JP2578465B2 - パルス信号発生回路 - Google Patents
パルス信号発生回路Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 例えば電源投入時におけるリセットパルス発生回路な
どに利用されるパルス信号発生回路に関し、 比較的簡単な構成で消費電力を少なくし、かつ信頼性
を高めることを目的とし、 所定の電源電圧が付与されたコントロールゲート、お
よびその電位が制御されるフローティングゲートを有す
るトランジスタをそなえ、該電源電圧上昇時、該フロー
ティングゲートの電位変化に応じて該トランジスタのし
きい値電圧を変化させ、所定のパルス信号を出力される
ように構成される。
どに利用されるパルス信号発生回路に関し、 比較的簡単な構成で消費電力を少なくし、かつ信頼性
を高めることを目的とし、 所定の電源電圧が付与されたコントロールゲート、お
よびその電位が制御されるフローティングゲートを有す
るトランジスタをそなえ、該電源電圧上昇時、該フロー
ティングゲートの電位変化に応じて該トランジスタのし
きい値電圧を変化させ、所定のパルス信号を出力される
ように構成される。
本発明はパルス信号発生回路に関し、特に電源投入時
におけるリセットパルス発生回路(パワーオン・リセッ
ト回路)などに利用されるパルス信号発生回路に関す
る。
におけるリセットパルス発生回路(パワーオン・リセッ
ト回路)などに利用されるパルス信号発生回路に関す
る。
例えば半導体メモリなどの半導体集積回路において
は、電源投入時において各部のノードの電圧を初期設定
するために、電源投入時にリセットパルスをチップ内部
で発生させる回路(所謂パワーオン・リセット回路)が
設けられる。
は、電源投入時において各部のノードの電圧を初期設定
するために、電源投入時にリセットパルスをチップ内部
で発生させる回路(所謂パワーオン・リセット回路)が
設けられる。
特にCMOS型の半導体集積回路は、低消費電力である点
が大きな特長とされており、したがってかかる集積回路
に用いられるパワーオン・リセット回路も低消費電力を
達成することが要求される。
が大きな特長とされており、したがってかかる集積回路
に用いられるパワーオン・リセット回路も低消費電力を
達成することが要求される。
一方、従来技術としてのパワーオン・リセット回路と
しては、.高抵抗により電源電圧を分圧し、該分圧し
た電圧を例えばCMOSインバータ回路へ入力させる回路
(電源投入時、電源電圧の上昇に伴って該分圧した電圧
をも上昇させ、所定の値(該インバータのしきい値)ま
で上昇したときに該インバータを反転させて所定のリセ
ットパルスを発生させる回路)では、常時該高抵抗を通
して電流が流れるため消費電力の増大を招くことにな
る。また.上記高抵抗に分圧する代りにコンデンサの
容量分割を利用する回路では、特に光がチップに当った
ときあるいは温度上昇時、該コンデンサにリーク電流が
流れることによって分圧レベルが正確な値とならず、誤
動作する(リセットパルスが正しく出ない)おそれが生
ずる。また.上記高抵抗あるいはコンデンサの代りCR
時定数回路を利用する場合には、電源オン・オフの頻度
が高い場合(短い時間でオン・オフする場合)に正確に
動作しないおそれが生ずる。更に.フィードバック回
路などを利用した回路も考えられているが、その回路構
成が複雑になるなどの問題点が生ずる。
しては、.高抵抗により電源電圧を分圧し、該分圧し
た電圧を例えばCMOSインバータ回路へ入力させる回路
(電源投入時、電源電圧の上昇に伴って該分圧した電圧
をも上昇させ、所定の値(該インバータのしきい値)ま
で上昇したときに該インバータを反転させて所定のリセ
ットパルスを発生させる回路)では、常時該高抵抗を通
して電流が流れるため消費電力の増大を招くことにな
る。また.上記高抵抗に分圧する代りにコンデンサの
容量分割を利用する回路では、特に光がチップに当った
ときあるいは温度上昇時、該コンデンサにリーク電流が
流れることによって分圧レベルが正確な値とならず、誤
動作する(リセットパルスが正しく出ない)おそれが生
ずる。また.上記高抵抗あるいはコンデンサの代りCR
時定数回路を利用する場合には、電源オン・オフの頻度
が高い場合(短い時間でオン・オフする場合)に正確に
動作しないおそれが生ずる。更に.フィードバック回
路などを利用した回路も考えられているが、その回路構
成が複雑になるなどの問題点が生ずる。
本発明はかかる課題を解決するためになされたもの
で、比較的簡単な構成でありながら消費電力がきわめて
少く、信頼性の高い、上記パワーオン・リセット回路な
どに適したパルス信号発生回路をうるようにしたもので
ある。
で、比較的簡単な構成でありながら消費電力がきわめて
少く、信頼性の高い、上記パワーオン・リセット回路な
どに適したパルス信号発生回路をうるようにしたもので
ある。
上記課題を解決するために本発明においては、所定の
電源電圧が付与されたコントロールゲート、およびその
電位が制御されるフローティングゲートを有するトラン
ジスタをそなえ、該電源電圧上昇時、該フローティング
ゲートの電位変化に応じて該トランジスタのしきい値電
圧を変化させ、所定のパルス信号を出力させるようにし
たパルス信号発生回路が提供される。
電源電圧が付与されたコントロールゲート、およびその
電位が制御されるフローティングゲートを有するトラン
ジスタをそなえ、該電源電圧上昇時、該フローティング
ゲートの電位変化に応じて該トランジスタのしきい値電
圧を変化させ、所定のパルス信号を出力させるようにし
たパルス信号発生回路が提供される。
上記構成によれば、EPROMなどで利用されているフロ
ーティングゲート付トランジスタを用い、該フローティ
ングゲートの電位を制御して該トランジスタに、そのし
きい値として2つの異なる値を持たせ、それによって所
定のパルス信号を出力させることができる。
ーティングゲート付トランジスタを用い、該フローティ
ングゲートの電位を制御して該トランジスタに、そのし
きい値として2つの異なる値を持たせ、それによって所
定のパルス信号を出力させることができる。
第1図は、本発明の1実施例としてのパルス信号発生
回路を示すもので、T1はフローティングゲートFGおよび
コントロールゲートCGを有するトランジスタであって、
該トランジスタT1のドレインは負荷抵抗Rを介して電源
Vccに接続され、ソースは電源Vssに接続され、また該コ
ントロールゲートCGには該電源Vccが直接接続され、該
フローティングゲートFGはエンハンスメント形トランジ
スタT2のドレインに接続される。更に該フローティング
ゲートFGにそのドレインが接続された該エンハンスメン
ト形トランジスタT2のゲートにも該電源Vccが直接接続
され、そのソースには電源Vssが接続される。なお該ト
ランジスタT1のドレインと負荷抵抗Rとの接続点から出
力電圧Voutがとり出され、該出力電圧Voutが例えばCMOS
インバータ回路に入力される。
回路を示すもので、T1はフローティングゲートFGおよび
コントロールゲートCGを有するトランジスタであって、
該トランジスタT1のドレインは負荷抵抗Rを介して電源
Vccに接続され、ソースは電源Vssに接続され、また該コ
ントロールゲートCGには該電源Vccが直接接続され、該
フローティングゲートFGはエンハンスメント形トランジ
スタT2のドレインに接続される。更に該フローティング
ゲートFGにそのドレインが接続された該エンハンスメン
ト形トランジスタT2のゲートにも該電源Vccが直接接続
され、そのソースには電源Vssが接続される。なお該ト
ランジスタT1のドレインと負荷抵抗Rとの接続点から出
力電圧Voutがとり出され、該出力電圧Voutが例えばCMOS
インバータ回路に入力される。
上述した回路において、第2図(a)に示すように、
時点t1で電源を投入しその電源電圧VccをVss(0V)から
上昇させて行くと、はじめは該エンハンスメント形トラ
ンジスタT2がオフのため、該トランジスタT1のフローテ
ィングゲートFGはフローティング状態となり、該コント
ロールゲートCGとフローティングゲートFG間の容量と、
該フローティングゲートFGと基板間の容量の結合によ
り、該フローティングゲートFGの電位は例えば0.5×Vcc
のレベルとなり、該トランジスタT1はオンとなり、該出
力電圧Voutはほぼ0V(Vss)となる(第2図(b)参
照)。
時点t1で電源を投入しその電源電圧VccをVss(0V)から
上昇させて行くと、はじめは該エンハンスメント形トラ
ンジスタT2がオフのため、該トランジスタT1のフローテ
ィングゲートFGはフローティング状態となり、該コント
ロールゲートCGとフローティングゲートFG間の容量と、
該フローティングゲートFGと基板間の容量の結合によ
り、該フローティングゲートFGの電位は例えば0.5×Vcc
のレベルとなり、該トランジスタT1はオンとなり、該出
力電圧Voutはほぼ0V(Vss)となる(第2図(b)参
照)。
そして更に電源電圧Vccが上昇すると(例えば第2図
(a)のV′cc点に到達する時点t2で)、該エンハンス
メント形トランジスタT2がオンとなり、その結果、該フ
ローティングゲートFGの電位が0Vとなるため、該トラン
ジスタT1がオフとなり、該出力電圧VoutがVcc(ハイレ
ベル)に上昇する(第2図(b)参照)。したがって該
出力電圧Voutを例えばCMOSインバータへ入力させること
により、その出力側からは、該時点t1からt2までの間
(電源投入後、所定の短時間だけ)所定のパルス電圧を
出力させることができ、例えば上記リセットパルスとし
て利用することができる。
(a)のV′cc点に到達する時点t2で)、該エンハンス
メント形トランジスタT2がオンとなり、その結果、該フ
ローティングゲートFGの電位が0Vとなるため、該トラン
ジスタT1がオフとなり、該出力電圧VoutがVcc(ハイレ
ベル)に上昇する(第2図(b)参照)。したがって該
出力電圧Voutを例えばCMOSインバータへ入力させること
により、その出力側からは、該時点t1からt2までの間
(電源投入後、所定の短時間だけ)所定のパルス電圧を
出力させることができ、例えば上記リセットパルスとし
て利用することができる。
上述したように本発明回路では、電源投入後(時点
t1)から時点t2までは、該トランジスタT1のフローティ
ングゲートFGの電位が例えば0.5×Vccのレベルとなって
該トランジスタT1の所定のしきい値電圧(例えば3V)を
有し、該時点t2以後は該トランジスタT1のフローティン
グゲートFGの電位が0Vとなってそのしきい値電圧は無限
大(すなわちトランジスタT1は完全なオフ状態)となる
ため、このしきい値電圧の変化を利用して所定のパルス
信号を出力させることができる。そして上記電源投入時
点t1からt2までの短時間のみ消費電力があるだけで、そ
れ以後は全く消費電力がなくなる。
t1)から時点t2までは、該トランジスタT1のフローティ
ングゲートFGの電位が例えば0.5×Vccのレベルとなって
該トランジスタT1の所定のしきい値電圧(例えば3V)を
有し、該時点t2以後は該トランジスタT1のフローティン
グゲートFGの電位が0Vとなってそのしきい値電圧は無限
大(すなわちトランジスタT1は完全なオフ状態)となる
ため、このしきい値電圧の変化を利用して所定のパルス
信号を出力させることができる。そして上記電源投入時
点t1からt2までの短時間のみ消費電力があるだけで、そ
れ以後は全く消費電力がなくなる。
本発明によれば、比較的簡単な構成で消費電力が少な
く、しかも小型で信頼性の高いパルス信号発生回路をう
ることができるため、上記パワーオン・リセット回路な
どに好適に利用することができる。
く、しかも小型で信頼性の高いパルス信号発生回路をう
ることができるため、上記パワーオン・リセット回路な
どに好適に利用することができる。
第1図は、本発明の1実施例としてのパルス信号発生回
路を示す図、 第2図(a),(b)は、第1図の回路の動作を説明す
るタイミング図である。 (符号の説明) T1:フローティングゲートFGを有するトランジスタ、 T2:エンハンスメント形トランジスタ、 R:負荷抵抗。
路を示す図、 第2図(a),(b)は、第1図の回路の動作を説明す
るタイミング図である。 (符号の説明) T1:フローティングゲートFGを有するトランジスタ、 T2:エンハンスメント形トランジスタ、 R:負荷抵抗。
Claims (3)
- 【請求項1】所定の電源電圧が付与されたコントロール
ゲート、およびその電位が制御されるフローティングゲ
ートを有するトランジスタをそなえ、該電源電圧上昇
時、該フローティングゲートの電位変化に応じて該トラ
ンジスタのしきい値電圧を変化させ、所定のパルス信号
を出力させることを特徴とするパルス信号発生回路。 - 【請求項2】該電源電圧が所定値まで上昇したとき、該
フローティングゲートの電位変化に応じて該トランジス
タのしきい値電圧を変化させ、これにより電源投入時に
所定のリセットパルスを出力させるようにした、請求項
1に記載のパルス信号発生回路。 - 【請求項3】該フローティングゲートの電位を制御する
素子として、そのゲートに該電源電圧が付与されたエン
ハンスメント形トランジスタが用いられる、請求項1に
記載のパルス発生信号回路。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63060214A JP2578465B2 (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | パルス信号発生回路 |
US07/321,779 US5017803A (en) | 1988-03-16 | 1989-03-10 | Power supply potential rising detection circuit |
EP89302443A EP0333405B1 (en) | 1988-03-16 | 1989-03-13 | Power supply potential rising detection circuit |
DE68922766T DE68922766T2 (de) | 1988-03-16 | 1989-03-13 | Speisespannungspotentialanstiegsdetektorschaltung. |
KR8903204A KR920002673B1 (en) | 1988-03-16 | 1989-03-15 | Source voltage-up detection circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63060214A JP2578465B2 (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | パルス信号発生回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01235412A JPH01235412A (ja) | 1989-09-20 |
JP2578465B2 true JP2578465B2 (ja) | 1997-02-05 |
Family
ID=13135685
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63060214A Expired - Fee Related JP2578465B2 (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | パルス信号発生回路 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
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EP (1) | EP0333405B1 (ja) |
JP (1) | JP2578465B2 (ja) |
KR (1) | KR920002673B1 (ja) |
DE (1) | DE68922766T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170058499A (ko) * | 2015-11-18 | 2017-05-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스캔라인 드라이버 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5239500A (en) * | 1989-09-29 | 1993-08-24 | Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique S.A. | Process of storing analog quantities and device for the implementation thereof |
JP3059737B2 (ja) * | 1989-12-25 | 2000-07-04 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置 |
JPH0474015A (ja) * | 1990-07-13 | 1992-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
US5248907A (en) * | 1992-02-18 | 1993-09-28 | Samsung Semiconductor, Inc. | Output buffer with controlled output level |
FR2691289A1 (fr) * | 1992-05-15 | 1993-11-19 | Thomson Csf | Dispositif semiconducteur à effet de champ, procédé de réalisation et application à un dispositif à commande matricielle. |
EP0596637A1 (en) * | 1992-11-02 | 1994-05-11 | STMicroelectronics, Inc. | Input buffer circuit |
EP0700159A1 (en) * | 1994-08-31 | 1996-03-06 | STMicroelectronics S.r.l. | Threshold detection circuit |
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US5555166A (en) * | 1995-06-06 | 1996-09-10 | Micron Technology, Inc. | Self-timing power-up circuit |
DE10146831B4 (de) * | 2001-09-24 | 2006-06-22 | Atmel Germany Gmbh | Verfahren zur Erzeugung eines zeitlich begrenzten Signals |
JP3597501B2 (ja) * | 2001-11-20 | 2004-12-08 | 松下電器産業株式会社 | 半導体集積回路 |
SE526731C2 (sv) * | 2003-10-30 | 2005-11-01 | Infineon Technologies Ag | Uppstartningsövervakningskrets |
US7944769B1 (en) * | 2009-10-14 | 2011-05-17 | Xilinx, Inc. | System for power-on detection |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4245165A (en) * | 1978-11-29 | 1981-01-13 | International Business Machines Corporation | Reversible electrically variable active parameter trimming apparatus utilizing floating gate as control |
JPS6197576A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | Toshiba Corp | 高電位検知回路 |
JPH07105704B2 (ja) * | 1985-08-12 | 1995-11-13 | 松下電器産業株式会社 | 電圧検出回路 |
US4742492A (en) * | 1985-09-27 | 1988-05-03 | Texas Instruments Incorporated | EEPROM memory cell having improved breakdown characteristics and driving circuitry therefor |
-
1988
- 1988-03-16 JP JP63060214A patent/JP2578465B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-03-10 US US07/321,779 patent/US5017803A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-13 DE DE68922766T patent/DE68922766T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-03-13 EP EP89302443A patent/EP0333405B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-15 KR KR8903204A patent/KR920002673B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170058499A (ko) * | 2015-11-18 | 2017-05-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스캔라인 드라이버 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0333405A2 (en) | 1989-09-20 |
KR890015507A (ko) | 1989-10-30 |
EP0333405B1 (en) | 1995-05-24 |
DE68922766D1 (de) | 1995-06-29 |
DE68922766T2 (de) | 1995-09-28 |
KR920002673B1 (en) | 1992-03-31 |
EP0333405A3 (en) | 1991-01-09 |
JPH01235412A (ja) | 1989-09-20 |
US5017803A (en) | 1991-05-21 |
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