JP2690356B2 - Ｅ７／ｚ９―アルカジエン―１―オール及びそのヒドロキシル基で保護された誘導体の製法 - Google Patents
Ｅ７／ｚ９―アルカジエン―１―オール及びそのヒドロキシル基で保護された誘導体の製法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、一般式I: ［式中、 R1はC1〜C8−アルキル基及びR2は水素原子又は塩基に
安定なアルコール保護基を表す］で示されるE7/Z9−ア
ルカジエン−１−オールを製造する方法に関する。
安定なアルコール保護基を表す］で示されるE7/Z9−ア
ルカジエン−１−オールを製造する方法に関する。
特に、本発明はE7/Z9−ドデカジエニルアセテート（R
1＝C2H5及びR2＝COCH3）、即ち雑種のブドウハキガ（ロ
ベシア・ボトラナ:Lobesia botrana）の性フェロモンの
製法に関する。
1＝C2H5及びR2＝COCH3）、即ち雑種のブドウハキガ（ロ
ベシア・ボトラナ:Lobesia botrana）の性フェロモンの
製法に関する。
従来の技術 前記の、雄の動物に魅惑的なかつ強力な刺激作用を及
ぼすフェロモンを使用することにより、中央ヨーロッパ
及び特に南ヨーロッパにおいて最も主要な有害昆虫であ
ると見なされる前記害虫を有効に制御することができる
（例えばＲhrich et al.rev.Zool.Agric.Pathol.Veg.
76,25.1977参照）。
ぼすフェロモンを使用することにより、中央ヨーロッパ
及び特に南ヨーロッパにおいて最も主要な有害昆虫であ
ると見なされる前記害虫を有効に制御することができる
（例えばＲhrich et al.rev.Zool.Agric.Pathol.Veg.
76,25.1977参照）。
従って、この経済的に重要なフェロモンを合成するた
めには、従来種々の方法が記載され、それらの大多数の
ものはアセチレン誘導体のカップリング反応に基づく
（Labowitz et al.,Tetrahedron Lett.1975,4209〜421
2;Negishi et al.,Tetrahedron Lett.1977,411〜414;De
scoins et al.,Bull.Soc.Chim.France 1977,941〜946;C
assani et al.,Tetrahedron Lett.1980,1497〜1500参
照）。これらの方法に共通なことは、工業的規模で実施
することを不可能にする、取り扱いが困難であり、敏感
かつ高価な試薬を試用することにある。
めには、従来種々の方法が記載され、それらの大多数の
ものはアセチレン誘導体のカップリング反応に基づく
（Labowitz et al.,Tetrahedron Lett.1975,4209〜421
2;Negishi et al.,Tetrahedron Lett.1977,411〜414;De
scoins et al.,Bull.Soc.Chim.France 1977,941〜946;C
assani et al.,Tetrahedron Lett.1980,1497〜1500参
照）。これらの方法に共通なことは、工業的規模で実施
することを不可能にする、取り扱いが困難であり、敏感
かつ高価な試薬を試用することにある。
その他にも、工程数が多いことに基づき採算が取れな
いと見なされる合成法が記載された（Roelofs et al.,
米国特許第3,845,108号明細書参照）。フランス国特許
公開第2505820号明細書には、９−ヒドロキシ−ノナン
−１−アールから出発する４工程法が記載され、この場
合には最後の工程で連鎖延長を場合によりOH官能基でア
シル化された９−ヒドロキシ−ノネンアールをホスホル
イリドと反応させることにより行っている。
いと見なされる合成法が記載された（Roelofs et al.,
米国特許第3,845,108号明細書参照）。フランス国特許
公開第2505820号明細書には、９−ヒドロキシ−ノナン
−１−アールから出発する４工程法が記載され、この場
合には最後の工程で連鎖延長を場合によりOH官能基でア
シル化された９−ヒドロキシ−ノネンアールをホスホル
イリドと反応させることにより行っている。
発明が解決しようとする課題 ところで、本発明の課題は、E7/Z9−アルカジエン−
１−オールＩ、特に生物学的に活性であるもの、例えば
E7/Z9−ドデカジエニルアセテートを製造するための、
低コストの、工業的規模で実施可能な方法を提供するこ
とであった。
１−オールＩ、特に生物学的に活性であるもの、例えば
E7/Z9−ドデカジエニルアセテートを製造するための、
低コストの、工業的規模で実施可能な方法を提供するこ
とであった。
課題を解決するための手段 従って、本発明は、一般式I: ［式中、 R1はC1〜C8−アルキル基及び R2は水素原子又は塩基性安定性のアルコール保護基を
表す］で示されるE7/Z9−アルカジエン−１−オールを
製造する方法に関し、該方法は式II: OCH−(CH2)6−OR2 （II） ［式中、R2は前記のものを表す］で示される、場合によ
りOH官能基で保護された７−ヒドロキシヘプタン−１−
アールを一般式III: ［式中、 R3、R4は低分子量のアルキル基を表すか又は相互に結
合して場合によりC1〜C4−アルキル置換されたジオキサ
ン又はジオキソラン系を形成しており、かつ R5はアルキル基、シクロアルキル基又は場合により置
換されたフェニル基を表す］で示されるホスホルイリド
とウィチッヒ反応に基づき一般式IV: ［式中、R2、R3及びR4は前記のものを表す］で示される
化合物に転化し、該化合物を酸を作用させて式V: ［R2は前記のものを表す］で示されるトランス−配置の
２−ノネン−アールに転化し、該化合物を更に式VI: ［式中、R1及びR5は前記のものを表す］で示されるホス
ホルイリドとウィチッヒ反応させることにより、前記式
Ｉの化合物に転化し、該化合物を常法で反応混合物から
回収することを特徴とする。
表す］で示されるE7/Z9−アルカジエン−１−オールを
製造する方法に関し、該方法は式II: OCH−(CH2)6−OR2 （II） ［式中、R2は前記のものを表す］で示される、場合によ
りOH官能基で保護された７−ヒドロキシヘプタン−１−
アールを一般式III: ［式中、 R3、R4は低分子量のアルキル基を表すか又は相互に結
合して場合によりC1〜C4−アルキル置換されたジオキサ
ン又はジオキソラン系を形成しており、かつ R5はアルキル基、シクロアルキル基又は場合により置
換されたフェニル基を表す］で示されるホスホルイリド
とウィチッヒ反応に基づき一般式IV: ［式中、R2、R3及びR4は前記のものを表す］で示される
化合物に転化し、該化合物を酸を作用させて式V: ［R2は前記のものを表す］で示されるトランス−配置の
２−ノネン−アールに転化し、該化合物を更に式VI: ［式中、R1及びR5は前記のものを表す］で示されるホス
ホルイリドとウィチッヒ反応させることにより、前記式
Ｉの化合物に転化し、該化合物を常法で反応混合物から
回収することを特徴とする。
発明の作用 本発明は、２つの連続したウィチッヒ反応により所望
のフェロモンのジエン系の構成を開示するものである。
該方法は反応工程が短いことにより優れており、容易に
入手可能な、廉価なかつ簡単に取り扱い可能な出発物質
を使用することに基づき、工業的規模で実施することが
できかつ主として所望の立体異性体を生じる。
のフェロモンのジエン系の構成を開示するものである。
該方法は反応工程が短いことにより優れており、容易に
入手可能な、廉価なかつ簡単に取り扱い可能な出発物質
を使用することに基づき、工業的規模で実施することが
できかつ主として所望の立体異性体を生じる。
本方法の個々の工程は、以下の反応式により表され
る： ７−ヒドロキシヘプタンアールIIもしくはそのOH−官
能基で保護された誘導体は、自体公知であるか又は公知
方法に基づき、例えば“J.Chem.Ecol.11（１）,113（19
85）”に記載された方法に基づき製造可能である。
る： ７−ヒドロキシヘプタンアールIIもしくはそのOH−官
能基で保護された誘導体は、自体公知であるか又は公知
方法に基づき、例えば“J.Chem.Ecol.11（１）,113（19
85）”に記載された方法に基づき製造可能である。
保護基R2としては、特に塩基に安定な基例えば１位に
第三炭素原子を有するC4〜C12−アルキル基例えばｔ−
ブチル基、1,1−ジメチルプロピ−１−イル基、1,1−ジ
メチルブチ−１−イル基；C3〜C8−トリアルキルシリル
基例えばトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ト
リ−ｎ−プロピルシリル基、トリ−イソプロピルシリル
基、トリ−ｎ−ブチルシリル基、ジメチルエチルシリル
基、ジエチルメチルシリル基及びジメチル−ｎ−ブチル
シリル基；ベンジル基；アシル基、例えばC2〜C4−アル
カノイル基例えばアセチル基、プロピオニル基及びブチ
リル基；ベンゾイル基；非環式又は環式アセタール基例
えばC2〜C9−アルコキシメトキシ基、C3〜C10−アルコ
キシエトキシ基、２−フラニル基、２−テトラヒドロフ
ラニル基、２−ピラニル基、２−テトラヒドロピラニル
基、1,3−ジオキサン−２−イル基、1,3−ジオキサン−
４−イル基及び1,4−ジオキサン−２−イル基が該当す
る。ロベシアナ・ボトラナのフェロモン中にはアセチル
基が存在するので、この保護基が有利である。
第三炭素原子を有するC4〜C12−アルキル基例えばｔ−
ブチル基、1,1−ジメチルプロピ−１−イル基、1,1−ジ
メチルブチ−１−イル基；C3〜C8−トリアルキルシリル
基例えばトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ト
リ−ｎ−プロピルシリル基、トリ−イソプロピルシリル
基、トリ−ｎ−ブチルシリル基、ジメチルエチルシリル
基、ジエチルメチルシリル基及びジメチル−ｎ−ブチル
シリル基；ベンジル基；アシル基、例えばC2〜C4−アル
カノイル基例えばアセチル基、プロピオニル基及びブチ
リル基；ベンゾイル基；非環式又は環式アセタール基例
えばC2〜C9−アルコキシメトキシ基、C3〜C10−アルコ
キシエトキシ基、２−フラニル基、２−テトラヒドロフ
ラニル基、２−ピラニル基、２−テトラヒドロピラニル
基、1,3−ジオキサン−２−イル基、1,3−ジオキサン−
４−イル基及び1,4−ジオキサン−２−イル基が該当す
る。ロベシアナ・ボトラナのフェロモン中にはアセチル
基が存在するので、この保護基が有利である。
基R3及びR4は、低分子量のアルキル基、例えば枝分れ
鎖状又は非枝分れ鎖状C1〜C8−、有利にはC1〜C8−アル
キル基例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基、ｎ−ブチル基、イソ−ブチル基、ｓ−ブチル
基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基又はオクチ
ル基を表す。両者の基R3及びR4は、また相互にエチレン
橋又はプロピレン橋を形成することができる、従ってジ
オキサン系もしくはジオキソラン系が存在する。
鎖状又は非枝分れ鎖状C1〜C8−、有利にはC1〜C8−アル
キル基例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基、ｎ−ブチル基、イソ−ブチル基、ｓ−ブチル
基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基又はオクチ
ル基を表す。両者の基R3及びR4は、また相互にエチレン
橋又はプロピレン橋を形成することができる、従ってジ
オキサン系もしくはジオキソラン系が存在する。
基R5は、C1〜C8−アルキル基、C5又はC8−シクロアル
キル基及び特に場合により置換されたフェニル基を表
す、その際置換基としては不活性基例えばC1〜C4−アル
キル基、C1〜C4−アルコキシ基又はハロゲン原子例えば
弗素、塩素又は臭素が該当する。置換されていないフェ
ニル基が有利である、それというのもイリドを製造する
ために使用される出発物質のトリフェニルホスフィンは
特に廉価でありかつ更に反応の際に極めて低い反応性の
かつ良好に分離可能な固体のトリフェニルホスフィンオ
キシドを生成するからである。
キル基及び特に場合により置換されたフェニル基を表
す、その際置換基としては不活性基例えばC1〜C4−アル
キル基、C1〜C4−アルコキシ基又はハロゲン原子例えば
弗素、塩素又は臭素が該当する。置換されていないフェ
ニル基が有利である、それというのもイリドを製造する
ために使用される出発物質のトリフェニルホスフィンは
特に廉価でありかつ更に反応の際に極めて低い反応性の
かつ良好に分離可能な固体のトリフェニルホスフィンオ
キシドを生成するからである。
ホスホルイリドIII又はIVは、自体公知方法で、例え
ば“J.March,Advanced Organic Chemistry"第２版、864
〜872頁（1977）、McGraw-Hill Kogakusha Ltd.に記載
されているか又は該刊行文献に引用された方法に基づ
き、相応するホスホニウムハロゲン化物、有利には臭素
化物又は塩素化物を、塩基を用いて脱プロトン化するこ
とにより製造することができる。脱プロトン化は別の場
所で又は有利にはその場で中性溶剤中で室温又は０〜10
0℃の温度で実施する（J.Chem.Soc.,Perkin I,1974,37
〜41）。溶剤としては、例えば窒素で完全に置換された
酸アミド例えばジメチルホルムアミド、ジメチルアセト
アミド、ジエチルホルムアミド又はＮ−メチルピロリド
ン；スルホン例えばジメチルスルホン；スルホキシド例
えばジメチルスルホキシド；エーテル例えばテトラヒド
ロフラン；グリコールエーテル例えばジメトキシエタ
ン、ジエトキシエタン、ジグリム；芳香族炭化水素例え
ばベンゼン又はトルエン、ハロゲン化炭化水素例えば塩
化メチレン又はクロルベンゼンを使用する。水／有機性
２相系例えばH2O／トルエン又はH2O／クロルベンゼンを
使用することもできる。
ば“J.March,Advanced Organic Chemistry"第２版、864
〜872頁（1977）、McGraw-Hill Kogakusha Ltd.に記載
されているか又は該刊行文献に引用された方法に基づ
き、相応するホスホニウムハロゲン化物、有利には臭素
化物又は塩素化物を、塩基を用いて脱プロトン化するこ
とにより製造することができる。脱プロトン化は別の場
所で又は有利にはその場で中性溶剤中で室温又は０〜10
0℃の温度で実施する（J.Chem.Soc.,Perkin I,1974,37
〜41）。溶剤としては、例えば窒素で完全に置換された
酸アミド例えばジメチルホルムアミド、ジメチルアセト
アミド、ジエチルホルムアミド又はＮ−メチルピロリド
ン；スルホン例えばジメチルスルホン；スルホキシド例
えばジメチルスルホキシド；エーテル例えばテトラヒド
ロフラン；グリコールエーテル例えばジメトキシエタ
ン、ジエトキシエタン、ジグリム；芳香族炭化水素例え
ばベンゼン又はトルエン、ハロゲン化炭化水素例えば塩
化メチレン又はクロルベンゼンを使用する。水／有機性
２相系例えばH2O／トルエン又はH2O／クロルベンゼンを
使用することもできる。
塩基としては、２相系を使用する際には、低分子量ア
ルコラート、例えばアルカリ金属アルコラート例えばナ
トリウムメチラート又はナトリウムエチラート並びにア
ルカリ金属水酸化物例えば水酸化ナトリウム又は水酸化
カリウムを使用する。その他に、ブチルリチウム、アル
カリ金属水素化物又はアミドを使用することもでき、こ
の際には反応は場合により保護ガス下で実施する。
ルコラート、例えばアルカリ金属アルコラート例えばナ
トリウムメチラート又はナトリウムエチラート並びにア
ルカリ金属水酸化物例えば水酸化ナトリウム又は水酸化
カリウムを使用する。その他に、ブチルリチウム、アル
カリ金属水素化物又はアミドを使用することもでき、こ
の際には反応は場合により保護ガス下で実施する。
塩基の量には特に制限はない、一般にホスホニウムハ
ロゲン化物１モル当り化学量論的量、又は僅かに過剰、
例えば１〜20モル％過剰の塩基を使用する。より多くの
量も可能であるが、しかし一般により一層の利点をもた
すことはない。
ロゲン化物１モル当り化学量論的量、又は僅かに過剰、
例えば１〜20モル％過剰の塩基を使用する。より多くの
量も可能であるが、しかし一般により一層の利点をもた
すことはない。
ウィチッヒ反応のために使用されるアルデヒドII又は
V1モル当り、化学量論的量又は有利には僅かに過剰、例
えば10〜20モル％過剰のイリドIII又はIVを使用するこ
とができる。より多くの又は少ない量も可能である。
V1モル当り、化学量論的量又は有利には僅かに過剰、例
えば10〜20モル％過剰のイリドIII又はIVを使用するこ
とができる。より多くの又は少ない量も可能である。
第１のウィチッヒ反応で形成されたα，β−不飽和ア
セタールIVは、シス／トランス混合物として生成しかつ
該アセタールの後続の分解の際に酸性加水分解によって
単一のトランス−配置のアルフデヒドＶに転化される。
セタールIVは、シス／トランス混合物として生成しかつ
該アセタールの後続の分解の際に酸性加水分解によって
単一のトランス−配置のアルフデヒドＶに転化される。
酸としては、鉱酸又は有機酸例えばカルボン酸、ジカ
ルボン酸又はスルホン酸を使用することができる。例え
ば、塩酸、酢酸、蓚酸又はトルエンスルホン酸が挙げら
れる。アセタールIV 1モル当り、一般に１〜２酸等量を
使用する。有利には、酸処理は希塩酸、例えば５〜30％
の塩酸を用いて０〜50℃の温度で不活性溶剤、例えばエ
ーテル例えばジエチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエ
ーテル又はテトラヒドロフラン中で実施する。
ルボン酸又はスルホン酸を使用することができる。例え
ば、塩酸、酢酸、蓚酸又はトルエンスルホン酸が挙げら
れる。アセタールIV 1モル当り、一般に１〜２酸等量を
使用する。有利には、酸処理は希塩酸、例えば５〜30％
の塩酸を用いて０〜50℃の温度で不活性溶剤、例えばエ
ーテル例えばジエチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエ
ーテル又はテトラヒドロフラン中で実施する。
引続いての、刊行文献、例えばフランス国特許第2505
820号明細書から自体公知である、第２のウィチッヒ反
応の際には、所望のジエンＩは約85:15のEZ/EE比で生成
しかつ自体公知方法で単離しかつ例えばカラムクロマト
グラフィーにより精製することができる。
820号明細書から自体公知である、第２のウィチッヒ反
応の際には、所望のジエンＩは約85:15のEZ/EE比で生成
しかつ自体公知方法で単離しかつ例えばカラムクロマト
グラフィーにより精製することができる。
発明の効果 本発明による方法の利点は、簡単に実施できることに
ある。従って、生成した中間体を費用のかかる精製工程
を介することなく後続工程のために使用することができ
る。ウィチッヒ反応の際に形成されたホスフィンオキシ
ドは、反応工程の最後に初めて分離すればよい。
ある。従って、生成した中間体を費用のかかる精製工程
を介することなく後続工程のために使用することができ
る。ウィチッヒ反応の際に形成されたホスフィンオキシ
ドは、反応工程の最後に初めて分離すればよい。
実施例 次に、実施例により本発明を詳細に説明する。
実施例１ トランス−２−ノネンアールＶの製造 ７−アセトキシヘプタンアール172g（1.0モル）及び
（1,3−ジオキソラン−２−イル）−メチル−トリフェ
ニルホスホニウムブロミド514g（1.2モル）を、ジメチ
ルホルムアミド3l中で90℃に加熱しかつナトリウムメチ
ラート65g（1.2モル）を分割して加える。90℃で６時間
撹拌しかつ冷却した後に、水6lを添加しかつメチル−ｔ
−ブチルエーテルで抽出することにより後処理する。洗
浄及び乾燥後に、生成物混合物243gが得られ、該混合物
をテトラヒドロフラン300ml中に回収しかつ10％の塩酸3
00mlを加える。室温で３時間撹拌しかつ水500mlを添加
した後に、メチル−ｔ−ブチルエーテルで抽出しかつ有
機相を洗浄しかつ乾燥させる。
（1,3−ジオキソラン−２−イル）−メチル−トリフェ
ニルホスホニウムブロミド514g（1.2モル）を、ジメチ
ルホルムアミド3l中で90℃に加熱しかつナトリウムメチ
ラート65g（1.2モル）を分割して加える。90℃で６時間
撹拌しかつ冷却した後に、水6lを添加しかつメチル−ｔ
−ブチルエーテルで抽出することにより後処理する。洗
浄及び乾燥後に、生成物混合物243gが得られ、該混合物
をテトラヒドロフラン300ml中に回収しかつ10％の塩酸3
00mlを加える。室温で３時間撹拌しかつ水500mlを添加
した後に、メチル−ｔ−ブチルエーテルで抽出しかつ有
機相を洗浄しかつ乾燥させる。
ガスクロマトグラフィー分析によれば、９−ヒドロキ
シ−２−ノネンアール47％及び９−アセトキシ−２−ノ
ネンアール18％からなる生成物混合物187gが得られ、こ
れは73％の全収率に相当する。該粗製生成物を後続の反
応、即ちウィチッヒ反応及び遊離OH−基のエステル化に
直接的に使用することができる。
シ−２−ノネンアール47％及び９−アセトキシ−２−ノ
ネンアール18％からなる生成物混合物187gが得られ、こ
れは73％の全収率に相当する。該粗製生成物を後続の反
応、即ちウィチッヒ反応及び遊離OH−基のエステル化に
直接的に使用することができる。
実施例２ ９−アセトキシ−２−ノネンアールのE7/Z9−ドデカン
ジエニルアセテートへの転化 プロピルトリフェニルホスホニウムブロミド385g（1.
00モル）をテトラヒドロフラン3l中に装入しかつカリウ
ム−ｔ−ブチラート112g（１モル）を分割して加える。
室温で30分間撹拌した後に、９−アセトキシ−２−ノネ
ンアール（76％の粗製生成物）217g（0.835モル）を滴
加しかつ室温で45分間撹拌する。H2O 500mlを添加する
ことにより、反応を停止させる。後処理は、NaCl溶液を
添加し、ジエチルーテルで抽出しかつNa2SO4上で乾燥さ
せることにより行い、引続き該粗製生成物を酢酸エステ
ル／石油エーテル（1:1）中でシリカゲルを介して炉別
する。ガスクロマトグラフィー分析によれば、E7/Z9−
ドデカンジエノール24％並びにE7/Z9−ドデカンジエニ
ルアセテート44％からなる生成物242gが得られる。
ジエニルアセテートへの転化 プロピルトリフェニルホスホニウムブロミド385g（1.
00モル）をテトラヒドロフラン3l中に装入しかつカリウ
ム−ｔ−ブチラート112g（１モル）を分割して加える。
室温で30分間撹拌した後に、９−アセトキシ−２−ノネ
ンアール（76％の粗製生成物）217g（0.835モル）を滴
加しかつ室温で45分間撹拌する。H2O 500mlを添加する
ことにより、反応を停止させる。後処理は、NaCl溶液を
添加し、ジエチルーテルで抽出しかつNa2SO4上で乾燥さ
せることにより行い、引続き該粗製生成物を酢酸エステ
ル／石油エーテル（1:1）中でシリカゲルを介して炉別
する。ガスクロマトグラフィー分析によれば、E7/Z9−
ドデカンジエノール24％並びにE7/Z9−ドデカンジエニ
ルアセテート44％からなる生成物242gが得られる。
この混合物に、無水酢酸60ml（0.63モル）及びピリジ
ン65ml（0.80モル）を加えかつ還流下で３時間加熱す
る。氷酢酸を添加し、塩化メチレンで抽出し、有機相を
１％の塩酸及び水で洗浄しかつNa2SO4上で乾燥させた後
に、ガスクロマトグラフィー分析によれば、E7/Z9−ド
デカンジエニルアセテート69.2％からなる生成物混合物
259gが得られ、これは96％の全収率に相当する。
ン65ml（0.80モル）を加えかつ還流下で３時間加熱す
る。氷酢酸を添加し、塩化メチレンで抽出し、有機相を
１％の塩酸及び水で洗浄しかつNa2SO4上で乾燥させた後
に、ガスクロマトグラフィー分析によれば、E7/Z9−ド
デカンジエニルアセテート69.2％からなる生成物混合物
259gが得られ、これは96％の全収率に相当する。
より以上の生成は、蒸留により行う。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヴォルフガング、マッケンロート ドイツ連邦共和国、6702、バート、デュ ルクハイム、ゼーバハー、シュトラー セ、37 (72)発明者 ヴァルター、ヒムメレ ドイツ連邦共和国、6909、ヴァルドル フ、アイヒェンヴェーク、14 (72)発明者 ハインツ、エックハルト ドイツ連邦共和国、6700、ルートヴィヒ ス ハーフェン、リュディガーシュトラ ーセ、７
Claims (1)
- 【請求項１】一般式I: ［式中、 R1はC1〜C8−アルキル基及び R2は水素原子又は塩基に安定なアルコール保護基を表
す］で示されるE7/Z9−アルカジエン−１−オールを製
造する方法において、式II: OHC−(CH2)6−OR2 （II） ［式中、R2は前記のものを表す］で示される、場合によ
りOH官能基で保護された７−ヒドロキシヘプタン−１−
アールを一般式III: ［式中、 R3、R4は低分子量のアルキル基を表すか又は相互に結合
して場合によりC1〜C4−アルキル置換されたジオキサン
又はジオキソラン系を形成しており、かつ R5はアルキル基、シクロアルキル基又は場合により置換
されたフェニル基を表す］で示されるホスホルイリドと
ウィチッヒ反応に基づき一般式IV: ［式中、R2、R3及びR4は前記のものを表す］で示される
化合物に転化し、該化合物を酸を作用させて式V: ［R2は前記のものを表す］で示されるトランス−配置の
２−ノネン−アールに転化し、該化合物を更に式VI: ［式中、R1及びR5は前記のものを表す］で示されるホス
ホルイリドとウィチッヒ反応させることにより、前記式
Ｉの化合物に転化し、該化合物を常法で反応混合物から
回収することを特徴とするE7/Z9−アルカジエン−１−
オール及びそのヒドロキシル基で保護された誘導体の製
法。
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| DE3817399.9 | 1988-05-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0217142A JPH0217142A (ja) | 1990-01-22 |
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|---|---|
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| JP (1) | JP2690356B2 (ja) |
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-
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- 1988-05-21 DE DE19883817399 patent/DE3817399A1/de not_active Withdrawn
-
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- 1989-05-19 HU HU892511A patent/HU206302B/hu unknown
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