JPH0514535Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0514535Y2 JPH0514535Y2 JP1986073622U JP7362286U JPH0514535Y2 JP H0514535 Y2 JPH0514535 Y2 JP H0514535Y2 JP 1986073622 U JP1986073622 U JP 1986073622U JP 7362286 U JP7362286 U JP 7362286U JP H0514535 Y2 JPH0514535 Y2 JP H0514535Y2
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- source
- effect transistor
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- Expired - Lifetime
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
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- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
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- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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- Optical Communication System (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は半導体レーザの駆動回路に関し、特に
高速デイジタル光通信の送信部等に用いられる電
界効果型トランジスタを用いた半導体レーザ駆動
回路に関する。
高速デイジタル光通信の送信部等に用いられる電
界効果型トランジスタを用いた半導体レーザ駆動
回路に関する。
従来、この種の半導体レーザの駆動回路は、第
２図に示すように電界効果型トランジスタ１のソ
ース電極にコンデンサ８、定電圧回路１４を接続
し、電界効果型トランジスタ１のドレイン電極に
半導体レーザダイオード４と、抵抗５とチヨーク
コイル６を介して接続されるバイアス供給回路７
とを接続する構成となつており、電界効果型トラ
ンジスタ１のゲート電極にパルス信号が入力され
るとドレイン負荷（半導体レーザダイオード）は
一定で、ソース電位は定電圧回路１４にて固定で
あるから出力駆動電流はドレイン・ソース間電圧
VDSにより決まり、つまり駆動電流は固定であり
光出力パワーも連続的に可変することは不可能な
回路構成となつていた。
２図に示すように電界効果型トランジスタ１のソ
ース電極にコンデンサ８、定電圧回路１４を接続
し、電界効果型トランジスタ１のドレイン電極に
半導体レーザダイオード４と、抵抗５とチヨーク
コイル６を介して接続されるバイアス供給回路７
とを接続する構成となつており、電界効果型トラ
ンジスタ１のゲート電極にパルス信号が入力され
るとドレイン負荷（半導体レーザダイオード）は
一定で、ソース電位は定電圧回路１４にて固定で
あるから出力駆動電流はドレイン・ソース間電圧
VDSにより決まり、つまり駆動電流は固定であり
光出力パワーも連続的に可変することは不可能な
回路構成となつていた。
上述した従来の半導体レーザの駆動回路は、電
界効果型トランジスタ１のソース電位を定電圧回
路１４で固定しているため、ドレイン電極に接続
される負荷（半導体レーザダイオード）が一定で
あるとし、かつ完全にON−OFF動作し得る十分
大きな振幅のパルス信号が電界効果型トランジス
タのゲート電極に入力されると、ドレイン・ソー
ス間電圧VDSで制限される駆動電流が得られる。
したがつてソース電圧を固定しては駆動パルス電
流も固定され、光出力電力の連続的な可変ができ
ないという欠点がある。又、ゲート電極に入力さ
れるパルス信号のパルス占有率を変化させると、
直流結合のためパルスの直流平均レベルもそれに
応じて変化する。ソース電位は定電圧回路で一定
に固定されているので、ゲート・ソース間の電圧
VGSが変化することになる。ここで入力波形が完
全な矩形でなく帯域のない信号が入力されたとす
ると、ゲート・ソース間電圧VGSが変化すれば出
力駆動パルスの占有率が変化するという欠点が生
じる。
界効果型トランジスタ１のソース電位を定電圧回
路１４で固定しているため、ドレイン電極に接続
される負荷（半導体レーザダイオード）が一定で
あるとし、かつ完全にON−OFF動作し得る十分
大きな振幅のパルス信号が電界効果型トランジス
タのゲート電極に入力されると、ドレイン・ソー
ス間電圧VDSで制限される駆動電流が得られる。
したがつてソース電圧を固定しては駆動パルス電
流も固定され、光出力電力の連続的な可変ができ
ないという欠点がある。又、ゲート電極に入力さ
れるパルス信号のパルス占有率を変化させると、
直流結合のためパルスの直流平均レベルもそれに
応じて変化する。ソース電位は定電圧回路で一定
に固定されているので、ゲート・ソース間の電圧
VGSが変化することになる。ここで入力波形が完
全な矩形でなく帯域のない信号が入力されたとす
ると、ゲート・ソース間電圧VGSが変化すれば出
力駆動パルスの占有率が変化するという欠点が生
じる。
本考案はコレクタ接地形増幅回路を構成するト
ランジスタを用いて電界効果型トランジスタのソ
ース電位を変化することにより、ドレイン・ソー
ス間電圧VDSを変化させ、出力駆動パルス電流を
可変し光出力パワーを連続的に調整することを可
能にし、かつ入力パルス信号の占有率の変化に伴
う出力駆動パルスの占有率の変化を軽減した。
ランジスタを用いて電界効果型トランジスタのソ
ース電位を変化することにより、ドレイン・ソー
ス間電圧VDSを変化させ、出力駆動パルス電流を
可変し光出力パワーを連続的に調整することを可
能にし、かつ入力パルス信号の占有率の変化に伴
う出力駆動パルスの占有率の変化を軽減した。
すなわち、電界効果型トランジスタのソース電
極に、コレクタ接地形式で用い、かつベース電位
が可変なトランジスタのエミツタ電極を接続し、
ソース電極と電源との間に抵抗を接続した構成に
することにより上記の欠点を解決している。
極に、コレクタ接地形式で用い、かつベース電位
が可変なトランジスタのエミツタ電極を接続し、
ソース電極と電源との間に抵抗を接続した構成に
することにより上記の欠点を解決している。
次に本考案の実施例について図面を参照して説
明する。
明する。
第１図は本考案に係る半導体レーザ駆動回路の
一実施例である。
一実施例である。
図において、１は電界効果型トランジスタ（以
下FET と略称する）、２はコレクタ接地形増幅
回路１３を構成するトランジスタ、３はソース抵
抗、４は半導体レーザダイオード、５は抵抗、６
はチヨークコイル、７は直流バイアス電流供給回
路、８はキヤパシタ、９は光出力、１０はバイア
ス電流ib、１１はパルス電流ip、１２はトランジ
スタ２に流れるコレクタ電流icである。
下FET と略称する）、２はコレクタ接地形増幅
回路１３を構成するトランジスタ、３はソース抵
抗、４は半導体レーザダイオード、５は抵抗、６
はチヨークコイル、７は直流バイアス電流供給回
路、８はキヤパシタ、９は光出力、１０はバイア
ス電流ib、１１はパルス電流ip、１２はトランジ
スタ２に流れるコレクタ電流icである。
ここで、FET１が完全にON−OFFのスイツチ
ング動作し得る振幅のパルス信号がFET１のゲ
ート電極に印加されたとすると、ドレイン電極に
接続される負荷（半導体レーザダイオード）が一
定であるから半導体レーザを駆動するパルス電流
ipはドレイン・ソース間電圧VDSにより決まる。
ング動作し得る振幅のパルス信号がFET１のゲ
ート電極に印加されたとすると、ドレイン電極に
接続される負荷（半導体レーザダイオード）が一
定であるから半導体レーザを駆動するパルス電流
ipはドレイン・ソース間電圧VDSにより決まる。
半導体レーザにはこのパルス電流ipとバイアス
電流ibが供給され光出力９が得られる。いまコレ
クタ接地形増幅回路１３を構成するトランジスタ
２のベース電位を変化させコレクタ電流icを増加
させると、抵抗３にはパルス電流ipとコレクタ電
流icの和の電流が流れているから、Ａ点つまり
FET１のソース電位が変化し、ドレイン・ソー
ス間電圧VDSが小さくなる。つまりFET１の飽和
電流値が小さくなりパルス電流ipは減少する。
又、逆に同様に考えて、トランジスタ２のベース
電位を変化させコレクタ電流icを減少させると、
FET１のソース電位が変化し、ドレイン・ソー
ス間電圧VDSが大きくなり、FET１の飽和電流値
が大きくなつてパルス電流ipは増加する。このよ
うにFET１のソース電極に抵抗３と、コレクタ
接地形回路１３とを接続する構成により、半導体
レーザの駆動パルス電流ipが連続的に可変でき
る。又、入力パルス信号のパルス占有率を変化さ
せると、入力パルスの直流平均レベルが変化する
つまりゲートの平均電圧が変化し、ソース電位は
固定だからゲート・ソース間電圧VGSは変化す
る。仮に、第３図のようなパルス信号が入力さ
れ、その占有率を変化させると、FET１のバイ
アスつまりゲート・ソース間電圧VGSが変化し、
出力駆動パルス信号の占有率が変化するという問
題がおこる。今、入力パルス信号の占有率を変化
させてゲート・ソース間電圧VGSが変化し、FET
１の電流が減少する方向に変化したとすると、抵
抗３の電圧降下は減少しソース電位は電源VSS側
に近づく。この時トランジスタ２のベースがベー
ス・エミツタ間電圧VBEが大きくなる方向にバイ
アスされていると、VBEの変化にともなうコレク
タ電流が増加し抵抗３に流れこみ、FET１のソ
ース電位を逆方向つまりグランド側に近づけるよ
うに働く。逆に入力パルス信号の占有率を変化さ
せ、FET１の電流が増加する方向に変化したと
すると、抵抗３の電圧降下は増大し、ソース電位
はグランド側に近づく。この時トランジスタ２は
ベース・エミツタ間電圧VBEが小さくなる方向に
バイアスされることになるから、VBEの変化にと
もないコレクタ電流は減少し、抵抗３に流れこむ
電流は減少し、FET１のソース電位を逆方向つ
まり電源VSS側に近づけるように補償する方向に
動作し、FET１のゲート・ソース間電圧VGSを相
対的に常に等しくなる方向の補償する。これによ
り、入力パルス信号の占有率の変化に伴う出力駆
動パルス信号の占有率の変化は軽減される。
電流ibが供給され光出力９が得られる。いまコレ
クタ接地形増幅回路１３を構成するトランジスタ
２のベース電位を変化させコレクタ電流icを増加
させると、抵抗３にはパルス電流ipとコレクタ電
流icの和の電流が流れているから、Ａ点つまり
FET１のソース電位が変化し、ドレイン・ソー
ス間電圧VDSが小さくなる。つまりFET１の飽和
電流値が小さくなりパルス電流ipは減少する。
又、逆に同様に考えて、トランジスタ２のベース
電位を変化させコレクタ電流icを減少させると、
FET１のソース電位が変化し、ドレイン・ソー
ス間電圧VDSが大きくなり、FET１の飽和電流値
が大きくなつてパルス電流ipは増加する。このよ
うにFET１のソース電極に抵抗３と、コレクタ
接地形回路１３とを接続する構成により、半導体
レーザの駆動パルス電流ipが連続的に可変でき
る。又、入力パルス信号のパルス占有率を変化さ
せると、入力パルスの直流平均レベルが変化する
つまりゲートの平均電圧が変化し、ソース電位は
固定だからゲート・ソース間電圧VGSは変化す
る。仮に、第３図のようなパルス信号が入力さ
れ、その占有率を変化させると、FET１のバイ
アスつまりゲート・ソース間電圧VGSが変化し、
出力駆動パルス信号の占有率が変化するという問
題がおこる。今、入力パルス信号の占有率を変化
させてゲート・ソース間電圧VGSが変化し、FET
１の電流が減少する方向に変化したとすると、抵
抗３の電圧降下は減少しソース電位は電源VSS側
に近づく。この時トランジスタ２のベースがベー
ス・エミツタ間電圧VBEが大きくなる方向にバイ
アスされていると、VBEの変化にともなうコレク
タ電流が増加し抵抗３に流れこみ、FET１のソ
ース電位を逆方向つまりグランド側に近づけるよ
うに働く。逆に入力パルス信号の占有率を変化さ
せ、FET１の電流が増加する方向に変化したと
すると、抵抗３の電圧降下は増大し、ソース電位
はグランド側に近づく。この時トランジスタ２は
ベース・エミツタ間電圧VBEが小さくなる方向に
バイアスされることになるから、VBEの変化にと
もないコレクタ電流は減少し、抵抗３に流れこむ
電流は減少し、FET１のソース電位を逆方向つ
まり電源VSS側に近づけるように補償する方向に
動作し、FET１のゲート・ソース間電圧VGSを相
対的に常に等しくなる方向の補償する。これによ
り、入力パルス信号の占有率の変化に伴う出力駆
動パルス信号の占有率の変化は軽減される。
以上説明したように、本考案によればソース電
極に抵抗を接続した電界効果型トランジスタを用
いた直流増幅回路に、コレクタ接地形増幅回路を
構成するトランジスタを接続する構成の半導体レ
ーザの駆動回路にすることにより、数ＧHzという
高周波における半導体レーザの駆動が可能であ
り、かつ、駆動パルス電流を連続的に可変するこ
とで光出力パワーが連続的に可変できると共に、
入力パルス信号のパルス占有率の変化に伴う出力
駆動パルスの占有率の変化を軽減することができ
る効果がある。
極に抵抗を接続した電界効果型トランジスタを用
いた直流増幅回路に、コレクタ接地形増幅回路を
構成するトランジスタを接続する構成の半導体レ
ーザの駆動回路にすることにより、数ＧHzという
高周波における半導体レーザの駆動が可能であ
り、かつ、駆動パルス電流を連続的に可変するこ
とで光出力パワーが連続的に可変できると共に、
入力パルス信号のパルス占有率の変化に伴う出力
駆動パルスの占有率の変化を軽減することができ
る効果がある。
第１図は本考案の一実施例を示す回路図、第２
図は従来例を示すブロツク図、第３図は入力信号
の波形図である。 １……電界効果型トランジスタ、２……トラン
ジスタ、３……抵抗、４……半導体レーザダイオ
ード、５……抵抗、６……チヨークコイル、７…
…直流バイアス電流供給回路、８……キヤパシ
タ、９……光出力、１０……バイアス電流ib、１
１……パルス電流ip、１２……コレクタ電流ic、
１３……コレクタ接地形増幅回路、１４……定電
圧回路。
図は従来例を示すブロツク図、第３図は入力信号
の波形図である。 １……電界効果型トランジスタ、２……トラン
ジスタ、３……抵抗、４……半導体レーザダイオ
ード、５……抵抗、６……チヨークコイル、７…
…直流バイアス電流供給回路、８……キヤパシ
タ、９……光出力、１０……バイアス電流ib、１
１……パルス電流ip、１２……コレクタ電流ic、
１３……コレクタ接地形増幅回路、１４……定電
圧回路。
Claims (1)
- 電界効果型トランジスタを用いたソース接地型
増幅回路と、該電界効果型トランジスタのドレイ
ン電極と基準電位との間に接続された半導体レー
ザと、前記電界効果型トランジスタのドレイン電
極に接続された直流バイアス電流供給回路とを含
む半導体レーザ駆動回路において、前記電界効果
型トランジスタのソース電極と電源との間に接続
された抵抗と、前記ソース電極にトランジスタの
エミツタが接続されベースに可変電圧が印加され
るコレクタ接地形増幅回路とを含む半導体レーザ
駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986073622U JPH0514535Y2 (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986073622U JPH0514535Y2 (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62184769U JPS62184769U (ja) | 1987-11-24 |
| JPH0514535Y2 true JPH0514535Y2 (ja) | 1993-04-19 |
Family
ID=30918114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986073622U Expired - Lifetime JPH0514535Y2 (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0514535Y2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5928396A (ja) * | 1982-08-10 | 1984-02-15 | Nec Corp | 半導体レ−ザ駆動装置 |
| JPS59151481A (ja) * | 1983-02-17 | 1984-08-29 | Nec Corp | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
-
1986
- 1986-05-15 JP JP1986073622U patent/JPH0514535Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5928396A (ja) * | 1982-08-10 | 1984-02-15 | Nec Corp | 半導体レ−ザ駆動装置 |
| JPS59151481A (ja) * | 1983-02-17 | 1984-08-29 | Nec Corp | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62184769U (ja) | 1987-11-24 |
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