JP2586011B2 - 電圧発生回路 - Google Patents
電圧発生回路Info
- Publication number
- JP2586011B2 JP2586011B2 JP61202507A JP20250786A JP2586011B2 JP 2586011 B2 JP2586011 B2 JP 2586011B2 JP 61202507 A JP61202507 A JP 61202507A JP 20250786 A JP20250786 A JP 20250786A JP 2586011 B2 JP2586011 B2 JP 2586011B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- differential input
- reference voltage
- temperature coefficient
- input transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電圧発生回路に関し、特にLCD駆動用電圧
等、任意の温度係数を必要とする電圧発生回路に関する
ものである。
等、任意の温度係数を必要とする電圧発生回路に関する
ものである。
電圧発生回路に於いて、従来は第３図に示すように、
内部基準電圧（Vriと表わす）を、増巾器を用いて、ｎ
倍し、外部基準電圧（Vroと表わす）を発生する回路が
知られている。
内部基準電圧（Vriと表わす）を、増巾器を用いて、ｎ
倍し、外部基準電圧（Vroと表わす）を発生する回路が
知られている。
しかしながら、従来技術では、外部基準電圧の温度係
数は、内部基準電圧の温度係数と同一であり、内部基準
電圧は、一般にバンドギヤツプ方式等、物理定数を用
い、安定な出力電圧を得る方式が主流であり、物理定数
のため、その温度計数も製造プロセスにより一義的に定
まる。任意の温度係数を得るためには、第４図に示すよ
うに、負の温度係数をもつバンドギヤツプ電圧VBEと、
正の温度係数をもつ拡散抵抗RDによる電圧降下VRDとを
組合せて内部基準電圧Vriを発生していた。ところで、
低消費電流から、半導体チツプ上の専有面積を小さくし
ようとすると、拡散抵抗は、低濃度不純物拡散により作
る必要があり、その抵抗値の製造バラツキは大きくなら
ざるを得ない。そのため、内部基準電圧値及び、その温
度係数もバラツキが大きくなつてしまうという問題点を
有する。
数は、内部基準電圧の温度係数と同一であり、内部基準
電圧は、一般にバンドギヤツプ方式等、物理定数を用
い、安定な出力電圧を得る方式が主流であり、物理定数
のため、その温度計数も製造プロセスにより一義的に定
まる。任意の温度係数を得るためには、第４図に示すよ
うに、負の温度係数をもつバンドギヤツプ電圧VBEと、
正の温度係数をもつ拡散抵抗RDによる電圧降下VRDとを
組合せて内部基準電圧Vriを発生していた。ところで、
低消費電流から、半導体チツプ上の専有面積を小さくし
ようとすると、拡散抵抗は、低濃度不純物拡散により作
る必要があり、その抵抗値の製造バラツキは大きくなら
ざるを得ない。そのため、内部基準電圧値及び、その温
度係数もバラツキが大きくなつてしまうという問題点を
有する。
本発明はこのような問題点を解決するもので、その目
的とするところは、バラツキの少ない、任意の温度係数
を有し、低消費電流かつ広い動作電流電圧範囲を有し、
半導体チツプ上の専有面積の小さい、基準電圧発生回路
を提供することである。
的とするところは、バラツキの少ない、任意の温度係数
を有し、低消費電流かつ広い動作電流電圧範囲を有し、
半導体チツプ上の専有面積の小さい、基準電圧発生回路
を提供することである。
本発明の電圧発生回路は、基準電圧を発生する基準電
圧発生回路と、第１の差動入力トランジスタ、第２の差
動入力トランジスタを有し、前記第１及び第２の差動入
力トランジスタのゲート端子に入力された電圧に基づい
て出力電圧を発生する演算増幅回路とを備え、前記第１
の差動トランジスタのゲート端子には前記基準電圧が入
力され、前記第２の差動入力トランジスタのゲート端子
には前記出力電圧が帰還入力される電圧発生回路におい
て、前記基準電圧発生回路は温度係数を有し、前記第１
の差動入力トランジスタのしきい値電圧と前記第２の差
動入力トランジスタのしきい値電圧とは、所望の前記出
力電圧の温度係数に応じて異なっていることを特徴とす
る。
圧発生回路と、第１の差動入力トランジスタ、第２の差
動入力トランジスタを有し、前記第１及び第２の差動入
力トランジスタのゲート端子に入力された電圧に基づい
て出力電圧を発生する演算増幅回路とを備え、前記第１
の差動トランジスタのゲート端子には前記基準電圧が入
力され、前記第２の差動入力トランジスタのゲート端子
には前記出力電圧が帰還入力される電圧発生回路におい
て、前記基準電圧発生回路は温度係数を有し、前記第１
の差動入力トランジスタのしきい値電圧と前記第２の差
動入力トランジスタのしきい値電圧とは、所望の前記出
力電圧の温度係数に応じて異なっていることを特徴とす
る。
本発明は、以上の構成を有することにより、実施例に
詳細を示すとおり、従来比例関係にあつた内部基準電圧
値と外部基準電圧値の間に、加減算の項を挿入出来、任
意の温度特性を有する基準電圧を発生出来る。
詳細を示すとおり、従来比例関係にあつた内部基準電圧
値と外部基準電圧値の間に、加減算の項を挿入出来、任
意の温度特性を有する基準電圧を発生出来る。
以下本発明の電圧発生回路の一実施例を第２図に示
す。M1は、デプレシヨンＰ型MOSFETで電流源動作を行な
う。この電流値をカレント・ミラー回路により分配する
ことにより、広い電流電圧範囲にわたり、回路が定電流
動作をし、安定かつ定消費電流を実現している。内部基
準電圧Vriは、トランジスタQ1,Q2のVBEにより発生し、
定電流動作のため、広い電源電圧範囲にわたり、高レベ
ル電源電圧VDDとVriとの電位差は一定に保たれる。この
内部基準電圧発生器１の出力Vriを演算増巾器２の差動
入力トランジスタM2に入力し、もう片側の差動入力トラ
ンジスタM3に帰還電圧VFBを入力する。差動出力を、出
力バツフアトランジスタM4に与え、M4の出力（Vro）
を、帰還抵抗R1,R2により分割し、帰還電圧VFBとし、差
動入力部に帰している。ここで差動入力部にオフセツト
電圧を設定すると、以下に示すように任意の温度係数を
もつた基準電圧Vroを発生することが出来る。
す。M1は、デプレシヨンＰ型MOSFETで電流源動作を行な
う。この電流値をカレント・ミラー回路により分配する
ことにより、広い電流電圧範囲にわたり、回路が定電流
動作をし、安定かつ定消費電流を実現している。内部基
準電圧Vriは、トランジスタQ1,Q2のVBEにより発生し、
定電流動作のため、広い電源電圧範囲にわたり、高レベ
ル電源電圧VDDとVriとの電位差は一定に保たれる。この
内部基準電圧発生器１の出力Vriを演算増巾器２の差動
入力トランジスタM2に入力し、もう片側の差動入力トラ
ンジスタM3に帰還電圧VFBを入力する。差動出力を、出
力バツフアトランジスタM4に与え、M4の出力（Vro）
を、帰還抵抗R1,R2により分割し、帰還電圧VFBとし、差
動入力部に帰している。ここで差動入力部にオフセツト
電圧を設定すると、以下に示すように任意の温度係数を
もつた基準電圧Vroを発生することが出来る。
Vri（Ｔ）＋VOF＝VFB（Ｔ）＝ｎ・Vro（Ｔ）……（１） ここでVOF≒オフセツト電圧 Vri（０）：基準温度におけるVri Vro（０）：基準温度におけるVro （１）式を温度Ｔで偏微分すると となる。
すなわち、Vroの温度係数 は、Vriの温度係数 に、１対１に比例せず、オフセツト電圧VOFにより任意
に設定可能となる。本実施例では、演算増巾器の差動入
力部にMOSFETを用いているため、オフセツト電圧はチヤ
ネル・ドープ工程等により片側のMOSFETのスレツシヨル
ド電圧Vthを変えることにより、差動入力部MOFFETのVth
差として、容易にかつ、任意の値に設定することが出来
る。
に設定可能となる。本実施例では、演算増巾器の差動入
力部にMOSFETを用いているため、オフセツト電圧はチヤ
ネル・ドープ工程等により片側のMOSFETのスレツシヨル
ド電圧Vthを変えることにより、差動入力部MOFFETのVth
差として、容易にかつ、任意の値に設定することが出来
る。
以上のように、本発明の電圧発生回路は、所望の温度
係数を有する電圧を発生できるという顕著な効果を有す
る。
係数を有する電圧を発生できるという顕著な効果を有す
る。
第１図は本発明の構成を明示する図、第２図は本発明の
一実施例の回路図、第３図は従来の構成図、第４図は従
来の内部基準電圧発生回路の図。 １……内部基準電圧発生器 ２……演算増巾器（入力オフセツト電圧付） ３……演算増巾器
一実施例の回路図、第３図は従来の構成図、第４図は従
来の内部基準電圧発生回路の図。 １……内部基準電圧発生器 ２……演算増巾器（入力オフセツト電圧付） ３……演算増巾器
Claims (1)
- 【請求項１】基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、 第１の差動入力トランジスタ、第２の差動入力トランジ
スタを有し、前記第１及び第２の差動入力トランジスタ
のゲート端子に入力された電圧に基づいて出力電圧を発
生する演算増幅回路とを備え、 前記第１の差動入力トランジスタのゲート端子には前記
基準電圧が入力され、前記第２の差動入力トランジスタ
のゲート端子には前記出力電圧が帰還入力される電圧発
生回路において、 前記基準電圧発生回路は温度係数を有し、 前記第１の差動入力トランジスタのしきい値電圧と前記
第２の差動入力トランジスタのしきい値電圧とは、所望
の前記出力電圧の温度係数に応じて異なっていることを
特徴とする電圧発生回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61202507A JP2586011B2 (ja) | 1986-08-28 | 1986-08-28 | 電圧発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61202507A JP2586011B2 (ja) | 1986-08-28 | 1986-08-28 | 電圧発生回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6356713A JPS6356713A (ja) | 1988-03-11 |
| JP2586011B2 true JP2586011B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=16458627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61202507A Expired - Lifetime JP2586011B2 (ja) | 1986-08-28 | 1986-08-28 | 電圧発生回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2586011B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4830325B2 (ja) * | 2005-03-23 | 2011-12-07 | ミツミ電機株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5822425A (ja) * | 1981-08-04 | 1983-02-09 | Toshiba Corp | 基準電圧発生回路 |
| JPH0618012B2 (ja) * | 1983-01-25 | 1994-03-09 | セイコーエプソン株式会社 | 定電圧回路 |
| JPS61138318A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Nec Corp | 基準電圧発生回路 |
-
1986
- 1986-08-28 JP JP61202507A patent/JP2586011B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6356713A (ja) | 1988-03-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7268529B2 (en) | Reference voltage generating circuit, a semiconductor integrated circuit and a semiconductor integrated circuit apparatus | |
| US4716307A (en) | Regulated power supply for semiconductor chips with compensation for changes in electrical characteristics or chips and in external power supply | |
| JP2615009B2 (ja) | 電界効果トランジスタ電流源 | |
| KR940005987B1 (ko) | 밴드갭 기준회로 | |
| US7511566B2 (en) | Semiconductor circuit with positive temperature dependence resistor | |
| JPH04312107A (ja) | 定電圧回路 | |
| JP2891297B2 (ja) | 電圧電流変換回路 | |
| JPH05289760A (ja) | 基準電圧発生回路 | |
| JP4458457B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US6628161B2 (en) | Reference voltage circuit | |
| JP2674669B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| KR0126911B1 (ko) | 기준전압 발생회로 및 발생방법 | |
| JP4084872B2 (ja) | ボルテージレギュレータ | |
| JP2809768B2 (ja) | 基準電位発生回路 | |
| US6465997B2 (en) | Regulated voltage generator for integrated circuit | |
| JP2684600B2 (ja) | 温度に対して安定な電流源 | |
| JP2586011B2 (ja) | 電圧発生回路 | |
| US4942312A (en) | Integrated-circuit having two NMOS depletion mode transistors for producing stable DC voltage | |
| US5682120A (en) | Differential amplifier circuit using lateral-type bipolar transistors with back gates | |
| JP3293699B2 (ja) | 増幅装置 | |
| KR0158625B1 (ko) | 자유 컬렉터단자를 구비한 바이폴라 트랜지스터 회로 | |
| JP2802441B2 (ja) | 複合型半導体定電圧発生回路装置 | |
| JP2557846B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH05218290A (ja) | 半導体装置の温度補償型基準電圧発生回路 | |
| JPH0578847B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |