JP2669727B2 - 荷電粒子線露光装置、及び荷電粒子線露光方法 - Google Patents
荷電粒子線露光装置、及び荷電粒子線露光方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビーム露光を高速
高精度で行うことを可能とする荷電粒子線露光装置、及
び荷電粒子線露光方法に関する。
高精度で行うことを可能とする荷電粒子線露光装置、及
び荷電粒子線露光方法に関する。
【０００２】近年、ますますＩＣ（Integrated Circui
t）の集積度と機能が向上して計算機、通信装置、機械
制御等、広く産業全般に渡る技術の進歩の核技術として
の役割が期待されている。ＩＣは２年から３年で４倍の
高集積化を達成しており、例えばＤＲＡＭ（Dynamic Ra
ndom-Access-Memory）では１Ｍ、４Ｍ、16Ｍ、64Ｍ、 2
56Ｍ、1 Ｇとその集積化が進んでいる。このような高集
積化はひとえに微細加工技術の進歩によっており、取り
分け、光技術は 0.5μｍの微細加工が可能になるまでに
進歩を続けている。
t）の集積度と機能が向上して計算機、通信装置、機械
制御等、広く産業全般に渡る技術の進歩の核技術として
の役割が期待されている。ＩＣは２年から３年で４倍の
高集積化を達成しており、例えばＤＲＡＭ（Dynamic Ra
ndom-Access-Memory）では１Ｍ、４Ｍ、16Ｍ、64Ｍ、 2
56Ｍ、1 Ｇとその集積化が進んでいる。このような高集
積化はひとえに微細加工技術の進歩によっており、取り
分け、光技術は 0.5μｍの微細加工が可能になるまでに
進歩を続けている。
【０００３】以下に、荷電粒子線を用いた露光方法を説
明する。図17は荷電粒子線により露光される試料を示す
平面図である。図において、ウエハまたはガラス乾板上
に複数のチップ10が並んでいる。このチップ10は約２mm
□のセル11を複数個集めたものであり、露光時には所定
のステージ上に載置され矢示のステージ移動方向に移動
される。このセル11をステージ移動方向に一列に並べた
ものをフレーム12と称し、ステージを連続的に移動させ
ながらフレーム単位に露光が行われる。１個のセル11は
約100μｍ□のサブフィールド13により形成されてお
り、サブフィールド13をステージ移動方向と直交する方
向に並べた帯状領域をバンド14と呼ぶ。
明する。図17は荷電粒子線により露光される試料を示す
平面図である。図において、ウエハまたはガラス乾板上
に複数のチップ10が並んでいる。このチップ10は約２mm
□のセル11を複数個集めたものであり、露光時には所定
のステージ上に載置され矢示のステージ移動方向に移動
される。このセル11をステージ移動方向に一列に並べた
ものをフレーム12と称し、ステージを連続的に移動させ
ながらフレーム単位に露光が行われる。１個のセル11は
約100μｍ□のサブフィールド13により形成されてお
り、サブフィールド13をステージ移動方向と直交する方
向に並べた帯状領域をバンド14と呼ぶ。
【０００４】それに対して電子ビームを代表とする荷電
粒子線を用いる露光方法が、これ以上の微細加工を高信
頼かつ高速、高精度の位置合わせまで含めて、安定に達
成できる方法として注目されている。
粒子線を用いる露光方法が、これ以上の微細加工を高信
頼かつ高速、高精度の位置合わせまで含めて、安定に達
成できる方法として注目されている。
【０００５】以下に、荷電粒子線を用いた露光方法を説
明する。図17は荷電粒子線により露光される試料を示す
平面図である。図において、ウエハまたはガラス乾板上
に複数のチップ10が並んでいる。このチップ10は約２mm
□のセル11を複数個集めたものであり、露光時には所定
のステージ上に載置され矢示のステージ移動方向に移動
される。このセル11をステージ移動方向に一列に並べた
ものをフレーム12と称し、ステージを連続的に移動させ
ながらフレーム単位に露光が行われる。１個のセル11は
約100mm□のサブフィールド13により形成されており、
サブフィールド13をステージ移動方向と直交する方向に
並べた帯状領域をバンド14と呼ぶ。
明する。図17は荷電粒子線により露光される試料を示す
平面図である。図において、ウエハまたはガラス乾板上
に複数のチップ10が並んでいる。このチップ10は約２mm
□のセル11を複数個集めたものであり、露光時には所定
のステージ上に載置され矢示のステージ移動方向に移動
される。このセル11をステージ移動方向に一列に並べた
ものをフレーム12と称し、ステージを連続的に移動させ
ながらフレーム単位に露光が行われる。１個のセル11は
約100mm□のサブフィールド13により形成されており、
サブフィールド13をステージ移動方向と直交する方向に
並べた帯状領域をバンド14と呼ぶ。
【０００６】このような試料に対して行われていた従来
の荷電粒子線による露光方法を以下に説明する。荷電粒
子線として電子ビームを用いた露光は、前述したように
複数のセル11をステージ移動方向に一列に配置したフレ
ーム単位に実施される。フレーム12においてはセル11各
個を１つの露光範囲とし、さらにセル11内のバンド14毎
に露光処理を行う。すなわち、約２mm□のセル11の全域
をカバーするメインデフレクタ（電磁偏向器、偏向範囲
±1000μｍ）によって、バンド14毎にステージ移動方向
と直交する方向に電子ビームを偏向する。このとき、電
子ビームは、各サブフィールド13の中心位置に偏向され
る。このように、メインデフレクタを振りながら、かつ
サブデフレクタ（静電偏向器、偏向範囲±50μｍ）によ
ってサブフィールド13内の微小範囲に電子ビームを偏向
する。そして、スリットデフレクタ（静電偏向器、例え
ば最大３μｍ）により電子ビームサイズを所望のショッ
トサイズに変化させながら、ショット15を形成し該ショ
ット15の集まりであるパターン16を形成してパターン露
光を実施する。この際、一つのバンド14内のパターン16
を全て露光できる時間内に、ステージがそのバンド幅分
（100μｍ）移動すれば、ステージ移動と露光処理時間
の同期が取れて無駄がない。
の荷電粒子線による露光方法を以下に説明する。荷電粒
子線として電子ビームを用いた露光は、前述したように
複数のセル11をステージ移動方向に一列に配置したフレ
ーム単位に実施される。フレーム12においてはセル11各
個を１つの露光範囲とし、さらにセル11内のバンド14毎
に露光処理を行う。すなわち、約２mm□のセル11の全域
をカバーするメインデフレクタ（電磁偏向器、偏向範囲
±1000μｍ）によって、バンド14毎にステージ移動方向
と直交する方向に電子ビームを偏向する。このとき、電
子ビームは、各サブフィールド13の中心位置に偏向され
る。このように、メインデフレクタを振りながら、かつ
サブデフレクタ（静電偏向器、偏向範囲±50μｍ）によ
ってサブフィールド13内の微小範囲に電子ビームを偏向
する。そして、スリットデフレクタ（静電偏向器、例え
ば最大３μｍ）により電子ビームサイズを所望のショッ
トサイズに変化させながら、ショット15を形成し該ショ
ット15の集まりであるパターン16を形成してパターン露
光を実施する。この際、一つのバンド14内のパターン16
を全て露光できる時間内に、ステージがそのバンド幅分
（100μｍ）移動すれば、ステージ移動と露光処理時間
の同期が取れて無駄がない。
【０００７】しかし、一般にＩＣのパターン16には疎密
があり、各バンド14毎の露光時間は一定でない。ステー
ジの移動速度が速過ぎると、メインデフレクタによる可
描画範囲をステージが通り過ぎてしまい（メインデフオ
ーバーフローという）露光できないパターン部分が発生
し、正常なパターンが描画できなくなる。また、ステー
ジの移動速度が遅過ぎると、無駄時間が発生し、スルー
プットが低くなる。
があり、各バンド14毎の露光時間は一定でない。ステー
ジの移動速度が速過ぎると、メインデフレクタによる可
描画範囲をステージが通り過ぎてしまい（メインデフオ
ーバーフローという）露光できないパターン部分が発生
し、正常なパターンが描画できなくなる。また、ステー
ジの移動速度が遅過ぎると、無駄時間が発生し、スルー
プットが低くなる。
【０００８】そこで、適切なステージ移動速度で露光を
実施する必要があり、これを決定するのが重要な要素技
術となる。
実施する必要があり、これを決定するのが重要な要素技
術となる。
【０００９】
【従来の技術】図18は従来のステージ制御部の一例を示
すブロック図である。ステージはＸ軸、Ｙ軸の直交座標
系において移動制御されるもので、例えばレーザ干渉計
等によりその位置座標がX-LASER、Y-LASERとして測定さ
れる。このX-LASER、Y-LASERは速度制御部であるＤＳＰ
（Digital Signal Processor）20に入力される。ＤＳＰ
20は、設定値Ｘ、Ｙに対するＸ軸、Ｙ軸の移動速度指令
Ｖx、Ｖyを位置座標X-LASER、Y-LASERにより補正する。
補正後の移動速度指令は、ＤＡＣ（Digital-to-Analog
Converter）21、ＡＭＰ（amplifier）22を介して、それ
ぞれＸ軸、Ｙ軸の移動用モータ23に出力される。
すブロック図である。ステージはＸ軸、Ｙ軸の直交座標
系において移動制御されるもので、例えばレーザ干渉計
等によりその位置座標がX-LASER、Y-LASERとして測定さ
れる。このX-LASER、Y-LASERは速度制御部であるＤＳＰ
（Digital Signal Processor）20に入力される。ＤＳＰ
20は、設定値Ｘ、Ｙに対するＸ軸、Ｙ軸の移動速度指令
Ｖx、Ｖyを位置座標X-LASER、Y-LASERにより補正する。
補正後の移動速度指令は、ＤＡＣ（Digital-to-Analog
Converter）21、ＡＭＰ（amplifier）22を介して、それ
ぞれＸ軸、Ｙ軸の移動用モータ23に出力される。
【００１０】以下に、ＤＳＰ20におけるステージ移動速
度の求め方を説明する。ステージ移動速度を決定するた
めに、まずサブフィールド13毎のパターン16の数、ショ
ット15の数を元に、バンド14毎の露光時間を計算する。
その上で、 (1) 最遅速度に設定する方法 各バンド毎の露光時間の中で最長の露光時間に合わせて
移動速度を設定し、一番時間のかかるバンドを露光する
のに充分な移動速度でステージを移動する。
度の求め方を説明する。ステージ移動速度を決定するた
めに、まずサブフィールド13毎のパターン16の数、ショ
ット15の数を元に、バンド14毎の露光時間を計算する。
その上で、 (1) 最遅速度に設定する方法 各バンド毎の露光時間の中で最長の露光時間に合わせて
移動速度を設定し、一番時間のかかるバンドを露光する
のに充分な移動速度でステージを移動する。
【００１１】(2) 平均移動速度を見直して、移動速度を
決める方法 セル11内のバンド14の平均移動速度を求め、バンド毎に
移動速度を見直し、その移動速度では可描画範囲内で露
光を終了できない場合に、移動速度を遅くする等の調整
をしながら、ステージ移動速度を設定する。このため
に、サブフィールド13毎のパターン16の数、ショット15
の数を元に、バンド毎の露光時間を計算する。その上
で、セル11内で最長の露光時間に合わせて移動速度を
設定し、一番露光時間のかかるバンドを露光するのに充
分な移動速度でステージを移動する。この結果、セル11
において若干無駄時間は発生するが、メインデフオーバ
ーフローすることなく露光はできる。各バンド14毎の
露光時間からセル11内での平均移動速度を決め、これを
基準移動速度とし、可描画範囲（±1000μｍ) 内で全て
のバンド14が露光できるように調整する。可描画範囲内
に入らなければ、基準移動速度を落とし、全てのバンド
が露光できるようにステージ移動速度を決定する。各
セル11のステージ移動速度を求め、このステージ移動速
度からフレーム12内で共通なステージ移動速度を決定す
る。
決める方法 セル11内のバンド14の平均移動速度を求め、バンド毎に
移動速度を見直し、その移動速度では可描画範囲内で露
光を終了できない場合に、移動速度を遅くする等の調整
をしながら、ステージ移動速度を設定する。このため
に、サブフィールド13毎のパターン16の数、ショット15
の数を元に、バンド毎の露光時間を計算する。その上
で、セル11内で最長の露光時間に合わせて移動速度を
設定し、一番露光時間のかかるバンドを露光するのに充
分な移動速度でステージを移動する。この結果、セル11
において若干無駄時間は発生するが、メインデフオーバ
ーフローすることなく露光はできる。各バンド14毎の
露光時間からセル11内での平均移動速度を決め、これを
基準移動速度とし、可描画範囲（±1000μｍ) 内で全て
のバンド14が露光できるように調整する。可描画範囲内
に入らなければ、基準移動速度を落とし、全てのバンド
が露光できるようにステージ移動速度を決定する。各
セル11のステージ移動速度を求め、このステージ移動速
度からフレーム12内で共通なステージ移動速度を決定す
る。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の荷電粒子線の露光技術においては、ステー
ジ移動速度を決定するために、以下のような問題があっ
た。 (a)予め、バンド14の数、サブフィールド13の数、パタ
ーン16の数、ショット15の数を把握する必要があり、こ
れらの数からステージ移動速度を計算しなければならな
いため、処理時間が長くなる。 (b)速度算出時に設定した露光電流と、算出速度で実際
に移動したときに要する露光電流とが異なる場合がある
が、このような場合には露光電流の変化に追従できな
い。その他、露光途中でのパラメータ変化に追従できな
い。 (c)パターン16の疎密が大きいような場合、速度変化点
数が多くなりステージ移動速度が細かく変化する。移動
速度を緩やかに変化させるためには複雑な計算を要し、
処理時間が長くなる。
ような従来の荷電粒子線の露光技術においては、ステー
ジ移動速度を決定するために、以下のような問題があっ
た。 (a)予め、バンド14の数、サブフィールド13の数、パタ
ーン16の数、ショット15の数を把握する必要があり、こ
れらの数からステージ移動速度を計算しなければならな
いため、処理時間が長くなる。 (b)速度算出時に設定した露光電流と、算出速度で実際
に移動したときに要する露光電流とが異なる場合がある
が、このような場合には露光電流の変化に追従できな
い。その他、露光途中でのパラメータ変化に追従できな
い。 (c)パターン16の疎密が大きいような場合、速度変化点
数が多くなりステージ移動速度が細かく変化する。移動
速度を緩やかに変化させるためには複雑な計算を要し、
処理時間が長くなる。
【００１３】また、請求項３または４の発明に係る荷電
粒子線露光装置は、積分回路において電磁偏向器による
ステージ移動方向の偏向位置を所定時間毎に積分し、ス
テージ速度制御部において該積分値に基づいてステージ
の移動速度を変更する。また、請求項５の発明に係る荷
電粒子線露光方法は、荷電粒子線のステージ移動方向に
おける偏向位置と前記可描画範囲に設けられた基準位置
とを比較し、該比較結果が所定以上のとき、前記ステー
ジの移動速度を可変して、前記偏向位置を前記基準位置
近傍に集中する。
粒子線露光装置は、積分回路において電磁偏向器による
ステージ移動方向の偏向位置を所定時間毎に積分し、ス
テージ速度制御部において該積分値に基づいてステージ
の移動速度を変更する。また、請求項５の発明に係る荷
電粒子線露光方法は、荷電粒子線のステージ移動方向に
おける偏向位置と前記可描画範囲に設けられた基準位置
とを比較し、該比較結果が所定以上のとき、前記ステー
ジの移動速度を可変して、前記偏向位置を前記基準位置
近傍に集中する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的達成のため、請
求項１または２の発明に係る荷電粒子線露光装置は、比
較回路によって電磁偏向器による偏向位置と可描画範囲
の基準位置とを比較する。比較の結果、偏向位置が基準
位置に対して上流側に位置する場合は、ステージ速度制
御部によって、ステージの移動速度を速め、下流側に位
置する場合は該ステージの移動速度を遅くする。
求項１または２の発明に係る荷電粒子線露光装置は、比
較回路によって電磁偏向器による偏向位置と可描画範囲
の基準位置とを比較する。比較の結果、偏向位置が基準
位置に対して上流側に位置する場合は、ステージ速度制
御部によって、ステージの移動速度を速め、下流側に位
置する場合は該ステージの移動速度を遅くする。
【００１５】また、請求項３または４の発明に係る荷電
粒子線露光装置においては、積分回路によって電磁偏向
器によるステージ移動方向の偏向位置が所定時間毎に積
分され、該積分値に基づいてステージ速度制御部により
ステージの移動速度が変更される。また、請求項５の発
明に係る荷電粒子線露光方法においては、荷電粒子線の
ステージ移動方向における偏向位置が監視され、該偏向
位置と可描画範囲の所定の位置に設けられた基準位置と
を比較し、偏向位置が基準位置に対してステージ移動方
向に所定値以上離れた上流側に位置する場合には、ステ
ージの移動速度を速め、偏向位置が基準位置に対してス
テージ移動方向に所定値以上離れた下流側に位置する場
合には、ステージの移動速度を遅くするようにステージ
の移動速度を制御することにより、偏向位置を常に可描
画範囲の基準位置近傍に集中する。
粒子線露光装置においては、積分回路によって電磁偏向
器によるステージ移動方向の偏向位置が所定時間毎に積
分され、該積分値に基づいてステージ速度制御部により
ステージの移動速度が変更される。また、請求項５の発
明に係る荷電粒子線露光方法においては、荷電粒子線の
ステージ移動方向における偏向位置が監視され、該偏向
位置と可描画範囲の所定の位置に設けられた基準位置と
を比較し、偏向位置が基準位置に対してステージ移動方
向に所定値以上離れた上流側に位置する場合には、ステ
ージの移動速度を速め、偏向位置が基準位置に対してス
テージ移動方向に所定値以上離れた下流側に位置する場
合には、ステージの移動速度を遅くするようにステージ
の移動速度を制御することにより、偏向位置を常に可描
画範囲の基準位置近傍に集中する。
【００１６】また、請求項５の発明に係る荷電粒子線露
光方法は、荷電粒子線のステージ移動方向における偏向
位置を監視し、該偏向位置に応じてステージの移動速度
を可変する。
光方法は、荷電粒子線のステージ移動方向における偏向
位置を監視し、該偏向位置に応じてステージの移動速度
を可変する。
【００１７】
【作用】上記構成を有する請求項１または２の発明に係
る荷電粒子線露光装置においては、比較回路によって偏
向位置と基準位置とが比較され、偏向位置が基準位置に
対して上流側であるときは、ステージ速度制御部によっ
てステージの移動速度が加速され、下流側であるときは
該ステージの移動速度が減速される。
る荷電粒子線露光装置においては、比較回路によって偏
向位置と基準位置とが比較され、偏向位置が基準位置に
対して上流側であるときは、ステージ速度制御部によっ
てステージの移動速度が加速され、下流側であるときは
該ステージの移動速度が減速される。
【００１８】また、請求項３または４の発明に係る荷電
粒子線露光装置においては、積分回路によって電磁偏向
器によるステージ移動方向の偏向位置が所定時間毎に積
分され、該積分値に基づいてステージ速度制御部により
ステージの移動速度が変更される。
粒子線露光装置においては、積分回路によって電磁偏向
器によるステージ移動方向の偏向位置が所定時間毎に積
分され、該積分値に基づいてステージ速度制御部により
ステージの移動速度が変更される。
【００１９】また、請求項５の発明に係る荷電粒子線露
光方法においては、荷電粒子線のステージ移動方向にお
ける偏向位置が監視され、該偏向位置に応じてステージ
の移動速度が可変される。
光方法においては、荷電粒子線のステージ移動方向にお
ける偏向位置が監視され、該偏向位置に応じてステージ
の移動速度が可変される。
【００２０】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
２は本発明に係る荷電粒子線露光装置の一実施例を示す
図である。まず、構成を説明する。図２において、図18
に示した従来例に付された番号と同一番号は同一部分を
示す。パターンのデータは、ＣＰＵ（Central Processi
ng Unit）30によって図示していないハードディスク等
から読み込まれ、前記サブフィールド15毎の位置座標
（Ｘm，Ｙm）がメインデフレクタ座標としてメインバッ
ファメモリ31に格納される。一方、１つのメインデフレ
クタ座標毎に該当するサブフィールドの内部のパターン
データが、サブデフレクタ座標としてサブバッファメモ
リ32に格納される。そして、前記セル11単位の描画に先
立って、メインバッファメモリ31のメインデフレクタ座
標（Ｘm，Ｙm）が読み出されて、メインデフ位置レジス
タ33に格納される。該当するサブフィールドのパターン
データはサブバッファメモリ32から読み出されるが、こ
の段階ではまだパターン発生回路34は起動しない。
２は本発明に係る荷電粒子線露光装置の一実施例を示す
図である。まず、構成を説明する。図２において、図18
に示した従来例に付された番号と同一番号は同一部分を
示す。パターンのデータは、ＣＰＵ（Central Processi
ng Unit）30によって図示していないハードディスク等
から読み込まれ、前記サブフィールド15毎の位置座標
（Ｘm，Ｙm）がメインデフレクタ座標としてメインバッ
ファメモリ31に格納される。一方、１つのメインデフレ
クタ座標毎に該当するサブフィールドの内部のパターン
データが、サブデフレクタ座標としてサブバッファメモ
リ32に格納される。そして、前記セル11単位の描画に先
立って、メインバッファメモリ31のメインデフレクタ座
標（Ｘm，Ｙm）が読み出されて、メインデフ位置レジス
タ33に格納される。該当するサブフィールドのパターン
データはサブバッファメモリ32から読み出されるが、こ
の段階ではまだパターン発生回路34は起動しない。
【００２１】メインデフ位置レジスタ33にメインデフレ
クタ座標（Ｘm，Ｙm）が格納されると同時に、その瞬間
のステージ35の位置座標すなわち露光対象となるセル11
の中心位置座標（Ｘst，Ｙst）が、レーザ干渉計36のレ
ーザーカウンタ37からステージ位置読込レジスタ38に格
納される（図３参照）。このステージ位置読込レジスタ
38に格納されたセル11の中心位置座標（Ｘst，Ｙst）
と、ステージ目標値レジスタ39にあらかじめ格納されて
いる前記セル11の中心があるべきステージ35の位置すな
わち図３に示す可描画範囲40の中心位置（Ｘo，Ｙo）、
との差分値（ΔＸ，ΔＹ）が減算器41から出力される。
この差分値（ΔＸ，ΔＹ）は、加算器42において前記メ
インデフレクタ座標（Ｘm，Ｙm）と加算される。この加
算値は、メイン補正演算回路43にて補正されて、メイン
デフレクタによる偏向位置（Ｘ１out，Ｙ１out）が決定
される。
クタ座標（Ｘm，Ｙm）が格納されると同時に、その瞬間
のステージ35の位置座標すなわち露光対象となるセル11
の中心位置座標（Ｘst，Ｙst）が、レーザ干渉計36のレ
ーザーカウンタ37からステージ位置読込レジスタ38に格
納される（図３参照）。このステージ位置読込レジスタ
38に格納されたセル11の中心位置座標（Ｘst，Ｙst）
と、ステージ目標値レジスタ39にあらかじめ格納されて
いる前記セル11の中心があるべきステージ35の位置すな
わち図３に示す可描画範囲40の中心位置（Ｘo，Ｙo）、
との差分値（ΔＸ，ΔＹ）が減算器41から出力される。
この差分値（ΔＸ，ΔＹ）は、加算器42において前記メ
インデフレクタ座標（Ｘm，Ｙm）と加算される。この加
算値は、メイン補正演算回路43にて補正されて、メイン
デフレクタによる偏向位置（Ｘ１out，Ｙ１out）が決定
される。
【００２２】以下、可描画範囲40で上流側基準位置をＢ
とし、下流側基準位置をＣとしたときの本実施例の動作
を図５のフローチャートに従って説明する。なお、本実
施例においては、ステージ35を−Ｙ方向に移動して描画
するものとする。まず、ＤＳＰ55からパターンデータ読
み込み指示が出され（step１）、メインデフレクタ座標
（Ｘm，Ｙm） がメインバッファメモリ31に読み込まれ
る。
とし、下流側基準位置をＣとしたときの本実施例の動作
を図５のフローチャートに従って説明する。なお、本実
施例においては、ステージ35を−Ｙ方向に移動して描画
するものとする。まず、ＤＳＰ55からパターンデータ読
み込み指示が出され（step１）、メインデフレクタ座標
（Ｘm，Ｙm） がメインバッファメモリ31に読み込まれ
る。
【００２３】次に、ステージ位置読み込みパルスが出
て、ステージ35の現在位置すなわち図３に示すセル中心
位置（Ｘst，Ｙst）がステージ位置読込レジスタ38に読
み込まれる（step２）。続いて、減算器41において、該
セル中心位置（Ｘst，Ｙst）と可描画範囲40の中心位置
（Ｘo，Ｙo）との差分値（ΔＸ，ΔＹ）を計算する（st
ep３）。
て、ステージ35の現在位置すなわち図３に示すセル中心
位置（Ｘst，Ｙst）がステージ位置読込レジスタ38に読
み込まれる（step２）。続いて、減算器41において、該
セル中心位置（Ｘst，Ｙst）と可描画範囲40の中心位置
（Ｘo，Ｙo）との差分値（ΔＸ，ΔＹ）を計算する（st
ep３）。
【００２４】次いで、加算器42において、上記メインデ
フレクタ座標（Ｘm，Ｙm）とステージ差分値（ΔＸ，Δ
Ｙ）とを加算し、メインデフレクタ46の偏向位置（Ｘ１
out，Ｙ１out）を出力する（step４）。この偏向位置
（Ｘ１out，Ｙ１out）に対応するサブフィールド内で、
サブデフレクタ50によって行う偏向パターンをパターン
発生回路34により発生し、サブデフレクタ50による偏向
作業すなわち露光作業を開始する（step５）。
フレクタ座標（Ｘm，Ｙm）とステージ差分値（ΔＸ，Δ
Ｙ）とを加算し、メインデフレクタ46の偏向位置（Ｘ１
out，Ｙ１out）を出力する（step４）。この偏向位置
（Ｘ１out，Ｙ１out）に対応するサブフィールド内で、
サブデフレクタ50によって行う偏向パターンをパターン
発生回路34により発生し、サブデフレクタ50による偏向
作業すなわち露光作業を開始する（step５）。
【００２５】ここで、本実施例で特徴的なのは、メイン
デフＤＡＣ44に送られる偏向位置（Ｘ１out，Ｙ１out）
と同一データ（または上位数ビット〔例えば８ビッ
ト〕）をステージ制御部56にも送っている点である。ス
テージ制御部56は、図１に示すように、ＤＡＣ21及びＡ
ＭＰ22により構成されるステージドライバ57を介して、
ステージ35の移動用モータ23を駆動する。
デフＤＡＣ44に送られる偏向位置（Ｘ１out，Ｙ１out）
と同一データ（または上位数ビット〔例えば８ビッ
ト〕）をステージ制御部56にも送っている点である。ス
テージ制御部56は、図１に示すように、ＤＡＣ21及びＡ
ＭＰ22により構成されるステージドライバ57を介して、
ステージ35の移動用モータ23を駆動する。
【００２６】図１は図２に示したステージ制御部56の一
実施例を示す回路図であり、請求項１または２記載の発
明に係る荷電粒子線露光装置の主要構成部である。図１
において、図２及び図18に示した番号と同一番号は同一
部分を示す。
実施例を示す回路図であり、請求項１または２記載の発
明に係る荷電粒子線露光装置の主要構成部である。図１
において、図２及び図18に示した番号と同一番号は同一
部分を示す。
【００２７】ステージ制御部56において、切り替え器60
は、入力される偏向位置（Ｘ１out，Ｙ１out）につい
て、ステージ移動方向のデータすなわちＹ１outだけを
比較回路61に入力する。比較回路61は、この偏向位置Ｙ
１outと、前記可描画範囲40におけるステージ移動方向
の基準位置とを比較する。基準位置としては、図４に示
すＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、あるいは可描画範囲40の中心位置Ｙ
o等がある。比較結果は、ステージ速度制御部であるＤ
ＳＰ62に入力される。この比較結果に基づいてＤＳＰ62
は、偏向位置Ｙ１outが可描画範囲40の基準位置、例え
ば中心位置Ｙoに対して所定以上離れたステージ移動方
向の上流側に位置するときは前記ステージ35の移動速度
を速め、所定以上離れたステージ移動方向の下流側に位
置するときは該ステージ35の移動速度を遅くする。
は、入力される偏向位置（Ｘ１out，Ｙ１out）につい
て、ステージ移動方向のデータすなわちＹ１outだけを
比較回路61に入力する。比較回路61は、この偏向位置Ｙ
１outと、前記可描画範囲40におけるステージ移動方向
の基準位置とを比較する。基準位置としては、図４に示
すＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、あるいは可描画範囲40の中心位置Ｙ
o等がある。比較結果は、ステージ速度制御部であるＤ
ＳＰ62に入力される。この比較結果に基づいてＤＳＰ62
は、偏向位置Ｙ１outが可描画範囲40の基準位置、例え
ば中心位置Ｙoに対して所定以上離れたステージ移動方
向の上流側に位置するときは前記ステージ35の移動速度
を速め、所定以上離れたステージ移動方向の下流側に位
置するときは該ステージ35の移動速度を遅くする。
【００２８】以下、可描画範囲40で上流側基準位置をＢ
とし、下流側基準位置をＣとしたときの本実施例の動作
を図５のフローチャートに従って説明する。なお、本実
施例においては、ステージ35を−Ｙ方向に移動して描画
するものとする。
とし、下流側基準位置をＣとしたときの本実施例の動作
を図５のフローチャートに従って説明する。なお、本実
施例においては、ステージ35を−Ｙ方向に移動して描画
するものとする。
【００２９】まず、ＤＳＰ55からパターンデータ読み込
み指示が出され（step１）、メインデフレクタ座標（〓
m，Ｙm） がメインバッファメモリ31に読み込まれる。
み指示が出され（step１）、メインデフレクタ座標（〓
m，Ｙm） がメインバッファメモリ31に読み込まれる。
【００３０】次に、ステージ位置読み込みパルスが出
て、ステージ35の現在位置すなわち図３に示すセル中心
位置（Ｘst，Ｙst）がステージ位置読込レジスタ38に読
み込まれる（step２）。
て、ステージ35の現在位置すなわち図３に示すセル中心
位置（Ｘst，Ｙst）がステージ位置読込レジスタ38に読
み込まれる（step２）。
【００３１】続いて、減算器41において、該セル中心位
置（Ｘst，Ｙst）と可描画範囲40の中心位置（Ｘo，Ｙ
o）との差分値（Δ〓，ΔＹ）を計算する（step３）。
置（Ｘst，Ｙst）と可描画範囲40の中心位置（Ｘo，Ｙ
o）との差分値（Δ〓，ΔＹ）を計算する（step３）。
【００３２】次いで、加算器42において、上記メインデ
フレクタ座標（〓m，Ｙm）とステージ差分値（Δ〓，Δ
Ｙ）とを加算し、メインデフレクタ46の偏向位置（Ｘ１
out，Ｙ１out）を出力する（step４）。
フレクタ座標（〓m，Ｙm）とステージ差分値（Δ〓，Δ
Ｙ）とを加算し、メインデフレクタ46の偏向位置（Ｘ１
out，Ｙ１out）を出力する（step４）。
【００３３】この偏向位置（Ｘ１out，Ｙ１out）に対応
するサブフィールド内で、サブデフレクタ50によって行
う偏向パターンをパターン発生回路34により発生し、サ
ブデフレクタ50による偏向作業すなわち露光作業を開始
する（step５）。
するサブフィールド内で、サブデフレクタ50によって行
う偏向パターンをパターン発生回路34により発生し、サ
ブデフレクタ50による偏向作業すなわち露光作業を開始
する（step５）。
【００３４】次に、１つのサブフィールド内の露光が終
了するのを待機し（step６）、このサブフィールド内の
露光が終了したら、step１に戻って次のメインデフデー
タを読み取る。以下、メインデフレクタ座標の全データ
（１セル）の露光が終了するまでstep１からの動作を繰
り返す（step７）。
了するのを待機し（step６）、このサブフィールド内の
露光が終了したら、step１に戻って次のメインデフデー
タを読み取る。以下、メインデフレクタ座標の全データ
（１セル）の露光が終了するまでstep１からの動作を繰
り返す（step７）。
【００３５】一方、step４にて算出されたメインデフレ
クタ46の偏向位置（Ｘ１out，Ｙ１out）は、前記ステー
ジ制御部56にも出力される。ステージ制御部56における
ＤＳＰ62は、比較回路61においてステージ移動方向にお
けるメインデフレクタ46の偏向位置Ｙ１outと、前記基
準位置Ａ〜Ｄとを比較して、以下のようにステージ35の
移動速度を可変する。すなわち、 （step１１） Ａ＜Ｙ１out NO……可描画範囲に未到達であるから、露光停止した状
態でステージ35を移動させながら前記セル11が可描画範
囲40に入るまで待つ。 YES……露光作業開始。 （step１２） Ｂ＜Ｙ１out≦Ａ YES……step１３に進み、ステージ移動方向における速
度Ｖｙをあらかじめ決められている速度ｖだけ上げる。 NO……step１４に進む。 （step１４） Ｃ＜Ｙ１out≦Ｂ YES……step１５に進み、移動速度は変えず、一定の速
度でステージ35を移動させる。 NO……step１６に進む。 （step１６） Ｄ＜Ｙ１out≦Ｃ YES……step１７に進み、ステージ移動方向における速
度Ｖｙをあらかじめ決められている速度ｖだけ落す。 NO……step１８に進む。 （step１８） Ｙ１out≦Ｄ NO……step１１に戻る。 YES……可描画範囲40から偏向位置Ｙ１outがオーバーし
たため、露光中止（異常事態）。step１９に進む。 （step１９） メインデフ・オーバーフローにより処理
を終了する。
クタ46の偏向位置（Ｘ１out，Ｙ１out）は、前記ステー
ジ制御部56にも出力される。ステージ制御部56における
ＤＳＰ62は、比較回路61においてステージ移動方向にお
けるメインデフレクタ46の偏向位置Ｙ１outと、前記基
準位置Ａ〜Ｄとを比較して、以下のようにステージ35の
移動速度を可変する。すなわち、 （step１１） Ａ＜Ｙ１out NO……可描画範囲に未到達であるから、露光停止した状
態でステージ35を移動させながら前記セル11が可描画範
囲40に入るまで待つ。 YES……露光作業開始。 （step１２） Ｂ＜Ｙ１out≦Ａ YES……step１３に進み、ステージ移動方向における速
度Ｖｙをあらかじめ決められている速度ｖだけ上げる。 NO……step１４に進む。 （step１４） Ｃ＜Ｙ１out≦Ｂ YES……step１５に進み、移動速度は変えず、一定の速
度でステージ35を移動させる。 NO……step１６に進む。 （step１６） Ｄ＜Ｙ１out≦Ｃ YES……step１７に進み、ステージ移動方向における速
度Ｖｙをあらかじめ決められている速度ｖだけ落す。 NO……step１８に進む。 （step１８） Ｙ１out≦Ｄ NO……step１１に戻る。 YES……可描画範囲40から偏向位置Ｙ１outがオーバーし
たため、露光中止（異常事態）。step１９に進む。 （step１９） メインデフ・オーバーフローにより処理
を終了する。
【００３６】ここで、ステージ連続移動について、図６
〜図１５を使って説明する。前記ステージ35の移動によ
り、セル11はＹ方向に図の上から下に移動するものとす
る。図６と図７ではまだ可描画範囲40に入っていないの
で、パターンは露光されない。
〜図１５を使って説明する。前記ステージ35の移動によ
り、セル11はＹ方向に図の上から下に移動するものとす
る。図６と図７ではまだ可描画範囲40に入っていないの
で、パターンは露光されない。
【００３７】図８になって偏向位置Ｙ１outが可描画範
囲40に入り、初めて露光が開始される。以後、順に図９
〜図１３と露光が実施される。
囲40に入り、初めて露光が開始される。以後、順に図９
〜図１３と露光が実施される。
【００３８】図１４と図１５の場合は、偏向位置Ｙ１ou
tが可描画範囲40を越えてしまい、かつステージが遠ざ
かる方向なので、メインデフオーバーフローとなりエラ
ーとなる。
tが可描画範囲40を越えてしまい、かつステージが遠ざ
かる方向なので、メインデフオーバーフローとなりエラ
ーとなる。
【００３９】ここで、本実施例においては、比較回路61
によってメインデフレクタ46による偏向位置Ｙ１outと
可描画範囲40の基準位置Ａ〜Ｄとを比較し、比較の結
果、偏向位置Ｙ１outが基準位置Ｂに対して上流側に位
置する場合は、ＤＳＰ62によって、ステージ35の移動速
度を速め、基準位置Ｃの下流側に位置する場合は該ステ
ージ35の移動速度を遅くしているため、偏向位置Ｙ１ou
tが可描画範囲40の中心位置Ｙo近傍（Ｃ＜Ｂ）に集中す
ることになり、図１４または図１５に示すように、セル
11が露光未了のまま可描画範囲40を越えてしまうことが
ない。このため、セル11の全露光時間に対応した速度制
御をリアルタイムで実行することができ、ステージ35を
常に適切な移動速度で移動することができる。従って、
ロスタイムを低減でき、荷電粒子線の露光を高速に処理
することができる。
によってメインデフレクタ46による偏向位置Ｙ１outと
可描画範囲40の基準位置Ａ〜Ｄとを比較し、比較の結
果、偏向位置Ｙ１outが基準位置Ｂに対して上流側に位
置する場合は、ＤＳＰ62によって、ステージ35の移動速
度を速め、基準位置Ｃの下流側に位置する場合は該ステ
ージ35の移動速度を遅くしているため、偏向位置Ｙ１ou
tが可描画範囲40の中心位置Ｙo近傍（Ｃ＜Ｂ）に集中す
ることになり、図１４または図１５に示すように、セル
11が露光未了のまま可描画範囲40を越えてしまうことが
ない。このため、セル11の全露光時間に対応した速度制
御をリアルタイムで実行することができ、ステージ35を
常に適切な移動速度で移動することができる。従って、
ロスタイムを低減でき、荷電粒子線の露光を高速に処理
することができる。
【００４０】また、本実施例において、メインデフレク
タ46による偏向位置Ｙ１outと可描画範囲40の中心位置
Ｙoとを比較し、偏向位置Ｙ１outが中心位置Ｙoに対し
て上流側に位置する場合は、ステージ35の移動速度を速
め、中心位置Ｙoの下流側に位置する場合は該ステージ3
5の移動速度を遅くすることもできる。この場合も、前
記同様の効果を得ることができる。
タ46による偏向位置Ｙ１outと可描画範囲40の中心位置
Ｙoとを比較し、偏向位置Ｙ１outが中心位置Ｙoに対し
て上流側に位置する場合は、ステージ35の移動速度を速
め、中心位置Ｙoの下流側に位置する場合は該ステージ3
5の移動速度を遅くすることもできる。この場合も、前
記同様の効果を得ることができる。
【００４１】なお、本実施例においては、基準位置を設
定し該基準位置に対する偏向位置Ｙ１outの相対位置に
応じてステージ移動速度を可変したが、例えば基準位置
ＡまたはＤから偏向位置Ｙ１outまでの離間距離に応じ
てステージ移動速度を可変してもよい。
定し該基準位置に対する偏向位置Ｙ１outの相対位置に
応じてステージ移動速度を可変したが、例えば基準位置
ＡまたはＤから偏向位置Ｙ１outまでの離間距離に応じ
てステージ移動速度を可変してもよい。
【００４２】図１６はステージ制御部の他の実施例を示
す回路図であり、請求項３または４記載の発明に係る荷
電粒子線露光装置の主要構成部である。
す回路図であり、請求項３または４記載の発明に係る荷
電粒子線露光装置の主要構成部である。
【００４３】前記実施例では、基準位置Ａ〜Ｄの値と偏
向位置Ｙ１outとを比較したが、本実施例では、一定時
間（例えば１ms）毎の偏向位置Ｙ１outの積分値をもと
に、ステージ移動速度を変更する。すなわち、積分回路
70において、メインデフレクタ46によるステージ移動方
向の偏向位置Ｙ１outを、 ΔＶ＝α・〔∫（Ｙ１out ）dt〕＋β （ただし、
α、βは定数） により積分する。そして、ＤＳＰ62において該積分値Δ
Ｖに基づいて前記ステージ35の移動速度を変更する。
向位置Ｙ１outとを比較したが、本実施例では、一定時
間（例えば１ms）毎の偏向位置Ｙ１outの積分値をもと
に、ステージ移動速度を変更する。すなわち、積分回路
70において、メインデフレクタ46によるステージ移動方
向の偏向位置Ｙ１outを、 ΔＶ＝α・〔∫（Ｙ１out ）dt〕＋β （ただし、
α、βは定数） により積分する。そして、ＤＳＰ62において該積分値Δ
Ｖに基づいて前記ステージ35の移動速度を変更する。
【００４４】なお、｜ΔＶ｜＜Ｖmaxとし、ステージ移
動速度の変更量に上限を設ける。この結果、速度変化
（加速度）が小さくなり、ステージ移動速度を緩やかに
変化させることができ、ギクシャクしたステージの動き
を防止して、スムーズに露光することができる。
動速度の変更量に上限を設ける。この結果、速度変化
（加速度）が小さくなり、ステージ移動速度を緩やかに
変化させることができ、ギクシャクしたステージの動き
を防止して、スムーズに露光することができる。
【００４５】このように、本実施例においては、前記実
施例と同様の効果を得ることができる上、可描画範囲内
全域で速度制御することができ、またステージ35を滑ら
かに移動することができる。
施例と同様の効果を得ることができる上、可描画範囲内
全域で速度制御することができ、またステージ35を滑ら
かに移動することができる。
【００４６】以上説明したことより明らかなように、請
求項５記載の発明に係る荷電粒子線露光方法は、荷電粒
子線のステージ移動方向における偏向位置Ｙ１outを監
視し、該偏向位置Ｙ１outに応じて前記ステージ35の移
動速度を可変するものである。本発明によれば、前記実
施例で説明したように、リアルタイムで最適な移動速度
を設定することができる。
求項５記載の発明に係る荷電粒子線露光方法は、荷電粒
子線のステージ移動方向における偏向位置Ｙ１outを監
視し、該偏向位置Ｙ１outに応じて前記ステージ35の移
動速度を可変するものである。本発明によれば、前記実
施例で説明したように、リアルタイムで最適な移動速度
を設定することができる。
【００４７】なお、荷電粒子線として電子ビームを例示
したが、イオンビームを用いても構わない。
したが、イオンビームを用いても構わない。
【００４８】
【発明の効果】請求項１の発明に係る荷電粒子線露光装
置では、電磁偏向器による偏向位置と可描画範囲の基準
位置とを比較し、偏向位置が基準位置に対して上流側に
位置する場合はステージの移動速度を速め、基準位置の
下流側に位置する場合は該ステージの移動速度を遅くす
ることにより、ステージを常に適切な移動速度で移動す
ることができ、荷電粒子線の露光を高速に処理すること
ができる。
置では、電磁偏向器による偏向位置と可描画範囲の基準
位置とを比較し、偏向位置が基準位置に対して上流側に
位置する場合はステージの移動速度を速め、基準位置の
下流側に位置する場合は該ステージの移動速度を遅くす
ることにより、ステージを常に適切な移動速度で移動す
ることができ、荷電粒子線の露光を高速に処理すること
ができる。
【００４９】請求項２の発明に係る荷電粒子線露光装置
では、電磁偏向器による偏向位置と可描画範囲に設定し
た上流側及び下流側の基準位置とを比較し、偏向位置が
上流側基準位置に対して上流側に位置する場合は、ステ
ージの移動速度を速め、下流側基準位置の下流側に位置
する場合は該ステージの移動速度を遅くすることによ
り、ステージを常に適切な移動速度で移動することがで
き、荷電粒子線の露光を高速に処理することができる。
では、電磁偏向器による偏向位置と可描画範囲に設定し
た上流側及び下流側の基準位置とを比較し、偏向位置が
上流側基準位置に対して上流側に位置する場合は、ステ
ージの移動速度を速め、下流側基準位置の下流側に位置
する場合は該ステージの移動速度を遅くすることによ
り、ステージを常に適切な移動速度で移動することがで
き、荷電粒子線の露光を高速に処理することができる。
【００５０】請求項３の発明に係る荷電粒子線露光装置
では、電磁偏向器によるステージ移動方向の偏向位置を
所定時間毎に積分し、該積分値に基づいてステージの移
動速度を変更することにより、ステージを常に適切な移
動速度で移動することができ、荷電粒子線の露光を高速
に処理することができる。
では、電磁偏向器によるステージ移動方向の偏向位置を
所定時間毎に積分し、該積分値に基づいてステージの移
動速度を変更することにより、ステージを常に適切な移
動速度で移動することができ、荷電粒子線の露光を高速
に処理することができる。
【００５１】請求項４の発明に係る荷電粒子線露光装置
では、ステージ速度の変更量に上限を設けることによ
り、速度変化を小さくでき、滑らかなステージ移動を実
現することができる。
では、ステージ速度の変更量に上限を設けることによ
り、速度変化を小さくでき、滑らかなステージ移動を実
現することができる。
【００５２】請求項５の発明に係る荷電粒子線露光方法
では、荷電粒子線のステージ移動方向における偏向位置
を監視して、該偏向位置に応じて前記ステージの移動速
度を可変することにより、ステージを常に適切な移動速
度で移動することができ、荷電粒子線の露光を高速に処
理することができる。
では、荷電粒子線のステージ移動方向における偏向位置
を監視して、該偏向位置に応じて前記ステージの移動速
度を可変することにより、ステージを常に適切な移動速
度で移動することができ、荷電粒子線の露光を高速に処
理することができる。
【図１】ステージ制御部の一実施例を示す回路図であ
り、請求項１または２記載の発明に係る荷電粒子線露光
装置の主要構成部である。
り、請求項１または２記載の発明に係る荷電粒子線露光
装置の主要構成部である。
【図２】本発明に係る荷電粒子線露光装置の一実施例を
示す図である。
示す図である。
【図３】セルと可描画範囲との位置座標を示す図であ
る。
る。
【図４】可描画範囲における基準位置を示す図である。
【図５】図１及び図２における動作例を示すフローチャ
ートである。
ートである。
【図６】ステージ連続移動によるセルと可描画範囲の位
置関係を示す図である。
置関係を示す図である。
【図７】ステージ連続移動によるセルと可描画範囲の位
置関係を示す図である。
置関係を示す図である。
【図８】ステージ連続移動によるセルと可描画範囲の位
置関係を示す図である。
置関係を示す図である。
【図９】ステージ連続移動によるセルと可描画範囲の位
置関係を示す図である。
置関係を示す図である。
【図10】ステージ連続移動によるセルと可描画範囲の位
置関係を示す図である。
置関係を示す図である。
【図11】ステージ連続移動によるセルと可描画範囲の位
置関係を示す図である。
置関係を示す図である。
【図12】ステージ連続移動によるセルと可描画範囲の位
置関係を示す図である。
置関係を示す図である。
【図13】ステージ連続移動によるセルと可描画範囲の位
置関係を示す図である。
置関係を示す図である。
【図14】ステージ連続移動によるセルと可描画範囲の位
置関係を示す図である。
置関係を示す図である。
【図15】ステージ連続移動によるセルと可描画範囲の位
置関係を示す図である。
置関係を示す図である。
【図16】ステージ制御部の他の実施例を示す回路図であ
り、請求項３または４記載の発明に係る荷電粒子線露光
装置の主要構成部である。
り、請求項３または４記載の発明に係る荷電粒子線露光
装置の主要構成部である。
【図17】荷電粒子線により露光される試料を示す平面図
である。
である。
【図18】従来のステージ制御部の一例を示すブロック図
である。
である。
11 セル（露光対象物） 40 可描画範囲 46 メインデフレクタ（電磁偏向器） 53 電子ビーム銃（荷電粒子線照射器） 56 ステージ制御部 61 比較回路 62 ＤＳＰ（ステージ速度制御部） 70 積分回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−205313（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−243520（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−248618（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】 荷電粒子線を照射する荷電粒子線照射器
と、該荷電粒子線を所定の可描画範囲に偏向する電磁偏
向器と、露光対象物を載置して該露光対象物が可描画範
囲内を通過するように移動するステージと、を備え、前
記露光対象物の露光範囲を複数本の帯状領域に分割し、
該帯状領域の長手方向の一端側から他端側に向けて荷電
粒子線を偏向して所望のパターンを描画する荷電粒子線
露光装置において、前記電磁偏向器によるステージ移動
方向の偏向位置と前記可描画範囲におけるステージ移動
方向の基準位置とを比較する比較回路と、この比較結果
に基づいて偏向位置が可描画範囲の基準位置に対してス
テージ移動方向の上流側に位置するときは前記ステージ
の移動速度を速め、偏向位置が可描画範囲の基準位置に
対してステージ移動方向の下流側に位置するときは該ス
テージの移動速度を遅くするステージ速度制御部と、を
備えたことを特徴とする荷電粒子線露光装置。 - 【請求項２】 可描画範囲の基準位置を上流側と下流側
にそれぞれ設定したことを特徴とする請求項１の荷電粒
子線露光装置。 - 【請求項３】 荷電粒子線を照射する荷電粒子線照射器
と、該荷電粒子線を所定の可描画範囲に偏向する電磁偏
向器と、露光対象物を載置して該露光対象物が可描画範
囲内を通過するように移動するステージと、を備え、前
記露光対象物の露光範囲を複数本の帯状領域に分割し、
該帯状領域の長手方向の一端側から他端側に向けて荷電
粒子線を偏向して所望のパターンを描画する荷電粒子線
露光装置において、前記電磁偏向器によるステージ移動
方向の偏向位置を所定時間毎に積分する積分回路と、該
積分値に基づいて前記ステージの移動速度を変更するス
テージ速度制御部と、を備えたことを特徴とする荷電粒
子線露光装置。 - 【請求項４】ステージ速度制御部におけるステージ速度
の変更量に上限を設けたことを特徴とする請求項３の荷
電粒子線露光装置。 - 【請求項５】ステージ上に載置された露光対象物の露光
領域を複数の帯状領域に分割し、該ステージを連続的に
移動させながら所定の可描画範囲内にて該帯状領域毎に
長手方向の一方側から他方側に向けて荷電粒子線を偏向
して所望のパターンを描画する荷電粒子線露光方法にお
いて、前記荷電粒子線のステージ移動方向における偏向位置と
前記可描画範囲に設けられた基準位置とを比較し、該比
較結果が所定以上のとき、前記ステージの移動速度を可
変して、前記偏向位置を前記基準位置近傍に集中するこ
と を特徴とする荷電粒子線露光方法。
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