JP2576010Y2 - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、半導体素子収納用パッ
ケージ、特に、容量素子が搭載された半導体素子収納用
パッケージに関する。
ケージ、特に、容量素子が搭載された半導体素子収納用
パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子収納用パッケージとし
て、電源ノイズを防止するために容量素子（コンデン
サ）を搭載したものが使用されている。このような半導
体素子収納用パッケージを図７に示す。
て、電源ノイズを防止するために容量素子（コンデン
サ）を搭載したものが使用されている。このような半導
体素子収納用パッケージを図７に示す。
【０００３】図７の半導体素子収納用パッケージ２１に
おいて、アルミナからなる絶縁基体２２は概ね四角形の
板状の部材であり、中央部には凹部２３が形成されてい
る。絶縁基体２２内にはたとえばタングステン，モリブ
デン等の導電性材料からなる多数のメタライズ配線層２
５が形成されている。このメタライズ配線層２５は、凹
部２３の底面及び側面に露出した部分を有している。
おいて、アルミナからなる絶縁基体２２は概ね四角形の
板状の部材であり、中央部には凹部２３が形成されてい
る。絶縁基体２２内にはたとえばタングステン，モリブ
デン等の導電性材料からなる多数のメタライズ配線層２
５が形成されている。このメタライズ配線層２５は、凹
部２３の底面及び側面に露出した部分を有している。
【０００４】電源ノイズ除去用の平板コンデンサ２６は
導電性接着剤により凹部２３の底面に接合されている。
これにより、平板コンデンサ２６の下部電極３７は、凹
部２３の底面に露出したメタライズ層２５ａに電気的に
接続されている。平板コンデンサ２６の上部電極３５上
には半導体素子２８が接着剤により固定されている。半
導体素子２８は、ボンディングワイヤ３０ａ，３０ｂに
より凹部２３の側面に露出したメタライズ配線層２５に
接続されている。一方のボンディングワイヤ３０ｂは、
その中間部が平板コンデンサ２６の上部電極３５にも接
続されている。ここでは、平板コンデンサ２６が半導体
素子２８に対して並列に接続されている。
導電性接着剤により凹部２３の底面に接合されている。
これにより、平板コンデンサ２６の下部電極３７は、凹
部２３の底面に露出したメタライズ層２５ａに電気的に
接続されている。平板コンデンサ２６の上部電極３５上
には半導体素子２８が接着剤により固定されている。半
導体素子２８は、ボンディングワイヤ３０ａ，３０ｂに
より凹部２３の側面に露出したメタライズ配線層２５に
接続されている。一方のボンディングワイヤ３０ｂは、
その中間部が平板コンデンサ２６の上部電極３５にも接
続されている。ここでは、平板コンデンサ２６が半導体
素子２８に対して並列に接続されている。
【０００５】
【考案が解決しようとする課題】前記実施例では、上部
電極３５はメタライズ配線層２５と半導体素子２８にボ
ンディングワイヤ３０ｂで接続されなければならない。
そのため、ボンディングワイヤ３０ｂを接続するための
露出スペースＡが上部電極３５に形成されていなければ
ならない。このスペースＡが小さ過ぎると、キャピラリ
ーでボンディングワイヤ３０ａを上部電極３７に接続す
るのが困難になる。また、作業性を考慮してこのスペー
スＡを大きくすると、コンデンサが大型化して装置全体
が大型化してしまう。
電極３５はメタライズ配線層２５と半導体素子２８にボ
ンディングワイヤ３０ｂで接続されなければならない。
そのため、ボンディングワイヤ３０ｂを接続するための
露出スペースＡが上部電極３５に形成されていなければ
ならない。このスペースＡが小さ過ぎると、キャピラリ
ーでボンディングワイヤ３０ａを上部電極３７に接続す
るのが困難になる。また、作業性を考慮してこのスペー
スＡを大きくすると、コンデンサが大型化して装置全体
が大型化してしまう。
【０００６】また、前記従来例では、ボンディングワイ
ヤ３０ｂが長くなるので、隣接するボンディングワイヤ
とショートしやすい。
ヤ３０ｂが長くなるので、隣接するボンディングワイヤ
とショートしやすい。
【０００７】さらに、前記従来例では、コンデンサ２６
を形成する物質の熱膨張率が絶縁基体２２の熱膨張率と
大きく異なると、接合時に大きな熱応力が発生し、コン
デンサ２６が絶縁基体２２から剥離しやすくなる。
を形成する物質の熱膨張率が絶縁基体２２の熱膨張率と
大きく異なると、接合時に大きな熱応力が発生し、コン
デンサ２６が絶縁基体２２から剥離しやすくなる。
【０００８】本考案の目的は、小型化を達成しかつ作業
性のよい半導体素子収納用パッケージを提供することに
ある。本考案の別の目的は、コンデンサが絶縁基体から
剥離しにくい半導体素子収納用パッケージを提供するこ
とにある。
性のよい半導体素子収納用パッケージを提供することに
ある。本考案の別の目的は、コンデンサが絶縁基体から
剥離しにくい半導体素子収納用パッケージを提供するこ
とにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本考案に係る半導体素子
収納用パッケージは、少なくとも端部が露出する配線層
が形成された絶縁基体と、絶縁基体上に固定されかつ配
線層に両電極が電気的に接続された、半導体素子を載せ
て固定するための容量素子とを備えている。この半導体
素子収納用パッケージにおいて、絶縁基体はアルミナで
構成されており、容量素子と接合する面に配線層の容量
素子との接続端部が設けられている。また、容量素子
は、タンタル板でなる容量素子本体と、容量素子本体の
主面に形成された中心線平均粗さが５０ｎｍ以下のＴａ
２Ｏ５膜と、Ｔａ２Ｏ５膜上に形成された電極とを備
え、電極が絶縁基体側に配置されるタンタルコンデンサ
である。さらに、配線層と電極とは絶縁基体と容量素子
との接合部において電気的に接続されている。
収納用パッケージは、少なくとも端部が露出する配線層
が形成された絶縁基体と、絶縁基体上に固定されかつ配
線層に両電極が電気的に接続された、半導体素子を載せ
て固定するための容量素子とを備えている。この半導体
素子収納用パッケージにおいて、絶縁基体はアルミナで
構成されており、容量素子と接合する面に配線層の容量
素子との接続端部が設けられている。また、容量素子
は、タンタル板でなる容量素子本体と、容量素子本体の
主面に形成された中心線平均粗さが５０ｎｍ以下のＴａ
２Ｏ５膜と、Ｔａ２Ｏ５膜上に形成された電極とを備
え、電極が絶縁基体側に配置されるタンタルコンデンサ
である。さらに、配線層と電極とは絶縁基体と容量素子
との接合部において電気的に接続されている。
【００１０】
【作用】本考案に係る半導体素子収納用パッケージで
は、容量素子の両電極は絶縁基体と容量素子との接合部
において配線層に接続されている。したがって、従来存
在した上部電極の露出スペースが必要なくなる。これに
より、コンデンサが小型化できるようになり装置全体が
小型化する。
は、容量素子の両電極は絶縁基体と容量素子との接合部
において配線層に接続されている。したがって、従来存
在した上部電極の露出スペースが必要なくなる。これに
より、コンデンサが小型化できるようになり装置全体が
小型化する。
【００１１】また、上部電極と配線層を長いボンディン
グワイヤで接続する必要がなくなるので、ボンディング
ワイヤ同士が容易にショートするという不具合が生じな
くなる。
グワイヤで接続する必要がなくなるので、ボンディング
ワイヤ同士が容易にショートするという不具合が生じな
くなる。
【００１２】また、絶縁基体をアルミナで構成し、容量
素子としてタンタルコンデンサを用いているため、絶縁
基体と容量素子との接合部において、熱膨張率が近いア
ルミナとタンタルとが互いに接合されることとなり、熱
膨張率の差により発生する応力は小さくなり、容量素子
が絶縁基体から剥離しにくくなる。
素子としてタンタルコンデンサを用いているため、絶縁
基体と容量素子との接合部において、熱膨張率が近いア
ルミナとタンタルとが互いに接合されることとなり、熱
膨張率の差により発生する応力は小さくなり、容量素子
が絶縁基体から剥離しにくくなる。
【００１３】
【実施例】図１に本考案の一実施例が採用された半導体
素子収納用パッケージ１を示す。絶縁基体２は、概ね四
角形の板状の部材であり、電気絶縁材料であるアルミナ
セラミックから構成されている。絶縁基体２の中央部に
は、凹部３が形成されている。絶縁基体２内には複数の
スルーホール４が形成されており、このスルーホール４
内に導電性材料からなるメタライズ配線層５が形成され
ている。また、絶縁基体２内には、メタライズ配線層５
に接続された同じく導電性材料からなる配線パターン５
ａが形成されている。この配線パターン５ａは、凹部３
の底面に露出した内側パターン５ｂ及び外側パターン５
ｃと、凹部３の側面に露出した露出パターン５ｄ，５ｅ
とを有している。内側パターン５ｂ及び外側パターン５
ｃ上には、タンタルコンデンサ６が固定されている。
素子収納用パッケージ１を示す。絶縁基体２は、概ね四
角形の板状の部材であり、電気絶縁材料であるアルミナ
セラミックから構成されている。絶縁基体２の中央部に
は、凹部３が形成されている。絶縁基体２内には複数の
スルーホール４が形成されており、このスルーホール４
内に導電性材料からなるメタライズ配線層５が形成され
ている。また、絶縁基体２内には、メタライズ配線層５
に接続された同じく導電性材料からなる配線パターン５
ａが形成されている。この配線パターン５ａは、凹部３
の底面に露出した内側パターン５ｂ及び外側パターン５
ｃと、凹部３の側面に露出した露出パターン５ｄ，５ｅ
とを有している。内側パターン５ｂ及び外側パターン５
ｃ上には、タンタルコンデンサ６が固定されている。
【００１４】図２で示すように、タンタルコンデンサ６
は概ね長方形の板状部材であり、タンタル板１５を有し
ている。このタンタル板１５の厚みは、通常０．１〜１
ｍｍである。タンタル板１５の下面には、Ｔａ2 Ｏ5 膜
１６が形成されている。このＴａ2 Ｏ5 膜は、厚みが１
０００〜７０００オングストロームであり、また表面が
平滑に形成されている。Ｔａ2 Ｏ５膜の中心線平均粗さ
（Ｒａ）は５０ｎｍ以下である。タンタルコンデンサ６
は、タンタル板１５の表面を前述の中心線平均荒さに研
磨してあるため、耐電圧性及び絶縁抵抗値がともに高く
なっている。
は概ね長方形の板状部材であり、タンタル板１５を有し
ている。このタンタル板１５の厚みは、通常０．１〜１
ｍｍである。タンタル板１５の下面には、Ｔａ2 Ｏ5 膜
１６が形成されている。このＴａ2 Ｏ5 膜は、厚みが１
０００〜７０００オングストロームであり、また表面が
平滑に形成されている。Ｔａ2 Ｏ５膜の中心線平均粗さ
（Ｒａ）は５０ｎｍ以下である。タンタルコンデンサ６
は、タンタル板１５の表面を前述の中心線平均荒さに研
磨してあるため、耐電圧性及び絶縁抵抗値がともに高く
なっている。
【００１５】Ｔａ2 Ｏ5 膜１６の下面には、たとえばＮ
ｉ−Ｃｒからなる内側蒸着層１７ａと外側蒸着層１７ｂ
とが配置されている。内側蒸着層１７ａと外側蒸着層１
７ｂとは、図３に示すように互いに分離して形成されて
いる。また、このタンタルコンデンサ６の外周には、タ
ンタル板１５から一体に延びた外側連絡タンタル層１５
ａが連続して形成されており、これによってタンタル板
１５が外側蒸着層１７ｂに接続されている。これによ
り、上部電極であるタンタル板１５が下面側の外側蒸着
層１７ｂまで１つの電極として形成されていることにな
る。
ｉ−Ｃｒからなる内側蒸着層１７ａと外側蒸着層１７ｂ
とが配置されている。内側蒸着層１７ａと外側蒸着層１
７ｂとは、図３に示すように互いに分離して形成されて
いる。また、このタンタルコンデンサ６の外周には、タ
ンタル板１５から一体に延びた外側連絡タンタル層１５
ａが連続して形成されており、これによってタンタル板
１５が外側蒸着層１７ｂに接続されている。これによ
り、上部電極であるタンタル板１５が下面側の外側蒸着
層１７ｂまで１つの電極として形成されていることにな
る。
【００１６】タンタルコンデンサ６は、金シリコン共晶
合金からなる内側導電性接着剤７ａ及び外側導電性接着
剤７ｂにより、内側パターン５ｂ及び外側パターン５ｃ
に接続されている。この場合、タンタルコンデンサ６の
内側蒸着層１７ａは内側導電性接着剤７ａを介して内側
パターン５ｂに電気的に接続されており、タンタルコン
デンサ６の外側蒸着層１７ｂは外側導電性接着剤７ｂを
介して外側パターン５ｃに電気的に接続されている。ま
た、内側パターン５ｂと外側パターン５ｃとは、それぞ
れ特定の配線パターン，メタライズ配線層を介して接続
されている。
合金からなる内側導電性接着剤７ａ及び外側導電性接着
剤７ｂにより、内側パターン５ｂ及び外側パターン５ｃ
に接続されている。この場合、タンタルコンデンサ６の
内側蒸着層１７ａは内側導電性接着剤７ａを介して内側
パターン５ｂに電気的に接続されており、タンタルコン
デンサ６の外側蒸着層１７ｂは外側導電性接着剤７ｂを
介して外側パターン５ｃに電気的に接続されている。ま
た、内側パターン５ｂと外側パターン５ｃとは、それぞ
れ特定の配線パターン，メタライズ配線層を介して接続
されている。
【００１７】タンタルコンデンサ６の上部には、半導体
素子８が接着剤９を介して固定されている。タンタルコ
ンデンサ６は、半導体素子８に比較して僅かに平面の面
積が大きいだけで、従来例のような大きな露出スペース
は設けられていない。半導体素子８と露出パターン５
ｄ，５ｅとは、それぞれボンディングワイヤ１０ａ，１
０ｂを介して電気的に接続されている。以上の配線にお
いて、タンタルコンデンサ６は、半導体素子８に対して
並列に接続されていることになり、これにより電源ノイ
ズを防止することができる。
素子８が接着剤９を介して固定されている。タンタルコ
ンデンサ６は、半導体素子８に比較して僅かに平面の面
積が大きいだけで、従来例のような大きな露出スペース
は設けられていない。半導体素子８と露出パターン５
ｄ，５ｅとは、それぞれボンディングワイヤ１０ａ，１
０ｂを介して電気的に接続されている。以上の配線にお
いて、タンタルコンデンサ６は、半導体素子８に対して
並列に接続されていることになり、これにより電源ノイ
ズを防止することができる。
【００１８】絶縁基体２の中央部上には、凹部３を密封
するための蓋部材１１が配置されている。蓋部材１１
は、樹脂等の封止材１２により絶縁基体２に固定されて
いる。蓋部材１１が設けられた側の絶縁基体２の上面２
ａには、多数の概ね円形状のメタライズパッド１４が形
成されている。このメタライズパッド１４は、絶縁基体
２内部のメタライズ配線層５に接続されており、このメ
タライズパッド１４には外部リード端子１３がそれぞれ
固定されている。これらの外部リード端子１３により、
外部電気回路の電源とグランドが接続されている。
するための蓋部材１１が配置されている。蓋部材１１
は、樹脂等の封止材１２により絶縁基体２に固定されて
いる。蓋部材１１が設けられた側の絶縁基体２の上面２
ａには、多数の概ね円形状のメタライズパッド１４が形
成されている。このメタライズパッド１４は、絶縁基体
２内部のメタライズ配線層５に接続されており、このメ
タライズパッド１４には外部リード端子１３がそれぞれ
固定されている。これらの外部リード端子１３により、
外部電気回路の電源とグランドが接続されている。
【００１９】次に、上述のパッケージの製造方法を説明
する。タンタルコンデンサ６を製造する際には、まず、
多数個取りするために複数個のタンタル板が外辺でつな
がった原板を用意する。タンタルのインゴットを周知の
圧延加工法により圧延すると、所望の厚みのタンタル原
板が得られる。次に、得られたタンタル原板を研磨して
表面を平滑にする。ここでは、タンタル原板全体が研磨
されてもよいし、タンタル原板の一方の主面のみが研磨
されてもよい。タンタル原板の研磨は、表面のＲａが５
０ｎｍ以下になるように行う。
する。タンタルコンデンサ６を製造する際には、まず、
多数個取りするために複数個のタンタル板が外辺でつな
がった原板を用意する。タンタルのインゴットを周知の
圧延加工法により圧延すると、所望の厚みのタンタル原
板が得られる。次に、得られたタンタル原板を研磨して
表面を平滑にする。ここでは、タンタル原板全体が研磨
されてもよいし、タンタル原板の一方の主面のみが研磨
されてもよい。タンタル原板の研磨は、表面のＲａが５
０ｎｍ以下になるように行う。
【００２０】次に、タンタル原板の一方の主面（この場
合下面）に、Ｔａ2 Ｏ5 膜１６を形成する。ＴＡ2 Ｏ5
膜は、タンタル原板を陽極酸化することにより形成され
る。次に、内側蒸着層１７ａ及び外側蒸着層１７ｂとを
Ｔａ2 Ｏ5 膜１６上に形成する。内側蒸着層１７ａ及び
外側蒸着装置１７ｂとは、Ｎｉ−Ｃｒを周知の蒸着法に
より蒸着して形成する。内側蒸着層１７ａと外側蒸着層
１７ｂとの間の部分には、フォトマスクにより蒸着層が
形成されないようにする。次に、原板の境界にタンタル
板１５側から切断刃（図示せず）で切れ目を入れて、各
タンタルコンデンサ６を切断する。このとき、タンタル
板１５はビッカース硬度Ｈｖが１００〜１１０と柔らか
い物質であるため、切断刃によって押し込まれるように
タンタル板１５の外辺部が変形し外側連絡タンタル層１
５ａを形成し、タンタル板１５は図２で示すように反対
側の外側蒸着層１７ｂと連結される。
合下面）に、Ｔａ2 Ｏ5 膜１６を形成する。ＴＡ2 Ｏ5
膜は、タンタル原板を陽極酸化することにより形成され
る。次に、内側蒸着層１７ａ及び外側蒸着層１７ｂとを
Ｔａ2 Ｏ5 膜１６上に形成する。内側蒸着層１７ａ及び
外側蒸着装置１７ｂとは、Ｎｉ−Ｃｒを周知の蒸着法に
より蒸着して形成する。内側蒸着層１７ａと外側蒸着層
１７ｂとの間の部分には、フォトマスクにより蒸着層が
形成されないようにする。次に、原板の境界にタンタル
板１５側から切断刃（図示せず）で切れ目を入れて、各
タンタルコンデンサ６を切断する。このとき、タンタル
板１５はビッカース硬度Ｈｖが１００〜１１０と柔らか
い物質であるため、切断刃によって押し込まれるように
タンタル板１５の外辺部が変形し外側連絡タンタル層１
５ａを形成し、タンタル板１５は図２で示すように反対
側の外側蒸着層１７ｂと連結される。
【００２１】一方、絶縁基体２は、多数個取りするため
に複数枚の絶縁基体の各外辺が接続した原板を切断して
形成される。この原板は、所定形状のセラミックグリー
ンシートを複数枚重ね合わせて形成される。セラミック
グリーンシート内には、スルーホール４にメタライズ配
線層５用の金属ペーストが注入されており、また必要な
所定の配線パターン５ａが形成されている。上面２ａに
メタライズパッド１４用の金属ペーストが塗布されてい
る。また、凹部２３の底面には内側パターン５ｂ，外側
パターン５ｃ用の金属ペーストが塗布されている。こ
の、原板の境界に切断刃（図示せず）で切れ目を入れ
て、焼成した後、各絶縁基体を切断する。
に複数枚の絶縁基体の各外辺が接続した原板を切断して
形成される。この原板は、所定形状のセラミックグリー
ンシートを複数枚重ね合わせて形成される。セラミック
グリーンシート内には、スルーホール４にメタライズ配
線層５用の金属ペーストが注入されており、また必要な
所定の配線パターン５ａが形成されている。上面２ａに
メタライズパッド１４用の金属ペーストが塗布されてい
る。また、凹部２３の底面には内側パターン５ｂ，外側
パターン５ｃ用の金属ペーストが塗布されている。こ
の、原板の境界に切断刃（図示せず）で切れ目を入れ
て、焼成した後、各絶縁基体を切断する。
【００２２】次に、凹部３の内側パターン５ｂ，外側パ
ターン５ｃが形成された底面にたとえば金シリコン共晶
合金はんだからなる導電性接着剤を塗布する。すると、
金シリコン共晶合金はアルミナからなる絶縁基体２から
弾かれた状態となり、内側パターン５ｂの上には導電性
接着剤７ａが、外側パターン５ｃ上には外側導電性接着
剤７ｂがそれぞれ形成される。そして、前述のタンタル
コンデンサ６を凹部３の底面に固定する。このとき、内
側蒸着層１７ａは内側導電性接着剤７ａを介して内側パ
ターン５ｂに電気的に接続される。外側蒸着層１７ｂは
外側導電性接着剤７ｂを介して外側パターン５ｃに電気
的に接続される。このようにして、タンタルコンデンサ
６の両電極は、タンタルコンデンサ６と絶縁基体２の接
合部分において電気的に接続されていることになる。
ターン５ｃが形成された底面にたとえば金シリコン共晶
合金はんだからなる導電性接着剤を塗布する。すると、
金シリコン共晶合金はアルミナからなる絶縁基体２から
弾かれた状態となり、内側パターン５ｂの上には導電性
接着剤７ａが、外側パターン５ｃ上には外側導電性接着
剤７ｂがそれぞれ形成される。そして、前述のタンタル
コンデンサ６を凹部３の底面に固定する。このとき、内
側蒸着層１７ａは内側導電性接着剤７ａを介して内側パ
ターン５ｂに電気的に接続される。外側蒸着層１７ｂは
外側導電性接着剤７ｂを介して外側パターン５ｃに電気
的に接続される。このようにして、タンタルコンデンサ
６の両電極は、タンタルコンデンサ６と絶縁基体２の接
合部分において電気的に接続されていることになる。
【００２３】ここでは、以下の数値で示すように、タン
タルの熱膨張率はアルミナの熱膨張率に近似している。 タンタルの熱膨張率 ６．６×１０-6 アルミナの熱膨張率 ６．５×１０-6 このため、タンタルコンデンサ６をアルミナからなる絶
縁基体２に接合した場合、熱膨張率の差により両者の間
に発生する熱応力は小さくなり、熱応力によりタンタル
コンデンサ６が絶縁基体２から剥離する可能性は少な
い。
タルの熱膨張率はアルミナの熱膨張率に近似している。 タンタルの熱膨張率 ６．６×１０-6 アルミナの熱膨張率 ６．５×１０-6 このため、タンタルコンデンサ６をアルミナからなる絶
縁基体２に接合した場合、熱膨張率の差により両者の間
に発生する熱応力は小さくなり、熱応力によりタンタル
コンデンサ６が絶縁基体２から剥離する可能性は少な
い。
【００２４】タンタルコンデンサ６上には、半導体素子
８を接着剤９を介して固定する。半導体素子８と露出パ
ターン５ｄ，５ｅとは、それぞれボンディングワイヤ１
０ａ，１０ｂにより電気的に接続される。このボンディ
ングワイヤ１０ａ，１０ｂは露出パターン５ｄ，５ｅに
短い距離で接続されているので、ボンディングワイヤが
長くなり過ぎ互いにショートするというような従来例の
不具合は生じない。
８を接着剤９を介して固定する。半導体素子８と露出パ
ターン５ｄ，５ｅとは、それぞれボンディングワイヤ１
０ａ，１０ｂにより電気的に接続される。このボンディ
ングワイヤ１０ａ，１０ｂは露出パターン５ｄ，５ｅに
短い距離で接続されているので、ボンディングワイヤが
長くなり過ぎ互いにショートするというような従来例の
不具合は生じない。
【００２５】以上のように、タンタルコンデンサ６の両
電極は、タンタルコンデンサ６と絶縁基体２との接合部
分において直接にメタライズ配線層５に接続されてい
る。これにより、従来例の上部電極の露出スペースが必
要なくなる。そのため、タンタルコンデンサ６を小型化
し、装置全体を小型化できる。また、タンタルコンデン
サ６の上部電極をボンディングワイヤを使用せずにメタ
ライズ配線層５に接続できるので、配線部のインダクタ
ンスを小さくできる。この結果、タンタルコンデンサ６
はより効率よく電源ノイズを減らし得る。
電極は、タンタルコンデンサ６と絶縁基体２との接合部
分において直接にメタライズ配線層５に接続されてい
る。これにより、従来例の上部電極の露出スペースが必
要なくなる。そのため、タンタルコンデンサ６を小型化
し、装置全体を小型化できる。また、タンタルコンデン
サ６の上部電極をボンディングワイヤを使用せずにメタ
ライズ配線層５に接続できるので、配線部のインダクタ
ンスを小さくできる。この結果、タンタルコンデンサ６
はより効率よく電源ノイズを減らし得る。
【００２６】〔他の実施例〕 （ａ） タンタルコンデンサ６の下面の外周部全体に形
成された外側蒸着層１７ｂに代えて、図４に示すように
両側に分離した外側蒸着層１８ｂを形成してもよい。
成された外側蒸着層１７ｂに代えて、図４に示すように
両側に分離した外側蒸着層１８ｂを形成してもよい。
【００２７】（ｂ） 外部リード端子１３は、前記実施
例においては、絶縁基体２の蓋部材１１が配置された側
の上面２ａに固定されているが、図５で示すように下面
２ｂに固定されてもよい。
例においては、絶縁基体２の蓋部材１１が配置された側
の上面２ａに固定されているが、図５で示すように下面
２ｂに固定されてもよい。
【００２８】（ｃ） 外側パターン５ｃは、前記実施例
においては、スルーホール４を介して配線パターン５ａ
に接続されているが、図６に示すように直接配線パター
ン５ａに接続してもよい。これにより、スルーホールを
少なくできる。
においては、スルーホール４を介して配線パターン５ａ
に接続されているが、図６に示すように直接配線パター
ン５ａに接続してもよい。これにより、スルーホールを
少なくできる。
【００２９】（ｄ） 前記実施例においては、本考案を
外部リード端子が絶縁基板の一主面に格子状に配置され
たＰＧＡ型半導体素子収納用パッケージに用いたが、他
の半導体素子収納用パッケージ、たとえば、外部リード
端子が絶縁基体の側面に配置された半導体素子収納用パ
ッケージまたは外部リード端子が用いられない半導体素
子収納用パッケージにも採用できる。
外部リード端子が絶縁基板の一主面に格子状に配置され
たＰＧＡ型半導体素子収納用パッケージに用いたが、他
の半導体素子収納用パッケージ、たとえば、外部リード
端子が絶縁基体の側面に配置された半導体素子収納用パ
ッケージまたは外部リード端子が用いられない半導体素
子収納用パッケージにも採用できる。
【００３０】
【考案の効果】本考案に係る半導体素子収納用パッケー
ジでは、容量素子の両電極は、絶縁基体と容量素子との
接合部において配線層と電気的に接続されている。その
ため、容量素子の上部電極にボンディングワイヤ接続用
の露出スペースを設ける必要がなくなり、小型化でき
る。また、上部電極をボンディングワイヤによって半導
体素子及び配線層に接続する必要がなくなるので作業性
が良くなる。
ジでは、容量素子の両電極は、絶縁基体と容量素子との
接合部において配線層と電気的に接続されている。その
ため、容量素子の上部電極にボンディングワイヤ接続用
の露出スペースを設ける必要がなくなり、小型化でき
る。また、上部電極をボンディングワイヤによって半導
体素子及び配線層に接続する必要がなくなるので作業性
が良くなる。
【００３１】また、前記容量素子にタンタルコンデンサ
を用いると、絶縁基体の熱膨張率に近い熱膨張率を有す
るタンタルコンデンサが絶縁基体に接合される。したが
って、前記効果に加え、容量素子が絶縁基体から剥離し
にくくなる。
を用いると、絶縁基体の熱膨張率に近い熱膨張率を有す
るタンタルコンデンサが絶縁基体に接合される。したが
って、前記効果に加え、容量素子が絶縁基体から剥離し
にくくなる。
【図１】本考案の一実施例を採用した半導体素子収納用
パッケージの縦断面図。
パッケージの縦断面図。
【図２】タンタルコンデンサの縦断面図。
【図３】その底面図。
【図４】別の実施例における図３に相当する図。
【図５】さらに別の実施例における図１に相当する図。
【図６】さらに別の実施例における図１に相当する図。
【図７】従来例における図１に相当する図。
１ 半導体素子収納用パッケージ ２ 絶縁基体 ５ メタライズ配線層 ５ａ 配線パターン ５ｂ 内側パターン ５ｃ 外側パターン ５ｄ，５ｅ 露出パターン ６ タンタルコンデンサ １５ タンタル板 １５ａ 外側連絡タンタル層 １６ Ｔａ2 Ｏ5 膜 １７ａ 内側蒸着層 １７ｂ 外側蒸着層 １８ｂ 外側蒸着層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/12
Claims (1)
- 【請求項１】少なくとも端部が露出する配線層が形成さ
れた絶縁基体と、前記絶縁基体上に固定されかつ前記配
線層に両電極が電気的に接続された、半導体素子を載せ
て固定するための容量素子とを備えた半導体素子収納用
パッケージにおいて、 前記絶縁基体はアルミナで構成されており、前記容量素
子と接合する面に前記配線層の容量素子との接続端部が
設けられており、 前記容量素子は、タンタル板でなる容量素子本体と、前
記容量素子本体の主面に形成された中心線平均粗さが５
０ｎｍ以下のＴａ２Ｏ５膜と、前記Ｔａ２Ｏ５膜上に形
成された電極とを備え、前記電極が前記絶縁基体側に配
置されるタンタルコンデンサであり、 前記配線層と前記電極とは前記絶縁基体と前記容量素子
との接合部において電気的に接続されていることを特徴
とする半導体素子収納用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991049635U JP2576010Y2 (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991049635U JP2576010Y2 (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04133448U JPH04133448U (ja) | 1992-12-11 |
| JP2576010Y2 true JP2576010Y2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=31927532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1991049635U Expired - Fee Related JP2576010Y2 (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2576010Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6135544A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-05-31 JP JP1991049635U patent/JP2576010Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04133448U (ja) | 1992-12-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |