JP2525214B2 - 強誘電性液晶組成物 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、強誘電性液晶材料に関する。更に詳しくは
スメクチツク液晶化合物と光学活性化合物とから成る高
速応答性を有する強誘電性液晶組成物およびそれを用い
た光スイツチング素子に関する。
スメクチツク液晶化合物と光学活性化合物とから成る高
速応答性を有する強誘電性液晶組成物およびそれを用い
た光スイツチング素子に関する。
液晶化合物は表示素子用材料として広く用いられてい
るが、そうした液晶表示素子の殆んどはTN型表示方式の
ものであり、液晶材料としてはネマチツク相に属するも
のを用いている。
るが、そうした液晶表示素子の殆んどはTN型表示方式の
ものであり、液晶材料としてはネマチツク相に属するも
のを用いている。
TN型表示方式は受光型のため、目が疲れない、消費電
力が極めて少ないといつた特徴を持つ反面、応答が遅
い、見る角度によつては表示が見えないといつた欠点が
ある。該方式は、最近はフラツトデイスプレイとしての
特徴を生かす方向に転換しつつあり、特に高速応答性と
視角の広さが要求されている。
力が極めて少ないといつた特徴を持つ反面、応答が遅
い、見る角度によつては表示が見えないといつた欠点が
ある。該方式は、最近はフラツトデイスプレイとしての
特徴を生かす方向に転換しつつあり、特に高速応答性と
視角の広さが要求されている。
こうした要求に答えるべく液晶材料の改良が試みられ
てきた。しかし、他の発光型デイスプレイ（たとえばエ
レクトロルミネツセンスデイスプレイ、プラズマデイス
プレイ等）と比較すると、TN表示方式では応答時間と視
角の広さという点でかなりの差が認められる。
てきた。しかし、他の発光型デイスプレイ（たとえばエ
レクトロルミネツセンスデイスプレイ、プラズマデイス
プレイ等）と比較すると、TN表示方式では応答時間と視
角の広さという点でかなりの差が認められる。
受光型、低消費電力といつた液晶表示素子の特徴を生
かし、なお、かつ発光型デイスプレイに匹敵する応答性
を確保するためにはTN型表示方式に代わる新しい液晶表
示方式の開発が不可欠である。
かし、なお、かつ発光型デイスプレイに匹敵する応答性
を確保するためにはTN型表示方式に代わる新しい液晶表
示方式の開発が不可欠である。
そうした試みの一つに強誘電性液晶の光スイツチング
現象を利用した表示方式がN.A.クラークとS.T.ラガウオ
ールにより提案された。｛アプライド フイジツクス
レターズ（Appl.Phys.Lett.36,899,1980）参照｝ 強誘電性液晶は1975年にR.B.メイヤー等によつて、そ
の存在が初めて発表されたもので｛ジユルナルド フイ
ジーク（J.Phys.）36,69,1975参照｝液晶構造上からカ
イラルスメクチツクＣ相、カイラルスメクチツクＩ相、
カイラルスメクチツクＦ相、カイラルスメクチツクＧ
相、およびカイラルスメクチツクＨ相（以下、それぞれ
SC＊相、SI＊相、SF＊相、SG＊相およびSH＊相と略記す
る）に属する。
現象を利用した表示方式がN.A.クラークとS.T.ラガウオ
ールにより提案された。｛アプライド フイジツクス
レターズ（Appl.Phys.Lett.36,899,1980）参照｝ 強誘電性液晶は1975年にR.B.メイヤー等によつて、そ
の存在が初めて発表されたもので｛ジユルナルド フイ
ジーク（J.Phys.）36,69,1975参照｝液晶構造上からカ
イラルスメクチツクＣ相、カイラルスメクチツクＩ相、
カイラルスメクチツクＦ相、カイラルスメクチツクＧ
相、およびカイラルスメクチツクＨ相（以下、それぞれ
SC＊相、SI＊相、SF＊相、SG＊相およびSH＊相と略記す
る）に属する。
カイラルスメクチツク相においては、分子は層を形成
しており、かつ分子は層面に対して傾いており、らせん
軸はこの層面に対して垂直である。カイラルスメクチツ
ク相では自発分極が生じるため、この層に平行に直流電
界を印加すると、その極性に応じて分子はらせん軸を回
転軸として反転する。強誘電性液晶を使用した表示素子
はこのスイツチング現象を利用したものである。
しており、かつ分子は層面に対して傾いており、らせん
軸はこの層面に対して垂直である。カイラルスメクチツ
ク相では自発分極が生じるため、この層に平行に直流電
界を印加すると、その極性に応じて分子はらせん軸を回
転軸として反転する。強誘電性液晶を使用した表示素子
はこのスイツチング現象を利用したものである。
カイラルスメクチツク相のうち現在特に注目されてい
るのはSC＊相である。SC＊相のスイツチング現象を利用
した表示方式としては、２枚の偏光子を使用する複屈折
型と、二色性色素を利用するゲスト・ホスト型がある。
この表示方式の特徴は、 （１）応答時間が非常に速い。
るのはSC＊相である。SC＊相のスイツチング現象を利用
した表示方式としては、２枚の偏光子を使用する複屈折
型と、二色性色素を利用するゲスト・ホスト型がある。
この表示方式の特徴は、 （１）応答時間が非常に速い。
（２）メモリー性がある。
（３）視角依存性が小さい。
などがあげられ、高密度表示への可能性をひめており、
非常に表示素子としての魅力にあふれたものである。
非常に表示素子としての魅力にあふれたものである。
しかし、この強誘電性液晶を実用的な表示素子に使用
する場合、応答速度が遅い、配向が非常に難しいなどの
多くの問題が残されている。したがつて、現在強誘電性
液晶材料に要求されていることは、 （１）さらなる応答性の向上。
する場合、応答速度が遅い、配向が非常に難しいなどの
多くの問題が残されている。したがつて、現在強誘電性
液晶材料に要求されていることは、 （１）さらなる応答性の向上。
（２）室温を含む広い温度範囲でSC＊相を示すこと。
（３）配向性の改良。
等である。現在のところ、このような条件をすべて満足
する単独のカイラルスメクチツク液晶化合物はないの
で、一部の条件を満足するカイラルスメクチツク液晶化
合物または、非液晶化合物を幾種か混合して、前述の条
件を満足するような強誘電性液晶組成物を得なければな
らない。
する単独のカイラルスメクチツク液晶化合物はないの
で、一部の条件を満足するカイラルスメクチツク液晶化
合物または、非液晶化合物を幾種か混合して、前述の条
件を満足するような強誘電性液晶組成物を得なければな
らない。
また、強誘電性液晶化合物のみからなる強誘電性液晶
組成物ばかりではなく、特開昭61−195、187号公報には
非カイラルなスメクチツクＣ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ等の相
（以下SC等の相と略称する）を呈する化合物および組成
物を基本物質として、これに強誘電性液晶相を呈する１
種または複数の化合物を混合して、全体を強誘電性液晶
組成物として得ることが報告されている。
組成物ばかりではなく、特開昭61−195、187号公報には
非カイラルなスメクチツクＣ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ等の相
（以下SC等の相と略称する）を呈する化合物および組成
物を基本物質として、これに強誘電性液晶相を呈する１
種または複数の化合物を混合して、全体を強誘電性液晶
組成物として得ることが報告されている。
さらに、SC等の相を呈する化合物および組成物を基本
物質として、光学活性ではあるが強誘電性液晶相は呈し
ない１種あるいは複数の化合物を混合して全体を強誘電
性液晶組成物とする報告もある｛Mol.Cryst.Lig.Cryst.
89,327（1982）｝。
物質として、光学活性ではあるが強誘電性液晶相は呈し
ない１種あるいは複数の化合物を混合して全体を強誘電
性液晶組成物とする報告もある｛Mol.Cryst.Lig.Cryst.
89,327（1982）｝。
前記した、非カイラルなSC等の相の少なくとも一つを
示す基本物質からなり、かつSC等の相を少なくとも一つ
有するスメクチツク液晶混合物を以下ベースSm混合物と
呼ぶ。
示す基本物質からなり、かつSC等の相を少なくとも一つ
有するスメクチツク液晶混合物を以下ベースSm混合物と
呼ぶ。
ベースSm混合物としては、実用的には室温を含む広い
温度範囲でSC相を呈する液晶混合物が好ましい。ベース
Sm混合物の成分としては、フエニルベンゾール系、シツ
フ塩基系、フエルピリジン系および５−アルキル−２−
（４−アルコキシフエニル）ピリジン等の液晶化合物の
中から幾つかが用いられている。
温度範囲でSC相を呈する液晶混合物が好ましい。ベース
Sm混合物の成分としては、フエニルベンゾール系、シツ
フ塩基系、フエルピリジン系および５−アルキル−２−
（４−アルコキシフエニル）ピリジン等の液晶化合物の
中から幾つかが用いられている。
たとえば、特開昭61−291,679号公報およびPCT国際公
開WO86/φ64φ１号パンフレツトには５−アルキル−２
−（４−アルコキシフエニル）ピリミジンを光学活性化
合物と混合した強誘電性液晶が室温を含む広い温度範囲
にてSC＊相を呈することが示されており、前者には該ピ
リミジン誘導体をベースSm混合物とした強誘電性スメク
チツク液晶材料を用いて光スイツチング素子の応答時間
が短縮できることが示されている。また、特開昭61−29
1,679号公報には５−アルキル−２−（４′−アルキル
ビフエリル−４）ピリミジンと前記の５−アルキル−２
−（４−アルコキシフエニル）ピリミジンおよび光学活
性化合物とからなる強誘電性液晶材料も室温を含む広い
温度範囲にてSC＊相を示し、かつ応答性向上にも有効で
あることが示されている。しかし、室温における尚一層
の応答性の向上が熱望されている。
開WO86/φ64φ１号パンフレツトには５−アルキル−２
−（４−アルコキシフエニル）ピリミジンを光学活性化
合物と混合した強誘電性液晶が室温を含む広い温度範囲
にてSC＊相を呈することが示されており、前者には該ピ
リミジン誘導体をベースSm混合物とした強誘電性スメク
チツク液晶材料を用いて光スイツチング素子の応答時間
が短縮できることが示されている。また、特開昭61−29
1,679号公報には５−アルキル−２−（４′−アルキル
ビフエリル−４）ピリミジンと前記の５−アルキル−２
−（４−アルコキシフエニル）ピリミジンおよび光学活
性化合物とからなる強誘電性液晶材料も室温を含む広い
温度範囲にてSC＊相を示し、かつ応答性向上にも有効で
あることが示されている。しかし、室温における尚一層
の応答性の向上が熱望されている。
本発明の第一の目的は、高速応答性を有する強誘電性
液晶組成物を提供するにあり、第二の目的は該液晶組成
物を用いた応答性の速いスイツチング素子を提供するこ
とにある。
液晶組成物を提供するにあり、第二の目的は該液晶組成
物を用いた応答性の速いスイツチング素子を提供するこ
とにある。
本発明の第一の発明の強誘電性液晶組成物は、 （式中、R1およびR2はそれぞれ炭素数が１〜18のアルキ
ル基を示す。） で表わされる非カイラルな化合物の少なくとも一種と、
一般式 （式中、R3は炭素数１〜18のアルキル基または、アルコ
キシ基、R4は炭素数２〜18のアルキル基を示し、Ｘは単
結合、−COO−、−OCO−、−Ｎ＝CH−、−CH＝Ｎ−、OC
H2−または−CH2O−を示す。またｍとｎはそれぞれ１ま
たは２の整数、＊は不斉炭素原子を示す。） で表わされる光学活性な化合物の少なくとも一種とを含
有することを特徴とするが、式（Ｉ）で示される化合物
20〜98重量％、式（II）で示される化合物が１〜40重量
％の割合が好ましい。
ル基を示す。） で表わされる非カイラルな化合物の少なくとも一種と、
一般式 （式中、R3は炭素数１〜18のアルキル基または、アルコ
キシ基、R4は炭素数２〜18のアルキル基を示し、Ｘは単
結合、−COO−、−OCO−、−Ｎ＝CH−、−CH＝Ｎ−、OC
H2−または−CH2O−を示す。またｍとｎはそれぞれ１ま
たは２の整数、＊は不斉炭素原子を示す。） で表わされる光学活性な化合物の少なくとも一種とを含
有することを特徴とするが、式（Ｉ）で示される化合物
20〜98重量％、式（II）で示される化合物が１〜40重量
％の割合が好ましい。
また、式（Ｉ）で示される非カイラルな化合物と式
（II）で示される光学活性な化合物にさらに、一般式 〔式中、 はそれぞれ を示し、R5は炭素数１〜18のアルキル基またはアルコキ
シ基を示し、Ｙは単結合、−CH2O−、または−OCH2−を
示す。ｐは０または１の整数を示し、Ｚは炭素数１〜18
のアルキル基または （R6は炭素数１〜18のアルキル基を示す。）を示し、＊
は不斉炭素原子を示す。〕 で表わされる化合物を配合してなることを特徴とし、式
（Ｉ）で示される化合物が20〜98重量％、式（II）で示
される化合物が１〜40重量％、式（III）で示される化
合物が１〜40重量％の配合割合が好ましい。
（II）で示される光学活性な化合物にさらに、一般式 〔式中、 はそれぞれ を示し、R5は炭素数１〜18のアルキル基またはアルコキ
シ基を示し、Ｙは単結合、−CH2O−、または−OCH2−を
示す。ｐは０または１の整数を示し、Ｚは炭素数１〜18
のアルキル基または （R6は炭素数１〜18のアルキル基を示す。）を示し、＊
は不斉炭素原子を示す。〕 で表わされる化合物を配合してなることを特徴とし、式
（Ｉ）で示される化合物が20〜98重量％、式（II）で示
される化合物が１〜40重量％、式（III）で示される化
合物が１〜40重量％の配合割合が好ましい。
本発明の第二の発明の光スイツチング素子は、 （式中、R1およびR2はそれぞれ炭素数が１〜18のアルキ
ル基を示す。） で表わされる非カイラルな化合物の少なくとも一種と、
一般式 （式中、R3は炭素数１〜18のアルキル基またはアルコキ
シ基、R4は炭素数２〜18のアルキル基を示し、Ｘは単結
合、−COO−、−OCO−、−Ｎ＝CH−、−CH＝Ｎ−、OCH2
−または−CH2O−を示す。またｍとｎはそれぞれ１また
は２の整数、＊は不斉炭素原子を示す。） で表わされる光学活性な化合物を少なくとも一種とを含
有することからなる強誘電性液晶組成物を用いることを
特徴とする。また、一般式（Ｉ）で表わされる化合物、
一般式（II）で表わされる化合物、および一般式 〔式中、 はそれぞれ を示し、R5は炭素数１〜18のアルキル基またはアルコキ
シ基を示す。ｐは０または１の整数を示し、Ｙは単結
合、−CH2O−または−OCH2を示し、Ｚは炭素数１〜18の
アルキル基または （R6は炭素数１〜18のアルキル基を示す。）を示し、＊
は不斉炭素原子を表す。〕 で表わされる化合物からなる強誘電性液晶組成物を用い
ることを特徴とする。
ル基を示す。） で表わされる非カイラルな化合物の少なくとも一種と、
一般式 （式中、R3は炭素数１〜18のアルキル基またはアルコキ
シ基、R4は炭素数２〜18のアルキル基を示し、Ｘは単結
合、−COO−、−OCO−、−Ｎ＝CH−、−CH＝Ｎ−、OCH2
−または−CH2O−を示す。またｍとｎはそれぞれ１また
は２の整数、＊は不斉炭素原子を示す。） で表わされる光学活性な化合物を少なくとも一種とを含
有することからなる強誘電性液晶組成物を用いることを
特徴とする。また、一般式（Ｉ）で表わされる化合物、
一般式（II）で表わされる化合物、および一般式 〔式中、 はそれぞれ を示し、R5は炭素数１〜18のアルキル基またはアルコキ
シ基を示す。ｐは０または１の整数を示し、Ｙは単結
合、−CH2O−または−OCH2を示し、Ｚは炭素数１〜18の
アルキル基または （R6は炭素数１〜18のアルキル基を示す。）を示し、＊
は不斉炭素原子を表す。〕 で表わされる化合物からなる強誘電性液晶組成物を用い
ることを特徴とする。
本発明の式（II）で示される光学活性な化合物として
つぎのものをあげることができる。
つぎのものをあげることができる。
（こゝで、R3は炭素数１〜18のアルキル基、またはアル
コキシ基、R4は炭素数２〜18のアルキル基を示す。） 式（II）で示される光学活性な化合物で好ましく用い
られる具体例として、特開昭59−118744,（Ferroelectr
iss58,21（1984）〕に開示されている などをあげることができる。また、特開昭60−149547に
も記載されている。
コキシ基、R4は炭素数２〜18のアルキル基を示す。） 式（II）で示される光学活性な化合物で好ましく用い
られる具体例として、特開昭59−118744,（Ferroelectr
iss58,21（1984）〕に開示されている などをあげることができる。また、特開昭60−149547に
も記載されている。
本発明の式（III）で示される光学活性な化合物とし
てつぎのものをあげることができる。
てつぎのものをあげることができる。
（こゝで、R5は炭素数１〜18のアルキル基またはアルコ
キシ基、R6は炭素数１〜18のアルキル基を示す。） 式（III）で示される光学活性な化合物の具体例とし
ては などであり、さらに４′−ヘプチル−４−（４−（２−
（ブタノイルオキシ）−プロポキシ）−フエノキシメチ
ル）−ビフエニル、４′−ノニル−４−（４−（２−
（ペンタノイルオキシ）−プロポキシ）−フエノキシメ
チル）−ビフエニルなどをあげることができる。
キシ基、R6は炭素数１〜18のアルキル基を示す。） 式（III）で示される光学活性な化合物の具体例とし
ては などであり、さらに４′−ヘプチル−４−（４−（２−
（ブタノイルオキシ）−プロポキシ）−フエノキシメチ
ル）−ビフエニル、４′−ノニル−４−（４−（２−
（ペンタノイルオキシ）−プロポキシ）−フエノキシメ
チル）−ビフエニルなどをあげることができる。
本発明の目的を損わない程度であれば、本発明の液晶
組成物に他の化合物を混合して用いることも可能であ
る。
組成物に他の化合物を混合して用いることも可能であ
る。
本発明の式（Ｉ）で示される非カイラルな化合物とし
ては、スメクチツクＣ相を有する物が特に好ましく用い
られるが、スメクチツクＣ相を示さない化合物であつて
も、SC相の温度範囲を著しく縮小しない範囲の量に限つ
て用いることができる。
ては、スメクチツクＣ相を有する物が特に好ましく用い
られるが、スメクチツクＣ相を示さない化合物であつて
も、SC相の温度範囲を著しく縮小しない範囲の量に限つ
て用いることができる。
以下にそれらの主な化合物を表１に例示する。
表１にあげる化合物（Ｉ）は を示し、R1＝ｎ−CxH2x+1、R2＝ｎ−CyH2y+1である。ま
た、相の状態は、Crは結晶、S3は未確定スメクチツク
相、SCはスメクチツクＣ相、SAはスメクチツクＡ相、Ｎ
はネマチツク相、ISOは等方性液体相を示す。・−はそ
れぞれ相の存在と欠如を示す。
た、相の状態は、Crは結晶、S3は未確定スメクチツク
相、SCはスメクチツクＣ相、SAはスメクチツクＡ相、Ｎ
はネマチツク相、ISOは等方性液体相を示す。・−はそ
れぞれ相の存在と欠如を示す。
本発明の液晶組成物における式（Ｉ）にて表わされる
化合物は以下の製造法Ａによつて製造することができ
る。
化合物は以下の製造法Ａによつて製造することができ
る。
（上式においてＲはメチル、エチルなどのアルキル基、
Ｘは塩素、臭素、ヨウ素、ｐ−トルエンスルホニルオキ
シ基、ベンゼンスルホニルオキシ基、メタンスルホニル
基等の脱離基を示す） すなわち、ｐ−アルキルベンズアミジン塩酸塩（１）
をナトリウムアルコラートの存在下、メトキシマロン酸
ジエステルと反応させジオール（２）とし、これをオキ
シ塩化リンのごときハロゲン化剤によりハロゲン置換し
（３）とし、塩基存在下、脱ハロゲン化して（４）と
し、これをアルカリ存在下、ジエチレングリコール中で
加熱処理して（５）とし、これをエーテル化することに
より式（Ｉ）の化合物を製造できる。
Ｘは塩素、臭素、ヨウ素、ｐ−トルエンスルホニルオキ
シ基、ベンゼンスルホニルオキシ基、メタンスルホニル
基等の脱離基を示す） すなわち、ｐ−アルキルベンズアミジン塩酸塩（１）
をナトリウムアルコラートの存在下、メトキシマロン酸
ジエステルと反応させジオール（２）とし、これをオキ
シ塩化リンのごときハロゲン化剤によりハロゲン置換し
（３）とし、塩基存在下、脱ハロゲン化して（４）と
し、これをアルカリ存在下、ジエチレングリコール中で
加熱処理して（５）とし、これをエーテル化することに
より式（Ｉ）の化合物を製造できる。
また、以下のごとき製造法Ｂにて製造することができ
る。
る。
すなわち、（Collection Czechoslov.Chem.Commun.,3
8（1973）1168）に記載の化合物（６）とナトリウムア
ルコラート存在下で、ｐ−アルキルベンズアミジン塩酸
塩（１）とを反応させ化合物（７）を製造し、これをア
ルカリ処理することにより（５）を製造できる。以下は
製造法Ａと同様に製造できる。出発物質であるｐ−アル
キルベンズアミジン塩酸塩は、容易に入手できるｐ−ア
ルキルベンゾニトリルから公知の方法により調製するこ
とができる。
8（1973）1168）に記載の化合物（６）とナトリウムア
ルコラート存在下で、ｐ−アルキルベンズアミジン塩酸
塩（１）とを反応させ化合物（７）を製造し、これをア
ルカリ処理することにより（５）を製造できる。以下は
製造法Ａと同様に製造できる。出発物質であるｐ−アル
キルベンズアミジン塩酸塩は、容易に入手できるｐ−ア
ルキルベンゾニトリルから公知の方法により調製するこ
とができる。
本発明の強誘電性液晶組成物は非常にすぐれた高速応
答性を有し、また、該組成物を用いることによつて応答
性の速いスイツチング素子を提供することが可能となつ
た。
答性を有し、また、該組成物を用いることによつて応答
性の速いスイツチング素子を提供することが可能となつ
た。
以下実施例にて本発明をさらに詳しく説明するが、本
発明は、それらの実施例に限定されるものではない。
発明は、それらの実施例に限定されるものではない。
実施例１ 式（Ｉ）に示される化合物からなるつぎに示される組
成の組成物Ａを調製し、その物性を測定した。
成の組成物Ａを調製し、その物性を測定した。
組成： 該組成物Ａの相転移温度は、 であつた。該組成物Ａと式（II）に示される化合物 を混合した場合の相図を図１に示す。
図１から明らかなように化合物（ａ）の濃度が40％以
上になるとSC＊相の低温側にSI＊相があらわれる。よつ
て、室温にてSC＊相を示すためには化合物（ａ）の濃度
は40％以下であることが望ましい。
上になるとSC＊相の低温側にSI＊相があらわれる。よつ
て、室温にてSC＊相を示すためには化合物（ａ）の濃度
は40％以下であることが望ましい。
また、それぞれの濃度における25℃での応答時間（τ
／μｓ）と自発分極の値（Ps/nCcm-2）を以下に記す。
／μｓ）と自発分極の値（Ps/nCcm-2）を以下に記す。
このように、式（１）で表わされる非カイラルな化合
物と式（II）で表わされる光学活性な化合物とを混合す
ることにより、SC＊相の上限温度が高く、しかも非常に
応答性のよい強誘電性液晶組成物が得られることがわか
る。
物と式（II）で表わされる光学活性な化合物とを混合す
ることにより、SC＊相の上限温度が高く、しかも非常に
応答性のよい強誘電性液晶組成物が得られることがわか
る。
ここで、相転移温度はDSCと偏光顕微鏡によるテクス
チヤーの観察により求めた。また応答時間は、液晶素子
を２枚の直交する偏光板の間に置き、±10V/μｍ、1KHz
の矩形波の印加により生じた透過光強度の変化から求
め、自発分極の値はソーヤ・タワー法によつて求めた。
以下に記載する例や実施例においても同様の測定条件に
よる値を示す。
チヤーの観察により求めた。また応答時間は、液晶素子
を２枚の直交する偏光板の間に置き、±10V/μｍ、1KHz
の矩形波の印加により生じた透過光強度の変化から求
め、自発分極の値はソーヤ・タワー法によつて求めた。
以下に記載する例や実施例においても同様の測定条件に
よる値を示す。
実施例２ 組成物Ａに、つぎに示す式（III）で示される化合物
を配合し組成物Ｂを調製し、その物性を測定した。
を配合し組成物Ｂを調製し、その物性を測定した。
組成： 組成物Ａ 60重量％ この組成物Ｂの相転移温度は、 であつた。また25℃での応答時間は28μsecであつた。
現在までに既知である強誘電性液晶組成物のほとんど
のものの応答時間が100μsec以上であることから、本発
明の強誘電性液晶組成物の応答時間は非常に速いという
ことは明白である。
のものの応答時間が100μsec以上であることから、本発
明の強誘電性液晶組成物の応答時間は非常に速いという
ことは明白である。
実施例３ 式（Ｉ）で示される化合物と式（II）で示される化合
物とからなるつぎに示す組成の組成物Ｃを調製し、その
物性を測定した。
物とからなるつぎに示す組成の組成物Ｃを調製し、その
物性を測定した。
組成： この組成物Ｃの相転移温度は、 であつた。また25℃における応答時間（τ）は43μｓ、
自発分極の値（Ps）は19.2nCcm-2、傾き角は22.5゜であ
つた。
自発分極の値（Ps）は19.2nCcm-2、傾き角は22.5゜であ
つた。
実施例４ 式（Ｉ）で示される化合物と式（II）で示される化合
物とからなるつぎに示す組成の組成物Ｄを調製し、その
物性を測定した。
物とからなるつぎに示す組成の組成物Ｄを調製し、その
物性を測定した。
組成： この組成物Ｄの相転移温度は、 であつた。また25℃における応答時間（τ）は45μｓ、
自発分極の値（Ps）15.0nCcm-2、傾き角は20.9゜であつ
た。
自発分極の値（Ps）15.0nCcm-2、傾き角は20.9゜であつ
た。
実施例５ 式（Ｉ）に示される化合物と式（II）に示される化合
物とからなる組成物Ｅを調製し、その物性を測定した。
物とからなる組成物Ｅを調製し、その物性を測定した。
組成： 組成物Ａ 80重量％ この組成物Ｅの相転移温度は であつた。また25℃における応答時間（τ）は41μｓ、
自発分極の値は14.0nCcm-2、傾き角は20.8゜であつた。
自発分極の値は14.0nCcm-2、傾き角は20.8゜であつた。
実施例６ 式（Ｉ）、式（II）および式（III）にて示される化
合物からなるつぎの組成の組成物Ｆを調製し、その物性
を測定した。
合物からなるつぎの組成の組成物Ｆを調製し、その物性
を測定した。
組成： この組成物Ｆの相転移温度は、 であつた。また25℃における応答時間（τ）は23μｓ、
自発分極の値（Ps）は57.1nCcm-2、傾き角は20゜であつ
た。
自発分極の値（Ps）は57.1nCcm-2、傾き角は20゜であつ
た。
実施例７ 式（Ｉ）、式（II）および式（III）に示される化合
物からなるつぎの組成の組成物Ｇを調製し、その物性を
測定した。
物からなるつぎの組成の組成物Ｇを調製し、その物性を
測定した。
組成： この組成物Ｇの相転移温度は であつた。また、25℃における応答時間（τ）は33μ
ｓ、自発分極の値（Ps）は87.5nCcm-2、傾き角は23.7゜
であり、30℃における応答時間（τ）は28μｓ、自発分
極の値（Ps）は81.4nCcm-2、傾き角は23.6゜であつた。
ｓ、自発分極の値（Ps）は87.5nCcm-2、傾き角は23.7゜
であり、30℃における応答時間（τ）は28μｓ、自発分
極の値（Ps）は81.4nCcm-2、傾き角は23.6゜であつた。
実施例８ 式（Ｉ）、式（II）および（III）に示される化合物
からなるつぎの組成の組成物Ｈを調製し、その物性を測
定した。
からなるつぎの組成の組成物Ｈを調製し、その物性を測
定した。
組成： この組成物Ｈの相転移温度は、 であつた。また25℃での応答時間（τ）は25μｓ、自発
分極の値（Ps）は59.9nCcm-2、傾き角は22.1゜であつ
た。
分極の値（Ps）は59.9nCcm-2、傾き角は22.1゜であつ
た。
実施例９ 式（Ｉ）、式（II）および式（III）に示される化合
物からなるつぎの組成の組成物Ｉを調製し、その物性を
測定した。
物からなるつぎの組成の組成物Ｉを調製し、その物性を
測定した。
組成： この組成物Ｉの相転移温度は、 であつた。また25℃での応答時間（τ）は24μｓ、自発
分極の値（Ps）は66.9nCcm-2、傾き角は22.1゜であつ
た。
分極の値（Ps）は66.9nCcm-2、傾き角は22.1゜であつ
た。
実施例10 式（Ｉ）、式（II）および式（III）に示される化合
物からなるつぎの組成の組成物Ｊを調製し、その物性を
測定した。
物からなるつぎの組成の組成物Ｊを調製し、その物性を
測定した。
組成： この組成物Ｊの相転移温度は、 であつた。また25℃における応答時間（τ）は24μｓ、
自発分極の値は57.0nCcm-2、傾き角は22.3゜であつた。
自発分極の値は57.0nCcm-2、傾き角は22.3゜であつた。
【図面の簡単な説明】 図１は実施例１の組成物Ａと式（ａ）で示される化合物
を混合した場合の相図を示す。
を混合した場合の相図を示す。
Claims (6)
- 【請求項１】一般式 （式中、R1およびR2はそれぞれ炭素数が１〜18のアルキ
ル基を示す。） で表わされる非カイラルな化合物の少なくとも一種と、
一般式 （式中、R3は炭素数１〜18のアルキル基またはアルコキ
シ基、R4は炭素数２〜18のアルキル基を示し、Ｘは単結
合、−COO−、−OCO−、−Ｎ＝CH−、−CH＝Ｎ−、OCH2
−または−CH2O−を示す。またｍとｎはそれぞれ１また
は２の整数、＊は不斉炭素原子を示す。） で表わされる光学活性な化合物の少なくとも一種とを含
有することを特徴とする強誘電性液晶組成物。 - 【請求項２】式（Ｉ）で表わされる化合物が20〜98重量
％、式（II）で表わされる化合物が１〜40重量％配合さ
れた特許請求の範囲第（Ｉ）項記載の強誘電性液晶組成
物。 - 【請求項３】一般式 （式中、R1およびR2はそれぞれ炭素数１〜18のアルキル
基を示す。）、 （式中、R3は炭素数１〜18のアルキル基またはアルコキ
シ基、R4は炭素数２〜18のアルキル基を示し、Ｘは単結
合、−COO−、−OCO−、−Ｎ＝CH−、−CH＝Ｎ−、OCH2
−または−CH2O−を示す。またｍとｎはそれぞれ１また
は２の整数、＊は不斉炭素原子を示す。）、 および一般式 〔式中、 はそれぞれ を示し、R5は炭素数１〜18のアルキル基またはアルコキ
シ基を示し、Ｙは単結合、−CH2O−または−OCH2−を示
す。ｐは０または１の整数を示し、Ｚは炭素数１〜18の
アルキル基または （R6は炭素数１〜18のアルキル基を示す。）を示し、＊
は不斉炭素原子を示す。〕 で表わされる化合物からなる特許請求の範囲第（１）項
記載の強誘電性液晶組成物。 - 【請求項４】一般式（Ｉ）で表わされる化合物が20〜98
重量％、一般式（II）で表わされる化合物が１〜40重量
％および一般式（III）で表わされる化合物が１〜40重
量％配合された特許請求の範囲第（３）項記載の強誘電
性液晶組成物。 - 【請求項５】一般式 （式中、R1およびR2はそれぞれ炭素数が１〜18のアルキ
ル基を示す。） で表わされる非カイラルな化合物の少なくとも一種と、
一般式 （式中、R3は炭素数１〜18のアルキル基またはアルコキ
シ基、R4は炭素数２〜18のアルキル基を示し、Ｘは単結
合、−COO−、−OCO−、−Ｎ＝CH−、−CH＝Ｎ−、OCH2
−または−CH2O−を示す。またｍとｎはそれぞれ１また
は２の整数、＊は不斉炭素原子を示す。） で表わされる光学活性な化合物の少なくとも一種とを含
有する強誘電性液晶組成物を用いることを特徴とする光
スイツチング素子。 - 【請求項６】一般式（Ｉ）で表わされる化合物、一般式
（II）で表わされる化合物、および一般式 〔式中、 はそれぞれ を示し、R5は炭素数１〜18のアルキル基またはアルコキ
シ基を示し、Ｙは単結合、−CH2O−または−OCH2−を示
す。ｐは０または１の整数を示し、Ｚは炭素数１〜18の
アルキル基または （R6は炭素数１〜18のアルキル基を示す。）を示し、＊
は不斉炭素原子を示す。〕 で表わされる化合物からなる強誘電性液晶組成物を用い
る特許請求の範囲第（５）項記載の光スイツチング素
子。
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