JP2654878B2 - 極薄型半導体装置の製造方法 - Google Patents
極薄型半導体装置の製造方法Info
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- sealing resin
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、極薄型半導体装置の製
造方法に係り、更に詳しくは内部リード、半導体素子、
素子搭載部及び導通回路を形成するワイヤを樹脂封止す
る際に、封止樹脂のボイドやワイヤの流れを防ぐと共
に、キャビティ内の狭い空間に封止樹脂を素子の上部及
び下部にバランス良く流し封止樹脂の未充填を防ぎ、高
品質の極薄型（樹脂封止厚み０．５〜１．０ｍｍ）半導
体装置の製造方法に関する。
造方法に係り、更に詳しくは内部リード、半導体素子、
素子搭載部及び導通回路を形成するワイヤを樹脂封止す
る際に、封止樹脂のボイドやワイヤの流れを防ぐと共
に、キャビティ内の狭い空間に封止樹脂を素子の上部及
び下部にバランス良く流し封止樹脂の未充填を防ぎ、高
品質の極薄型（樹脂封止厚み０．５〜１．０ｍｍ）半導
体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の樹脂封止方法は、図
８に示すように半導体素子７０が搭載された多数のリー
ドフレーム７１を、プレス機（図示せず）に固定された
上金型７２と、下金型７３との間に高圧クランプし、中
央のランナー７４からゲート部７５を経由して前記半導
体素子７０の位置に対応する金型のキャビティ７６内に
樹脂を射出注入していた。なお、図において７７は樹脂
を射出する為のプランジャを、７８は前記キャビティ７
６内のエアーを抜く為のエアー抜きを示す。そして、前
記ランナー７４はストレート状であって、前記金型内の
複数のキャビティ７６内に樹脂を同時に均等に流し込む
為には、前記ゲート部７５部分に大小を設けて均等に流
すようにしていた。
８に示すように半導体素子７０が搭載された多数のリー
ドフレーム７１を、プレス機（図示せず）に固定された
上金型７２と、下金型７３との間に高圧クランプし、中
央のランナー７４からゲート部７５を経由して前記半導
体素子７０の位置に対応する金型のキャビティ７６内に
樹脂を射出注入していた。なお、図において７７は樹脂
を射出する為のプランジャを、７８は前記キャビティ７
６内のエアーを抜く為のエアー抜きを示す。そして、前
記ランナー７４はストレート状であって、前記金型内の
複数のキャビティ７６内に樹脂を同時に均等に流し込む
為には、前記ゲート部７５部分に大小を設けて均等に流
すようにしていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
装置の樹脂封止厚みが０．５〜１．０ｍｍ程度になる
と、前記の如くゲート部７５の部分に大小を設けて（ラ
ンナー・コンビネーション方式）樹脂を均等に流すよう
にする事はゲート部の製作が困難となるという問題点が
あった。更に、従来方法においては、ゲート部７５はキ
ャビティ７６に密接してしかもリードフレーム７１の下
部に設けられているので、下側のキャビティ７６内に樹
脂が流れ易く、従って、キャビティ７６内の上・下側で
樹脂の流入バランスが悪く、この為上側のキャビティ７
６内に空気が残り、封止樹脂のボイドや未充填等の欠陥
が生じる等の問題点があった。本発明はかかる事情に鑑
みてなされたもので、同時にしかも欠陥の無い多数の極
薄型の半導体装置を製造する方法を提供することを目的
とする。
装置の樹脂封止厚みが０．５〜１．０ｍｍ程度になる
と、前記の如くゲート部７５の部分に大小を設けて（ラ
ンナー・コンビネーション方式）樹脂を均等に流すよう
にする事はゲート部の製作が困難となるという問題点が
あった。更に、従来方法においては、ゲート部７５はキ
ャビティ７６に密接してしかもリードフレーム７１の下
部に設けられているので、下側のキャビティ７６内に樹
脂が流れ易く、従って、キャビティ７６内の上・下側で
樹脂の流入バランスが悪く、この為上側のキャビティ７
６内に空気が残り、封止樹脂のボイドや未充填等の欠陥
が生じる等の問題点があった。本発明はかかる事情に鑑
みてなされたもので、同時にしかも欠陥の無い多数の極
薄型の半導体装置を製造する方法を提供することを目的
とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記目的に沿う請求項１
記載の樹脂封止厚みが０．５〜１ｍｍの極薄型半導体装
置の製造方法は、中央の素子搭載部の周囲に複数の内部
リード及びこれらに連結する外部リードを備え、両側に
はサイドレールが設けられたリードフレームを使用し、
前記素子搭載部に半導体素子を搭載した後、前記内部リ
ードとの間のワイヤボンディングを行う第１工程と、第
１工程で製造された封止前の半導体装置を、末端ほど細
くなるランナー及びこれに連結されて樹脂注入するキャ
ビティ位置によってその大きさが異なるサブランナーを
下金型に備えたモールド金型に挟持する第２工程と、ポ
ット内の予熱された封止樹脂のトランスファスピードが
少なくとも２段階で制御された射出加圧用プランジャを
備え、前記封止樹脂を前記キャビティ内に前記ランナー
及びサブランナー、更に該サブランナーと前記キャビテ
ィとの間に設けられたゲート部を介して前記挟持された
封止前の半導体装置の前記内部リード、前記素子搭載部
に搭載された前記半導体素子及びこれらのボンディング
用ワイヤを樹脂封止する第３工程と、第３工程によって
樹脂封止された前記半導体装置の前記外部リードを分離
成形した後、該外部リードを所要の形状に折り曲げ形成
する第４工程とを有する極薄型半導体装置の製造方法に
おいて、前記ゲート部を上り勾配に形成すると共に、前
記ゲート部の延長通路にあって、前記キャビティに隣接
する前記サイドレールの側縁に、上り勾配の前記ゲート
部を通過する封止樹脂を前記リードフレームの上部及び
下部に流す切欠き部を設け、更に、前記切欠き部が形成
された前記サイドレールとは反対側のサイドレールに樹
脂溜まりと、該樹脂溜まり及び前記キャビティを連結す
る導通部を設け、また、平面視して四角形の前記キャビ
ティの４隅からのエアーをそれぞれ抜かす４個のエアー
溜まりを前記サイドレールに設け、前記第３工程の樹脂
封止にあっては、まず前記封止樹脂の注入速度を速くし
て、前記キャビティ内のエアーを該キャビティの４隅か
らそれぞれの前記エアー溜まりに逃がしながら樹脂封止
を行い、最後に前記封止樹脂の注入速度を遅くして前記
キャビティに連結される前記導通部及び前記樹脂溜まり
に該封止樹脂を流すようにして樹脂封止を行い、前記封
止樹脂が前記キャビティ内にエアーを残すことなく充填
されるようにしている。また、請求項２記載の極薄型半
導体装置の製造方法は、請求項１記載の方法において、
前記キャビティに充填される樹脂封止厚みは０．５〜
０．８ｍｍであって、前記封止樹脂はスパイラルフロー
４０〜７０インチ、粘度１６０〜２００ポイズ及び充填
するフィラーの粒径が４８ミクロン以下となっている。
請求項３記載の極薄型半導体装置の製造方法は、請求項
１記載の方法において、前記キャビティに充填される樹
脂封止厚みは０．８〜１．０ｍｍであって、前記封止樹
脂はスパイラルフロー３０〜４０インチ、粘度２２０〜
２８０ポイズ及び充填するフィラーの粒径が７５ミクロ
ン以下となっている。請求項４記載の極薄型半導体装置
の製造方法は、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方
法において、第３工程において、モールド金型を１６５
〜１８０℃に加熱保持している。
記載の樹脂封止厚みが０．５〜１ｍｍの極薄型半導体装
置の製造方法は、中央の素子搭載部の周囲に複数の内部
リード及びこれらに連結する外部リードを備え、両側に
はサイドレールが設けられたリードフレームを使用し、
前記素子搭載部に半導体素子を搭載した後、前記内部リ
ードとの間のワイヤボンディングを行う第１工程と、第
１工程で製造された封止前の半導体装置を、末端ほど細
くなるランナー及びこれに連結されて樹脂注入するキャ
ビティ位置によってその大きさが異なるサブランナーを
下金型に備えたモールド金型に挟持する第２工程と、ポ
ット内の予熱された封止樹脂のトランスファスピードが
少なくとも２段階で制御された射出加圧用プランジャを
備え、前記封止樹脂を前記キャビティ内に前記ランナー
及びサブランナー、更に該サブランナーと前記キャビテ
ィとの間に設けられたゲート部を介して前記挟持された
封止前の半導体装置の前記内部リード、前記素子搭載部
に搭載された前記半導体素子及びこれらのボンディング
用ワイヤを樹脂封止する第３工程と、第３工程によって
樹脂封止された前記半導体装置の前記外部リードを分離
成形した後、該外部リードを所要の形状に折り曲げ形成
する第４工程とを有する極薄型半導体装置の製造方法に
おいて、前記ゲート部を上り勾配に形成すると共に、前
記ゲート部の延長通路にあって、前記キャビティに隣接
する前記サイドレールの側縁に、上り勾配の前記ゲート
部を通過する封止樹脂を前記リードフレームの上部及び
下部に流す切欠き部を設け、更に、前記切欠き部が形成
された前記サイドレールとは反対側のサイドレールに樹
脂溜まりと、該樹脂溜まり及び前記キャビティを連結す
る導通部を設け、また、平面視して四角形の前記キャビ
ティの４隅からのエアーをそれぞれ抜かす４個のエアー
溜まりを前記サイドレールに設け、前記第３工程の樹脂
封止にあっては、まず前記封止樹脂の注入速度を速くし
て、前記キャビティ内のエアーを該キャビティの４隅か
らそれぞれの前記エアー溜まりに逃がしながら樹脂封止
を行い、最後に前記封止樹脂の注入速度を遅くして前記
キャビティに連結される前記導通部及び前記樹脂溜まり
に該封止樹脂を流すようにして樹脂封止を行い、前記封
止樹脂が前記キャビティ内にエアーを残すことなく充填
されるようにしている。また、請求項２記載の極薄型半
導体装置の製造方法は、請求項１記載の方法において、
前記キャビティに充填される樹脂封止厚みは０．５〜
０．８ｍｍであって、前記封止樹脂はスパイラルフロー
４０〜７０インチ、粘度１６０〜２００ポイズ及び充填
するフィラーの粒径が４８ミクロン以下となっている。
請求項３記載の極薄型半導体装置の製造方法は、請求項
１記載の方法において、前記キャビティに充填される樹
脂封止厚みは０．８〜１．０ｍｍであって、前記封止樹
脂はスパイラルフロー３０〜４０インチ、粘度２２０〜
２８０ポイズ及び充填するフィラーの粒径が７５ミクロ
ン以下となっている。請求項４記載の極薄型半導体装置
の製造方法は、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方
法において、第３工程において、モールド金型を１６５
〜１８０℃に加熱保持している。
【０００５】
【作用】請求項１〜４記載の極薄型半導体装置の製造方
法においては、リードフレームの素子搭載部のサイドレ
ールの側縁に切欠き部が形成されていて、ゲート部の端
部上にリードフレームが存在しないので、上り勾配のゲ
ート部を通って射出される樹脂がこの部分でリードフレ
ームの上部及び下部に別れてキャビティ内に注入され
る。また、素子搭載部の一方側のサイドレールに樹脂溜
まりが、更にその内側に導通部が形成され、しかもサイ
ドレールに複数のエアー溜まりを有するリードフレーム
が使用されているので、リードフレームの上下にあるキ
ャビティ内のいずれかの余剰封止樹脂を円滑に排除する
と共に、エアーがモールド金型内に設けられたエアーベ
ントを通して円滑にエアー溜まりに抜けるので、円滑に
樹脂を該キャビティ内に射出注入できる。そして、キャ
ビティに封止樹脂をそれぞれ注入するゲート部は、一定
サイズとすると加工が容易であり、更にはサブランナー
のサイズがキャビティの位置によって異なり（末端ほど
大きくなる）、しかもランナーは末端ほど細くした円錐
型となっているので、ポット内の予熱された封止樹脂を
プランジャで押すことによって、略均等量の封止樹脂が
均等なトランスファスピードで各々キャビティ内に流れ
込む。更には、前記プランジャは、そのトランスファス
ピードが少なくとも２段階に制御されているので、最後
の部分で封止樹脂の押出速度を緩め、キャビティ内の空
気を完全に追い出して封止樹脂を注入できる。
法においては、リードフレームの素子搭載部のサイドレ
ールの側縁に切欠き部が形成されていて、ゲート部の端
部上にリードフレームが存在しないので、上り勾配のゲ
ート部を通って射出される樹脂がこの部分でリードフレ
ームの上部及び下部に別れてキャビティ内に注入され
る。また、素子搭載部の一方側のサイドレールに樹脂溜
まりが、更にその内側に導通部が形成され、しかもサイ
ドレールに複数のエアー溜まりを有するリードフレーム
が使用されているので、リードフレームの上下にあるキ
ャビティ内のいずれかの余剰封止樹脂を円滑に排除する
と共に、エアーがモールド金型内に設けられたエアーベ
ントを通して円滑にエアー溜まりに抜けるので、円滑に
樹脂を該キャビティ内に射出注入できる。そして、キャ
ビティに封止樹脂をそれぞれ注入するゲート部は、一定
サイズとすると加工が容易であり、更にはサブランナー
のサイズがキャビティの位置によって異なり（末端ほど
大きくなる）、しかもランナーは末端ほど細くした円錐
型となっているので、ポット内の予熱された封止樹脂を
プランジャで押すことによって、略均等量の封止樹脂が
均等なトランスファスピードで各々キャビティ内に流れ
込む。更には、前記プランジャは、そのトランスファス
ピードが少なくとも２段階に制御されているので、最後
の部分で封止樹脂の押出速度を緩め、キャビティ内の空
気を完全に追い出して封止樹脂を注入できる。
【０００６】
【実施例】続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明
を具体化した実施例につき説明し、本発明の理解に供す
る。ここに、図１は本発明の一実施例に係る極薄型半導
体装置の製造方法に使用するリードフレームの平面図、
図２は前記極薄型半導体装置の一部省略断面図、図３は
同平面図、図４は同断面図、図５は前記方法に使用する
モールド金型の下金型平面図、図６は封止樹脂加圧部の
部分断面図、図７はゲート部詳細図である。
を具体化した実施例につき説明し、本発明の理解に供す
る。ここに、図１は本発明の一実施例に係る極薄型半導
体装置の製造方法に使用するリードフレームの平面図、
図２は前記極薄型半導体装置の一部省略断面図、図３は
同平面図、図４は同断面図、図５は前記方法に使用する
モールド金型の下金型平面図、図６は封止樹脂加圧部の
部分断面図、図７はゲート部詳細図である。
【０００７】図１に示すように、本発明の一実施例に係
る極薄型半導体装置の製造方法に使用するリードフレー
ム１０には、帯状素材の不要部分を順次除去するパンチ
及びダイを適切な順序で配列して構成された金型装置を
用いて所要の形状を打抜き形成する打抜きプレス加工装
置で形成され中央に配置された素子搭載部１１と、その
進行方向前後にそれぞれ配置された内部リード１２、外
部リード１３及びダムバー１４と、両側のサイドレール
１５に形成されたエアー溜まり１６と、前記素子搭載部
１１の一方側のサイドレール１５の側縁に形成された切
欠き部１７と、他方側のサイドレール１５の側縁に形成
された導通部１８及び樹脂溜まり１９とを備えている。
る極薄型半導体装置の製造方法に使用するリードフレー
ム１０には、帯状素材の不要部分を順次除去するパンチ
及びダイを適切な順序で配列して構成された金型装置を
用いて所要の形状を打抜き形成する打抜きプレス加工装
置で形成され中央に配置された素子搭載部１１と、その
進行方向前後にそれぞれ配置された内部リード１２、外
部リード１３及びダムバー１４と、両側のサイドレール
１５に形成されたエアー溜まり１６と、前記素子搭載部
１１の一方側のサイドレール１５の側縁に形成された切
欠き部１７と、他方側のサイドレール１５の側縁に形成
された導通部１８及び樹脂溜まり１９とを備えている。
【０００８】前記切欠き部１７の下部に位置するモール
ド金型の下金型２０内には、図３に２点鎖線で示すよう
に、ゲート部２１及びこれに連接するサブランナー２２
が設けられて、該切欠き部１７を通りキャビティ２３内
に封止樹脂をバランス良く注入できるようになってい
る。そして、キャビティ２３内に注入された樹脂の余り
が入り込む樹脂溜まり１９には、キャビティ２３に連接
する導通部１８が設けられているが、該導通部１８は、
図２（Ａ）に示すようにリードフレーム１０に切欠き部
１８ａを設けることによって形成されているが、図２
（Ｂ）に示すようにリードフレーム１０の表面を部分的
にエッチングあるいは電解処理をして溝１８ｂを設け、
該溝１８ｂによって導通部を形成することも可能であ
る。
ド金型の下金型２０内には、図３に２点鎖線で示すよう
に、ゲート部２１及びこれに連接するサブランナー２２
が設けられて、該切欠き部１７を通りキャビティ２３内
に封止樹脂をバランス良く注入できるようになってい
る。そして、キャビティ２３内に注入された樹脂の余り
が入り込む樹脂溜まり１９には、キャビティ２３に連接
する導通部１８が設けられているが、該導通部１８は、
図２（Ａ）に示すようにリードフレーム１０に切欠き部
１８ａを設けることによって形成されているが、図２
（Ｂ）に示すようにリードフレーム１０の表面を部分的
にエッチングあるいは電解処理をして溝１８ｂを設け、
該溝１８ｂによって導通部を形成することも可能であ
る。
【０００９】図５は複数のリードフレーム１０が進行方
向に対して二列に配置されるモールド金型の下金型２０
の平面図を示すが、中央に形成されたランナー２４と、
該ランナー２４に連結されるサブランナー２２及びゲー
ト部２１と、封止樹脂が充填されるキャビティ２３と、
該キャビティ２３の外側に形成された複数のエアーべン
ト２５と、前記ランナー２４の基端部に形成されるカル
部２６と、前記ランナー２４の終端に形成される樹脂溜
まり部２７とを備えている。前記ランナー２４は、基端
部の幅Ａが終端部の幅Ｂより大きくなって、終端部程低
くなる樹脂圧に対応して通過抵抗を徐々に変え、全体と
してテーパー状となっている。前記ゲート部２１の形状
は各キャビティ２３について同一形状となっているが、
サブランナー２２は基端部側から終端部側にかけて徐々
に大きくなって、前記ランナー２４とサブランナー２２
のバリエイションによって全てのキャビティ２３に一回
の射出によって略同量の封止樹脂が注入でき、且つ、同
一のトランスファスピードで注入できるようになってい
る。そして、サブランナー２２に連結するゲート部２１
は上り勾配となって、封止樹脂の半分を切欠き部１７及
びその中央よりに形成される隙間からリードフレーム１
０の上部のキャビティ２３内に注入し、残りの半分をリ
ードフレーム１０の下部のキャビティ２３に振り分け注
入するようになっている。
向に対して二列に配置されるモールド金型の下金型２０
の平面図を示すが、中央に形成されたランナー２４と、
該ランナー２４に連結されるサブランナー２２及びゲー
ト部２１と、封止樹脂が充填されるキャビティ２３と、
該キャビティ２３の外側に形成された複数のエアーべン
ト２５と、前記ランナー２４の基端部に形成されるカル
部２６と、前記ランナー２４の終端に形成される樹脂溜
まり部２７とを備えている。前記ランナー２４は、基端
部の幅Ａが終端部の幅Ｂより大きくなって、終端部程低
くなる樹脂圧に対応して通過抵抗を徐々に変え、全体と
してテーパー状となっている。前記ゲート部２１の形状
は各キャビティ２３について同一形状となっているが、
サブランナー２２は基端部側から終端部側にかけて徐々
に大きくなって、前記ランナー２４とサブランナー２２
のバリエイションによって全てのキャビティ２３に一回
の射出によって略同量の封止樹脂が注入でき、且つ、同
一のトランスファスピードで注入できるようになってい
る。そして、サブランナー２２に連結するゲート部２１
は上り勾配となって、封止樹脂の半分を切欠き部１７及
びその中央よりに形成される隙間からリードフレーム１
０の上部のキャビティ２３内に注入し、残りの半分をリ
ードフレーム１０の下部のキャビティ２３に振り分け注
入するようになっている。
【００１０】図６は、封止樹脂を注入する為の樹脂注入
装置２８を示すが、図に示すようにモールド金型の上金
型２９内にポット３０が形成され、該ポット３０内に昇
降するプランジャ３１を備え、下部のパッティング面３
２に向かって所定温度に加熱された封止樹脂を押圧する
ようになっている。ここで、図示しないシリンダーから
なる前記プランジャ３１の押圧手段は押圧速度が２段に
調整できるようになって、最初のＳ１の部分（パッティ
ング面３２から１５〜３ｍｍの位置）では前記プランジ
ャ３１の移動速度が１０ｍｍ／ｓｅｃとなって、次のＳ
２の部分ではその移動速度が５ｍｍ／ｓｅｃとなって、
封止樹脂の注入速度を減少するようになっている。
装置２８を示すが、図に示すようにモールド金型の上金
型２９内にポット３０が形成され、該ポット３０内に昇
降するプランジャ３１を備え、下部のパッティング面３
２に向かって所定温度に加熱された封止樹脂を押圧する
ようになっている。ここで、図示しないシリンダーから
なる前記プランジャ３１の押圧手段は押圧速度が２段に
調整できるようになって、最初のＳ１の部分（パッティ
ング面３２から１５〜３ｍｍの位置）では前記プランジ
ャ３１の移動速度が１０ｍｍ／ｓｅｃとなって、次のＳ
２の部分ではその移動速度が５ｍｍ／ｓｅｃとなって、
封止樹脂の注入速度を減少するようになっている。
【００１１】従って、本発明の実施例に係る極薄型半導
体装置の製造方法においては、まず、図１に示すよう
に、中央に配置された素子搭載部１１と、その進行方向
前後にそれぞれ配置された内部リード１２、外部リード
１３及びダムバー１４と、両側のサイドレール１５に形
成されたエアー溜まり１６と、前記素子搭載部１１の一
方側のサイドレール１５に形成された切欠き部１７と、
他方側のサイドレール１５に形成された導通部１８及び
樹脂溜まり１９とを備えたリードフレーム１０を用意
し、これに所定の半導体素子３３を搭載して、内部リー
ド１２との間のワイヤ３４によるボンディングを行い、
図５に示すように下金型２０の上に載せ、上金型２９を
載せる。
体装置の製造方法においては、まず、図１に示すよう
に、中央に配置された素子搭載部１１と、その進行方向
前後にそれぞれ配置された内部リード１２、外部リード
１３及びダムバー１４と、両側のサイドレール１５に形
成されたエアー溜まり１６と、前記素子搭載部１１の一
方側のサイドレール１５に形成された切欠き部１７と、
他方側のサイドレール１５に形成された導通部１８及び
樹脂溜まり１９とを備えたリードフレーム１０を用意
し、これに所定の半導体素子３３を搭載して、内部リー
ド１２との間のワイヤ３４によるボンディングを行い、
図５に示すように下金型２０の上に載せ、上金型２９を
載せる。
【００１２】そして、予め用意された封止樹脂が１６５
〜１７５℃に加熱されてポット３０内に入れられてい
る。この封止樹脂は半導体装置の樹脂封止厚みが０．５
〜０．８ｍｍの場合には、スパイラルフロー４０〜７０
インチ（好ましくは５５インチ）、粘度１６０〜２００
ポイズ（好ましくは、１８０ポイズ）、フィラーの粒径
が最大４８ミクロンのエポキシ系の樹脂を使用するのが
好ましく、また半導体装置の樹脂封止厚みが０．８〜
１．０ｍｍの場合には、スパイラルフロー３０〜４０イ
ンチ（好ましくは３３インチ）、粘度２２０〜２８０ポ
イズ（好ましくは２５０ポイズ）を使用するのが好まし
い。前記封止樹脂の充填速度が、最初のＳ１の部分では
前記プランジャ３１の移動速度が１０ｍｍ／ｓｅｃとな
って、次のＳ２の部分ではその移動速度が５ｍｍ／ｓｅ
ｃとなって、最初は比較的注入速度が速く、最後の部分
で注入速度を遅くして内部の空気を完全に追い出すよう
にしている。これによって、図７に示すように封止樹脂
はランナー２４を通って各サブランナー２２からゲート
部２１を通ってキャビティ２３内に充填され、樹脂溜ま
り１９にその一部が流れて射出注入を完了する。図４は
このような状態の極薄型半導体装置の断面を示し、３５
は封止樹脂を示す。
〜１７５℃に加熱されてポット３０内に入れられてい
る。この封止樹脂は半導体装置の樹脂封止厚みが０．５
〜０．８ｍｍの場合には、スパイラルフロー４０〜７０
インチ（好ましくは５５インチ）、粘度１６０〜２００
ポイズ（好ましくは、１８０ポイズ）、フィラーの粒径
が最大４８ミクロンのエポキシ系の樹脂を使用するのが
好ましく、また半導体装置の樹脂封止厚みが０．８〜
１．０ｍｍの場合には、スパイラルフロー３０〜４０イ
ンチ（好ましくは３３インチ）、粘度２２０〜２８０ポ
イズ（好ましくは２５０ポイズ）を使用するのが好まし
い。前記封止樹脂の充填速度が、最初のＳ１の部分では
前記プランジャ３１の移動速度が１０ｍｍ／ｓｅｃとな
って、次のＳ２の部分ではその移動速度が５ｍｍ／ｓｅ
ｃとなって、最初は比較的注入速度が速く、最後の部分
で注入速度を遅くして内部の空気を完全に追い出すよう
にしている。これによって、図７に示すように封止樹脂
はランナー２４を通って各サブランナー２２からゲート
部２１を通ってキャビティ２３内に充填され、樹脂溜ま
り１９にその一部が流れて射出注入を完了する。図４は
このような状態の極薄型半導体装置の断面を示し、３５
は封止樹脂を示す。
【００１３】
【発明の効果】請求項１〜４記載の極薄型半導体装置の
製造方法は以上の説明からも明らかなように、リードフ
レームの一方側のサイドレールの内側の側縁には、ゲー
ト部からの樹脂をリードフレームの上部及び下部に均等
に流す切欠き部を設け、該リードフレームの他方側のサ
イドレールには、樹脂封止時に形成されるキャビティに
連接する導通部と、これに連接される樹脂溜まりとを備
えているので、封止樹脂がリードフレームの上下に略均
等に充填される。従って、従来技術の欠点である未充填
や不均等な硬化による反り、クラック等の欠陥のない極
薄型半導体装置を製造することができる。更には、切欠
き部が形成されたサイドレールとは反対側のサイドレー
ルに樹脂溜まりとこれに連結する導通部を設け、また、
平面視して四角形の前記キャビティの４隅からのエアー
をそれぞれ抜かす４個のエアー溜まりを前記サイドレー
ルに設け、しかも、樹脂封止にあっては、まず前記封止
樹脂の注入速度を速くして、前記キャビティ内のエアー
を該キャビティの４隅からそれぞれの前記エアー溜まり
に逃がしながら樹脂封止を行い、最後に前記封止樹脂の
注入速度を遅くして前記キャビティに連結される前記導
通部及び前記樹脂溜まりに該封止樹脂を流すようにして
樹脂封止を行い、前記封止樹脂が前記キャビティ内にエ
アーを残すことなく充填されるようにしているので、キ
ャビティ内にエアー等を残すことなくモールドを行うこ
とができる。これによって、欠陥のない高品質の極薄型
半導体装置を得ることができる。
製造方法は以上の説明からも明らかなように、リードフ
レームの一方側のサイドレールの内側の側縁には、ゲー
ト部からの樹脂をリードフレームの上部及び下部に均等
に流す切欠き部を設け、該リードフレームの他方側のサ
イドレールには、樹脂封止時に形成されるキャビティに
連接する導通部と、これに連接される樹脂溜まりとを備
えているので、封止樹脂がリードフレームの上下に略均
等に充填される。従って、従来技術の欠点である未充填
や不均等な硬化による反り、クラック等の欠陥のない極
薄型半導体装置を製造することができる。更には、切欠
き部が形成されたサイドレールとは反対側のサイドレー
ルに樹脂溜まりとこれに連結する導通部を設け、また、
平面視して四角形の前記キャビティの４隅からのエアー
をそれぞれ抜かす４個のエアー溜まりを前記サイドレー
ルに設け、しかも、樹脂封止にあっては、まず前記封止
樹脂の注入速度を速くして、前記キャビティ内のエアー
を該キャビティの４隅からそれぞれの前記エアー溜まり
に逃がしながら樹脂封止を行い、最後に前記封止樹脂の
注入速度を遅くして前記キャビティに連結される前記導
通部及び前記樹脂溜まりに該封止樹脂を流すようにして
樹脂封止を行い、前記封止樹脂が前記キャビティ内にエ
アーを残すことなく充填されるようにしているので、キ
ャビティ内にエアー等を残すことなくモールドを行うこ
とができる。これによって、欠陥のない高品質の極薄型
半導体装置を得ることができる。
【図１】本発明の一実施例に係る極薄型半導体装置の製
造方法に使用するリードフレームの平面図である。
造方法に使用するリードフレームの平面図である。
【図２】（Ａ）は同極薄型半導体装置の一部省略断面図
であり、（Ｂ）は応用例である。
であり、（Ｂ）は応用例である。
【図３】同平面図である。
【図４】同断面図である。
【図５】前記方法に使用するモールド金型の下金型平面
図である。
図である。
【図６】封止樹脂加圧部の部分断面図である。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれゲート部詳細図であ
る。
る。
【図８】従来例に係る半導体装置の製造方法を示す断面
図である。
図である。
１０ リードフレーム １１ 素子搭載
部 １２ 内部リード １３ 外部リー
ド １４ ダムバー １５ サイドレ
ール １６ エアー溜まり １７ 切欠き部 １８ 導通部 １８ａ 切欠き
部 １８ｂ 溝 １９ 樹脂溜ま
り ２０ 下金型 ２１ ゲート部 ２２ サブランナー ２３ キャビテ
ィ ２４ ランナー ２５ エアーベ
ント ２６ カル部 ２７ 樹脂溜ま
り部 ２８ 樹脂注入装置 ２９ 上金型 ３０ ポット ３１ プランジ
ャ ３２ パッティング面 ３３ 半導体素
子 ３４ ワイヤ ３５ 封止樹脂
部 １２ 内部リード １３ 外部リー
ド １４ ダムバー １５ サイドレ
ール １６ エアー溜まり １７ 切欠き部 １８ 導通部 １８ａ 切欠き
部 １８ｂ 溝 １９ 樹脂溜ま
り ２０ 下金型 ２１ ゲート部 ２２ サブランナー ２３ キャビテ
ィ ２４ ランナー ２５ エアーベ
ント ２６ カル部 ２７ 樹脂溜ま
り部 ２８ 樹脂注入装置 ２９ 上金型 ３０ ポット ３１ プランジ
ャ ３２ パッティング面 ３３ 半導体素
子 ３４ ワイヤ ３５ 封止樹脂
Claims (4)
- 【請求項１】 中央の素子搭載部の周囲に複数の内部リ
ード及びこれらに連結する外部リードを備え、両側には
サイドレールが設けられたリードフレームを使用し、前
記素子搭載部に半導体素子を搭載した後、前記内部リー
ドとの間のワイヤボンディングを行う第１工程と、 第１工程で製造された封止前の半導体装置を、末端ほど
細くなるランナー及びこれに連結されて樹脂注入するキ
ャビティ位置によってその大きさが異なるサブランナー
を下金型に備えたモールド金型に挟持する第２工程と、 ポット内の予熱された封止樹脂のトランスファスピード
が少なくとも２段階で制御された射出加圧用プランジャ
を備え、前記封止樹脂を前記キャビティ内に前記ランナ
ー及びサブランナー、更に該サブランナーと前記キャビ
ティとの間に設けられたゲート部を介して前記挟持され
た封止前の半導体装置の前記内部リード、前記素子搭載
部に搭載された前記半導体素子及びこれらのボンディン
グ用ワイヤを樹脂封止する第３工程と、 第３工程によって樹脂封止された前記半導体装置の前記
外部リードを分離成形した後、該外部リードを所要の形
状に折り曲げ形成する第４工程とを有する極薄型半導体
装置の製造方法において、 前記ゲート部を上り勾配に形成すると共に、前記ゲート
部の延長通路にあって、前記キャビティに隣接する前記
サイドレールの側縁に、上り勾配の前記ゲート部を通過
する封止樹脂を前記リードフレームの上部及び下部に流
す切欠き部を設け、 更に、前記切欠き部が形成された前記サイドレールとは
反対側のサイドレールに樹脂溜まりと、該樹脂溜まり及
び前記キャビティを連結する導通部を設け、また、平面
視して四角形の前記キャビティの４隅からのエアーをそ
れぞれ抜かす４個のエアー溜まりを前記サイドレールに
設け、 前記第３工程の樹脂封止にあっては、まず前記封止樹脂
の注入速度を速くして、前記キャビティ内のエアーを該
キャビティの４隅からそれぞれの前記エアー溜まりに逃
がしながら樹脂封止を行い、最後に前記封止樹脂の注入
速度を遅くして前記キャビティに連結される前記導通部
及び前記樹脂溜まりに該封止樹脂を流すようにして樹脂
封止を行い、前記封止樹脂が前記キャビティ内にエアー
を残すことなく充填されるようにしたことを特徴とする
樹脂封止厚みが０．５〜１ｍｍの極薄型半導体装置の製
造方法。 - 【請求項２】 前記キャビティに充填される樹脂封止厚
みは０．５〜０．８ｍｍであって、前記封止樹脂はスパ
イラルフロー４０〜７０インチ、粘度１６０〜２００ポ
イズ及び充填するフィラーの粒径が４８ミクロン以下で
ある請求項１記載の極薄型半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記キャビティに充填される樹脂封止厚
みは０．８〜１．０ｍｍであって、前記封止樹脂はスパ
イラルフロー３０〜４０インチ、粘度２２０〜２８０ポ
イズ及び充填するフィラーの粒径が７５ミクロン以下で
ある請求項１記載の極薄型半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記第３工程において、モールド金型を
１６５〜１８０℃に加熱保持する請求項１〜３のいずれ
か１項に記載の極薄型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3273116A JP2654878B2 (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 極薄型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3273116A JP2654878B2 (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 極薄型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582574A JPH0582574A (ja) | 1993-04-02 |
| JP2654878B2 true JP2654878B2 (ja) | 1997-09-17 |
Family
ID=17523358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3273116A Expired - Fee Related JP2654878B2 (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 極薄型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2654878B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5351256A (en) * | 1976-10-22 | 1978-05-10 | Hitachi Ltd | Mold for forming resin |
| JPS58222831A (ja) * | 1982-06-22 | 1983-12-24 | Fujitsu Ltd | トランスフア成形装置 |
| JPS63228655A (ja) * | 1987-03-17 | 1988-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
| JP2911906B2 (ja) * | 1989-01-12 | 1999-06-28 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-09-24 JP JP3273116A patent/JP2654878B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0582574A (ja) | 1993-04-02 |
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