JP2637942B2 - 液晶化合物 - Google Patents
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Description
【０００１】
本発明は、液晶混合物及びそれに使用される化合物に係
る。本発明は特に強誘電性スメクチック液晶混合物及び
化合物に係る。本発明はまた、これ等の混合物を封入し
た電気光学デバイスにも係る。
る。本発明は特に強誘電性スメクチック液晶混合物及び
化合物に係る。本発明はまた、これ等の混合物を封入し
た電気光学デバイスにも係る。
【０００２】
強誘電性スメクチック液晶材料はキラル傾斜スメクチッ
ク相、即ちキラルスメクチックＣ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，Ｉ，Ｆ
及びＫ相（本明細書中Ｓｃ* 等の＊はキラリティーを示
す）の強誘電性を利用するものである。Ｓｃ* 相は、最
も流動性が高いことから電気光学デバイスにおける使用
について最も多く研究されており、また該材料がＳｃ*
相を示すより高い温度においてＳA 相を示すことも表面
配向に寄与する面で望ましいことである。
ク相、即ちキラルスメクチックＣ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，Ｉ，Ｆ
及びＫ相（本明細書中Ｓｃ* 等の＊はキラリティーを示
す）の強誘電性を利用するものである。Ｓｃ* 相は、最
も流動性が高いことから電気光学デバイスにおける使用
について最も多く研究されており、また該材料がＳｃ*
相を示すより高い温度においてＳA 相を示すことも表面
配向に寄与する面で望ましいことである。
【０００３】 強誘電性液晶材料は、理想的には低粘度、広いスメクチ
ック液晶温度範囲、安定性等を具備することが望まし
く、特に高い自発分極係数（Ｐｓ，ｎＣcm-2で測定）を
有することが望ましい。単一成分材料でこれ等の性質を
示すものもあるが、スメクチック相を示す混合物を使用
するのが通常の方法となってきている。該混合物中の少
なくとも１つの化合物が光学的に活性（キラル）であっ
て、該混合物が示すスメクチック相が光学活性であり、
特にＳｃ* 相である。このような光学活性化合物を“キ
ラルドーパント”と指称する。
ック液晶温度範囲、安定性等を具備することが望まし
く、特に高い自発分極係数（Ｐｓ，ｎＣcm-2で測定）を
有することが望ましい。単一成分材料でこれ等の性質を
示すものもあるが、スメクチック相を示す混合物を使用
するのが通常の方法となってきている。該混合物中の少
なくとも１つの化合物が光学的に活性（キラル）であっ
て、該混合物が示すスメクチック相が光学活性であり、
特にＳｃ* 相である。このような光学活性化合物を“キ
ラルドーパント”と指称する。
【０００４】
本発明は、強誘電性スメクチック液晶混合物に含有させ
るのに好適な、式Ｉで表わされる新規な化合物を提供す
る。
るのに好適な、式Ｉで表わされる新規な化合物を提供す
る。
【０００５】
【化６】
【０００６】 式中、Ｒ1 及びＲ2 はＨ，Ｒ，ＲＯ，ＲＯＯＣ，ＲＣＯ
Ｏ，ＲＣＯＯＣＨ（ＣＨ3 ） ＣＯＯ及びＣＯＯＣＨ
（ＣＨ3 ）ＣＯＯＲ，ＣＮ及びハロゲンから個々に選択
され、ＲはＣ1-12アルキルであり、式中、
Ｏ，ＲＣＯＯＣＨ（ＣＨ3 ） ＣＯＯ及びＣＯＯＣＨ
（ＣＨ3 ）ＣＯＯＲ，ＣＮ及びハロゲンから個々に選択
され、ＲはＣ1-12アルキルであり、式中、
【０００７】
【化７】
【０００８】 から個々に選択され、これ等の環はハロゲン，ＣＮまた
はＣＨ3 から選択された１つ以上の側方置換基を有して
いてもよく、Ｂ，Ｃ及びＤはＣＯＯ，ＯＯＣ，ＣＨ2 Ｃ
Ｈ2 ，ＯＣＨ2 ，ＣＨ2 Ｏ，ＣＨ＝Ｎ，Ｎ＝ＣＨ，Ｎ＝
Ｎまたは単結合から個々に選択され、ｂ，ｃ，ｄ，ｅ及
びｚのそれぞれは個々に０または１であるが、但し（ｂ
＋ｃ＋ｄ＋ｅ）は１，２または３であり、Ｘ，Ｙ，Ｚの
それぞれは相異なり、−Ｏ−，ＣＯＯ，ＯＯＣ，ＣＨ2
または−ＣＨ（Ｗ）−から選択され、ここでＷはＣ1-5
アルキル，フェニル，シクロヘキシル，ハロゲンまたは
ＣＮを示し、ＷがＣＮのときはｄまたはｅが１であり、
また環
はＣＨ3 から選択された１つ以上の側方置換基を有して
いてもよく、Ｂ，Ｃ及びＤはＣＯＯ，ＯＯＣ，ＣＨ2 Ｃ
Ｈ2 ，ＯＣＨ2 ，ＣＨ2 Ｏ，ＣＨ＝Ｎ，Ｎ＝ＣＨ，Ｎ＝
Ｎまたは単結合から個々に選択され、ｂ，ｃ，ｄ，ｅ及
びｚのそれぞれは個々に０または１であるが、但し（ｂ
＋ｃ＋ｄ＋ｅ）は１，２または３であり、Ｘ，Ｙ，Ｚの
それぞれは相異なり、−Ｏ−，ＣＯＯ，ＯＯＣ，ＣＨ2
または−ＣＨ（Ｗ）−から選択され、ここでＷはＣ1-5
アルキル，フェニル，シクロヘキシル，ハロゲンまたは
ＣＮを示し、ＷがＣＮのときはｄまたはｅが１であり、
また環
【０００９】
【化８】
【００１０】 が存在する場合は同じ側方置換パターンを有する。
【００１１】 式Ｉの化合物は強誘電性スメクチック液晶混合物の有用
な成分である。本発明のもう１つの形態によれば、少な
くとも２種の化合物を含み、その少なくとも１種が式Ｉ
の化合物である強誘電性スメクチック液晶混合物が提供
される。
な成分である。本発明のもう１つの形態によれば、少な
くとも２種の化合物を含み、その少なくとも１種が式Ｉ
の化合物である強誘電性スメクチック液晶混合物が提供
される。
【００１２】 このような混合物における有用性は以下に記載するよう
な構造上及びその他の面からの好適物を選択する要因の
１つである。
な構造上及びその他の面からの好適物を選択する要因の
１つである。
【００１３】 式Ｉの化合物は光学的に活性であってもよく、ラセミ体
であってもよく、また光学的に不活性であってもよい
が、好ましくは混合物は少なくとも１種の光学的に活性
な式Ｉの化合物を含む。
であってもよく、また光学的に不活性であってもよい
が、好ましくは混合物は少なくとも１種の光学的に活性
な式Ｉの化合物を含む。
【００１４】 アルキル基Ｒは、直鎖（−ｎ）であってもよく、分枝で
あってもよく、ＲＣＯＯＣＨ（ＣＨ3 ）ＣＯＯまたはＣ
ＯＯＣＨ（ＣＨ3 ）ＣＯＯＲ以外に存在するときはキラ
ルであってもよい。好ましくはＲ1 及びＲ2 は個々にア
ルキル、アルコキシ、アルカノイルオキシまたはアルコ
キシカルボニルである。
あってもよく、ＲＣＯＯＣＨ（ＣＨ3 ）ＣＯＯまたはＣ
ＯＯＣＨ（ＣＨ3 ）ＣＯＯＲ以外に存在するときはキラ
ルであってもよい。好ましくはＲ1 及びＲ2 は個々にア
ルキル、アルコキシ、アルカノイルオキシまたはアルコ
キシカルボニルである。
【００１５】 存在する場合の
【００１６】
【化９】
【００１７】 の好ましい置換基はＦである。これらの環の１つが
【００１８】
【化１０】
【００１９】 である化合物が特に有用である。
【００２０】 好ましくは式ＩのＷはｎ−アルキル、特にメチルであ
る。
る。
【００２１】
式Ｉの単位−Ｘ−Ｙ−（Ｚ）z −の好ましい構造を下記
表１に挙げる。
表１に挙げる。
【００２２】
【化１１】
【００２３】 式Ｉの単位
【００２４】
【化１２】
【００２５】 の好ましい構造を下記表２に挙げる。
【００２６】
【化１３】
【００２７】 表２に示した構造中でフェニル環は１つのハロゲン側方
置換基を有してもよい。
置換基を有してもよい。
【００２８】 式Ｉの化合物の好ましい全体的構造を下記表３に挙げ
る。
る。
【００２９】
【化１４】
【００３０】 表３においてＲ1 はＣ3-10の直鎖または分枝アルキルま
たはアルコキシであり、Ｒ2 はＣ1-12アルキルまたはア
ルコキシであるか、あるいはＲ2 がフェニルまたはシク
ロヘキシル環に直接結合している場合はＲ2 はアルカノ
イルオキシ、アルコキシカルボニル、ＣＯＯＣＨ（ＣＨ
3 ）Ｃ3 Ｈ7 またはＣＯＯＣＨ（ＣＨ3）ＣＯＯＣ2 Ｈ
5 であってもよい。表３のフェニル環は１つの側方ハロ
ゲン置換基を有してもよい。
たはアルコキシであり、Ｒ2 はＣ1-12アルキルまたはア
ルコキシであるか、あるいはＲ2 がフェニルまたはシク
ロヘキシル環に直接結合している場合はＲ2 はアルカノ
イルオキシ、アルコキシカルボニル、ＣＯＯＣＨ（ＣＨ
3 ）Ｃ3 Ｈ7 またはＣＯＯＣＨ（ＣＨ3）ＣＯＯＣ2 Ｈ
5 であってもよい。表３のフェニル環は１つの側方ハロ
ゲン置換基を有してもよい。
【００３１】 表３に示したものの中で特に好ましい化合物は、構造
3.1, 3.2, 3.3, 3.4, 3.5, 3.6, 3.7, 3.8, 3.9及び3.1
0でＲ2 が2-オクチルオキシ（2-メチルヘプチルオキ
シ）のもの、及び3.16のものである。
3.1, 3.2, 3.3, 3.4, 3.5, 3.6, 3.7, 3.8, 3.9及び3.1
0でＲ2 が2-オクチルオキシ（2-メチルヘプチルオキ
シ）のもの、及び3.16のものである。
【００３２】 構造3.16においてはＲ2 は好ましくは2-メチルヘプチル
である。
である。
【００３３】 式ＩにおいてＲは好ましくはＣ3 −Ｃ12ｎ−アルキルで
ある。
ある。
【００３４】 日本国特許出願56925/1984（公開No.199856 ／1985）は
式Ｉの化合物に関して一連のラセミ化合物のみを開示し
ている。またその記載においてはネマチック液晶混合物
中でのその使用についてのみ言及している。強誘電性ス
メクチック液晶混合物の物理及び化学はネマチック混合
物のそれと非常に異なっており、特に相溶性と光学的純
度の必要性において異なっていることはよく知られてい
る。従ってネマチック系についての知見は非常に特異的
なスメクチック混合物の形成について殆ど何の示唆も提
供し得ない。
式Ｉの化合物に関して一連のラセミ化合物のみを開示し
ている。またその記載においてはネマチック液晶混合物
中でのその使用についてのみ言及している。強誘電性ス
メクチック液晶混合物の物理及び化学はネマチック混合
物のそれと非常に異なっており、特に相溶性と光学的純
度の必要性において異なっていることはよく知られてい
る。従ってネマチック系についての知見は非常に特異的
なスメクチック混合物の形成について殆ど何の示唆も提
供し得ない。
【００３５】 本発明の強誘電性スメクチック液晶混合物は通常多くの
化合物から構成され、１種以上の光学的に活性な化合物
を含み、好ましくはそのうち少なくとも１種が式Ｉの化
合物である。混合物中のその他の化合物は通常、単独で
またはその他の化合物の一部もしくは全部と混合されて
スメクチック相、好ましくはＳｃを示す化合物を少なく
とも１種含み、それ等の化合物の少なくとも１種はラセ
ミ体である式Ｉの化合物であってもよい。これ等のその
他の化合物は「スメクチックホスト」と指称されること
が多い。
化合物から構成され、１種以上の光学的に活性な化合物
を含み、好ましくはそのうち少なくとも１種が式Ｉの化
合物である。混合物中のその他の化合物は通常、単独で
またはその他の化合物の一部もしくは全部と混合されて
スメクチック相、好ましくはＳｃを示す化合物を少なく
とも１種含み、それ等の化合物の少なくとも１種はラセ
ミ体である式Ｉの化合物であってもよい。これ等のその
他の化合物は「スメクチックホスト」と指称されること
が多い。
【００３６】 スメクチックホストの例としては以下のようなものが挙
げられる。
げられる。
【００３７】 (a) 例えば式
【００３８】
【化１５】
【００３９】 で示される、ＰＣＴ／ＧＢ86／0040に開示された化合物
及びその混合物。ここでＲA 及びＲB はアルキル（好ま
しくはｎ−アルキル）、アルコキシ（好ましくはｎ−ア
ルコキシ），アルカノイルオキシまたはアルコキシカル
ボニル（好ましくはｎ−アルコキシカルボニル）から個
々に選択され1-12個、好ましくは3-10個の炭素原子を含
む。好ましい化合物は構造
及びその混合物。ここでＲA 及びＲB はアルキル（好ま
しくはｎ−アルキル）、アルコキシ（好ましくはｎ−ア
ルコキシ），アルカノイルオキシまたはアルコキシカル
ボニル（好ましくはｎ−アルコキシカルボニル）から個
々に選択され1-12個、好ましくは3-10個の炭素原子を含
む。好ましい化合物は構造
【００４０】
【化１６】
【００４１】 のタイプのものであり、Ｒｃはアルキルである。
【００４２】 (b) 式
【００４３】
【化１７】
【００４４】 の化合物及びそれ等の混合物。ＲA 及びＲB はアルキル
（好ましくはｎ−アルキル）またはアルコキシ（好まし
くはｎ−アルコキシ）から個々に選択され、12個までの
炭素原子を含むものである。
（好ましくはｎ−アルキル）またはアルコキシ（好まし
くはｎ−アルコキシ）から個々に選択され、12個までの
炭素原子を含むものである。
【００４５】 (c) 公知のスメクチックホストのその他の例として下記
一般式
一般式
【００４６】
【化１８】
【００４７】 の化合物が挙げられる。ＲA 及びＲB はｎ−アルキル及
びｎ−アルコキシから個々に選択され、ＲC はｎ−アル
キル、好ましくはエチルである。
びｎ−アルコキシから個々に選択され、ＲC はｎ−アル
キル、好ましくはエチルである。
【００４８】 (d) r-1-シアノ‐シス‐4-(4'-アルキルまたはアルコキ
シ‐ビフェニル‐4-イル)-1-アルキルまたはアルコキシ
シクロヘキサン。
シ‐ビフェニル‐4-イル)-1-アルキルまたはアルコキシ
シクロヘキサン。
【００４９】 r-1-シアノ‐シス‐4-（トランス‐4-アルキルまたはア
ルコキシシクロヘキシル)-1-（トランス‐4-アルキルま
たはアルコキシシクロヘキシル)-シクロヘキサン。
ルコキシシクロヘキシル)-1-（トランス‐4-アルキルま
たはアルコキシシクロヘキシル)-シクロヘキサン。
【００５０】 前記混合物はまた、スメクチック材料と相溶性のその他
の光学活性化合物を含有してもよく、その例としてはPC
T GB／85／00512 に開示された乳酸誘導体、例えば
の光学活性化合物を含有してもよく、その例としてはPC
T GB／85／00512 に開示された乳酸誘導体、例えば
【００５１】
【化１９】
【００５２】 またはEPA 0110299 に開示された化合物、例えば
【００５３】
【化２０】
【００５４】 またはPCT/GB86/0046 に開示されたテルペノイド誘導体
がある。
がある。
【００５５】 混合物が１種より多い光学活性化合物、例えば式Ｉの化
合物と上述のその他の光学活性化合物の１種を含むよう
な場合、これ等の化合物によって誘起されるＳ* 相のヘ
リカルツイストの向きは同じでも逆でもよく、即ち(+)
及び(-) の光学活性化合物の両方を使用し得る。ヘリカ
ルピッチの長さを増加させるために逆の方向のＳ* 相の
ツイストを起す化合物を含有させることが望ましいこと
が多い。 混合物中の光学活性化合物のそれぞれが混合物中で同じ
符号のＰｓを示すことが望ましい。
合物と上述のその他の光学活性化合物の１種を含むよう
な場合、これ等の化合物によって誘起されるＳ* 相のヘ
リカルツイストの向きは同じでも逆でもよく、即ち(+)
及び(-) の光学活性化合物の両方を使用し得る。ヘリカ
ルピッチの長さを増加させるために逆の方向のＳ* 相の
ツイストを起す化合物を含有させることが望ましいこと
が多い。 混合物中の光学活性化合物のそれぞれが混合物中で同じ
符号のＰｓを示すことが望ましい。
【００５６】 混合物はまた、例えばＰｓ，Ｓｃ相の範囲、粘度等の性
質を改善するために、あるいはＳｃ* より高い温度でＳ
A 相を出現させて配向に寄与させるためにその他の公知
の添加剤を含んでもよい。Ｓｃ相の範囲を拡げるために
使用し得る化合物の種類の例としては
質を改善するために、あるいはＳｃ* より高い温度でＳ
A 相を出現させて配向に寄与させるためにその他の公知
の添加剤を含んでもよい。Ｓｃ相の範囲を拡げるために
使用し得る化合物の種類の例としては
【００５７】
【化２１】
【００５８】 が挙げらける。ＲA 及びＲB は個々にＣ1-12ｎ−アルキ
ルまたはｎ−アルコキシである。
ルまたはｎ−アルコキシである。
【００５９】 混合物はまた多色性染料を含んでもよい。
【００６０】 限定されるものではないが、典型的な本発明の強誘電性
スメクチック液晶混合物は下記の組成を有する。
スメクチック液晶混合物は下記の組成を有する。
【００６１】 １種以上のスメクチックホスト化合物 30-99 重量％ １種以上の式Ｉの光学活性化合物 1-50 重量％ １種以上のその他の光学活性化合物 0-20 重量％ 任意の添加剤及び多色性染料 0-20 重量％ １種以上のラセミ体の式Ｉの化合物 0-20 重量％。
【００６２】合計で 100重量％とする。本発明の液晶材
料の種々の成分の性質及び相対量は、該材料に意図され
る用途に依存し、特定の要求に適合させるためにはいく
らかの試行錯誤が必要であるが、このような材料の混合
及び評価の基本的原則は当分野においてよく知られてい
る。
料の種々の成分の性質及び相対量は、該材料に意図され
る用途に依存し、特定の要求に適合させるためにはいく
らかの試行錯誤が必要であるが、このような材料の混合
及び評価の基本的原則は当分野においてよく知られてい
る。
【００６３】式Ｉの化合物は一般的に使用され得る径路
により調製することができる。エステルであるもの、即
ち -COO-または-OOC- 基を含むものは公知のエステル合
成方法のいずれをも使用して調製することができ、新規
な化合物を形成することができる。一般的経路のいくつ
かの列を後記する実験例に示す。基−Ｏ−ＣＨ（Ｃ
Ｈ 3 ）−ＣＯＯ−または−ＯＯＣ−ＣＨ（ＣＨ3 ）−Ｏ
−を含む化合物のための一般的径路Ａを以下に示す。
により調製することができる。エステルであるもの、即
ち -COO-または-OOC- 基を含むものは公知のエステル合
成方法のいずれをも使用して調製することができ、新規
な化合物を形成することができる。一般的経路のいくつ
かの列を後記する実験例に示す。基−Ｏ−ＣＨ（Ｃ
Ｈ 3 ）−ＣＯＯ−または−ＯＯＣ−ＣＨ（ＣＨ3 ）−Ｏ
−を含む化合物のための一般的径路Ａを以下に示す。
【００６４】
【化２２】
【００６５】式中、
【００６６】
【化２３】
【００６７】であり、Ｒ1 ，Ｒ2 はアルキルまたはアル
コキシである。
コキシである。
【００６８】ステップＡ(i) で使用するスルホネートは
市販のエチルラクテートのスルホネートである。
市販のエチルラクテートのスルホネートである。
【００６９】光学的に活性な式Ｉの化合物が要求される
場合には、径路Ａの各段階について生成物の光学活性を
チェックすべきである。
場合には、径路Ａの各段階について生成物の光学活性を
チェックすべきである。
【００７０】その他の式Ｉの化合物の調製方法は実験実
施例より当業者には明らかであろう。
施例より当業者には明らかであろう。
【００７１】本発明の液晶材料は、例えばAppl. Phys.
Lett (1980), 36，899 及びRecentDevelopments in Co
ndensed Matter Physics (1981), 4, 309 に記載され
たクラーク‐ラガーウォールデバイス等の公知の強誘電
性スメクチック液晶表示デバイスのいずれのタイプのも
のにも使用し得る。このタイプのデバイスの物理及び製
造方法はよく知られており、例えばPCT/GB85/00512及び
PCT/GB86/0040 等に記載されている。実際のこのような
デバイスは、通常少なくとも１つが光学的に透明な２つ
の基板と、基板内表面上に配置され電圧を印加し得る電
極と、基板の間にサンドイッチされた液晶材料層から構
成される。Ｓｃ* 相のヘリカルピッチ長は材料の厚さに
匹敵することが望ましく、これが長いピッチの混合物が
有用であることの理由である。本発明の材料はクラーク
‐ラガーウォールデバイスの複屈折型ディスプレイモー
ド及びゲストホスト型ディスプレイモードのいずれにお
いても使用し得る。デバイスは例えば時計、計算機、ビ
デオスクリーンディスプレイ等の形態にすることがで
き、このような形態のデバイスの製造方法は当業者によ
く知られている。
Lett (1980), 36，899 及びRecentDevelopments in Co
ndensed Matter Physics (1981), 4, 309 に記載され
たクラーク‐ラガーウォールデバイス等の公知の強誘電
性スメクチック液晶表示デバイスのいずれのタイプのも
のにも使用し得る。このタイプのデバイスの物理及び製
造方法はよく知られており、例えばPCT/GB85/00512及び
PCT/GB86/0040 等に記載されている。実際のこのような
デバイスは、通常少なくとも１つが光学的に透明な２つ
の基板と、基板内表面上に配置され電圧を印加し得る電
極と、基板の間にサンドイッチされた液晶材料層から構
成される。Ｓｃ* 相のヘリカルピッチ長は材料の厚さに
匹敵することが望ましく、これが長いピッチの混合物が
有用であることの理由である。本発明の材料はクラーク
‐ラガーウォールデバイスの複屈折型ディスプレイモー
ド及びゲストホスト型ディスプレイモードのいずれにお
いても使用し得る。デバイスは例えば時計、計算機、ビ
デオスクリーンディスプレイ等の形態にすることがで
き、このような形態のデバイスの製造方法は当業者によ
く知られている。
【００７２】以下に例示としてのみの意味において、実
施例により本発明を説明する。
施例により本発明を説明する。
【００７３】注：本記載及び以下の実施例において
【００７４】
【化２４】
【００７５】はトランスシクロヘキシルを表わす。
【００７６】
【実施例】参考例１ （４−ｎ−ペンチル−４’−ビフェニリル）−２−
（４”−オクトキシフェニルオキシ）−（Ｓ）−プロピ
オネートの調製（手順Ａ）
（４”−オクトキシフェニルオキシ）−（Ｓ）−プロピ
オネートの調製（手順Ａ）
【００７７】
【化２５】
【００７８】第一段階：エチル−２（４’−トルエンス
ルホニルオキシ）（Ｓ）−プロピオネート エチルＬ−（＋）−ラクテート（２５ｇ、０．２１１９
モル）をトルエン−４−スルホニルクロリド（５０．５
ｇ、０．２６４８モル）及びピリジン（７５ｍｌ）と共
に室温で攪拌した。３時間後、水（３ｍｌ、０．１６６
７モル）を添加し更に１時間攪拌を維持した。有機層を
分離し、水相をジクロロメタン（２×１５０ｍｌ）で抽
出した。合わせた有機物質を水（２００ｍｌ）で洗浄
し、蒸気浴で溶媒を蒸留除去した。第一段階生成物５
０．９ｇが収率８８％で得られた。これをプロパン−２
−オール（１５０ｍｌ）から再結晶化によって精製し、
融点３２〜３３℃でＨＰＬＣで純度９９．９％の白色固
体３０．９ｇを得た。
ルホニルオキシ）（Ｓ）−プロピオネート エチルＬ−（＋）−ラクテート（２５ｇ、０．２１１９
モル）をトルエン−４−スルホニルクロリド（５０．５
ｇ、０．２６４８モル）及びピリジン（７５ｍｌ）と共
に室温で攪拌した。３時間後、水（３ｍｌ、０．１６６
７モル）を添加し更に１時間攪拌を維持した。有機層を
分離し、水相をジクロロメタン（２×１５０ｍｌ）で抽
出した。合わせた有機物質を水（２００ｍｌ）で洗浄
し、蒸気浴で溶媒を蒸留除去した。第一段階生成物５
０．９ｇが収率８８％で得られた。これをプロパン−２
−オール（１５０ｍｌ）から再結晶化によって精製し、
融点３２〜３３℃でＨＰＬＣで純度９９．９％の白色固
体３０．９ｇを得た。
【００７９】第二段階：エチル−２−（４’−ｎ−オク
トキシフェニルオキシ）（Ｓ）−プロピオ ネート（段階
Ａ（ｉ）） 第一段階の生成物（１０ｇ、０．０３６７６モル）を、
４−ｎ−オクトキシフェノール（８．１６ｇ、０．０３
６７６モル）及び無水炭酸カリウム（１０ｇ）と共にブ
タノン（１００ｍｌ）中で攪拌し還流下で２４時間沸騰
した。冷却した反応混合物を水（２００ｍｌ）に添加
し、水相をジクロロメタン（２×１５０ｍｌ）で分離抽
出して生成物を単離した。合わせた有機物質を水（２０
０ｍｌ）で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、蒸発乾涸
して粗生成物を収量１８．２５ｇで得た。これを塩基性
アルミナ（７２ｇ）カラムクロマトグラフィーで精製
し、石油アルコール（沸点６０〜８０℃）で溶出した。
生成物１０．０ｇ、収率８５％が得られた。
トキシフェニルオキシ）（Ｓ）−プロピオ ネート（段階
Ａ（ｉ）） 第一段階の生成物（１０ｇ、０．０３６７６モル）を、
４−ｎ−オクトキシフェノール（８．１６ｇ、０．０３
６７６モル）及び無水炭酸カリウム（１０ｇ）と共にブ
タノン（１００ｍｌ）中で攪拌し還流下で２４時間沸騰
した。冷却した反応混合物を水（２００ｍｌ）に添加
し、水相をジクロロメタン（２×１５０ｍｌ）で分離抽
出して生成物を単離した。合わせた有機物質を水（２０
０ｍｌ）で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、蒸発乾涸
して粗生成物を収量１８．２５ｇで得た。これを塩基性
アルミナ（７２ｇ）カラムクロマトグラフィーで精製
し、石油アルコール（沸点６０〜８０℃）で溶出した。
生成物１０．０ｇ、収率８５％が得られた。
【００８０】第三段階：２−（４’−オクトキシフェニ
ルオキシ）（Ｓ）−プロピオン酸（ステッ プＡ（ii）） 第二段階の生成物（１１．９ｇ、０．０３６９６モル）
を水酸化カリウム（６ｇ）、工業用メチルアルコール
（７５ｍｌ）及び水（１５ｍｌ）と共に還流下で３時間
１５分間沸騰した。冷却した反応混合物を１０％塩酸
（２５０ｍｌ）に添加して生成物を単離した。生成物を
濾別し、水洗し４０℃で真空乾燥した。生成物８．９
ｇ、収率８２％が得られた。
ルオキシ）（Ｓ）−プロピオン酸（ステッ プＡ（ii）） 第二段階の生成物（１１．９ｇ、０．０３６９６モル）
を水酸化カリウム（６ｇ）、工業用メチルアルコール
（７５ｍｌ）及び水（１５ｍｌ）と共に還流下で３時間
１５分間沸騰した。冷却した反応混合物を１０％塩酸
（２５０ｍｌ）に添加して生成物を単離した。生成物を
濾別し、水洗し４０℃で真空乾燥した。生成物８．９
ｇ、収率８２％が得られた。
【００８１】第四段階：（４−ｎ−ペンチル４’−ビフ
ェニリル）２−（４”−オクトキシフェニ ルオキシ）
（Ｓ）−プロピオネート（ステップＡ（iii ）及び（i
v）） この生成物を調製するために、まず第三段階の酸塩化物
を形成した。第三段階の生成物（８．５ｇ、０．０２８
９１モル）を塩化チオニル（２７ｍｌ）と共に還流下で
２時間沸騰し、次に余剰の塩化チオニルを蒸気浴及び最
終的に高真空下（０．１ミリバール）で蒸発除去した。
この酸塩化物を次に、ジクロロメタン（１２５ｍｌ）及
びトリエチルアミン（１２．５ｍｌ）に溶解した４’−
ヒドロキシ−４−ｎ−ペンチルビフェニル（６．９ｇ、
０．０２８９１モル）に添加した。この混合物を還流下
で１時間１０分間沸騰し、放冷し、水（１５０ｍｌ）に
添加して分離し、塩酸（１０％を１５０ｍｌ）と水（１
５０ｍｌ）とを順次用いて洗浄することによって生成物
を単離した。
ェニリル）２−（４”−オクトキシフェニ ルオキシ）
（Ｓ）−プロピオネート（ステップＡ（iii ）及び（i
v）） この生成物を調製するために、まず第三段階の酸塩化物
を形成した。第三段階の生成物（８．５ｇ、０．０２８
９１モル）を塩化チオニル（２７ｍｌ）と共に還流下で
２時間沸騰し、次に余剰の塩化チオニルを蒸気浴及び最
終的に高真空下（０．１ミリバール）で蒸発除去した。
この酸塩化物を次に、ジクロロメタン（１２５ｍｌ）及
びトリエチルアミン（１２．５ｍｌ）に溶解した４’−
ヒドロキシ−４−ｎ−ペンチルビフェニル（６．９ｇ、
０．０２８９１モル）に添加した。この混合物を還流下
で１時間１０分間沸騰し、放冷し、水（１５０ｍｌ）に
添加して分離し、塩酸（１０％を１５０ｍｌ）と水（１
５０ｍｌ）とを順次用いて洗浄することによって生成物
を単離した。
【００８２】溶媒を蒸発除去して、粗生成物１３．６
ｇ、理論量の９１．３％の収率が得られた。これを塩基
性アルミナ（５０ｇ）カラムクロマトグラフィーで精製
し、石油アルコール（沸点６０〜８０℃）とジクロロメ
タンとの２：１混合物中で溶出した。生成物９．０ｇ、
理論量の６０．４％の収率が得られた。これを工業用メ
チルアルコール（７０ｍｌ）及びピリジン（０．７５ｍ
ｌ）から再結晶化して更に精製した。融点Ｋ−Ｉ８６℃
の（４−ｎ−ペンチル−４’−ビフェニリル）２−
（４”−オクトキシフェニルオキシ）−（Ｓ）−プロピ
オネート（８．０ｇ）が理論量の５４％の収率で得られ
た。
ｇ、理論量の９１．３％の収率が得られた。これを塩基
性アルミナ（５０ｇ）カラムクロマトグラフィーで精製
し、石油アルコール（沸点６０〜８０℃）とジクロロメ
タンとの２：１混合物中で溶出した。生成物９．０ｇ、
理論量の６０．４％の収率が得られた。これを工業用メ
チルアルコール（７０ｍｌ）及びピリジン（０．７５ｍ
ｌ）から再結晶化して更に精製した。融点Ｋ−Ｉ８６℃
の（４−ｎ−ペンチル−４’−ビフェニリル）２−
（４”−オクトキシフェニルオキシ）−（Ｓ）−プロピ
オネート（８．０ｇ）が理論量の５４％の収率で得られ
た。
【００８３】参考例１の生成物の自発分極Ｐｓを、転移
温度ＳＣ−ＳＡ９０℃、ＳＡ−Ｃｈ９４℃及びＣｈ−Ｉ
１３３−１３６℃の混合物
温度ＳＣ−ＳＡ９０℃、ＳＡ−Ｃｈ９４℃及びＣｈ−Ｉ
１３３−１３６℃の混合物
【００８４】
【化２６】
【００８５】中で濃度１０重量％で測定した。
【００８６】この混合物の自発分極の経温変化を以下に
示す。
示す。
【００８７】Ｔ（℃） Ｐｓ（Ｃ／ｃｍ 2 ） ５０ ０．４１ ５５ ０．５９ ６０ ０．７５ ７０ ０．８７ ８０ ０．８０ ８５ ０．５６ ８８ ０．２８ ８９ ０．１６ 同様の方法で式
【００８８】
【化２７】
【００８９】で示される結晶−等方性融点８４℃の化合
物を調製した。
物を調製した。
【００９０】参考例２
【００９１】
【化２８】
【００９２】２．９８ｇ（０．０１モル）の４−（５−
ヘプチルピリミジニル−（２））−安息香酸と、市販の
Ｒ−プロピレンオキシドとヘプチルオキシフェニルマグ
ネシウムブロミドとから調製された２．５ｇ（０．０１
モル）の左旋性３−（４−ヘプチルオキシフェニル−
（１））−プロパノール−（２）、α20＝−３．１５
（ＣＨ2 Ｃｌ2 中ｃ＝１）と、２．３ｇのジシクロヘキ
シルカルボジイミドと０．２ｇの４−Ｎ，Ｎ−ジメチル
アミノピリジンと、２５ｍｌのジクロロエタンとを室温
で４８時間攪拌した。次に、反応混合物を外部から氷冷
し、ジシクロヘキシルウレアの沈殿物を濾別し、ジクロ
ロメタンで洗浄した。ジクロロメタン溶液の濾液を合わ
せて蒸発後トルエン／２％酢酸エチルでのシリカゲル上
のクロマトグラフにかけた。主画分からエタノールより
の再結晶化後、１−（ｐ−ヘプチルオキシフェニル）−
２−プロピル−４−（５−ヘプチルピリミジニル−
（２））−ベンゾエートを得、このＨＰＬＣ純度は９
９．１％であった。
ヘプチルピリミジニル−（２））−安息香酸と、市販の
Ｒ−プロピレンオキシドとヘプチルオキシフェニルマグ
ネシウムブロミドとから調製された２．５ｇ（０．０１
モル）の左旋性３−（４−ヘプチルオキシフェニル−
（１））−プロパノール−（２）、α20＝−３．１５
（ＣＨ2 Ｃｌ2 中ｃ＝１）と、２．３ｇのジシクロヘキ
シルカルボジイミドと０．２ｇの４−Ｎ，Ｎ−ジメチル
アミノピリジンと、２５ｍｌのジクロロエタンとを室温
で４８時間攪拌した。次に、反応混合物を外部から氷冷
し、ジシクロヘキシルウレアの沈殿物を濾別し、ジクロ
ロメタンで洗浄した。ジクロロメタン溶液の濾液を合わ
せて蒸発後トルエン／２％酢酸エチルでのシリカゲル上
のクロマトグラフにかけた。主画分からエタノールより
の再結晶化後、１−（ｐ−ヘプチルオキシフェニル）−
２−プロピル−４−（５−ヘプチルピリミジニル−
（２））−ベンゾエートを得、このＨＰＬＣ純度は９
９．１％であった。
【００９３】 （αD 20＝−８０．６） 融点７６．２℃ 融解エンタルピー ８．１６ｋｃａｌ／モル 同様にして以下の酸から、左旋性１−（４−ヘプチルオ
キシフェニル）−２−プロパノールとのエステル化によ
って対応するエステルを生成した。
キシフェニル）−２−プロパノールとのエステル化によ
って対応するエステルを生成した。
【００９４】
【化２９】
【００９５】参考例３ （Ｒ−プロピレンオキシドと４’−ヘプチルオキシビフ
ェニル−４−イル−マグネシウムブロミドとから調製さ
れた）光学活性１−（４’−ヘプチルオキシビフェニル
−４−イル）−プロパン−２−オールをブチル酸と共に
参考例２と同様に処理してエステル化し、光学活性１−
（４’−ヘプチルオキシビフェニル−４−イル）−２−
プロピルブチレートを調製した。同様にして以下の２−
プロパノール誘導体は脂肪族カルボン酸とのエステル化
によって対応するエステルを生成した。
ェニル−４−イル−マグネシウムブロミドとから調製さ
れた）光学活性１−（４’−ヘプチルオキシビフェニル
−４−イル）−プロパン−２−オールをブチル酸と共に
参考例２と同様に処理してエステル化し、光学活性１−
（４’−ヘプチルオキシビフェニル−４−イル）−２−
プロピルブチレートを調製した。同様にして以下の２−
プロパノール誘導体は脂肪族カルボン酸とのエステル化
によって対応するエステルを生成した。
【００９６】
【化３０】
【００９７】参考例４
【００９８】
【化３１】
【００９９】３．１６ｇ（０．０１モル）の４−（５−
ヘプチルオキシピリミジニル−（２））−安息香酸クロ
リドを、市販のＳ−プロピレンオキシドとヘプチルオキ
シフェニルマグネシウムブロミドとから調製された２．
５ｇ（０．０１モル）の右旋性３−（４−ヘプチルオキ
シフェニル−（１））−プロパノール−（２）、αD 20
＝＋３．１４（ＣＨ2 Ｃｌ2 中のｃ＝１）を含有する１
５ｍｌのピリジンに０℃で攪拌下に添加する。添加完了
後、反応混合物を室温まで温めて１晩攪拌する。次に、
混合物を１５０ｍｌの水に注ぎ、トルエンで抽出する。
次に、トルエン層を希ＨＣｌ、希ＮａＯＨ及び水で順次
洗浄し、Ｎａ2 ＳＯ4 で乾燥し蒸発させる。残渣をトル
エンで溶出することによってシリカゲルクロマトグラフ
にかけ、エステルを生成する。これをアセトニトリル及
びシクロヘキサンから再結晶化すると純粋物質１−（ｐ
−ヘプチルオキシフェニル）−２−プロピル−４−（５
−ヘプチルピリミジニル−（２））−ベンゾエートを得
る。
ヘプチルオキシピリミジニル−（２））−安息香酸クロ
リドを、市販のＳ−プロピレンオキシドとヘプチルオキ
シフェニルマグネシウムブロミドとから調製された２．
５ｇ（０．０１モル）の右旋性３−（４−ヘプチルオキ
シフェニル−（１））−プロパノール−（２）、αD 20
＝＋３．１４（ＣＨ2 Ｃｌ2 中のｃ＝１）を含有する１
５ｍｌのピリジンに０℃で攪拌下に添加する。添加完了
後、反応混合物を室温まで温めて１晩攪拌する。次に、
混合物を１５０ｍｌの水に注ぎ、トルエンで抽出する。
次に、トルエン層を希ＨＣｌ、希ＮａＯＨ及び水で順次
洗浄し、Ｎａ2 ＳＯ4 で乾燥し蒸発させる。残渣をトル
エンで溶出することによってシリカゲルクロマトグラフ
にかけ、エステルを生成する。これをアセトニトリル及
びシクロヘキサンから再結晶化すると純粋物質１−（ｐ
−ヘプチルオキシフェニル）−２−プロピル−４−（５
−ヘプチルピリミジニル−（２））−ベンゾエートを得
る。
【０１００】 αD 20＝＋７９．６ 融点７６．２℃ 同様にして、以下の酸塩化物と右旋性３−（４−ヘプチ
ルオキシフェニル−（１））−プロパノール−（２）と
のエステル化によって対応するエステルを調製した。
ルオキシフェニル−（１））−プロパノール−（２）と
のエステル化によって対応するエステルを調製した。
【０１０１】
【化３２】
【０１０２】参考例５
【０１０３】
【化３３】
【０１０４】テトラヒドロフラン中５％Ｐｄ／活性炭を
用い対応する２−ブテン酸の水素添加及び（＋）エフェ
ドリン（２−メチルアミノ−１−フェニルプロパノール
−（１））、αD 20＝＋３．３０（ＣＨ2 Ｃｌ2 中のｃ
＝１）による分解とによって調製された３．４ｇ（０．
０１モル）の右旋性３−［４−（５−ヘプチルピリミジ
ニル−（２））−フェニル−（１）］−ブチル酸を、
１．４２ｇのトランス４−プロピルシクロヘキサノール
と共に参考例１の方法でエステル化する。クロマトグラ
フィーで精製し結晶化して光学活性トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル−３−［４−（５−ヘプチルピリミ
ジニル−（２））−フェニル−（１）］−ブチレートが
得られる。
用い対応する２−ブテン酸の水素添加及び（＋）エフェ
ドリン（２−メチルアミノ−１−フェニルプロパノール
−（１））、αD 20＝＋３．３０（ＣＨ2 Ｃｌ2 中のｃ
＝１）による分解とによって調製された３．４ｇ（０．
０１モル）の右旋性３−［４−（５−ヘプチルピリミジ
ニル−（２））−フェニル−（１）］−ブチル酸を、
１．４２ｇのトランス４−プロピルシクロヘキサノール
と共に参考例１の方法でエステル化する。クロマトグラ
フィーで精製し結晶化して光学活性トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル−３−［４−（５−ヘプチルピリミ
ジニル−（２））−フェニル−（１）］−ブチレートが
得られる。
【０１０５】同様にして以下のアルコールとのエステル
化によって対応するエステルを調製した。
化によって対応するエステルを調製した。
【０１０６】
【化３４】
【０１０７】参考例６
【０１０８】
【化３５】
【０１０９】前記参考例と同様に分解によって得られた
１．７ｇの左旋性３−［４−（５−ヘプチルピリミジニ
ル−（２））−フェニル−（１）］−ブチル酸（αD 20
＝−３．３０）をＳＯＣｌ2 によって常法で対応する酸
塩化物に変換した。これを１０ｍｌのジエチルエーテル
に溶解し、１５ｍｌのジエチルエーテル中に３ｍｌのピ
リジンと１．６４ｇの４−ペンチルフェノールとを含有
する溶液に０℃で滴下した。０℃で更に１時間攪拌後、
混合物を室温で１晩攪拌した。中性成分の抽出及びクロ
マトグラフ分離後に光学活性ｐ−ペンチルフェニル−３
−［４−（５−ヘプチルピリミジニル−（２））−フェ
ニル−（１）］−ブチレートが得られた。
１．７ｇの左旋性３−［４−（５−ヘプチルピリミジニ
ル−（２））−フェニル−（１）］−ブチル酸（αD 20
＝−３．３０）をＳＯＣｌ2 によって常法で対応する酸
塩化物に変換した。これを１０ｍｌのジエチルエーテル
に溶解し、１５ｍｌのジエチルエーテル中に３ｍｌのピ
リジンと１．６４ｇの４−ペンチルフェノールとを含有
する溶液に０℃で滴下した。０℃で更に１時間攪拌後、
混合物を室温で１晩攪拌した。中性成分の抽出及びクロ
マトグラフ分離後に光学活性ｐ−ペンチルフェニル−３
−［４−（５−ヘプチルピリミジニル−（２））−フェ
ニル−（１）］−ブチレートが得られた。
【０１１０】同様にして以下のアルコールのエステル化
によって対応するエステルが得られた。
によって対応するエステルが得られた。
【０１１１】
【化３６】
【０１１２】参考例７
【０１１３】
【化３７】
【０１１４】ａｌｌ−トランス４−（４’−プロピルシ
クロヘキシル）−シクロヘキサン−酢酸から、該酸と等
価量の炭酸セシウム（Ｃｓ2 ＣＯ3 ）である成分をジメ
チルホルムアミド中で混合しジメチルホルムアミドを蒸
発させて調製することによって誘導された３．９７ｇの
Ｃｓ−塩を、２．５５ｇの右旋性１−ブロモ−１−（４
−ペンチルフェニル）−エタンと共に３０ｍｌのジメチ
ルホルムアミド中で６０℃で攪拌下に１晩反応させる。
反応混合物を水に注ぎ、ｎ−ヘキサンで抽出し、乾燥
し、蒸発させシリカゲルで濾過する。アセトニトリルか
ら再結晶化後、１−（ｐ−ペンチルフェニル）−１−エ
チルａｌｌ−トランス−４（４’−プロピルシクロヘキ
シル）−シクロヘキシルアセテートが得られる。
クロヘキシル）−シクロヘキサン−酢酸から、該酸と等
価量の炭酸セシウム（Ｃｓ2 ＣＯ3 ）である成分をジメ
チルホルムアミド中で混合しジメチルホルムアミドを蒸
発させて調製することによって誘導された３．９７ｇの
Ｃｓ−塩を、２．５５ｇの右旋性１−ブロモ−１−（４
−ペンチルフェニル）−エタンと共に３０ｍｌのジメチ
ルホルムアミド中で６０℃で攪拌下に１晩反応させる。
反応混合物を水に注ぎ、ｎ−ヘキサンで抽出し、乾燥
し、蒸発させシリカゲルで濾過する。アセトニトリルか
ら再結晶化後、１−（ｐ−ペンチルフェニル）−１−エ
チルａｌｌ−トランス−４（４’−プロピルシクロヘキ
シル）−シクロヘキシルアセテートが得られる。
【０１１５】同様の方法で以下の酸から対応するエステ
ルが得られる。
ルが得られる。
【０１１６】
【化３８】
【０１１７】参考例８
【０１１８】
【化３９】
【０１１９】ドイツ特許出願ＤＥ−ＯＳ３５１５３７３
に記載の３．４７ｇ（０．０１モル）の光学活性ｐ−
（５−ヘキシルピリミジン−２−イル）−フェノールの
α−クロロプロピオン酸エステルを２．１５ｇのｐ−ヘ
プチルフェノールナトリウムと共に２０ｍｌのＮ−メチ
ルピロリドン中で８０℃で２時間反応させる。得られた
反応混合物を水に注ぎ、トルエンで抽出し、トルエン層
を乾燥し蒸発させる。残渣をトルエン／１％アセトンを
用いてシリカゲルクロマトグラフにかけた。再結晶化後
の主画分から、光学活性ｐ−（５−ヘキシルピリミジン
−２−イル）−フェニル２−（ｐ−ヘプチルフェノキ
シ）−プロピオネートを得た。
に記載の３．４７ｇ（０．０１モル）の光学活性ｐ−
（５−ヘキシルピリミジン−２−イル）−フェノールの
α−クロロプロピオン酸エステルを２．１５ｇのｐ−ヘ
プチルフェノールナトリウムと共に２０ｍｌのＮ−メチ
ルピロリドン中で８０℃で２時間反応させる。得られた
反応混合物を水に注ぎ、トルエンで抽出し、トルエン層
を乾燥し蒸発させる。残渣をトルエン／１％アセトンを
用いてシリカゲルクロマトグラフにかけた。再結晶化後
の主画分から、光学活性ｐ−（５−ヘキシルピリミジン
−２−イル）−フェニル２−（ｐ−ヘプチルフェノキ
シ）−プロピオネートを得た。
【０１２０】以下の求核物質を同様にして反応させると
対応する誘導体が得られた。
対応する誘導体が得られた。
【０１２１】
【化４０】
【０１２２】参考例９
【０１２３】
【化４１】
【０１２４】（＋）エフェドリンによる分解とテトラヒ
ドロフラン中の５％Ｐｄ／活性炭の存在下での対応する
α−メチルシンナミン酸の水素添加によるラセミ酸の調
製とによって得られた３．４ｇ（０．０１モル）の左旋
性３−［４−（５−ヘプチルピリミジニル−（２））−
フェニル−（１）］−２−メチルプロピオン酸（ＣＨ2
Ｃｌ2 中でαD 20＝２．３°）を２．２０ｇのノニルフ
ェノールで参考例２と同様にエステル化する。光学活性
ｐ−ノニルフェノール３−［４−（５−ヘプチルピリミ
ジニル−（２））−フェニル−（１）］−２−メチルプ
ロピオネートが得られる。
ドロフラン中の５％Ｐｄ／活性炭の存在下での対応する
α−メチルシンナミン酸の水素添加によるラセミ酸の調
製とによって得られた３．４ｇ（０．０１モル）の左旋
性３−［４−（５−ヘプチルピリミジニル−（２））−
フェニル−（１）］−２−メチルプロピオン酸（ＣＨ2
Ｃｌ2 中でαD 20＝２．３°）を２．２０ｇのノニルフ
ェノールで参考例２と同様にエステル化する。光学活性
ｐ−ノニルフェノール３−［４−（５−ヘプチルピリミ
ジニル−（２））−フェニル−（１）］−２−メチルプ
ロピオネートが得られる。
【０１２５】同様にして以下のα−メチルプロピオン酸
誘導体を対応する４−ノニルフェノールエステルに変換
した。
誘導体を対応する４−ノニルフェノールエステルに変換
した。
【０１２６】
【化４２】
【０１２７】参考例１０
【０１２８】
【化４３】
【０１２９】３０ｍｌのテトラヒドロフランに入れた
２．７ｇ（０．０１モル）の左旋性４−（２−ブロモ−
１−メチルエチル−（１））−１−ペンチルベンゼンと
６６ｍｇのＬｉ2 ＣｕＣｌ4 （３ｍｏｌ％）との混合物
に、２．６９ｇ（０．０１モル）の１−ブロモ−４−
（４−プロピルシクロヘキシル）−ベンゼンと０．２４
ｇのマグネシウムとから調製されたグリニャール試薬を
含む１０ｍｌのテトラヒドロフラン溶液を窒素下で滴下
し、室温で攪拌する。室温で１６時間攪拌後、反応混合
物を６ＮのＨＣｌで加水分解し、蒸発させる。残渣を希
ＨＣｌとジエチルエーテルとで処理する。エーテル層を
中性まで洗浄し、乾燥し、蒸発させる。残渣をｎ−ヘキ
サンでクロマトグラフにかけ結晶化した後に、光学活性
クロス結合化合物１−［ｐ−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）−フェニル］−２−（ｐ−ペンチルフ
ェニル）−プロパンが得られる。
２．７ｇ（０．０１モル）の左旋性４−（２−ブロモ−
１−メチルエチル−（１））−１−ペンチルベンゼンと
６６ｍｇのＬｉ2 ＣｕＣｌ4 （３ｍｏｌ％）との混合物
に、２．６９ｇ（０．０１モル）の１−ブロモ−４−
（４−プロピルシクロヘキシル）−ベンゼンと０．２４
ｇのマグネシウムとから調製されたグリニャール試薬を
含む１０ｍｌのテトラヒドロフラン溶液を窒素下で滴下
し、室温で攪拌する。室温で１６時間攪拌後、反応混合
物を６ＮのＨＣｌで加水分解し、蒸発させる。残渣を希
ＨＣｌとジエチルエーテルとで処理する。エーテル層を
中性まで洗浄し、乾燥し、蒸発させる。残渣をｎ−ヘキ
サンでクロマトグラフにかけ結晶化した後に、光学活性
クロス結合化合物１−［ｐ−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）−フェニル］−２−（ｐ−ペンチルフ
ェニル）−プロパンが得られる。
【０１３０】同様にして以下のブロミドのグリニャール
化合物をクロス結合させた。
化合物をクロス結合させた。
【０１３１】
【化４４】
【０１３２】参考例１１
【０１３３】
【化４５】
【０１３４】対応する酢酸のα−メチル化と対応するフ
ェニルグリシノールアミドのジアステレオマーの分離と
加水分解とによって調製された２．２６ｇ（０．０１モ
ル）の左旋性トランス２−（４−ペンチルシクロヘキシ
ル−（１）−プロピオン酸を、対応する酸塩化物を介し
て参考例５と同様にエステル化する。光学活性トランス
−４−プロピル−シクロヘキシルメチル２−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル−（１）−プロピオネー
トが得られる。
ェニルグリシノールアミドのジアステレオマーの分離と
加水分解とによって調製された２．２６ｇ（０．０１モ
ル）の左旋性トランス２−（４−ペンチルシクロヘキシ
ル−（１）−プロピオン酸を、対応する酸塩化物を介し
て参考例５と同様にエステル化する。光学活性トランス
−４−プロピル−シクロヘキシルメチル２−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル−（１）−プロピオネー
トが得られる。
【０１３５】以下のアルコールを使用して対応するエス
テルが得られた。
テルが得られた。
【０１３６】
【化４６】
【０１３７】実施例１ １５０ｍｌのテトラヒドロフラン中の１０．９ｇのｐ−
（トランス−４−プロピル−シクロヘキシル）−フェノ
ールと５．８ｍｌの（Ｓ）−エチルラクテートと３．１
ｇのトリフェニルホスフィンとの溶液に、７．９ｍｌの
アゾビスエトキシカルボニルを室温で滴下する。
（トランス−４−プロピル−シクロヘキシル）−フェノ
ールと５．８ｍｌの（Ｓ）−エチルラクテートと３．１
ｇのトリフェニルホスフィンとの溶液に、７．９ｍｌの
アゾビスエトキシカルボニルを室温で滴下する。
【０１３８】得られた混合物を１晩攪拌して蒸発させ
る。９０ｍｌのＣＨ3 ＯＨ（９０％）と５０ｍｌのＣＨ
2 Ｃｌ2 との混合物中の残渣の懸濁液を５ｍｌのＨ2 Ｏ
2 と混合する。１５分後に水性Ｎａ2 Ｓ2 Ｏ5 及び１０
０ｍｌの水を順次添加する。有機層をＮａＨＣＯ3 及び
水で順次洗浄し、Ｎａ2 ＳＯ4 で乾燥する。蒸発後残渣
をシリカゲルクロマトグラフにかける。沸点１８０℃
（０．０６Ｔｏｒｒ）の光学活性エチル−２−［ｐ−
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル（−フェノキ
シ］−プロピオネートが得られる。
る。９０ｍｌのＣＨ3 ＯＨ（９０％）と５０ｍｌのＣＨ
2 Ｃｌ2 との混合物中の残渣の懸濁液を５ｍｌのＨ2 Ｏ
2 と混合する。１５分後に水性Ｎａ2 Ｓ2 Ｏ5 及び１０
０ｍｌの水を順次添加する。有機層をＮａＨＣＯ3 及び
水で順次洗浄し、Ｎａ2 ＳＯ4 で乾燥する。蒸発後残渣
をシリカゲルクロマトグラフにかける。沸点１８０℃
（０．０６Ｔｏｒｒ）の光学活性エチル−２−［ｐ−
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル（−フェノキ
シ］−プロピオネートが得られる。
【０１３９】同様にして、エチルラクテート、メチルラ
クテート、プロピルラクテート、ヘキシルラクテート、
ヘプチルラクテート、２−メチルブチルラクテート又は
同様のラクテートとのエーテル化によって以下のフェノ
ールから対応するラクテートエーテルが得られる。
クテート、プロピルラクテート、ヘキシルラクテート、
ヘプチルラクテート、２−メチルブチルラクテート又は
同様のラクテートとのエーテル化によって以下のフェノ
ールから対応するラクテートエーテルが得られる。
【０１４０】
【化４７】
【０１４１】参考例１２ テトラヒドロフラン（３００ｍｌ）中の４−（４’−ヒ
ドロキシビフェニル−４−イル−１）−シアン−１−オ
クチルシクロヘキサン（１９．４ｇ）エチルラクテート
（６．５ｇ）とトリフェニルホスフィン（１３．１ｇ）
との混合物に、テトラヒドロフランに溶解したジエチル
アゾジカルボキシレート（９．６ｇ）を添加した。混合
物を５０℃で１時間攪拌し１晩静置した。溶媒を除去
し、残渣を熱いトルエン（１００ｍｌ）に溶解し、次に
０℃に冷却して濾過した。クロマトグラフィーによって
生成物を濾液から単離した。
ドロキシビフェニル−４−イル−１）−シアン−１−オ
クチルシクロヘキサン（１９．４ｇ）エチルラクテート
（６．５ｇ）とトリフェニルホスフィン（１３．１ｇ）
との混合物に、テトラヒドロフランに溶解したジエチル
アゾジカルボキシレート（９．６ｇ）を添加した。混合
物を５０℃で１時間攪拌し１晩静置した。溶媒を除去
し、残渣を熱いトルエン（１００ｍｌ）に溶解し、次に
０℃に冷却して濾過した。クロマトグラフィーによって
生成物を濾液から単離した。
【０１４２】この手順によって光学活性２−（４’−
（４−シアン−４−オクチルシクロヘキシル）−ビフェ
ニル−４−イルオキシ）プロピオン酸エステルが得られ
た。
（４−シアン−４−オクチルシクロヘキシル）−ビフェ
ニル−４−イルオキシ）プロピオン酸エステルが得られ
た。
【０１４３】式
【０１４４】
【化４８】
【０１４５】のフェノールとアルキルラクテートとを使
用し同様の方法で類似化合物が得られた。
用し同様の方法で類似化合物が得られた。
【０１４６】参考例１３ ４−シアノ−４−シクロヘキサノールとｐ−ベンジルオ
キシ安息香酸とを反応させ接触水素添加によってベンジ
ル基を除去することによって調製されたｐ−ヒドロキシ
安息香酸−（４−シアノ−４−ヘプチルシクロヘキシ
ル）−エステル（２０．６ｇ）と、光学活性ヘキシルラ
クテート（１１．５ｇ）と、トリフェニルホスフィン
（１５．７ｇ）とを含むテトラヒドロフラン（１５０ｍ
ｌ）中の混合物に、ジエチルアゾジカルボキシレートの
テトラヒドロフラン溶液を添加した。混合物を５０℃で
１時間攪拌し、１２時間静置後溶媒を除去した。残渣を
熱いトルエン（１００ｍｌ）に溶解し、冷却し、濾過
し、クロマトグラフィー及び結晶化によって生成物を単
離した。
キシ安息香酸とを反応させ接触水素添加によってベンジ
ル基を除去することによって調製されたｐ−ヒドロキシ
安息香酸−（４−シアノ−４−ヘプチルシクロヘキシ
ル）−エステル（２０．６ｇ）と、光学活性ヘキシルラ
クテート（１１．５ｇ）と、トリフェニルホスフィン
（１５．７ｇ）とを含むテトラヒドロフラン（１５０ｍ
ｌ）中の混合物に、ジエチルアゾジカルボキシレートの
テトラヒドロフラン溶液を添加した。混合物を５０℃で
１時間攪拌し、１２時間静置後溶媒を除去した。残渣を
熱いトルエン（１００ｍｌ）に溶解し、冷却し、濾過
し、クロマトグラフィー及び結晶化によって生成物を単
離した。
【０１４７】この手順で光学活性ｐ−（４−シアノ−４
−ヘプチルシクロヘキシルオキシカルボニル）−フェノ
キシプロピオン酸ヘキシルエステルが得られた。
−ヘプチルシクロヘキシルオキシカルボニル）−フェノ
キシプロピオン酸ヘキシルエステルが得られた。
【０１４８】アルキルラクテート及び以下のフェノール
を用い同様の手順で処理して類似化合物を得た。
を用い同様の手順で処理して類似化合物を得た。
【０１４９】
【化４９】
【０１５０】参考例１４
【０１５１】
【化５０】
【０１５２】（Ｓ−１−メチルヘプチル４−ｎ−デシル
ビフェニル−４’−オキシアセテート）の調製第一段階（エチル−４−ｎ−デシルビフェニル−４’−
オキシアセテート） ４−ｎ−デシル−４’−ヒドロキシビフェニル（１０
ｇ）とエチルブロモアセテート（６．５ｇ）と無水炭酸
カリウム（６．６ｇ）とブタノン（１６０ｍｌ）とを５
００ｍｌの丸底フラスコに充填した。得られた混合物を
攪拌し還流下に２０時間沸騰させた。反応混合物を熱い
うちにＷｈａｔｍａｎ５４１濾紙で濾過し、回転蒸発器
でブタノンを除去して、淡黄色固体の粗生成物（１２
ｇ）を得た。２４ｍｌの工業用メチルアルコールで再結
晶化して物質を精製し、白色結晶質生成物（８．９ｇ）
を得た。
ビフェニル−４’−オキシアセテート）の調製第一段階（エチル−４−ｎ−デシルビフェニル−４’−
オキシアセテート） ４−ｎ−デシル−４’−ヒドロキシビフェニル（１０
ｇ）とエチルブロモアセテート（６．５ｇ）と無水炭酸
カリウム（６．６ｇ）とブタノン（１６０ｍｌ）とを５
００ｍｌの丸底フラスコに充填した。得られた混合物を
攪拌し還流下に２０時間沸騰させた。反応混合物を熱い
うちにＷｈａｔｍａｎ５４１濾紙で濾過し、回転蒸発器
でブタノンを除去して、淡黄色固体の粗生成物（１２
ｇ）を得た。２４ｍｌの工業用メチルアルコールで再結
晶化して物質を精製し、白色結晶質生成物（８．９ｇ）
を得た。
【０１５３】第二段階（４−ｎ−デシルビフェニル−
４’−オキシ酢酸） エチル４−ｎ−デシルビフェニル−４’−オキシアセテ
ート（９．８ｇ）と、水酸化カリウム（３．５ｇ）と、
水（１１ｍｌ）と工業用メチルアルコール（４００ｍ
ｌ）との混合物を攪拌し還流下で１晩加熱した。反応混
合物を冷却し、２ｌの冷水に添加し、濃塩酸の添加によ
ってｐＨ１に酸性化した。得られた沈殿固体を濾別し、
乾燥し、それ以上精製しないで合成の次の段階で使用し
た。収量は８．３ｇであった。
４’−オキシ酢酸） エチル４−ｎ−デシルビフェニル−４’−オキシアセテ
ート（９．８ｇ）と、水酸化カリウム（３．５ｇ）と、
水（１１ｍｌ）と工業用メチルアルコール（４００ｍ
ｌ）との混合物を攪拌し還流下で１晩加熱した。反応混
合物を冷却し、２ｌの冷水に添加し、濃塩酸の添加によ
ってｐＨ１に酸性化した。得られた沈殿固体を濾別し、
乾燥し、それ以上精製しないで合成の次の段階で使用し
た。収量は８．３ｇであった。
【０１５４】第三段階（Ｓ−１−メチルヘプチル４−ｎ
−デシルビフェニル−４’−オキシアセテ ート） ４−ｎ−デシルビフェニル−４’−オキシ酢酸（４ｇ）
とＳ−２−オクタノール（１．５６ｇ）とジシクロヘキ
シルカルボジイミド（２．４７ｇ）と４−ジメチルアミ
ノピリジン（０．２ｇ）とジシクロメタン（５０ｍｌ）
とを室温で１晩攪拌した。反応混合物を濾過し、固体残
渣をジシクロメタン（２５ｍｌ）で洗浄し合わせた液体
抽出物を回転蒸発器で蒸発乾固した。生成物は黄白色の
固体であった。５２ｇの中性アルミナを用いたクロマト
グラフィーによって生成物を精製し、石油エーテルで溶
出し、１０ｍｌの工業用メチルアルコールから再結晶化
した。ＨＰＬＣで純度９９．９％の純白生成物１．１５
ｇが得られた。融点は４２〜４２．５℃であった。
−デシルビフェニル−４’−オキシアセテ ート） ４−ｎ−デシルビフェニル−４’−オキシ酢酸（４ｇ）
とＳ−２−オクタノール（１．５６ｇ）とジシクロヘキ
シルカルボジイミド（２．４７ｇ）と４−ジメチルアミ
ノピリジン（０．２ｇ）とジシクロメタン（５０ｍｌ）
とを室温で１晩攪拌した。反応混合物を濾過し、固体残
渣をジシクロメタン（２５ｍｌ）で洗浄し合わせた液体
抽出物を回転蒸発器で蒸発乾固した。生成物は黄白色の
固体であった。５２ｇの中性アルミナを用いたクロマト
グラフィーによって生成物を精製し、石油エーテルで溶
出し、１０ｍｌの工業用メチルアルコールから再結晶化
した。ＨＰＬＣで純度９９．９％の純白生成物１．１５
ｇが得られた。融点は４２〜４２．５℃であった。
【０１５５】同様の方法で以下の化合物（Ｂ）
【０１５６】
【化５１】
【０１５７】をＨＰＬＣで純度９９．５％、融点５３．
５〜５４℃の白色固体として調製し、化合物（Ｃ）
５〜５４℃の白色固体として調製し、化合物（Ｃ）
【０１５８】
【化５２】
【０１５９】固体結晶Ｓｃ＝８７℃、Ｓｃ−Ｎ＝１１０
℃、Ｎ−Ｉ＝１１１℃を調製した。
℃、Ｎ−Ｉ＝１１１℃を調製した。
【０１６０】上記化合物（Ａ）及び（Ｂ）を含む強誘電
性スメクチック液晶組成物を調製した。各組成物は
性スメクチック液晶組成物を調製した。各組成物は
【０１６１】
【化５３】
【０１６２】から成るホスト中に１０重量％の化合物を
含有し、ホストと化合物（Ａ）又は（Ｂ）との合計が１
００重量％である。混合物は以下に示すように混合物
（Ａ）又は（Ｂ）と指称される。
含有し、ホストと化合物（Ａ）又は（Ｂ）との合計が１
００重量％である。混合物は以下に示すように混合物
（Ａ）又は（Ｂ）と指称される。
【０１６３】
【表１】
【０１６４】参考例１５ Ｓ−（−）プロピレンオキシドから調製された１−
（４’−オクトキシビフェニル−４−イル）プロパン−
２−オールとｐ−ヘキシル安息香酸とから（＋）−ｐ−
ヘキシル安息香酸（１−）（４’−オクトキシビフェニ
ル−４−イル）−２−プロピルエステルを生成した。
（４’−オクトキシビフェニル−４−イル）プロパン−
２−オールとｐ−ヘキシル安息香酸とから（＋）−ｐ−
ヘキシル安息香酸（１−）（４’−オクトキシビフェニ
ル−４−イル）−２−プロピルエステルを生成した。
【０１６５】
【化５４】
【０１６６】これは融点６７℃でジクロロメタン中５重
量％の濃度で［α］D 20が＋６６．６°であった。
量％の濃度で［α］D 20が＋６６．６°であった。
【０１６７】実施例２ 前記方法を使用して調製した式Ｉのいくつかの別の化合
物の特性を以下に示す。
物の特性を以下に示す。
【０１６８】
【化５５】
【０１６９】参考例１６ 式Ｉの化合物を含む強誘電性スメクチック液晶組成物の
例を以下に示す。
例を以下に示す。
【０１７０】
【化５６】
【０１７１】上記混合物はＳＣ ５４ ＳＡ ５６ Ｃ
ｈ ９５ Ｉを示した。
ｈ ９５ Ｉを示した。
【０１７２】自発分極Ｐｓは２５℃で＋４．３ｎＣｃｍ
-2あった。
-2あった。
【０１７３】実施例３ 強誘電性スメクチック液晶組成物の例。
【０１７４】
【化５７】
【０１７５】上記混合物はＳＣ* ６３ ＳＡ ６４
Ｃｈ ８９ Ｉを示した。
Ｃｈ ８９ Ｉを示した。
【０１７６】自発分極Ｐｓは２０℃で＋１０．４ｎＣｃ
ｍ-2であった。
ｍ-2であった。
【０１７７】参考例１７ エチルラクテートに代えて公知のα−ヒドロキシカルボ
ン酸Ｃ4 Ｈ9 ＣＨ（ＯＨ）ＣＯＯＨを使用しこれからス
ルホネートを生成するように手順Ａを修正してラセミ化
合物
ン酸Ｃ4 Ｈ9 ＣＨ（ＯＨ）ＣＯＯＨを使用しこれからス
ルホネートを生成するように手順Ａを修正してラセミ化
合物
【０１７８】
【化５８】
【０１７９】を調製した。公知の別のα−ヒドロキシカ
ルボン酸、例えば Ｃ2 Ｈ5 ＣＨ（ＯＨ）ＣＯＯＨ Ｃ3 Ｈ7 ＣＨ（ＯＨ）ＣＯＯＨ Ｃ5 Ｈ11ＣＨ（ＯＨ）ＣＯＯＨ を使用しかかる酸、類似化合物の別のアルキル、シクロ
アルキル又はフェニル等のエステルを調製し得る。
ルボン酸、例えば Ｃ2 Ｈ5 ＣＨ（ＯＨ）ＣＯＯＨ Ｃ3 Ｈ7 ＣＨ（ＯＨ）ＣＯＯＨ Ｃ5 Ｈ11ＣＨ（ＯＨ）ＣＯＯＨ を使用しかかる酸、類似化合物の別のアルキル、シクロ
アルキル又はフェニル等のエステルを調製し得る。
【０１８０】または、公知のアルデヒドからシアノヒド
リンを介して以下の加水分解手順でα−ヒドロキシカル
ボン酸を合成してもよい。
リンを介して以下の加水分解手順でα−ヒドロキシカル
ボン酸を合成してもよい。
【０１８１】
【化５９】
【０１８２】ブルシンを使用し公知の方法でラセミ酸を
光学的に分離し得る。Ｒは適当なアルキル基を示す。
光学的に分離し得る。Ｒは適当なアルキル基を示す。
【０１８３】または、市販の（Ａｌｄｒｉｃｈ）（±）
−エチル−２−ブロモヘキサノエートと適当なフェノー
ルとを反応させて前記化合物を調製してもよい。
−エチル−２−ブロモヘキサノエートと適当なフェノー
ルとを反応させて前記化合物を調製してもよい。
【０１８４】
【化６０】
【０１８５】生成物を単離し標準方法で精製した。
【０１８６】式Ｉの化合物を液晶材料に使用した例、及
び本発明デバイスの具体例を図１に基づいて以下に説明
する。
び本発明デバイスの具体例を図１に基づいて以下に説明
する。
【０１８７】図１において液晶セルは、例えば酸化スズ
又は酸化インジウムから成る透明導電層３を表面にもつ
ガラススライド２と表面に透明導電層５をもつガラスス
ライド４との間にサンドイッチ状に挾持されたキラルス
メクチック相を示す液晶材料層１を含む。層３，５を夫
々担持するスライド２，４は夫々、ポリイミドポリマー
薄膜６，７で被覆されている。セルを組立てる前に薄膜
６，７を柔らかい布で所与の方向にこする。こすり方向
はセルを組立たときにこすった方向が平行に配列するよ
うな方向である。例えばポリメチルメタクリレートから
成るスペーサー８がスライド２と４とを所望の間隔、例
えば５μだけ離間させている。液晶材料１はスライド
２，４の間に所望の厚さ例えば５μまで導入される。液
晶材料１を導入しスライド２，４とスペーサー８との間
のスペースに充填してスペーサー８を公知の方法で真空
封止する。好ましくは液晶分子がスライド２，４上でこ
すり方向で容易に整列するように、スライド２，４間に
導入されるときの液晶材料が、スメクチックＡ又は等方
性液相（材料の加熱によって得られる）である。
又は酸化インジウムから成る透明導電層３を表面にもつ
ガラススライド２と表面に透明導電層５をもつガラスス
ライド４との間にサンドイッチ状に挾持されたキラルス
メクチック相を示す液晶材料層１を含む。層３，５を夫
々担持するスライド２，４は夫々、ポリイミドポリマー
薄膜６，７で被覆されている。セルを組立てる前に薄膜
６，７を柔らかい布で所与の方向にこする。こすり方向
はセルを組立たときにこすった方向が平行に配列するよ
うな方向である。例えばポリメチルメタクリレートから
成るスペーサー８がスライド２と４とを所望の間隔、例
えば５μだけ離間させている。液晶材料１はスライド
２，４の間に所望の厚さ例えば５μまで導入される。液
晶材料１を導入しスライド２，４とスペーサー８との間
のスペースに充填してスペーサー８を公知の方法で真空
封止する。好ましくは液晶分子がスライド２，４上でこ
すり方向で容易に整列するように、スライド２，４間に
導入されるときの液晶材料が、スメクチックＡ又は等方
性液相（材料の加熱によって得られる）である。
【０１８８】薄膜６，７の上でこすり方向に平行な偏光
軸をもつように偏光子９が配置され、こすり方向に垂直
な軸をもつように検光子（交差偏光子）１０が配置され
ている。
軸をもつように偏光子９が配置され、こすり方向に垂直
な軸をもつように検光子（交差偏光子）１０が配置され
ている。
【０１８９】約＋１０Ｖと−１０Ｖとの間で変化する
（図示しない従来のソースから）矩形波電圧が層３と５
に接触させることによってセルに印加されると、前記し
たように電圧の符号変化によってセルは暗状態と明状態
との間でスイッチングされる。
（図示しない従来のソースから）矩形波電圧が層３と５
に接触させることによってセルに印加されると、前記し
たように電圧の符号変化によってセルは暗状態と明状態
との間でスイッチングされる。
【０１９０】図１のセル構造に基づくデバイスの（図示
しない）変形具体例においては、公知の方法、例えばホ
トエッチング又はマスクデポジションによって層３，５
に選択的な形状が与えられ、これらは例えば従来のディ
プレイデバイスと同様の１つ以上のディスプレイ記号、
例えば文字、数字、単語又は図形等を示し得る。これに
より形成される電極部分はマルチプレックス駆動のよう
な種々の方法でアドレスされ得る。
しない）変形具体例においては、公知の方法、例えばホ
トエッチング又はマスクデポジションによって層３，５
に選択的な形状が与えられ、これらは例えば従来のディ
プレイデバイスと同様の１つ以上のディスプレイ記号、
例えば文字、数字、単語又は図形等を示し得る。これに
より形成される電極部分はマルチプレックス駆動のよう
な種々の方法でアドレスされ得る。
【０１９１】室温でＳＣ相を示す前記のごとき強誘電性
スメクチック液晶組成物を液晶材料１として使用するこ
とができる。
スメクチック液晶組成物を液晶材料１として使用するこ
とができる。
【０１９２】このデバイスでの使用には参考例１４、１
６及び実施例３の組成物が特に適当である。
６及び実施例３の組成物が特に適当である。
【図１】液晶デバイスの断面図。
１ 液晶材料層 ２ ガラススライド ３ 透明導電層 ４ ガラススライド ５ 透明導電層 ６ ポリイミドポリマー薄膜 ７ ポリイミドポリマー薄膜 ８ スペーサー ９ 偏光子 １０ 検光子（交差偏光子）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジヨン・アンソニー・ジエンナー イギリス国、ドーセツト・ビイ・エイ チ・12・４・エヌ・エヌ、プール、ブル ーム・ロード、シー／オー・ビイ・デイ ー・エイチ・リミテツド（番地なし) (72)発明者 ハンス・アドルフ・クルマイアー ドイツ連邦共和国、デー−6104・ゼーハ イム−ユーゲンハイム、ミンター・デ ア・シユーレ・３・アー (72)発明者 デトレフ・パウルト ドイツ連邦共和国、デー−6100・ダルム シユタツト、ロイターアレー・44 (72)発明者 クラウス・エツシヤー ドイツ連邦共和国、デー−6109・ニーダ ー−ランシユタツト、アムゼルベーク・ ３ (72)発明者 アイケ・ペーチ ドイツ連邦共和国、デー−6109・ムール タル・６、アム・ブツフバルト・４ (56)参考文献 米国特許3755603（ＵＳ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】 式Ｉ−Ａ： 【化１】 ［式中、Ｒ1 及びＲ2 はそれぞれ独立して、Ｒ又はＲＯ
であり、 ＲはＣ1-12アルキルであり、 ｂ及びｃはそれぞれ独立して、０又は１であるが、 ただし、ｂ＋ｃは１又は２であり、 【化２】 はそれぞれ独立して、１つ以上の側方フッ素置換基を有
して良い１，４−フェニレン、又は、ピリミジン−２，
５−ジイル、又は、ピリジン−２，５−ジイルであり、 ただし、 【化３】 が共に存在して、且つ共に１，４−フェニレンである場
合は、同じ置換基を同じ位置に有し、 【化４】 は trans−１，４−シクロヘキシレンであっても良
い。］を有する光学活性な化合物を含有する、強誘電性
スメクチック液晶混合物。 - 【請求項２】 ｂ＋ｃが１であることを特徴とする、請
求項１に記載の強誘電性スメクチック液晶混合物。 - 【請求項３】 【化５】 がそれぞれ独立して、１，４−フェニレン、又は、モノ
フッ素置換の１，４−フェニレンであることを特徴とす
る、請求項１に記載の強誘電性スメクチック液晶混合
物。
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| GB8604330 | 1986-02-21 | ||
| GB8604739 | 1986-02-26 | ||
| GB868604739A GB8604739D0 (en) | 1986-02-26 | 1986-02-26 | Liquid crystal compounds |
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| JP50136687A Division JP2645048B2 (ja) | 1986-02-21 | 1987-02-20 | 液晶化合物、混合物及びデバイス |
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|---|---|
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| DE3533333A1 (de) * | 1985-09-18 | 1987-03-26 | Merck Patent Gmbh | Smektische fluessigkristalline phasen |
| WO1987001717A2 (fr) * | 1985-09-18 | 1987-03-26 | MERCK Patent Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Phases smectiques a cristaux liquides |
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| GB8621689D0 (en) * | 1986-09-09 | 1986-10-15 | Ici Plc | Liquid crystal material |
| GB8623582D0 (en) * | 1986-10-01 | 1986-11-05 | Secr Defence | Mandelic acid derivatives |
| US4882084A (en) * | 1986-11-07 | 1989-11-21 | Chisso Corporation | Optically active substituted biphenyl compounds |
| DE3638119A1 (de) * | 1986-11-08 | 1988-05-11 | Hoechst Ag | Chirale aryloxypropionsaeureester und ihre verwendung als dotierstoff in fluessigkristall-phasen |
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