JP2626502B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JP2626502B2 JP2626502B2 JP5252330A JP25233093A JP2626502B2 JP 2626502 B2 JP2626502 B2 JP 2626502B2 JP 5252330 A JP5252330 A JP 5252330A JP 25233093 A JP25233093 A JP 25233093A JP 2626502 B2 JP2626502 B2 JP 2626502B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェハから形成さ
れる半導体装置とその製造方法に関し、特にその機械的
な強度の向上を図った半導体装置及びその製造方法に関
する。
れる半導体装置とその製造方法に関し、特にその機械的
な強度の向上を図った半導体装置及びその製造方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】一般に半導体装置の製造工程には様々な
熱処理工程が導入されている。例えば酸化膜を形成する
ためには1000℃程度の酸化性雰囲気での熱処理を行
い、不純物の拡散には1000℃以上の不活性雰囲気で
の熱処理をシリコンウェハに対して行っている。ところ
が、このような熱処理を行うと、大きな熱応力が加わる
熱処理であった場合、シリコンウェハには結晶欠陥(例
えば、スリップ転移)が発生することが知られている。
このような結晶欠陥は、特にシリコンウェハの周辺部に
発生し易く、このスリップ転移が半導体素子が形成され
ている領域にまで達した場合には、その半導体素子の特
性劣化を生じることも知られている。このため、シリコ
ンウェハ周辺部の素子は半導体不良になり易い傾向があ
る。
熱処理工程が導入されている。例えば酸化膜を形成する
ためには1000℃程度の酸化性雰囲気での熱処理を行
い、不純物の拡散には1000℃以上の不活性雰囲気で
の熱処理をシリコンウェハに対して行っている。ところ
が、このような熱処理を行うと、大きな熱応力が加わる
熱処理であった場合、シリコンウェハには結晶欠陥(例
えば、スリップ転移)が発生することが知られている。
このような結晶欠陥は、特にシリコンウェハの周辺部に
発生し易く、このスリップ転移が半導体素子が形成され
ている領域にまで達した場合には、その半導体素子の特
性劣化を生じることも知られている。このため、シリコ
ンウェハ周辺部の素子は半導体不良になり易い傾向があ
る。
【0003】従来から、このような結晶欠陥の発生を防
ぐ方法として次の二つの方法が考えられている。その一
つはシリコンウェハの昇温,降温時に生ずるシリコンウ
ェハ面内の熱応力を小さくする方法であり、他の一つは
シリコンウェハの機械的強度を大きくする方法である。
ここで機械的強度を大きくするということは転移の発
生、増殖を抑制する効果を与えることである。前者のシ
リコンウェハ面内の熱応力を小さくするためには、シリ
コンウェハ面内温度の均一性を向上すれば良く、一般的
には比較的低温(800℃〜900℃)にした炉内にシ
リコンウェハを挿入し、次いで、炉の温度を上昇させる
ランピング法が採られている。しかしこのランピング法
では低温での熱処理時間が増加するためにシリコンウェ
ハに存在する酸素原子が酸化シリコンとして析出し易く
なり、このことが逆に析出による結晶欠陥を誘発する原
因となることがある。
ぐ方法として次の二つの方法が考えられている。その一
つはシリコンウェハの昇温,降温時に生ずるシリコンウ
ェハ面内の熱応力を小さくする方法であり、他の一つは
シリコンウェハの機械的強度を大きくする方法である。
ここで機械的強度を大きくするということは転移の発
生、増殖を抑制する効果を与えることである。前者のシ
リコンウェハ面内の熱応力を小さくするためには、シリ
コンウェハ面内温度の均一性を向上すれば良く、一般的
には比較的低温(800℃〜900℃)にした炉内にシ
リコンウェハを挿入し、次いで、炉の温度を上昇させる
ランピング法が採られている。しかしこのランピング法
では低温での熱処理時間が増加するためにシリコンウェ
ハに存在する酸素原子が酸化シリコンとして析出し易く
なり、このことが逆に析出による結晶欠陥を誘発する原
因となることがある。
【0004】後者の機械的強度を高める方法としては、
次の二つの方法が知られている。 (1)シリコンウェハの結晶格子間に存在する酸素は転
移を固着させる作用があるので、高濃度の格子間酸素を
含む結晶を育成する方法。 (2)シリコン結晶中に特定の不純物をドーピングする
方法。 これらのうち、(1)の方法は高濃度に含有させると酸
素が酸化シリコンとして析出し、逆に結晶欠陥を誘発し
機械的強度を低下させる恐れがある。このため機械的強
度を向上させ、かつ過剰な析出を伴わない適切な酸素濃
度を採用する必要がある。この酸素濃度の制御は極めて
難しく、酸素による固着効果も大きくないため、大きな
効果は期待できない。
次の二つの方法が知られている。 (1)シリコンウェハの結晶格子間に存在する酸素は転
移を固着させる作用があるので、高濃度の格子間酸素を
含む結晶を育成する方法。 (2)シリコン結晶中に特定の不純物をドーピングする
方法。 これらのうち、(1)の方法は高濃度に含有させると酸
素が酸化シリコンとして析出し、逆に結晶欠陥を誘発し
機械的強度を低下させる恐れがある。このため機械的強
度を向上させ、かつ過剰な析出を伴わない適切な酸素濃
度を採用する必要がある。この酸素濃度の制御は極めて
難しく、酸素による固着効果も大きくないため、大きな
効果は期待できない。
【0005】また、(2)の不純物のドーピングに関し
てはゲルマニウムと窒素が有効であることが知られてい
る。しかしながらゲルマニウムの場合、ドープしたゲル
マニウムが結晶成長時に偏析して、シリコン結晶中でゲ
ルマニウム濃度が不均一に分布し、所要の濃度が得られ
ず転移が依然として発生し易いという問題がある。一方
窒素をドーピングする場合には、結晶育成中に窒素をド
ープする方法がある。窒素による転移の固着力は同一濃
度の酸素による転移の固着力と比較して約100倍の強
さがあり、また、このドープ法により均一にドープされ
る。ただしCZ法で結晶を育成する場合には、この方法
は多結晶化し易い傾向があり、実用化は難しい。
てはゲルマニウムと窒素が有効であることが知られてい
る。しかしながらゲルマニウムの場合、ドープしたゲル
マニウムが結晶成長時に偏析して、シリコン結晶中でゲ
ルマニウム濃度が不均一に分布し、所要の濃度が得られ
ず転移が依然として発生し易いという問題がある。一方
窒素をドーピングする場合には、結晶育成中に窒素をド
ープする方法がある。窒素による転移の固着力は同一濃
度の酸素による転移の固着力と比較して約100倍の強
さがあり、また、このドープ法により均一にドープされ
る。ただしCZ法で結晶を育成する場合には、この方法
は多結晶化し易い傾向があり、実用化は難しい。
【0006】このため、結晶を育成した後に窒素を拡散
してドープする方法が考えられている。これはスリップ
転移が発生するのは基板周辺部であり、熱処理により、
基板周辺部に窒素を拡散させた領域を形成し機械的強度
を高める方法である。例えば、その一例として特開平2
−114534号公報に開示されたものがある。この方
法は、図7(a)に示すように、CZ法で成長したシリ
コンインゴットを研削して円柱状にしたシリコンインゴ
ット21に表面処理を施した後、図7(b)のように高
温で数時間の熱処理により表面から窒素を拡散させて窒
素拡散層22を形成する。その後、図7(c)に示すよ
うに、インゴット21をスライシングし、鏡面加工を施
してシリコンウエハ21′を形成する方法である。形成
されたシリコンウェハ21′はその周縁に沿って窒素拡
散領域22′が形成されることになる。
してドープする方法が考えられている。これはスリップ
転移が発生するのは基板周辺部であり、熱処理により、
基板周辺部に窒素を拡散させた領域を形成し機械的強度
を高める方法である。例えば、その一例として特開平2
−114534号公報に開示されたものがある。この方
法は、図7(a)に示すように、CZ法で成長したシリ
コンインゴットを研削して円柱状にしたシリコンインゴ
ット21に表面処理を施した後、図7(b)のように高
温で数時間の熱処理により表面から窒素を拡散させて窒
素拡散層22を形成する。その後、図7(c)に示すよ
うに、インゴット21をスライシングし、鏡面加工を施
してシリコンウエハ21′を形成する方法である。形成
されたシリコンウェハ21′はその周縁に沿って窒素拡
散領域22′が形成されることになる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この公
報に開示されている方法では、結晶育成後のインゴット
自体に熱処理を施して窒素をインゴット表面に拡散させ
ているが、単に窒素を熱拡散するのみでは、窒素の拡散
係数が大きいためにインゴットに供給した窒素が大気中
に再び逸散し易く、高濃度な窒素添加領域を形成するこ
とが難しいという問題がある。また、熱処理による窒素
の拡散では、窒素を拡散させる領域とその拡散濃度の制
御が難しく、表面の所定の深さまで窒素を拡散させたイ
ンゴット、即ち周縁の所定領域に所要の濃度で窒素を拡
散させたシリコンウェハを得ることが難しいという問題
もある。本発明の目的は、周縁の所定領域に所要の濃度
で窒素を拡散させて機械的な強度を高めた半導体装置を
提供することにある。また、本発明の他の目的は、周縁
の所定領域に所定の濃度で窒素を拡散させた半導体装置
の製造方法を提供することにある。
報に開示されている方法では、結晶育成後のインゴット
自体に熱処理を施して窒素をインゴット表面に拡散させ
ているが、単に窒素を熱拡散するのみでは、窒素の拡散
係数が大きいためにインゴットに供給した窒素が大気中
に再び逸散し易く、高濃度な窒素添加領域を形成するこ
とが難しいという問題がある。また、熱処理による窒素
の拡散では、窒素を拡散させる領域とその拡散濃度の制
御が難しく、表面の所定の深さまで窒素を拡散させたイ
ンゴット、即ち周縁の所定領域に所要の濃度で窒素を拡
散させたシリコンウェハを得ることが難しいという問題
もある。本発明の目的は、周縁の所定領域に所要の濃度
で窒素を拡散させて機械的な強度を高めた半導体装置を
提供することにある。また、本発明の他の目的は、周縁
の所定領域に所定の濃度で窒素を拡散させた半導体装置
の製造方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
シリコンウェハの周縁領域には、シリコンウェハ中心部
から{111}面の法線ベクトルのウェハ面上への正射
影方向に対して±π/16の角度範囲の領域に窒素が拡
散された構成とする。一方、本発明の半導体装置の製造
方法は、シリコンウエハ周縁領域の、シリコンウェハ中
心部から{111}面の法線ベクトルのウェハ面上への
正射影方向に対して±π/16の角度範囲のシリコンウ
ェハの周縁領域を除く領域をマスキングし、マスキング
されなかった領域に窒素をイオン注入し、かつ窒素を拡
散させる熱処理工程とを含んでいる。
シリコンウェハの周縁領域には、シリコンウェハ中心部
から{111}面の法線ベクトルのウェハ面上への正射
影方向に対して±π/16の角度範囲の領域に窒素が拡
散された構成とする。一方、本発明の半導体装置の製造
方法は、シリコンウエハ周縁領域の、シリコンウェハ中
心部から{111}面の法線ベクトルのウェハ面上への
正射影方向に対して±π/16の角度範囲のシリコンウ
ェハの周縁領域を除く領域をマスキングし、マスキング
されなかった領域に窒素をイオン注入し、かつ窒素を拡
散させる熱処理工程とを含んでいる。
【0009】
【実施例】次に本発明を図面を参照して説明する。図1
は本発明の前提となる構成のシリコンウェハの模式的な
平面図であり、例えばCZ法で形成した円柱状のシリコ
ンインゴットをスライスして円板状に形成し、その周縁
部の角を丸く削り、かつその表面を鏡面に研磨したシリ
コンウェハとして形成してある。そして、このシリコン
ウェハ1の周縁に沿った環状の領域に窒素イオンを導入
して窒素イオン拡散領域5を形成してある。ここで、窒
素イオンの拡散領域5は、シリコンウェハ1の周縁から
中心方向に向けて5mmの幅の領域である。また、導入
された窒素イオンの注入量は1E15atoms/cc
である。
は本発明の前提となる構成のシリコンウェハの模式的な
平面図であり、例えばCZ法で形成した円柱状のシリコ
ンインゴットをスライスして円板状に形成し、その周縁
部の角を丸く削り、かつその表面を鏡面に研磨したシリ
コンウェハとして形成してある。そして、このシリコン
ウェハ1の周縁に沿った環状の領域に窒素イオンを導入
して窒素イオン拡散領域5を形成してある。ここで、窒
素イオンの拡散領域5は、シリコンウェハ1の周縁から
中心方向に向けて5mmの幅の領域である。また、導入
された窒素イオンの注入量は1E15atoms/cc
である。
【0010】図2は図1のシリコンウェハの製造方法を
工程順に示しており、特に図1のA−A線に相当する部
分の拡大断面図である。先ず、図2(a)のように、シ
リコンウェハ1の表面にフォトレジスト2を塗付する。
その後、図2(b)のように、前記フォトレジスト2を
露光、現像し、シリコンウェハ1の周縁に沿って、周縁
から中心方向に5mmの範囲の環状の領域のフォトレジ
スト2を除去する。次に図2(c)のように、前記フォ
トレジスト2をマスクにしてシリコンウェハの表面に窒
素イオン3をイオン注入法により導入し、窒素イオン導
入領域4を形成する。このときの窒素イオンの注入量は
1E15atoms/cc以上が望ましい。その後、図
2(d)に示すように熱処理を実施し、シリコンウエハ
の周縁部の約5mmの幅の領域に窒素イオン拡散領域5
を形成する。
工程順に示しており、特に図1のA−A線に相当する部
分の拡大断面図である。先ず、図2(a)のように、シ
リコンウェハ1の表面にフォトレジスト2を塗付する。
その後、図2(b)のように、前記フォトレジスト2を
露光、現像し、シリコンウェハ1の周縁に沿って、周縁
から中心方向に5mmの範囲の環状の領域のフォトレジ
スト2を除去する。次に図2(c)のように、前記フォ
トレジスト2をマスクにしてシリコンウェハの表面に窒
素イオン3をイオン注入法により導入し、窒素イオン導
入領域4を形成する。このときの窒素イオンの注入量は
1E15atoms/cc以上が望ましい。その後、図
2(d)に示すように熱処理を実施し、シリコンウエハ
の周縁部の約5mmの幅の領域に窒素イオン拡散領域5
を形成する。
【0011】このように構成されたシリコンウェハに対
し本発明者が検討を加えた結果を図3及び図4に示す。
図3はシリコンウエハのスリップ率と窒素イオン注入量
の関係を示す。スリップ率とはウエハを幾つかのセルに
分割したときに、全セル数に対するスリップ転移がかか
っているセル数の比で定義している。これから窒素イオ
ンの注入量が1E15atoms/cc以上になるとス
リップ率を低減できることが判る。これは1E15at
oms/cc以下では窒素の逸散により、実効的な窒素
濃度が低下し、スリップ転位の固着効果が低下するため
と考えられる。したがって、これよりも窒素イオンの注
入量を大きくすればよいが、窒素の固溶限度は6E19
atoms/ccであり、これ以上の注入は効果が無
い。また、図4はスリップ率と窒素イオンの注入領域と
の関係を示す図であり、少なくともシリコンウェハの周
縁から5mmまで窒素イオンの注入領域を確保すること
により、スリップ転移に対する機械的強度を高めること
ができることが判る。
し本発明者が検討を加えた結果を図3及び図4に示す。
図3はシリコンウエハのスリップ率と窒素イオン注入量
の関係を示す。スリップ率とはウエハを幾つかのセルに
分割したときに、全セル数に対するスリップ転移がかか
っているセル数の比で定義している。これから窒素イオ
ンの注入量が1E15atoms/cc以上になるとス
リップ率を低減できることが判る。これは1E15at
oms/cc以下では窒素の逸散により、実効的な窒素
濃度が低下し、スリップ転位の固着効果が低下するため
と考えられる。したがって、これよりも窒素イオンの注
入量を大きくすればよいが、窒素の固溶限度は6E19
atoms/ccであり、これ以上の注入は効果が無
い。また、図4はスリップ率と窒素イオンの注入領域と
の関係を示す図であり、少なくともシリコンウェハの周
縁から5mmまで窒素イオンの注入領域を確保すること
により、スリップ転移に対する機械的強度を高めること
ができることが判る。
【0012】なお、窒素イオンの注入に際しては、温度
と時間の関係でシリコンウェハに対して前記した注入量
での注入が制御できる。即ち、高温におけるシリコン結
晶への窒素の拡散係数は極めて大きく、例えば加熱温度
1200℃では約1E−6cm−2/秒になる(応用物
理学会予稿集1987秋−1、P241参照)。そのた
め、1200℃で1時間の熱処理を行うと、窒素は2√
(Dt)=2√(1E−6×3600)=1mm(ただ
し、D:窒素の拡散係数、t:拡散時間)の深さまで拡
散させることができる。一般的な6インチ径のシリコン
ウェハの厚さは約0.6mmであることから、この程度
の熱処理を窒素イオンを注入したシリコンウェハに加え
ることにより、周縁領域に所定の量の窒素イオンを拡散
させた領域を形成することが可能となる。
と時間の関係でシリコンウェハに対して前記した注入量
での注入が制御できる。即ち、高温におけるシリコン結
晶への窒素の拡散係数は極めて大きく、例えば加熱温度
1200℃では約1E−6cm−2/秒になる(応用物
理学会予稿集1987秋−1、P241参照)。そのた
め、1200℃で1時間の熱処理を行うと、窒素は2√
(Dt)=2√(1E−6×3600)=1mm(ただ
し、D:窒素の拡散係数、t:拡散時間)の深さまで拡
散させることができる。一般的な6インチ径のシリコン
ウェハの厚さは約0.6mmであることから、この程度
の熱処理を窒素イオンを注入したシリコンウェハに加え
ることにより、周縁領域に所定の量の窒素イオンを拡散
させた領域を形成することが可能となる。
【0013】図5は本発明の実施例のシリコンウェハの
模式的な平面図である。図5(a)は〔100〕結晶方
位を持つシリコンウェハ11においては、シリコンの滑
り面が(111)であるために、オリエンテーションフ
ラットの方向を〔011〕にした場合、図の斜線領域が
機械的に弱くスリップ転位が入り易い。そのため、ウエ
ハ中心部から{111}面の法線ベクトルのシリコンウ
エハ面上の正射影方向に対して、それぞれ±π/16の
広がり、即ちπ/8の広がりを持つ領域に窒素イオンを
注入して窒素イオン拡散領域12を形成し、これらの領
域の強度を部分的に高めるようにしてもよい。この場合
には、図2に示した製造方法において、マスクとしての
フォトレジストを図5(a)のようなパターンに形成し
て窒素イオンの注入を行えばよい。図6に図5(a)の
シリコンウェハにおける窒素注入領域の中心からの広が
り角度とスリップ率の関係を示す。スリップを低減させ
るには、少なくとも広がり角度でπ/8が必要であるこ
とが判る。
模式的な平面図である。図5(a)は〔100〕結晶方
位を持つシリコンウェハ11においては、シリコンの滑
り面が(111)であるために、オリエンテーションフ
ラットの方向を〔011〕にした場合、図の斜線領域が
機械的に弱くスリップ転位が入り易い。そのため、ウエ
ハ中心部から{111}面の法線ベクトルのシリコンウ
エハ面上の正射影方向に対して、それぞれ±π/16の
広がり、即ちπ/8の広がりを持つ領域に窒素イオンを
注入して窒素イオン拡散領域12を形成し、これらの領
域の強度を部分的に高めるようにしてもよい。この場合
には、図2に示した製造方法において、マスクとしての
フォトレジストを図5(a)のようなパターンに形成し
て窒素イオンの注入を行えばよい。図6に図5(a)の
シリコンウェハにおける窒素注入領域の中心からの広が
り角度とスリップ率の関係を示す。スリップを低減させ
るには、少なくとも広がり角度でπ/8が必要であるこ
とが判る。
【0014】なお、図5(b)には〔111〕結晶方位
を持つ基板の場合を示す。この場合でもウエハ中心部か
ら{111}面の法線ベクトルのシリコンウエハ11面
上の正射影方向に対して、それぞれ±π/16の広が
り、即ちπ/8の広がりを持つ領域に窒素イオンを注入
して窒素イオン拡散領域13を形成し、これらの領域の
強度を部分的に高めている。これら図5に示すシリコン
ウェハでは、周縁の選択された領域にのみ窒素イオンを
注入するのみであるため、シリコンウェハに対する窒素
イオンの注入領域を最小限に留めることになり、シリコ
ンウェハに形成される半導体素子への窒素の影響を抑え
ることが可能になる。
を持つ基板の場合を示す。この場合でもウエハ中心部か
ら{111}面の法線ベクトルのシリコンウエハ11面
上の正射影方向に対して、それぞれ±π/16の広が
り、即ちπ/8の広がりを持つ領域に窒素イオンを注入
して窒素イオン拡散領域13を形成し、これらの領域の
強度を部分的に高めている。これら図5に示すシリコン
ウェハでは、周縁の選択された領域にのみ窒素イオンを
注入するのみであるため、シリコンウェハに対する窒素
イオンの注入領域を最小限に留めることになり、シリコ
ンウェハに形成される半導体素子への窒素の影響を抑え
ることが可能になる。
【0015】ここで、本発明は半導体素子を形成する前
の未処理のシリコンウエハの状態で窒素のイオン注入を
行うことを前提としているが、半導体素子プロセスとの
共用も可能である。例えば、最も高温の熱処理を行い、
熱応力がかかると考えられるウエルドライブインの工程
の前に窒素イオンを注入し、ドライブイン熱処理で窒素
拡散領域を形成することも可能である。また、大きな熱
応力がかかると考えられる熱処理の前に随時窒素イオン
を注入することにより、逸散した窒素分を補い、シリコ
ンウェハの機械的強度を継続的に高めることも可能であ
る。
の未処理のシリコンウエハの状態で窒素のイオン注入を
行うことを前提としているが、半導体素子プロセスとの
共用も可能である。例えば、最も高温の熱処理を行い、
熱応力がかかると考えられるウエルドライブインの工程
の前に窒素イオンを注入し、ドライブイン熱処理で窒素
拡散領域を形成することも可能である。また、大きな熱
応力がかかると考えられる熱処理の前に随時窒素イオン
を注入することにより、逸散した窒素分を補い、シリコ
ンウェハの機械的強度を継続的に高めることも可能であ
る。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、シリコン
ウェハの中心部から{111}面の法線ベクトルのウェ
ハ面上への正射影方向に対して±π/16の角度範囲の
シリコンウェハ周縁領域に窒素が拡散されているので、
形成される半導体装置におけるスリップ率を低く抑える
ことができ、半導体装置の機械的な強度を高めることが
可能となる。
ウェハの中心部から{111}面の法線ベクトルのウェ
ハ面上への正射影方向に対して±π/16の角度範囲の
シリコンウェハ周縁領域に窒素が拡散されているので、
形成される半導体装置におけるスリップ率を低く抑える
ことができ、半導体装置の機械的な強度を高めることが
可能となる。
【0017】また、本発明は、シリコンウェハの中央部
や、周辺部の所定領域を除く領域をマスキングした上
で、窒素イオンをイオン注入し、更にその窒素イオンを
拡散させる熱処理を行うことにより、機械的強度を向上
させるに十分な窒素をシリコンウェハに導入でき、その
導入する領域の制御も容易である利点がある。また、大
きな熱応力がかかる熱処理工程に限定して、窒素の導入
ができる利点もある。
や、周辺部の所定領域を除く領域をマスキングした上
で、窒素イオンをイオン注入し、更にその窒素イオンを
拡散させる熱処理を行うことにより、機械的強度を向上
させるに十分な窒素をシリコンウェハに導入でき、その
導入する領域の制御も容易である利点がある。また、大
きな熱応力がかかる熱処理工程に限定して、窒素の導入
ができる利点もある。
【図1】本発明の前提となる構成のシリコンウェハの模
式的な平面図である。
式的な平面図である。
【図2】図1のシリコンウェハの製造方法を工程順に示
す図であり、図1のA−A線に相当する箇所の拡大断面
図である。
す図であり、図1のA−A線に相当する箇所の拡大断面
図である。
【図3】図1のシリコンウェハのスリップ率と窒素イオ
ンの注入量との関係を示す図である。
ンの注入量との関係を示す図である。
【図4】図1のシリコンウェハのスリップ率と窒素イオ
ンの注入領域との関係を示す図である。
ンの注入領域との関係を示す図である。
【図5】本発明の実施例のシリコンウェハの2つの異な
る例の模式的な平面図である。
る例の模式的な平面図である。
【図6】実施例のシリコンウェハのスリップ率と窒素イ
オン注入角度領域との関係を示す図である。
オン注入角度領域との関係を示す図である。
【図7】従来のシリコンウェハとその製造方法を示す概
念図である。
念図である。
1 シリコンウェハ 2 フォトレジスト 3 窒素イオン 4 窒素イオン注入領域 5 窒素イオン拡散領域
Claims (2)
- 【請求項1】 シリコンウェハから形成される半導体装
置であって、前記シリコンウェハの周縁領域には、シリ
コンウェハ中心部から{111}面の法線ベクトルのウ
ェハ面上への正射影方向に対して±π/16の角度範囲
のシリコンウェハの周縁領域に窒素が拡散されているこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 シリコンウエハを用いる半導体装置の製
造方法において、シリコンウエハ周縁領域の、シリコン
ウェハ中心部から{111}面の法線ベクトルのウェハ
面上への正射影方向に対して±π/16の角度範囲のシ
リコンウェハ周縁領域を除く領域をマスキングする工程
と、ウエハのマスキングされなかった領域に窒素をイオ
ン注入する工程と、その窒素を拡散させる熱処理工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5252330A JP2626502B2 (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5252330A JP2626502B2 (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0786291A JPH0786291A (ja) | 1995-03-31 |
JP2626502B2 true JP2626502B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=17235770
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5252330A Expired - Lifetime JP2626502B2 (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2626502B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6196589B2 (ja) * | 2014-07-25 | 2017-09-13 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
US10026816B2 (en) * | 2015-03-30 | 2018-07-17 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor wafer and manufacturing method |
JP2017183736A (ja) * | 2017-05-11 | 2017-10-05 | 株式会社Sumco | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0562867A (ja) * | 1991-09-03 | 1993-03-12 | Mitsubishi Electric Corp | シリコンウエハおよび半導体装置の製法 |
-
1993
- 1993-09-14 JP JP5252330A patent/JP2626502B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0786291A (ja) | 1995-03-31 |
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