JP4601070B2 - 熱処理装置 - Google Patents

Description

この発明は、熱処理装置に関するもので、更に詳細には、例えば半導体ウエハやＬＣＤガラス基板等の基板を例えば加熱処理する熱処理装置に関するものである。

一般に、半導体デバイスの製造においては、半導体ウエハやＬＣＤガラス基板等（以下にウエハ等という）の上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の薄膜や電極パターンを形成するために、フォトリソグラフィ技術が利用されている。このフォトリソグラフィ技術においては、ウエハ等にフォトレジストを塗布し、これにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パターンを現像処理することによりレジスト膜に回路パターンが形成されている。

このようなフォトリソグラフィ工程においては、レジスト塗布後の加熱処理（プリベーク）、露光後の加熱処理（ポストエクスポージャーベーク）、現像処理後の加熱処理（ポストベーク）等の種々の加熱処理が施されている。

従来のこの種の加熱処理において、例えばプリベークでは、ウエハ等を収容する処理室内に例えばエアーあるいは窒素（Ｎ2）ガス等のパージガスを供給し、処理に供された流体を処理室に接続された排気管を介して外部に排気している。この際、加熱時にウエハ等の表面に形成されたレジスト膜から僅かに昇華物｛フォトレジストに含有される酸発生材例えばＰＡＧ(Photo asid grain)やレジストを構成する低分子樹脂等｝のような異物が発生する。特に、沸点が低い非イオン系酸発生材を使用しているフォトレジストにおいては昇華物の発生が多い。したがって、従来では、排気管等の排気ラインに昇華物等の不純物回収部を設けると共に、不純物回収部と排気を均等に分散させるために処理室を構成する蓋体の周側部に複数の排気用整流板を設けている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００３−３１８０９１号公報（特許請求の範囲、図４）

しかしながら、特開２００３−３１８０９１号公報記載の技術においては、上記昇華物等の不純物の発生が多い場合には、短期間に排気管が目詰まりを生じてしまい、そのためにメンテナンスを頻繁に行わなければならないという問題があった。また、排気用整流板にも不純物が付着するが、排気用整流板は排気圧力を圧損させるために複数設けられるので、クリーニングやメンテナンス作業が面倒であるという問題もあった。

この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、熱処理により発生する昇華物等の不純物による目詰まりに対するメンテナンス作業を容易に行えるようにした熱処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、処理室内で被処理基板を熱処理する熱処理装置を前提とし、 上記被処理基板を載置して熱処理する熱処理板と、この熱処理板を上方から覆い、上記処理室の一部を構成する蓋体と、を具備し、 上記蓋体は、上面部と、この上面部の周端部に垂設される周側部とを具備し、上面部には、処理室内に気体を供給する供給口が設けられ、上面部の側部には、上記処理室内の気体を排気する互いに等間隔の４個の排気口が設けられ、かつ、上記各排気口に連通すると共に、各排気口と略等距離の部位に排出口を有する排気管が装着され、 上記排気管は、上記排気口の２箇所にそれぞれシール部材を介して連通する２個の排気管体と、両排気管体を連通する連結管体とを具備し、かつ、連結管体に排出口を設け、 上記排気管の略中心部に、取付孔を有する取付部材を突設し、この取付部材の取付孔を貫挿する固定部材を、上記蓋体の上面部に設けられた取付受け部に着脱可能に固着してなる、ことを特徴とする。

この発明において、上記排気管体に対して連結管体を着脱可能に形成する方が好ましい（請求項２）。

このように構成することにより、蓋体の上面部に設けられた供給口から処理室内に供給された気体は、蓋体の上面部の側部に設けられた複数の排気口を介して排気管を流れ、排気管における各排気口と略等距離の部位に設けられた排出口に接続する排出管路を介して外部に排気されるので、熱処理される被処理基板から発生する昇華物等の不純物による被処理基板の汚染が防止される。また、昇華物等の不純物は、気体と共に蓋体に設けられた複数の排気口を介して排気管を流れて、排気管に設けられた排気口に接続する排出管路を介して外部に排気されるので、不純物の排出管路内面への付着をしにくくすることができる。また、不純物が排気管内面に付着して、排気管に目詰まりが生じた場合には、排気管を蓋体から取り外して、排気管をクリーニングすることができる。

また、請求項１記載の発明によれば、排気管の形態を略Ｈ字状のように簡素化することができると共に、蓋体への着脱を容易にすることができる。また、排気口を４個とすることで、排気分散リングの分散枚数の低減と、圧力損失を低減して、排気の流れを円滑にすることができる。この場合、排気管体に対して連結管体を着脱可能に形成することにより、排気管体と連結管体とを分解してクリーニングすることができる。

また、請求項１記載の発明によれば、排気管の略中心部に設けられた取付部材の取付孔を貫挿する固定部材を、蓋体の上面部に設けられた取付受け部に固着することにより、排気管を蓋体に装着することができる。また、固定部材と取付受け部の固着を解除することによって排気管を蓋体から取り外すことができる。

また、請求項３記載の発明は、請求項１記載の発明に加えて、更に、上記蓋体の周側部の内方側に、周側部と共働して排気通路を構成し、かつ、複数の通気孔を有する排気分散リングを配設してなり、上記排気分散リングを、上下に対峙する上部片と下部片を有する断面略コ字状に形成し、上部片及び下部片に、互いにずれた位置に複数の通気孔を形成すると共に、上部片の通気孔に対して下部片の通気孔の開口率を高くしたことを特徴とする。

このように構成することにより、排気分散リングによって処理室内に供給される気体を均一に分散して、被処理基板の熱処理の温度を均一にすることができる。また、熱処理される被処理基板から発生する昇華物等の不純物が排気分散リングに付着して、排気に影響を及ぼす場合には、排気分散リングを蓋体から取り外して、排気分散リングをクリーニングすることができる。この場合、排気分散リングを、上下に対峙する上部片と下部片を有する断面略コ字状に形成し、上部片及び下部片に、互いにずれた位置に複数の通気孔を形成すると共に、上部片の通気孔に対して下部片の通気孔の開口率を高くすることにより、排気の下流側の上部片にて分散させた排気流を、更に上流側の下部片に設けられた通気孔により分散させることができ、処理室内の排気流れの均一性を高めることができる。

また、請求項４記載の発明は、請求項１記載の熱処理装置において、上記蓋体における供給口部には、供給口を介して処理室内に供給される気体を放射方向に分流する放射流路を有する分散ノズルが更に具備されている、ことを特徴とする。

このように構成することにより、供給口から供給される気体を分散ノズルによって放射方向に均一に分散させることができる。

また、この発明において、上記排気管の内側表面に、揮発成分の付着がしにくく、かつ、付着が剥離し易い合成樹脂製のコーティング皮膜を施すか（請求項５）、あるいは、上記排気管内に、揮発成分の付着がしにくく、かつ、付着が剥離し易い合成樹脂製の内装管体を嵌挿する方がよい（請求項６）。

このように構成することにより、排気管の内側面への不純物の付着量を少なくすることができると共に、付着した不純物を容易に除去することができる。

また、請求項７記載の発明は、請求項１又は２記載の熱処理装置において、上記排気管に不純物回収部を介設してなる、ことを特徴とする。

このように構成することにより、不純物回収部にて不純物を回収することができるので、排気管を含む排気ラインが不純物の付着によって目詰まりするまでの期間を延ばすことができる。

また、請求項８記載の発明は、請求項１，２，５，６又は７のいずれかに記載の熱処理装置において、上記排気管に、２個の排出口を設け、各排出口に接続する排出管路のいずれか一方に、排気流体の詰まりを検出する詰まり検出手段を設け、他方の排出管路には、上記詰まり検出手段からの信号に基づいて開閉する切換弁を介設してなる、ことを特徴とする。

このように構成することにより、主に使用される一方の排出管路が詰まった場合、詰まり検出手段によって検出し、その検出信号に基づいて補助の排出管路に介設された切換弁が開放して排気流体を補助の排出管路を介して排気することができる。

また、請求項９記載の発明は、請求項１，２，５，６，７又は８のいずれかに記載の熱処理装置において、上記排気管の排出口に接続する排出管路における排出口の近傍部位に排気装置を介設してなる、ことを特徴とする。

このように構成することにより、熱処理装置から発せられる熱を排気装置に伝熱して排気装置自体の温度を高めることができ、排気装置が不純物に含まれる揮発成分の付着による流量低下を抑制することができる。

また、請求項１０記載の発明は、請求項１ないし８のいずれかに記載の熱処理装置において、上記蓋体に設けられる排気口を、この排気口から排気管に流れる排気が平面視において螺旋状に流れるように形成してなる、ことを特徴とする。

このように構成することにより、処理室内から排気口側に流れる排気流体中の不純物を蓋体の周側部の内面に付着させることができる。

加えて、請求項１１記載の発明は、請求項３記載の熱処理装置において、上記排気分散リングにおける周側部と対向する面に、螺旋溝を形成し、この螺旋溝により排気口から排気管に流れる排気が平面視において螺旋状に流れるように形成してなる、ことを特徴とする。

このように構成することにより、請求項１０記載の発明と同様に、処理室内から排気口側に流れる排気流体中の不純物を蓋体の周側部の内面に付着させることができる。

この発明の熱処理装置は、上記のように構成されているので、以下のような効果が得られる。

（１）請求項１記載の発明によれば、熱処理される被処理基板から発生する昇華物等の不純物による被処理基板の汚染を防止することができるので、歩留まりの向上を図ることができる。また、不純物の排出管路内面への付着をしにくくすることができると共に、不純物が付着した排気管を蓋体から取り外して、排気管をクリーニングすることができるので、装置の信頼性の向上が図れると共に、メンテナンスを容易にすることができる。

（２）請求項３記載の発明によれば、上記（１）に加えて、更に排気分散リングによって被処理基板の熱処理の温度を均一にすることができる。また、熱処理される被処理基板から発生する昇華物等の不純物が排気分散リングに付着して、排気に影響を及ぼす場合には、排気分散リングを蓋体から取り外して、排気分散リングをクリーニングすることができる。この場合、排気分散リングを、上下に対峙する上部片と下部片を有する断面略コ字状に形成し、上部片及び下部片に、互いにずれた位置に複数の通気孔を形成すると共に、上部片の通気孔に対して下部片の通気孔の開口率を高くすることにより、排気の下流側の上部片にて分散させた排気流を、更に上流側の下部片に設けられた通気孔により分散させることができ、処理室内の排気流れの均一性を高めることができる。

（３）請求項１記載の発明によれば、上記（１）に加えて、更に排気管の形態を略Ｈ字状のように簡素化することができると共に、蓋体への着脱を容易にすることができ、かつ、排気の流れを円滑にすることができる。この場合、排気管体に対して連結管体を着脱可能に形成することにより、排気管体と連結管体とを分解してクリーニングすることができる（請求項２）。

（４）請求項１記載の発明によれば、排気管の略中心部に設けられた取付部材の取付孔を貫挿する固定部材を、蓋体の上面部に設けられた取付受け部に固着することによって、排気管を排気口に気密性を持たせて蓋体に装着することができ、また、固定部材と取付受け部の固着を解除することによって排気管を蓋体から取り外すことができる。したがって、上記（１），（３）に加えて、更に排気管の取付、取り外しを容易にすることができる。

（５）請求項４記載の発明によれば、供給口から供給される気体を分散ノズルによって放射方向に均一に分散させることができるので、上記（１）〜（４）に加えて、更に被処理基板の熱処理の温度を均一にすることができる。

（６）請求項５，６記載の発明によれば、排気管の内側面への不純物の付着量を少なくすることができると共に、付着した不純物を容易に除去することができるので、上記（１）〜（５）に加えて、更にメンテナンス期間を延ばすことができると共に、装置の寿命の増大を図ることができる。

（７）請求項７記載の発明によれば、不純物回収部によって排気管を含む排気ラインが不純物の付着によって目詰まりするまでの期間を延ばすことができるので、上記（１）〜（６）に加えて、更にメンテナンス期間を延ばすことができると共に、装置の寿命の増大を図ることができる。

（８）請求項８記載の発明によれば、主に使用される一方の排出管路が詰まった場合、補助の排出管路を介して排気することができるので、上記（１）〜（７）に加えて、更にメンテナンスサイクルを２倍にすることができると共に、装置の寿命の増大を図ることができる。

（９）請求項９記載の発明によれば、熱処理装置から発せられる熱を排気装置に伝熱して排気装置自体の温度を高めることができ、排気装置が不純物に含まれる揮発成分の付着による流量低下を抑制することができるので、上記（１）〜（８）に加えて、更に排気効率を高めることができ、処理精度の向上を図ることができる。

（１０）請求項１０，１１記載の発明によれば、処理室内から排気口側に流れる排気流体中の不純物を蓋体の周側部の内面に付着させることができるので、上記（１）〜（９）に加えて、更に排気管の内側面への不純物の付着量を抑制して、メンテナンス期間を延ばすことができる。

以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る熱処理装置を半導体ウエハのレジスト塗布・現像処理システムにおける加熱処理装置に適用した場合について説明する。

図１は、上記レジスト塗布・現像処理システムの一実施形態の概略平面図、図２は、図１の正面図、図３は、図１の背面図である。

上記レジスト塗布・現像処理システムは、被処理基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）をウエハカセット１で複数枚例えば２５枚単位で外部からシステムに搬入又はシステムから搬出したり、ウエハカセット１に対してウエハＷを搬出・搬入したりするためのカセットステーション１０（搬送部）と、塗布現像工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理装置を具備する処理ステーション２０と、この処理ステーション２０と隣接して設けられる露光装置（図示せず）との間でウエハＷを受け渡すためのインターフェース部３０とで主要部が構成されている。

上記カセットステーション１０は、図１に示すように、カセット載置台２上の突起３の位置に複数個例えば４個までの蓋付のウエハカセット１がそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション２０側に向けて水平のＸ方向に沿って一列に載置され、各ウエハカセット１に対峙して蓋開閉装置５が配設され、また、カセット配列方向（Ｘ方向）及びウエハカセット１内に垂直方向に沿って収容されたウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送用ピンセット４が各ウエハカセット１に選択的に搬送するように構成されている。また、ウエハ搬送用ピンセット４は、θ方向に回転可能に構成されており、後述する処理ステーション２０側の第３の組Ｇ３の多段ユニット部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）及びエクステンションユニット（ＥＸＴ）にも搬送できるようになっている。

上記処理ステーション２０は、図１に示すように、中心部には、移動機構２２によって垂直移動する垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２１が設けられ、この主ウエハ搬送機構２１の周りに全ての処理ユニットが１組又は複数の組に渡って多段に配置されている。この例では、５組Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４及びＧ５の多段配置構成であり、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２の多段ユニットはシステム正面側に並列され、第３の組Ｇ３の多段ユニットはカセットステーション１０に隣接して配置され、第４の組Ｇ４の多段ユニットはインターフェース部３０に隣接して配置され、第５の組Ｇ５の多段ユニットは背部側に配置されている。

この場合、図２に示すように、第１の組Ｇ１では、カップ（容器）２３内でウエハＷと現像液供給手段（図示せず）とを対峙させてレジストパターンを現像する現像ユニット（ＤＥＶ）と、ウエハＷをスピンチャック（図示せず）に載置して所定の処理を行うレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）とが垂直方向の下から順に２段に重ねられている。第２の組Ｇ２も同様に、２台のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）及び現像ユニット（ＤＥＶ）が垂直方向の下から順に２段に重ねられている。このようにレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を下段側に配置した理由は、レジスト液の排液が機構的にもメンテナンスの上でも面倒であるためである。しかし、必要に応じてレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を上段に配置することも可能である。

図３に示すように、第３の組Ｇ３では、ウエハＷをウエハ載置台２４に載置して所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット例えばウエハＷを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）、ウエハＷに疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、ウエハＷの位置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエハＷの搬入出を行うエクステンションユニット（ＥＸＴ）、ウエハＷをベークするこの発明に係る熱処理装置を使用した４つのホットプレートユニット（ＨＰ）が垂直方向の下から順に例えば８段に重ねられている。第４の組Ｇ４も同様に、オーブン型処理ユニット例えばクーリングユニット（ＣＯＬ）、エクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、急冷機能を有するこの発明に係る熱処理装置を使用した２つのチリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）及びこの発明に係る熱処理装置を使用した２つのホットプレートユニット（ＨＰ）が垂直方向の下から順に例えば８段に重ねられている。

上記のように処理温度の低いクーリングユニット（ＣＯＬ）、エクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いホットプレートユニット（ＨＰ）、チリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）及びアドヒージョンユニット（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。勿論、ランダムな多段配置とすることも可能である。

なお、図１に示すように、処理ステーション２０において、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２の多段ユニット（スピナ型処理ユニット）に隣接する第３及び第４の組Ｇ３，Ｇ４の多段ユニット（オーブン型処理ユニット）の側壁の中には、それぞれダクト２５，２６が垂直方向に縦断して設けられている。これらのダクト２５，２６には、ダウンフローの清浄空気又は特別に温度調整された空気が流されるようになっている。このダクト構造によって、第３及び第４の組Ｇ３，Ｇ４のオーブン型処理ユニットで発生した熱は遮断され、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２のスピナ型処理ユニットへは及ばないようになっている。

また、この処理システムでは、主ウエハ搬送機構２１の背部側にも図１に点線で示すように第５の組Ｇ５の多段ユニットが配置できるようになっている。この第５の組Ｇ５の多段ユニットは、案内レール２７に沿って主ウエハ搬送機構２１から見て側方へ移動できるようになっている。したがって、第５の組Ｇ５の多段ユニットを設けた場合でも、ユニットをスライドすることにより空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構２１に対して背後からメンテナンス作業を容易に行うことができる。

上記インターフェース部３０は、奥行き方向では処理ステーション２０と同じ寸法を有するが、幅方向では小さなサイズに作られている。このインターフェース部３０の正面部には可搬性のピックアップカセット３１と定置型のバッファカセット３２が２段に配置され、背面部には、ウエハＷの周辺部の露光及び識別マーク領域の露光を行う露光手段である周辺露光装置３３が配設され、中央部には、搬送手段であるウエハの搬送アーム３４が配設されている。この搬送アーム３４は、Ｘ，Ｚ方向に移動して両カセット３１，３２及び周辺露光装置３３に搬送するように構成されている。また、搬送アーム３４は、θ方向に回転可能に構成され、処理ステーション２０側の第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）及び隣接する露光装置側のウエハ受渡し台（図示せず）にも搬送できるように構成されている。

上記のように構成される処理システムは、クリーンルーム４０内に設置されるが、更にシステム内でも効率的な垂直層流方式によって各部の清浄度を高めている。

上記のように構成されるレジスト塗布・現像処理システムにおいては、まず、カセットステーション１０において、蓋開閉装置５が作動して所定のウエハカセット１の蓋を開放する。次に、ウエハ搬送用ピンセット４がカセット載置台２上の未処理のウエハＷを収容しているカセット１にアクセスして、そのカセット１から１枚のウエハＷを取り出す。ウエハ搬送用ピンセット４は、カセット１よりウエハＷを取り出すと、処理ステーション２０側の第３の組Ｇ３の多段ユニット内に配置されているアライメントユニット（ＡＬＩＭ）まで移動し、ユニット（ＡＬＩＭ）内のウエハ載置台２４上にウエハＷを載せる。ウエハＷは、ウエハ載置台２４上でオリフラ合せ及びセンタリングを受ける。その後、主ウエハ搬送機構２１がアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に反対側からアクセスし、ウエハ載置台２４からウエハＷを受け取る。

処理ステーション２０において、主ウエハ搬送機構２１はウエハＷを最初に第３の組Ｇ３の多段ユニットに属するアドヒージョンユニット（ＡＤ）に搬入する。このアドヒージョンユニット（ＡＤ）内でウエハＷは疎水化処理を受ける。疎水化処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをアドヒージョンユニット（ＡＤ）から搬出して、次に第３の組Ｇ３又は第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するクーリングユニット（ＣＯＬ）へ搬入する。このクーリングユニット（ＣＯＬ）内でウエハＷはレジスト塗布処理前の設定温度例えば２３℃まで冷却される。冷却処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをクーリングユニット（ＣＯＬ）から搬出し、次に第１の組Ｇ１又は第２の組Ｇ２の多段ユニットに属するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）へ搬入する。このレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）内でウエハＷはスピンコート法によりウエハ表面に一様な膜厚でレジストを塗布する。

レジスト塗布処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）から搬出し、次にホットプレートユニット（ＨＰ）内へ搬入する。ホットプレートユニット（ＨＰ）内でウエハＷは載置台上に載置され、所定温度例えば１００℃で所定時間プリベーク処理される。これによって、ウエハＷ上の塗布膜から残存溶剤を蒸発除去することができる。プリベークが終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをホットプレートユニット（ＨＰ）から搬出し、次に第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）へ搬送する。このユニット（ＥＸＴＣＯＬ）内でウエハＷは次工程すなわち周辺露光装置３３における周辺露光処理に適した温度例えば２４℃まで冷却される。この冷却後、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷを直ぐ上のエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ搬送し、このユニット（ＥＸＴ）内の載置台（図示せず）の上にウエハＷを載置する。このエクステンションユニット（ＥＸＴ）の載置台上にウエハＷが載置されると、インターフェース部３０の搬送アーム３４が反対側からアクセスして、ウエハＷを受け取る。そして、搬送アーム３４はウエハＷをインターフェース部３０内の周辺露光装置３３へ搬入する。周辺露光装置３３において、ウエハＷ表面の周辺部の余剰レジスト膜（部）に光が照射されて周辺露光が施される。

周辺露光が終了した後、搬送アーム３４が周辺露光装置３３の筐体内からウエハＷを搬出し、隣接する露光装置側のウエハ受取り台（図示せず）へ移送する。この場合、ウエハＷは、露光装置へ渡される前に、バッファカセット３２に一時的に収納されることもある。

露光装置で全面露光が済んで、ウエハＷが露光装置側のウエハ受取り台に戻されると、インターフェース部３０の搬送アーム３４はそのウエハ受取り台へアクセスしてウエハＷを受け取り、受け取ったウエハＷを処理ステーション２０側の第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ搬入し、ウエハ受取り台上に載置する。この場合にも、ウエハＷは、処理ステーション２０側へ渡される前にインターフェース部３０内のバッファカセット３２に一時的に収納されることもある。

ウエハ受取り台上に載置されたウエハＷは、主ウエハ搬送機構２１により、チリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）に搬送され、フリンジの発生を防止するため、あるいは化学増幅型レジスト（ＣＡＲ）における酸触媒反応を誘起するため、例えば１２０℃で所定時間ポストエクスポージャーベーク処理が施される。

その後、ウエハＷは、第１の組Ｇ１又は第２の組Ｇ２の多段ユニットに属する現像ユニット（ＤＥＶ）に搬入される。この現像ユニット（ＤＥＶ）内では、ウエハＷ表面のレジストに現像液が満遍なく供給されて現像処理が施される。この現像処理によって、ウエハＷ表面に形成されたレジスト膜が所定の回路パターンに現像されると共に、ウエハＷの周辺部の余剰レジスト膜が除去され、更に、ウエハＷ表面に形成された（施された）アライメントマークＭの領域に付着したレジスト膜が除去される。このようにして、現像が終了すると、ウエハＷ表面にリンス液がかけられて現像液が洗い落とされる。

現像工程が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷを現像ユニット（ＤＥＶ）から搬出して、次に第３の組Ｇ３又は第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するホットプレートユニット（ＨＰ）へ搬入する。このユニット（ＨＰ）内でウエハＷは例えば１００℃で所定時間ポストベーク処理される。これによって、現像で膨潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向上する。

ポストベークが終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをホットプレートユニット（ＨＰ）から搬出し、次にいずれかのクーリングユニット（ＣＯＬ）へ搬入する。ここでウエハＷが常温に戻った後、主ウエハ搬送機構２１は、次にウエハＷを第３の組Ｇ３に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ移送する。このエクステンションユニット（ＥＸＴ）の載置台（図示せず）上にウエハＷが載置されると、カセットステーション１０側のウエハ搬送用ピンセット４が反対側からアクセスして、ウエハＷを受け取る。そして、ウエハ搬送用ピンセット４は、受け取ったウエハＷをカセット載置台上の処理済みウエハ収容用のウエハカセット１の所定のウエハ収容溝に入れ、ウエハカセット１内に全ての処理済みのウエハＷが収納された後、蓋開閉装置５が作動して蓋を閉じて処理が完了する。

次に、上記ホットプレートユニット（ＨＰ）及びチリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）を構成するこの発明に係る熱処理装置について、図４ないし図１７を参照して詳細に説明する。ここでは、この発明に係る熱処理装置をレジスト塗布されたウエハＷをプリベーク処理する加熱装置に適用した場合について説明する。

◎第１実施形態
図４は、この発明に係る熱処理装置の第１実施形態の使用状態を示す断面図、図５は、上記熱処理装置の要部を示す平面図、図６ないし図８は、それぞれ図５のＩ−Ｉ線に沿う拡大断面図， II−II線に沿う拡大断面図及びIII−III線に沿う拡大断面図である。

上記熱処理装置５０は、図４に示すように、ケーシング５１内に、上下動自在な蓋体５２と、蓋体５２の下側に位置し、蓋体５２と共働して処理室５３を構成するサポートリング５４を備えている。

サポートリング５４は、例えば上下面が開口した略円筒状の形態を有し、その内側に熱処理板としての加熱プレート５５を収容している。加熱プレート５５を収容することにより，サポートリング５４の下面が閉鎖されている。加熱プレート５５は、厚みのある円盤形状を有し、その上面に被処理基板であるウエハＷを載置し加熱するものである。この場合、加熱プレート５５には、給電により発熱するヒータ５６が内蔵されており、加熱プレート５５自体を所定の温度に加熱し維持できるようになっている。つまり、所定の温度に加熱された加熱プレート５５にウエハＷを載置することによって、ウエハＷを所定温度に加熱できる。

加熱プレート５５には、例えば３つの貫通孔５５ａが形成されており、各貫通孔５５ａには、ウエハＷの裏面を支持して昇降する支持ピン５７がそれぞれ挿入されている。支持ピン５７は、例えばシリンダ等を備えた昇降機構５８により上下動する。支持ピン５７は、加熱プレート５５の上方まで上昇して主ウエハ搬送機構２１との間でウエハＷを授受したり、受け取ったウエハＷを加熱プレート５５に載置したりできる。

サポートリング５４の上面には、Ｏリング５９が設けられ、サポートリング５４の上面と蓋体５２の周側部５２ｂの下端部との隙間から処理室５３内の気体が流出しないようになっている。

蓋体５２は、上面部である天板５２ａと、この天板５２ａの周端部に垂設される周側部５２ｂとによって下面側が開口した略有底円筒状の形態を有している。天板５２ａは、加熱プレート５５上のウエハＷに対向している。天板５２ａ上の中央部には、気体例えば空気，窒素ガス又は不活性ガス等のガスのガス供給源６０に連通したパージ用ガスのガス供給管６１が接続する供給口６２が設けられている。したがって、ガス供給源６０の空気，窒素ガス又は不活性ガス等のガスを、ガス供給管６１を介して供給口６２に供給し、供給口６２から処理室５３内に導入することができる。

また、天板５２ａの側部には、処理室５３内のガスを排気する複数例えば互いに等間隔の４個の排気口６３が設けられている。各排気口６３には、排気管６４が連通されており、排気管６４における各排気口６３と略等距離の部位に設けられた排出口６５に、例えば合成樹脂製のチューブにて形成される排気管６４の口径に比べて小口径の排出管路６６が接続されている。

上記排気管６４は、図５，図６，図７及び図９に示すように、排気口６３の２箇所にそれぞれシール部材であるＯリン６７ａを介して連通する２個の排気管体６４ａと、両排気管体６４ａを連通する連結管体６４ｂとを具備する略Ｈ字状に形成されており、連結管体６４ｂの中間部に排出口６５が設けられている。これら排気管体６４ａ及び連結管体６４ｂは、それぞれ例えばアルミニウム合金製の四角筒状の押出形材にて形成されている。なお、排気管体６４ａの端部開口部は、端塞ぎ材６４ｃによって閉塞されている。

また、排気管体６４ａの両端底部には連通孔６４ｄが穿設されており、この連通孔６４ｄ内にＯリング６７ａを介して天板５２ａの上面に突出した排気口６３が嵌挿された状態で、排気口６３と排気管体６４ａとが気密に連通されている（図６参照）。

また、連結管体６４ｂの両端部には、排気管体６４ａの一側部を掴持する断面略コ字状の連結部材６４ｅが溶接等の固定手段によって一体に形成されており、この連結部材６４ｅに設けられた連通孔６４ｆ内にシール部材例えばＯリン６７ｂを介して排気管体６４ａの側部に突出した連通口６４ｇが嵌挿された状態で、連結部材６４ｅに設けられた取付孔（図示せず）を貫通する固定ねじ６８を排気管体６４ａの側部にねじ結合することによって、排気管体６４ａと連結管体６４ｂとが着脱可能に形成されている（図５，図７及び図９参照）。

また、図５，図８及び図９に示すように、排気管６４の略中心部に位置する連結管体６４ｂの中心部の一側上端部には、取付孔６９ａを有する取付部材６９が突設されている。この取付部材６９の取付孔６９ａには、固定部材である固定ボルト７０が貫挿され、蓋体５２の天板５２ａの上面に設けられた取付受け部であるナット７１に着脱可能に螺合されて締結固着されるように構成されている。この際、固定ボルト７０の頭部７０ａと取付部材６９との間には、コイルばね７２が介在されて、固定ボルト７０のナット７１への締結力が増大されて排気管６４を蓋体５２側に押圧する力が均等に負荷されるようになっている。

上記のように、排気管６４の略中心部に位置する連結管体６４ｂの中心部の一側上端部に設けられた取付部材６９の取付孔６９ａを貫挿する固定ボルト７０を蓋体５２に設けられたナット７１に締結固着することによって、排気口６３と排気管６４に設けられた連通孔６４ｄとが気密に連通される。また、排気管６４は、２個の排気管体６４ａと、両排気管体６４ａを連通する連結管体６４ｂとからなる略Ｈ字状に形成されているので、上記固定ボルト７０とナット７１とを締結固着した際に、多少撓んで排気口６３と排気管６４の連通孔６４ｄとが気密に連通される。

一方、上記蓋体５２における供給口６２部には、供給口６２を介して処理室５３内に供給されるガスを放射方向に分流する分散ノズル７３が配設されており、この分散ノズル７３の下方と加熱プレート５５との間には、例えば多数の通気孔（図示せず）を設けた円形状の２つの第１及び第２の整流板７４，７５が上下に並設されている。また、蓋体５２の周側部５２ｂの内方側には、周側部５２ｂと共働して排気通路７６を構成する排気分散リング７７が蓋体５２に対して着脱可能に配設されている。なお、排気通路７６の下端開口部に、加熱プレート５５に載置されたウエハＷより上方に位置している。

この場合、分散ノズル７３は、図９に示すように、円盤状に形成されており、中心部に供給口６２に連通する円形凹所７３ａが設けられ、この円形凹所７３ａに連通する複数（図面では８個の場合を示す）の放射流路７３ｂが放射方向に設けられている。

また、排気分散リング７７は、図１０に示すように、上下に対峙する上部片７７ａと下部片７７ｂと、上部片７７ａと下部片７７ｂの処理室側端部を連結する鉛直片７７ｃとを有する断面略コ字状に形成され、上部片７７ａ及び下部片７７ｂには、互いにずれた位置に複数の通気孔７８ａ，７８ｂが形成されると共に、上部片７７ａの通気孔７８ａに対して下部片７７ｂの通気孔７８ｂの開口率が高く形成されている。

このように、排気分散リング７７の上部片７７ａの通気孔７８ａに対して下部片７７ｂの通気孔７８ｂの開口率を高くすることにより、排気の下流側の上部片７７ａにて分散させた排気流を、更に上流側の下部片７７ｂに設けられた通気孔７８ｂにより分散させることができ、処理室５３内の排気流れの均一性を高めることができる。

なお、排気分散リング７７の上部片７７ａの外周部には、適宜間隔を置いて複数例えば１２個の切欠き（図示せず）が設けられており、天板５２ａと周側部５２ｂとの間に排気分散リング７７の上部片７７ａを挟持した状態で、天板５２ａの外周部に設けられた貫通孔５２ｃ（図９参照）を貫通する取付ボルト（図示せず）を上部片７７ａの切欠きを介して周側部５２ｂの上端部にねじ結合することで、天板５２ａと排気分散リング７７及び周側部５２ｂとが固定されている。また、取付ボルトの締結を解除することによって、天板５２ａと排気分散リング７７及び周側部５２ｂとを分解することができる。

上記のように構成されるこの発明に係る熱処理装置５０において、排気管６４の内側表面は、アルミニウム合金の地肌を露出させた状態であっても差し支えないが、好ましくは、排気管６４の内側表面に昇華物等の不純物が付着しにくい処理を施す方がよい。不純物が付着しにくい処理としては、例えば、図１１に示すように、排気管６４の内側表面に、揮発成分の付着がしにくく、かつ、付着が剥離し易い例えばテフロン（商標名）のようなフッ素樹脂のコーティングやフッ素樹脂の含浸処理等の合成樹脂製のコーティング皮膜８０を施すか、あるいは、図１２に示すように、排気管６４内に、揮発成分の付着がしにくく、かつ、付着が剥離し易い例えばＰＦＡ，ＰＴＦＥあるいはＰＥＥＫ樹脂等の合成樹脂製の内装管体８１を嵌挿すればよい。

このように構成することにより、排気管６４の内側面への不純物の付着量を少なくすることができると共に、付着した不純物を容易に除去することができる。

また、図５に想像線で示すように、排気管６４における排気管体６４ａの排気口側に、例えばフィルタ，金網メッシュ等の不純物回収部８２を着脱可能に介設してもよい。

このように、排気管６４に不純物回収部８２を着脱可能に介設することにより、不純物回収部８２にて不純物を回収することができるので、排気管６４を含む排気ラインが不純物の付着によって目詰まりするまでの期間を延ばすことができる。

なお、蓋体５２全体は、シリンダ等を備えた図示しない昇降機構により上下動自在であり、ウエハＷの搬入出時に蓋体５２が上下動されようになっている。また、ケーシング５１の側面には、主ウエハ搬送機構２１によってウエハＷを搬入出するための搬入出口８３が設けられている。

また、上記のように構成されるこの発明に係る熱処理装置５０は、図１３に示すように、多段に配置されており、各熱処理装置５０の排気管６４に接続する排出管路６６が、レジスト塗布・現像処理システムの背面部に鉛直状に設置される排気ダクト８４に接続されている。なお、排気ダクト８４の下部には、ダクト内圧調整弁８５を介設した専用ホース８６が接続されると共に、専用ホース８６には排気手段例えばエジェクタ８７が接続されている。また、排気ダクト８４には、排気ダクト８４内の圧力を検出する圧力センサ８８が取り付けられており、この圧力センサ８８によって排気ダクト８４内の圧力が監視されている。

次に、この発明に係る熱処理装置５０の動作態様について説明する。まず、ウエハＷが熱処理装置５０に搬送される前に、ガス供給源６０からパージ用のガスが供給され始める。また、加熱プレート５５は、ヒータ５６により所定の加熱温度、例えば９０℃〜２００℃に維持される。

そして、露光装置において露光処理が終了し、主ウエハ搬送機構２１に保持されたウエハＷは、搬入出口８３からケーシング５１内に搬送され、加熱プレート５５の上方で予め上昇して待機していた支持ピン５７に受け渡される。続いて蓋体５２が下降し、サポートリング５４と一体となって処理室５３が形成される。このとき、供給口６２から処理室５３内に供給されたガスは、図４に示すように、分散ノズル７３によって放射方向に分流された後、第１の整流板７４，第２の整流板７５を通過して、気流の方向が蓋体５２の周側部５２ｂ側に向けられる。第２の整流板７５を通過したガスは、ウエハＷ表面に達することなく、周側部５２ｂと排気分散リング７７とで構成された排気通路７６を通って排気口６３から排気管６４内に流れ、排気管６４に設けられた排出口６５を介して排出管路６６から排気される。この際、ガス中の昇華物等の不純物の一部は、排気通路７６を通過する際に排気分散リング７７に付着し、排気口６３から排気されたガスは、排気管６４を通過する際に、ガス中の昇華物等の不純物の一部が排気管６４の内側表面に付着されると共に、不純物回収部８２を通過して不純物が回収されてから、排出口６５に接続する排出管路６６を介して外部に排気される。したがって、排出管路６６には不純物の付着を少なくすることができる。

処理室５３上方から下降し、ウエハＷの外方であってウエハＷより高い位置に流れる気流が形成されると、続いて支持ピン５７が下降し、ウエハＷが加熱プレート５５上に載置される。このようにしてウエハＷの加熱が開始され、所定時間の加熱が行われる。この加熱により発生した溶剤は、上記ガスの気流に取り込まれ、排気口６３を介して排気管６４及び排出管路６６から排気される。溶剤と共にウエハＷ等から発生した不純物が不純物回収部８２に回収され、当該不純物を除去されたガスは、例えば工場排気に送られる。

所定時間の加熱が終了すると、再び支持ピン５７が上昇し、ウエハＷが加熱プレート５５上に持ち上げられる。続いて例えば蓋体５２が上昇し、処理室５３が開放される。処理室５３が開放されると、例えばガスの供給が停止される。

支持ピン５７上のウエハＷは、再び搬入出口８３から進入した主ウエハ搬送機構２１に受け渡され、熱処理装置５０から搬出される。

この第１実施形態によれば、蓋体５２の周側部５２ｂにおけるウエハＷよりも高い位置に排気口６３を設けたので、蓋体５２の天板５２ａから導入されたガスが蓋体５２の周側部５２ｂに向かって流れる。この結果、ガスがウエハＷ表面に直接吹き付けられることがなくなり、ウエハＷ表面のレジスト膜中の溶剤の揮発が気流の動向に左右されることがなくなる。したがって、ウエハＷの外縁部が不安定な気流により悪影響を受けることがなくなり、ウエハＷ外縁部においても均一な膜厚のレジスト膜が形成される。

また、排気管６４及び排気分散リング７７が蓋体５２に対して着脱可能に形成され、また、排気管６４の排気管体６４ａと連結管体６４ｂが分解可能に形成されているので、蓋体５２から排気管６４を取り外してクリーニングすることができる。また、装置本体から蓋体５２を取り外すと共に、排気管６４と排気分散リング７７取り外してクリーニングすることができる。したがって、メンテナンスをより簡単にすることができる。

◎第２実施形態
図１４は、この発明に係る熱処理装置の第２実施形態を示す要部概略平面図である。

第２実施形態は、メンテナンス期間の延長を図れるようにした場合である。すなわち、第２実施形態においては、図１４に示すように、上記排気管６４の連結管体６４ｂの略中間部の対向する側壁部に、第１及び第２の排出口６５Ａ，６５Ｂが設けられ、これら排出口６５Ａ，６５Ｂにそれぞれ第１，第２の排出管路６６Ａ，６６Ｂが接続されている。また、第１の排出管路６６Ａに、この排出管路６６ａ，６６ｂ内を流れる排気中の不純物による目詰まりを検出する詰まり検出手段である圧力センサ９０が設けられ、第２の排出管路６６Ｂには、切換弁９１が介設されている。そして、圧力センサ９０と切換弁９１はそれぞれ制御手段例えばＣＰＵ（中央演算処理装置）等のコントローラ１００に電気的に接続され、圧力センサ９０からの信号に基づいて切換弁９１が開閉するように構成されている。

なお、第２実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。

このように構成することにより、主に使用される第１の排出管路６６Ａが排気流体中の不純物の付着等によって詰まった場合、圧力センサ９０によって検出し、その検出信号がコントローラ１００に伝達され、コントローラ１００からの制御信号に基づいて補助の第２の排出管路６６Ｂに介設された切換弁９１が開放して排気流体を第２の排出管路６６Ｂを介して排気することができる。したがって、メンテナンスサイクルを第１実施形態に比べて２倍にすることができる。

◎第３実施形態
図１５は、この発明に係る熱処理装置の第２実施形態を示す要部概略平面図である。

第３実施形態は、排気能率の向上を図ると共に、排気流体中の不純物に含まれる揮発成分の付着による流量低下を抑制するようにした場合である。すなわち、図１５に示すように、各熱処理装置５０の排出管路６６における排出口６５の近傍部位に排気装置であるエジェクタ２００を介設した場合である。

なお、第３実施形態において、専用ホース８６にエジェクタ８７を設けない点以外は、第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。

このように構成することにより、エジェクタ２００の駆動により、処理室５３内に供給されたガスを排気通路７６，排気口６３及び排気管６４を介して排出管路６６に排気することができる。また、熱処理装置５０から発せられる熱をエジェクタ２００に伝熱してエジェクタ２００自体の温度を高めることができ、エジェクタ２００が不純物に含まれる揮発成分の付着による流量低下を抑制することができる。したがって、第３実施形態によれば、更に排気効率を高めることができ、処理精度の向上を図ることができる。

◎第４実施形態
図１６は、この発明に係る熱処理装置の第４実施形態を示す要部概略平面図（ａ）、（ａ）のIV−IV線に沿う拡大断面図（ｂ）及び（ａ）のＶ−Ｖ線に沿う拡大断面図（ｃ）である。

第４実施形態は、処理室内の排気流体を渦状に排気することによって、排気流体中の不純物を遠心力によって周側部に付着させるようにした場合である。すなわち、図１６に示すように、蓋体５２に設けられる排気口６３Ａを、この排気口６３Ａから排気管６４に流れる排気が平面視において螺旋状に流れるように形成した場合である。

なお、第４実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。

このように構成することにより、処理室５３内から排気口６３Ａ側に流れる排気流体中の不純物を蓋体５３の周側部５２ｂの内面に付着させることができる（図１６（ｃ）参照）。

なお、上記排気口６３Ａに代えて、図１７に示すように、上記排気分散リング７７における周側部５２ｂと対向する面に、螺旋溝３００を形成し、この螺旋溝３００により排気口６３から排気管６４に流れる排気が平面視において螺旋状に流れるように形成してもよい。

このように構成することにより、上記と同様に、処理室５３内から排気口６３側に流れる排気流体中の不純物を蓋体５２の周側部５２ｂの内面に付着させることができる。

◎その他の実施形態
上記実施形態では、この発明に係る熱処理装置を半導体ウエハのレジスト塗布・現像処理システムにおける加熱処理装置に適用した場合について説明したが、ＬＣＤガラス基板のレジスト塗布・現像処理システムにおける加熱処理装置にも適用できることは勿論である。

この発明に係る熱処理装置を適用したレジスト塗布・現像処理システムの一例を示す概略平面図である。 上記レジスト塗布・現像処理システムの概略正面図である。 上記レジスト塗布・現像処理システムの概略背面図である。 この発明に係る熱処理装置の第１実施形態の使用状態を示す概略断面図である。 上記熱処理装置の要部を示す平面図である。 図５のＩ−Ｉ線に沿う拡大断面図である。 図５のII−II線に沿う拡大断面図である。 図５のIII−III線に沿う拡大断面図である。 この発明における蓋体，排気管及び分散ノズルを示す分解斜視図である。 この発明における排気分散リングの要部断面斜視図である。 この発明における排気管の内面にコーティング皮膜を施した状態を示す断面斜視図である。 この発明における排気管に内装管体を嵌挿した状態を示す断面斜視図である。 複数の熱処理装置を排気ダクトに接続した状態を示す概略斜視図である。 この発明に係る熱処理装置の第２実施形態を示す要部概略平面図である。 この発明に係る熱処理装置の第３実施形態を示す要部概略平面図である。 この発明に係る熱処理装置の第４実施形態を示す要部概略平面図（ａ）、（ａ）のIV−IV線に沿う拡大断面図（ｂ）及び（ａ）のＶ−Ｖ線に沿う拡大断面図（ｃ）である。 この発明に係る熱処理装置の第４実施形態の別の形態を示す排気分散リングの要部断面斜視図である。

Ｗ 半導体ウエハ（被処理基板）
５２ 蓋体
５２ａ 天板（上面部）
５２ｂ 周側部
５３ 処理室
５５ 加熱プレート（熱処理板）
６０ ガス供給源
６２ 供給口
６３，６３Ａ 排気口
６４ 排気管
６４ａ 排気管体
６４ｂ 連結管体
６５，６５Ａ，６５Ｂ 排出口
６６ 排出管路
６６Ａ 第１の排出管路
６６Ｂ 第２の排出管路
６９ 取付部材
６９ａ 取付孔
７０ 固定ボルト（固定部材）
７３ 分散ノズル
７３ａ 円形凹所
７３ｂ 放射流路
７６ 排気通路
７７ 排気分散リング
７７ａ 上部片
７７ｂ 下部片
７８ａ，７８ｂ 通気孔
８０ コーティング皮膜
８１ 内装管体
８２ 不純物回収部
９０ 圧力センサ（詰まり検出手段）
９１ 切換弁
１００ コントローラ（制御手段）
２００ エジェクタ（排気装置）
３００ 螺旋溝

Claims (11)

1. 処理室内で被処理基板を熱処理する熱処理装置であって、
   上記被処理基板を載置して熱処理する熱処理板と、この熱処理板を上方から覆い、上記処理室の一部を構成する蓋体と、を具備し、
   上記蓋体は、上面部と、この上面部の周端部に垂設される周側部とを具備し、上面部には、処理室内に気体を供給する供給口が設けられ、上面部の側部には、上記処理室内の気体を排気する互いに等間隔の４個の排気口が設けられ、かつ、上記各排気口に連通すると共に、各排気口と略等距離の部位に排出口を有する排気管が装着され、
   上記排気管は、上記排気口の２箇所にそれぞれシール部材を介して連通する２個の排気管体と、両排気管体を連通する連結管体とを具備し、かつ、連結管体に排出口を設け、
   上記排気管の略中心部に、取付孔を有する取付部材を突設し、この取付部材の取付孔を貫挿する固定部材を、上記蓋体の上面部に設けられた取付受け部に着脱可能に固着してなる、
   ことを特徴とする熱処理装置。
2. 請求項１記載の熱処理装置において、
   上記排気管体に対して連結管体を着脱可能に形成してなる、ことを特徴とする熱処理装置。
3. 請求項１記載の熱処理装置において、
   上記蓋体の周側部の内方側に、周側部と共働して排気通路を構成し、かつ、複数の通気孔を有する排気分散リングを配設してなり、上記排気分散リングは、上下に対峙する上部片と下部片を有する断面略コ字状に形成され、上部片及び下部片には、互いにずれた位置に複数の通気孔が形成されると共に、上部片の通気孔に対して下部片の通気孔の開口率を高くした、ことを特徴とする熱処理装置。
4. 請求項１記載の熱処理装置において、
   上記蓋体における供給口部には、供給口を介して処理室内に供給される気体を放射方向に分流する放射流路を有する分散ノズルが更に具備されている、ことを特徴とする熱処理装置。
5. 請求項１又は２記載の熱処理装置において、
   上記排気管の内側表面に、揮発成分の付着がしにくく、かつ、付着が剥離し易い合成樹脂製のコーティング皮膜を施してなる、ことを特徴とする熱処理装置。
6. 請求項１又は２記載の熱処理装置において、
   上記排気管内に、揮発成分の付着がしにくく、かつ、付着が剥離し易い合成樹脂製の内装管体を嵌挿してなる、ことを特徴とする熱処理装置。
7. 請求項１又は２記載の熱処理装置において、
   上記排気管に不純物回収部を介設してなる、ことを特徴とする熱処理装置。
8. 請求項１，２，５，６又は７のいずれかに記載の熱処理装置において、
   上記排気管に、２個の排出口を設け、各排出口に接続する排出管路のいずれか一方に、排気流体の詰まりを検出する詰まり検出手段を設け、他方の排出管路には、上記詰まり検出手段からの信号に基づいて開閉する切換弁を介設してなる、ことを特徴とする熱処理装置。
9. 請求項１，２，５，６，７又は８のいずれかに記載の熱処理装置において、
   上記排気管の排出口に接続する排出管路における排出口の近傍部位に排気装置を介設してなる、ことを特徴とする熱処理装置。
10. 請求項１ないし８のいずれかに記載の熱処理装置において、
    上記蓋体に設けられる排気口を、この排気口から排気管に流れる排気が平面視において螺旋状に流れるように形成してなる、ことを特徴とする熱処理装置。
11. 請求項３記載の熱処理装置において、
    上記排気分散リングにおける周側部と対向する面に、螺旋溝を形成し、この螺旋溝により排気口から排気管に流れる排気が平面視において螺旋状に流れるように形成してなる、ことを特徴とする熱処理装置。

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