JP2696933B2 - 置換環状ケトン及び置換環状エノン並びにそれらの製造法 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は医農薬品の中間体、特にプロスタグランジン
類の合成中間体として有用な置換環状ケトン並びに置換
環状エノン、即ち置換シクロペンタノン及びシクロヘキ
サノン誘導体類並びに置換シクロペンテノン及びシクロ
ヘキセノン誘導体、及びそれらの製造法に関する。
類の合成中間体として有用な置換環状ケトン並びに置換
環状エノン、即ち置換シクロペンタノン及びシクロヘキ
サノン誘導体類並びに置換シクロペンテノン及びシクロ
ヘキセノン誘導体、及びそれらの製造法に関する。
従来の技術及び発明が解決しようとする課題 置換シクロペンタノン誘導体類及びα−置換シクロペ
ンテノン誘導体類は医農薬中間体として注目されてお
り、特に強力な生理活性を有するプロスタグランジン類
の中間体として有用である。
ンテノン誘導体類は医農薬中間体として注目されてお
り、特に強力な生理活性を有するプロスタグランジン類
の中間体として有用である。
従来、プロスタグランジン類を製造する反応の１つと
して、β位に置換基のないシクロペンテノン誘導体より
次式で代表される所謂二成分反応でプロスタグランジン
Ｅ型を合成することは知られている〔エム・ジェイ・ヴ
ァイス（M.J.Weiss）、ジャーナル・オルガニック・ケ
ミストリー（Journal Organic Chemistry）44巻、1439
頁、1979年〕。
して、β位に置換基のないシクロペンテノン誘導体より
次式で代表される所謂二成分反応でプロスタグランジン
Ｅ型を合成することは知られている〔エム・ジェイ・ヴ
ァイス（M.J.Weiss）、ジャーナル・オルガニック・ケ
ミストリー（Journal Organic Chemistry）44巻、1439
頁、1979年〕。
（式中、THPはテトラヒドロピラニル基、Meはメチル
基、Phはフェニル基を示す。） また、このようなβ位に置換基のないシクロペンテノ
ン誘導体に誘導される中間体の製造法も数通り知られて
いる（寺嶋、酒井、山本共著「プロスタグランジンと関
連生理活性物質」89〜92頁、1981年）が、工業的製法と
しては種々問題がある。
基、Phはフェニル基を示す。） また、このようなβ位に置換基のないシクロペンテノ
ン誘導体に誘導される中間体の製造法も数通り知られて
いる（寺嶋、酒井、山本共著「プロスタグランジンと関
連生理活性物質」89〜92頁、1981年）が、工業的製法と
しては種々問題がある。
更に、プロスタグランジン類を製造する方法として、
従来より次式で表わされる共役付加反応によるプロスタ
グランジンＦ２αの合成法が知られている〔ジー・スタ
ーク等、ジャーナル・アメリカン・ケミカル・ソサィヤ
ティ（J.Am.Chem.Soc.）,97巻、4745,6260頁，（1975
年）〕。
従来より次式で表わされる共役付加反応によるプロスタ
グランジンＦ２αの合成法が知られている〔ジー・スタ
ーク等、ジャーナル・アメリカン・ケミカル・ソサィヤ
ティ（J.Am.Chem.Soc.）,97巻、4745,6260頁，（1975
年）〕。
前記プロスタグランジンＦ２αの合成法は化合物IV
a′からの収率が高く、しかも共役付加の試薬を選択す
ることによりα鎖部分を自由に変更することができる特
徴を有している。
a′からの収率が高く、しかも共役付加の試薬を選択す
ることによりα鎖部分を自由に変更することができる特
徴を有している。
しかしながら、従来知られている化合物IV a′の合成
法は収率が低く、使用する試薬が高価であり、また、得
られる化合物IV a′もラセミ体である例が多く、光学活
性体で得るのが難しいという欠点を有している〔上掲文
献；ディ・アール・モートン等、ジャーナル・オルガニ
ック・ケミストリィ（J.Org.Chem）,43巻、2102頁（197
8年）；エー・ビー・コジコフスキィー等、ジャーナル
・オルガニック・ケミストリィ（J.Org.Chem）,49巻、2
301頁（1984年）〕。
法は収率が低く、使用する試薬が高価であり、また、得
られる化合物IV a′もラセミ体である例が多く、光学活
性体で得るのが難しいという欠点を有している〔上掲文
献；ディ・アール・モートン等、ジャーナル・オルガニ
ック・ケミストリィ（J.Org.Chem）,43巻、2102頁（197
8年）；エー・ビー・コジコフスキィー等、ジャーナル
・オルガニック・ケミストリィ（J.Org.Chem）,49巻、2
301頁（1984年）〕。
このため、工業的有利にプロスタグランジンを製造す
ることが望まれる。
ることが望まれる。
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、プロスタグ
ランジン類を工業的有利に製造することができる新規で
有用な置換シクロペンタノン及びシクロヘキサン誘導
体、置換シクロペンテノン及びシクロヘキセノン誘導体
並びにそれらの製造法を提供することを目的とする。
ランジン類を工業的有利に製造することができる新規で
有用な置換シクロペンタノン及びシクロヘキサン誘導
体、置換シクロペンテノン及びシクロヘキセノン誘導体
並びにそれらの製造法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段及び作用 本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意研究を進
めた結果、下記式で示される各化合物がプロスタグラン
ジンの合成中間体として有用であることを知見した。
めた結果、下記式で示される各化合物がプロスタグラン
ジンの合成中間体として有用であることを知見した。
上記式において、 R1は、水素原子、炭素数１〜10のアルキル基、炭素数
２〜10のアルケニル基、炭素数２〜10のアルキニル基、
フェニル基、 を示す。
２〜10のアルケニル基、炭素数２〜10のアルキニル基、
フェニル基、 を示す。
R2は炭素数１〜10のアルキル，炭素数１〜10のアルキ
ルチオ基，炭素数１〜10のアルキルアミノ基，炭素数１
〜10のアルキルシリル基，炭素数１〜10のアルキル錫
基，炭素数２〜10のアルケニル基，炭素数２〜10のアル
キニル基、又はシアノ基を示す。
ルチオ基，炭素数１〜10のアルキルアミノ基，炭素数１
〜10のアルキルシリル基，炭素数１〜10のアルキル錫
基，炭素数２〜10のアルケニル基，炭素数２〜10のアル
キニル基、又はシアノ基を示す。
R3及びR4は、それぞれ炭素数１〜10のアルキル基、フ
ェニル基、ｐ−クロロフェニル基、ベンジル基又はｐ−
クロロベンジル基を示し、R3とR4は互に同一であっても
異なっていてもよい。
ェニル基、ｐ−クロロフェニル基、ベンジル基又はｐ−
クロロベンジル基を示し、R3とR4は互に同一であっても
異なっていてもよい。
R5は、炭素数１〜15のアルキル基、炭素数２〜15のア
ルケニル基、炭素数２〜15のアルキニル基、４−フェノ
キシブチル基、３−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキ
シ）オクチル基、３−（エトキシエチルオキシ）−１−
オクテン−１−イル基、３−（２−テトラヒドロピラニ
ルオキシ）−１−オクテン−１−イル基、３−（ｔ−ブ
チルメチルシリルオキシ）−５−メチル−１−ノネン−
１−イル基、３−（ベンジルオキシメチルオキシ）−１
−オクテン−１−イル基、又は （但し式中、Ｚ″はメチル基、トリアルキルシリル基、
アルコキシアルキル基、アラルキルオキシアルキル基、
トリチル基又はテトラヒドロピラニル基を示し、 は一重結合、二重結合又は三重結合を示し、R7は炭素数
１〜10のアルキル基、ヘキサ−４−イン−２−イル基、
ヘプタ−４−イン−２−イル基、2,6−ジメチル−ヘプ
タ−５−エン−１−イル基、ペンタ−１−エン−１−イ
ル基、ペンタ−２−エン−１−イル基、ヘキサ−１−エ
ン−２−イル基、３−エトキシ−２−メチル−プロパン
−２−イル基、エトキシエチル基、５−メトキシヘキシ
ル基、６−メトキシ−２−ヘキシル基、ハロゲン化メチ
ル基、ハロゲン化ｎ−ブチル基、ハロゲン化ｎ−ペンチ
ル基、ハロゲン化ノニル基、フェニル基、ベンジル基、
ハロゲン化フェニル基、ｎ−ペンチルオキシメチル基、
１−エトキシ−２−メチル−プロパン−２−イル基、フ
ェノキシメチル基、ベンジロキシメチル基、ｐ−クロロ
フェノキシメチル基、２−フェニルエチル基、ベンジロ
キシエチル基、ｐ−フルオロフェノキシメチル基、フェ
ニルアセチレニル基、ｍ−クロロフェノキシメチル基、
ｍ−トリフルオロメチル−フェノキシメチル基、ベンゾ
チオフェン−５−イル基、２−オクテニル基、３−メト
キシカルボニルプロピル基又はビニル基を示す。） M1及びM2は、それぞれLi,Na,K,Mg,Ca,Ti,Zr,Ni,Cu,Z
n,Al,Snより選ばれる金属又は該金属を含む基を示
す。〕 Ｘは（α−OZ,β−Ｈ）又は（α−H,β−OZ）を示
す。
ルケニル基、炭素数２〜15のアルキニル基、４−フェノ
キシブチル基、３−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキ
シ）オクチル基、３−（エトキシエチルオキシ）−１−
オクテン−１−イル基、３−（２−テトラヒドロピラニ
ルオキシ）−１−オクテン−１−イル基、３−（ｔ−ブ
チルメチルシリルオキシ）−５−メチル−１−ノネン−
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−オクテン−１−イル基、又は （但し式中、Ｚ″はメチル基、トリアルキルシリル基、
アルコキシアルキル基、アラルキルオキシアルキル基、
トリチル基又はテトラヒドロピラニル基を示し、 は一重結合、二重結合又は三重結合を示し、R7は炭素数
１〜10のアルキル基、ヘキサ−４−イン−２−イル基、
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ル基、ペンタ−２−エン−１−イル基、ヘキサ−１−エ
ン−２−イル基、３−エトキシ−２−メチル−プロパン
−２−イル基、エトキシエチル基、５−メトキシヘキシ
ル基、６−メトキシ−２−ヘキシル基、ハロゲン化メチ
ル基、ハロゲン化ｎ−ブチル基、ハロゲン化ｎ−ペンチ
ル基、ハロゲン化ノニル基、フェニル基、ベンジル基、
ハロゲン化フェニル基、ｎ−ペンチルオキシメチル基、
１−エトキシ−２−メチル−プロパン−２−イル基、フ
ェノキシメチル基、ベンジロキシメチル基、ｐ−クロロ
フェノキシメチル基、２−フェニルエチル基、ベンジロ
キシエチル基、ｐ−フルオロフェノキシメチル基、フェ
ニルアセチレニル基、ｍ−クロロフェノキシメチル基、
ｍ−トリフルオロメチル−フェノキシメチル基、ベンゾ
チオフェン−５−イル基、２−オクテニル基、３−メト
キシカルボニルプロピル基又はビニル基を示す。） M1及びM2は、それぞれLi,Na,K,Mg,Ca,Ti,Zr,Ni,Cu,Z
n,Al,Snより選ばれる金属又は該金属を含む基を示
す。〕 Ｘは（α−OZ,β−Ｈ）又は（α−H,β−OZ）を示
す。
Ｙは、（α−OZ′，β−Ｈ）又は（α−H,β−OZ′）
を示す。
を示す。
Ｚ及びＺ′は、それぞれ水素原子、メチル基、トリア
ルキルシリル基（例えばトリメチルシリル基、ｔ−ブチ
ルジメチルシリル基）、アルコキシアルキル基（例えば
メトキシメチル基）、アラルキルオキシアルキル基（例
えばベンジルオキシメチル基）、トリチル基又はテトラ
ヒドロピラニル（THP）基を示すが、ＺとＺ′とは互に
同一でも異なっていてもよい。
ルキルシリル基（例えばトリメチルシリル基、ｔ−ブチ
ルジメチルシリル基）、アルコキシアルキル基（例えば
メトキシメチル基）、アラルキルオキシアルキル基（例
えばベンジルオキシメチル基）、トリチル基又はテトラ
ヒドロピラニル（THP）基を示すが、ＺとＺ′とは互に
同一でも異なっていてもよい。
Ｗは、CHR1,（α−CHR1OH,β−Ｈ）又は（α−H,β−
CHR1OH）を示す。
CHR1OH）を示す。
Ｖは（α−CHR1OH,β−Ｈ）又は（α−H,β−CHR1O
H）を示す。
H）を示す。
Ｕは、Ｘが（α−OZ,β−Ｈ）の時（α−H,β−R5）
を示し、Ｘが（α−H,β−OZ）の時（α−R5,β−Ｈ）
を示す。
を示し、Ｘが（α−H,β−OZ）の時（α−R5,β−Ｈ）
を示す。
ｎは１又は２である。
即ち、一般式〔Ｖ〕で示される化合物を次亜ハロゲン
酸塩、又は塩基とハロゲンガスを用いて環化することに
より、新規化合物〔Ｉ〕が得られると共に、この新規化
合物〔Ｉ〕を出発原料として新規化合物〔II〕（〔II
a〕及び〔II b〕）が得られること、より具体的には上
記新規化合物〔Ｉ〕を水素化触媒の存在下に水素化加水
分解することにより新規化合物〔II a〕が合成され、こ
の新規化合物〔II a〕を塩基の存在下にスルホニル化し
た後、脱スルホン酸することにより新規化合物〔II b〕
が合成されることを知見した。更に、上記新規化合物
〔II b〕に一般式〔VI〕で示される化合物を反応するこ
とにより新規化合物〔III a〕を包含する一般式〔III〕
で示される化合物が得られること、この新規化合物〔II
I a〕は上記新規化合物〔II b〕に化合物〔VII〕を反応
させることにより得られると共に、この新規化合物〔II
I a〕は上記新規化合物〔II a〕を塩基の存在下にスル
ホニル化し、次いで脱スルホン酸した後、一般式〔VI
I〕の化合物を反応させることによっても得られるこ
と、また上記新規化合物〔III a〕に一般式〔VIII〕で
示される化合物を反応させることにより、一般式〔IV〕
で示される化合物が得られることを見い出した。
酸塩、又は塩基とハロゲンガスを用いて環化することに
より、新規化合物〔Ｉ〕が得られると共に、この新規化
合物〔Ｉ〕を出発原料として新規化合物〔II〕（〔II
a〕及び〔II b〕）が得られること、より具体的には上
記新規化合物〔Ｉ〕を水素化触媒の存在下に水素化加水
分解することにより新規化合物〔II a〕が合成され、こ
の新規化合物〔II a〕を塩基の存在下にスルホニル化し
た後、脱スルホン酸することにより新規化合物〔II b〕
が合成されることを知見した。更に、上記新規化合物
〔II b〕に一般式〔VI〕で示される化合物を反応するこ
とにより新規化合物〔III a〕を包含する一般式〔III〕
で示される化合物が得られること、この新規化合物〔II
I a〕は上記新規化合物〔II b〕に化合物〔VII〕を反応
させることにより得られると共に、この新規化合物〔II
I a〕は上記新規化合物〔II a〕を塩基の存在下にスル
ホニル化し、次いで脱スルホン酸した後、一般式〔VI
I〕の化合物を反応させることによっても得られるこ
と、また上記新規化合物〔III a〕に一般式〔VIII〕で
示される化合物を反応させることにより、一般式〔IV〕
で示される化合物が得られることを見い出した。
そして、上記式〔II〕（〔II a〕、〔II b〕）、〔II
I〕、〔III a〕、〔IV〕がプロスタグランジン類を合成
するための中間体として有用であることを知見し、本発
明をなすに至ったものである。
I〕、〔III a〕、〔IV〕がプロスタグランジン類を合成
するための中間体として有用であることを知見し、本発
明をなすに至ったものである。
従って、本発明は、 （１）新規化合物〔Ｉ〕及びその製造法、 （２）新規化合物〔II〕（〔II a〕及び〔II b〕）及び
その製造法、 （３）新規化合物〔III a〕及びその製造法、 （４）化合物〔IV〕の製造法 を提供する。
その製造法、 （３）新規化合物〔III a〕及びその製造法、 （４）化合物〔IV〕の製造法 を提供する。
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明の第１のグループは、一般式〔Ｉ〕で示される
新規化合物及び一般式〔Ｖ〕の化合物からこの一般式
〔Ｉ〕の新規化合物を得る方法に関する。
新規化合物及び一般式〔Ｖ〕の化合物からこの一般式
〔Ｉ〕の新規化合物を得る方法に関する。
ここで、一般式〔Ｉ〕の新規化合物において、式中、
Ｘは（α−OZ,β−Ｈ）又は（α−H,β−OZ）、Ｙは
（α−OZ′，β−Ｈ）又は（α−H,β−OZ′）、Ｚ及び
Ｚ′はそれぞれ水素原子又は下記に示す水酸基の保護基
を示すが、ＺとＺ′とは互に同一でも異なっていてもよ
い。またR1は水素原子、及び下記の基を示し、ｎは１又
は２の整数を示す。
Ｘは（α−OZ,β−Ｈ）又は（α−H,β−OZ）、Ｙは
（α−OZ′，β−Ｈ）又は（α−H,β−OZ′）、Ｚ及び
Ｚ′はそれぞれ水素原子又は下記に示す水酸基の保護基
を示すが、ＺとＺ′とは互に同一でも異なっていてもよ
い。またR1は水素原子、及び下記の基を示し、ｎは１又
は２の整数を示す。
Ｚ及びＺ′の水酸基の保護基は、メチル基、トリアル
キルシリル基（例えばトリメチルシリル基、ｔ−ブチル
ジメチルシリル基）、アルコキシアルキル基（例えばメ
トキシメチル基）、アラルキルオキシアルキル基（例え
ばベンジルオキシメチル基）、トリチル基又はテトラヒ
ドロピラニル（THP）基である。
キルシリル基（例えばトリメチルシリル基、ｔ−ブチル
ジメチルシリル基）、アルコキシアルキル基（例えばメ
トキシメチル基）、アラルキルオキシアルキル基（例え
ばベンジルオキシメチル基）、トリチル基又はテトラヒ
ドロピラニル（THP）基である。
また、R1として具体的には、水素原子、メチル基，エ
チル基,n−ペンチル基等の炭素数１〜10のアルキル基、 で表わされる３−ノネン等の炭素数２〜10のアルケニル
基、炭素数２〜10のアルキニル基、フェニル基、 （上記式中、THPはテトラヒドロピラニル基、tBuはター
シャリーブチル基、EEはエトキシエチル基を示す。） 上記一般式〔Ｉ〕の化合物は、〔Ｖ〕の化合物（式中
Z,Z′,R1及びｎはそれぞれ上記と同じ意味を示す）のオ
キシム−CH＝Ｎ−OHをシアネート−Ｃ≡N+−O-に変える
穏和な酸化剤、例えば次亜ハロゲン酸塩水溶液又は塩基
とハロゲンガスを用いて環化することにより製造し得
る。次亜ハロゲン酸塩としては、次亜塩素酸ナトリウ
ム，次亜臭素酸ナトリウム，次亜沃素酸ナトリウム等を
挙げることができるが、特に次亜塩素酸ナトリウムが好
適に用いられる。次亜ハロゲン酸塩の量は、〔Ｖ〕の化
合物に対して通常当量以上使用される。ハロゲンガスと
しては塩素，臭素が挙げられ、塩基としてはトリエチル
アミン等の第三級アミン，ピリジン,4−ジメチルアミノ
ピリジンが挙げられる。反応は溶媒を使用することがで
き、溶媒としてはハロゲン化炭化水素例えばジクロロメ
タンや炭化水素類例えばヘキサン，ベンゼン，トルエン
などが使用される。反応温度、反応時間は適宜選定さ
れ、反応温度は−20℃から溶媒の還流温度、特に０〜50
℃が好ましく、反応時間は通常0.5〜100時間が採用され
る。
チル基,n−ペンチル基等の炭素数１〜10のアルキル基、 で表わされる３−ノネン等の炭素数２〜10のアルケニル
基、炭素数２〜10のアルキニル基、フェニル基、 （上記式中、THPはテトラヒドロピラニル基、tBuはター
シャリーブチル基、EEはエトキシエチル基を示す。） 上記一般式〔Ｉ〕の化合物は、〔Ｖ〕の化合物（式中
Z,Z′,R1及びｎはそれぞれ上記と同じ意味を示す）のオ
キシム−CH＝Ｎ−OHをシアネート−Ｃ≡N+−O-に変える
穏和な酸化剤、例えば次亜ハロゲン酸塩水溶液又は塩基
とハロゲンガスを用いて環化することにより製造し得
る。次亜ハロゲン酸塩としては、次亜塩素酸ナトリウ
ム，次亜臭素酸ナトリウム，次亜沃素酸ナトリウム等を
挙げることができるが、特に次亜塩素酸ナトリウムが好
適に用いられる。次亜ハロゲン酸塩の量は、〔Ｖ〕の化
合物に対して通常当量以上使用される。ハロゲンガスと
しては塩素，臭素が挙げられ、塩基としてはトリエチル
アミン等の第三級アミン，ピリジン,4−ジメチルアミノ
ピリジンが挙げられる。反応は溶媒を使用することがで
き、溶媒としてはハロゲン化炭化水素例えばジクロロメ
タンや炭化水素類例えばヘキサン，ベンゼン，トルエン
などが使用される。反応温度、反応時間は適宜選定さ
れ、反応温度は−20℃から溶媒の還流温度、特に０〜50
℃が好ましく、反応時間は通常0.5〜100時間が採用され
る。
本発明の第２のグループは一般式〔II〕（〔II a〕，
〔II b〕）で示される新規化合物及びそれらの製造法に
関するものである。
〔II b〕）で示される新規化合物及びそれらの製造法に
関するものである。
ここで、ＷはCHR1,（α−CHR1OH,β−Ｈ）又は（α−
H,β−CHR1OH）を示し、Ｖは（α−CHR1OH,β−Ｈ）又
は（α−H,β−CHR1OH）を示す。また、X,Y,Z,Z′,R1及
びｎは上記と同じ意味を示す。
H,β−CHR1OH）を示し、Ｖは（α−CHR1OH,β−Ｈ）又
は（α−H,β−CHR1OH）を示す。また、X,Y,Z,Z′,R1及
びｎは上記と同じ意味を示す。
上記一般式〔II〕で示される新規化合物のうち、一般
式〔II a〕の新規化合物は、上記新規化合物〔Ｉ〕を水
素化触媒の存在下、水素化加水分解することにより、製
造することができる。
式〔II a〕の新規化合物は、上記新規化合物〔Ｉ〕を水
素化触媒の存在下、水素化加水分解することにより、製
造することができる。
この水素化加水分解反応は、水素雰囲気下において水
素化触媒を用いて弱酸性条件下で水素化開裂反応と加水
分解反応を同時に行なうものである。
素化触媒を用いて弱酸性条件下で水素化開裂反応と加水
分解反応を同時に行なうものである。
この反応に用いる水素化触媒としては、公知の水素化
触媒が使用でき、例示するとラネーコバルト，ラネーニ
ッケル，パラジウム，白金，パラジウム／炭素，パラジ
ウム／アルミナ，白金／炭素，白金／アルミナ等が挙げ
られる。
触媒が使用でき、例示するとラネーコバルト，ラネーニ
ッケル，パラジウム，白金，パラジウム／炭素，パラジ
ウム／アルミナ，白金／炭素，白金／アルミナ等が挙げ
られる。
また、上記の水素化加水分解反応は弱酸性下、特にpH
5〜６で行なうことが好適であり、このため弱酸を添加
することが望ましいが、この場合、弱酸としては硼酸、
燐酸等が挙げられる。その使用量は１〜10当量、特に１
〜５当量とすることが望ましい。
5〜６で行なうことが好適であり、このため弱酸を添加
することが望ましいが、この場合、弱酸としては硼酸、
燐酸等が挙げられる。その使用量は１〜10当量、特に１
〜５当量とすることが望ましい。
更に、上記の反応は溶媒を使用することが好ましい
が、溶媒としては、水やテトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、メタノール、エタノールと水との混合溶媒を使用す
ることができるが、勿論これらに限定されるものではな
い。
が、溶媒としては、水やテトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、メタノール、エタノールと水との混合溶媒を使用す
ることができるが、勿論これらに限定されるものではな
い。
なお、上記の反応において、水素圧としては常圧〜10
0kg/cm2（ゲージ）が採用される。また、反応温度とし
ては−50℃〜溶媒の沸点が望ましく、反応時間は通常20
分〜15時間である。
0kg/cm2（ゲージ）が採用される。また、反応温度とし
ては−50℃〜溶媒の沸点が望ましく、反応時間は通常20
分〜15時間である。
また、一般式〔II〕で表わされる新規化合物のうち、
一般式〔II b〕の新規化合物は、上記新規化合物〔II
a〕を塩基の存在下にスルホニル化し、次いで脱スルホ
ニル化することにより製造することができる。
一般式〔II b〕の新規化合物は、上記新規化合物〔II
a〕を塩基の存在下にスルホニル化し、次いで脱スルホ
ニル化することにより製造することができる。
ここで、塩基としては第三級アミン（例えばトリエチ
ルアミン）、ピリジン、４−ジメチルアミンピリジン等
が使用でき、スルホニル化剤としては、アルキルスルホ
ニルクロライド（例えばメチルスルホニルクロライ
ド）、アリールスルホニルクロライド（例えばｐ−トル
エンスルホニルクロライド）等が挙げられる。その使用
量は、各々当量以上であるが、通常塩基はスルホニル化
より過剰に用いられる。
ルアミン）、ピリジン、４−ジメチルアミンピリジン等
が使用でき、スルホニル化剤としては、アルキルスルホ
ニルクロライド（例えばメチルスルホニルクロライ
ド）、アリールスルホニルクロライド（例えばｐ−トル
エンスルホニルクロライド）等が挙げられる。その使用
量は、各々当量以上であるが、通常塩基はスルホニル化
より過剰に用いられる。
上記のスルホニル化反応及び脱スルホン酸反応におい
ては、溶媒を使用することができるが、溶媒としては、
クロロホルム、塩化メチレン、四塩化炭素、ジエチルエ
ーテル等の１種又は２種以上の混合溶媒を用いることが
できる。
ては、溶媒を使用することができるが、溶媒としては、
クロロホルム、塩化メチレン、四塩化炭素、ジエチルエ
ーテル等の１種又は２種以上の混合溶媒を用いることが
できる。
なお、スルホニル化反応及び脱スルホン酸反応は公知
のスルホニル化反応、脱スルホン酸反応の条件に準じて
行なうことができる。この場合、スルホニル化反応と脱
スルホン酸反応とは、同時に、即ちスルホニル化反応の
反応生成物を取り出すことなくそのまま脱スルホン酸反
応を行なってもよく、また別々に、即ちスルホニル化反
応の反応生成物を取り出し、これに対して脱スルホン酸
反応を行なってもよいが、その反応温度はいずれも−10
0〜100℃とすることが望ましい。また、反応時間は通常
20分〜６時間である。
のスルホニル化反応、脱スルホン酸反応の条件に準じて
行なうことができる。この場合、スルホニル化反応と脱
スルホン酸反応とは、同時に、即ちスルホニル化反応の
反応生成物を取り出すことなくそのまま脱スルホン酸反
応を行なってもよく、また別々に、即ちスルホニル化反
応の反応生成物を取り出し、これに対して脱スルホン酸
反応を行なってもよいが、その反応温度はいずれも−10
0〜100℃とすることが望ましい。また、反応時間は通常
20分〜６時間である。
本発明の第３のグループは、一般式〔III〕に包含さ
れる新規化合物〔III a〕及びその製造法に関する。
れる新規化合物〔III a〕及びその製造法に関する。
即ち、一般式〔III〕で示される化合物は、上記新規
化合物〔II b〕に一般式〔VI〕で示される求核試薬を反
応させることにより合成される。
化合物〔II b〕に一般式〔VI〕で示される求核試薬を反
応させることにより合成される。
ここで、式中R2は炭素数１〜10の置換もしくは未置換
のアルキル基，アルケニル基，アルキニル基，アルキル
チオ基，アルキルアミノ基，アルキルシリル基，アルキ
ル錫基，及びシアノ基より選ばれる基、M1はLi,Na,K,M
g,Ca,Ti,Zr,Ni,Cu,Zn,Al,Snより選ばれる金属又は該金
属を含む基を示す。R1,X,Y,Z,Z′,nは上記と同じ意味を
示す。
のアルキル基，アルケニル基，アルキニル基，アルキル
チオ基，アルキルアミノ基，アルキルシリル基，アルキ
ル錫基，及びシアノ基より選ばれる基、M1はLi,Na,K,M
g,Ca,Ti,Zr,Ni,Cu,Zn,Al,Snより選ばれる金属又は該金
属を含む基を示す。R1,X,Y,Z,Z′,nは上記と同じ意味を
示す。
この場合、求核試薬〔VI〕としては、具体的にR2Li,R
2MgBr,R2MgI,R2R6CuQLi2,R2CuQLi,R2（R6）2AlQLi,R
2（R1）2Al,R2R6CuQLiMgBr,R2CuQMgBr等が挙げられる。
但し、R6は炭素数１〜10の置換もしくは未置換のアルキ
ル基，アルケニル基，アルキニル基，アルキルチオ基，
アルキルアミノ基，アルキルシリル基，アルキルオキシ
基，アルキルカルボニル基及びシアノ基より選ばれる基
であるが、R2とR6は互に同一であっても異なっていても
よく、またＱはハロゲン原子、シアノ基、アルキルチオ
基、アリールチオ基又はチオシアノ基を示す。
2MgBr,R2MgI,R2R6CuQLi2,R2CuQLi,R2（R6）2AlQLi,R
2（R1）2Al,R2R6CuQLiMgBr,R2CuQMgBr等が挙げられる。
但し、R6は炭素数１〜10の置換もしくは未置換のアルキ
ル基，アルケニル基，アルキニル基，アルキルチオ基，
アルキルアミノ基，アルキルシリル基，アルキルオキシ
基，アルキルカルボニル基及びシアノ基より選ばれる基
であるが、R2とR6は互に同一であっても異なっていても
よく、またＱはハロゲン原子、シアノ基、アルキルチオ
基、アリールチオ基又はチオシアノ基を示す。
上記求核試薬〔VI〕を化合物〔II b〕と反応させるに
際し、求核試薬〔VI〕は化合物〔II b〕に対し、0.5〜
４当量、特に0.8〜1.2当量用いることが好ましい。
際し、求核試薬〔VI〕は化合物〔II b〕に対し、0.5〜
４当量、特に0.8〜1.2当量用いることが好ましい。
また、反応は溶媒を用いることができるが、反応に用
いられる溶媒としては反応を阻害しないものであればよ
く、例えばテトラヒドロフラン、ヘキサン、ペンタン、
ジエチルエーテル等が挙げられる。
いられる溶媒としては反応を阻害しないものであればよ
く、例えばテトラヒドロフラン、ヘキサン、ペンタン、
ジエチルエーテル等が挙げられる。
なお、反応温度は通常−100〜50℃、好ましくは−80
〜０℃であり、反応時間は通常５分〜50時間である。
〜０℃であり、反応時間は通常５分〜50時間である。
ここで、本発明は、上記化合物〔III〕に包含される
新規化合物〔III a〕をも対象する。
新規化合物〔III a〕をも対象する。
但し、R3及びR4は、それぞれメチル基、エチル基、ｎ
−プロピル基、ｉ−プロピル基等の炭素数１〜10のアル
キル基、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、ベンジル
基又はｐ−クロロベンジル基を示し、R3とR4とは互に同
一でも異なっていてもよい。R1,X,nは上記と同じ意味を
示す。
−プロピル基、ｉ−プロピル基等の炭素数１〜10のアル
キル基、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、ベンジル
基又はｐ−クロロベンジル基を示し、R3とR4とは互に同
一でも異なっていてもよい。R1,X,nは上記と同じ意味を
示す。
上記新規化合物〔III a〕を製造する場合は、上記化
合物〔II b〕に求核試薬として一般式〔VII〕 （但し、R3,R4,M1は上記と同じ意味を示す）で示される
第二級アミンを反応させればよい。
合物〔II b〕に求核試薬として一般式〔VII〕 （但し、R3,R4,M1は上記と同じ意味を示す）で示される
第二級アミンを反応させればよい。
また、別法として、上記新規化合物〔II a〕を塩基の
存在下にスルホニル化し、次いで脱スルホン酸した後、
一般式〔VII〕で示される第二級アミンを反応させるこ
とによっても、新規化合物〔III a〕を製造することが
できる。
存在下にスルホニル化し、次いで脱スルホン酸した後、
一般式〔VII〕で示される第二級アミンを反応させるこ
とによっても、新規化合物〔III a〕を製造することが
できる。
この反応について更に詳述すると、塩基、スルホニル
化剤としては上記した化合物〔II a〕から〔II b〕の製
造法で説明したものと同様のものを用いることができ、
スルホニル化反応、脱スルホン酸反応も同様に行なうこ
とができる。また、脱スルホン酸反応後の生成物に対
し、上述したように第二級アミン〔VII〕を反応させる
ものであるが、第二級アミン〔VII〕の具体的な例とし
て、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｉ−プロピ
ルアミン、ジフェニルアミン等の対称アミン;N−メチル
アニリン、Ｎ−エチルアニリン等の非対称アミンが挙げ
られる。
化剤としては上記した化合物〔II a〕から〔II b〕の製
造法で説明したものと同様のものを用いることができ、
スルホニル化反応、脱スルホン酸反応も同様に行なうこ
とができる。また、脱スルホン酸反応後の生成物に対
し、上述したように第二級アミン〔VII〕を反応させる
ものであるが、第二級アミン〔VII〕の具体的な例とし
て、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｉ−プロピ
ルアミン、ジフェニルアミン等の対称アミン;N−メチル
アニリン、Ｎ−エチルアニリン等の非対称アミンが挙げ
られる。
なお、一般式〔VII〕の第二級アミンと脱スルホン酸
後の生成物との反応は、脱スルホン酸生成物を取り出す
ことなく第二級アミンを反応させてもよく、また脱スル
ホン酸生成物を取り出して第二級アミンを反応させても
よい。この反応には溶媒を使用することができ、その溶
媒してはスルホニル化反応及び脱スルホン酸反応の溶媒
をそのまま使用することが可能である。また、反応温度
は−100〜100℃で、溶液の融点以上、沸点以下とするこ
とが望ましく、反応時間は通常１時間〜100時間であ
る。
後の生成物との反応は、脱スルホン酸生成物を取り出す
ことなく第二級アミンを反応させてもよく、また脱スル
ホン酸生成物を取り出して第二級アミンを反応させても
よい。この反応には溶媒を使用することができ、その溶
媒してはスルホニル化反応及び脱スルホン酸反応の溶媒
をそのまま使用することが可能である。また、反応温度
は−100〜100℃で、溶液の融点以上、沸点以下とするこ
とが望ましく、反応時間は通常１時間〜100時間であ
る。
ここで、上記〔III〕式において、下記反応によりプ
ロスタグランジンＥ型を製造することができる〔黒住
ら、ケミカル・ファーマスーテイカル・ブルティン・オ
ブ・ジャパン（Chemical Phamaceutical Bulletine of
Japan）、30巻、1102頁、1982年〕。
ロスタグランジンＥ型を製造することができる〔黒住
ら、ケミカル・ファーマスーテイカル・ブルティン・オ
ブ・ジャパン（Chemical Phamaceutical Bulletine of
Japan）、30巻、1102頁、1982年〕。
（但し、Meはメチル基、tBuはターシャリーブチル基、P
hはフェニル基である。） 従って、上記化合物〔II b〕は、化合物〔III〕を経
由するプロスタグランジンＥ型の合成中間体として有効
に使用される。
hはフェニル基である。） 従って、上記化合物〔II b〕は、化合物〔III〕を経
由するプロスタグランジンＥ型の合成中間体として有効
に使用される。
更に、本発明の第４のグループは、上記新規化合物
〔III a〕に一般式〔VIII〕で示される求核試薬を反応
させて一般式〔IV〕の化合物を製造する方法に関する。
〔III a〕に一般式〔VIII〕で示される求核試薬を反応
させて一般式〔IV〕の化合物を製造する方法に関する。
上記式において、Ｘが（α−OZ,β−Ｈ）の時、Ｕは
（α−H,β−R5）を示し、Ｘが（α−H,β−OZ）の時、
Ｕは（α−R5,β−Ｈ）を示す。また、R5は炭素数１〜1
5のアルキル基、炭素数２〜15のアルケニル基、炭素数
２〜15のアルキニル基、４−フェノキシブチル基、３−
（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）オクチル基、３−
（エトキシエチルオキシ）−１−オクテン−１−イル
基、３−（２−テトラヒドロピラニルオキシ）−１−オ
クテン−１−イル基、３−（ｔ−ブチルメチルシリルオ
キシ）−５−メチル−１−ノネン−１−イル基、３−
（ベンジルオキシメチルオキシ）−１−オクテン−１−
イル基、及び より選ばれる基を示す。M2はLi,Na,K,Mg,Ca,Ti,Zr,Ni,C
u,Zn,Al,Snより選ばれる金属又は該金属を含む基を示
す。X,R1,R3,R4,nはそれぞれ上記と同じ意味を示す。
（α−H,β−R5）を示し、Ｘが（α−H,β−OZ）の時、
Ｕは（α−R5,β−Ｈ）を示す。また、R5は炭素数１〜1
5のアルキル基、炭素数２〜15のアルケニル基、炭素数
２〜15のアルキニル基、４−フェノキシブチル基、３−
（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）オクチル基、３−
（エトキシエチルオキシ）−１−オクテン−１−イル
基、３−（２−テトラヒドロピラニルオキシ）−１−オ
クテン−１−イル基、３−（ｔ−ブチルメチルシリルオ
キシ）−５−メチル−１−ノネン−１−イル基、３−
（ベンジルオキシメチルオキシ）−１−オクテン−１−
イル基、及び より選ばれる基を示す。M2はLi,Na,K,Mg,Ca,Ti,Zr,Ni,C
u,Zn,Al,Snより選ばれる金属又は該金属を含む基を示
す。X,R1,R3,R4,nはそれぞれ上記と同じ意味を示す。
ここで、R5の炭素数１〜15のアルキル基としては、メ
チル基、エチル基、ｎ−プロピル基、１−ブチル基、１
−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、炭素数２〜15のアルケ
ニル基としては、ビニル基、アリル基、炭素数２〜15の
アルキニル基としては、１−オクチニル基などが挙げら
れる。
チル基、エチル基、ｎ−プロピル基、１−ブチル基、１
−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、炭素数２〜15のアルケ
ニル基としては、ビニル基、アリル基、炭素数２〜15の
アルキニル基としては、１−オクチニル基などが挙げら
れる。
この場合、プロスタグランジン類の中間体を得るに際
してR5が で表わされる基が好ましい。
してR5が で表わされる基が好ましい。
但し、式中、Ｚ″はメチル基、トリアルキルシリル
基、アルコキシアルキル基、アラルキルオキシアルキル
基、トリチル基又はテトラヒドロピラニル基を示し、 は一重結合、二重結合又は三重結合を示す。
基、アルコキシアルキル基、アラルキルオキシアルキル
基、トリチル基又はテトラヒドロピラニル基を示し、 は一重結合、二重結合又は三重結合を示す。
R7は、炭素数１〜10のアルキル基、シクロペンチル
基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、ヘキ
サ−４−イン−２−イル基、ヘプタ−４−イン−２−イ
ル基、2,6−ジメチル−ヘプタ−５−エン−１−イル
基、ペンタ−１−エン−１−イル基、ペンタ−２−エン
−１−イル基、ヘキサ−１−エン−２−イル基、３−エ
トキシ−２−メチル−プロパン−２−イル基、エトキシ
エチル基、５−メトキシヘキシル基、６−メトキシ−２
−ヘキシル基、ハロゲン化メチル基、ハロゲン化ｎ−ブ
チル基、ハロゲン化ｎ−ペンチル基、ハロゲン化ノニル
基、フェニル基、ベンジル基、ハロゲン化フェニル基、
ｎ−ペンチルオキシメチル基、１−エトキシ−２−メチ
ル−プロパン−２−イル基、フェノキシメチル基、ベン
ジロキシメチル基、ｐ−クロロフェノキシメチル基、２
−フェニルエチル基、ベンジロキシエチル基、ｐ−フル
オロフェノキシメチル基、フェニルアセチレニル基、ｍ
−クロロフェノキシメチル基、ｍ−トリフルオロメチル
−フェノキシメチル基、１−ブチル−シクロプロピル
基、３−エチル−シクロペンチル基、ベンゾチオフェン
−５−イル基、２−オクテニル基、３−メトキシカルボ
ニルプロピル基又はビニル基を示す。
基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、ヘキ
サ−４−イン−２−イル基、ヘプタ−４−イン−２−イ
ル基、2,6−ジメチル−ヘプタ−５−エン−１−イル
基、ペンタ−１−エン−１−イル基、ペンタ−２−エン
−１−イル基、ヘキサ−１−エン−２−イル基、３−エ
トキシ−２−メチル−プロパン−２−イル基、エトキシ
エチル基、５−メトキシヘキシル基、６−メトキシ−２
−ヘキシル基、ハロゲン化メチル基、ハロゲン化ｎ−ブ
チル基、ハロゲン化ｎ−ペンチル基、ハロゲン化ノニル
基、フェニル基、ベンジル基、ハロゲン化フェニル基、
ｎ−ペンチルオキシメチル基、１−エトキシ−２−メチ
ル−プロパン−２−イル基、フェノキシメチル基、ベン
ジロキシメチル基、ｐ−クロロフェノキシメチル基、２
−フェニルエチル基、ベンジロキシエチル基、ｐ−フル
オロフェノキシメチル基、フェニルアセチレニル基、ｍ
−クロロフェノキシメチル基、ｍ−トリフルオロメチル
−フェノキシメチル基、１−ブチル−シクロプロピル
基、３−エチル−シクロペンチル基、ベンゾチオフェン
−５−イル基、２−オクテニル基、３−メトキシカルボ
ニルプロピル基又はビニル基を示す。
なお、R7の炭素数１〜10のアルキル基としては、メチ
ル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ
−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、アミル基、
ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシ
ル基、２−メチルヘキシル基、２−メチル−２−ヘキシ
ル基、２−ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキ
シル基、シクロヘキシルメチル基、１−ブチル−シクロ
プロピル基、３−エチル−シクロペンチル基等が挙げら
れる。
ル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ
−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、アミル基、
ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシ
ル基、２−メチルヘキシル基、２−メチル−２−ヘキシ
ル基、２−ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキ
シル基、シクロヘキシルメチル基、１−ブチル−シクロ
プロピル基、３−エチル−シクロペンチル基等が挙げら
れる。
また、一般式〔VIII〕の求核試薬において、M2として
は具体的にLi,MgBr,MgI,CuTLi,CuTMgBr,R8CuTLi2,
（R8）2AlTLi,（R8）2Al,R8CuTLiMgBr等が挙げられる。
は具体的にLi,MgBr,MgI,CuTLi,CuTMgBr,R8CuTLi2,
（R8）2AlTLi,（R8）2Al,R8CuTLiMgBr等が挙げられる。
ここで、R8は炭素数１〜10のアルキル基、炭素数１〜
10のアルキルチオ基、炭素数１〜10のアルキルアミノ
基、炭素数１〜10のアルキルシリル基、炭素数１〜10の
アルキルオキシ基、炭素数１〜10のアルキルカルボニル
基、炭素数２〜10のアルケニル基、炭素数２〜10のアル
キニル基、２−チエニル基及びシアノ基より選ばれる基
であり、前記R5と同一であってもよい。また、Ｔはハロ
ゲン原子、シアノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基
又はチオシアノ基を示す。
10のアルキルチオ基、炭素数１〜10のアルキルアミノ
基、炭素数１〜10のアルキルシリル基、炭素数１〜10の
アルキルオキシ基、炭素数１〜10のアルキルカルボニル
基、炭素数２〜10のアルケニル基、炭素数２〜10のアル
キニル基、２−チエニル基及びシアノ基より選ばれる基
であり、前記R5と同一であってもよい。また、Ｔはハロ
ゲン原子、シアノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基
又はチオシアノ基を示す。
なお、本発明の目的物質である一般式〔IV〕で表わさ
れる化合物を高収率で製造するにはM2が であることが好ましい。
れる化合物を高収率で製造するにはM2が であることが好ましい。
一般式〔III a〕の化合物と一般式〔VIII〕の求核試
剤とを反応させて一般式〔IV〕の化合物を得る際、一般
式〔VIII〕の求核試剤の量は通常一般式〔III a〕の化
合物の量に対し0.5〜４当量、特に0.7〜1.3当量用いる
ことが好ましい。
剤とを反応させて一般式〔IV〕の化合物を得る際、一般
式〔VIII〕の求核試剤の量は通常一般式〔III a〕の化
合物の量に対し0.5〜４当量、特に0.7〜1.3当量用いる
ことが好ましい。
また、反応に当り、必ずしも溶媒を必要としないが、
反応を阻害しないものであればいかなる溶媒でも使用す
ることができ、例えばテトラヒドロフラン、ヘキサン、
ペンタン、ジエチルエーテル等が挙げられる。反応雰囲
気は通常非酸化性の雰囲気が好ましく、反応装置内をア
ルゴン、窒素等で置換して反応を行なうようにすること
が好ましい。
反応を阻害しないものであればいかなる溶媒でも使用す
ることができ、例えばテトラヒドロフラン、ヘキサン、
ペンタン、ジエチルエーテル等が挙げられる。反応雰囲
気は通常非酸化性の雰囲気が好ましく、反応装置内をア
ルゴン、窒素等で置換して反応を行なうようにすること
が好ましい。
反応温度は通常−100〜50℃、好ましくは−80〜０℃
の範囲を採用する。反応時間は反応温度等にもよるが通
常５〜50時間の範囲である。
の範囲を採用する。反応時間は反応温度等にもよるが通
常５〜50時間の範囲である。
この場合、この反応を利用することにより、下記式に
従って化合物〔IV a〕を製造することができ、この化合
物〔IV a〕からは従来例で述べたようにプロスタグラン
ジンＦ２αを合成できるので、化合物〔III a〕もプロ
スタグランジン類の合成中間体として有用である。
従って化合物〔IV a〕を製造することができ、この化合
物〔IV a〕からは従来例で述べたようにプロスタグラン
ジンＦ２αを合成できるので、化合物〔III a〕もプロ
スタグランジン類の合成中間体として有用である。
（但し、Ｚ″は水酸基の保護基を示す） 発明の効果 本発明によれば、プロスタグランジン類の合成中間体
として有用な新規化合物〔Ｉ〕，〔II〕（〔II a〕，
〔II b〕），並びに新規化合物〔III a〕を包含する化
合物〔III〕及び化合物〔IV〕を製造することができる
ものである。
として有用な新規化合物〔Ｉ〕，〔II〕（〔II a〕，
〔II b〕），並びに新規化合物〔III a〕を包含する化
合物〔III〕及び化合物〔IV〕を製造することができる
ものである。
以下に実施例及び参考例をあげ、本発明を詳細に説明
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。さらに、下記式において、Meはメチル基、Etはエ
チル基、nBuはｎ−ブチル基、tBuはｔ−ブチル基を示
す。
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。さらに、下記式において、Meはメチル基、Etはエ
チル基、nBuはｎ−ブチル基、tBuはｔ−ブチル基を示
す。
実施例１ 化合物（V A）と（V B）の混合物100mg（0.33ミリモ
ル）のジクロロメタン溶液6mlを０℃に冷却し、撹拌し
ながら次亜塩素酸ナトリウム水溶液0.67ml（0.4ミリモ
ル）を滴下した。室温で10時間撹拌した後、水5mlを加
え、ジエチルエーテル5mlで３回抽出した。有機層を無
水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮した。
得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
により精製し、化合物（I A）と（I B）の混合物90ml
（0.3ミリモル）を得た。収率91％。
ル）のジクロロメタン溶液6mlを０℃に冷却し、撹拌し
ながら次亜塩素酸ナトリウム水溶液0.67ml（0.4ミリモ
ル）を滴下した。室温で10時間撹拌した後、水5mlを加
え、ジエチルエーテル5mlで３回抽出した。有機層を無
水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮した。
得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
により精製し、化合物（I A）と（I B）の混合物90ml
（0.3ミリモル）を得た。収率91％。
（V A）と（V B）の混合物の分析値1 HNMR（CDCl3,内部標準テトラメチルシラン） δ0.78（9H,S）,2,24と2.42（2H,t×2,J＝6Hz）,3.17
（3H,S）,3.80（2H,br,d,J＝6Hz）,4.2〜4.7（2H,m）,
4.9〜6.1（3H,m）,6.60と7.18（1H,t×2,J＝6Hz）,8.9
と9.4（1H,brs×２） （I A）と（I B）の混合物の分析値1 HNMR（CCl4,内部標準ベンゼン） δ0.06（S,6H）,0.86（S,9H）,2.10〜2.95（m,3H）,3.2
4（S,3H）,3.45〜4.95（m,6H） IR:1740,1630,1460,1360,1248,1130,1035,820cm-1 MS（m/e）:301（5,M+）,269（７）,244（18）,182（1
5）,101（11）,89（42）,75（13）,73（45）,45（100） Rf値（シリカゲル薄層クロマトグラフィ、ｎ−ヘキサン
／酢酸エチル＝1/1）＝0.65と0.7 実施例２ 実施例１で得られた化合物（I A）と（I B）の混合物
73mg（0.243ミリモル）の水−メタノール（1:5）溶液5m
lに硼酸30.3mg（0.49ミリモル）、５％パラジウム／炭
素触媒10mgを加え、水素雰囲気下（常圧）、20℃で３時
間撹拌した。
（3H,S）,3.80（2H,br,d,J＝6Hz）,4.2〜4.7（2H,m）,
4.9〜6.1（3H,m）,6.60と7.18（1H,t×2,J＝6Hz）,8.9
と9.4（1H,brs×２） （I A）と（I B）の混合物の分析値1 HNMR（CCl4,内部標準ベンゼン） δ0.06（S,6H）,0.86（S,9H）,2.10〜2.95（m,3H）,3.2
4（S,3H）,3.45〜4.95（m,6H） IR:1740,1630,1460,1360,1248,1130,1035,820cm-1 MS（m/e）:301（5,M+）,269（７）,244（18）,182（1
5）,101（11）,89（42）,75（13）,73（45）,45（100） Rf値（シリカゲル薄層クロマトグラフィ、ｎ−ヘキサン
／酢酸エチル＝1/1）＝0.65と0.7 実施例２ 実施例１で得られた化合物（I A）と（I B）の混合物
73mg（0.243ミリモル）の水−メタノール（1:5）溶液5m
lに硼酸30.3mg（0.49ミリモル）、５％パラジウム／炭
素触媒10mgを加え、水素雰囲気下（常圧）、20℃で３時
間撹拌した。
反応液をシリカゲルを用いて過し、液を減圧下に
濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィにより精製して、化合物（II aA）と（II a
B）の混合物70mg（0.231ミリモル）を得た。収率95％。
濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィにより精製して、化合物（II aA）と（II a
B）の混合物70mg（0.231ミリモル）を得た。収率95％。
（II aA）と（II aB）の混合物の分析値1 HNMR（CCl4,内部標準ベンゼン） δ0.10（S,6H）,0.85（S,9H）,1.93〜2.82（m,4H）,3.3
3（S,3H）,3.45〜4.83（m,6H） IR:3425,1740,1250,1040,830,775cm-1 MS（m/e）:273（2,M+）,243（4,M+）,186（17）,185（1
00）,157（13）,143（17）,89（11）,75（20）,73（1
4）,45（69） Rf値（シリカゲル薄層クロマトグラフィ、ヘキサン／酢
酸エチル＝1/1）＝0.4 実施例３ 実施例２で得られた化合物（II aA）と（II aB）の混
合物165mg（0.545ミリモル）のジクロロメタン2ml溶液
にトリエチルアミン0.23ml（1.64ミリモル）を加え、０
℃に冷却した。撹拌しながらメチルスルホニルクロライ
ド0.064ml（0.82ミリモル）を滴下した後、０℃で30分
間撹拌した。飽和食塩水5mlを加え、ｎ−ヘキサン10ml
で抽出を行なった。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾
燥後、減圧下に濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィにより精製し、（II bA）の
化合物152ml（0.53ミリモル）を得た。収率97％。
3（S,3H）,3.45〜4.83（m,6H） IR:3425,1740,1250,1040,830,775cm-1 MS（m/e）:273（2,M+）,243（4,M+）,186（17）,185（1
00）,157（13）,143（17）,89（11）,75（20）,73（1
4）,45（69） Rf値（シリカゲル薄層クロマトグラフィ、ヘキサン／酢
酸エチル＝1/1）＝0.4 実施例３ 実施例２で得られた化合物（II aA）と（II aB）の混
合物165mg（0.545ミリモル）のジクロロメタン2ml溶液
にトリエチルアミン0.23ml（1.64ミリモル）を加え、０
℃に冷却した。撹拌しながらメチルスルホニルクロライ
ド0.064ml（0.82ミリモル）を滴下した後、０℃で30分
間撹拌した。飽和食塩水5mlを加え、ｎ−ヘキサン10ml
で抽出を行なった。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾
燥後、減圧下に濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィにより精製し、（II bA）の
化合物152ml（0.53ミリモル）を得た。収率97％。
（II bA）の化合物の分析値1 HNMR（CCl4,内部標準ベンゼン） δ0.10（S,6H）,0.84（S,9H）,2.34（dd,J＝1.2,5Hz,2
H）,3.32（S,3H）,4.20〜4.51（m,2H）,4.63（dd,J＝7.
2,12Hz,2H）,5.38と6.01（2dd,J＝1.7,2.3Hz,2H） IR:1715,1645,1460,1390,1240,1045,817,775cm-1 Rf値（シリカゲル薄層クロマトグラフィ、ｎ−ヘキサン
／ジエチルエーテル＝1/1）＝0.6513 CNMR（CDCl3） δ200.9,144.2,119.8,94.5,77.0,69.0,55.2,45.3,25.4,
17.8,5.0 実施例４ （V C）と（V D）の混合物を実施例１及び実施例２と
同様に反応させ、（I C）と（I D）の混合物を経由して
（II aC）と（II aD）の混合物を得た。次に、（II a
C）と（II aD）の混合物を実施例３と同様に反応させ、
化合物（II bB）を得た。
H）,3.32（S,3H）,4.20〜4.51（m,2H）,4.63（dd,J＝7.
2,12Hz,2H）,5.38と6.01（2dd,J＝1.7,2.3Hz,2H） IR:1715,1645,1460,1390,1240,1045,817,775cm-1 Rf値（シリカゲル薄層クロマトグラフィ、ｎ−ヘキサン
／ジエチルエーテル＝1/1）＝0.6513 CNMR（CDCl3） δ200.9,144.2,119.8,94.5,77.0,69.0,55.2,45.3,25.4,
17.8,5.0 実施例４ （V C）と（V D）の混合物を実施例１及び実施例２と
同様に反応させ、（I C）と（I D）の混合物を経由して
（II aC）と（II aD）の混合物を得た。次に、（II a
C）と（II aD）の混合物を実施例３と同様に反応させ、
化合物（II bB）を得た。
（V C）と（V D）の混合物の分析値1 HNMR（CDCl3,内部標準テトラメチルシラン） δ0.07（6H,S）,0.87（9H,S）,2.0〜2.9（2H,m）,3.2
（3H,S）,4.9〜6.0（3H,m）,6.4〜7.7（2H,m）,8.4（1
H,brs） （II bB）の化合物の分析値。1 HNMR（CCl4,内部標準ベンゼン） δ0.18（s,6H）,0.94（s,9H）,2.34（d,J＝4.8Hz,2H）,
3.48（s,3H）,4.05〜4.25（m,1H）,4.51（q,J＝5.1Hz,1
H）,5.47と6.11（2brs,2H）13 CNMR（CDCl3） δ201.3,144.1,119.8,82.5,68.5,56.6,45.5,25.6,17.9,
−4.9 Rf値（シリカゲル薄層クロマトグラフィ、ｎ−ヘキサン
／ジエチルエーテル＝1/1）＝0.58 ▲〔α〕25 D▼ −35.4゜（Ｃ＝2.30,CHCl3） （I C）と（I D）の混合物の分析値1 HNMR（CDCl3,内部標準テトラメチルシラン） δ0.09,0.11（6H,S×２）,0.88（9H,S）,2.0〜2.8（3H,
m）,3.47,3.56（3H,S×２）,3.6〜4.2（3H,m）,4.60（1
H,dt,J＝5Hz,2Hz） IR:2940,1470,1370,1250,1141,1070,980cm-1 MS（m/e）:271（M+0.5％）,214（７％）,89（100％） （II aC）と（II aD）の混合物の分析値1 HNMR（CDCl3,内部標準テトラメチルシラン） δ0.07（6H,S）,0.89（9H,S）,1.6〜1.9（3H,m）,3.31
（3H,S）,3.4〜4.0（4H,m） IR（KBr錠剤＝disk）:3600〜3000,2900,1740cm-1 MS（m/e）:274（M+,3％）,217（７％）,73（100％） 実施例５ 化合物〔II bA〕0.2gにジエチルアミンを２当量用
い、溶媒としてTHF3mlを使用し、室温で３時間反応させ
て、化合物〔III aA〕を収率90％で得た。
（3H,S）,4.9〜6.0（3H,m）,6.4〜7.7（2H,m）,8.4（1
H,brs） （II bB）の化合物の分析値。1 HNMR（CCl4,内部標準ベンゼン） δ0.18（s,6H）,0.94（s,9H）,2.34（d,J＝4.8Hz,2H）,
3.48（s,3H）,4.05〜4.25（m,1H）,4.51（q,J＝5.1Hz,1
H）,5.47と6.11（2brs,2H）13 CNMR（CDCl3） δ201.3,144.1,119.8,82.5,68.5,56.6,45.5,25.6,17.9,
−4.9 Rf値（シリカゲル薄層クロマトグラフィ、ｎ−ヘキサン
／ジエチルエーテル＝1/1）＝0.58 ▲〔α〕25 D▼ −35.4゜（Ｃ＝2.30,CHCl3） （I C）と（I D）の混合物の分析値1 HNMR（CDCl3,内部標準テトラメチルシラン） δ0.09,0.11（6H,S×２）,0.88（9H,S）,2.0〜2.8（3H,
m）,3.47,3.56（3H,S×２）,3.6〜4.2（3H,m）,4.60（1
H,dt,J＝5Hz,2Hz） IR:2940,1470,1370,1250,1141,1070,980cm-1 MS（m/e）:271（M+0.5％）,214（７％）,89（100％） （II aC）と（II aD）の混合物の分析値1 HNMR（CDCl3,内部標準テトラメチルシラン） δ0.07（6H,S）,0.89（9H,S）,1.6〜1.9（3H,m）,3.31
（3H,S）,3.4〜4.0（4H,m） IR（KBr錠剤＝disk）:3600〜3000,2900,1740cm-1 MS（m/e）:274（M+,3％）,217（７％）,73（100％） 実施例５ 化合物〔II bA〕0.2gにジエチルアミンを２当量用
い、溶媒としてTHF3mlを使用し、室温で３時間反応させ
て、化合物〔III aA〕を収率90％で得た。
化合物（III aA）の分析値1 HNMR（CCl4,内部標準ベンゼン） δ0.20（s,6H）,0.96（s,9H）,1.06（t,J＝6.6Hz,6H）,
2.23（dd,J＝2.7,18Hz,1H）,2.48（q,J＝6.9Hz,4H）,2.
64（dd,J＝6.0,18Hz,1H）,3.14（brs,2H）,4.90（brs,1
H）,7.12（brs,1H）13 CNMR（CDCl3） δ205.0,158.2,144.7,68.9,47.3,47.1,45.6,25.6,17.9,
11.9,−4.8 IR（neat）:2940,1710,1080,835,780cm-1 ▲〔α〕25 D▼＋17.4゜（Ｃ＝1.04,CHCl3） 沸点:141〜143℃/0.45mmHg 参考例１ アルゴン雰囲気下、シアン化第一銅627mg（７ミリモ
ル）のテトラヒドロフラン15ml混合液に−78℃でEEO（C
H2）6MgCl0.34ml（６ミリモル，テトラヒドロフラン中
0.58モルの溶液を使用）を滴下し、20分撹拌した。−78
℃でこの混合液へ（II bB）1.28g（５ミリモル）のテト
ラヒドロフラン15ml溶液を滴下し、１時間かけて室温ま
で昇温した。飽和塩化アンモニウム水30mlとヘキサン30
mlを加え、室温で１時間撹拌した。有機層を分離し、水
層をヘキサン15mlで抽出し、得られた有機層を硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、濾過した。濾液の溶媒を減圧下で留
去して得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製し、
（III B）1.71g（4.3ミリモル）を得た。収率86％。
2.23（dd,J＝2.7,18Hz,1H）,2.48（q,J＝6.9Hz,4H）,2.
64（dd,J＝6.0,18Hz,1H）,3.14（brs,2H）,4.90（brs,1
H）,7.12（brs,1H）13 CNMR（CDCl3） δ205.0,158.2,144.7,68.9,47.3,47.1,45.6,25.6,17.9,
11.9,−4.8 IR（neat）:2940,1710,1080,835,780cm-1 ▲〔α〕25 D▼＋17.4゜（Ｃ＝1.04,CHCl3） 沸点:141〜143℃/0.45mmHg 参考例１ アルゴン雰囲気下、シアン化第一銅627mg（７ミリモ
ル）のテトラヒドロフラン15ml混合液に−78℃でEEO（C
H2）6MgCl0.34ml（６ミリモル，テトラヒドロフラン中
0.58モルの溶液を使用）を滴下し、20分撹拌した。−78
℃でこの混合液へ（II bB）1.28g（５ミリモル）のテト
ラヒドロフラン15ml溶液を滴下し、１時間かけて室温ま
で昇温した。飽和塩化アンモニウム水30mlとヘキサン30
mlを加え、室温で１時間撹拌した。有機層を分離し、水
層をヘキサン15mlで抽出し、得られた有機層を硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、濾過した。濾液の溶媒を減圧下で留
去して得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製し、
（III B）1.71g（4.3ミリモル）を得た。収率86％。
実施例６ 化合物（II bB）1.66g（6.48mmol）をテトラヒドロフ
ラン12mlに溶かし、これにジエチルアミン1.32ml（12.8
mmol,2当量）をゆっくり加えた。12時間室温で撹拌した
後、水10mlを加え、ジエチルエーテル10mlで２回抽出を
行なった。有機層を飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグ
ネシウムで乾燥した。溶媒留去後、得られた油状物をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィ（20g,ヘキサン：酢酸
エチル＝2:1→1:2）で精製し、化合物（III aA）1.79g
（収率93％）を得た。化合物（III aA）の物性値は実施
例５で得られた化合物（III aA）と同一であった。
ラン12mlに溶かし、これにジエチルアミン1.32ml（12.8
mmol,2当量）をゆっくり加えた。12時間室温で撹拌した
後、水10mlを加え、ジエチルエーテル10mlで２回抽出を
行なった。有機層を飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグ
ネシウムで乾燥した。溶媒留去後、得られた油状物をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィ（20g,ヘキサン：酢酸
エチル＝2:1→1:2）で精製し、化合物（III aA）1.79g
（収率93％）を得た。化合物（III aA）の物性値は実施
例５で得られた化合物（III aA）と同一であった。
実施例７ 化合物（II bB）500mg（2.0ミリモル）をテトラヒド
ロフラン4mlに溶解し、50％ジメチルアミン水溶液0.36g
（４ミリモル）を添加し、室温で18時間撹拌した。飽和
食塩水溶液5mlを加えた後、酢酸エチル5mlで２回抽出し
た。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒留去した
ところ、油状物520mgが得られた。これを中性シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィ（10gヘキサン：酢酸エチル
＝1:1→酢酸エチル）で精製したところ、化合物（III a
B）80mg（収率15％）が油状物として得られた。
ロフラン4mlに溶解し、50％ジメチルアミン水溶液0.36g
（４ミリモル）を添加し、室温で18時間撹拌した。飽和
食塩水溶液5mlを加えた後、酢酸エチル5mlで２回抽出し
た。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒留去した
ところ、油状物520mgが得られた。これを中性シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィ（10gヘキサン：酢酸エチル
＝1:1→酢酸エチル）で精製したところ、化合物（III a
B）80mg（収率15％）が油状物として得られた。
化合物（III aB）の分析値1 HNMR（CDCl3,TMS標準） δ0.13（S,6H）,0.91（s,9H）,2.25（s,6H）,2.29（dd,
J＝18Hz,J＝2Hz,1H）,2.79（dd,J＝18Hz,J＝6Hz,1H）,
3.09（brs,2H）,4.94（dt,J＝6Hz,2Hz,1H）,7.27（m,1
H） IR:2930,2900,2840,2800,2750,1700,1250cm-1 MS（m/e）:269（9,M+）,254（６）,44（ベースピーク） ▲〔α〕25 D▼：＋24.72゜（Ｃ＝0.36,CHCl3） 実施例８ 化合物（II bB）500mg（2.0ミリモル）をテトラヒド
ロフラン4mlに溶解し、ジアミルアミン630mgを添加し、
室温で42時間撹拌した。飽和食塩水溶液5mlを加えた
後、酢酸エチル5mlで２回抽出した。有機層を硫酸マグ
ネシウムで乾燥後、溶媒留去したところ、油状物980mg
が得られた。これを中性シリカゲルカラムクロマトグラ
フィ（30gヘキサン：酢酸エチル＝20:1）で精製したと
ころ、化合物（III aC）が油状物として195mg（収率26
％）が得られ、また原料が281mg（回収率56％）が回収
された。
J＝18Hz,J＝2Hz,1H）,2.79（dd,J＝18Hz,J＝6Hz,1H）,
3.09（brs,2H）,4.94（dt,J＝6Hz,2Hz,1H）,7.27（m,1
H） IR:2930,2900,2840,2800,2750,1700,1250cm-1 MS（m/e）:269（9,M+）,254（６）,44（ベースピーク） ▲〔α〕25 D▼：＋24.72゜（Ｃ＝0.36,CHCl3） 実施例８ 化合物（II bB）500mg（2.0ミリモル）をテトラヒド
ロフラン4mlに溶解し、ジアミルアミン630mgを添加し、
室温で42時間撹拌した。飽和食塩水溶液5mlを加えた
後、酢酸エチル5mlで２回抽出した。有機層を硫酸マグ
ネシウムで乾燥後、溶媒留去したところ、油状物980mg
が得られた。これを中性シリカゲルカラムクロマトグラ
フィ（30gヘキサン：酢酸エチル＝20:1）で精製したと
ころ、化合物（III aC）が油状物として195mg（収率26
％）が得られ、また原料が281mg（回収率56％）が回収
された。
化合物（III aC）の分析値1 HNMR（CDCl3,TMS標準） δ0.13（S,6H）,0.91（s,9H）,0.8〜1.0（m,10H）,1.0
〜1.7（m,8H）,1.9〜2.5（m,5H）,2.77（dd,J＝18Hz,J
＝6Hz,1H）,3.14（brs,2H）,4.90（dt,J＝6Hz,2Hz,1
H）,7.26（m,1H） IR:2940,2900,2840,2770,1700,1250cm-1 MS（m/e）:381（0.5,M+）、324（ベースピーク） ▲〔α〕25 D▼：＋16.5゜（Ｃ＝1.018,CHCl3） 実施例９ 化合物（II aA）と化合物（II aB）との混合物10.0g（3
2.8ミリモル）を含む塩化メチレン溶液100mlにトリエチ
ルアミン12.8ml（91.6ミリモル）を加え、０℃に冷却し
た。撹拌しながらメチルスルホニルクロライド3.6ml（4
5.8ミリモル）を滴下した後、０℃で40分間撹拌を続け
た。次に、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液50mlを加え、
室温に昇温した後、引き続き１時間撹拌を行なった。更
に、ジエチルアミン7.8ml（76.3ミリモル）を加え、室
温で12時間撹拌した。
〜1.7（m,8H）,1.9〜2.5（m,5H）,2.77（dd,J＝18Hz,J
＝6Hz,1H）,3.14（brs,2H）,4.90（dt,J＝6Hz,2Hz,1
H）,7.26（m,1H） IR:2940,2900,2840,2770,1700,1250cm-1 MS（m/e）:381（0.5,M+）、324（ベースピーク） ▲〔α〕25 D▼：＋16.5゜（Ｃ＝1.018,CHCl3） 実施例９ 化合物（II aA）と化合物（II aB）との混合物10.0g（3
2.8ミリモル）を含む塩化メチレン溶液100mlにトリエチ
ルアミン12.8ml（91.6ミリモル）を加え、０℃に冷却し
た。撹拌しながらメチルスルホニルクロライド3.6ml（4
5.8ミリモル）を滴下した後、０℃で40分間撹拌を続け
た。次に、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液50mlを加え、
室温に昇温した後、引き続き１時間撹拌を行なった。更
に、ジエチルアミン7.8ml（76.3ミリモル）を加え、室
温で12時間撹拌した。
反応液を酢酸エチル30mlで３回抽出し、得られた有機
層を硫酸マグネシウムで乾燥、濾過後、減圧下で溶媒を
留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィにより精製し、化合物（III aA）7.7mg（25.
9ミリモル、収率79％）を得た。
層を硫酸マグネシウムで乾燥、濾過後、減圧下で溶媒を
留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィにより精製し、化合物（III aA）7.7mg（25.
9ミリモル、収率79％）を得た。
化合物（III aA）の物性値は実施例５で得た化合物
（III aA）と同一であった。
（III aA）と同一であった。
実施例10 化合物（II aC）と化合物（II aD）の混合物3.72g（1
4.4ミリモル）を含む塩化メチレン溶液27mlにトリエチ
ルアミン9.35ml（72ミリモル）を加え、０℃に冷却し
た。
4.4ミリモル）を含む塩化メチレン溶液27mlにトリエチ
ルアミン9.35ml（72ミリモル）を加え、０℃に冷却し
た。
撹拌しながらメタンスルホニルクロライド1.66ml（21
ミリモル）を滴下した後、０℃で１時間撹拌した。
ミリモル）を滴下した後、０℃で１時間撹拌した。
次に、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液20mlを加え、室
温に昇温後、１時間撹拌した。
温に昇温後、１時間撹拌した。
更に、ジエチルアミン2.81ml（29ミリモル）を加え、
室温で12時間撹拌した。
室温で12時間撹拌した。
反応液を酢酸エチル100mlで２回抽出して得られた有
機層を硫酸マグネシウムで乾燥、濾過し減圧下で溶媒を
除去後蒸溜し化合物（III aA）を3.20g（収率83％）得
た。
機層を硫酸マグネシウムで乾燥、濾過し減圧下で溶媒を
除去後蒸溜し化合物（III aA）を3.20g（収率83％）得
た。
化合物（III aA）の物性値は実施例５で得た化合物
（III aA）と同一であった。
（III aA）と同一であった。
実施例11 化合物（II aA）と化合物（II aB）との混合物8.35g
（30.5ミリモル）を含む塩化メチレン溶液100mlにトリ
エチルアミン12.8ml（91.6ミリモル）を加え、０℃に冷
却した。撹拌しながらメチルスルホニルクロライド3.6m
l（45.8ミリモル）を滴下した後、０℃で40分間撹拌を
続けた。次に、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液50mlを加
え、室温に昇温した後、引き続き１時間撹拌を行なっ
た。更に、ジエチルアミン7.8ml（76.3ミリモル）を加
え、室温で12時間撹拌した。
（30.5ミリモル）を含む塩化メチレン溶液100mlにトリ
エチルアミン12.8ml（91.6ミリモル）を加え、０℃に冷
却した。撹拌しながらメチルスルホニルクロライド3.6m
l（45.8ミリモル）を滴下した後、０℃で40分間撹拌を
続けた。次に、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液50mlを加
え、室温に昇温した後、引き続き１時間撹拌を行なっ
た。更に、ジエチルアミン7.8ml（76.3ミリモル）を加
え、室温で12時間撹拌した。
反応液を酢酸エチル30mlで３回抽出し、得られた有機
層を硫酸マグネシウムで乾燥、濾過後減圧下で溶媒を留
去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマト
グラフィにより精製し、化合物（III aA）8.24g（27.7
ミリモル、収率91％）を得た。
層を硫酸マグネシウムで乾燥、濾過後減圧下で溶媒を留
去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマト
グラフィにより精製し、化合物（III aA）8.24g（27.7
ミリモル、収率91％）を得た。
化合物（III aA）の分析値は実施例５で得た化合物
（III aA）と同一であった。
（III aA）と同一であった。
実施例12 アルゴン雰囲気下、化合物（VIII A′）2.32g（6.3ミ
リモル）を含むジエチルエーテル溶液17.5mlを−78℃に
冷却し、撹拌しながらｔ−ブチルリチウム12.6ミリモル
〔7.41ml,ペンタン溶液（1.70M）〕を加えた。次に、撹
拌しながら１時間かけて−40℃まで昇温した。更に再び
−78℃に冷却した後、テトラヒドロフラン7ml、２−チ
エニルシアノ銅リチウム 6.3ミリモル〔18.53ml,テトラヒドロフラン溶液（0.34
M）〕を加えた。−78℃で20分間撹拌した後、化合物（I
II aA）1.56g（5.25ミリモル）を含むテトラヒドロフラ
ン溶液21mlをゆっくり滴下した。引続き−78℃で20分間
撹拌した後、反応液を飽和塩化アンモニウム水溶液（10
0ml）とｎ−ヘキサン（100ml）との混合液中へ注いだ。
有機層が透明になるまで撹拌した後、有機層を分離し、
水層をｎ−ヘキサン50mlで抽出した。抽出ｎ−ヘキサン
を有機層に加え、この有機層を硫酸マグネシウムで乾
燥、濾過した後、減圧下で溶媒を留去した。得られた粗
生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィにより精製
し、化合物（IV A）2.32g（4.98ミリモル、収率95％）
を得た。
リモル）を含むジエチルエーテル溶液17.5mlを−78℃に
冷却し、撹拌しながらｔ−ブチルリチウム12.6ミリモル
〔7.41ml,ペンタン溶液（1.70M）〕を加えた。次に、撹
拌しながら１時間かけて−40℃まで昇温した。更に再び
−78℃に冷却した後、テトラヒドロフラン7ml、２−チ
エニルシアノ銅リチウム 6.3ミリモル〔18.53ml,テトラヒドロフラン溶液（0.34
M）〕を加えた。−78℃で20分間撹拌した後、化合物（I
II aA）1.56g（5.25ミリモル）を含むテトラヒドロフラ
ン溶液21mlをゆっくり滴下した。引続き−78℃で20分間
撹拌した後、反応液を飽和塩化アンモニウム水溶液（10
0ml）とｎ−ヘキサン（100ml）との混合液中へ注いだ。
有機層が透明になるまで撹拌した後、有機層を分離し、
水層をｎ−ヘキサン50mlで抽出した。抽出ｎ−ヘキサン
を有機層に加え、この有機層を硫酸マグネシウムで乾
燥、濾過した後、減圧下で溶媒を留去した。得られた粗
生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィにより精製
し、化合物（IV A）2.32g（4.98ミリモル、収率95％）
を得た。
化合物（IV A）の分析値を下記に示す。1 HNMR（CCl4,内部標準ベンゼン） δ−0.04と0.02（2s,6H）,0.0（s,6H）,0.98（brs,21
H）,1.20〜1.80（m,8H）,2.30と2.56（2dd,J＝7.8,18.6
Hz,J＝7.1,18.6Hz,2H）,3.09〜3.40（m,1H）,3.92〜4.3
0（m,2H）,5.12（brs,1H）,5.30〜5.83（m,2H）,5.99
（brs,1H）13 CNMR（CDCl3） δ202.2,147.0,137.7,127.4,118.5,73.0,72.5,54.5,46.
9,38.4,31.8,25.8,25.7,24.9,24.6,22.5,18.1,17.9,13.
9,−4.4,−4.8 IR（neat）:2930,1730,1640,1470,1250,1110,840,780cm
-1 ▲〔α〕25 D▼ −46.1゜（ｃ＝0.781,CHCl3）． 実施例13 化合物（V E）と（V F）の混合物1.95g（5.34ミリモ
ル）を実施例１と同様に反応させて油状の化合物（I
E）と（I F）との混合物840mg（2.34ミリモル）を得
た。収率44％。
H）,1.20〜1.80（m,8H）,2.30と2.56（2dd,J＝7.8,18.6
Hz,J＝7.1,18.6Hz,2H）,3.09〜3.40（m,1H）,3.92〜4.3
0（m,2H）,5.12（brs,1H）,5.30〜5.83（m,2H）,5.99
（brs,1H）13 CNMR（CDCl3） δ202.2,147.0,137.7,127.4,118.5,73.0,72.5,54.5,46.
9,38.4,31.8,25.8,25.7,24.9,24.6,22.5,18.1,17.9,13.
9,−4.4,−4.8 IR（neat）:2930,1730,1640,1470,1250,1110,840,780cm
-1 ▲〔α〕25 D▼ −46.1゜（ｃ＝0.781,CHCl3）． 実施例13 化合物（V E）と（V F）の混合物1.95g（5.34ミリモ
ル）を実施例１と同様に反応させて油状の化合物（I
E）と（I F）との混合物840mg（2.34ミリモル）を得
た。収率44％。
次に、化合物（I E）と（I F）との混合物を実施例２
と同様に反応させて油状の化合物（II aE）と（II aF）
との混合物740mg（2.0ミリモル）を得た。収率86％。
と同様に反応させて油状の化合物（II aE）と（II aF）
との混合物740mg（2.0ミリモル）を得た。収率86％。
更に、化合物（II aE）と（II aF）との混合物を実施
例３と同様に反応させて油状の化合物（II bC）576mgを
得た。収率82％。
例３と同様に反応させて油状の化合物（II bC）576mgを
得た。収率82％。
以下に分析値を示す。
（I E）と（I F）との混合物の分析値1 HNMR（CCl4,内部標準ベンゼン） δ0.14（s,6H）,0.87（s,6H）,0.70〜1.12（m,3H）,1.1
3〜1.70（m,8H）,2.40〜2.63（m,2H）,3.30（S,3H）,3.
82〜4.12及び4.20〜4.75（m,6H） Rf値（ヘキサン／ジエチルエーテル＝3/1）＝0.36 （II aE）と（II aF）との混合物の分析値1 HNMR（CCl4,内部標準ベンゼン） δ0.17（S,6H）,0.90（s,9H）,0.76〜1.13（m,3H）,1.1
6〜1.75（m,8H）,2.25〜2.50（m,3H）,3.10（brs,1H）,
3.34（S,3H）,3.85〜4.12及び4.40〜4.57（m,2H）,4.28
（dd,J＝3.0,8.0Hg,1H）,4.55及び4.76（2d,J＝6.0Hz,2
H） Rf値（ヘキサン／ジエチルエーテル＝1/1）＝0.17 （II bC）の分析値1 HNMR（CCl4,内部標準ベンゼン） δ0.19（S,6H）,0.99（S,9H）,0.79〜1.15（m,6H）,1.1
6〜1.75（m,6H）,3.32（S,3H）,4.03〜4.38（m,1H）,4.
45〜4.85（m,3H）,6.56（t,J＝8.0Hz,1H） Rf値（ヘキサン／ジエチルエーテル＝3/1）＝0.41 実施例14 化合物（V G）と（V H）との混合物6.4g（20ミリモ
ル）を実施例１と同様に反応させて黄色油状の化合物
（I G）と（I H）の混合物4.4g（14ミリモル）を得た。
収率70％。
3〜1.70（m,8H）,2.40〜2.63（m,2H）,3.30（S,3H）,3.
82〜4.12及び4.20〜4.75（m,6H） Rf値（ヘキサン／ジエチルエーテル＝3/1）＝0.36 （II aE）と（II aF）との混合物の分析値1 HNMR（CCl4,内部標準ベンゼン） δ0.17（S,6H）,0.90（s,9H）,0.76〜1.13（m,3H）,1.1
6〜1.75（m,8H）,2.25〜2.50（m,3H）,3.10（brs,1H）,
3.34（S,3H）,3.85〜4.12及び4.40〜4.57（m,2H）,4.28
（dd,J＝3.0,8.0Hg,1H）,4.55及び4.76（2d,J＝6.0Hz,2
H） Rf値（ヘキサン／ジエチルエーテル＝1/1）＝0.17 （II bC）の分析値1 HNMR（CCl4,内部標準ベンゼン） δ0.19（S,6H）,0.99（S,9H）,0.79〜1.15（m,6H）,1.1
6〜1.75（m,6H）,3.32（S,3H）,4.03〜4.38（m,1H）,4.
45〜4.85（m,3H）,6.56（t,J＝8.0Hz,1H） Rf値（ヘキサン／ジエチルエーテル＝3/1）＝0.41 実施例14 化合物（V G）と（V H）との混合物6.4g（20ミリモ
ル）を実施例１と同様に反応させて黄色油状の化合物
（I G）と（I H）の混合物4.4g（14ミリモル）を得た。
収率70％。
次に化合物（I G）と（I H）の混合物を実施例2,3及
び参考例１と同様に反応させて黄色油状の化合物（III
aD）2.8g（9.1ミリモル）を得た。収率65％。
び参考例１と同様に反応させて黄色油状の化合物（III
aD）2.8g（9.1ミリモル）を得た。収率65％。
以下に分析値を示す。
（I G）と（I H）の混合物の分析値1 HNMR（CCl4,内部標準ベンゼン） δ0.13（S,6H）,0.89（S,9H）,1.18〜2.12（m,3H）,2.2
3〜2.65（m,2H）,3.28（S,3H）,3.23〜4.65（m,4H）,4.
35〜4.64（m,2H） Rf値（ヘキサン／酢酸エチル＝1/1）＝0.6と0.7 （III aD）の分析値1 HNMR（CCl4,内部標準ベンゼン） δ0.14（S,6H）,0.89（S,9H）,0.99（t,J＝6.9Hz,6H）,
1.70〜2.60（m,4H）,2.41（q,J＝6.9Hz,4H）,3.02（S,3
H）,3.28（brs,2H）,4.33〜4.65（m,1H）,6.68（brs,1
H） Rf値（ヘキサン／酢酸エチル＝1/2）＝0.3
3〜2.65（m,2H）,3.28（S,3H）,3.23〜4.65（m,4H）,4.
35〜4.64（m,2H） Rf値（ヘキサン／酢酸エチル＝1/1）＝0.6と0.7 （III aD）の分析値1 HNMR（CCl4,内部標準ベンゼン） δ0.14（S,6H）,0.89（S,9H）,0.99（t,J＝6.9Hz,6H）,
1.70〜2.60（m,4H）,2.41（q,J＝6.9Hz,4H）,3.02（S,3
H）,3.28（brs,2H）,4.33〜4.65（m,1H）,6.68（brs,1
H） Rf値（ヘキサン／酢酸エチル＝1/2）＝0.3
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 69/66 Ｃ０７Ｃ 69/66 221/00 7457−4Ｈ 221/00 225/14 7457−4Ｈ 225/14 323/52 7419−4Ｈ 323/52 Ｃ０７Ｄ 261/20 Ｃ０７Ｄ 261/20 Ｃ０７Ｆ 7/18 Ｃ０７Ｆ 7/18 Ａ // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ (56)参考文献 Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅ ｒｓ，1985，26（22），2679−2682 Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｐｅｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓ．Ｉ，1984，（９），2089 −2096 Ｃｈｅｍｉｓｔｒｇ Ｌｅｔｔｅｒ ｓ，1981，（８），1189−1192
Claims (11)
- 【請求項１】一般式〔Ｉ〕 〔但し式中、Ｘは（α−OZ,β−Ｈ）又は（α−H,β−O
Z）、Ｙは（α−OZ′，β−Ｈ）又は（α−H,β−O
Z′）、Ｚ及びＺ′はそれぞれ水素原子、メチル基、ト
リアルキルシリル基、アルコキシアルキル基、アラルキ
ルオキシアルキル基、トリチル基又はテトラヒドロピラ
ニル基を示すが、ＺとＺ′とは互に同一でも異なってい
てもよい。またR1は水素原子、炭素数１〜10のアルキル
基、炭素数２〜10のアルケニル基、炭素数２〜10のアル
キニル基、フェニル基、 （上記式中、THPはテトラヒドロピラニル基、tBuはター
シャリーブチル基、EEはエトキシエチル基を示す。）を
示す。ｎは１又は２である。〕 で表わされる置換シクロペンタノン及び置換シクロヘキ
サノン誘導体。 - 【請求項２】一般式〔Ｖ〕 〔但し式中、Ｚ及びＺ′はそれぞれ水素原子、メチル
基、トリアルキルシリル基、アルコキシアルキル基、ア
ラルキルオキシアルキル基、トリチル基又はテトラヒド
ロピラニル基を示すが、ＺとＺ′とは互に同一でも異な
っていてもよい。R1は水素原子、炭素数１〜10のアルキ
ル基、炭素数２〜10のアルケニル基、炭素数２〜10のア
ルキニル基、フェニル基、 （上記式中、THPはテトラヒドロピラニル基、tBuはター
シャリーブチル基、EEはエトキシエチル基を示す。）を
示す。ｎは１又は２である。〕 で表わされる化合物を次亜ハロゲン酸塩又は塩基とハロ
ゲンガスの存在下に環化することを特徴とする一般式
〔Ｉ〕 〔但し式中、Ｘは（α−OZ,β−Ｈ）又は（α−H,β−O
Z）、Ｙは（α−OZ′，β−Ｈ）又は（α−H,β−O
Z′）を示し、Z,Z′,R1及びｎはそれぞれ上記と同じ意
味を示す。〕 で表わされる請求項１記載の置換シクロペンタノン及び
置換シクロヘキサノン誘導体の製造法。 - 【請求項３】一般式〔II〕 〔但し式中、Ｘは（α−OZ,β−Ｈ）又は（α−H,β−O
Z）、Ｙは（α−OZ′，β−Ｈ）又は（α−H,β−O
Z′）、ＷはCHR1,（α−CHR1OH,β−Ｈ）又は（α−H,
β−CHR1OH）、Ｚ及びＺ′はそれぞれ水素原子、メチル
基、トリアルキルシリル基、アルコキシアルキル基、ア
ラルキルオキシアルキル基、トリチル基又はテトラヒド
ロピラニル基を示すが、ＺとＺ′とは互に同一でも異な
っていてもよい。またR1は水素原子、炭素数１〜10のア
ルキル基、炭素数２〜10のアルケニル基、炭素数２〜10
のアルキニル基、フェニル基、 （上記式中、THPはテトラヒドロピラニル基、tBuはター
シャリーブチル基、EEはエトキシエチル基を示す。）を
示す。ｎは１又は２である。〕 で表わされる置換シクロペンタノン及び置換シクロヘキ
サノン誘導体。 - 【請求項４】一般式〔II a〕 〔但し式中、Ｘは（α−OZ,β−Ｈ）又は（α−H,β−O
Z）、Ｙは（α−OZ′，β−Ｈ）又は（α−H,β−O
Z′）、Ｖは（α−CHR1OH,β−Ｈ）又は（α−H,β−CH
R1OH）、Ｚ及びＺ′はそれぞれ水素原子、メチル基、ト
リアルキルシリル基、アルコキシアルキル基、アラルキ
ルオキシアルキル基、トリチル基又はテトラヒドロピラ
ニル基を示すが、ＺとＺ′とは互に同一でも異なってい
てもよい。またR1は水素原子、炭素数１〜10のアルキル
基、炭素数２〜10のアルケニル基、炭素数２〜10のアル
キニル基、フェニル基、 （上記式中、THPはテトラヒドロピラニル基、tBuはター
シャリーブチル基、EEはエトキシエチル基を示す。）を
示す。ｎは１又は２である。〕 で表わされる請求項３記載の置換シクロペンタノン及び
置換シクロヘキサノン誘導体。 - 【請求項５】一般式〔II b〕 〔但し式中、Ｘは（α−OZ,β−Ｈ）又は（α−H,β−O
Z）、Ｙは（α−OZ′，β−Ｈ）又は（α−H,β−O
Z′）、Ｚ及びＺ′はそれぞれ水素原子、メチル基、ト
リアルキルシリル基、アルコキシアルキル基、アラルキ
ルオキシアルキル基、トリチル基又はテトラヒドロピラ
ニル基を示すが、ＺとＺ′とは互に同一でも異なってい
てもよい。またR1は水素原子、炭素数１〜10のアルキ
ル、炭素数２〜10のアルケニル基、炭素数２〜10のアル
キニル基、フェニル基、 （上記式中、THPはテトラヒドロピラニル基、tBuはター
シャリーブチル基、EEはエトキシエチル基を示す。）を
示す。ｎは１又は２である。〕 で表わされる請求項３記載の置換シクロペンタノン及び
置換シクロヘキサノン誘導体。 - 【請求項６】一般式〔Ｉ〕 〔但し式中、Ｘは（α−OZ,β−Ｈ）又は（α−H,β−O
Z）、Ｙは（α−OZ′，β−Ｈ）又は（α−H,β−O
Z′）、Ｚ及びＺ′はそれぞれ水素原子、メチル基、ト
リアルキルシリル基、アルコキシアルキル基、アラルキ
ルオキシアルキル基、トリチル基又はテトラヒドロピラ
ニル基を示すが、ＺとＺ′とは互に同一でも異なってい
てもよい。またR1は水素原子、炭素数１〜10のアルキ
ル、炭素数２〜10のアルケニル基、炭素数２〜10のアル
キニル基、フェニル基、 （上記式中、THPはテトラヒドロピラニル基、tBuはター
シャリーブチル基、EEはエトキシエチル基を示す。）を
示す。ｎは１又は２である。〕 で表わされる化合物を水素化触媒の存在下に水素化加水
分解することを特徴とする一般式〔II a〕 〔但し式中、Ｖは（α−CHR1OH,β−Ｈ）又は（α−H,
β−CHR1OH）であり、X,Y,Z,Z′R1及びｎはそれぞれ上
記と同じ意味を示す。〕 で表わされる請求項４記載の置換シクロペンタノン及び
置換シクロヘキサノン誘導体の製造法。 - 【請求項７】一般式〔II a〕 〔但し式中、Ｖは（α−CHR1OH,β−Ｈ）又は（α−H,
β−CHR1OH）、Ｘは（α−OZ,β−Ｈ）又は（α−H,β
−OZ）、Ｙは（α−OZ′，β−Ｈ）又は（α−H,β−O
Z′）、Ｚ及びＺ′はそれぞれ水素原子、メチル基、ト
リアルキルシリル基、アルコキシアルキル基、アラルキ
ルオキシアルキル基、トリチル基又はテトラヒドロピラ
ニル基を示すが、ＺとＺ′とは互に同一でも異なってい
てもよい。またR1は水素原子、炭素数１〜10のアルキ
ル、炭素数２〜10のアルケニル基、炭素数２〜10のアル
キニル基、フェニル基、 （上記式中、THPはテトラヒドロピラニル基、tBuはター
シャリーブチル基、EEはエトキシエチル基を示す。）を
示す。ｎは１又は２である。〕 で表わされる化合物を塩基の存在下にスルホニル化した
後、脱スルホン酸することを特徴とする一般式〔II b〕 〔但し式中、X,Y,Z,Z′R1及びｎはそれぞれ上記と同じ
意味を示す。〕 で表わされる請求項５記載の置換シクロペンタノン及び
置換シクロヘキサノン誘導体の製造法。 - 【請求項８】一般式〔III a〕 〔但し式中、Ｘは（α−OZ,β−Ｈ）又は（α−H,β−O
Z）を示し、Ｚは水素原子、メチル基、トリアルキルシ
リル基、アルコキシアルキル基、アラルキルオキシアル
キル基、トリチル基又はテトラヒドロピラニル基を示
す。また、R1は水素原子、炭素数１〜10のアルキル基、
炭素数２〜10のアルケニル基、炭素数２〜10のアルキニ
ル基、フェニル基、 （上記式中、THPはテトラヒドロピラニル基、tBuはター
シャリーブチル基、EEはエトキシエチル基を示す。）を
示し、R3及びR4は、それぞれ炭素数１〜10のアルキル
基、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、ベンジル基又
はｐ−クロロベンジル基を示すが、R3とR4は互に同一で
あっても異なっていてもよい。ｎは１又は２である。〕 で表わされる置換シクロペンテノン及び置換シクロヘキ
セノン誘導体。 - 【請求項９】一般式〔II b〕 〔但し式中、Ｘは（α−OZ,β−Ｈ）又は（α−H,β−O
Z）、Ｙは（α−OZ′，β−Ｈ）又は（α−H,β−O
Z′）を示し、Ｚ及びＺ′はそれぞれ水素原子、メチル
基、トリアルキルシリル基、アルコキシアルキル基、ア
ラルキルオキシアルキル基、トリチル基又はテトラヒド
ロピラニル基を示すが、ＺとＺ′とは互に同一でも異な
っていてもよい。またR1は水素原子、炭素数１〜10のア
ルキル基、炭素数２〜10のアルケニル基、炭素数２〜10
のアルキニル基、フェニル基、 （上記式中、THPはテトラヒドロピラニル基、tBuはター
シャリーブチル基、EEはエトキシエチル基を示す。）を
示す。ｎは１又は２である。〕 で表わされる化合物に一般式〔VII〕 〔但し式中、R3及びR4はそれぞれ炭素数１〜10のアルキ
ル基、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、ベンジル基
又はｐ−クロロベンジル基を示し、R3とR4は互に同一で
あっても異なっていてもよい。〕 で表わされる第二級アミンを反応させ、必要により上記
OZ基のＺを脱離することを特徴とする一般式〔III a〕 〔但し式中、X,R1,R3,R4及びｎはそれぞれ上記と同じ意
味を示す。〕 で表わされる請求項８記載の置換シクロペンテノン及び
置換シクロヘキセノン誘導体の製造法。 - 【請求項１０】一般式〔II a〕 〔但し式中、Ｖは（α−CHR1OH,β−Ｈ）又は（α−H,
β−CHR1OH）、Ｘは（α−OZ,β−Ｈ）又は（α−H,β
−OZ）、Ｙは（α−OZ′，β−Ｈ）又は（α−H,β−O
Z′）を示し、Ｚ及びＺ′はそれぞれ水素原子、メチル
基、トリアルキルシリル基、アルコキシアルキル基、ア
ラルキルオキシアルキル基、トリチル基又はテトラヒド
ロピラニル基を示すが、ＺとＺ′とは互に同一でも異な
っていてもよい。またR1は水素原子、炭素数１〜10のア
ルキル基、炭素数２〜10のアルケニル基、炭素数２〜10
のアルキニル基、フェニル基、 （上記式中、THPはテトラヒドロピラニル基、tBuはター
シャリーブチル基、EEはエトキシエチル基を示す。）を
示す。ｎは１又は２である。〕 で表わされる化合物を塩基の存在下にスルホニル化し、
次いで脱スルホン酸した後、一般式〔VII〕 〔但し式中、R3及びR4はそれぞれ炭素数１〜10のアルキ
ル基、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、ベンジル基
又はｐ−クロロベンジル基を示し、R3とR4は互に同一で
あっても異なっていてもよい。〕 で表わされる第二級アミンを反応させ、必要により上記
OZ基のＺを脱離することを特徴とする一般式〔III a〕 〔但し式中、X,R1,R3,R4及びｎはそれぞれ上記と同じ意
味を示す。〕 で表わされる請求項８記載の置換シクロペンテノン及び
置換シクロヘキセノン誘導体の製造法。 - 【請求項１１】一般式〔III a〕 〔但し式中、Ｘは（α−OZ,β−Ｈ）又は（α−H,β−O
Z）を示し、Ｚは水素原子、メチル基、トリアルキルシ
リル基、アルコキシアルキル基、アラルキルオキシアル
キル基、トリチル基又はテトラヒドロピラニル基を示
す。また、R1は水素原子、炭素数１〜10のアルキル基、
炭素数２〜10のアルケニル基、炭素数２〜10のアルキニ
ル基、フェニル基、 （上記式中、THPはテトラヒドロピラニル基、tBuはター
シャリーブチル基、EEはエトキシエチル基を示す。）を
示し、R3及びR4はそれぞれ炭素数１〜10のアルキル基、
フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、ベンジル基又はｐ
−クロロベンジル基を示すが、R3とR4は互に同一であっ
ても異なっていてもよい。ｎは１又は２である。〕 で表わされる化合物と一般式〔VIII〕 R5M2 〔VIII〕 〔但し式中、R5は炭素数１〜15のアルキル基、炭素数２
〜15のアルケニル基、炭素数２〜15のアルキニル基、４
−フェノキシブチル基、３−（ｔ−ブチルジメチルシリ
ルオキシ）オクチル基、３−（エトキシエチルオキシ）
−１−オクテン−１−イル基、３−（２−テトラヒドロ
ピラニルオキシ）−１−オクテン−１−イル基、３−
（ｔ−ブチルメチルシリルオキシ）−５−メチル−１−
ノネン−１−イル基、３−（ベンジルオキシメチルオキ
シ）−１−オクテン−１−イル基、又は （但し式中、Ｚ″はメチル基、トリアルキルシリル基、
アルコキシアルキル基、アラルキルオキシアルキル基、
トリチル基又はテトラヒドロピラニル基を示し、 は一重結合、二重結合又は三重結合を示し、R7は炭素数
１〜10のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシ
ル基、シクロヘキシルメチル基、ヘキサ−４−イン−２
−イル基、ヘプタ−４−イン−２−イル基、2,6−ジメ
チル−ヘプタ−５−エン−１−イル基、ペンタ−１−エ
ン−１−イル基、ペンタ−２−エン−１−イル基、ヘキ
サ−１−エン−２−イル基、３−エトキシ−２−メチル
−プロパン−２−イル基、エトキシエチル基、５−メト
キシヘキシル基、６−メトキシ−２−ヘキシル基、ハロ
ゲン化メチル基、ハロゲン化ｎ−ブチル基、ハロゲン化
ｎ−ペンチル基、ハロゲン化ノニル基、フェニル基、ベ
ンジル基、ハロゲン化フェニル基、ｎ−ペンチルオキシ
メチル基、１−エトキシ−２−メチル−プロパン−２−
イル基、フェノキシメチル基、ベンジロキシメチル基、
ｐ−クロロフェノキシメチル基、２−フェニルエチル
基、ベンジロキシエチル基、ｐ−フルオロフェノキシメ
チル基、フェニルアセチレニル基、ｍ−クロロフェノキ
シメチル基、ｍ−トリフルオロメチル−フェノキシメチ
ル基、１−ブチル−シクロプロピル基、３−エチル−シ
クロペンチル基、ベンゾチオフェン−５−イル基、２−
オクテニル基、３−メトキシカルボニルプロピル基又は
ビニル基を示す。）、M2はLi,Na,K,Mg,Ca,Ti,Zr,Ni,Cu,
Zn,Al,Snより選ばれる金属又は該金属を含む基を示
す。〕 で表わされる求核試薬とを反応させることを特徴とする
一般式〔IV〕 〔但し式中、Ｘが（α−OZ,β−Ｈ）の時、Ｕは（α−
H,β−R5）を示し、Ｘが（α−H,β−OZ）の時、Ｕは
（α−R5,β−Ｈ）を示す。Z,R1,R5及びｎはそれぞれ上
記と同じ意味を示す。〕 で表わされる置換シクロペンタノン及び置換シクロヘキ
サノン誘導体の製造法。
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1990
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Non-Patent Citations (3)
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