JP2684697B2 - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents
半導体レーザ駆動回路Info
- Publication number
- JP2684697B2 JP2684697B2 JP20591688A JP20591688A JP2684697B2 JP 2684697 B2 JP2684697 B2 JP 2684697B2 JP 20591688 A JP20591688 A JP 20591688A JP 20591688 A JP20591688 A JP 20591688A JP 2684697 B2 JP2684697 B2 JP 2684697B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- semiconductor laser
- effect transistor
- drive circuit
- field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体レーザの駆動回路に関し、特に、GH
zを超える高速デイジタル光通信の送信部等に用いられ
る電界効果形トランジスタを用いた、半導体レーザを駆
動する回路に関する。
zを超える高速デイジタル光通信の送信部等に用いられ
る電界効果形トランジスタを用いた、半導体レーザを駆
動する回路に関する。
（従来の技術） 第２図に従来の半導体レーザ駆動回路の一例を示す。
従来この種の半導体レーザの駆動回路は電界効果形ト
ランジスタ１のソース電極Ｓと基準電位９間にコンデン
サ３を接続し、ソース電極Ｓと電源Ｖ間に抵抗２を接続
し、電界効果形トランジスタ１のドレイン電極Ｄと基準
電位間に、抵抗４と半導体レーザ５の直列回路を接続
し、抵抗４にコンデンサ８を並列接続し、さらに半導体
レーザ５のカソードに直流バイアス供給回路６を接続し
た構成となつている。
ランジスタ１のソース電極Ｓと基準電位９間にコンデン
サ３を接続し、ソース電極Ｓと電源Ｖ間に抵抗２を接続
し、電界効果形トランジスタ１のドレイン電極Ｄと基準
電位間に、抵抗４と半導体レーザ５の直列回路を接続
し、抵抗４にコンデンサ８を並列接続し、さらに半導体
レーザ５のカソードに直流バイアス供給回路６を接続し
た構成となつている。
（発明が解決しようとする課題） この従来の半導体レーザ駆動回路は、半導体レーザ５
の発振遅延等によるパターン効果を補償するために抵抗
４にスピードアツプコンデンサ８が並列接続されている
が、周波数が高くなるにつれ、実装の影響や半導体レー
ザのバラツキが大きくなるので、光波形補償用コンデン
サ８の値も変えて最良の光波形とする必要がある。しか
しながら、従来の回路は第２図のような構成であるの
で、コンデンサ８を取り替えて光波形のパターン効果を
補償しなければならず、補償容量の連続的可変が不可能
であるという欠点がある。
の発振遅延等によるパターン効果を補償するために抵抗
４にスピードアツプコンデンサ８が並列接続されている
が、周波数が高くなるにつれ、実装の影響や半導体レー
ザのバラツキが大きくなるので、光波形補償用コンデン
サ８の値も変えて最良の光波形とする必要がある。しか
しながら、従来の回路は第２図のような構成であるの
で、コンデンサ８を取り替えて光波形のパターン効果を
補償しなければならず、補償容量の連続的可変が不可能
であるという欠点がある。
本発明の目的は上記欠点を解決するもので、電界効果
形トランジスタのドレインとレーザダイオードの間の抵
抗端子間の容量を連続的に変えることができる半導体レ
ーザ駆動回路を提供することにある。
形トランジスタのドレインとレーザダイオードの間の抵
抗端子間の容量を連続的に変えることができる半導体レ
ーザ駆動回路を提供することにある。
（課題を解決するための手段） 前記目手を達成するために本発明による半導体レーザ
駆動回路は電界効果トランジスタのソース電極と基準電
位との間に第１のコンデンサを接続し、前記ソース電極
と電源との間に第１の抵抗を接続し、前記電界効果トラ
ンジスタのドレイン電極と基準電位との間に、第２の抵
抗とレーザダイオードの直列回路を接続し、前記第２の
抵抗とレーザダイオードの共通接続点に直流バイアス供
給回路を接続し、さらに前記第２の抵抗と並列に第２の
コンデンサを接続してなり、前記電界効果形トランジス
タのゲートにパルス電流を供給することにより前記レー
ザダイオードを発振させる半導体レーザ駆動回路におい
て、前記第２のコンデンサの代わりに前記第２の抵抗に
並列に第２の電界効果形トランジスタを接続し、前記第
２の電界効果形トランジスタのゲート電圧を制御するこ
とにより、前記第２の抵抗の端子間に与える容量を連続
的に変化させるように構成してある。
駆動回路は電界効果トランジスタのソース電極と基準電
位との間に第１のコンデンサを接続し、前記ソース電極
と電源との間に第１の抵抗を接続し、前記電界効果トラ
ンジスタのドレイン電極と基準電位との間に、第２の抵
抗とレーザダイオードの直列回路を接続し、前記第２の
抵抗とレーザダイオードの共通接続点に直流バイアス供
給回路を接続し、さらに前記第２の抵抗と並列に第２の
コンデンサを接続してなり、前記電界効果形トランジス
タのゲートにパルス電流を供給することにより前記レー
ザダイオードを発振させる半導体レーザ駆動回路におい
て、前記第２のコンデンサの代わりに前記第２の抵抗に
並列に第２の電界効果形トランジスタを接続し、前記第
２の電界効果形トランジスタのゲート電圧を制御するこ
とにより、前記第２の抵抗の端子間に与える容量を連続
的に変化させるように構成してある。
（実 施 例） 以下、図面を参照して本発明をさらに詳しく説明す
る。
る。
第１図は本発明による半導体レーザ駆動回路の一実施
例を示す回路図である。
例を示す回路図である。
図において、1,7は電界効果形トランジスタ（以下FET
と略称する。）、2,4は抵抗器、３はコンデンサ、５は
半導体レーザダイオード、６は直流バイアス供給回路で
ある。
と略称する。）、2,4は抵抗器、３はコンデンサ、５は
半導体レーザダイオード、６は直流バイアス供給回路で
ある。
FET1のゲート電極Ｇにパルス信号が入力されると、入
力パルス信号に応じた駆動パルス電流が得られる。その
駆動パルス電流が半導体レーザダイオード５に注入され
ると半導体レーザダイオード５が発振する。しかしなが
ら半導体レーザダイオード５は１ビツト目のパルスに対
し発振遅延が生じ、発光が遅れるため、パターン効果が
生じ光波形は劣化する。
力パルス信号に応じた駆動パルス電流が得られる。その
駆動パルス電流が半導体レーザダイオード５に注入され
ると半導体レーザダイオード５が発振する。しかしなが
ら半導体レーザダイオード５は１ビツト目のパルスに対
し発振遅延が生じ、発光が遅れるため、パターン効果が
生じ光波形は劣化する。
本発明はこれを補償するために第２のFET7を抵抗４に
並列に接続している。これによりFET7のドレイン−ソー
ス間容量あるいはゲート−ソース間、ゲート−ドレイン
間容量と、抵抗４により駆動パルス電流波形のスピード
をあげるとともに、１ビツト目のパルスにオーバーシユ
ートを持たせている。
並列に接続している。これによりFET7のドレイン−ソー
ス間容量あるいはゲート−ソース間、ゲート−ドレイン
間容量と、抵抗４により駆動パルス電流波形のスピード
をあげるとともに、１ビツト目のパルスにオーバーシユ
ートを持たせている。
一般に高周波領域においては、実装の影響や半導体レ
ーザダイオード５のバラツキが大きいので、パターン効
果による光波形の劣化量は一様ではない。
ーザダイオード５のバラツキが大きいので、パターン効
果による光波形の劣化量は一様ではない。
そのため、補償する容量を可変する必要性が生じ、高
周波になればなるほど容量値は小さくなり通常のデイス
クリート部品での実現が困難となる。
周波になればなるほど容量値は小さくなり通常のデイス
クリート部品での実現が困難となる。
本発明では、この光波形補償用の容量を第２のFET7の
ドレイン−ソース間容量あるいは、ゲート−ソース間容
量、およびゲート−ドレイン間容量で実現している。こ
れらの容量は電流の関数になつており、FET7のゲート電
圧を制御することにより、連続的に変えることができ
る。
ドレイン−ソース間容量あるいは、ゲート−ソース間容
量、およびゲート−ドレイン間容量で実現している。こ
れらの容量は電流の関数になつており、FET7のゲート電
圧を制御することにより、連続的に変えることができ
る。
（発明の効果） 以上、説明したように本発明は、電界効果形トランジ
スタのドレイン電極とレーザダイオードとの間の抵抗に
並列接続されたスピードアツプコンデンサの代りに第２
の電界効果形トランジスタを接続し、第２の電界効果形
トランジスタのドレイン−ソース間容量、ゲート−ソー
ス間容量、ゲート−ドレイン間容量をゲート電圧で制御
することにより容量を連続的に変えることが可能とな
り、電圧を変えるだけで容易に光波形を補償し、最適化
できるという効果がある。
スタのドレイン電極とレーザダイオードとの間の抵抗に
並列接続されたスピードアツプコンデンサの代りに第２
の電界効果形トランジスタを接続し、第２の電界効果形
トランジスタのドレイン−ソース間容量、ゲート−ソー
ス間容量、ゲート−ドレイン間容量をゲート電圧で制御
することにより容量を連続的に変えることが可能とな
り、電圧を変えるだけで容易に光波形を補償し、最適化
できるという効果がある。
第１図は本発明による半導体レーザ駆動回路の一実施例
を示す回路図、第２図は従来の半導体レーザ駆動回路の
一例を示す図である。 1,7……電界効果形トランジスタ 2,4……抵抗、3,8……コンデンサ ５……半導体レーザダイオード ６……直流バイアス供給回路
を示す回路図、第２図は従来の半導体レーザ駆動回路の
一例を示す図である。 1,7……電界効果形トランジスタ 2,4……抵抗、3,8……コンデンサ ５……半導体レーザダイオード ６……直流バイアス供給回路
Claims (1)
- 【請求項１】電界効果トランジスタのソース電極と基準
電位との間に第１のコンデンサを接続し、前記ソース電
極と電源との間に第１の抵抗を接続し、前記電界効果ト
ランジスタのドレイン電極と基準電位との間に、第２の
抵抗とレーザダイオードの直列回路を接続し、前記第２
の抵抗とレーザダイオードの共通接続点に直流バイアス
供給回路を接続し、さらに前記第２の抵抗と並列に第２
のコンデンサを接続してなり、前記電界効果形トランジ
スタのゲートにパルス電流を供給することにより前記レ
ーザダイオードを発振させる半導体レーザ駆動回路にお
いて、前記第２のコンデンサの代わりに前記第２の抵抗
に並列に第２の電界効果形トランジスタを接続し、前記
第２の電界効果形トランジスタのゲート電圧を制御する
ことにより、前記第２の抵抗の端子間に与える容量を連
続的に変化させることを特徴とする半導体レーザ駆動回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20591688A JP2684697B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 半導体レーザ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20591688A JP2684697B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 半導体レーザ駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0254977A JPH0254977A (ja) | 1990-02-23 |
| JP2684697B2 true JP2684697B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=16514872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20591688A Expired - Lifetime JP2684697B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 半導体レーザ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2684697B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08186312A (ja) * | 1994-12-30 | 1996-07-16 | Sony Corp | レーザダイオード駆動回路 |
| DE19842155B4 (de) | 1998-09-15 | 2005-06-30 | Stabilus Gmbh | Ventileinrichtung |
| JP2013110282A (ja) * | 2011-11-21 | 2013-06-06 | Canon Inc | 発光素子の駆動回路および発光装置 |
| CN110401103B (zh) * | 2019-07-26 | 2021-03-23 | 光梓信息科技（上海）有限公司 | 脉冲激光驱动器 |
-
1988
- 1988-08-19 JP JP20591688A patent/JP2684697B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0254977A (ja) | 1990-02-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5796767A (en) | Driver circuit of light-emitting device | |
| JP2715491B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| EP0936736B1 (en) | Delay elements arranged for a signal controlled oscillator | |
| JP2002190726A (ja) | 高速電流スイッチ回路および高周波電流源 | |
| JPH0945979A (ja) | 電圧制御型レーザダイオード駆動回路 | |
| US5172018A (en) | Current control device particularly for power circuits in mos technology | |
| JP2684697B2 (ja) | 半導体レーザ駆動回路 | |
| US6998733B2 (en) | Pulse current generation circuit | |
| JP2684701B2 (ja) | 半導体レーザ駆動回路 | |
| JPH06164401A (ja) | 差動電流源回路 | |
| JP2962263B2 (ja) | 半導体レーザ駆動回路 | |
| EP0574981B1 (en) | Oscillator circuit having 50% duty cycle | |
| JPH0648765B2 (ja) | 電子発振器 | |
| JPH0514535Y2 (ja) | ||
| JP2944184B2 (ja) | 半導体レーザ駆動回路 | |
| JPH0583100A (ja) | Ｍｏｓｆｅｔの駆動回路 | |
| JP2910280B2 (ja) | レーザダイオード駆動回路 | |
| JP2850659B2 (ja) | 半導体レーザ駆動回路 | |
| JP2910279B2 (ja) | レーザダイオード駆動回路 | |
| JP2707837B2 (ja) | 半導体レーザ駆動回路 | |
| JPH0132372Y2 (ja) | ||
| JPS6286882A (ja) | 光集積回路装置 | |
| KR960008144Y1 (ko) | 정전류 회로 | |
| SU1005281A1 (ru) | Генератор пилообразного напр жени | |
| JPS6227910Y2 (ja) |