JP2686511B2 - 半導体ウエハ保護フィルムの剥離方法 - Google Patents

半導体ウエハ保護フィルムの剥離方法

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JP2686511B2 JP1140092A JP14009289A JP2686511B2 JP 2686511 B2 JP2686511 B2 JP 2686511B2 JP 1140092 A JP1140092 A JP 1140092A JP 14009289 A JP14009289 A JP 14009289A JP 2686511 B2 JP2686511 B2 JP 2686511B2
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体ウエハの回路パターン形成面に貼着
された保護フィルムを、センサーを介した制御下に導電
性を有する剥がしテープを介して剥離除去する方法に関
する。
発明の背景 半導体ウエハの製造工程においては、例えば裏面研削
工程時などのように、半導体ウエハの回路パターン形成
面に保護フィルムを貼着する場合がある。裏面研削工程
は、IC等の回路パターンの形成工程を終えた半導体ウエ
ハを可及的に薄くするための工程で、例えば0.6mm程度
の厚さのものが0.3〜0.4mm程度にされる。保護フィルム
は、その場合の半導体ウエハの破損、回路パターン形成
面の研削屑等による汚染、損傷などを防止するためのも
ので、プラスチックフィルムからなる支持シート21に粘
着層22を設けたものよりなる。
従来の技術及び課題 前記した保護フィルムは、不要となった時点で回路パ
ターン形成面より剥離除去される。
従来、その剥離方法としては作業者が手により直接引
き剥がす方法がとられていた。しかしながら、保護フィ
ルムを引き剥がす際の静電気の発生で、あるいは作業者
が有する静電気の放電で回路が破壊される問題点、及び
剥離作業の能率に劣る問題点があった。
前記の静電気対策として保護フィルムにおける支持シ
ートに帯電防止膜を設けたり、導電性粉末を混入させた
りして帯電防止機能を付与する試みもなされているが、
不純物イオンの遊離が多く、その遊離イオンによる回路
破壊や半導体ウエハの変質等の問題を誘発している現状
である。
課題を解決するための手段 本発明は、可視光透過性で、かつ導電性の剥がしテー
プを介してセンサーによる制御下に保護フィルムを引き
剥がす方法により上記の課題を克服したものである。
すなわち本発明は、可視光透過率が20%以上で、かつ
少なくとも片面における表面抵抗率が108Ω/cm2以下の
フレキシブル基材からなる長尺の剥がしテープを粘着層
を介し、半導体ウエハの回路パターン形成面に貼着され
た保護フィルムに接着して保護フィルムの連接体を形成
し、その連接テープたる剥がしテープを介して、半導体
ウエハの回路パターン形成面に貼着された保護フィルム
を剥離機構を介し自動的に剥離除去し、かつ前記の処理
をセンサーを介した制御下に行うことを特徴とする半導
体ウエハ保護フィルムの剥離方法を提供するものであ
る。
作 用 可視光透過性のフレキシブル基材からなる長尺の剥が
しテープを接着して保護フィルムの連接体を形成し、そ
の剥がしテープを介して半導体ウエハの回路パターン形
成面に貼着された状態にある保護フィルムを剥離除去す
る処理を、センサーを介して制御下に行う方式とするこ
とにより、剥離機構を介してのスムースな自動的引き剥
がし処理が可能となり、これにより容易、かつ能率的な
保護フィルムの剥離除去が達成される。
そして前記の剥がしテープを、少なくとも片面におけ
る表面抵抗率が108Ω/cm2以下の基材で形成することに
より、その導電性に基づいて保護フィルムを剥離除去す
る際における静電気の発生が防止ないし低減され、回路
破壊が防止される。
発明の構成要素の例示 第1図、第2図に例示したように、本発明において
は、可視光透過率が20%以上で、かつ少なくとも片面に
おける表面抵抗率が108Ω/cm2以下のフレキシブル基材
からなる長尺の剥がしテープ1が用いられる。かかる剥
がしテープ1は例えば、導電性物質の蒸着層等からなる
可視光透過性の導電層11を、プラスチックフィルム等か
らなる可視光透過性のテープ基材12の片面又は両面に設
けたもの(第1図、第2図)などを用いて形成すること
ができる。用いる導電性物質は、表面抵抗率が108Ω/cm
2以下の蒸着層(11)を形成できるものであればよい。
一般にはアルミニウム、チタン、鉄、ニッケル、銅、亜
鉛、銀、インジウム、スズ、金、鉛、これらの金属を含
む合金、あるいはそれらの酸化物などが用いられる。形
成する蒸着層の厚さは、可視光透過率と表面抵抗率の点
より通常、30〜300Åが好ましい。導電性物質の蒸着層
からなる導電層11を付設してなる剥がしテープ1は、遊
離イオンを発生しにくく、また湿度による表面抵抗率の
変化が小さくて安定した帯電防止効果を示し、可視光透
過率の安定性にも優れてセンサーによる検知ミスを生じ
難い。さらにフレキシブル性にも優れた保護フィルムに
対する貼着性、保護フィルムを回路パターン形成面より
剥離除去する際の引張方向の自由性に優れ、かつ静電気
の発生防止効果に優れる。
一方、導電性物質の蒸着層等からなる導電層11の付設
に用いるテープ基材12は、必要な強度を有する可視光透
過性の柔軟体であればよい。一般には、プラスチックフ
ィルムが用いられ、蒸着層との密着性ないし変形追従性
に優れるものが好ましく用いられる。その例としてはポ
リエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリカーボネート、エチレン・酢酸ビニル共重合
体、エチレン・プロピレン共重合体、ポリ塩化ビニルな
どからなるフィルムがあげられる。
剥がしテープ1の厚さは、必要強度とフレキシブル性
により適宜に決定してよい。一般には、1mm以下、就中1
0〜500μmとされる。
第1図ないし第3図から明らかなように、本発明にお
いて剥がしテープ1は、保護フィルム2と接着される。
接着は粘着層13を介して行われ、その粘着層13は剥がし
テープ1に設ける方式が一般である。保護フィルム2に
対する粘着層13の接着力は、半導体ウエハの回路パター
ン形成面に対する保護フィルム2の接着力よりも高くな
るよう設定される。これにより当該回路パターン形成面
に貼着された保護フィルム2を、これに接着された剥が
しテープ1を介しその回路パターン形成面より剥離除去
することが可能になる。第1図又は第2図に示したよう
に、導電層11を片面のみに有する剥がしテープ1の場
合、その保護フィルム2との接着面は導電層11側(第2
図)であってもよいし、その反対側であってもよい。導
電層11側を介しての接着は、その導電層11がテープ基材
12で保護されて磨耗や剥離を起こしにくい利点がある。
一方、導電層11が表面に露出するよう接着した場合(第
1図)には、搬送時の摩擦等により発生する静電気で帯
電しにくいなど、帯電防止機能に優れる利点などがあ
る。
第3図のように、剥がしテープ1と保護フィルム2の
接着は、長尺の剥がしテープ1を連接テープとして用い
て、保護フィルム2の複数枚を1枚の剥がしテープ1で
連接した連接体4とされる。これにより、例えば裏面研
削工程を終えたのちなどにおいて、半導体ウエハ3の回
路パターン形成面に貼着された保護フィルム2の自動剥
離処理が可能になり、かつ簡単な構造の剥離機構で容易
に達成される。また、剥離除去された保護フィルム2を
剥がしテープ1を介して整然と、かつスムースに能率よ
く回収することができる。剥がしテープ1による保護フ
ィルム2の連接枚数は2枚以上の任意枚数でよく、接着
処理段階や剥離方式などシステムの都合により適宜に決
定される。
第4図のように、本発明の剥離方法は、半導体ウエハ
3の回路パターン形成面に貼着された保護フィルム2の
剥がしテープ1による連接体4の形成下、その剥がしテ
ープ1と剥離機構を介して保護フィルム2を自動的に剥
離するものであり、かつその処理をセンサーを介した制
御下に行うものである。その制御は、可視光透過性の剥
がしテープ1を活用してその背面より保護フィルム2、
ないし半導体ウエハ3をセンサーで検知し、その検知信
号に接着機構、ないし剥離機構を連動させるものであ
る。センサーの配置位置や連動システムなどは適宜に決
定してよい。
第4図に、連接体形成時にセンサーで検知するように
した本発明の剥離方法を例示した。この方法は、所定の
処理を終えて順次矢印方向に搬送される半導体ウエハ3
の回路パターン形成面に貼着された保護フィルム2を剥
がしテープ1の背面よりセンサー5を介して検知し、そ
れに連動させて圧着ローラ6を制御し、この圧着ローラ
6を介して長尺の剥がしテープ1を順次自動的に保護フ
ィルム2に接着して連接体4を形成しつつ、その連接体
4の進行方向に所定の間隔を隔てて設けた反転ローラ7
を介し、連接体4の先行位置における剥がしテープ1を
反転させるようになっている。反転位置における半導体
ウエハ3はコンベア等の搬送装置8に吸引方式等により
固定されており、これにより半導体ウエハ3の回路パタ
ーン形成面に貼着された保護フィルム2が自動的に剥離
除去される。かつ剥離除去された保護フィルム2が剥が
しテープ1を介して整然と、かつ自動的に回収される。
実施例 実施例1 厚さ50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムか
らなる透明なテープ基材の片面に厚さ100Åのニッケル
蒸着層を設け、他面にアクリル系粘着層を設けてなる剥
がしテープをそのアクリル系粘着層を介して、半導体ウ
エハの回路パターン形成面に貼着された保護フィルムに
第4図に示した方法でセンサーによる検知制御下に接着
し、かつ自動的に剥離除去した。連接体における保護フ
ィルムの枚数は5枚とした。前記の検知・接着・剥離処
理は何ら問題なくスムースに進行し、かつ保護フィルム
が剥がしテープに連接されて整然と回収され、検知ミ
ス、回路破壊の問題も生じなかった。
一方、前記の剥離除去した直後の剥がしテープの背面
における帯電圧を静電気測定器により測定した。その結
果を表に示した。また表には剥がしテープの可視光透過
率(波長550nm)も示した。
なお、上記のアクリル系粘着層は、アクリル酸ブチル
・アクリロニトリル・アクリル酸共重合体100重量部に
ポリイソシアネート架橋剤5重量部を配合した粘着剤か
らなり、その保護フィルムに対する接着力(23℃、65%
R.H.、180度ピール、引張速度300mm/分、以下同様)
は、700g/20mmであった。また、半導体ウエハの回路パ
ターン形成面に対する保護フィルムの接着力は40g/20mm
であった。一方、ポリエチレンテレフタレートフィルム
に設けたニッケル蒸着層の表面抵抗率は10Ω/cm2であっ
た。
実施例2 アクリル系粘着層をニッケル蒸着層の上に設けてなる
剥がしテープを用い、そのアクリル系粘着層を介して保
護フィルムに接着したほかは実施例1に準じて検知・接
着・剥離処理を行った。この場合も何ら問題なくスムー
スに進行し、かつ保護フィルムが剥がしテープに連接さ
れて整然と回収され、検知ミス、回路破壊の問題も生じ
なかった。
なお、実施例1に準じ測定した帯電圧、可視光透過率
の結果を表に示した。
比較例1 ニッケル蒸着層を有しないポリエチレンテレフタレー
トフィルムを用いたほかは実施例1に準じて検知・接着
・剥離処理したが、半導体ウエハの回路が破壊された。
なお、実施例1に準じ測定した帯電圧、可視光透過率
の結果を表に示した。
比較例2 着色したポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
たほかは実施例1に準じて検知・接着・剥離処理した
が、検知ミスで剥がしテープと保護フィルムの接着が達
成されず、目的を達成できなかった。なお、実施例1に
準じ測定した帯電圧、可視光透過率の結果を表に示し
た。
表より、本発明の剥離方法によれば、センサーによる
検知ミスがなく、かつ剥離時における静電気の発生が少
なくてその帯電圧の低いことがわかる。
発明の効果 本発明の剥離方法によれば、可視光透過性で長尺の剥
がしテープを用いて保護フィルムの連接体を形成し、こ
れにより自動剥離機構の適用を可能とし、かつセンサー
を介した制御を可能として、半導体ウエハの回路パター
ン形成面に貼着された保護フィルムをその剥がしテープ
を介して剥離機構により自動的に、かつより確実に剥離
するようにしたので、連続的にかつ信頼性よく剥離除去
できて作業効率に優れている。
また、導電性を有する剥がしテープを用いたので、保
護フィルムを剥離する際の静電気の発生を防止ないし低
減できて、静電気やその帯電による回路パターン形成面
の回路破壊を防止することができる。
さらに、回路パターン形成面より剥離除去された保護
フィルムは剥がしテープに連接されているので、整然
と、かつ自動的に連続して回収することができ、その回
収作業性にも優れている。
【図面の簡単な説明】 第1図、第2図は剥がしテープと保護フィルムの接着例
を示した断面図、第3図はその連接体の説明図、第4図
は自動剥離機構の説明図である。 1:剥がしテープ 11:導電層 12:テープ基材 13:粘着層 2:保護フィルム 3:半導体ウエハ 4:連接体 5:センサー 6:圧着ローラ 7:反転ローラ 8:搬送装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 近田 縁 大阪府茨木市下穂積1丁目1番2号 日 東電工株式会社内 (72)発明者 山本 昌司 大阪府茨木市下穂積1丁目1番2号 日 東電工株式会社内

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】可視光透過率が20%以上で、かつ少なくと
    も片面における表面抵抗率が108Ω/cm2以下のフレキシ
    ブル基材からなる長尺の剥がしテープを粘着層を介し、
    半導体ウエハの回路パターン形成面に貼着された保護フ
    ィルムに接着して保護フィルムの連接体を形成し、その
    連接テープたる剥がしテープを介して、半導体ウエハの
    回路パターン形成面に貼着された保護フィルムを剥離機
    構を介し自動的に剥離除去し、かつ前記の処理をセンサ
    ーを介した制御下に行うことを特徴とする半導体ウエハ
    保護フィルムの剥離方法。
JP1140092A 1989-05-31 1989-05-31 半導体ウエハ保護フィルムの剥離方法 Expired - Lifetime JP2686511B2 (ja)

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