JP2963973B2 - バッチ式コールドウォール処理装置及びそのクリーニング方法 - Google Patents
バッチ式コールドウォール処理装置及びそのクリーニング方法Info
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- JP2963973B2 JP2963973B2 JP5254684A JP25468493A JP2963973B2 JP 2963973 B2 JP2963973 B2 JP 2963973B2 JP 5254684 A JP5254684 A JP 5254684A JP 25468493 A JP25468493 A JP 25468493A JP 2963973 B2 JP2963973 B2 JP 2963973B2
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- processing
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、バッチ式コールドウォ
ール処理装置及びそのクリーニング方法に関する。
ール処理装置及びそのクリーニング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】最近半導体集積回路素子は益々高集積化
されて来ており、その集積度が64MDRAMから25
6MDRAMの世代に入りつつある。そのため配線構造
の多層化及び微細化が一層顕著になって来ている。この
ように配線構造が多層化するに従って配線工程のステッ
プが増加し、配線工程の効率化及び防塵対策が従来以上
に問題になって来ている。また、配線構造の微細化が進
むに従って、従来のアルミニウム(Al)配線ではマイ
グレーション断線などが問題となり、Alに代わる材料
としてタングステン(W)などのマイグレーション耐性
に優れた金属が配線材料として種々検討されている。ま
た、配線構造の多層化が進むに従ってコンタクトホー
ル、ビアホールなどの埋め込みについても材料面など種
々検討されている。更に、被処理体の大口径化及び多層
化に伴って各層でのカバレッジ性も重要になって来る。
されて来ており、その集積度が64MDRAMから25
6MDRAMの世代に入りつつある。そのため配線構造
の多層化及び微細化が一層顕著になって来ている。この
ように配線構造が多層化するに従って配線工程のステッ
プが増加し、配線工程の効率化及び防塵対策が従来以上
に問題になって来ている。また、配線構造の微細化が進
むに従って、従来のアルミニウム(Al)配線ではマイ
グレーション断線などが問題となり、Alに代わる材料
としてタングステン(W)などのマイグレーション耐性
に優れた金属が配線材料として種々検討されている。ま
た、配線構造の多層化が進むに従ってコンタクトホー
ル、ビアホールなどの埋め込みについても材料面など種
々検討されている。更に、被処理体の大口径化及び多層
化に伴って各層でのカバレッジ性も重要になって来る。
【0003】例えばタングステンを配線膜として成膜す
る場合には、カバレッジ性に優れたCVD法によるブラ
ンケットW配線が検討されている。このブランケットW
による配線膜は剥がれ易い欠点があり、それ故パーティ
クルを発生し易い難点があるため、その防止策として窒
化チタン(TiN)などの密着層を下地層として設ける
方法が採られている。一方、このTiNは従来はスパッ
タ法により成膜していたが、スパッタ法ではアスペクト
比の高いホール底部でのカバレッジ性に限界があるた
め、TiNについてもカバレッジ性に優れたCVD法に
よる成膜が検討されている。
る場合には、カバレッジ性に優れたCVD法によるブラ
ンケットW配線が検討されている。このブランケットW
による配線膜は剥がれ易い欠点があり、それ故パーティ
クルを発生し易い難点があるため、その防止策として窒
化チタン(TiN)などの密着層を下地層として設ける
方法が採られている。一方、このTiNは従来はスパッ
タ法により成膜していたが、スパッタ法ではアスペクト
比の高いホール底部でのカバレッジ性に限界があるた
め、TiNについてもカバレッジ性に優れたCVD法に
よる成膜が検討されている。
【0004】斯くして、これらの金属配線膜の形成には
種々の材料による成膜処理が行なわれ、その配線種及び
その材料によって種々のCVD装置が適用される。その
CVD装置としては大別してホットウォール処理装置と
コールドウォール処理装置があり、タングステンなどの
金属配線膜の形成には反応室、つまり処理室を加熱しな
いコールドウォール処理装置が主として用いられる。更
に、このコールドウォール処理装置には熱エネルギーを
利用した熱CVD処理装置と、プラズマエネルギーを利
用したプラズマCVD処理装置とがあり、いずれも被処
理体を1枚ずつ処理する枚葉式が主流である。一方の熱
CVD処理装置は、減圧状態の処理室内のサセプタで支
持された被処理体を加熱すると共にプロセスガス供給部
から被処理体に向けてプロセスガスを均等に供給し、加
熱された被処理体を熱源としてプロセスガスが反応し、
被処理体表面に所定の成膜を行なうようにしたものが一
般的である。他方、プラズマ処理装置は熱エネルギーで
は励起し難いプロセスガスに対して適用される。このプ
ラズマCVD処理装置は、処理室内に一対の電極を有
し、減圧下で一方の電極で被処理体を支持すると共に処
理室内に他方の電極を兼ねたプロセスガス供給部からプ
ロセスガスを供給し、この状態で両電極間で真空放電さ
せ、この放電エネルギーによりプラズマを生成させ、そ
の活性種の反応生成物で被処理体の表面を成膜するもの
が一般的である。更に、成膜処理の生産効率を高める装
置として、一度に複数枚の被処理体を同時に処理できる
バッチ式のコールドウォール処理装置がある。
種々の材料による成膜処理が行なわれ、その配線種及び
その材料によって種々のCVD装置が適用される。その
CVD装置としては大別してホットウォール処理装置と
コールドウォール処理装置があり、タングステンなどの
金属配線膜の形成には反応室、つまり処理室を加熱しな
いコールドウォール処理装置が主として用いられる。更
に、このコールドウォール処理装置には熱エネルギーを
利用した熱CVD処理装置と、プラズマエネルギーを利
用したプラズマCVD処理装置とがあり、いずれも被処
理体を1枚ずつ処理する枚葉式が主流である。一方の熱
CVD処理装置は、減圧状態の処理室内のサセプタで支
持された被処理体を加熱すると共にプロセスガス供給部
から被処理体に向けてプロセスガスを均等に供給し、加
熱された被処理体を熱源としてプロセスガスが反応し、
被処理体表面に所定の成膜を行なうようにしたものが一
般的である。他方、プラズマ処理装置は熱エネルギーで
は励起し難いプロセスガスに対して適用される。このプ
ラズマCVD処理装置は、処理室内に一対の電極を有
し、減圧下で一方の電極で被処理体を支持すると共に処
理室内に他方の電極を兼ねたプロセスガス供給部からプ
ロセスガスを供給し、この状態で両電極間で真空放電さ
せ、この放電エネルギーによりプラズマを生成させ、そ
の活性種の反応生成物で被処理体の表面を成膜するもの
が一般的である。更に、成膜処理の生産効率を高める装
置として、一度に複数枚の被処理体を同時に処理できる
バッチ式のコールドウォール処理装置がある。
【0005】このバッチ式コールドウォール処理装置は
熱CVD、プラズマCVDのいずれの場合にも、例えば
処理室内に複数のサセプタを有し、これらのサセプタの
上方にそれそれのサセプタに対応させたプロセスガス供
給部が配設されている。複数のサセプタは処理室内で回
転可能な一つの回転体に装着され、この回転体の回転に
よりサセプタを搬入、搬出口に位置させ、被処理体をロ
ード、アンロードするように構成されている。そして、
熱CVD処理装置の場合にはサセプタを加熱用ランプな
どにより加熱するように構成され、またプラズマCVD
処理装置の場合にはサセプタ及びプロセスガス供給部が
一対の電極として構成されたものである。
熱CVD、プラズマCVDのいずれの場合にも、例えば
処理室内に複数のサセプタを有し、これらのサセプタの
上方にそれそれのサセプタに対応させたプロセスガス供
給部が配設されている。複数のサセプタは処理室内で回
転可能な一つの回転体に装着され、この回転体の回転に
よりサセプタを搬入、搬出口に位置させ、被処理体をロ
ード、アンロードするように構成されている。そして、
熱CVD処理装置の場合にはサセプタを加熱用ランプな
どにより加熱するように構成され、またプラズマCVD
処理装置の場合にはサセプタ及びプロセスガス供給部が
一対の電極として構成されたものである。
【0006】そして、サセプタをプロセスガス供給部に
対向させた状態で熱CVDあるいはプラズマCVDによ
り成膜処理を行なうと、それぞれの被処理体に所定の配
線膜などが成膜される。この成膜処理を繰り返し行なう
と、いずれの場合にも処理室内のサセプタ、プロセスガ
ス供給部及び処理室内面などにも被処理体と同様の被膜
が形成される。これらの被膜がいずれはそれぞれの部分
から剥離して処理室内に剥がれ落ち、あるいはパーティ
クルとして処理室内で浮遊し、処理中の被処理体を汚染
することになる。そのため、従来から所定回数の成膜処
理などが終了する度に処理室内をクリーニングしてパー
ティクル等の汚染物を除去することによって被処理体の
汚染をなくすようにして来た。
対向させた状態で熱CVDあるいはプラズマCVDによ
り成膜処理を行なうと、それぞれの被処理体に所定の配
線膜などが成膜される。この成膜処理を繰り返し行なう
と、いずれの場合にも処理室内のサセプタ、プロセスガ
ス供給部及び処理室内面などにも被処理体と同様の被膜
が形成される。これらの被膜がいずれはそれぞれの部分
から剥離して処理室内に剥がれ落ち、あるいはパーティ
クルとして処理室内で浮遊し、処理中の被処理体を汚染
することになる。そのため、従来から所定回数の成膜処
理などが終了する度に処理室内をクリーニングしてパー
ティクル等の汚染物を除去することによって被処理体の
汚染をなくすようにして来た。
【0007】そのクリーニング方法としては、装置自体
を解体し、汚染物を洗浄したり拭き取ったりする方法が
ある。しかし、この方法は、処理室を解体するためクリ
ーニングに多大な時間を要し、稼動効率が著しく低下す
るため、得策ではない。そこで、プラズマCVD装置の
場合には、装置を解体することなく、処理室内でNF3
ガスなどのクリーニングガスをプラズマ化してサセプ
タ、電極などに形成された被膜あるいは付着したパーテ
ィクルなどをエッチングにより除去する方法もある。こ
の方法は装置自体は解体せずにクリーニングできるた
め、簡便でクリーニングに要する時間を短縮することが
でるため、クリーニング方法としては有効な方法であ
る。
を解体し、汚染物を洗浄したり拭き取ったりする方法が
ある。しかし、この方法は、処理室を解体するためクリ
ーニングに多大な時間を要し、稼動効率が著しく低下す
るため、得策ではない。そこで、プラズマCVD装置の
場合には、装置を解体することなく、処理室内でNF3
ガスなどのクリーニングガスをプラズマ化してサセプ
タ、電極などに形成された被膜あるいは付着したパーテ
ィクルなどをエッチングにより除去する方法もある。こ
の方法は装置自体は解体せずにクリーニングできるた
め、簡便でクリーニングに要する時間を短縮することが
でるため、クリーニング方法としては有効な方法であ
る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、NF3
ガスなどのプラズマを利用して処理室内をクリーニング
する従来の方法では、プラズマがサセプタ、電極間で発
生し、その近傍までしかプラズマが及ばないため、プラ
ズマによるクリーニング範囲はサセプタ、電極及びこれ
らの近傍に限られ、プラズマの及ばない、処理室の底部
などはクリーニングすることができないという課題があ
った。また、この場合にはプラズマによりサセプタ、プ
ロセスガス供給部などに形成された被膜のみならず、サ
セプタ、プロセスガス供給部などもエッチングされ、こ
れらが激しく消耗されるという課題があった。
ガスなどのプラズマを利用して処理室内をクリーニング
する従来の方法では、プラズマがサセプタ、電極間で発
生し、その近傍までしかプラズマが及ばないため、プラ
ズマによるクリーニング範囲はサセプタ、電極及びこれ
らの近傍に限られ、プラズマの及ばない、処理室の底部
などはクリーニングすることができないという課題があ
った。また、この場合にはプラズマによりサセプタ、プ
ロセスガス供給部などに形成された被膜のみならず、サ
セプタ、プロセスガス供給部などもエッチングされ、こ
れらが激しく消耗されるという課題があった。
【0009】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、処理装置をクリーニングの目的で解体する
ことなく、プラズマレスで構成部材を損ねるこなく処理
室内を完全にクリーニングすることができ、半導体集積
回路素子の製造時に問題となるパーティクルなどの汚染
源を除去でき、しかも極めて低コストでクリーニングシ
ステムを構築できるバッチ式コールドウォール処理装置
及びそのクリーニング方法を提供することを目的として
いる。
れたもので、処理装置をクリーニングの目的で解体する
ことなく、プラズマレスで構成部材を損ねるこなく処理
室内を完全にクリーニングすることができ、半導体集積
回路素子の製造時に問題となるパーティクルなどの汚染
源を除去でき、しかも極めて低コストでクリーニングシ
ステムを構築できるバッチ式コールドウォール処理装置
及びそのクリーニング方法を提供することを目的として
いる。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
のバッチ式コールドウォール処理装置は、複数枚の被処
理体を収納する処理室と、この処理室内に配設され且つ
複数枚の被処理体を1枚ずつ個別に支持する複数の支持
体と、これらの支持体で支持された被処理体に向けて金
属配線膜用のプロセスガスをそれぞれ供給する複数のプ
ロセスガス供給部と、このプロセスガス供給部から供給
されたプロセスガスを活性化するガス活性化手段と、上
記処理室の外壁面に設けられた冷却用ジャケットとを備
え、上記処理室の壁面を上記冷却用ジャケットを介して
冷却して50℃以下に保持した状態で上記被処理体に金
属配線膜の成膜処理を行なうバッチ式コールドウォール
処理装置であって、上記処理室にガス供給部及びガス排
気部をそれぞれ設けると共に上記ガス供給部にクリーニ
ングガス供給系を接続し、このクリーニングガス供給系
からガス供給部を介して処理室内にClF3ガスを供給
し、上記冷却用ジャケットを介して上記壁面を冷却して
50℃以下に保持した状態で上記ClF3ガスにより処
理室の内部に付着した付着物をクリーニングするように
構成されたものである。
のバッチ式コールドウォール処理装置は、複数枚の被処
理体を収納する処理室と、この処理室内に配設され且つ
複数枚の被処理体を1枚ずつ個別に支持する複数の支持
体と、これらの支持体で支持された被処理体に向けて金
属配線膜用のプロセスガスをそれぞれ供給する複数のプ
ロセスガス供給部と、このプロセスガス供給部から供給
されたプロセスガスを活性化するガス活性化手段と、上
記処理室の外壁面に設けられた冷却用ジャケットとを備
え、上記処理室の壁面を上記冷却用ジャケットを介して
冷却して50℃以下に保持した状態で上記被処理体に金
属配線膜の成膜処理を行なうバッチ式コールドウォール
処理装置であって、上記処理室にガス供給部及びガス排
気部をそれぞれ設けると共に上記ガス供給部にクリーニ
ングガス供給系を接続し、このクリーニングガス供給系
からガス供給部を介して処理室内にClF3ガスを供給
し、上記冷却用ジャケットを介して上記壁面を冷却して
50℃以下に保持した状態で上記ClF3ガスにより処
理室の内部に付着した付着物をクリーニングするように
構成されたものである。
【0011】また、本発明の請求項2に記載のバッチ式
コールドウォール処理装置は、請求項1に記載の発明に
おいて、上記活性化手段として上記支持体を介して上記
被処理体を加熱する加熱手段を設けたものである。
コールドウォール処理装置は、請求項1に記載の発明に
おいて、上記活性化手段として上記支持体を介して上記
被処理体を加熱する加熱手段を設けたものである。
【0012】また、本発明の請求項3に記載のバッチ式
コールドウォール処理装置は、請求項1に記載の発明に
おいて、上記活性化手段として上記支持体と上記プロセ
スガス供給部間で上記プロセスガスをプラズマ化する高
周波電源を設けたものである。
コールドウォール処理装置は、請求項1に記載の発明に
おいて、上記活性化手段として上記支持体と上記プロセ
スガス供給部間で上記プロセスガスをプラズマ化する高
周波電源を設けたものである。
【0013】また、本発明の請求項4に記載のバッチ式
コールドウォール処理装置のクリーニング方法は、処理
室内に金属配線膜用のプロセスガスを供給すると共に処
理室の壁面をその外面に設けられた冷却用ジャケットを
介して50℃以下に保持して上記処理室内で複数の被処
理体に金属配線膜の成膜処理を行なうバッチ式コールド
ウォール処理装置の上記処理室の内部をクリーニングす
る方法であって、上記処理室内で成膜処理を施した被処
理体を外部へ搬送した後、上記処理室内にClF3ガス
を供給し、上記冷却用ジャケットを介して上記壁面を冷
却して50℃以下に保持した状態で上記ClF3ガスに
より処理室の内部に成膜時に付着した付着物をクリーニ
ングするようにしたものである。
コールドウォール処理装置のクリーニング方法は、処理
室内に金属配線膜用のプロセスガスを供給すると共に処
理室の壁面をその外面に設けられた冷却用ジャケットを
介して50℃以下に保持して上記処理室内で複数の被処
理体に金属配線膜の成膜処理を行なうバッチ式コールド
ウォール処理装置の上記処理室の内部をクリーニングす
る方法であって、上記処理室内で成膜処理を施した被処
理体を外部へ搬送した後、上記処理室内にClF3ガス
を供給し、上記冷却用ジャケットを介して上記壁面を冷
却して50℃以下に保持した状態で上記ClF3ガスに
より処理室の内部に成膜時に付着した付着物をクリーニ
ングするようにしたものである。
【0014】また、本発明の請求項5に記載のバッチ式
コールドウォール処理装置のクリーニング方法は、請求
項4に記載の発明において、上記処理室から被処理体の
処理後のガスを排気する排気系配管を介して上記ClF
3ガスを排気するようにしたものである。
コールドウォール処理装置のクリーニング方法は、請求
項4に記載の発明において、上記処理室から被処理体の
処理後のガスを排気する排気系配管を介して上記ClF
3ガスを排気するようにしたものである。
【0015】
【作用】本発明の請求項1及び請求項4に記載の発明に
よれば、処理室の外壁面に設けられた冷却用ジャケット
を介して処理室の壁面を50℃以下に保持した状態で複
数のプロセスガス供給部から処理室内の支持体で支持さ
れた複数の被処理体に向けて金属配線膜用のプロセスガ
スを供給し、このプロセスガスをガス活性化手段によっ
て活性化して複数の被処理体を同時に処理し、成膜処理
後の各被処理体をそれぞれ外部へ搬送した後、上記冷却
用ジャケットを介して処理室の壁面を冷却して50℃以
下に保持した状態でクリーニングガス供給系からガス供
給部を介して処理室内にClF3ガスを供給すると、C
lF3ガスが処理室の内面及び内部の支持体等の構成部
材に付着した付着物と反応し、この時の反応熱で更にC
lF3ガスが活性化され、この活性化したClF3ガス
が付着物との反応が促進されて処理室内に成膜時に付着
した付着物を除去することができる。
よれば、処理室の外壁面に設けられた冷却用ジャケット
を介して処理室の壁面を50℃以下に保持した状態で複
数のプロセスガス供給部から処理室内の支持体で支持さ
れた複数の被処理体に向けて金属配線膜用のプロセスガ
スを供給し、このプロセスガスをガス活性化手段によっ
て活性化して複数の被処理体を同時に処理し、成膜処理
後の各被処理体をそれぞれ外部へ搬送した後、上記冷却
用ジャケットを介して処理室の壁面を冷却して50℃以
下に保持した状態でクリーニングガス供給系からガス供
給部を介して処理室内にClF3ガスを供給すると、C
lF3ガスが処理室の内面及び内部の支持体等の構成部
材に付着した付着物と反応し、この時の反応熱で更にC
lF3ガスが活性化され、この活性化したClF3ガス
が付着物との反応が促進されて処理室内に成膜時に付着
した付着物を除去することができる。
【0016】また、本発明の請求項2に記載の発明によ
れば、請求項1に記載の発明において、上記活性化手段
として上記支持体を介して上記被処理体を加熱する加熱
手段を設けたため、上記支持体上の被処理体の表面で上
記プロセスガスが熱反応して被処理体の表面に金属配線
膜を成膜することができる。
れば、請求項1に記載の発明において、上記活性化手段
として上記支持体を介して上記被処理体を加熱する加熱
手段を設けたため、上記支持体上の被処理体の表面で上
記プロセスガスが熱反応して被処理体の表面に金属配線
膜を成膜することができる。
【0017】また、本発明の請求項3に記載の発明によ
れば、請求項1に記載の発明において、上記活性化手段
として上記支持体と上記プロセスガス供給部間で上記プ
ロセスガスをプラズマ化する高周波電源を設けたため、
上記支持体上の被処理体表面にプラズマ処理を施して金
属配線膜を成膜することができる。
れば、請求項1に記載の発明において、上記活性化手段
として上記支持体と上記プロセスガス供給部間で上記プ
ロセスガスをプラズマ化する高周波電源を設けたため、
上記支持体上の被処理体表面にプラズマ処理を施して金
属配線膜を成膜することができる。
【0018】また、本発明の請求項5に記載の発明によ
れば、請求項4に記載の発明において、ClF3ガスを
排気系配管から排気すると、このClF3ガスが排気系
配管を通過する間にその内面に成膜時に形成された被膜
及びこの被膜に起因したパーティクルなどの付着物と反
応し、その付着物を除去することができる。
れば、請求項4に記載の発明において、ClF3ガスを
排気系配管から排気すると、このClF3ガスが排気系
配管を通過する間にその内面に成膜時に形成された被膜
及びこの被膜に起因したパーティクルなどの付着物と反
応し、その付着物を除去することができる。
【0019】
【実施例】以下、図1〜図3に示す実施例に基づいて本
発明を説明する。まず、本実施例のバッチ式コールドウ
ォール処理装置について説明する。本実施例のバッチ式
コールドウォール処理装置は、図1に示すように、被処
理体、例えば半導体ウエハ1を1枚ずつ処理する処理室
2を有している。この処理室2は、図1に示すように、
アルミニウムなどから円筒状として形成されている。ま
た、この処理室2の外面には冷却ジャケット3が配設さ
れ、この冷却ジャケット3により処理室2の壁面を水冷
し、その温度を0〜50℃の温度範囲に制御できるよう
に構成されている。この処理室2内の底面2Aには円環
状に形成された回転体4が回転可能に配設されている。
そして、この円環状の回転体4には半導体ウエハ1を1
枚ずつ水平に支持する支持体としてのサセプタ5が周方
向等間隔に例えば図2に示すように8箇所に装着されて
いる。これらのサセプタ5は回転体4から多少突出した
円盤状に形成されている。そして、これらのサセプタ5
の下方には例えば発熱抵抗体からなる加熱体6が回転体
4内に埋設され、これらの加熱体6により各サセプタ5
を個別に加熱できるように構成されている。また、これ
らのサセプタ5及び加熱体6を有する回転体4の中心部
にはその表面から処理室2の底面を下方へ貫通した中空
状の回転軸7が連結されている。この回転軸7の下方に
は例えば歯車8が取り付けられ、更にこの歯車8には駆
動モータ9の回転軸8Aに取り付けられた歯車9Bが噛
合している。従って、回転体4は、駆動モータ9の回転
軸9B、歯車9A、歯車9及び回転軸7を介して伝達さ
れる回転力により図1、図2の矢印方向へ回転するよう
に構成されている。
発明を説明する。まず、本実施例のバッチ式コールドウ
ォール処理装置について説明する。本実施例のバッチ式
コールドウォール処理装置は、図1に示すように、被処
理体、例えば半導体ウエハ1を1枚ずつ処理する処理室
2を有している。この処理室2は、図1に示すように、
アルミニウムなどから円筒状として形成されている。ま
た、この処理室2の外面には冷却ジャケット3が配設さ
れ、この冷却ジャケット3により処理室2の壁面を水冷
し、その温度を0〜50℃の温度範囲に制御できるよう
に構成されている。この処理室2内の底面2Aには円環
状に形成された回転体4が回転可能に配設されている。
そして、この円環状の回転体4には半導体ウエハ1を1
枚ずつ水平に支持する支持体としてのサセプタ5が周方
向等間隔に例えば図2に示すように8箇所に装着されて
いる。これらのサセプタ5は回転体4から多少突出した
円盤状に形成されている。そして、これらのサセプタ5
の下方には例えば発熱抵抗体からなる加熱体6が回転体
4内に埋設され、これらの加熱体6により各サセプタ5
を個別に加熱できるように構成されている。また、これ
らのサセプタ5及び加熱体6を有する回転体4の中心部
にはその表面から処理室2の底面を下方へ貫通した中空
状の回転軸7が連結されている。この回転軸7の下方に
は例えば歯車8が取り付けられ、更にこの歯車8には駆
動モータ9の回転軸8Aに取り付けられた歯車9Bが噛
合している。従って、回転体4は、駆動モータ9の回転
軸9B、歯車9A、歯車9及び回転軸7を介して伝達さ
れる回転力により図1、図2の矢印方向へ回転するよう
に構成されている。
【0020】一方、各サセプタ5の上方にはガス分散供
給部10が各サセプタ5に対向して配設され、これらの
ガス分散供給部10から後述のようにプロセスガスまた
はクリーニングガスを処理室2内へ供給するように構成
されている。これらのガス分散供給部10はそれぞれ中
空の円盤状に形成され、それぞれの上面中央にガス供給
配管10Aが接続され、それぞれの下面には多数のガス
供給孔10Bが形成されている。これらのガス分散供給
部10のガス供給配管10Aにはそれぞれ図1に示すよ
うにプロセスガスを供給するプロセスガス供給系11が
配管12を介して接続され、この配管12に取り付けら
れたバルブ13を開放することにより所定のプロセスガ
スをガス分散供給部10を介して処理室2内に供給する
ように構成されている。そして、この処理室2内で例え
ばブランケットW処理を行なう場合にはプロセスガス供
給系11からガス分散供給部10へ例えば六フッ化タン
グステン(WF6)及び水素をプロセスガスとして供給
し、ガス分散供給部10の下面に多数分散させて形成さ
れガス供給孔10Bから処理室2内のサセプタ5上の半
導体ウエハ1へプロセスガスを均等に供給して熱CVD
により半導体ウエハ1の表面にタングステン薄膜を成膜
するように構成されている。尚、金属配線用のプロセス
ガスとしては、ハロゲン化物、カルボニル化合物、有機
金属化合物があり、これらは還元性ガスと共に供給され
る。そして、プロセスガスは比較的蒸気圧の低い化合物
が配線材料としては好ましい。
給部10が各サセプタ5に対向して配設され、これらの
ガス分散供給部10から後述のようにプロセスガスまた
はクリーニングガスを処理室2内へ供給するように構成
されている。これらのガス分散供給部10はそれぞれ中
空の円盤状に形成され、それぞれの上面中央にガス供給
配管10Aが接続され、それぞれの下面には多数のガス
供給孔10Bが形成されている。これらのガス分散供給
部10のガス供給配管10Aにはそれぞれ図1に示すよ
うにプロセスガスを供給するプロセスガス供給系11が
配管12を介して接続され、この配管12に取り付けら
れたバルブ13を開放することにより所定のプロセスガ
スをガス分散供給部10を介して処理室2内に供給する
ように構成されている。そして、この処理室2内で例え
ばブランケットW処理を行なう場合にはプロセスガス供
給系11からガス分散供給部10へ例えば六フッ化タン
グステン(WF6)及び水素をプロセスガスとして供給
し、ガス分散供給部10の下面に多数分散させて形成さ
れガス供給孔10Bから処理室2内のサセプタ5上の半
導体ウエハ1へプロセスガスを均等に供給して熱CVD
により半導体ウエハ1の表面にタングステン薄膜を成膜
するように構成されている。尚、金属配線用のプロセス
ガスとしては、ハロゲン化物、カルボニル化合物、有機
金属化合物があり、これらは還元性ガスと共に供給され
る。そして、プロセスガスは比較的蒸気圧の低い化合物
が配線材料としては好ましい。
【0021】また、配管12には図1に示すようにクリ
ーニングガスを供給するクリーニングガス供給系14が
配管15を介して接続され、クリーニング時にはこのク
リーニングガス供給系14から配管15、配管12、各
ガス分散供給部10を介して処理室2内の各サセプタ5
上へクリーニングガスを供給するように構成されてい
る。即ち、これらのガス分散供給部10は処理室2のク
リーニングガスの供給部としての役割も果たしている。
このクリーニングガス供給系14は、クリーニングガス
であるClF3ガスを貯留するClF3ガスボンベ16
と、このClF3ガスを希釈する希釈用ガス、例えば窒
素ガスを貯留する窒素ガスボンベ17を備え、これら両
者16、17はそれぞれ配管15から分岐する配管15
A、15Bの端部にそれぞれ接続されている。ClF3
ガスボンベ15が接続された配管15A には上流側か
ら下流側へバルブ18、マスフローコントローラ19、
バルブ20が順次配設され、また、窒素ガスボンベ17
が接続された配管15Bには上流側から下流側へバルブ
21、マスフローコントローラ22、バルブ23が順次
配設され、これら両者16、17からのガスが配管15
で合流し、バルブ24を開放することにより配管15、
12、10Aを介して処理室2内へクリーニングガスを
供給できるように構成されている。
ーニングガスを供給するクリーニングガス供給系14が
配管15を介して接続され、クリーニング時にはこのク
リーニングガス供給系14から配管15、配管12、各
ガス分散供給部10を介して処理室2内の各サセプタ5
上へクリーニングガスを供給するように構成されてい
る。即ち、これらのガス分散供給部10は処理室2のク
リーニングガスの供給部としての役割も果たしている。
このクリーニングガス供給系14は、クリーニングガス
であるClF3ガスを貯留するClF3ガスボンベ16
と、このClF3ガスを希釈する希釈用ガス、例えば窒
素ガスを貯留する窒素ガスボンベ17を備え、これら両
者16、17はそれぞれ配管15から分岐する配管15
A、15Bの端部にそれぞれ接続されている。ClF3
ガスボンベ15が接続された配管15A には上流側か
ら下流側へバルブ18、マスフローコントローラ19、
バルブ20が順次配設され、また、窒素ガスボンベ17
が接続された配管15Bには上流側から下流側へバルブ
21、マスフローコントローラ22、バルブ23が順次
配設され、これら両者16、17からのガスが配管15
で合流し、バルブ24を開放することにより配管15、
12、10Aを介して処理室2内へクリーニングガスを
供給できるように構成されている。
【0022】また、これらのガス分散供給部10から処
理室2内へ供給されたガスは、回転体4の回転軸7内に
挿着された排気管25を介して外部へ排出するように構
成されている。この排気管25の下流側には真空ポンプ
26が取り付けられ、、この真空ポンプ26により処理
室2内を排気して所定の真空度を維持するように構成さ
れている。この真空ポンプ26は本発明のクリーニング
方法を実施する場合にもクリーニングガスの排気用とし
て兼用することができる。従って、この排気管25は処
理室2のクリーニングガスの排気部としての役割も果た
している。この真空ポンプ26としては排気されるガス
の影響を受けないようにオイルフリーのドライポンプを
用いることが好ましい。更に、この真空ポンプ26の下
流側には真空ポンプ26から排気されたプロセスガス、
クリーニングガスなどの有害なガスを捕捉して排気ガス
からこれらの有害ガスを除去する除害装置27が配設さ
れ、この除害装置27としてはClF3を良く溶解する
溶剤、例えばアルカリ溶液などを満たしたものが用いら
れる。
理室2内へ供給されたガスは、回転体4の回転軸7内に
挿着された排気管25を介して外部へ排出するように構
成されている。この排気管25の下流側には真空ポンプ
26が取り付けられ、、この真空ポンプ26により処理
室2内を排気して所定の真空度を維持するように構成さ
れている。この真空ポンプ26は本発明のクリーニング
方法を実施する場合にもクリーニングガスの排気用とし
て兼用することができる。従って、この排気管25は処
理室2のクリーニングガスの排気部としての役割も果た
している。この真空ポンプ26としては排気されるガス
の影響を受けないようにオイルフリーのドライポンプを
用いることが好ましい。更に、この真空ポンプ26の下
流側には真空ポンプ26から排気されたプロセスガス、
クリーニングガスなどの有害なガスを捕捉して排気ガス
からこれらの有害ガスを除去する除害装置27が配設さ
れ、この除害装置27としてはClF3を良く溶解する
溶剤、例えばアルカリ溶液などを満たしたものが用いら
れる。
【0023】更にまた、本実施例のバッチ式コールドウ
ォール処理装置では、そのサセプタ5はグランド電位に
保持するように構成されており、また、このサセプタ5
に対向するガス分散供給部10には高周波電源28に接
続されている。そして、各ガス分散供給部10に高周波
電源28により高周波電圧を印加すれば、ガス分散供給
部10とサセプタ5間で電位差を生じるように構成され
ている。従って、真空ポンプ26により処理室2内を排
気し、処理室2内を所定の真空度に保持しながら各ガス
分散供給部10から処理室2内へプロセスガスを導入し
た状態で、各ガス分散供給部10に高周波電源28によ
り高周波電圧を印加すれば、電極対をなすサセプタ5と
ガス分散供給部10との間で真空放電し、これら両者
4、9間でプロセスガスがプラズマ化し、このプラズマ
によりサセプタ5上で加熱体6により加熱された半導体
ウエハ1の表面に所定の金属薄膜で成膜をできるように
構成されている。つまり、本実施例のバッチ式コールド
ウォール処理装置は熱CVD処理装置としても、プラズ
マCVD処理装置としても使用できるように構成されて
いる。尚、図1において、29は処理室2の搬入、搬出
口に取り付けられたゲートバルブで、このゲートバルブ
29を介して半導体ウエハ1を処理室2内へ搬入、搬出
する搬送室30に処理室2を接続することができる。
ォール処理装置では、そのサセプタ5はグランド電位に
保持するように構成されており、また、このサセプタ5
に対向するガス分散供給部10には高周波電源28に接
続されている。そして、各ガス分散供給部10に高周波
電源28により高周波電圧を印加すれば、ガス分散供給
部10とサセプタ5間で電位差を生じるように構成され
ている。従って、真空ポンプ26により処理室2内を排
気し、処理室2内を所定の真空度に保持しながら各ガス
分散供給部10から処理室2内へプロセスガスを導入し
た状態で、各ガス分散供給部10に高周波電源28によ
り高周波電圧を印加すれば、電極対をなすサセプタ5と
ガス分散供給部10との間で真空放電し、これら両者
4、9間でプロセスガスがプラズマ化し、このプラズマ
によりサセプタ5上で加熱体6により加熱された半導体
ウエハ1の表面に所定の金属薄膜で成膜をできるように
構成されている。つまり、本実施例のバッチ式コールド
ウォール処理装置は熱CVD処理装置としても、プラズ
マCVD処理装置としても使用できるように構成されて
いる。尚、図1において、29は処理室2の搬入、搬出
口に取り付けられたゲートバルブで、このゲートバルブ
29を介して半導体ウエハ1を処理室2内へ搬入、搬出
する搬送室30に処理室2を接続することができる。
【0024】さて、本実施例のバッチ式コールドウォー
ル処理装置において本発明のクリーニング方法を実施す
る場合には、そのゲートバルブ29を閉じて処理室2を
外部から遮断した後、クリーニングガス供給系14から
ガス分散供給部10を介して処理室2に対して希釈用ガ
スを含むことがあるClF3ガスをクリーニングガスと
して供給し、処理室2の排気管25を介して真空ポンプ
26により外部へ排気し、この間にクリーニングガスに
より処理室2の内部に付着した被膜等の付着物をクリー
ニングするように構成されている。このクリーニングガ
スは予め定められた濃度で各チャンバー内に分布した時
点で所定時間排気を停止して良く、また、排気停止後予
め定められた時間を経過した後クリーニングガスの供給
を停止するようにしても良い。また排気とクリーニング
ガスの供給をパルス的に繰り返して実施しても良い。ク
リーニングガスはClF3ガスあるいは窒素ガスなどの
希釈 用ガスを含むガスとして構成されている。このC
lF3は化学的に活性で、特に 金属系、非金属系の被
膜と良く反応し、これらの付着物を効果的に除去するこ
とができる。
ル処理装置において本発明のクリーニング方法を実施す
る場合には、そのゲートバルブ29を閉じて処理室2を
外部から遮断した後、クリーニングガス供給系14から
ガス分散供給部10を介して処理室2に対して希釈用ガ
スを含むことがあるClF3ガスをクリーニングガスと
して供給し、処理室2の排気管25を介して真空ポンプ
26により外部へ排気し、この間にクリーニングガスに
より処理室2の内部に付着した被膜等の付着物をクリー
ニングするように構成されている。このクリーニングガ
スは予め定められた濃度で各チャンバー内に分布した時
点で所定時間排気を停止して良く、また、排気停止後予
め定められた時間を経過した後クリーニングガスの供給
を停止するようにしても良い。また排気とクリーニング
ガスの供給をパルス的に繰り返して実施しても良い。ク
リーニングガスはClF3ガスあるいは窒素ガスなどの
希釈 用ガスを含むガスとして構成されている。このC
lF3は化学的に活性で、特に 金属系、非金属系の被
膜と良く反応し、これらの付着物を効果的に除去するこ
とができる。
【0025】そして、クリーニングガスがClF3ガス
のみである場合には、ClF3ガスの流量が5リットル
/分以下で、その温度がClF3の沸点(12℃)〜7
00℃、内部の圧 力が0.1〜100Torrの条件でクリ
ーニングすることが好ましい。ClF3ガスの流量が5
リットル/分を超えると、各チャンバーの構成部材を損
ねる虞がある。ClF3ガスの温度が沸点未満ではCl
F3が構成部材に結露してその構成部材を損ねる虞があ
り、700℃を超えてもClF3ガスの活性化されてや
はり構成部 材を損ねる虞がある。ClF3ガスの圧力
が0.1Torr未満ではクリーニング効果が期待できなく
なる虞があり、100Torrを超えると構成部材を損ねる
虞がある。また、ClF3ガスを主成分とするクリーニ
ングガスは、不活性ガス例えば窒素ガスでClF3を希
釈したものである。
のみである場合には、ClF3ガスの流量が5リットル
/分以下で、その温度がClF3の沸点(12℃)〜7
00℃、内部の圧 力が0.1〜100Torrの条件でクリ
ーニングすることが好ましい。ClF3ガスの流量が5
リットル/分を超えると、各チャンバーの構成部材を損
ねる虞がある。ClF3ガスの温度が沸点未満ではCl
F3が構成部材に結露してその構成部材を損ねる虞があ
り、700℃を超えてもClF3ガスの活性化されてや
はり構成部 材を損ねる虞がある。ClF3ガスの圧力
が0.1Torr未満ではクリーニング効果が期待できなく
なる虞があり、100Torrを超えると構成部材を損ねる
虞がある。また、ClF3ガスを主成分とするクリーニ
ングガスは、不活性ガス例えば窒素ガスでClF3を希
釈したものである。
【0026】次に、上記バッチ式コールドウォール処理
装置を用いた熱CVDによるブランケットWによる成膜
処理の一例について説明する。まず、処理室2の壁面を
冷却ジャケット3により50℃以下に冷却した状態で処
理室2内が所定の真空度になるように処理室2内を真空
ポンプ26により真空排気した後、プロセスガス供給系
11から各ガス分散供給部10へ六フッ化タングステン
(WF6)及 び水素をプロセスガスとして供給する
と、各ガス分散供給部10下面の分散孔10Aからプロ
セスガスが室内の各サセプタ5上の半導体ウエハ1へ均
等に供給される。この時、加熱体6の加熱作用によりサ
セプタ5上で支持された半導体ウエハ1が所定温度まで
加熱されいる。そのため、プロセスガスが加熱された半
導体ウエハ1に接触し、その熱エネルギーを得て、水素
でWF6を還元して半導体ウ エハ1の表面にタングス
テンの被膜を形成する。この処理でサセプタ5などその
他の部分にもタングステンの被膜を形成することにな
る。この間処理室2の壁面の温度を冷却ジャケット3に
よって常に50℃以下の温度に維持する。
装置を用いた熱CVDによるブランケットWによる成膜
処理の一例について説明する。まず、処理室2の壁面を
冷却ジャケット3により50℃以下に冷却した状態で処
理室2内が所定の真空度になるように処理室2内を真空
ポンプ26により真空排気した後、プロセスガス供給系
11から各ガス分散供給部10へ六フッ化タングステン
(WF6)及 び水素をプロセスガスとして供給する
と、各ガス分散供給部10下面の分散孔10Aからプロ
セスガスが室内の各サセプタ5上の半導体ウエハ1へ均
等に供給される。この時、加熱体6の加熱作用によりサ
セプタ5上で支持された半導体ウエハ1が所定温度まで
加熱されいる。そのため、プロセスガスが加熱された半
導体ウエハ1に接触し、その熱エネルギーを得て、水素
でWF6を還元して半導体ウ エハ1の表面にタングス
テンの被膜を形成する。この処理でサセプタ5などその
他の部分にもタングステンの被膜を形成することにな
る。この間処理室2の壁面の温度を冷却ジャケット3に
よって常に50℃以下の温度に維持する。
【0027】また、上記バッチ式コールドウォール処理
装置を用いたプラズマCVDによる窒化シリコン膜(S
i3N4)の成膜処理について説明する。例えば、真空
ポンプ26により所定の真空度に保たれた処理室2内の
サセプタ5上で半導体ウエハ1を支持し、加熱体6によ
りサセプタ5上の半導体ウエハ1を300〜400℃に
加熱する。これと並行してプロセスガス供給系11のバ
ルブ13を開き、ここから配管12、ガス分散供給部1
0を介して例えば所定比のシラン(SiH4)とアンモ
ニア(NH3)の混合ガスを処理室2内へ供給する。こ
の際、高周波電源 28によりガス分散供給部10に高
周波電圧を印加していると、サセプタ5とガス分散供給
部10間で真空放電が発生し、この真空放電によりサセ
プタ5とガス分散供給部10との間でSiH4とNH3
のプラズマを生成し、半導体ウエハ1の表面にシリコン
窒化膜を成膜する。この処理でサセプタ5などその他の
部分にもSi3N4の被膜を形成することになる。尚、
この場合にも処理室2の壁面の温度を冷却ジャケット3
によって冷却して常に50℃以下の温度に維持する。
装置を用いたプラズマCVDによる窒化シリコン膜(S
i3N4)の成膜処理について説明する。例えば、真空
ポンプ26により所定の真空度に保たれた処理室2内の
サセプタ5上で半導体ウエハ1を支持し、加熱体6によ
りサセプタ5上の半導体ウエハ1を300〜400℃に
加熱する。これと並行してプロセスガス供給系11のバ
ルブ13を開き、ここから配管12、ガス分散供給部1
0を介して例えば所定比のシラン(SiH4)とアンモ
ニア(NH3)の混合ガスを処理室2内へ供給する。こ
の際、高周波電源 28によりガス分散供給部10に高
周波電圧を印加していると、サセプタ5とガス分散供給
部10間で真空放電が発生し、この真空放電によりサセ
プタ5とガス分散供給部10との間でSiH4とNH3
のプラズマを生成し、半導体ウエハ1の表面にシリコン
窒化膜を成膜する。この処理でサセプタ5などその他の
部分にもSi3N4の被膜を形成することになる。尚、
この場合にも処理室2の壁面の温度を冷却ジャケット3
によって冷却して常に50℃以下の温度に維持する。
【0028】このような成膜処理により処理室2の内面
及びサセプタ5、処理室2のその他の部分にも被膜が形
成され、成膜処理を所定回繰り返す間に、そのタングス
テン被膜またはシリコン窒化膜等の被膜が積層されてい
ずれはこれらが剥離してパーティクルとして室内を浮遊
し清浄な半導体ウエハ1を汚染するようになることは前
述の通りである。これらが徐々に処理室2の底面などに
蓄積し、半導体ウエハ1の搬入、搬出時に舞い上がり半
導体ウエハ1を汚染する虞がある。そこで、所定回数の
成膜処理後、その処理を一旦中断しこれらのパーティク
ル等の塵埃を本発明のクリーニング方法により除去す
る。それにはまず、処理室2の加熱体6などの電源を切
った後、半導体ウエハ1が処理室2にない状態にする。
次いで、ゲートバルブ29を閉じて処理室2を外部から
遮断した後、プロセスガス供給系11からから配管1
2、各ガス分散供給部10を介して処理室2内へ希釈用
ガスを含むことがあるClF3ガスをクリ ーニングガ
スとして図1の矢印で示すように処理室2内のサセプタ
5に向けて供給することにより本実施例のクリーニング
を実施する。このクリーニングに際して処理室2を窒素
ガスなどで予め置換しておくことが好ましい。
及びサセプタ5、処理室2のその他の部分にも被膜が形
成され、成膜処理を所定回繰り返す間に、そのタングス
テン被膜またはシリコン窒化膜等の被膜が積層されてい
ずれはこれらが剥離してパーティクルとして室内を浮遊
し清浄な半導体ウエハ1を汚染するようになることは前
述の通りである。これらが徐々に処理室2の底面などに
蓄積し、半導体ウエハ1の搬入、搬出時に舞い上がり半
導体ウエハ1を汚染する虞がある。そこで、所定回数の
成膜処理後、その処理を一旦中断しこれらのパーティク
ル等の塵埃を本発明のクリーニング方法により除去す
る。それにはまず、処理室2の加熱体6などの電源を切
った後、半導体ウエハ1が処理室2にない状態にする。
次いで、ゲートバルブ29を閉じて処理室2を外部から
遮断した後、プロセスガス供給系11からから配管1
2、各ガス分散供給部10を介して処理室2内へ希釈用
ガスを含むことがあるClF3ガスをクリ ーニングガ
スとして図1の矢印で示すように処理室2内のサセプタ
5に向けて供給することにより本実施例のクリーニング
を実施する。このクリーニングに際して処理室2を窒素
ガスなどで予め置換しておくことが好ましい。
【0029】このクリーニングの際、ClF3の沸点よ
り高い、常温下で真空ポンプ26を駆動し、処理室2内
から窒素ガスを排気して処理室2内の真空度を所定値に
維持する共に処理室2の壁面を冷却ジャケット3により
冷却して50℃以下の常温に維持する。そして、この排
気状態下でクリーニングガス供給系14のバルブ18、
20を所定の開度で開放すると共にマスフローコントロ
ーラ19により処理室2におけるClF3ガスを所定の
流量、例えば5リットル/分以下の流量で配管15 を
介して供給する。このクリーニングガスを配管15に接
続された各ガス分散供給部10から処理室2内へ導入
し、処理室2でのClF3ガスの圧力を0.1〜100T
orrに維持する。この状態でクリーニングガスは処理室
2内に隅々まで行き渡り、処理室2内を隅々までクリー
ニングし、消費されたクリーニングガスは処理室2の排
気管25から真空ポンプ26などの排気系を介して常時
排気して更新しているため、クリーニング中は処理室2
内のクリーニングガスの圧力が0.1 〜100Torrで常
に新鮮なクリーニングガスを補充しているため、処理室
1内を隅々まで効率良くクリーニングすることができ
る。
り高い、常温下で真空ポンプ26を駆動し、処理室2内
から窒素ガスを排気して処理室2内の真空度を所定値に
維持する共に処理室2の壁面を冷却ジャケット3により
冷却して50℃以下の常温に維持する。そして、この排
気状態下でクリーニングガス供給系14のバルブ18、
20を所定の開度で開放すると共にマスフローコントロ
ーラ19により処理室2におけるClF3ガスを所定の
流量、例えば5リットル/分以下の流量で配管15 を
介して供給する。このクリーニングガスを配管15に接
続された各ガス分散供給部10から処理室2内へ導入
し、処理室2でのClF3ガスの圧力を0.1〜100T
orrに維持する。この状態でクリーニングガスは処理室
2内に隅々まで行き渡り、処理室2内を隅々までクリー
ニングし、消費されたクリーニングガスは処理室2の排
気管25から真空ポンプ26などの排気系を介して常時
排気して更新しているため、クリーニング中は処理室2
内のクリーニングガスの圧力が0.1 〜100Torrで常
に新鮮なクリーニングガスを補充しているため、処理室
1内を隅々まで効率良くクリーニングすることができ
る。
【0030】処理室2内に供給されたClF3ガスは化
学的に活性なガスであるため、処理室2に形成された金
属系、シリコン系の被膜などの付着物と反応して フッ
素化して付着物を処理室2内で除去して処理室2内を清
浄にクリーニングすることができる。処理室2内に金属
系、シリコン系のパーティクルが堆積しても、その室内
でClF3ガ スが隅々まで行き渡り、処理室2の内面
は勿論のこと、その室内のサセプタ5に付着したパーテ
ィクル等もClF3ガスにより完全に除去することがで
きる。ま た、ClF3ガスの被膜等との反応が発熱反
応であるため、この発熱によりClF3ガスの反応は益
々促進されてより被膜等の付着物を除去することができ
る。
学的に活性なガスであるため、処理室2に形成された金
属系、シリコン系の被膜などの付着物と反応して フッ
素化して付着物を処理室2内で除去して処理室2内を清
浄にクリーニングすることができる。処理室2内に金属
系、シリコン系のパーティクルが堆積しても、その室内
でClF3ガ スが隅々まで行き渡り、処理室2の内面
は勿論のこと、その室内のサセプタ5に付着したパーテ
ィクル等もClF3ガスにより完全に除去することがで
きる。ま た、ClF3ガスの被膜等との反応が発熱反
応であるため、この発熱によりClF3ガスの反応は益
々促進されてより被膜等の付着物を除去することができ
る。
【0031】しかも、本実施例ではクリーニングガスを
排気管25を介して外部へ排出するようにしているた
め、反応生成物の被膜を形成し易い排気管25について
も、処理室2内部と同様にクリーニングガスにより除去
することができる。また、排気系から排出される有毒ガ
スを除害装置27により除去できるため、クリーンな排
気を行なうことができる。
排気管25を介して外部へ排出するようにしているた
め、反応生成物の被膜を形成し易い排気管25について
も、処理室2内部と同様にクリーニングガスにより除去
することができる。また、排気系から排出される有毒ガ
スを除害装置27により除去できるため、クリーンな排
気を行なうことができる。
【0032】以上説明したように本実施例によれば、プ
ラズマレスで処理室2の内部へクリーニングガスとして
ClF3ガスを供給することによりそれぞれの底面、内
面及びサセプタ5に付着した金属系、シリコン系の付着
物を隅々まで完全にクリーニングすることができ、64
MDRAM以上の集積度を有する半導体集積回路素子の
製造で問題になるパーティクルなどの汚染源を除去でき
る。しかも、本実施例によれば、ClF3ガスが化学的
に活性なガスであるとはいえ、処理室2の壁面を冷却ジ
ャケット3により冷却して50℃以下の常温に維持して
いるため、処理室2内の材料に対する腐食性がなく、し
かもプラズマレスであるため、プラズマにより処理室2
内部を損傷などすることはなく極めて穏やかなクリーニ
ングを行なうことができる。また、本実施例によれば、
クリーニングシステムとしては既存のバッチ式コールド
ウォール処理装置の処理室2にクリーニングガス供給系
14を設けるだけで良いため、極めて低コストで効果的
なクリーニングシステムを構築することができる。ま
た、当然のことながら作業員が装置を解体してクリーニ
ングする方式と比較すれば、クリーニング時間を格段に
短縮できる。
ラズマレスで処理室2の内部へクリーニングガスとして
ClF3ガスを供給することによりそれぞれの底面、内
面及びサセプタ5に付着した金属系、シリコン系の付着
物を隅々まで完全にクリーニングすることができ、64
MDRAM以上の集積度を有する半導体集積回路素子の
製造で問題になるパーティクルなどの汚染源を除去でき
る。しかも、本実施例によれば、ClF3ガスが化学的
に活性なガスであるとはいえ、処理室2の壁面を冷却ジ
ャケット3により冷却して50℃以下の常温に維持して
いるため、処理室2内の材料に対する腐食性がなく、し
かもプラズマレスであるため、プラズマにより処理室2
内部を損傷などすることはなく極めて穏やかなクリーニ
ングを行なうことができる。また、本実施例によれば、
クリーニングシステムとしては既存のバッチ式コールド
ウォール処理装置の処理室2にクリーニングガス供給系
14を設けるだけで良いため、極めて低コストで効果的
なクリーニングシステムを構築することができる。ま
た、当然のことながら作業員が装置を解体してクリーニ
ングする方式と比較すれば、クリーニング時間を格段に
短縮できる。
【0033】また、本実施例のバッチ式コールドウォー
ル処理装置は、図3に示すように、処理室としてマルチ
チャンバー処理装置の一部に組み込んで、同一真空系内
で他の処理と連続的に成膜処理することができる。この
マルチチャンバー処理装置は、同図に示すように、3つ
の処理室31、32、33を備え、これらの処理室のう
ち少なくとも一つはバッチ式コールドウォール処理装置
によって構成されている。そして、これらの処理室3
1、32、33は、図1に示すように、略矩形状に形成
された第1搬送室34の3箇所の側面にゲートバルブ3
5、36、37を介して接続され、これらのゲートバル
ブ35、36、37を開放することにより第1搬送室3
4と連通し、これらを閉じることにより第1搬送室34
から遮断できるように構成されている。また、この第1
搬送室34内には各処理室31、32、33へ被処理
体、例えば半導体ウエハ38を搬送する搬送装置39を
備え、処理室31、32、33と同程度の真空度を保持
できるように構成されている。この搬送装置39は、第
1搬送室34の略中央に配設されており、屈伸可能に構
成されたアーム39Aを有し、このアーム39Aに半導
体ウエハ38を載せて半導体ウエハ38を搬送するよう
に構成されている。更に、この第1搬送室34の底面に
は例えば図1に示すようにガス供給部としてガス供給口
34Aが形成され、このガス供給口34Aはクリーニン
グガスを供給するクリーニングガス供給系14へ接続さ
れている。また、このガス供給口34Aから供給された
クリーニングガスは第1搬送室34の底面にガス排気部
として形成されたガス排気口34Bから排気するように
構成されている。更に、第1搬送室4の残りの一側面に
はゲートバルブ40、41を介して2つの後述する真空
予備室42、43がそれぞれ連通可能に並設され、これ
らの真空予備室42、43はゲートバルブ40、41を
開放することにより第1搬送室34に連通し、これらの
ゲートバルブ40、41を閉じることにより第1搬送室
34から遮断できるように構成されている。従って、所
定の真空雰囲気下で第1搬送装置39により半導体ウエ
ハ38を例えば真空予備室42から所定の処理室へ移載
し、この処理室内で所定の成膜処理などを行なった後、
その処理室から第1搬送装置39を介して順次他の処理
室へ移載してそれぞれの処理室で所定の処理を終了した
後、再び他の真空予備室43へ移載するように構成され
ている。
ル処理装置は、図3に示すように、処理室としてマルチ
チャンバー処理装置の一部に組み込んで、同一真空系内
で他の処理と連続的に成膜処理することができる。この
マルチチャンバー処理装置は、同図に示すように、3つ
の処理室31、32、33を備え、これらの処理室のう
ち少なくとも一つはバッチ式コールドウォール処理装置
によって構成されている。そして、これらの処理室3
1、32、33は、図1に示すように、略矩形状に形成
された第1搬送室34の3箇所の側面にゲートバルブ3
5、36、37を介して接続され、これらのゲートバル
ブ35、36、37を開放することにより第1搬送室3
4と連通し、これらを閉じることにより第1搬送室34
から遮断できるように構成されている。また、この第1
搬送室34内には各処理室31、32、33へ被処理
体、例えば半導体ウエハ38を搬送する搬送装置39を
備え、処理室31、32、33と同程度の真空度を保持
できるように構成されている。この搬送装置39は、第
1搬送室34の略中央に配設されており、屈伸可能に構
成されたアーム39Aを有し、このアーム39Aに半導
体ウエハ38を載せて半導体ウエハ38を搬送するよう
に構成されている。更に、この第1搬送室34の底面に
は例えば図1に示すようにガス供給部としてガス供給口
34Aが形成され、このガス供給口34Aはクリーニン
グガスを供給するクリーニングガス供給系14へ接続さ
れている。また、このガス供給口34Aから供給された
クリーニングガスは第1搬送室34の底面にガス排気部
として形成されたガス排気口34Bから排気するように
構成されている。更に、第1搬送室4の残りの一側面に
はゲートバルブ40、41を介して2つの後述する真空
予備室42、43がそれぞれ連通可能に並設され、これ
らの真空予備室42、43はゲートバルブ40、41を
開放することにより第1搬送室34に連通し、これらの
ゲートバルブ40、41を閉じることにより第1搬送室
34から遮断できるように構成されている。従って、所
定の真空雰囲気下で第1搬送装置39により半導体ウエ
ハ38を例えば真空予備室42から所定の処理室へ移載
し、この処理室内で所定の成膜処理などを行なった後、
その処理室から第1搬送装置39を介して順次他の処理
室へ移載してそれぞれの処理室で所定の処理を終了した
後、再び他の真空予備室43へ移載するように構成され
ている。
【0034】これらの各真空予備室42、43は、ゲー
トバルブ40、41に対向する側で、ゲートバルブ4
4、45を介して第2搬送室46に連通可能に接続さ
れ、これらのゲートバルブ44、45を開放することに
より第2搬送室46と連通し、これらを閉じることによ
り第2搬送室46から遮断できるように構成されてい
る。また、この第2搬送室46の左右両側面にはゲート
バルブ47、48を介してカセット49を収納するカセ
ット室50、51が連通可能に接続され、これらのカセ
ット室50、51は、ゲートバルブ47、48を開放す
ることにより第2搬送室46と連通し、これらを閉じる
ことにより第2搬送室46から遮断できるように構成さ
れている。また、第2搬送室46内には左右のカセット
室50、51間の中央に位置させた第2搬送装置53が
配設され、この第2搬送装置53により真空予備室4
2、43とカセット室50、51間で半導体ウエハ38
を移載するように構成されている。更に、この第2搬送
装置53と真空予備室42、43の間には半導体ウエハ
38のオリエンテーションフラットにより半導体ウエハ
38の位置決めをする位置決め装置54が配設され、こ
の位置決め装置54により一旦位置決めした後、第2搬
送装置53により真空予備室42へ半導体ウエハ38を
移載するように構成されている。
トバルブ40、41に対向する側で、ゲートバルブ4
4、45を介して第2搬送室46に連通可能に接続さ
れ、これらのゲートバルブ44、45を開放することに
より第2搬送室46と連通し、これらを閉じることによ
り第2搬送室46から遮断できるように構成されてい
る。また、この第2搬送室46の左右両側面にはゲート
バルブ47、48を介してカセット49を収納するカセ
ット室50、51が連通可能に接続され、これらのカセ
ット室50、51は、ゲートバルブ47、48を開放す
ることにより第2搬送室46と連通し、これらを閉じる
ことにより第2搬送室46から遮断できるように構成さ
れている。また、第2搬送室46内には左右のカセット
室50、51間の中央に位置させた第2搬送装置53が
配設され、この第2搬送装置53により真空予備室4
2、43とカセット室50、51間で半導体ウエハ38
を移載するように構成されている。更に、この第2搬送
装置53と真空予備室42、43の間には半導体ウエハ
38のオリエンテーションフラットにより半導体ウエハ
38の位置決めをする位置決め装置54が配設され、こ
の位置決め装置54により一旦位置決めした後、第2搬
送装置53により真空予備室42へ半導体ウエハ38を
移載するように構成されている。
【0035】また、第2搬送室46は室内に窒素ガス等
の不活性ガスを供給し、そのガス圧を大気圧に調整して
保持する気圧調整装置(図示せず)とを備え、この気圧
調整装置によって大気圧に調整された窒素ガス中で、第
2搬送装置53を用いてカセット室50、51内のカセ
ット49と真空予備室42、43の間での半導体ウエハ
38を搬送するように構成されている。また、この第2
搬送室46はクリーニング時に所定の真空度を保持でき
るように構成されている。
の不活性ガスを供給し、そのガス圧を大気圧に調整して
保持する気圧調整装置(図示せず)とを備え、この気圧
調整装置によって大気圧に調整された窒素ガス中で、第
2搬送装置53を用いてカセット室50、51内のカセ
ット49と真空予備室42、43の間での半導体ウエハ
38を搬送するように構成されている。また、この第2
搬送室46はクリーニング時に所定の真空度を保持でき
るように構成されている。
【0036】また、この第2搬送室46の底面にはガス
供給口55Aが形成され、このガス供給口55Aは配管
(図示せず)を介してクリーニングガスを供給するクリ
ーニングガス供給系12へ接続されている。そして、こ
のガス供給口55Aから供給されたクリーニングガスは
第2搬送室46の底面にガス排気部として形成されたガ
ス排気口55Bから排気するように構成されている。こ
のガス排気口55Bは例えば真空予備室42、43の排
気系にバルブ(図示せず)を介して接続され、この排気
系を利用してクリーニング時の真空排気するように構成
され、その他の時はバルブを閉じて真空予備室42、4
3のみを真空排気するように構成されている。尚、5
6、57はカセット室50、51の正面に取り付けられ
たゲートバルブである。
供給口55Aが形成され、このガス供給口55Aは配管
(図示せず)を介してクリーニングガスを供給するクリ
ーニングガス供給系12へ接続されている。そして、こ
のガス供給口55Aから供給されたクリーニングガスは
第2搬送室46の底面にガス排気部として形成されたガ
ス排気口55Bから排気するように構成されている。こ
のガス排気口55Bは例えば真空予備室42、43の排
気系にバルブ(図示せず)を介して接続され、この排気
系を利用してクリーニング時の真空排気するように構成
され、その他の時はバルブを閉じて真空予備室42、4
3のみを真空排気するように構成されている。尚、5
6、57はカセット室50、51の正面に取り付けられ
たゲートバルブである。
【0037】このようにバッチ式コールドウォール処理
装置をマルチチャンバー処理装置として組み込んだ場合
には、マルチチャンバー処理装置の全チャンバーのゲー
トバルブを閉じて各チャンバーを互いに遮断した後、例
えば上述のクリーニングガス供給系14からバッチ式コ
ールドウォール処理装置以外の全チャンバーに対しても
クリーニングガスを個別に供給し、各チャンバーから個
別に外部へ排気することによって全チャンバーの内部に
付着した被膜等の付着物をそれぞれ個別にクリーニング
することができる。
装置をマルチチャンバー処理装置として組み込んだ場合
には、マルチチャンバー処理装置の全チャンバーのゲー
トバルブを閉じて各チャンバーを互いに遮断した後、例
えば上述のクリーニングガス供給系14からバッチ式コ
ールドウォール処理装置以外の全チャンバーに対しても
クリーニングガスを個別に供給し、各チャンバーから個
別に外部へ排気することによって全チャンバーの内部に
付着した被膜等の付着物をそれぞれ個別にクリーニング
することができる。
【0038】尚、上記実施例ではクリーニングガスとし
てClF3ガスを用いたものについて説明したが、本発
明では、このClF3ガスを除去すべき被膜等の付着物
の成分に応じて窒素ガス等の希釈用ガスによって適宜希
釈し、その活性を適宜調整することもできる。また、上
記実施例では処理室2のクリーニングガスのガス供給部
及びガス排気部としてプロセスガスのガス分散供給部1
0、及び排気管25等のガス排気系を用いたものについ
て説明したが、これらのガス供給部及びガス排気部はそ
れぞれ別途設けても良く、また、それらを設ける場所及
び数は必要に応じて適宜設定することができる。
てClF3ガスを用いたものについて説明したが、本発
明では、このClF3ガスを除去すべき被膜等の付着物
の成分に応じて窒素ガス等の希釈用ガスによって適宜希
釈し、その活性を適宜調整することもできる。また、上
記実施例では処理室2のクリーニングガスのガス供給部
及びガス排気部としてプロセスガスのガス分散供給部1
0、及び排気管25等のガス排気系を用いたものについ
て説明したが、これらのガス供給部及びガス排気部はそ
れぞれ別途設けても良く、また、それらを設ける場所及
び数は必要に応じて適宜設定することができる。
【0039】
【発明の効果】本発明の請求項1及び請求項4に記載の
発明によれば、処理室の壁面を冷却用ジャケットで50
℃以下に冷却しながら金属配線膜を成膜するバッチ式コ
ールドウォール処理装置の処理室にClF3ガスを供給
するクリーニングガス供給系を接続するだけで処理室を
クリーニングするクリーニングシステムを構築でき、処
理装置をクリーニングの目的で解体することなく、処理
室の壁面を冷却用ジャケットでクリーニングに好適な5
0℃以下に冷却しながらClF3ガスを供給するだけ
で、プラズマレスで構成部材を損ねるこなく処理室内を
完全にクリーニングすることができ、半導体集積回路素
子の製造時に問題となる、金属配線膜の成膜時に形成さ
れた処理室内部の被膜及びこの被膜に起因するパーティ
クルなどの汚染源を除去でき、しかも極めて低コストで
クリーニングシステムを構築できるバッチ式コールドウ
ォール処理装置及びそのクリーニング方法を提供するこ
とができる。
発明によれば、処理室の壁面を冷却用ジャケットで50
℃以下に冷却しながら金属配線膜を成膜するバッチ式コ
ールドウォール処理装置の処理室にClF3ガスを供給
するクリーニングガス供給系を接続するだけで処理室を
クリーニングするクリーニングシステムを構築でき、処
理装置をクリーニングの目的で解体することなく、処理
室の壁面を冷却用ジャケットでクリーニングに好適な5
0℃以下に冷却しながらClF3ガスを供給するだけ
で、プラズマレスで構成部材を損ねるこなく処理室内を
完全にクリーニングすることができ、半導体集積回路素
子の製造時に問題となる、金属配線膜の成膜時に形成さ
れた処理室内部の被膜及びこの被膜に起因するパーティ
クルなどの汚染源を除去でき、しかも極めて低コストで
クリーニングシステムを構築できるバッチ式コールドウ
ォール処理装置及びそのクリーニング方法を提供するこ
とができる。
【0040】また、本発明の請求項2に記載の発明によ
れば、請求項1に記載の発明において、上記活性化手段
として上記支持体を介して上記被処理体を加熱する加熱
手段を設けたため、上記支持体上の被処理体の表面で上
記プロセスガスが熱反応して被処理体の表面に金属配線
膜を成膜することができるバッチ式コールドウォール処
理装置を提供することができる。
れば、請求項1に記載の発明において、上記活性化手段
として上記支持体を介して上記被処理体を加熱する加熱
手段を設けたため、上記支持体上の被処理体の表面で上
記プロセスガスが熱反応して被処理体の表面に金属配線
膜を成膜することができるバッチ式コールドウォール処
理装置を提供することができる。
【0041】また、本発明の請求項3に記載の発明によ
れば、請求項1に記載の発明において、上記活性化手段
として上記支持体と上記プロセスガス供給部間で上記プ
ロセスガスをプラズマ化する高周波電源を設けたため、
上記支持体上の被処理体表面にプラズマ処理を施して金
属配線膜を成膜することができるバッチ式コールドウォ
ール処理装置を提供することができる。
れば、請求項1に記載の発明において、上記活性化手段
として上記支持体と上記プロセスガス供給部間で上記プ
ロセスガスをプラズマ化する高周波電源を設けたため、
上記支持体上の被処理体表面にプラズマ処理を施して金
属配線膜を成膜することができるバッチ式コールドウォ
ール処理装置を提供することができる。
【0042】また、本発明の請求項5に記載の発明によ
れば、請求項4に記載の発明において、処理室から被処
理体の処理後のガスを排気する排気系配管を介してCl
F3ガスを排気するようにしたため、排気系配管に金属
配線膜の成膜時に付着した被膜などの付着物をClF3
ガスにより除去できるバッチ式コールドウォール処理装
置のクリーニング方法を提供することができる。
れば、請求項4に記載の発明において、処理室から被処
理体の処理後のガスを排気する排気系配管を介してCl
F3ガスを排気するようにしたため、排気系配管に金属
配線膜の成膜時に付着した被膜などの付着物をClF3
ガスにより除去できるバッチ式コールドウォール処理装
置のクリーニング方法を提供することができる。
【図1】本発明のバッチ式コールドウォール処理装置の
一実施例の要部を示す構成図である。
一実施例の要部を示す構成図である。
【図2】図1に示す処理室をII−II線方向の断面を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図3】図1に示すバッチ式コールドウォール処理装置
を組み込んだマルチチャンバー処理装置の全体を示す平
面図である。
を組み込んだマルチチャンバー処理装置の全体を示す平
面図である。
1 半導体ウエハ(被処理体) 2 処理室 3 冷却ジャケット 5 サセプタ(支持体兼ガス活性化手段) 10 ガス分散供給部(プロセスガス供給部兼ガス活
性化手段) 14 クリーニングガス供給系 25 排気管(排気系配管) 34A ガス供給口(ガス供給部)
性化手段) 14 クリーニングガス供給系 25 排気管(排気系配管) 34A ガス供給口(ガス供給部)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き 特許法第30条第1項適用申請有り 半導体産業新聞(平 成5年7月7日発行)に掲載 特許法第30条第1項適用申請有り 「日経マイクロデバ イス」(1993年7月号)に掲載 早期審査対象出願 前置審査
Claims (5)
- 【請求項1】 複数枚の被処理体を収納する処理室と、
この処理室内に配設され且つ複数枚の被処理体を1枚ず
つ個別に支持する複数の支持体と、これらの支持体で支
持された被処理体に向けて金属配線膜用のプロセスガス
をそれぞれ供給する複数のプロセスガス供給部と、この
プロセスガス供給部から供給されたプロセスガスを活性
化するガス活性化手段と、上記処理室の外壁面に設けら
れた冷却用ジャケットとを備え、上記処理室の壁面を上
記冷却用ジャケットを介して冷却して50℃以下に保持
した状態で上記被処理体に金属配線膜の成膜処理を行な
うバッチ式コールドウォール処理装置であって、上記処
理室にガス供給部及びガス排気部をそれぞれ設けると共
に上記ガス供給部にクリーニングガス供給系を接続し、
このクリーニングガス供給系からガス供給部を介して処
理室内にClF3ガスを供給し、上記冷却用ジャケット
を介して上記壁面を冷却して50℃以下に保持した状態
で上記ClF3ガスにより処理室の内部に付着した付着
物をクリーニングすることを特徴とするバッチ式コール
ドウォール処理装置。 - 【請求項2】 上記活性化手段として上記支持体を介し
て上記被処理体を加熱する加熱手段を設けたことを特徴
とする請求項1に記載のバッチ式コールドウォール処理
装置。 - 【請求項3】 上記活性化手段として上記支持体と上記
プロセスガス供給部間で上記プロセスガスをプラズマ化
する高周波電源を設けたことを特徴とする請求項1に記
載のバッチ式コールドウォール処理装置。 - 【請求項4】 処理室内に金属配線膜用のプロセスガス
を供給すると共に処理室の壁面をその外面に設けられた
冷却用ジャケットを介して50℃以下に保持して上記処
理室内で複数の被処理体に金属配線膜の成膜処理を行な
うバッチ式コールドウォール処理装置の上記処理室の内
部をクリーニングする方法であって、上記処理室内で成
膜処理を施した被処理体を外部へ搬送した後、上記処理
室内にClF3ガスを供給し、上記冷却用ジャケットを
介して上記壁面を冷却して50℃以下に保持した状態で
上記ClF3ガスにより処理室の内部に成膜時に付着し
た付着物をクリーニングすることを特徴とするバッチ式
コールドウォール処理装置のクリーニング方法。 - 【請求項5】 上記処理室から被処理体の処理後のガス
を排気する排気系配管を介して上記ClF3ガスを排気
することを特徴とする請求項4に記載のバッ チ式コー
ルドウォール処理装置のクリーニング方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5254684A JP2963973B2 (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | バッチ式コールドウォール処理装置及びそのクリーニング方法 |
US08/255,924 US5647945A (en) | 1993-08-25 | 1994-06-07 | Vacuum processing apparatus |
TW83105445A TW302305B (ja) | 1993-08-25 | 1994-06-16 | |
US08/803,008 US5951772A (en) | 1993-08-25 | 1997-02-21 | Vacuum processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5254684A JP2963973B2 (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | バッチ式コールドウォール処理装置及びそのクリーニング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0786171A JPH0786171A (ja) | 1995-03-31 |
JP2963973B2 true JP2963973B2 (ja) | 1999-10-18 |
Family
ID=17268433
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5254684A Expired - Lifetime JP2963973B2 (ja) | 1993-08-25 | 1993-09-17 | バッチ式コールドウォール処理装置及びそのクリーニング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2963973B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2937846B2 (ja) * | 1996-03-01 | 1999-08-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | マルチチャンバウェハ処理システム |
JP4817210B2 (ja) * | 2000-01-06 | 2011-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
US6576062B2 (en) * | 2000-01-06 | 2003-06-10 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus and film forming method |
JP6347543B2 (ja) * | 2014-06-30 | 2018-06-27 | 株式会社日立国際電気 | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
KR102652116B1 (ko) * | 2018-06-18 | 2024-03-29 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 쌍을 이룬 동적 평행판 용량성 결합된 플라즈마들 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2720966B2 (ja) * | 1987-07-13 | 1998-03-04 | セントラル硝子株式会社 | 薄膜を付着した部品の再生利用方法 |
JP2967784B2 (ja) * | 1989-12-11 | 1999-10-25 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成方法及びその装置 |
JP2771347B2 (ja) * | 1991-06-06 | 1998-07-02 | 日本電気株式会社 | プラズマ化学気相成長法とその装置及び多層配線の製造方法 |
JP3326538B2 (ja) * | 1991-10-24 | 2002-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | コールドウォール形成膜処理装置 |
-
1993
- 1993-09-17 JP JP5254684A patent/JP2963973B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0786171A (ja) | 1995-03-31 |
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Legal Events
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