JP2585916B2 - スナップライン形成装置 - Google Patents
スナップライン形成装置Info
- Publication number
- JP2585916B2 JP2585916B2 JP4065275A JP6527592A JP2585916B2 JP 2585916 B2 JP2585916 B2 JP 2585916B2 JP 4065275 A JP4065275 A JP 4065275A JP 6527592 A JP6527592 A JP 6527592A JP 2585916 B2 JP2585916 B2 JP 2585916B2
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- Japan
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- substrate
- driving device
- snap line
- direction driving
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】 本発明は、複数個の基板パター
ンを含むセラミック配線基板に、各別の基板にブレーク
用のスナップラインを設けるために用いるスナップライ
ン形成装置に関するものである。
ンを含むセラミック配線基板に、各別の基板にブレーク
用のスナップラインを設けるために用いるスナップライ
ン形成装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】通常、セラミック配線基板は、各基板の
寸法が小さいなどの理由で、複数個の同一配線パターン
を同時に一枚の基板上に印刷・焼成を繰り返して形成し
ている。そのため、同一の複数の基板パターンを各別に
分割（ブレーク）するためのスナップラインを形成し、
そのスナップラインに沿って各別のセラミック配線基板
にブレークして、最終製品としてのセラミック配線基板
を得るのが一般的である。
寸法が小さいなどの理由で、複数個の同一配線パターン
を同時に一枚の基板上に印刷・焼成を繰り返して形成し
ている。そのため、同一の複数の基板パターンを各別に
分割（ブレーク）するためのスナップラインを形成し、
そのスナップラインに沿って各別のセラミック配線基板
にブレークして、最終製品としてのセラミック配線基板
を得るのが一般的である。
【０００３】このスナップラインは、通常の取扱い時に
は一体となって各別に割れること無く取り扱うことがで
き、かつブレーク時には簡単にしかも正確に各別に割れ
る必要がある。そのため、従来、このスナップラインを
得るための加工法としては、焼成前の基板にナイフによ
りスナップラインを形成するナイフカット法、および焼
成後の基板にレーザにより小孔を連続して形成してスナ
ップラインを得るレーザスクライブ法が用いられてい
た。
は一体となって各別に割れること無く取り扱うことがで
き、かつブレーク時には簡単にしかも正確に各別に割れ
る必要がある。そのため、従来、このスナップラインを
得るための加工法としては、焼成前の基板にナイフによ
りスナップラインを形成するナイフカット法、および焼
成後の基板にレーザにより小孔を連続して形成してスナ
ップラインを得るレーザスクライブ法が用いられてい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たナイフカット法では、基板の焼成前でしか加工できな
いため、焼成時の収縮バラツキにより、ブレーク後の寸
法精度に問題があるとともに、ブレークレベルが不安定
となる問題もあった。また、上述したレーザスクライブ
法では、基板の材質に起因するレーザ照射条件の設定が
難しく、条件によっては溶融し小孔となった部分で必ず
しもブレークできないため、高い寸法精度を達成でき
ず、バリが発生し、基板材質によってはブレークできな
くなる問題があった。さらに、レーザスクライブ加工に
より溶融・飛散した不純物がスナップライン近傍のパタ
ーンに付着し、特性劣化の要因となる問題もあった。
たナイフカット法では、基板の焼成前でしか加工できな
いため、焼成時の収縮バラツキにより、ブレーク後の寸
法精度に問題があるとともに、ブレークレベルが不安定
となる問題もあった。また、上述したレーザスクライブ
法では、基板の材質に起因するレーザ照射条件の設定が
難しく、条件によっては溶融し小孔となった部分で必ず
しもブレークできないため、高い寸法精度を達成でき
ず、バリが発生し、基板材質によってはブレークできな
くなる問題があった。さらに、レーザスクライブ加工に
より溶融・飛散した不純物がスナップライン近傍のパタ
ーンに付着し、特性劣化の要因となる問題もあった。
【０００５】本発明の目的は上述した課題を解消して、
簡単でしかも正確にセラミック配線基板にスナップライ
ンを形成できるスナップライン形成装置を提供しようと
するものである。
簡単でしかも正確にセラミック配線基板にスナップライ
ンを形成できるスナップライン形成装置を提供しようと
するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のスナップライン
形成装置は、(a) 基台と、(b) 前記基台上に設けられ、
第１のｙ方向駆動装置および第１のθ方向駆動装置によ
り、ｙ方向およびθ方向に移動可能な、試料を載置する
ためのテーブルと、(c) 前記基台上に設けられ、第１お
よび第２のｘ方向駆動装置により、それぞれｘ方向に移
動可能な、前記テーブル上の試料を撮像して位置決めす
るための、各別の照明手段を有する第１および第２の撮
像装置と、(d) 前記基台上に設けられ、第３のｘ方向駆
動装置および第１のｚ方向駆動装置により、ｘ方向およ
びｚ方向へ移動可能な、試料を切断する焼結ダイヤモン
ド製ローリングカッターを備えるカッターヘッドと、
(e)前記第１のｙ方向駆動装置、第１〜３のｘ方向駆動
装置、第１のｚ方向駆動装置および第１のθ方向駆動装
置を制御する各別の位置制御部と、前記第１および第２
の撮像装置の出力から前記テーブルのｙ方向およびθ方
向の移動距離を計算して制御する各別のＣＲＴを有する
画像処理部と、予め記憶されているスクライブデータの
読み出しおよび書替えを行うスクライブデータ記憶部
と、データの入力を行うキーボードと、データを表示す
るＣＲＴとを備える中央制御部と、から構成されること
を特徴とするものである。
形成装置は、(a) 基台と、(b) 前記基台上に設けられ、
第１のｙ方向駆動装置および第１のθ方向駆動装置によ
り、ｙ方向およびθ方向に移動可能な、試料を載置する
ためのテーブルと、(c) 前記基台上に設けられ、第１お
よび第２のｘ方向駆動装置により、それぞれｘ方向に移
動可能な、前記テーブル上の試料を撮像して位置決めす
るための、各別の照明手段を有する第１および第２の撮
像装置と、(d) 前記基台上に設けられ、第３のｘ方向駆
動装置および第１のｚ方向駆動装置により、ｘ方向およ
びｚ方向へ移動可能な、試料を切断する焼結ダイヤモン
ド製ローリングカッターを備えるカッターヘッドと、
(e)前記第１のｙ方向駆動装置、第１〜３のｘ方向駆動
装置、第１のｚ方向駆動装置および第１のθ方向駆動装
置を制御する各別の位置制御部と、前記第１および第２
の撮像装置の出力から前記テーブルのｙ方向およびθ方
向の移動距離を計算して制御する各別のＣＲＴを有する
画像処理部と、予め記憶されているスクライブデータの
読み出しおよび書替えを行うスクライブデータ記憶部
と、データの入力を行うキーボードと、データを表示す
るＣＲＴとを備える中央制御部と、から構成されること
を特徴とするものである。
【０００７】
【作用】上述した構成において、焼成後の基板に焼結ダ
イヤモンド製ローリングカッターを使用して線加工によ
りスナップラインを形成しているため、焼成後の硬い基
板でもスナップラインの加工をすることができ、従来の
ナイフカット法におけるような基板焼成時の収縮バラツ
キの影響をなくすことができるとともに、従来のレーザ
スクライブ法におけるような不純物の飛散およびブレー
クした端面でのバリ発生等をなくすことができる。ま
た、画像処理を利用した位置決め装置を使用して、基板
に対する焼結ダイヤモンド製ローリングカッターの位置
の制御を行っているため、基板に対するローリングカッ
ターの位置決めがより正確にできる。
イヤモンド製ローリングカッターを使用して線加工によ
りスナップラインを形成しているため、焼成後の硬い基
板でもスナップラインの加工をすることができ、従来の
ナイフカット法におけるような基板焼成時の収縮バラツ
キの影響をなくすことができるとともに、従来のレーザ
スクライブ法におけるような不純物の飛散およびブレー
クした端面でのバリ発生等をなくすことができる。ま
た、画像処理を利用した位置決め装置を使用して、基板
に対する焼結ダイヤモンド製ローリングカッターの位置
の制御を行っているため、基板に対するローリングカッ
ターの位置決めがより正確にできる。
【０００８】
【実施例】図１は本発明の対象となるセラミック配線基
板におけるスナップラインの一例を説明するための図で
ある。図１に示す例では、同一の配線パターンを有する
セラミック配線基板１を６個同時に同一基板上に形成し
た例を示している。図１において、６個のセラミック配
線基板１を各別にブレークするためのスナップライン２
は、各セラミック配線基板１を同一の大きさにブレーク
できるように連続した線として基板の表面に数十μmの
範囲に形成している。また、スナップライン２の外周部
には、セラミック配線基板１を図示しないローリングカ
ッター装置に装着するのに使用する少なくとも２個以上
の位置決め用のスルーホール３を形成している。これら
のスルーホール３は画像処理を利用してスナップライン
２を形成させる場合に、スナップライン２の位置決めの
基準として使用できる。また、これらのスルーホール３
以外にも印刷等により形成された認識マーク等を位置決
めの基準とすることも可能である。
板におけるスナップラインの一例を説明するための図で
ある。図１に示す例では、同一の配線パターンを有する
セラミック配線基板１を６個同時に同一基板上に形成し
た例を示している。図１において、６個のセラミック配
線基板１を各別にブレークするためのスナップライン２
は、各セラミック配線基板１を同一の大きさにブレーク
できるように連続した線として基板の表面に数十μmの
範囲に形成している。また、スナップライン２の外周部
には、セラミック配線基板１を図示しないローリングカ
ッター装置に装着するのに使用する少なくとも２個以上
の位置決め用のスルーホール３を形成している。これら
のスルーホール３は画像処理を利用してスナップライン
２を形成させる場合に、スナップライン２の位置決めの
基準として使用できる。また、これらのスルーホール３
以外にも印刷等により形成された認識マーク等を位置決
めの基準とすることも可能である。
【０００９】図２は本発明のスナップライン形成装置の
概念を説明するための図である。図２に示す例におい
て、図示しない基台上に、ｙ方向駆動装置１１およびθ
方向駆動装置１２により、図中ｙ方向およびθ方向に移
動可能な、試料１３を載置するためのテーブル１４を設
けている。また、基台上に２つのｘ方向駆動装置１５，
１６により、それぞれｘ方向に移動可能に、２つの撮像
装置１７，１８を設け、テーブル１４上の試料１３を撮
像するよう構成している。各撮像装置１７，１８は、そ
れぞれ各別の照明手段１９，２０を備えている。さら
に、基台上、ｘ方向駆動装置２１およびｚ方向駆動装置
２２により、ｘ方向およびｚ方向に移動可能に、焼結ダ
イヤモンド製ローリングカッター２４を備えるカッター
ヘッド２３を設けている。
概念を説明するための図である。図２に示す例におい
て、図示しない基台上に、ｙ方向駆動装置１１およびθ
方向駆動装置１２により、図中ｙ方向およびθ方向に移
動可能な、試料１３を載置するためのテーブル１４を設
けている。また、基台上に２つのｘ方向駆動装置１５，
１６により、それぞれｘ方向に移動可能に、２つの撮像
装置１７，１８を設け、テーブル１４上の試料１３を撮
像するよう構成している。各撮像装置１７，１８は、そ
れぞれ各別の照明手段１９，２０を備えている。さら
に、基台上、ｘ方向駆動装置２１およびｚ方向駆動装置
２２により、ｘ方向およびｚ方向に移動可能に、焼結ダ
イヤモンド製ローリングカッター２４を備えるカッター
ヘッド２３を設けている。
【００１０】また、本発明では、５つの位置制御部３０
〜３５と、画像処理部３６と、スクライブデータ記憶部
３７と、キーボード３８と、ＣＲＴ３９とを備える中央
制御部４０を設けている。位置制御部３０〜３５は、各
別に、上述したｙ方向駆動装置１１、ｘ方向駆動装置１
５，１６，２１、ｚ方向駆動装置２２およびθ方向駆動
装置１２の位置を相対的に制御している。画像処理部３
６は、撮像装置１７，１８からの出力を映出する２つの
ＣＲＴ４１，４２を有し、これらの出力に基づいてテー
ブル１４のｙ方向およびθ方向の移動距離を計算して制
御している。スクライブデータ記憶部３７は、予め記憶
されているスクライブデータの読み出しおよび書替えを
制御している。また、キーボード３８はデータの入力
を、ＣＲＴ３９はデータの出力をそれぞれ行っている。
〜３５と、画像処理部３６と、スクライブデータ記憶部
３７と、キーボード３８と、ＣＲＴ３９とを備える中央
制御部４０を設けている。位置制御部３０〜３５は、各
別に、上述したｙ方向駆動装置１１、ｘ方向駆動装置１
５，１６，２１、ｚ方向駆動装置２２およびθ方向駆動
装置１２の位置を相対的に制御している。画像処理部３
６は、撮像装置１７，１８からの出力を映出する２つの
ＣＲＴ４１，４２を有し、これらの出力に基づいてテー
ブル１４のｙ方向およびθ方向の移動距離を計算して制
御している。スクライブデータ記憶部３７は、予め記憶
されているスクライブデータの読み出しおよび書替えを
制御している。また、キーボード３８はデータの入力
を、ＣＲＴ３９はデータの出力をそれぞれ行っている。
【００１１】図３〜図５は本発明のスナップライン形成
装置の一例の具体的な構成を示す平面図、正面図および
側面図である。図３〜図５において、図２で説明した部
材と同一の部材には同一の符号を付し、その説明を省略
する。上述した構成の装置では、基台４３上において、
テーブル１４上に載置された試料としてのセラミック配
線基板１のスルーホール３の位置を基準として、画像処
理部３６においてテーブル１４のｙ方向およびθ方向の
移動距離を計算し、ｙ方向駆動装置１１およびθ方向駆
動装置１２によりその位置までセラミック配線基板１を
移動させる。この状態で、ｘ方向駆動装置２１およびｚ
方向駆動装置２２により、カッターヘッド内のローリン
グカッター２４を所定量だけセラミック配線基板１に押
し込んでｘ方向に移動させて、スナップライン２をセラ
ミック配線基板１に形成している。図６(a),(b) はセラ
ミック配線基板１に対する焼結ダイヤモンド製ローリン
グカッター２４の当接する状態を示す正面図および側面
図である。図６(a),(b) に示すように、焼結ダイヤモン
ド製ローリングカッター２４はカッターヘッド２３に回
転可能に取り付けられている。
装置の一例の具体的な構成を示す平面図、正面図および
側面図である。図３〜図５において、図２で説明した部
材と同一の部材には同一の符号を付し、その説明を省略
する。上述した構成の装置では、基台４３上において、
テーブル１４上に載置された試料としてのセラミック配
線基板１のスルーホール３の位置を基準として、画像処
理部３６においてテーブル１４のｙ方向およびθ方向の
移動距離を計算し、ｙ方向駆動装置１１およびθ方向駆
動装置１２によりその位置までセラミック配線基板１を
移動させる。この状態で、ｘ方向駆動装置２１およびｚ
方向駆動装置２２により、カッターヘッド内のローリン
グカッター２４を所定量だけセラミック配線基板１に押
し込んでｘ方向に移動させて、スナップライン２をセラ
ミック配線基板１に形成している。図６(a),(b) はセラ
ミック配線基板１に対する焼結ダイヤモンド製ローリン
グカッター２４の当接する状態を示す正面図および側面
図である。図６(a),(b) に示すように、焼結ダイヤモン
ド製ローリングカッター２４はカッターヘッド２３に回
転可能に取り付けられている。
【００１２】本発明におけるスナップライン形成のため
のスクライブ加工の条件は、カット速度、押し込み量、
カット圧力及びローリングカッターの刃先角度により定
義される。これらの加工条件のうち、刃先角度は加工す
る基板の板厚により最適値が異なるが、通常板厚０．５
〜１．０ｍｍ程度の基板に対しては、刃先角度１３０度
が最適である。板厚の薄い基板（０．１〜０．５ｍｍ程
度）に対しては、刃先角度が小さい（１００〜１２０度
程度）ローリングカッターを使用し、逆に板厚の厚い基
板（１．５〜２．０ｍｍ程度）に対しては、刃先角度が
大きい（１４０〜１５０度程度）ローリングカッターを
使用すると良い。もし、板厚に対して刃先角度の適して
いないローリングカッターを使用すると、加工後のブレ
ーク性が悪くなる、または、スクライブラインにそって
基板表面にチッピング、クラックが発生する等の不具合
が生じやすくなる。カット速度および押し込み量は加工
後のブレーク性に影響は無く、カット速度は２００〜３
００ｍｍ／秒の速度、および押し込み量は０．０６〜
０．１２ｍｍの条件で加工する。また、押し込み量はブ
レーク性には影響はないものの、押し込み量を大きくす
るとブレーク強度のバラツキが大きくなっていく。カッ
ト圧力は最もブレーク性、ブレーク強度に大きく影響を
及ぼし、エアー圧力１．２〜２．０ｋｇ／ｃｍ2 の条件
で圧力を与える必要がある。上述した各条件を適切に設
定することにより、安定したブレーク性を得ることがで
きる。
のスクライブ加工の条件は、カット速度、押し込み量、
カット圧力及びローリングカッターの刃先角度により定
義される。これらの加工条件のうち、刃先角度は加工す
る基板の板厚により最適値が異なるが、通常板厚０．５
〜１．０ｍｍ程度の基板に対しては、刃先角度１３０度
が最適である。板厚の薄い基板（０．１〜０．５ｍｍ程
度）に対しては、刃先角度が小さい（１００〜１２０度
程度）ローリングカッターを使用し、逆に板厚の厚い基
板（１．５〜２．０ｍｍ程度）に対しては、刃先角度が
大きい（１４０〜１５０度程度）ローリングカッターを
使用すると良い。もし、板厚に対して刃先角度の適して
いないローリングカッターを使用すると、加工後のブレ
ーク性が悪くなる、または、スクライブラインにそって
基板表面にチッピング、クラックが発生する等の不具合
が生じやすくなる。カット速度および押し込み量は加工
後のブレーク性に影響は無く、カット速度は２００〜３
００ｍｍ／秒の速度、および押し込み量は０．０６〜
０．１２ｍｍの条件で加工する。また、押し込み量はブ
レーク性には影響はないものの、押し込み量を大きくす
るとブレーク強度のバラツキが大きくなっていく。カッ
ト圧力は最もブレーク性、ブレーク強度に大きく影響を
及ぼし、エアー圧力１．２〜２．０ｋｇ／ｃｍ2 の条件
で圧力を与える必要がある。上述した各条件を適切に設
定することにより、安定したブレーク性を得ることがで
きる。
【００１３】具体的には、材質がガラスセラミックの配
線基板の板厚が０．６３５ｍｍの場合、カット速度：２
５０ｍｍ／秒、押し込み量：０．０８ｍｍ、カット圧
力：１．５ｋｇ／ｃｍ2 の条件で加工すれば良い。この
条件で実際にスナップラインを形成したところ、低温焼
成基板の場合はブレーク強度が２．５〜４．０ｋｇ／ｍ
ｍ2 であるのに対し、従来のレーザスクライブ法では
１．０ｋｇ／ｍｍ2 以下であり、本発明による方法の有
効性が確認された。また、本発明の方法により得た基板
のブレーク後の寸法精度は、基板表面の配線パターンと
同時に形成される認識マークを使用し、ブレーク後で±
０．０６ｍｍ以下のバラツキ精度が得られた。
線基板の板厚が０．６３５ｍｍの場合、カット速度：２
５０ｍｍ／秒、押し込み量：０．０８ｍｍ、カット圧
力：１．５ｋｇ／ｃｍ2 の条件で加工すれば良い。この
条件で実際にスナップラインを形成したところ、低温焼
成基板の場合はブレーク強度が２．５〜４．０ｋｇ／ｍ
ｍ2 であるのに対し、従来のレーザスクライブ法では
１．０ｋｇ／ｍｍ2 以下であり、本発明による方法の有
効性が確認された。また、本発明の方法により得た基板
のブレーク後の寸法精度は、基板表面の配線パターンと
同時に形成される認識マークを使用し、ブレーク後で±
０．０６ｍｍ以下のバラツキ精度が得られた。
【００１４】本発明は上述した実施例にのみ限定される
ものでなく、幾多の変形、変更が可能である。例えば、
上述した実施例では、焼結ダイヤモンド製ローリングカ
ッターの位置決めに画像処理装置を利用したが、ほかの
位置決め手段により位置決めしても良いことはいうまで
もない。
ものでなく、幾多の変形、変更が可能である。例えば、
上述した実施例では、焼結ダイヤモンド製ローリングカ
ッターの位置決めに画像処理装置を利用したが、ほかの
位置決め手段により位置決めしても良いことはいうまで
もない。
【００１５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、焼成後の基板に焼結ダイヤモンド製ローリン
グカッターを使用して線加工によりスナップラインを形
成しているため、焼成後の硬い基板でもスナップライン
の加工をすることができ、従来のナイフカット法におけ
るような基板焼成時の収縮バラツキの影響をなくすこと
ができるとともに、従来のレーザスクライブ法における
ような不純物の飛散およびブレークした端面でのバリ発
生等をなくすことができる。また、セラミック配線基板
に簡単かつ正確にスナップラインを形成できるととも
に、装置構成が比較的簡単なため、メンテナンスが容易
になる。
によれば、焼成後の基板に焼結ダイヤモンド製ローリン
グカッターを使用して線加工によりスナップラインを形
成しているため、焼成後の硬い基板でもスナップライン
の加工をすることができ、従来のナイフカット法におけ
るような基板焼成時の収縮バラツキの影響をなくすこと
ができるとともに、従来のレーザスクライブ法における
ような不純物の飛散およびブレークした端面でのバリ発
生等をなくすことができる。また、セラミック配線基板
に簡単かつ正確にスナップラインを形成できるととも
に、装置構成が比較的簡単なため、メンテナンスが容易
になる。
【図１】本発明の対象となるセラミック配線基板におけ
るスナップラインの一例を説明するための図である。
るスナップラインの一例を説明するための図である。
【図２】本発明のスナップライン形成装置の概念を説明
するための図である。
するための図である。
【図３】本発明のスナップライン形成装置の一例の具体
的な構成を示す平面図である。
的な構成を示す平面図である。
【図４】本発明のスナップライン形成装置の一例の具体
的な構成を示す正面図である。
的な構成を示す正面図である。
【図５】本発明のスナップライン形成装置の一例の具体
的な構成を示す側面図である。
的な構成を示す側面図である。
【図６】セラミック配線基板に対する焼結ダイヤモンド
製ローリングカッターの当接する状態を示す正面図およ
び側面図である。
製ローリングカッターの当接する状態を示す正面図およ
び側面図である。
【符号の説明】 １ セラミック配線基板 ２ スナッ
プライン ３ 位置決め用スルーホール １３ 試料
１４ テーブル １７，１８ 撮像装置 ２３カッター
ヘッド ４０ 中央制御部 ４３ 基台
プライン ３ 位置決め用スルーホール １３ 試料
１４ テーブル １７，１８ 撮像装置 ２３カッター
ヘッド ４０ 中央制御部 ４３ 基台
Claims (1)
- 【請求項１】(a) 基台と、 (b) 前記基台上に設けられ、第１のｙ方向駆動装置およ
び第１のθ方向駆動装置により、ｙ方向およびθ方向に
移動可能な、試料を載置するためのテーブルと、 (c) 前記基台上に設けられ、第１および第２のｘ方向駆
動装置により、それぞれｘ方向に移動可能な、前記テー
ブル上の試料を撮像して位置決めするための、各別の照
明手段を有する第１および第２の撮像装置と、 (d) 前記基台上に設けられ、第３のｘ方向駆動装置およ
び第１のｚ方向駆動装置により、ｘ方向およびｚ方向へ
移動可能な、試料を切断する焼結ダイヤモンド製ローリ
ングカッターを備えるカッターヘッドと、 (e) 前記第１のｙ方向駆動装置、第１〜３のｘ方向駆動
装置、第１のｚ方向駆動装置および第１のθ方向駆動装
置を制御する各別の位置制御部と、前記第１および第２
の撮像装置の出力から前記テーブルのｙ方向およびθ方
向の移動距離を計算して制御する各別のＣＲＴを有する
画像処理部と、予め記憶されているスクライブデータの
読み出しおよび書替えを行うスクライブデータ記憶部
と、データの入力を行うキーボードと、データを表示す
るＣＲＴとを備える中央制御部と、から構成されること
を特徴とするスナップライン形成装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-91015 | 1991-03-30 | ||
| JP9101591 | 1991-03-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06209149A JPH06209149A (ja) | 1994-07-26 |
| JP2585916B2 true JP2585916B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=14014731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4065275A Expired - Lifetime JP2585916B2 (ja) | 1991-03-30 | 1992-03-23 | スナップライン形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2585916B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001353716A (ja) * | 2000-06-13 | 2001-12-25 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック集合基板へのブレーク溝形成方法 |
| JP4678382B2 (ja) * | 2007-03-15 | 2011-04-27 | Ｔｄｋ株式会社 | 集合基板、その製造方法及び電子部品の製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5463472A (en) * | 1977-10-28 | 1979-05-22 | Nagaoka Kk | Rolling cutter and method of producing same |
| JPS5715486A (en) * | 1980-07-02 | 1982-01-26 | Nippon Electric Co | Method of producing hybrid integrated circuit |
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