JPH0819025B2 - 1,2−プロパンジオ−ル誘導体 - Google Patents

1,2−プロパンジオ−ル誘導体

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JPH0819025B2
JPH0819025B2 JP62032654A JP3265487A JPH0819025B2 JP H0819025 B2 JPH0819025 B2 JP H0819025B2 JP 62032654 A JP62032654 A JP 62032654A JP 3265487 A JP3265487 A JP 3265487A JP H0819025 B2 JPH0819025 B2 JP H0819025B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は新規な液晶性化合物及び該液晶性化合物を含
有する液晶組成物に関し、更に詳しくは光学活性基を有
する液晶性化合物及びそれを含有するカイラル液晶組成
物に関する。
本願明細書に於て液晶性化合物とは、単独で液晶状態
が観察できる化合物のみではなく、単独では液晶状態を
観察できなくても液晶化合物と類似の化学構造を有し、
液晶組成物の構成成分として有用な性質を有する化合物
をも含むものとする。
〔従来の技術とその問題点〕
現在、液晶表示素子としてはTN(Twisted Nematic、
ねじれネマチツク)型表示方式が最も広く用いられてい
るが、応答速度の点に於いて発光型表示素子(エレクト
ロルミネツセンス、プラズマデイスプレイ等)と比較し
て劣つており、この点に於ける改善は種々試みられてい
るにも拘らず、大巾な改善の可能性はあまり残つていな
いようである。そのためTN型表示素子に代わる別の原理
による液晶表示装置が種々試みられているが、その一つ
に強誘電性液晶を利用する表示方法がある(N.A.Clark
ら;Applied Phys.lett.,36,899(1980))。この方式は
強誘電性液晶カイラルスメクチツクC相(以下、SC
と略称する)あるいは他のカイラルスメクチツク相、例
えばSH相、SF、SG相などを利用するものであり、
TN型表示方式に比べて次のような3つのすぐれた特徴を
有している。即ち、第1の特徴は非常に速い応答速度を
有することであり、TN型表示素子のそれに比較して100
倍にも達する。第2の特徴はメモリー効果があることで
あり、前記高速応答性とあいまつて時分割駆動が容易と
なる。第3の特徴は極性の反転時間を調節するだけで、
TN型表示方式に比べ、より容易に階調を得ることがで
き、グラフイツク表示用として適していると考えられて
いる。
しかしながら、このような優れた特性があるにもかか
わらず現在知られている強誘電性液晶及び組成物ではそ
の応答速度という点でまだ充分満足できる結果は得られ
ておらず、実用化を前にしてやや行き詰まつた感もあ
る。これは、本駆動方式に適した応対速度の非常に速い
液晶性化合物の開発が遅れているためであるといえる。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、この表示方式に適した特性を有す
る、特に応答速度の速い液晶素子の材料として有用な化
合物を提供することである。
〔発明の構成−問題を解決するための手段〕
即ち、本発明は、一般式 (上式に於てR1は炭素数1〜20のアルキル基又はアルコ
キシ基、水素原子、ハロゲン原子又はシアノ基を示し、 はいずれも (Xは水素原子、ハロゲン原子又はシアノ基を示す)の
いずれかを示し、R2は炭素数1〜20のアルキル基を示
し、m及びnはいずれも0又は1である)で表わされる
光学活性液晶性化合物及びそれを含有するカイラル液晶
組成物である。
(I)式において、R1が炭素数4〜16のアルキル基また
はアルコキシ基である化合物が好ましく、更には炭素数
6〜12のアルキル基またはアルコキシ基である物が好ま
しい。またR2が炭素数2〜10のアルキル基である物が好
ましく、更にはR2が炭素数3〜8である物が好ましい。
また、mとnについては、該式でm=1でn=0であ
る化合物が最も好ましく、次いでm=1でn=1である
物とm=0でn=0である物が好ましい。また、六員環 の組合わせの好ましい例としては、 等をあげることができる。
〔発明の作用、効果〕
(I)式の化合物は、単独では液晶相を示さない物が
多いが、他のスメクチツクC相を有する化合物に適量添
加することにより非常に速い応答速度を有するカイラル
スメクチツク液晶組成物を得ることができる。これは
(I)式の化合物が潜在的に応答速度を速める能力を有
していることを意味しており、(I)式の化合物が強誘
電性液晶組成物の一成分として非常にすぐれているとい
える。たとえば実施例に於いて述べる通り、非カイラル
スメクチツクC相を呈する液晶組成物に対して本発明の
(I)式の化合物を20重量%添加することにより25℃に
於いて125μsecの応答速度を得ることも可能である。
あるいは、カイラルスメクチツクC相を呈するが、著
しく応答速度が遅い組成物に対して本発明の(I)式の
化合物を適量添加することにより実用的な応答速度を有
するカイラルスメクチツク液晶組成物を得ることができ
る。
また、本発明の化合物を含有するそのカイラルネマチ
ツク液晶のピツチは、例えば本発明の実施例1の化合物
をメルク社製ZLI−1132に1重量%添加して測定したと
き25℃に於いてそのカイラルピツチは29μmと短かくな
り、本発明の化合物がカイラルネマチツク液晶組成物の
ピツチ調節材として非常に有用であることがわかる。
さらに、その温度特性δpは極めて良く、式 (t1,t2は温度。P(t)はt℃に於けるピツチを示
す。) で表わされる温度特性δpは0.544と非常に小さい(t1
=20℃、t2=70℃に於いて)。
これは例えば現在知られているカイラルネマチツク液
晶組成物のピツチ調節材(S)−4−(2′−メチルブ
チルオキシ)−4′−シアノビフエニルのδpが同条件
下1.001であることから驚くべき特性であるといえる。
尚、(I)式の化合物は、光学活性は不斉炭素を有す
るためこれをネマチツク液晶に添加することによつてね
じれた構造を誘起する能力を有する。ねじれた構造を有
するネマチツク液晶すなわちカイラルネマチツク液晶
は、TN型表示素子のいわゆるリバース・ドメインを生成
することがないので(I)式の化合物はリバース・ドメ
イン生成の防止剤としても使用できる。
〔化合物の製法〕
次に、一般式(I)の化合物の製造法について述べ
る。(I)式の化合物は次のような経路により好適に製
造される。
(i)m=1の場合 (上式中、R1、R2はそれぞれ前記と同一の意味を示す。) 即ち、乳酸エチル(1)にジヒドロピランを作用し
(2)としたのちリチウムアルミニウムハイドライドの
如きの還元剤を使用し(3)とする。ここにベンジル基
の如きの保護基を導入し(4)としたのち、酸を使用し
(5)とする。ここにトシル基の如きの脱離基を導入し
(6)としたのち種々のフエノール類を作用させ(7)
とする。還元剤を用いて保護基をはずし(8)とし、こ
こに最終目的物に対応する種々のカルボン酸類を作用さ
せることにより(I)式の化合物を得ることができる。
(ii)m=0の場合 (上式中、R1、R2はそれぞれ前記と同一の意味を示す。) 即ち、(i)で製造した(3)にアルキル基を導入し
(9)としたのち酸を作用し(10)とする。ここにトシ
ル基の如くの脱離基を導入し(11)としたのち、最終目
的物に対応する種々のフエノール類を作用させることに
より(I)式の化合物を得ることができる。
上記の方法で製造できる化合物のうち代表的なものの
化合物名を以下に示す。
4−(2′−ヘキサノイルオキシ−1′−メチル)エチ
ルオキシ−4′−オクチルオキシビフエニル、 4−(2′−ヘプタノイルオキシ−1′−メチル)エチ
ルオキシ−4′−オクチルオキシビフエニル、(実施例
1、mp 52℃) 4−(2′−オクタノイルオキシ−1′−メチル)エチ
ルオキシ−4′−オクチルビフエニル、 3−フルオロ−4−(2′−ヘキサノイルオキシ−1′
−メチル)エチルオキシ−4′−オクチルオキシビフエ
ニル、 3−フルオロ−4−(2′−ヘプタノイルオキシ−1′
−メチル)エチルオキシ−4′−オクチルオキシビフエ
ニル、 3−フルオロ−4−(2′−オクタノイルオキシ−1′
−メチル)エチルオキシ−4′−オクチルブフエニル、 3−フルオロ−4−オクチルオキシ−4′−(2″−ペ
ンタノイルオキシ−1″−メチル)エチルオキシビフエ
ニル、 3−フルオロ−4−ヘキシルオキシ−4′−(2″−ヘ
キサノイルオキシ−1″−メチル)エチルオキシビフエ
ニル、 4−〔1′−メチル−2′−(4″−メチルペンタノイ
ルオキシ)〕エチルオキシ−4′−オクチルオキシビフ
エニル、(実施例2mp 40.8℃) 4−〔1′−メチル−2′−(4″−メチルヘキサノイ
ルオキシ)〕エチルオキシ−4′−オクチルオキシビフ
エニル、(実施例3 mp 40.5℃) 4−〔1′−メチル−2′−(4″−メチルペンタノイ
ルオキシ)〕エチルオキシ−4′−オクチルビフエニ
ル、 3−フルオロ−4−〔1′−メチル−2′−(4″−メ
チルヘキサノイルオキシ)〕エチルオキシ−4′−オク
チルオキシビフエニル、 3−フルオロ−4−〔1′−メチル−2′−(4″−メ
チルヘキサノイルオキシ)〕エチルオキシ−4′−オク
チルビフエニル、 4−〔2′−(2″−ブチルオキシプロパノイルオキ
シ)−1′−メチル〕エチルオキシ−4′−オクチルオ
キシビフエニル、 (実施例4mp 21.0℃、実施例5mp 32.5℃) 4−〔2′−(2″−ヘキシルオキシプロパノイルオキ
シ)−1′−メチル〕エチルオキシ−4′−ヘプチルビ
フエニル、 4−〔1′−メチル−2′−(4′−メチルヘプタノイ
ルオキシ)〕エチルオキシ−4′−ヘキシルビフエニ
ル、 4−(2′−ブチルオキシ−1′−メチル)エチルオキ
シ−4′−オクチルオキシビフエニル、(実施例6mp 3
9.6℃) 4−(2′−ペンチルオキシ−1′−メチル)エチルオ
キシ−4′−ヘプチルビフエニル、 5−オクチル−2−〔4′−(2″−ヘプタノイルオキ
シ−1″−メチル)エチルオキシ〕フエニルピリジン、 5−ヘプチル−2−〔4′−(2″−ペンタノイルオキ
シ−1″−メチル)エチルオキシ〕フエニルピリジン、 5−オクチル−2−{4′−〔2″−(2−ブチルオ
キシプロパノイルオキシ)−1″−メチル〕エチルオキ
シ}フエニルピリジン、 5−ヘキシル−2−〔4′−(2″−ヘプタノイルオキ
シ−1″−メチル)エチルオキシ〕フエニルピリミジ
ン、 5−ヘプチル−2−{4′〔2″−(2−ヘキシルオ
キシプロパノイルオキシ)−1″−メチル〕エチルオキ
シ}フエニルピリミジン、 2−(4′−ヘキシルオキシフエニル)−5−[(1′
−メチル−2′−ブトキシ)エチルオキシ]ピリミジ
ン、 2−(4′−ノニルフエニル)−5−[(1′−メチル
−2′−ブタノイルオキシ)エチルオキシ]ピリミジ
ン、 2−(4′−オクチルオキシフエニル)−5−[1′−
メチル−2′−(2″−ブトキシプロパノイルオキシ)
エチルオキシ]ピリミジン、 3−オクチル−6−〔4′−(2″−ヘプタノイルオキ
シ−1″−メチル)エチルオキシ〕フエニルピリダジ
ン、 3−ノニル−6−{4′−〔2″−(2−ペンチルオ
キシプロパノイルオキシ)−1″−メチル〕エチルオキ
シ}フエニルピリダジン、 4−オクチル−トランス−シクロヘキシル−4′−
〔(2′−ヘキサノイルオキシ−1−メチル)エチルオ
キシ〕ベンゼン、 4−オクチル−トランス−シクロヘキシル−4′−
〔2″−(2−ブチルオキシプロパノイルオキシ)−
1″−メチル〕エチルオキシベンゼン。
〔実施例〕
以下、実施例により本発明の光学活性液晶性化合物に
つき、更に詳細に説明する。
実施例1 (R)−4−(2′−ヘプタノイルオキシ−1′−メ
チル)エチルオキシ−4′−オクチルオキシビフエニル
((I)式に於いてR1=C8H17O−、R2=C6H13−、 m=1、n=0のもの)を製造。
文献(C.Malanga et all,Synthetic Communications,
12(1).67−70(1982))記載の方法に従つて製造し
た(S)−1−ヒドロキシ−2−テトラヒドロピラニル
オキシプロパン120g(0.75モル)をテトラヒドロフラン
(以下、THFと略す)400ml中の水素化ナトリウム44.8g
(1.87モル)に滴下したのちジメチルフオルムアミド
(以下、DMFと略す)200mlを入れ2時間撹拌した。ここ
へ、ベンジルブロマイド140.8g(0.82モル)を30℃以下
で滴下し室温で6時間撹拌した後、トルエンを加えよく
撹拌し有機層を2N−NaOH水溶液で洗浄したのち水洗し無
水硫酸マグネシウムで乾燥した。トルエンを留去したの
ち油状残渣(S)−1−ベンジルオキシ−2−テトラヒ
ドロピラニルオキシプロパンにピリジウムp−トルエン
スルホネート18g、エタノール500mlを加え1時間70℃に
加熱した。エタノールを留去し残渣にトルエンを加え充
分水洗したのちトルエンを留去し残渣を蒸留し(S)−
1−ベンジルオキシ−2−ヒドロキシプロパン98gを得
た。bp 94.0℃、2.5mmHg。この(S)−1−ベンジルオ
キシ−2−ヒドロキシプロパン60g(0.36モル)と無水
ピリジン300gの混合物を氷冷し、ここにp−トルエンス
ルホニルクロライド75.8g(0.20モル)のピリジン70ml
溶液を0℃で滴下し、室温で3時間撹拌した。トルエン
800mlを加え撹拌したのち有機層を数回洗浄し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥したのちトルエンを留去し(S)
−1−ベンジルオキシ−2−(p−トルエンスルホニル
オキシ)プロパン115.2gを得た。一方、4−ヒドロキシ
−4′−オクチルオキシビフエニル50g(0.17モル)のT
HF200ml溶液を水素化ナトリウム8.5g(0.35モル)とTHF
100mlの混合物に滴下し、そこへ上記の(S)−1−ベ
ンジルオキシ−2−(p−トルエンスルホニルオキシ)
プロパン64.5g(0.20モル)のDMF100ml溶液を滴下し60
℃で4時間撹拌した。放冷後トルエンを加え撹拌したの
ち、6N−HCl洗、2N−NaOH水溶液洗のち水洗し無水硫酸
マグネシウムで乾燥したのちトルエンを留去した。残渣
をエタノール250mlと酢酸エチル250mlの混合物に溶解し
パラジウムカーボン触媒10gを加え水素下撹拌した。パ
ラジウムカーボンを別し溶媒を留去したのち残渣をヘ
プタン150mlから再結晶し、37.5gの(R)−4−(2′
−ヒドロキシ−1′−メチル)エチルオキシ−4′−オ
クチルオキシビフエニルを得た。mp 107.9℃。
この(R)−4−(2′−ヒドロキシ−1′−メチ
ル)エチルオキシ−4′−オクチルオキシビフエニル10
g(0.028モル)とヘプタン酸9.1g(0.07モル)をジクロ
ロメタン300mlに溶解し、更にジシクロヘキシルカルボ
ジイミド(以下、DCCと略す)17.3g(0.084モル)、ジ
メチルアミノピリジン(以下、DMAPと略す)2.7gを加え
室温で2時間撹拌した。析出した結晶を別し、溶媒を
留去したのち残渣をエタノール150mlから再結晶し、目
的物である(R)−4−(2′−ヘプタノイルオキシ−
1′−メチル)エチルオキシ−4′−オクチルオキシビ
フエニル6.0gを得た。mp 52.0℃。
実施例2 (R)−4−〔1′−メチル−2′−4″−メチルペ
ンタノイルオキシ)〕エチルオキシ−4′−オクチルオ
キシビフェニル((I)式に於いてR1=C8H17O−、R2
(CH32CH2CH2CH2−、 m=1、n=0のもの)の製造。
実施例1で製造した(R)−4−(2′−ヒドロキシ
−1′−メチル)エチルオキシ−4′−オクチルオキシ
ビフエニル10g(0.28モル)、イソカプロン酸8.1g(0.0
7モル)をジクロロメタン300mlに溶解し、DCC17.3g(0.
084モル)、DMAP2.7gを加え室温で2時間撹拌した。析
出した結晶を別し溶媒を留去したのち残渣をエタノー
ル150mlから再結晶し7.1gの(R)−4−〔1′−メチ
ル−2′−(4″−メチルペンタノイルオキシ)〕エチ
ルオキシ−4′−オクチルオキシビフエニルを得た。mp
40.8℃。
実施例3 4−〔1′−(R)−メチル−2′−(4″−(S)
−メチルヘキサノイルオキシ)〕エチルオキシ−4′−
オクチルオキシビフエニル((I)式に於いて、 R1=C8H17O−、 m=1、n=0のもの)の製造。
実施例1で製造した(R)−4−(2′−ヒドロキシ
−1′−メチル)エチルオキシ−4′−オクチルオキシ
ビフエニル10g(0.28モル)、(S)−4−メチルヘキ
サン酸9.1g(0.07モル)をジクロロメタン300mlに溶解
しDCC17.3g(0.084モル)、DMAP2.7gを加え室温で2時
間撹拌した。析出した結晶を別し溶媒を留去したのち
残渣をエタノール150mlから再結晶し6.9gの4−〔1′
−(R)−メチル−2′−(4″−(S)−メチルヘキ
サノイルオキシ)〕エチルオキシ−4′−オクチルオキ
シビフエニルを得た。mp 40.5℃。
実施例4 4−〔2′−(2″−(S)−ブチルオキシプロパノ
イルオキシ)−1′−(R)−メチル〕エチルオキシ−
4′−オクチルオキシビフエニル((I)式に於いて、
R1=C8H17O−、R2=C4H9m=1、n=0のもの)の製造。
(i) (S)−2−ブチルオキシプロピオン酸の製造 L−(+)−乳酸エチル49.4g(0.4モル)と1−ヨー
ドブタン100g(0.5モル)との混合物に酸化銀77.5g(0.
3モル)を2時間かけて加えた。室温で3日間放置した
後エーテル30mlを加えて希釈し過後エーテルを留去し
た。残渣を2N−NaOH水溶液で洗浄後無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。これを蒸留して(S)−2−ブチルオキ
シプロピオン酸エチル30.7gを得た。bp 64℃ 7mmHg。
ここに、5N−NaOH水溶液50mlを加えて室温で5時間撹
拌したのち、6N−HCl75mlに注ぎエーテルを加え撹拌し
た。有機層を水洗したのちエーテルを留去して、(S)
−2−ブチルオキシプロピオン酸21.4gを得た。
(ii) 目的物の製造 実施例1で製造した(R)−4−(2′−ヒドロキシ
−1′−メチル)エチルオキシ−4′−オクチルビフエ
ニル10g(0.28モル)、(i)で得られた(S)−2−
ブチルオキシプロピオン酸10.2g(0.07モル)をジクロ
ロメタン300mlに溶解しDCC17.3g(0.084モル)、DMAP2.
7gを加え室温で2時間撹拌した。析出した結晶を別し
溶媒を留去したのち残渣をエタノール150mlから再結晶
し目的の4−〔2′−(2″−(S)−ブチルオキシプ
ロパノイルオキシ)−1′−(R)−メチル〕エチルオ
キシ−4′−オクチルオキシビフエニル7.2gを得た。mp
21.0℃。
実施例5 4−〔2′−(2″−(R)−ブチルオキシプロパノ
イルオキシ)−1′−(R)−メチル〕エチルオキシ−
4′−オクチルオキシビフエニル(実施例4の化合物の
R体のもの)の製造。
実施例4で使用した(S)−2−ブチルオキシプロピ
オン酸の代わりに(R)−2−ブチルオキシプロピオン
酸を使用して同様な方法で8.2gの4−〔2′−(2″−
(R)−ブチルオキシプロパノイルオキシ)−1′−
(R)−メチル〕エチルオキシ−4′−オクチルオキシ
ビフエニルを製造した。mp32.5℃。
ここで使用する(R)−2−ブチルオキシプロピオン
酸は実施例4で使用したL−(+)−乳酸エチルの代わ
りにR−(−)−乳酸メチルを使用して同様な方法で製
造できる。
実施例6 (R)−4−(2′−ブチルオキシ−1′−メチル)
エチルオキシ−4′−オクチルオキシビフエニル
((I)式に於いて、R1=C8H17O−、R2=C4H9−、 m=1、n=0のもの)の製造。
(S)−1−ヒドロキシ−2−テトラヒドロピラニル
オキシプロパン120g(0.75モル)をTHF400ml中の水素化
ナトリウム44.8g(1.87モル)に滴下したのち、DMF200m
lを入れ2時間撹拌した。
ここへ、ブチルブロマイド112.4g(0.82モル)を30℃
以下で滴下し室温で6時間撹拌した後トルエンを加えよ
く撹拌し有機層を2N−NaOH水溶液洗のち水洗し無水硫酸
マグネシウムで乾燥した。トルエンを留去したのち油状
残渣にピリジウムp−トルエンスルホネート18g、エタ
ノール500mlを加え1時間70℃に加熱した。エタノール
を留去し残渣にトルエンを加え十分水洗したのちトルエ
ンを留去し残渣を蒸留し(S)−1−ブチルオキシ−2
−ヒドロキシプロパン79.3gを得た。bp 87℃ 35mmHg、
αD 24=+3.6(l=1.0dm neat) この(S)−1−ブチルオキシ−2−ヒドロキシプロ
パン47.6g(0.36モル)と無水ピリジン300gの混合物を
氷冷し、ここにp−トルエンスルホニルクロライド75.8
g(0.20モル)のピリジン70ml溶液を0℃滴下し室温で
3時間撹拌した。トルエン800mlを加え撹拌したのち有
機層を数回水洗し無水硫酸マグネシウムで乾燥したのち
トルエンを留去し(S)−1−ブチルオキシ−2−(p
−トルエンスルホニルオキシ)プロパン93.1gを得た。
4−ヒドロキシ−4′−オクチルオキシビフエニル10g
(0.017モル)のTHF20ml溶液を水素化ナトリウム0.85g
(0.035モル)とTHF10mlの混合物に滴下し、さらに
(S)−1−ブチルオキシ−2−(p−トルエンスルホ
ニルオキシ)プロパン5.7g(0.02モル)のDMF10ml溶液
を滴下し、60℃で4時間撹拌した。放冷後トルエンを加
え撹拌したのち6N−NCl洗、2N−NaOH水溶液洗のち、水
洗し無水硫酸マグネシウムで乾燥したのちトルエンを留
去した。残渣をエタノール100mlから再結晶し8.2gの
(R)−4−(2′−ブチルオキシ−1′−メチル)エ
チルオキシ−4′−オクチルオキシビフエニルを得た。
mp 39.6℃。
実施例7(使用例1) まず、下記組成の非カイラルスメクチツク液晶化合物
からなる液晶組成物を調製した。
この液晶組成物は下記の如き相転移を示す。
この液晶組成物80重量%と、本発明の(I)式の化合
物の1つである実施例4の化合物20重量%とからなる液
晶組成物を調製すると下記の相転移点を有するカイラル
スメクチツク液晶組成物が得られた。
このカイラルスメクチツク液晶組成物を、配向処理剤
としてPVA(ポリビニルアルコール)を塗布し、表面を
ラビングして平行配向処理を施した透明電極を備えたセ
ル厚2μmのセルに注入し、この液晶素子を互いに直交
する備光子と検光子との間に置き、電圧を15V印加する
と、透過光強度の変化が認められ、その変化から応答時
間を求めると25℃で125μsecであつた。又、この液晶組
成物の自発分極の値Psは25℃で2nC/cm2、チルト角は14
゜であつた。
以上の如く非光学活性液晶組成物に本発明の(I)式
の化合物を成分として加えることにより応答速度の速い
強誘電性カイラルスメクチツク液晶組成物が得られる。
実施例8(使用例2) からなるネマチツク液晶組成物を電極間隔10μmのセル
に注入してTN型表示セルとし、これを備光顕微鏡下で観
察したところ、リバース・ツイストドメインが生じてい
るのが観察された。なお使用したセルには配向処理剤と
してポリビニルアルコールを塗布しその表面をラビング
して平行配向処理を施した。
この上記のネマチツク液晶組成物に本願の化合物すな
わち、 を0.1重量%添加し、同様なTN型セルにて観察したとこ
ろリバース・ツイストドメインは解消され、均一なネマ
チツク相が観察された。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07C 69/16 69/708 Z 9546−4H 255/46 255/54 C07D 213/30 213/61 213/65 213/84 237/08 237/14 239/26 239/34 C09K 19/12 9279−4H G02F 1/13 500

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式 (上式に於いてR1は炭素数1〜20のアルキル基又はアル
    コキシ基、水素原子、ハロゲン原子又はシアノ基を示
    し、 (Xは水素原子、ハロゲン原子又はシアノ基を示す)の
    いずれかを示し、R2は炭素数1〜20のアルキル基を示
    し、m及びnはいずれも0又は1である)で表わされる
    光学活性化合物。
  2. 【請求項2】一般式 (上式に於いてR1は炭素数1〜20のアルキル基又はアル
    コキシ基、水素原子、ハロゲン原子又はシアノ基を示
    し、 (Xは水素原子、ハロゲン原子又はシアノ基を示す)の
    いずれかを示し、R2は炭素数1〜20のアルキル基を示
    し、m及びnはいずれも0又は1である)で表わされる
    光学活性化合物を少なくとも1成分含むことを特徴とす
    るカイラル液晶組成物。
  3. 【請求項3】カイラルスメクチック相を呈する特許請求
    の範囲第2項記載の液晶組成物。
  4. 【請求項4】カイラルネマチック相を呈する特許請求の
    範囲第2項記載の液晶組成物。
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