JPH09270375A - 電子ビーム露光装置 - Google Patents
電子ビーム露光装置Info
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- JPH09270375A JPH09270375A JP8076589A JP7658996A JPH09270375A JP H09270375 A JPH09270375 A JP H09270375A JP 8076589 A JP8076589 A JP 8076589A JP 7658996 A JP7658996 A JP 7658996A JP H09270375 A JPH09270375 A JP H09270375A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
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- G03F7/70716—Stages
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光するために必要な時間を短縮してスルー
プットを向上させ、あわせてステージの加減速によるス
テージ駆動機構への負担を軽減した電子ビーム露光装置
を提供する。 【解決手段】 被露光体を取付け自在に固定するステー
ジを移動させながら、被露光体上に所望の回路パターン
を形成する電子ビーム露光装置において、回路パターン
から所定の領域毎のパターン密度を算出して、各領域毎
のパターン密度に適切な所定のステージ速度を決定し、
隣合う領域のステージ速度差から加速度を求め、加速度
が所定の許容値以下になるようにステージ速度が速い領
域のステージ速度を下方修正する。合わせて、隣合う速
度が変化する２点間を結ぶ２次関数を求め、その２次関
数から得られる曲線で速度が変化する点を結んでステー
ジの移動軌跡を決定する。ステージはその移動軌跡に沿
って移動させる。
プットを向上させ、あわせてステージの加減速によるス
テージ駆動機構への負担を軽減した電子ビーム露光装置
を提供する。 【解決手段】 被露光体を取付け自在に固定するステー
ジを移動させながら、被露光体上に所望の回路パターン
を形成する電子ビーム露光装置において、回路パターン
から所定の領域毎のパターン密度を算出して、各領域毎
のパターン密度に適切な所定のステージ速度を決定し、
隣合う領域のステージ速度差から加速度を求め、加速度
が所定の許容値以下になるようにステージ速度が速い領
域のステージ速度を下方修正する。合わせて、隣合う速
度が変化する２点間を結ぶ２次関数を求め、その２次関
数から得られる曲線で速度が変化する点を結んでステー
ジの移動軌跡を決定する。ステージはその移動軌跡に沿
って移動させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路等の
製造に用いられる電子ビーム露光装置に関し、特にウエ
ハ等が固定されるステージを移動させながら、被露光体
上に回路パターンを形成する電子ビーム露光装置に関す
るものである。
製造に用いられる電子ビーム露光装置に関し、特にウエ
ハ等が固定されるステージを移動させながら、被露光体
上に回路パターンを形成する電子ビーム露光装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】ステージを移動させながら露光する電子
ビーム露光装置では、ステージ速度は被露光体上に形成
されるパターン密度によって決定される。
ビーム露光装置では、ステージ速度は被露光体上に形成
されるパターン密度によって決定される。
【０００３】すなわち、パターン密度の大きい領域では
ステージ速度を遅くする必要があり、パターン密度の小
さい領域ではステージ速度を速くすることができる。
ステージ速度を遅くする必要があり、パターン密度の小
さい領域ではステージ速度を速くすることができる。
【０００４】従来の電子ビーム露光装置では、図６に示
すように、被露光体であるウエハ１００上のフレーム１
０１毎にステージ速度を決定し、例えばその速度はパタ
ーン密度の最も大きいメインフィールド１０２、あるい
は図６に示す１列分のサブフィールド１０３からなるバ
ンド１０４に合わせて決定していた。
すように、被露光体であるウエハ１００上のフレーム１
０１毎にステージ速度を決定し、例えばその速度はパタ
ーン密度の最も大きいメインフィールド１０２、あるい
は図６に示す１列分のサブフィールド１０３からなるバ
ンド１０４に合わせて決定していた。
【０００５】しかしながら、この方法では、パターン密
度が小さく、ステージ速度を速くすることが可能な領域
についてもパターン密度の大きい領域のステージ速度で
露光することになるため、スループットの低下が避けら
れなかった。
度が小さく、ステージ速度を速くすることが可能な領域
についてもパターン密度の大きい領域のステージ速度で
露光することになるため、スループットの低下が避けら
れなかった。
【０００６】そこで、スループットの向上を図るため
に、任意の領域毎に、そのパターン密度に応じたステー
ジ速度を設定し、その領域毎にステージ速度を変化させ
る電子ビーム露光装置が特開平１−２４１１２２号公報
に開示されている。
に、任意の領域毎に、そのパターン密度に応じたステー
ジ速度を設定し、その領域毎にステージ速度を変化させ
る電子ビーム露光装置が特開平１−２４１１２２号公報
に開示されている。
【０００７】この従来の電子ビーム露光装置では、パタ
ーン密度の異なる任意の領域毎に適正なステージ速度を
算出し、その速度でステージを移動させるとともに、領
域が変わり速度が大きく変化する部位では、露光のショ
ットずれを防止するために加速度を一定値以下に制限し
ている。
ーン密度の異なる任意の領域毎に適正なステージ速度を
算出し、その速度でステージを移動させるとともに、領
域が変わり速度が大きく変化する部位では、露光のショ
ットずれを防止するために加速度を一定値以下に制限し
ている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の電子ビーム露光
装置は、上述したように加速時及び減速時のショットず
れを防止するために、ステージの加速度を一定値以下に
制限している。
装置は、上述したように加速時及び減速時のショットず
れを防止するために、ステージの加速度を一定値以下に
制限している。
【０００９】しかしながら、このように速度の変化点で
加速度を制限するだけでは、加速度によって加わるステ
ージ駆動機構への負担の増大を防止することができない
という問題があった。
加速度を制限するだけでは、加速度によって加わるステ
ージ駆動機構への負担の増大を防止することができない
という問題があった。
【００１０】すなわち、速度の可変単位となる領域をバ
ンドのように細かい単位に設定すると、加減速が頻繁に
繰り返され、しかも加速度が短時間で加わるため、機器
に対する加加速度（加速度の時間微分）が大きくなり、
ステージ駆動機構の寿命を短くしていた。
ンドのように細かい単位に設定すると、加減速が頻繁に
繰り返され、しかも加速度が短時間で加わるため、機器
に対する加加速度（加速度の時間微分）が大きくなり、
ステージ駆動機構の寿命を短くしていた。
【００１１】また、このように加速度が急激に加わる回
数を減らすため、速度の可変単位である領域を大きくし
たのでは、スループットの向上はわずかしか望めないこ
とになる。
数を減らすため、速度の可変単位である領域を大きくし
たのでは、スループットの向上はわずかしか望めないこ
とになる。
【００１２】本発明は上記したような従来の技術が有す
る問題点を解決するためになされたものであり、露光す
るために必要な時間を短縮してスループットを向上さ
せ、あわせてステージの加減速によるステージ駆動機構
への負担を軽減した電子ビーム露光装置を提供すること
を目的としている。
る問題点を解決するためになされたものであり、露光す
るために必要な時間を短縮してスループットを向上さ
せ、あわせてステージの加減速によるステージ駆動機構
への負担を軽減した電子ビーム露光装置を提供すること
を目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の電子ビーム露光装置は、被露光体を取付け自在
に固定するステージを移動させながら、前記被露光体上
に所望の回路パターンを形成する電子ビーム露光装置に
おいて、前記回路パターンを記憶する記憶手段と、前記
記憶手段に蓄積された回路パターンを用いて前記ステー
ジの移動軌跡を決定する処理装置と、前記処理装置で決
定された前記移動軌跡に沿って前記ステージが移動する
ように制御するステージ制御回路と、を有し、前記処理
装置は、前記回路パターンから所定の領域毎のパターン
密度を算出して、各領域毎のパターン密度に適切な所定
のステージ速度を決定し、隣合う前記領域のステージ速
度差から加速度を求め、前記加速度が所定の許容値以下
になるようにステージ速度が速い領域の該ステージ速度
を下方修正し、ステージ位置毎の電子ビームによる可描
画範囲を設定し、前記ステージ速度が変化する位置であ
る変曲点を見つけ出し、隣合う２つの前記変曲点を結ぶ
２次関数を求め、該２次関数から得られる曲線で各変曲
点を結んでステージの移動軌跡を決定し、前記移動軌跡
が前記可描画範囲を越えた場合は、前記移動軌跡が前記
可描画範囲内になるように前記ステージ速度を下方修正
することを特徴とする。
本発明の電子ビーム露光装置は、被露光体を取付け自在
に固定するステージを移動させながら、前記被露光体上
に所望の回路パターンを形成する電子ビーム露光装置に
おいて、前記回路パターンを記憶する記憶手段と、前記
記憶手段に蓄積された回路パターンを用いて前記ステー
ジの移動軌跡を決定する処理装置と、前記処理装置で決
定された前記移動軌跡に沿って前記ステージが移動する
ように制御するステージ制御回路と、を有し、前記処理
装置は、前記回路パターンから所定の領域毎のパターン
密度を算出して、各領域毎のパターン密度に適切な所定
のステージ速度を決定し、隣合う前記領域のステージ速
度差から加速度を求め、前記加速度が所定の許容値以下
になるようにステージ速度が速い領域の該ステージ速度
を下方修正し、ステージ位置毎の電子ビームによる可描
画範囲を設定し、前記ステージ速度が変化する位置であ
る変曲点を見つけ出し、隣合う２つの前記変曲点を結ぶ
２次関数を求め、該２次関数から得られる曲線で各変曲
点を結んでステージの移動軌跡を決定し、前記移動軌跡
が前記可描画範囲を越えた場合は、前記移動軌跡が前記
可描画範囲内になるように前記ステージ速度を下方修正
することを特徴とする。
【００１４】このとき、前記領域はメインフィールドで
あってもよく、バンドであってもよい。
あってもよく、バンドであってもよい。
【００１５】上記のように構成された電子ビーム露光装
置は、処理装置によって各領域毎のパターン密度に適切
な所定のステージ速度が決定され、速度変化時の加速度
が所定の許容値以下になるように速い速度を有する領域
のステージ速度が下方修正される。あわせて、隣合う２
つの変曲点を結ぶ２次関数を求め、その２次関数から得
られる曲線で各変曲点を結び、ステージの移動軌跡を決
定する。この移動軌跡に沿ってステージが移動するよう
に、ステージ制御回路によって制御することで、ステー
ジ速度は曲線的に変化し、加速度はステージの駆動機構
に対して長い時間をかけてなめらかに変化しながら加わ
る。
置は、処理装置によって各領域毎のパターン密度に適切
な所定のステージ速度が決定され、速度変化時の加速度
が所定の許容値以下になるように速い速度を有する領域
のステージ速度が下方修正される。あわせて、隣合う２
つの変曲点を結ぶ２次関数を求め、その２次関数から得
られる曲線で各変曲点を結び、ステージの移動軌跡を決
定する。この移動軌跡に沿ってステージが移動するよう
に、ステージ制御回路によって制御することで、ステー
ジ速度は曲線的に変化し、加速度はステージの駆動機構
に対して長い時間をかけてなめらかに変化しながら加わ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００１７】図１は本発明の電子ビーム露光装置の構成
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【００１８】図１において、コラム１０は、電子を放出
する電子銃１１と、電子ビームの方向を偏向するメイン
デフレクタ１２及びサブデフレクタ１３と、被露光体で
あるウエハ９が搭載されるステージ８を備えている。
する電子銃１１と、電子ビームの方向を偏向するメイン
デフレクタ１２及びサブデフレクタ１３と、被露光体で
あるウエハ９が搭載されるステージ８を備えている。
【００１９】電子銃１１から放射された電子は複数の成
形偏向器によって所望の形状の電子ビームに成形され
る。成形された電子ビームはメインデフレクタ１２及び
サブデフレクタ１３によって偏向され、ウエハ９上の所
望の位置に位置決めされて照射され、回路パターンが露
光される。
形偏向器によって所望の形状の電子ビームに成形され
る。成形された電子ビームはメインデフレクタ１２及び
サブデフレクタ１３によって偏向され、ウエハ９上の所
望の位置に位置決めされて照射され、回路パターンが露
光される。
【００２０】また、複数の成形偏向器、メインデフレク
タ１２、及びサブデフレクタ１３は露光制御回路６によ
ってその発生する磁界及び電界が制御される。
タ１２、及びサブデフレクタ１３は露光制御回路６によ
ってその発生する磁界及び電界が制御される。
【００２１】ステージ８はステージ制御回路７によって
その移動速度及び加速度が制御される。
その移動速度及び加速度が制御される。
【００２２】露光制御回路６及びステージ制御回路７
は、インタフェース回路５及びデータバス４を介して処
理装置１と接続され、処理装置１の処理結果にしたがっ
てそれぞれの制御を実行する。
は、インタフェース回路５及びデータバス４を介して処
理装置１と接続され、処理装置１の処理結果にしたがっ
てそれぞれの制御を実行する。
【００２３】磁気ディスク２または磁気テープ３には、
露光のための処理プログラム及び回路パターンデータが
蓄積されている。処理装置１はデータバス４を介して磁
気ディスク２及び磁気テープ３と接続され、処理プログ
ラムにしたがって露光に必要な処理を実行する。
露光のための処理プログラム及び回路パターンデータが
蓄積されている。処理装置１はデータバス４を介して磁
気ディスク２及び磁気テープ３と接続され、処理プログ
ラムにしたがって露光に必要な処理を実行する。
【００２４】このような構成において、次に本発明の電
子ビーム露光装置の動作について図２〜図５を参照して
説明する。
子ビーム露光装置の動作について図２〜図５を参照して
説明する。
【００２５】本発明の電子ビーム露光装置は、磁気ディ
スク２あるいは磁気テープ３に記憶された回路パターン
データから、以下の処理にしたがって処理装置１でステ
ージ８の移動軌跡を決定し、ステージ制御回路７はその
決定した移動軌跡に沿ってステージ８が移動するように
制御する。
スク２あるいは磁気テープ３に記憶された回路パターン
データから、以下の処理にしたがって処理装置１でステ
ージ８の移動軌跡を決定し、ステージ制御回路７はその
決定した移動軌跡に沿ってステージ８が移動するように
制御する。
【００２６】図２は本発明の電子ビーム露光装置のステ
ージ軌跡の決定手順を示すフローチャートであり、図３
は可変速単位におけるステージの速度の変化の様子を示
すグラフである。また、図４はステージの移動軌跡を決
定する前のステージ位置の変化の様子を示すグラフであ
り、図５はステージの移動軌跡を決定した後のステージ
位置の変化の様子を示すグラフである。
ージ軌跡の決定手順を示すフローチャートであり、図３
は可変速単位におけるステージの速度の変化の様子を示
すグラフである。また、図４はステージの移動軌跡を決
定する前のステージ位置の変化の様子を示すグラフであ
り、図５はステージの移動軌跡を決定した後のステージ
位置の変化の様子を示すグラフである。
【００２７】図２において、まず、磁気ディスク２ある
いは磁気テープ３に記憶されたウエハ９上の回路パター
ンデータから、処理装置１はそのパターン密度を算出
し、各領域ごとのステージの速度（基準速度）を決定す
る（ステップＳ１）。ここで、可変速単位（領域）はメ
インフィールドあるいはバンドとする。
いは磁気テープ３に記憶されたウエハ９上の回路パター
ンデータから、処理装置１はそのパターン密度を算出
し、各領域ごとのステージの速度（基準速度）を決定す
る（ステップＳ１）。ここで、可変速単位（領域）はメ
インフィールドあるいはバンドとする。
【００２８】可変速単位をメインフィールドあるいはバ
ンド単位にするのは以下の理由による。
ンド単位にするのは以下の理由による。
【００２９】（１）可変速単位をメインフィールドとす
る理由 速度の変化単位を刻んでスループットを向上させる。ま
た、一般にメインフィールド単位で回路パターンデータ
の繰返しが生じるためメインフィールド毎にパターンデ
ータをまとめやすい。
る理由 速度の変化単位を刻んでスループットを向上させる。ま
た、一般にメインフィールド単位で回路パターンデータ
の繰返しが生じるためメインフィールド毎にパターンデ
ータをまとめやすい。
【００３０】（２）可変速単位をバンド単位とする理由 速度の変化単位をより刻んでスループットのさらなる向
上を図る。また、メインデフレクタ１２及びサブデフレ
クタ１３による電子ビームの位置補正処理の増加を防止
する。
上を図る。また、メインデフレクタ１２及びサブデフレ
クタ１３による電子ビームの位置補正処理の増加を防止
する。
【００３１】描画位置を決定する際には、まず、メイン
デフレクタ１２で電子ビームのおよその描画位置を決定
し、サブデフレクタ１３で詳細な描画位置を決定する。
よって、メインデフレクタ１２とサブデフレクタ１３の
位置制定時間及び位置補正方法は異なったものになる。
可変速単位をバンドにすると、サブデフレクタ１３の偏
向範囲とその領域が一致するため、メインデフレクタ１
２とサブデフレクタ１３の動作の切り替えが最少限にな
る。したがって、位置補正処理が増加することがない。
デフレクタ１２で電子ビームのおよその描画位置を決定
し、サブデフレクタ１３で詳細な描画位置を決定する。
よって、メインデフレクタ１２とサブデフレクタ１３の
位置制定時間及び位置補正方法は異なったものになる。
可変速単位をバンドにすると、サブデフレクタ１３の偏
向範囲とその領域が一致するため、メインデフレクタ１
２とサブデフレクタ１３の動作の切り替えが最少限にな
る。したがって、位置補正処理が増加することがない。
【００３２】もし、可変速単位をバンド未満の単位に設
定すると、パターン密度のデータ数が増大するため処理
に時間がかかり好ましいことではない。
定すると、パターン密度のデータ数が増大するため処理
に時間がかかり好ましいことではない。
【００３３】次に、ステップＳ１で算出した各領域の基
準速度から、隣接する領域間の基準速度の差を算出し、
速度差によって生じる加速度が所定の許容値を越えない
ように基準速度を下方修正する（ステップＳ２）。
準速度から、隣接する領域間の基準速度の差を算出し、
速度差によって生じる加速度が所定の許容値を越えない
ように基準速度を下方修正する（ステップＳ２）。
【００３４】ここで、基準速度の値は図３に示す線分Ａ
Ｂの中点Ｐの位置で定義し、次の領域の最初の位置をＱ
としたとき、ＰＱの傾きを加速度αと定義する。この加
速度αが所定の許容値を越えたら基準速度の速い方を下
方修正する。
Ｂの中点Ｐの位置で定義し、次の領域の最初の位置をＱ
としたとき、ＰＱの傾きを加速度αと定義する。この加
速度αが所定の許容値を越えたら基準速度の速い方を下
方修正する。
【００３５】なお、基準速度の遅い方を上方修正するこ
とは、ショットずれ等の問題が発生するため本発明では
行わない。
とは、ショットずれ等の問題が発生するため本発明では
行わない。
【００３６】次に、図４に示すような時間ｔに対するス
テージ位置Ｒの関係から速度が変わる変曲点を求める
（ステップＳ３）。図４では点Ｘ1 、点Ｘ2 、点Ｘ3 等
が該当する。
テージ位置Ｒの関係から速度が変わる変曲点を求める
（ステップＳ３）。図４では点Ｘ1 、点Ｘ2 、点Ｘ3 等
が該当する。
【００３７】次に、図４に示す時間ｔに対するステージ
位置Ｒの関係から、電子ビームで描画が可能な描画範囲
を設定する（ステップＳ４）。
位置Ｒの関係から、電子ビームで描画が可能な描画範囲
を設定する（ステップＳ４）。
【００３８】この描画範囲は図４の一点鎖線の内側の領
域であり、通常１．０ｍｍ〜１．６ｍｍの範囲に設定さ
れる。
域であり、通常１．０ｍｍ〜１．６ｍｍの範囲に設定さ
れる。
【００３９】次に、ステージの移動軌跡を決定する（ス
テップＳ５）。
テップＳ５）。
【００４０】移動軌跡を決定する際には、変曲点Ｘ1 、
Ｘ2 、…、Ｘn で移動軌跡が必ず描画範囲内を通るよう
に設定する必要がある。
Ｘ2 、…、Ｘn で移動軌跡が必ず描画範囲内を通るよう
に設定する必要がある。
【００４１】まず最初に、移動を開始する原点Ｏと最初
の変曲点Ｘ1 とを直線で結ぶ。次に変曲点Ｘ1 における
傾きをＳl1と定義し、変曲点Ｘ1 とＸ2 を結ぶ２次関数
を求める。この２点を結ぶ２次関数は式Ｒ＝ａｔ2 ＋ｂ
ｔ＋ｃ（ａ、ｂ、ｃは任意の定数）で表され、この式中
の定数ａ、ｂ、ｃは、２つの変曲点Ｘ1 、Ｘ2 を通り、
変曲点Ｘ1 における傾きがＳl1という条件から決定され
る。なお、変曲点Ｘ2における傾きＳl2もこの２次関数
から同時に決定される。こうして求められた２次関数で
得られる２次曲線を変曲点Ｘ1 と変曲点Ｘ2 を結ぶステ
ージの移動軌跡とする。
の変曲点Ｘ1 とを直線で結ぶ。次に変曲点Ｘ1 における
傾きをＳl1と定義し、変曲点Ｘ1 とＸ2 を結ぶ２次関数
を求める。この２点を結ぶ２次関数は式Ｒ＝ａｔ2 ＋ｂ
ｔ＋ｃ（ａ、ｂ、ｃは任意の定数）で表され、この式中
の定数ａ、ｂ、ｃは、２つの変曲点Ｘ1 、Ｘ2 を通り、
変曲点Ｘ1 における傾きがＳl1という条件から決定され
る。なお、変曲点Ｘ2における傾きＳl2もこの２次関数
から同時に決定される。こうして求められた２次関数で
得られる２次曲線を変曲点Ｘ1 と変曲点Ｘ2 を結ぶステ
ージの移動軌跡とする。
【００４２】次に、変曲点Ｘ2 と変曲点Ｘ3 を結ぶ２次
関数を上述した変曲点Ｘ1 と変曲点Ｘ2 を結ぶ２次関数
と同様な方法で求め、以下ウエハ９上の全ての露光領域
について同様の処理を繰り返す。
関数を上述した変曲点Ｘ1 と変曲点Ｘ2 を結ぶ２次関数
と同様な方法で求め、以下ウエハ９上の全ての露光領域
について同様の処理を繰り返す。
【００４３】ステージ８の移動軌跡が決定したら、決定
したステージ８の移動軌跡がステップＳ４で設定した可
描画範囲から逸脱しているか否かを調べる（ステップＳ
６）。逸脱していない場合は、ステップＳ７に移って総
露光時間とスループットを求めて処理を終了する。ま
た、ステップＳ６で決定したステージ８の移動軌跡が可
描画範囲を逸脱していた場合は、ステップＳ２に戻って
その領域のステージの基準速度を下方修正し、上記ステ
ップＳ３〜Ｓ６を繰り返す。
したステージ８の移動軌跡がステップＳ４で設定した可
描画範囲から逸脱しているか否かを調べる（ステップＳ
６）。逸脱していない場合は、ステップＳ７に移って総
露光時間とスループットを求めて処理を終了する。ま
た、ステップＳ６で決定したステージ８の移動軌跡が可
描画範囲を逸脱していた場合は、ステップＳ２に戻って
その領域のステージの基準速度を下方修正し、上記ステ
ップＳ３〜Ｓ６を繰り返す。
【００４４】そして、ステージ８の移動軌跡が決定した
ら、その移動軌跡に沿ってステージ８が移動するように
ステージ制御回路７で制御する。
ら、その移動軌跡に沿ってステージ８が移動するように
ステージ制御回路７で制御する。
【００４５】このようにすることで、メインフィールド
あるいはバンドの小さい領域毎にステージ速度を変化さ
せることができるためスループットが向上する。また、
ステージの加減速時には加速度を所定の許容値以下に制
限すると共に、速度が変化する点をそれぞれ２次関数か
ら得られる２次曲線で結んでステージの移動軌跡を決定
したため、ステージ速度は曲線的に変化し、加速度はス
テージの駆動機構に対して長い時間をかけてなめらかに
変化しながら加わる。したがって、駆動機構に対する加
速度による負担が軽減される。
あるいはバンドの小さい領域毎にステージ速度を変化さ
せることができるためスループットが向上する。また、
ステージの加減速時には加速度を所定の許容値以下に制
限すると共に、速度が変化する点をそれぞれ２次関数か
ら得られる２次曲線で結んでステージの移動軌跡を決定
したため、ステージ速度は曲線的に変化し、加速度はス
テージの駆動機構に対して長い時間をかけてなめらかに
変化しながら加わる。したがって、駆動機構に対する加
速度による負担が軽減される。
【００４６】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載する効果を奏する。
いるので、以下に記載する効果を奏する。
【００４７】パターン密度に応じて所定の領域毎にステ
ージ速度を変化させることができるためスループットが
向上する。また、ステージの加減速時には、加速度を所
定の許容値以下に制限すると共に、速度が変化する点を
それぞれ２次関数から得られる２次曲線で結んでステー
ジの移動軌跡を決定したため、ステージ速度は曲線的に
変化し、加速度はステージの駆動機構に対して長い時間
をかけてなめらかに変化しながら加わる。したがって、
駆動機構に対する加速度による負担が軽減される。
ージ速度を変化させることができるためスループットが
向上する。また、ステージの加減速時には、加速度を所
定の許容値以下に制限すると共に、速度が変化する点を
それぞれ２次関数から得られる２次曲線で結んでステー
ジの移動軌跡を決定したため、ステージ速度は曲線的に
変化し、加速度はステージの駆動機構に対して長い時間
をかけてなめらかに変化しながら加わる。したがって、
駆動機構に対する加速度による負担が軽減される。
【図１】本発明の電子ビーム露光装置の構成を示すブロ
ック図である。
ック図である。
【図２】本発明の電子ビーム露光装置のステージ軌跡の
決定手順を示すフローチャートである。
決定手順を示すフローチャートである。
【図３】可変速単位におけるステージ速度の変化の様子
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図４】移動軌跡を決定する前のステージ位置の変化の
様子を示すグラフである。
様子を示すグラフである。
【図５】移動軌跡を決定した後のステージ位置の変化の
様子を示すグラフである。
様子を示すグラフである。
【図６】被露光体であるウエハの構成を示す平面図であ
る。
る。
１ 処理装置 ２ 磁気ディスク ３ 磁気テープ ４ データバス ５ インタフェース回路 ６ 露光制御回路 ７ ステージ制御回路 ８ ステージ ９ ウエハ １０ コラム １１ 電子銃 １２ メインデフレクタ １３ サブデフレクタ
Claims (3)
- 【請求項１】 被露光体を取付け自在に固定するステー
ジを移動させながら、前記被露光体上に所望の回路パタ
ーンを形成する電子ビーム露光装置において、 前記回路パターンを記憶する記憶手段と、 前記記憶手段に蓄積された回路パターンを用いて前記ス
テージの移動軌跡を決定する処理装置と、 前記処理装置で決定された前記移動軌跡に沿って前記ス
テージが移動するように制御するステージ制御回路と、
を有し、 前記処理装置は、 前記回路パターンから所定の領域毎のパターン密度を算
出して、各領域毎のパターン密度に適切な所定のステー
ジ速度を決定し、 隣合う前記領域のステージ速度差から加速度を求め、前
記加速度が所定の許容値以下になるようにステージ速度
が速い領域の該ステージ速度を下方修正し、 ステージ位置毎の電子ビームによる可描画範囲を設定
し、 前記ステージ速度が変化する位置である変曲点を見つけ
出し、 隣合う２つの前記変曲点を結ぶ２次関数を求め、該２次
関数から得られる曲線で各変曲点を結んでステージの移
動軌跡を決定し、 前記移動軌跡が前記可描画範囲を越えた場合は、前記移
動軌跡が前記可描画範囲内になるように前記ステージ速
度を下方修正することを特徴とする電子ビーム露光装
置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の電子ビーム露光装置に
おいて、 前記領域はメインフィールドであることを特徴とする電
子ビーム露光装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の電子ビーム露光装置に
おいて、 前記領域はバンドであることを特徴とする電子ビーム露
光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8076589A JPH09270375A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 電子ビーム露光装置 |
| US08/807,907 US5821550A (en) | 1996-03-29 | 1997-02-27 | Electron beam exposure system |
| KR1019970007382A KR100235387B1 (ko) | 1996-03-29 | 1997-03-06 | 전자빔 노광장치 |
| DE19709761A DE19709761C2 (de) | 1996-03-29 | 1997-03-10 | Elektronenstrahl-Belichtungssystem |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8076589A JPH09270375A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 電子ビーム露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09270375A true JPH09270375A (ja) | 1997-10-14 |
Family
ID=13609500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8076589A Withdrawn JPH09270375A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 電子ビーム露光装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5821550A (ja) |
| JP (1) | JPH09270375A (ja) |
| KR (1) | KR100235387B1 (ja) |
| DE (1) | DE19709761C2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160001660A (ko) * | 2014-06-26 | 2016-01-06 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 하전 입자 빔 묘화 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6104035A (en) * | 1997-06-02 | 2000-08-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-beam exposure apparatus and method |
| JP2004132867A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Shimadzu Corp | 基板検査装置 |
| JP4801996B2 (ja) * | 2006-01-05 | 2011-10-26 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 試料移動機構及び荷電粒子ビーム描画装置 |
| KR100957680B1 (ko) | 2008-02-15 | 2010-05-25 | 두산메카텍 주식회사 | Ａｆｍ을 이용한 리소그래피에서의 패턴 형성 제어 방법 |
| JP2015109310A (ja) * | 2013-12-03 | 2015-06-11 | キヤノン株式会社 | 描画装置、描画方法、及び物品の製造方法 |
| CN114035407B (zh) * | 2021-11-01 | 2023-03-21 | 中国科学院微电子研究所 | 一种用于形成倒t形结构的电子束曝光方法、装置及电子设备 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5753938A (en) * | 1980-09-17 | 1982-03-31 | Toshiba Corp | Electron beam exposure apparatus |
| US4477729A (en) * | 1982-10-01 | 1984-10-16 | International Business Machines Corporation | Continuously writing electron beam stitched pattern exposure system |
| JP2559454B2 (ja) * | 1988-03-23 | 1996-12-04 | 富士通株式会社 | 電子ビーム露光装置及び露光方法 |
| JP2669727B2 (ja) * | 1991-03-20 | 1997-10-29 | 富士通株式会社 | 荷電粒子線露光装置、及び荷電粒子線露光方法 |
| US5194741A (en) * | 1991-03-20 | 1993-03-16 | Fujitsu Limited | Method for writing a pattern on an object by a focused electron beam with an improved efficiency |
| JP3334999B2 (ja) * | 1994-03-30 | 2002-10-15 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光方法及び装置 |
-
1996
- 1996-03-29 JP JP8076589A patent/JPH09270375A/ja not_active Withdrawn
-
1997
- 1997-02-27 US US08/807,907 patent/US5821550A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-03-06 KR KR1019970007382A patent/KR100235387B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-03-10 DE DE19709761A patent/DE19709761C2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160001660A (ko) * | 2014-06-26 | 2016-01-06 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 하전 입자 빔 묘화 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970067578A (ko) | 1997-10-13 |
| KR100235387B1 (ko) | 1999-12-15 |
| US5821550A (en) | 1998-10-13 |
| DE19709761C2 (de) | 2002-11-21 |
| DE19709761A1 (de) | 1997-10-02 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030603 |