
間隔が５μｍのセルに注入した。この液晶セルを直交ニ
コル状態に配置した２枚の偏光子の間にはさみ、10Vの
低周波数（1Hz）の交流を印加したところ、明瞭なスイ
ッチング現象が観察され、コントラストも非常に良く、
さらには応答速度も非常に速い（100μsec）液晶表示素
子が得られた。なお自発分極の値Psは38nc/cm2であっ
た。 実施例130 公知の液晶性化合物 （このものは結晶 等方性液体の相転移温度を示し、応答速度は1msecであ
る。） 本発明の化合物 添加した液晶組成物は の相転移温度を示した。 またこのものを実施例128で示したセルに注入し応答
速度を測定したところ500μsecと非常に速まった。 実施例131 実施例130と同様に、本発明の化合物 液晶化合物（応答速度1msec） 添加した液晶混合物は の相転移温度を示し、室温で動作し、このものを実施例
128で示したセルに注入し応答度を測定したところ、200
μsecと非常に速くなった。 このように本発明の化合物のうち液晶相をまったく示
さない化合物も室温付近で動作し、かつ応答速度のより
速い液晶組成物を得るのに非常に有用な化合物である。 比較例１ 実施例130において、本発明の化合物の代わりに、 を使用して、調整した液晶組成物は、 の相転移温度を示した。 この液晶組成物の応答速度は、1.2msecであった。 実施例132 実施例９で製造した化合物と第１表中の１の構造で示
される公知の光学活性4-デシルオキシベンジリデン‐
４′‐アミノ‐２″‐メチルブチルシンナメート（DOBA
MBC）をそれぞれサンプル管に入れ、温度60℃、湿度90
％雰囲気中に40時間放置し、その前後でのSC＊−SA転移
温度の変化を調べた。 DOBAMBCのSC＊−SA転移温度は95℃から75℃へと20℃
も低下したのに対し、実施例９で製造した化合物の転移
温度はまったく変化せず、水分に対し非常に安定である
ことが判明した。 実施例133 実施例９で製造した化合物と公知のDOBAMBCをそれぞ
れガラス管に入れ、カーボンアークを用いて30時間照射
し、その前後でのSC＊−SA転移温度の変化を調べた。DO
BAMBCのSC＊−SA転移温度は95℃から72℃へと23℃も低
下したのに対し、実施例９で製造した化合物の転移温度
はまったく変化せず、光に対し非常に安定であることが
判明した。 〔発明の効果〕 本発明は光および光学的に安定な一般式（Ｉ）で示さ
れる光学活性なナフタレン誘導体化合物および該化合物
を少なくとも１種を含有する強誘電性スメクチック液晶
組成物を提供することにより、高速応答可能な表示素子
を構成し得るという優れた効果を有する。
および該化合物を含有してなる液晶組成物に関するもの
である。 〔従来の技術〕 現在、液晶表示素子はその低電圧動作、低消費電力
性、薄形表示が可能なこと、また受光型で目が疲れない
ことなどの優れた特徴を有しており、各種表示素子とし
て広範囲に用いられている。 なかでも、ネマチィック液晶を用いたTN（Twisted Ne
matic）型表示方式が広く利用されている。しかしこの
表示方式は応答速度が遅いという欠点がある。 最近の産業技術の進展は、液晶表示素子にも高速応答
性を強く要求し、このような要求に対しては、液晶材料
の改良による種々の試みがなされている。既に上記要望
に応えるものとして、強誘電性液晶の光スイッチング現
象を利用した表示デバイスが提案されている（アプライ
ド・フィジックス・レター（Appl.Phys.Lett.,36,899
（1980））。強誘電性液晶は液晶相としてはカイラルス
メクチックＣ（SC＊）が実用上望ましいものであり、カ
イラルスメクチックＣ相を示す液晶化合物はこれまでに
もいくつか検討されており、その内で代表的なものとし
て第１表に示すものがある。 ナフタレン骨格を有する強誘電性液晶化合物に関して
は、特開昭60−248790号公報に示唆されているものの、
具体的化合物の例示は全くなされていない。またどのよ
うな骨格を有する化合物が強誘電性を有する液晶となる
のか、また強誘電性液晶となった場合、どのような物性
を示すのかに関しては全く予測することができないのが
当分野における現状である。本発明は後記の如く、該公
報に例示されている化合物に対し、ナフタレン骨格を有
する液晶化合物が著しく優れた性質を示すことを見出し
たことに基づいている。 〔発明が解決しようとする課題〕 従来の第１表の化合物は光により短時間の間に異性化
を起こしたり、また水分により加水分解を起こし液晶相
を示さなくなるという不安定要素を持つなど表示素子等
の各種光学素子として実用上好ましい特性を十分に満足
しているとは言い難い。 本発明は、液晶組成物、特に強誘電性液晶組成物とし
て好適な光および化学的安定性にすぐれた新規強誘電性
液晶物質もしくは液晶組成物の構成成分として有用な化
合物を提供するものである。 また本発明は高速応答性を有する液晶素子に適した液
晶組成物を同時に提供するものである。 〔課題を解決するための手段〕 前記の課題を解決するために本発明者らは多くの光学
活性基を含むナフタレン誘導体を合成し、検討した結果、本発明に到達した。 すなわち、本発明は一般式（Ｉ）で表わされる。 一般式（Ｉ） 〔式中、Ｘは水素原子 ハロゲン原子、メチル基、エチ
ル基またはメトキシ基であり、ＡおよびＢは少なくとも
一方は不斉炭素原子を含む独立してそれぞれ基 であり、ここでＣ環、Ｄ環はそれぞれ独立して、1,4-フ
ェニレン、2,6-ナフチレン、ピリミジン‐2,5-ジイル、
トランス‐1,4-シクロヘキシレン、トランス‐1,3-ジオ
キサン‐2,5-ジイル、トランス‐1,3-オキサチアン‐2,
5-ジイル、トランス‐1,3-ジチアン‐2,5-ジイルまたは
トランス‐1,3,2-ジオキサボリナン‐2,5-ジイル基であ
り、これらの基はハロゲン原子、シアノ基、メチル基、
エチル基またはメトキシ基により単置換あるいは多置換
されていてもよく、ｍおよびｎは０、１または２の整数
であり、Z1、Z2、Z3およびZ4はそれぞれ単結合、 −Ｏ−、−CH2−、−CH＝CH−または−Ｃ≡Ｃ−の群か
ら選んだ１種または２種以上の結合基であり、Ｙは水素
原子、ハロゲン原子、または炭素数１〜20を有する直鎖
状または分岐鎖状のアルキル基あるいはアルケニルアル
キル基（但し、ＡおよびＢ中のｍおよびｎが同時に０で
ある場合は、Ｙは炭素数２〜20の直鎖または分岐鎖状の
アルキル基あるいはアルケニルアルキル基である）（こ
れらのアルキル基中の１個のCH2基または隣接していな
い２個のCH2基は−Ｏ−、 により置き換えられていてもよく、また１個の水素原子
はハロゲン原子あるいはアルコキシル基に置き換えられ
ていてもよい）である。但し、ＡがRO−、 （式中、Ｒはアルキル基を表し、Ｗは水素原子またはハ
ロゲン原子を表す）であり、A,Bに含まれるアルキル基
の少なくとも一方は不斉炭素原子を含む下記式で表され
る炭素数４〜８の光学活性なアルキル基であり、 （ここで、ｐは０〜３の整数、ｑは１または２の整数を
示し、＊は不斉炭素原子を示す） 且つ、他方のアルキル基が炭素数４〜18のアルキル基を
表す場合、および、ＡがＲ′−（Ｒ′は炭素数４〜10の
アルキル基）であり、 （＊は不斉炭素原子を示す）である場合を除く。〕で示
される光学活性ナフタレン誘導体および該化合物を少な
くとも一種含有する液晶組成物である。 一般式（Ｉ）の化合物の多くは強誘電性液晶相として
重要なカイラルスメクチックＣ相を単独で示す。 また一般式（Ｉ）の化合物の中にはスメクチックＡ相
および（または）カイラルネマチック（コレステリッ
ク）相のみを示しカイラルスメクチックＣ相を示さない
もの、あるいは単独では液晶相を示さないものも存在す
るが、これらは複数の（Ｉ）式で表わされる化合物の配
合、あるいは他のカイラルスメクチック液晶化合物、さ
らには他のスメクチック液晶化合物等との配合等によ
り、強誘電性を示す液晶組成物として用いることができ
る。 一般式（Ｉ）においてＡおよびＢのナフタレン環に置
換する位置についてはＡおよびＢが１位と４位、１位と
５位または２位と６位に置換しているのが好ましく、２
位と６位に置換しているのがより好ましい。 またＸは水素原子、ハロゲン原子またはメチル基が好
ましい。 一般式（Ｉ）においてＡおよびＢ中のZ1、Z2、Z3およ
びZ4は単結合、 −Ｏ−、−CH2−、−CH＝CH−または−Ｃ≡Ｃ−の中か
ら１種又は２種以上を任意に選択できるが光化学的ある
いは化学的安定性を考慮すると、単結合、 −Ｏ−または−CH2−が好ましく、さらに−Z1−Z2−基
および−Z3−Z4−基が単結合、 または−OCH2−であるのがより好ましい。 Ｃ環、Ｄ環は1,4-フェニレン、2,6-ナフチレン、ピリ
ミジン‐2,5-ジイル、トランス‐1,4-シクロヘキシレ
ン、トランス‐1,3-ジオキサン‐2,5-ジイル、トランス
‐1,3-オキサチン‐2,5-ジイル、トランス‐1,3-ジチア
ン‐2,5-ジイルまたはトランス‐1,3,2-ジオキサボリナ
ン‐2,5-ジイル基あるいはそれらの水素原子がハロゲン
原子、シアノ基、メチル基、エチル基またはメトキシ基
で単置換または多置換された基より任意に選択すること
ができるが、好ましくは1,4-フェニレン、2,6-ナフチレ
ン、ピリミジン‐2,5-ジイル、トランス‐1,4-シクロヘ
キシレンまたはトランス‐1,3,2-ジオキサボリナン基あ
るいはそれらのハロゲン原子、シアノ基、メチル基、エ
チル基またはメトキシ基により置換された基であり、さ
らに好ましくは1,4-フェニレン、2,6-ナフチレンまたは
トランス‐1,4-シクロヘキシレン基あるいはそれらのハ
ロゲン原子、シアノ基、メチル基、エチル基またはメト
キシ基により置換された基である。 またＡおよびＢ中のｍおよびｎは０、１または２の整
数であるが、より好ましくはｍ＋ｎ≦２を満たす。 一般式（Ｉ）で示される化合物の中で特に好ましい化
合物を一般式で示すと次の通りである。 このタイプの具体的一般式としては このタイプの具体的一般式としては このタイプの具体的一般式としては このタイプの具体的一般式としては このタイプの具体的一般式としては このタイプの具体的一般式としては （但し、R1およびR2は少なくとも一方は光学活性基を含
む、独立してそれぞれ基−Ｒ、−OR、 であり、ここでＲは水素原子、ハロゲン原子又は炭素数
１〜20個（但し、一般式（12−０）の場合は２〜20個）
を有する直鎖状または分岐鎖状のアルキル基、アルコキ
シアルキル基、ハロゲノアルキル基、アルケニルアルキ
ル基、アルコキシカルボニルアルキル基を示し、X1、X2
は水素原子、ハロゲン原子、メチル基、エチル基または
メトキシ基、X3〜X6は水素原子、ハロゲン原子、メチル
基、エチル基、シアノ基またはメトキシ基であり、Ｚは
単結合、 CH2O−、または−OCH2−基を示す。） 一般式（Ｉ）の化合物には少なくとも１個以上の不斉
炭素原子が存在するが、それはＡおよび（または）Ｂ中
のＹの中に存在するのが好ましい。Ｙは水素原子、ハロ
ゲン原子または炭素数１〜20個を有する直鎖状あるいは
分岐鎖状のアルキル基またはアルケニルアルキル基（但
し、ＡおよびＢ中のｍおよびｎが同時に０である場合
は、Ｙは炭素数２〜20の直鎖または分岐鎖状のアルキル
基あるいはアルケニルアルキル基である）であり、さら
にこれらのアルキル基中の１個のCH2基または隣接して
ない２個のCH2基は−Ｏ−、 または により置き換えられていてもよく、また１個の水素原子
はハロゲン原子、シアノ基あるいはアルコキシル基に置
き換えられていてもよく、より好ましくはＹは水素原
子、ハロゲン原子または炭素数１〜20個を有する直鎖状
あるいは分岐鎖状のアルキル基またはアルケニルアルキ
ル基（これらのアルキル基中の１個のCH2基または隣接
していない２個のCH2基は−Ｏ−または に、また１個の水素原子はハロゲン原子あるいはアルコ
キシル基に置き換えられていてもよい。）である。 不斉炭素原子としては、すべての光学活性物質が有用
であるが、特に光学活性アルコール類および光学活性カ
ルボン酸類が出発原料として有用である。 光学活性アルコール類としては例えば、光学活性2-メ
チル‐ブタノール、光学活性3-メチル‐ペンタノール、
光学活性4-メチル‐ヘキサノール、光学活性5-メチル‐
ヘプタノール、光学活性6-メチル‐オクタノール、光学
活性シトロネロール、光学活性3,7-ジメチルオクタノー
ル、光学活性2-ブタノール、光学活性2-ペンタノール、
光学活性2-ヘキサノール、光学活性2-ヘプタノール、光
学活性2-オクタノール、光学活性2-ノナノール、光学活
性2-デカノール、光学活性2-ウンデカノール、光学活性
2-ドデカノール、光学活性2-メチル‐ペンタノール、光
学活性2-メチル‐ヘキサノール、光学活性2-アルキルオ
キシプロパノール、光学活性3-アルキルオキシブタノー
ル、光学活性3-アルキルオキシペンタノール、光学活性
乳酸エステル、光学活性3-ヒドロキシ‐2-メチル‐プロ
パン酸エステル、光学活性3-ヒドロキシブタン酸エステ
ル、光学活性3-ヒドロキシペンタン酸エステル、光学活
性2-ハロゲノ‐プロパノール、光学活性2-ハロゲノ‐ブ
タノール、光学活性2-ハロゲノ‐ペンタノール、光学活
性2-ハロゲノ‐ヘキサノール、光学活性2-ハロゲノ‐ヘ
プタノール、光学活性2-ハロゲノ‐オクタノール、光学
活性2-ハロゲノ‐ノナノール、光学活性2-ハロゲノ‐デ
カノール、光学活性2-ハロゲノ‐ウンデカノール、光学
活性2-ハロゲノ‐ドデカノールが有用である。 光学活性カルボン酸としては例えば光学活性2-メチル
‐ブタン酸、光学活性3-メチル‐ペンタン酸、光学活性
4-メチル‐ヘキサン酸、光学活性2-メチル‐ペンタン
酸、光学活性3,7-ジメチル‐オクタン酸、光学活性3-メ
チル‐2-ハロゲノ‐ペンタン酸、光学活性4-メチル‐2-
ハロゲノ‐ブタン酸、光学活性2-アルキルオキシ‐プロ
パン酸、光学活性3-アルキルオキシ‐ブタン酸、光学活
性3-アルキルオキシ‐ペンタン酸が有用である。 本発明によって提供される液晶組成物は一般式（Ｉ）
で表わされる本発明の化合物２種以上を組み合わせて構
成することができるが、次の一般式（II）で表わされる
化合物と任意に組み合わせても構成することができる。 （式中、ＥおよびＦ環はそれぞれ独立して基 （Ｇは水素原子、ハロゲン原子、シアノ基またはメチル
基）であり、ａおよびｂはそれぞれ０、１または２の整
数でありZ5、Z6およびZ7は単結合、−Ｏ−、 −CH2O−、−OCH2−または−CH2CH2−であり、Ｒおよび
Ｒ′は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基あるいは１〜
20個の炭素原子よりなるアルキル基、アルコキシル基、
光学活性アルキル基、光学活性アルコキシル基、光学活
性アルコキシアルキル基、光学活性アルケニルアルキル
基または光学活性ハロゲノアルキル基である。） 本発明の一般式（Ｉ）で表わされる化合物でカイラル
スメクチックＣ相を単独で示す化合物の構成成分として
の割合は５重量％以上が好ましい。10重量％存在すれ
ば、公知の液晶化合物の応答速度を非常に速める。SC＊
相を表わさない構成成分の割合としては50重量％未満が
好ましい。 一般式（Ｉ）の化合物は文献（たとえば、ホーベン・
ヴェィルによるメトーデン・デル・オルガニッシェン・
ヘミーのような標準的学術書）に記載されている各単位
操作それ自体既知である方法に準じ組合せて製造でき
る。この点に関しては本明細書に詳細には記載されてい
ないそれ自体既知の変形方法もまた用いることができ
る。 式（Ｉ）中のＡまたは（および）Ｂの−Z1−Z2−が または（および） の場合、原料物質として好ましくは式（III）、（IV）
の化合物 そして（Ｖ）〜（VIII）の化合物である。 （Ｘ、Z1、Z2、Z3、Z4、環Ｃ、ＤおよびＹは前記と同
じ） すなわち式（III）の化合物と式（VI）あるいは（VII
I）の化合物または式（IV）の化合物と式（Ｖ）あるい
は式（VII）の化合物とで通常用いられるエステル化の
方法により一般式（Ｉ）の化合物を製造できる。たとえ
ばカルボン酸化合物式（IV）、（VI）および（VIII）の
化合物をカルボン酸ハロライド（特にクロライド、ブロ
マイド）あるいはカルボン酸無水物等の反応性誘導体と
した後に式（III）、（Ｖ）あるいは（VII）の化合物と
反応させる方法である。 Ａまたは（および）Ｂの−Z1−Z2−が−CH2O−または
（および）−OCH2−の場合、原料物質として好ましくは
式（III）、（Ｖ）、（VII）の化合物および式（IX），
（Ｘ）、（XI）の化合物である。 エーテル化の反応は通常用いられる方法、たとえば塩
基（水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水素化ナトリ
ウム、水素化カリウム等）存在下、ヒドロキシ化合物を
ハロゲン化物等の反応性アルキル誘導体と反応させて製
造できる。 第２表に本発明の化合物の代表的化合物を列挙する。 〔実施例〕 以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、勿
論、本発明の主旨と適用範囲はこれらの実施例によって
限定されるものではない。 表中、Ｃは結晶相、SC＊はカイラルスメクチックＣ
相、SAはスメクチックＡ相、Chはコレステリック（カイ
ラルネマティック）相、Ｉは等方性液体、そしてSXは素
性不明のスメクチック相を表わし、各相の・印とその右
側の数字がその相から右側の相への転移温度を示し、−
印はその相を示さないことを意味する。なお、（ ）内
の値はモノトロピック相転移温度である。また＊は不斉
炭素原子を表わす。 実施例１ （Ｒ）‐6-ベンジルオキシナフタレン‐2-カルボン酸
１′‐メチル‐ヘプチルエステルの製造 6-ベンジルオキシナフタレン‐2-カルボン酸65gを500
mlのベンゼン中、50gのシュウ酸塩化物と４時間加熱還
流した後過剰のシュウ酸塩化物とベンゼンを減圧下留去
し、酸塩化物を得た。この酸塩化物を100mlのベンゼン
に溶解し、この溶液に（Ｒ）‐2-オクタノール30gをピ
リジン30mlに溶解した溶液を加え、室温で８時間放置し
た。析出したピリジン塩酸塩を濾別した後有機層を2N-
塩酸、2N-水酸化ナトリウム水溶液を洗い、さらに中性
になるまで水洗した。有機層を分離し、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥させベンゼンを減圧下留去した後、残渣を
エタノールより再結晶し、目的とする（Ｒ）‐6-ベンジ
ルオキシナフタレン‐2-カルボン酸１′‐メチル‐ヘプ
チルエステル80gを得た。 この化合物の相転移温度は第３表に示した。 またこの化合物の元素分析値は次のとおり理論値とよ
く一致した。 理論値（C26H30O9として） 分析値 Ｃ 79.9％ 79.89％ Ｈ 7.74％ 7.70％ 実施例２〜７ 実施例１において（Ｒ）‐2-オクタノールの代りに種
々の光学活性アルコールを使用し、同様の反応を行なう
ことにより種々の光学活性‐6-ベンジルオキシナフタレ
ン‐2-カルボン酸アルキルエステルを製造した。その物
性値である相転移温度を第３表に示した。 実施例９ （Ｒ）‐6-（４′‐デシルオキシフェニルカルボニルオ
キシ）‐2-ナフタレンカルボン酸１″‐メチル‐ヘプチ
ルエステルの製造 （ｉ）実施例１で製造した（Ｒ）‐6-ベンジルオキシナ
フタレン‐2-カルボン酸１′‐メチル‐ヘプチルエステ
ル30gを200mlのエタノールに溶解し、５％‐パラジウム
／炭素4gの存在下常圧、40℃で水素化した。パラジウム
／炭素を濾別後溶媒を減圧下留去し、融点67〜68℃の脱
ベンジル化生成物23gを得た。 （ii）（ｉ）で得た生成物（Ｒ）‐6-ヒドロキシナフタ
レン‐2-カルボン酸１′‐メチル‐ヘプチルエステル4.
0g、4-デシルオキシ安息香酸3.7g、N,N′‐ジシクロヘ
キシルカルボジイミド2.6g及び10mlの4-ピロリジノピリ
ジンを50mlのクロロホルムに溶解し、８時間室温に放置
した。副生したN,N′‐ジシクロヘキシル尿素を濾別後
有機層を2N-塩酸、2N-水酸化ナトリウム水溶液で洗浄し
さらに水洗した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥
し、溶媒を留去し粗生成物を得た。このものをベンゼン
を溶出液としシリカゲルカラムクロマトグラフィーを用
い精製した。さらにエタノールより再結晶し無色針状の
結晶として目的とする（Ｒ）‐6-（４′‐デシルオキシ
フェニルカルボニルオキシ）‐2-ナフタレンカルボン酸
１″‐メチル‐ヘプチルエステル5.0gを得た。収率67
％。この化合物の相転移温度は第３表に示した。またこ
の化合物の元素分析値は次のとおり理論値とよく一致し
ている。 理論値（C36H48O5として） 分析値 Ｃ 77.11％ 77.25％ Ｈ 8.63％ 8.59％ またSC＊−SA転移温度よりも10℃低い温度で求めた自
発分極（Ps）の値は87nC/cm2であった。 実施例10〜19 実施例９の（ii）において、4-デシルオキシ安息香酸
の代わりに各種4-アルキルオキシ安息香酸、4-アルキル
安息香酸あるいは4-アルキルオキシ‐3-ハロゲノ安息香
酸を用いることにより各種のエステル化合物を製造し
た。その物性値である相転移温度は第３表にまとめて示
した。 実施例20〜37 実施例９（ｉ）に示した方法に準じた方法により製造
した種々光学活性‐6-ヒドロキシナフタレン‐2-カルボ
ン酸アルキルエステル、あるいは各種光学活性‐6-ヒド
ロキシ‐5-ハロゲノナフタレン‐2-カルボン酸アルキル
エステルと種々の4-アルコキシ安息香酸、4-アルコキシ
‐3-ハロゲノ安息香酸、あるいは4-光学活性アルコキシ
安息香酸とを実施例９（ii）に示した方法に準じた方法
により各種エステル化合物を製造した。その物性値であ
る相転移温度は第３表に示した。 実施例39 （ｓ）‐6-（２′‐メチル‐ブチルオキシ）‐2-ナフチ
ル‐４″‐デシルオキシ安息香酸エステルの製造 4-デシルオキシ安息香酸1.0g、（ｓ）‐6-（２′‐メ
チル‐ブチルオキシ）‐2-ナフトール750mg、N,N′‐ジ
シクロヘキシルカルボジイミド700mgおよび4-ピロリジ
ノピリジン20mgを50mlの塩化メチレンに入れ室温で４時
間放置した。副生したN,N′‐ジシクロヘキシルウレア
を濾別した後、有機層を５％塩酸、５％水酸化ナトリウ
ム水溶液、水の順で洗浄し、無水硫酸マグネシウムを用
いて乾燥させた。塩化メチレンを留去した後、残渣をベ
ンゼンを溶出液とし、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーを用い精製した。さらに得られた結晶をエタノール
より２回再結晶を行い750mg無色針状晶の結晶として、
目的とする（ｓ）‐6-（２′‐メチルブチルオキシ）‐
2-ナフチル‐４″‐デシルオキシ安息香酸エステルを得
た。収率47％であった。このものの相転移温度は第３表
に示した。元素分析値は次の如くであり理論値とよく一
致している。 理論値（C32H42O4として） 分析値 Ｃ 78.33％ 78.41％ Ｈ 8.63％ 8.72％ またSC＊−SA転移温度よりも10℃低い温度で求めた自
発分極（Ps）の値は2nC/cm2であった。 実施例40〜49 実施例39において4-デシルオキシ安息香酸の代わりに
種々の4-アルコキシ安息香酸あるいは4-アルキル安息香
酸を用いた他は実施例39の方法に従い各種の光学活性エ
ステル化合物を製造した。その物性値である相転移温度
は第３表に示した。 実施例50〜67及び71〜73 各種光学活性6-アルキルオキシ‐2-ナフトール、ある
いは光学活性6-アルコキシアルキルオキシ‐2-ナフトー
ルと4-アルコキシ安息香酸、または各種6-アルコキシ‐
2-ナフトールと光学活性4-アルコキシ安息香酸とを実施
例39に記載した方法に準じて反応させ各種光学活性エス
テルを製造した。その物性値である相転移温度は第３表
に示した。 実施例74 （ｓ）‐４′‐（２″‐メチルブチル）フェニル‐6-ブ
チルオキシナフタレン‐2-カルボン酸エステルの製造 6-ブチルオキシナフタレン‐2-カルボン酸2.4g、
（ｓ）‐4-（２′‐メチルブチル）フェノール1.6g、N,
N′‐ジシクロヘキシルカルボジイミド2.1gおよび4-ピ
ロリジノピリジン50mgを50mlの塩化メチレンに溶かし、
室温で15時間放置した。副生したN,N′‐ジシクロヘキ
シル尿素を濾別した後、有機層を５％塩酸、５％水酸化
ナトリウム水溶液、水の順で洗浄し無水硫酸マグネシウ
ムを用い乾燥させた。塩化メチレンを留去した後、残渣
をベンゼンを溶出液とし、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーを用い精製した。さらに得られた液晶をエタノ
ールより２回再結晶し、2.1gの無色針状晶の結晶として
目的とする（ｓ）‐４′‐（２″‐メチルブチル）フェ
ニル‐6-ブチルオキシナフタレン‐2-カルボン酸エステ
ルを得た。収率54％ この化合物の相転移温度は第３表に示した。またこの
化合物の元素物性値は次の通り理論値とよく一致した。 理論値（C26H30O3として） 分析値 Ｃ 80.00％ 80.10％ Ｈ 7.69％ 7.70％ 実施例75 （ｓ）‐４′‐（２″‐メチルブチル）フェニル‐6-ヘ
プチルオキシナフタレン‐2-カルボン酸エステルの製造 実施例74において、6-ブチルオキシナフタレン‐2-カ
ルボン酸の代わりに、6-ヘプチルオキシナフタレン‐2-
カルボン酸を使用した以外は、実施例74に示した方法に
従い、（ｓ）‐４′‐（２″‐メチルブチル）フェニル
‐6-ヘプチルオキシナフタレン‐2-カルボン酸エステル
を製造した。 物性値である相転移温度は第３表に示した。 実施例76 （ｓ）‐４′‐フルオロフェニル‐６′‐（１″‐メチ
ルヘプチルオキシ）ナフタレン‐2-カルボン酸エステル
の製造 実施例74において、6-ブチルオキシナフタレン‐2-カ
ルボン酸の代わりに（ｓ）‐6-（１′‐メチルヘプチル
オキシ）ナフタレン‐2-カルボン酸を使用し、さらに、
（ｓ）‐4-（２″‐メチルブチル）フェノールの代わり
に4-フルオロフェノールを使用した以外は、実施例74に
示した方法に従い、（ｓ）‐４′‐フルオロフェニル‐
6-（１″‐メチルヘプチルオキシ）ナフタレン‐2-カル
ボン酸エステルを製造した。 物性値である相転移温度は第３表に示した。 実施例77 （Ｒ）‐4-〔６′‐（２″‐ブチルオキシエチルオキ
シ）‐２′‐ナフトイルオキシ〕安息香酸‐１‐メチ
ルプロピルエステルの製造 （Ｒ）‐4-ヒドロキシ安息香酸‐１″‐メチルプロピ
ルエステル1.9g、6-（２′‐ブチルオキシエチルオキ
シ）‐2-ナフタレンカルボン酸2.9g、N,N′‐ジシクロ
ヘキシルカルボジイミド2.1gおよび4-ピロリジノピリジ
ン50mgを30mlの塩化メチレンに溶かし、室温で10時間放
置した。副生したN,N′‐ジシクロヘキシル尿素を濾別
した後、有機層を５％塩酸、５％水酸化ナトリウム水溶
液、水の順で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを用い
乾燥させた。塩化メチレンを留去した後、残渣をベンゼ
ンを溶出液とし、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
により精製し、得られた結晶をエタノールより再結晶
し、無色針状晶の結晶として目的とする（Ｒ）‐4-
〔６′‐（２″‐ブチルオキシエチルオキシ）‐２′‐
ナフトイルオキシ〕安息香酸‐１‐メチルプロピルエ
ステルを2.3g得た。収率50％ この化合物の相転移温度は第３表に示した。またこの
化合物の元素分析値は次のとおり理論値とよく一致し
た。 理論値（C28H32O6として） 分析値 Ｃ 72.41％ 72.50％ Ｈ 6.90％ 6.91％ 実施例78〜83 実施例77において、6-（２′‐ブチルオキシエチルオ
キシ）ナフタレン‐2-カルボン酸を使用する代わりに、
各種6-アルキルオキシナフタレン‐2-カルボン酸を使用
し、さらに、（Ｒ）‐4-ヒドロキシ安息香酸‐１′‐メ
チルプロピルエステルの代わりに、（Ｒ）‐4-ヒドロキ
シ安息香酸‐１′‐メチルペンチルエステルまたは
（Ｒ）‐4-ヒドロキシ安息香酸‐１′‐メチルヘキシル
エステルを使用した以外は、実施例77に記載した方法に
従い、各種エステル化合物を製造した。その物性値であ
る相転移温度は第３表に示した。 実施例84 （Ｒ）‐6-（４″‐ヘプチルビフェニル‐４′‐カルボ
ニルオキシ）‐2-ナフタレンカルボン酸‐１‐メチル
プロピルエステルの製造 ４′‐ヘプチルビフェニル‐4-カルボン酸3.0gと20ml
の塩化チオニルを300mlのベンゼン中で、５時間加熱還
流後、過剰の塩化チオニルとベンゼンを減圧下留去し
た。残渣のカルボン酸クロライドに、（Ｒ）‐6-ヒドロ
キシナフタレン‐2-カルボン酸‐１′‐メチルプロピル
エステル2.5gと30mlのピリジンおよび300mlのベンゼン
を加え、５時間加熱還流した。 室温にまで冷却後、ピリジン塩酸塩を濾別後、濾液を
水、10％塩酸、飽和NaHCO3水、水の順で洗浄した後、無
水硫酸マグネシウムを用い乾燥させた。ベンゼンを留去
後、ベンゼンを溶出液とし、シリカゲルカラムクロマト
グラフィーを用い、分離精製した。さらに得られた結晶
をエタノール‐酢酸エチルエステルより再結晶し、2.9g
の無色の結晶として目的の（Ｒ）‐6-（４″‐ヘプチル
ビフェニル‐４′‐カルボニルオキシ）‐2-ナフタレン
カルボン酸‐１‐メチルプロピルエステルを得た。収
率55％ この化合物の相転移温度は第４表に示した。またこの
化合物の元素分析値は次の通り理論値とよく一致した。 理論値（C35H38O4として） 分析値 Ｃ 80.50％ 80.65％ Ｈ 7.28％ 7.24％ 実施例85 （Ｒ）‐6-（４″‐オクチルビフェニル‐４′‐カルボ
ニルオキシ）‐2-ナフタレンカルボン酸‐１‐メチル
プロピルエステルの製造 実施例84において、４′‐ヘプチルビフェニル‐4-カ
ルボン酸の代わりに４′‐オクチルビフェニル‐4-カル
ボン酸を使用した以外は、実施例84に示した方法に従
い、（Ｒ）‐6-（４″‐オクチルビフェニル‐４′‐カ
ルボニルオキシ）‐2-ナフタレンカルボン酸‐１‐メ
チルプロピルエステルを製造した。 物性値である相転移温度は第４表に示した。 実施例86〜93 実施例84において、４′‐ヘプチルビフェニル‐4-カ
ルボン酸の代わりに、種々の４′‐アルキルオキシビフ
ェニル‐4-カルボン酸あるいは４′‐アルキルビフェニ
ル‐4-カルボン酸あるいは３′‐ハロゲノ‐４′‐アル
キルオキシビフェニル‐4-カルボン酸を使用し、さらに
（Ｒ）‐6-ヒドロキシナフタレン‐2-カルボン酸‐１′
‐メチルプロピルエステルの代わりに、（Ｒ）‐6-ヒド
ロキシナフタレン‐2-カルボン酸‐１′‐メチルヘプチ
ルエステルを使用した以外は、実施例84に示した方法に
従い、各種光学活性エステル化合物を製造した。その物
性値である相転移温度は第４表に示した。 実施例94 （Ｓ）‐6-（２′‐メチルブチルオキシ）‐2-ナフチル
‐４″‐オクチルオキシビフェニル‐４‐カルボン酸
エステルの製造 ４′‐オクチルオキシビフェニル‐4-カルボン酸400m
g、（Ｓ）‐6-（２′‐メチルブチルオキシ）‐2-ナフ
トール290mg、N,N′‐ジシクロヘキシルカルボジイミド
260mgおよび4-ピロリジノピリジン20mgを30mlの塩化メ
チレンに入れ室温で20時間放置した。副生したN,N′‐
ジシクロヘキシルウレアを濾別した後、有機層を、５％
塩酸、５％水酸化ナトリウム水溶液、水の順で洗浄し、
無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥させた。 塩化メチレンを留去した後、残渣をベンゼンを溶出液
とし、シリカゲルカラムクロマトグラフィーを用いて精
製した。さらに得られた結晶をエタノール‐酢酸エチル
より再結晶し280mgの無色針状晶状の結晶として目的の
（Ｓ）‐6-（２′‐メチルブチルオキシ）‐2-ナフチル
‐４″‐オクチルオキシビフェニル‐４‐カルボン酸
エステルを得た。その収率は42％であり、相転移温度は
第４表に示した。また元素分析値は次のとおり理論値と
よく一致している。 理論値（C36H42O4として） 分析値 Ｃ 80.26％ 80.07％ Ｈ 7.86％ 7.85％ またSC＊−SA転移温度より10℃低い温度で求めた自発分
極（Ps）の値は2nc/cm2であった。 実施例95〜99 実施例94において４′‐オクチルオキシビフェニル‐
4-カルボン酸の代わりに種々の４′‐アルキルオキシビ
フェニル‐4-カルボン酸あるいは光学活性４′‐アルキ
ルオキシビフェニル‐4-カルボン酸を使用しさらに
（Ｓ）‐6-（２′‐メチルブチルオキシ）‐2-ナフトー
ルの代わりに種々光学活性6-（アルキルオキシ）‐2-ナ
フトールあるいは6-アルキルオキシ‐2-ナフトールある
いは6-アルキル‐2-ナフトールを使用し実施例94に記載
した方法に従い各種光学活性エステル化合物を製造し
た。その物性値である相転移温度は第４表に示した。 実施例100 （Ｓ）‐6-デシルオキシ‐2-ナフチル‐６′‐（２″‐
メチルブチルオキシ）ナフタレン‐２′‐カルボン酸エ
ステルの製造 （Ｓ）‐6-（２′‐メチルブチルオキシ）‐ナフタレ
ン‐2-カルボン酸300mg、6-デシルオキシ‐2-ナフトー
ル350mg、N,N′‐ジシクロヘキシルカルボジイミド240m
g、4-ピロリジノピリジン10mgを20mlの塩化メチレンに
入れ室温で３時間放置した。副生したN,N′‐ジシクロ
ヘキシルウレアを濾別後、有機層を５％塩酸、５％水酸
化ナトリウム水溶液、水の順で洗浄し無水硫酸マグネシ
ウムを用い乾燥させた。塩化メチレンを留去後残渣をベ
ンゼンを溶出液としシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーを用い精製した。さらに得られた結晶をエタノール‐
酢酸エチルより再結晶し320mgの無色針状の結晶として
目的とする（Ｓ）‐6-デシルオキシ‐2-ナフチル‐６′
‐（２″‐メチルブチルオキシ）ナフタレン‐２′‐カ
ルボン酸エステルを得た。収率51％。この化合物の相転
移温度は第５表に示した。また元素分析値は次のとおり
理論値とよく一致している。 理論値（C36H44O4として） 分析値 Ｃ 79.96％ 80.03％ Ｈ 8.20％ 8.15％ 実施例101 実施例100において（Ｓ）‐6-（２′‐メチルブチル
オキシ）‐ナフタレン‐2-カルボン酸の代りに（Ｓ）‐
6-（４′‐メチルヘキシルオキシ）‐ナフタレン‐2-カ
ルボン酸を使用した以外は実施例100に記載した方法に
より光学活性エステル化合物を製造した。その物性値で
ある相転移温度は第５表に示した。 実施例102 （Ｒ）‐6-（トランス‐４′‐ブチルシクロヘキシルカ
ルボニルオキシ）‐2-ナフタレンカルボン酸１″‐メチ
ル‐ヘプチルエステルの製造 トランス‐4-ブチルシクロヘキシルカルボン酸1g、
（Ｒ）‐6-ヒドロキシナフタレン‐2-カルボン酸１′‐
メチル‐ヘプチルエステル1.7g、N,N′‐ジシクロヘキ
シルカルボジイミド1.2g及び20mgの4-ピロリジノピリジ
ンを50mlのクロロホルムに溶解し、８時間室温に放置し
た。副生したN,N′‐ジシクロヘキシル尿素を濾別後、
有機層を2N-塩酸、2N-水酸化ナトリウム水溶液で洗浄し
さらに水洗した。このものをベンゼンを溶出液としシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーを用い精製し、無色の
油状物として目的とする（Ｒ）‐6-（トランス‐４′‐
ブチルシクロヘキシルカルボニルオキシ）‐2-ナフタレ
ンカルボン酸１″‐メチル‐ヘプチルエステルを1.2g得
た。収率47％。この化合物の相転移温度は第６表に示し
た。またこの化合物の元素分析値は次のとおり理論値と
よく一致している。 理論値（C30H42O4として） 分析値 Ｃ 77.21％ 77.25％ Ｈ 9.07％ 9.10％ 実施例103 実施例102においてトランス‐4-ブチルシクロヘキシ
ルカルボン酸の代りにトランス‐4-ノニルシクロヘキシ
ルカルボン酸を使用した以外は実施例102に記載した方
法により光学活性エステル化合物を製造した。その物性
値である相転移温度は第６表に示した。 実施例104〜107 実施例102においてトランス‐4-ブチルシクロヘキシ
ルカルボン酸の代りに種々のトランス‐4-アルキルシク
ロヘキシルカルボン酸を用いさらに（Ｒ）‐6-ヒドロキ
シナフタレン‐2-カルボン酸１′‐メチル‐ヘプチルエ
ステルの代りに種々の光学活性6-ヒドロキシナフタレン
‐2-カルボン酸アルキルエステルを使用し実施例102に
記載した方法に従い各種光学活性エステル化合物を製造
した。その物性値である相転移温度は第６表に示した。 実施例108 （ｓ）‐6-オクチルナフタレン‐2-カルボン酸‐２″‐
メチルブチルエステルの製造 6-オクチルナフタレン‐2-カルボン酸2.8gと5mlの塩
化チオニルを50mlのトルエン中、５時間加熱還流した。
トルエンおよび過剰の塩化チオニルを減圧下留去した
後、残渣を20mlのトルエンに溶解し、1gの（ｓ）‐2-メ
チルブタノールを含む10mlのピリジン溶液に加え、10時
間室温で撹拌した。反応混合物を20％塩酸、10％水酸化
ナトリウム水溶液および水の順で洗浄した。有機層を無
水硫酸マグネシウムで乾燥後、トルエンを留去し残渣の
オイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精
製し、（ｓ）‐6-オクチルナフタレン‐2-カルボン酸‐
２″‐メチルブチルエステル1.9gを得た。収率55％。 この化合物の相転移温度は第７表に示した。 またこの化合物の元素分析値は次のとおり理論値とよ
く一致した。 理論値（C24H34O3として） 分析値 Ｃ 81.36％ 81.51％ Ｈ 9.60％ 9.55％ 実施例109〜119 実施例108において、6-オクチルナフタレン‐2-カル
ボン酸の代りに種々の6-アルキルオキシナフタレン‐2-
カルボン酸を使用し、さらに（ｓ）‐2-メチル‐ブタノ
ールの代りに種々の光学活性アルコール類を使用し実施
例108に記載した方法により各種光学活性エステルを製
造した。その物性値である相転移温度は第７表に示し
た。 実施例120 （ｓ）‐4-メチルカプロン酸‐２′‐（６′‐デシルオ
キシ）ナフチルエステルの製造 6-デシルオキシ‐2-ナフトール600mg、（ｓ）‐4-メ
チルカプロン酸260mg、N,N′‐ジシクロヘキシルカルボ
ジイミド420mgおよび4-ピロリジノピリジン10mgを15ml
の塩化メチレンに入れ室温で２時間放置した。副生した
N,N′‐ジシクロヘキシルウレアを濾別した後、有機層
を、５％塩酸、５％水酸化ナトリウム水溶液、水の順で
洗浄し、無水硫酸マグネシウムを用い乾燥させた。塩化
メチレンを留去した後残渣をベンゼンを溶出液としシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、600m
gの（ｓ）‐4-メチルカプロン酸‐２′‐（６′‐デシ
ルオキシ）ナフチルエステルを得た。収率73％、このも
のの相転移温度を第７表に示した。 このものの元素分析値は次のとおり理論値とよく一致
した。 理論値（C27H40O3として） 分析値 Ｃ 78.59％ 78.40％ Ｈ 9.77％ 9.80％ 実施例121〜123 実施例120において、6-デシルオキシ‐2-ナフトール
の代りに種々の6-アルキルオキシ‐2-ナフトールを使用
した以外は実施例120に記載した方法に従い各種光学活
性エステルを製造した。その物性値である相転移温度は
第７表に示した。 実施例124〜127 実施例120において、6-デシルオキシ‐2-ナフトール
の代りに種々の6-アルキルオキシ‐2-ナフトールを使用
し、さらに（ｓ）‐4-メチルカプロン酸の代りに種々の
光学活性カルボン酸類を使用し実施例120に記載した方
法により各種光学活性エステル化合物を製造した。その
物性値である相転移温度を第７表に示した。 実施例128本発明の液晶化合物 から構成された液晶組成物は47℃までSC＊相を示し47〜
95℃まではSA相それ以上の温度では等方性液体となり、
室温付近での表示素子として適している。 この混合物を電極面にシリカの斜方蒸着を施した電極
間隔が５μｍのセルに注入した。この液晶セルを直交ニ
コル状態に配置した２枚の偏光子の間にはさみ、10Vの
低周波数（1Hz）の交流を印加したところ、明瞭なスイ
ッチング現象が観察され、コントラストも非常に良く、
さらには応答速度も非常に速い（80μsec）液晶表示素
子が得られた。なお自発分極の値Psは42nC/cm2であっ
た。 実施例129 本発明の液晶化合物 から構成された液晶組成物は40℃までSC＊相を示し40〜
67℃まではSA相、それ以上の温度では等方性液体とな
り、室温付近での表示素子として適している。 この混合物を電極面にシリカの斜方蒸着を施した電極
間隔が５μｍのセルに注入した。この液晶セルを直交ニ
コル状態に配置した２枚の偏光子の間にはさみ、10Vの
低周波数（1Hz）の交流を印加したところ、明瞭なスイ
ッチング現象が観察され、コントラストも非常に良く、
さらには応答速度も非常に速い（100μsec）液晶表示素
子が得られた。なお自発分極の値Psは38nc/cm2であっ
た。 実施例130 公知の液晶性化合物 （このものは結晶 等方性液体の相転移温度を示し、応答速度は1msecであ
る。） 本発明の化合物 添加した液晶組成物は の相転移温度を示した。 またこのものを実施例128で示したセルに注入し応答
速度を測定したところ500μsecと非常に速まった。 実施例131 実施例130と同様に、本発明の化合物 液晶化合物（応答速度1msec） 添加した液晶混合物は の相転移温度を示し、室温で動作し、このものを実施例
128で示したセルに注入し応答度を測定したところ、200
μsecと非常に速くなった。 このように本発明の化合物のうち液晶相をまったく示
さない化合物も室温付近で動作し、かつ応答速度のより
速い液晶組成物を得るのに非常に有用な化合物である。 比較例１ 実施例130において、本発明の化合物の代わりに、 を使用して、調整した液晶組成物は、 の相転移温度を示した。 この液晶組成物の応答速度は、1.2msecであった。 実施例132 実施例９で製造した化合物と第１表中の１の構造で示
される公知の光学活性4-デシルオキシベンジリデン‐
４′‐アミノ‐２″‐メチルブチルシンナメート（DOBA
MBC）をそれぞれサンプル管に入れ、温度60℃、湿度90
％雰囲気中に40時間放置し、その前後でのSC＊−SA転移
温度の変化を調べた。 DOBAMBCのSC＊−SA転移温度は95℃から75℃へと20℃
も低下したのに対し、実施例９で製造した化合物の転移
温度はまったく変化せず、水分に対し非常に安定である
ことが判明した。 実施例133 実施例９で製造した化合物と公知のDOBAMBCをそれぞ
れガラス管に入れ、カーボンアークを用いて30時間照射
し、その前後でのSC＊−SA転移温度の変化を調べた。DO
BAMBCのSC＊−SA転移温度は95℃から72℃へと23℃も低
下したのに対し、実施例９で製造した化合物の転移温度
はまったく変化せず、光に対し非常に安定であることが
判明した。 〔発明の効果〕 本発明は光および光学的に安定な一般式（Ｉ）で示さ
れる光学活性なナフタレン誘導体化合物および該化合物
を少なくとも１種を含有する強誘電性スメクチック液晶
組成物を提供することにより、高速応答可能な表示素子
を構成し得るという優れた効果を有する。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所
Ｃ０７Ｃ 255/49 9357−4Ｈ Ｃ０７Ｃ 255/49
Ｃ０７Ｄ 239/54 Ｃ０７Ｄ 319/06
319/06 327/06
327/06 339/08
339/08 Ｃ０９Ｋ 19/32
Ｃ０９Ｋ 19/32 Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００
// Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ Ｃ０７Ｄ 239/54
Ｃ０７Ｍ 7:00
前置審査
(56)参考文献 特開 昭62−146984（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−93777（ＪＰ，Ａ)
特公 平６−56673（ＪＰ，Ｂ２)
英国公開1603075（ＧＢ，Ａ)
Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙ
ｓｔ．（1985），Ｖｏｌ．127，Ｎｏ.
１−４，Ｐ．273−282
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．一般式（Ｉ） 〔式中、Ｘは水素原子 ハロゲン原子、メチル基、エチ
ル基またはメトキシ基であり、ＡおよびＢは独立してそ
れぞれ次の一般式で表わされる基であり、少なくとも一
方は不斉炭素原子を含み、 ここでＣ環、Ｄ環はそれぞれ独立して、1,4-フェニレ
ン、2,6-ナフチレン、ピリジミン‐2,5-ジイル、トラン
ス‐1,4-シクロヘキシレン、トランス‐1,3-ジオキサン
‐2,5-ジイル、トランス‐1,3-オキサチアン‐2,5-ジイ
ル、トランス‐1,3-ジチアン‐2,5-ジイルまたはトラン
ス‐1,3,2-ジオキサボリナン‐2,5-ジイル基であり、こ
れらの基はハロゲン原子、シアノ基、メチル基、エチル
基またはメトキシ基により単置換あるいは多置換されて
いてもよく、ｍおよびｎは０、１または２の整数であ
り、Z1、Z2、Z3およびZ4はそれぞれ単結合、 −Ｏ−、−CH2−、−CH＝CH−または−Ｃ≡Ｃ−の群か
ら選んだ１種または２種以上の結合基であり、Ｙは水素
原子、ハロゲン原子、または炭素数１〜20を有する直鎖
状または分岐鎖状のアルキル基あるいはアルケニルアル
キル基（但し、ＡおよびＢ中のｍおよびｎが同時に０で
ある場合は、Ｙは炭素数２〜20の直鎖または分岐鎖状の
アルキル基あるいはアルケニルアルキル基である）（こ
れらのアルキル基中の１個のCH2基または隣接していな
い２個のCH2基は により置き換えられていてもよく、また１個の水素原子
はハロゲン原子あるいはアルコキシル基に置き換えられ
ていてもよい）である。 但し、ＡがRO−、 （式中、Ｒはアルキル基を表し、Ｗは水素原子またはハ
ロゲン原子を表す）であり、A,Bに含まれるアルキル基
の少なくとも一方は不斉炭素原子を含む下記式で表され
る炭素数４〜８の光学活性なアルキル基であり、 （ここで、ｐは０〜３の整数、ｑは１または２の整数を
示し、＊は不斉炭素原子を示す） 且つ、他方のアルキル基が炭素数４〜18のアルキル基を
表す場合、および、ＡがＲ′−（Ｒ′は炭素数４〜10の
アルキル基）であり、 （＊は不斉炭素原子を示す）である場合を除く。〕 で示される光学活性ナフタレン誘導体。 ２．一般式（Ｉ）で示される化合物が、次の一般式（２
−０） 〔式中R1、R2は水素原子、ハロゲン原子あるいは −Ｒ、−OR（Ｒは、炭素数１〜20の直鎖状または分岐鎖
状のアルキル基、ハロゲノアルキル基、アルコキシアル
キル基、アルケニルアルキル基、アルコキシカルボニル
アルキル基よりなる群より選んだ１種の基である）であ
り、R1、R2の少なくとも一方に不斉炭素原子を含み、 Ｚは単結合、 よりなる群より選んだ結合基であり、X1、X2は水素原
子、ハロゲン原子またはメチル基、X3、X4は水素原子、
ハロゲン原子、メチル基またはシアノ基である。但し、
R1が−OR基、R2が X3およびX4が水素原子である場合で、R1、R2に含まれる
アルキル基の少なくとも一方は不斉炭素原子を含む下記
式で表される炭素数４〜８の光学活性なアルキル基で、
且つ、他方のアルキル基が炭素数４〜18のアルキル基を
表す場合、 （ここで、ｐは０〜３の整数、ｑは１または２の整数を
示し、＊は不斉炭素原子を示す） およびR1が R2が炭素数４〜10のアルキル基、X3およびX4が水素原
子、Ｚが である場合を除く。〕で示される化合物である特許請求
の範囲第１項に記載の光学活性ナフタレン誘導体。 ３．一般式（２−０）で示される化合物が次の一般式
（２−１）、（２−２）、（２−３）、（２−４）、
（２−５）、（２−６）、（２−７）、（２−８）、
（２−９）、（２−10）、（２−11）、（２−12）、
（２−13）および（２−14） （但し＊印は不斉炭素原子を含むことを表わす。以下同
じ。） よりなる群より選んだ１種の化合物である特許請求の範
囲第２項に記載の光学活性ナフタレン誘導体。 ４．一般式（Ｉ）で示される化合物が次の一般式（４−
０） 〔式中R1、R2は水素原子、 −Ｒあるいは−OR（Ｒは、炭素数１〜20の直鎖状または
分岐鎖状のアルキル基、ハロゲノアルキル基、アルコキ
シアルキル基、アルケニルアルキル基、アルコキシカル
ボニルアルキル基よりなる群より選んだ１種の基であ
る）であり、R1、R2の少なくとも一方に不斉炭素原子を
含み、Ｚは単結合、 よりなる群より選んだ結合基であり、X1、X2は水素原
子、ハロゲン原子またはメチル基であり、X3〜X6は水素
原子、ハロゲン原子、メチル基またはシアノ基である。
但し、R1が−OR基、 である場合で、R1、R2に含まれるアルキル基の少なくと
も一方は不斉炭素原子を含む下記式で表される炭素数４
〜８の光学活性なアルキル基であり、 （ここで、ｐは０〜３の整数、ｑは１または２の整数を
示し、＊は不斉炭素原子を示す） 他方のアルキル基が炭素数４〜18のアルキル基を表す場
合は除く。〕 で示される化合物である特許請求の範囲第１項に記載の
光学活性ナフタレン誘導体。 ５．一般式（４−０）で示される化合物が一般式（４−
１）、（４−２）、（４−３）、（４−４）、（４−
５）、（４−６）、（４−７）、（４−８）、（４−
９）、（４−10）、（４−11）、（４−12）、（４−1
3）、（４−14）、（４−15）、（４−16）、（４−1
7）、（４−18）、（４−19）、（４−20）、（４−2
1）、（４−22）、（４−23）、（４−24）、（４−2
5）および（４−26） よりなる群より選んだ１種の化合物である特許請求の範
囲第４項に記載の光学活性ナフタレン誘導体。 ６．一般式（Ｉ）で示される化合物が次の一般式（６−
０） 〔式中R1、R2は水素原子、 −Ｒあるいは−OR（Ｒは炭素数１〜20の直鎖状または分
岐鎖状のアルキル基、ハロゲノアルキル基、アルコキシ
アルキル基、アルケニルアルキル基、アルコキシカルボ
ニルアルキル基よりなる群より選んだ１種の基である）
であり、R1、R2の少なくとも一方に不斉炭素原子を含
み、Ｚは単結合、 −CH2O−、−OCH2−よりなる群より選んだ結合基であ
り、 X1、X2は水素原子、ハロゲン原子またはメチル基であ
り、X3、X4は水素原子、ハロゲン原子、メチル基または
シアノ基である。但し、R1が−OR基、R2が である場合で、R1、R2に含まれるアルキル基の少なくと
も一方は不斉炭素原子を含む下記式で表される炭素数４
〜８の光学活性なアルキル基であり、 （ここで、ｐは０〜３の整数、ｑは１または２の整数を
示し、＊は不斉炭素原子を示す） 他方のアルキル基が炭素数４〜18のアルキル基を表す場
合は除く。〕 で示される化合物である特許請求の範囲第１項に記載の
光学活性ナフタレン誘導体。 ７．一般式（６−０）で示される化合物が次の一般式
（６−１）、（６−２）、（６−３）、（６−４）、
（６−５）、（６−６）、（６−７）、（６−８）、お
よび（６−９） なる群より選んだ１種の化合物である特許請求の範囲第
６項に記載の光学活性ナフタレン誘導体。 ８．一般式（Ｉ）で示される化合物が次の一般式（８−
０） 〔式中、 はトランス−1,4−シクロヘキシレン基を示し、R1、R2
は水素原子、 −Ｒあるいは−OR（Ｒは炭素数１〜20の直鎖状または分
岐鎖状のアルキル基、ハロゲノアルキル基、アルコキシ
アルキル基、アルケニルアルキル基、アルコキシカルボ
ニルアルキル基よりなる群より選んだ１種の基である）
であり、R1、R2の少なくとも一方に不斉炭素原子を含
み、Ｚは単結合、 よりなる群より選んだ結合基であり、X1、X2は水素原
子、ハロゲン原子またはメチル基である。〕 で示される化合物である特許請求の範囲第１項に記載の
光学活性ナフタレン誘導体。 ９．一般式（８−０）で示される化合物が、次の一般式
（８−１）、（８−２）、（８−３）、（８−４）、
（８−５）、（８−６）および（８−７） で示される特許請求の範囲第８項に記載の光学活性ナフ
タレン誘導体。 １０．一般式（Ｉ）で示される化合物が次の一般式（10
−０） 〔式中、R1、R2は水素原子、 −Ｒあるいは−OR（Ｒは炭素数１〜20の直鎖状または分
岐鎖状のアルキル基、ハロゲノアルキル基、アルコキシ
アルキル基、アルケニルアルキル基、アルコキシカルボ
ニルアルキル基よりなる群より選んだ１種の基である）
であり、R1、R2の少なくとも一方に不斉炭素原子を含
み、Ｚは単結合、 −CH2O−、−OCH2−よりなる群より選んだ結合基であ
り、 X1、X2は水素原子、ハロゲン原子またはメチル基であ
り、X3〜X6は水素原子、ハロゲン原子、メチル基または
シアノ基である。但し、R1、R2が−OR基、X3、X4が水素
原子またはハロゲン原子、X5、X6が水素原子、Ｚが 基である場合で、R1、R2に含まれるアルキル基の少なく
とも一方は不斉炭素原子を含む下記式で表される炭素数
４〜８の光学活性なアルキル基であり、 （ここで、ｐは０〜３の整数、ｑは１または２の整数を
示し、＊は不斉炭素原子を示す） 他方のアルキル基が炭素数４〜18のアルキル基を表す場
合は除く。〕 で示される化合物である特許請求の範囲第１項に記載の
光学活性ナフタレン誘導体。 １１．一般式（10−０）で示される化合物が次の一般式
（10−１）、（10−２）、（10−３）、（10−４）、
（10−５）、（10−６）、（10−７）および（10−８） で示される化合物である特許請求の範囲第10項に記載の
光学活性ナフタレン誘導体。 １２．一般式（Ｉ）で示される化合物が、次の一般式
（12−０） 〔式中、R1、R2は水素原子、 −Ｒあるいは−OR（Ｒは炭素数２〜20の直鎖状または分
岐鎖状のアルキル基、ハロゲノアルキル基、アルコキシ
アルキル基、アルケニルアルキル基、アルコキシカルボ
ニルアルキル基よりなる群より選んだ１種の基である）
であり、R1、R2の少なくとも一方に不斉炭素原子を含
み、X1、X2は水素原子、ハロゲン原子またはメチル基で
ある。但し、R1が−OR基、R2が である場合で、R1、R2に含まれるアルキル基の少なくと
も一方は不斉炭素原子を含む下記式で表される炭素数４
〜８の光学活性なアルキル基であり、 （ここで、ｐは０〜３の整数、ｑは１または２の整数を
示し、＊は不斉炭素原子を示す） 他方のアルキル基が炭素数４〜18のアルキル基を表す場
合は除く。〕 で示される化合物である特許請求の範囲第１項に記載の
光学活性ナフタレン誘導体。 １３．一般式（12−０）で示される化合物が次の一般式
（12−１）、（12−２）、（12−３）、（12−４）、
（12−５）、（12−６）、（12−７）、（12−８）およ
び（12−９） で示される化合物である特許請求の範囲第12項に記載の
光学活性ナフタレン誘導体。 １４．一般式（Ｉ） 〔式中、Ｘは水素原子、ハロゲン原子、メチル基、エチ
ル基またはメトキシ基であり、ＡおよびＢは独立してそ
れぞれ次の一般式で表わされる基であり、少なくとも一
方は不斉炭素原子を含み、 ここでＣ環、Ｄ環はそれぞれ独立して、1,4-フェニレ
ン、2,6-ナフチレン、ピリジミン‐2,5-ジイル、トラン
ス‐1,4-シクロヘキシレン、トランス‐1,3-ジオキサン
‐2,5-ジイル、トランス‐1,3-オキサチアン‐2,5-ジイ
ル、トランス‐1,3-ジチアン‐2,5-ジイルまたはトラン
ス‐1,3,2-ジオキサボリナン‐2,5-ジイル基であり、こ
れらの基はハロゲン原子、シアノ基、メチル基、エチル
基またはメトキシ基により単置換あるいは多置換されて
いてもよく、ｍおよびｎは０、１または２の整数であ
り、Z1、Z2、Z3およびZ4はそれぞれ単結合、 −Ｏ−、−CH2−、−CH＝CH−または−Ｃ≡Ｃ−の群か
ら選んだ１種または２種以上の結合基であり、Ｙは水素
原子、ハロゲン原子、または炭素数１〜20を有する直鎖
状または分岐鎖状のアルキル基あるいはアルケニルアル
キル基（但し、ＡおよびＢ中のｍおよびｎが同時に０で
ある場合は、Ｙは炭素数２〜20の直鎖または分岐鎖状の
アルキル基あるいはアルケニルアルキル基である）（こ
れらのアルキル基中の１個のCH2基または隣接していな
い２個のCH2基は により置き換えられていてもよく、また１個の水素原子
はハロゲン原子あるいはアルコキシル基に置き換えられ
ていてもよい）である。 但し、ＡがRO−、 （式中、Ｒはアルキル基を表し、Ｗは水素原子またはハ
ロゲン原子を表す） であり、A,Bに含まれるアルキル基の少なくとも一方は
不斉炭素原子を含む下記式で表される炭素数４〜８の光
学活性なアルキル基であり、 （ここで、ｐは０〜３の整数、ｑは１または２の整数を
示し、＊は不斉炭素原子を示す） 且つ、他方のアルキル基が炭素数４〜18のアルキル基を
表す場合、および、ＡがＲ′−（Ｒ′は炭素数４〜10の
アルキル基）であり、 （＊は不斉炭素原子を示す）である場合を除く。〕 で示される光学活性ナフタレン誘導体を少なくとも１種
含有する液晶組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CA000552773A CA1294954C (en) | 1986-12-26 | 1987-11-25 | Optically active naphthalene derivatives |
| US07/467,300 US5072021A (en) | 1986-12-26 | 1990-01-16 | Optically active naphthalene derivatives |
Applications Claiming Priority (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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