JP2556840B2 - 非水リチウム2次電池用負極 - Google Patents

非水リチウム2次電池用負極

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Description

【発明の詳細な説明】 <技術分野> 本発明は非水リチウム2次電池の負極に関し、特にリ
チウム(Li)やカリウム(K)等のアルカリ金属,アル
カリ土類金属,希土類金属もしくは遷移金属をドーバン
ド物質とする電池の電極活物質あるいはハロゲン,ハロ
ゲン化合物,酸素酸をドーバンド物質とする電池の電極
活物質に関するものである。
<従来技術> 近年、炭素材料を電池の電極に応用しようとする研究
が活発である。例えば、活性炭もしくは活性炭素を電極
材料に用いたものがあるが、これらは炭素原子が作る六
角網面の積層に全く規則性がないため、各イオンのドー
プができず、電解液との界面に電気二重層を形成するに
すぎない。従ってこれを負極材料に用いた場合、陽イオ
ンのドープは起こりにくく、電気二重層に蓄えられるイ
オンに相当する量の電気容量しか得られない。又、炭素
原子がつくる六角網面が規則的に配列したものは黒鉛構
造と称される。これは六角網面の炭素層が平行に積層さ
れた層状構造を有する。この層間にドーパント物質は出
入りすることができるが層間隔は3.354Åと狭く、又六
角網面が非常に規則正しく積層されているため常温付近
においてドーパント物質のドープされる量は少ない。ま
た上述した活性炭の如き無定形炭素と称される層状構造
が全く不規則なものと、黒鉛の如き規則的に炭素原子が
配列されたものとの中間的な構造をもつものも炭素材料
として存在する。これらは一般に乱層構造と称される
が、この範疇に入る炭素材料は幅広く出現する。
<発明の目的> 本発明は、従来の炭素材料に比べて著しく大きな電気
容量を有し、かつ充放電繰り返し特性の良い炭素からな
る非水リチウム2次電池用負極を提供することを目的と
する。
<発明の概要> 種々の炭素材料についてリチウム,ナトリウム等のア
ルカリ金属をドーパント物質とする電極材料として評価
した結果、次のことが判明した。すなわち、高度に配向
された黒鉛構造からなる炭素よりもわずかに乱層構造を
有しかつ選択的配向を有する構造をもつもので電極材料
として最も良好な特性を示す。この良好な特性を示す炭
素材料の詳細なデータを各手段により解析した結果につ
いて以下に説明する。
X線回折法より炭素平面の層間隔を求めた。その結
果、電極材料として良好なものの間間隔は3.37Å〜3.55
Åの値をとるものであった。また、黒鉛のように鋭いピ
ークを示すものではなくかなり幅広い回折ピークを示
す。回折ピークの半値幅から結晶子の大きさを求める方
法を用いて結晶子の大きさを求めると(002)面の回折
ピークからC軸方向の結晶子の大きさは20Å〜1000Åで
あり(110)面の回折ピークはほとんどあらわれないも
のや、あらわれても非常にブロードであることからab軸
方向の結晶子の大きさは非常に小さいものであると認め
られる。また、この炭素材料の反射電子線回折パターン
もブロードなリング状であり、結晶子がこの様に非常に
細かいことを反映している。これらリングは黒鉛構造の
(002),(004),(006)反射に相当する。一方、こ
れら回折リングをより詳細に検討した結果、各リングは
均一ではなく弧状又はブロードなスポットになってお
り、これより、各結晶子の方位がランダムでなく、各結
晶子の(00l)面が特定の方向に揃っていることがわか
った。これを更に定量化すると、各結晶子間のc軸方向
の相対的な傾きが±75度の範囲内にあり、本炭素材料
は、上記配向性を有する結晶子を主成分とする方位配列
を有する炭素材料として特徴づけられる。また、レーザ
ーラマンスペクトルによって黒鉛化への進行度合をみた
場合黒鉛構造に由来する1580cm-1のラマンスペクトル以
外に黒鉛構造の不完全さに由来する1360cm-1のラマンス
ペクトルが観察され、本炭素材料は黒鉛に比べ、不完全
な結晶構造であることがわかる。黒鉛化の進行に伴なっ
て1360cm-1のピークは減少し、黒鉛特有の格子振動に起
因する1580cm-1のピークが増大する。本発明の目的を達
成するものはラマンスペクトルの1580cm-1のピーク強度
に対する1360cm-1のピーク強度比をみた場合0.4以上1.0
以下である。このように黒鉛に比べ面間隔が広く、又結
晶子の大きさが小さく、かつこれらが互いにある程度の
配向性を有する炭素体が電極材料として良好な特性を示
す。上記条件を満足する炭素体は粉末体や繊維体を焼成
することによっては得難いものである。すなわち炭素体
の面間隔,結晶子の大きさは本発明と同様な物性値は得
られるが、各結晶子間の配向性が不規則となるため、放
電容量が少なく充放電の長期繰返しには耐え難いものと
なる。
本発明の目的を達成し得る炭素体は以下の製造方法に
よって達成される。即ち本発明の炭素からなる材料は炭
化水素又は炭化水素化合物を出発原料としてこれを反応
系へ供給し、基板上へ熱分解による気相堆積法により形
成されるものである。炭化水素化合物としては炭化水素
の一部に酸素,窒素,硫黄またはハロゲンより選択され
た少なくとも1つ以上の元素を含む特性基を付加または
置換したものが用いられる。このような炭素材料をアル
カリ金属等がドーパント物質として含有された電池の電
極に用いた場合には、以下のような効果がある。
(1) 従来の製法により製造された黒鉛材料例えば有
機繊維の炭化により製造されたもの、高配向性熱分解黒
鉛,天然黒鉛に比べてドーパント物質のドープ,脱ドー
プが起こり易く、電気容量も大きい。
(2) 基板上への薄膜等の直接形成が可能なため、内
部抵抗が小さく活物質の利用率が高い。
(3) 電極の薄形化、任意の形状に作製が可能であ
る。
なお、ドーパント物質としては上述のアルカリ金属の
他に、アルカリ土類金属、希土類金属又は遷移金属を用
いることができる。さらに、ドーパントはこれらに限ら
れず、ハロゲン、ハロゲン化合物又は酸素酸等を用いる
こともできる。これらのドーパントは製造工程途中でド
ープされる。
<実施例1> 第1図は本発明の一実施例に用いられる炭素材料生成
装置のブロック構成図である。出発物質として使用され
る炭化水素及び一部に種々の特性基を含んだ炭化水素化
合物として例えば脂肪族炭化水素好ましくは不飽和炭化
水素,芳香族化合物,脂環式化合物がある。これらは10
00℃で熱分解される。具体的にはアセチレン,ジフェニ
ル,アセチレン,アクリロニトリル,1.2−ジブロモエチ
レン,2−ブチン,ベンゼン,トルエン,ピリジン,アニ
リン,フェノール,ジフェニル,アントラセン,ピレ
ン,ヘキサメチルベンゼン,スチレン,アリルベンゼ
ン,シクロヘキサン,ノルマルヘキサン,ピロール,チ
オフェン等があげられる。
使用した炭化水素化合物の種類によって、後述する反
応管への供給方法はバプラー法,蒸発法または昇華法を
用い毎時数ミリモル以下の供給量に制御される。供給量
を多くとるとスス状炭素堆積物が生成され、本発明の目
的は達成されない。炭素材料が堆積,生成される基板は
1000℃程度の反応温度で変質しないものである必要があ
る。
以下、製造工程に従って説明する。
真空蒸留による精製操作を行なったベンゼンが収納さ
れたバブル容器1内にアルゴンガス制御系2よりアルゴ
ンガスを供給してベンゼンをバブルさせ、パイレックス
ガラス管3を介して石英反応管4へベンゼン分子を給送
する。この際バブル容器1内の液体ベンゼンの温度を一
定に保持してアルゴンガス流量をバルブ5で調節し、ベ
ンゼン分子の反応管4内への供給量を毎時数ミリモルに
制御する。一方希釈ライン6よりアルゴンガスを流し、
反応管4へ給送される直前のガラス管3内におけるアル
ゴンガス中のベンゼン分子数密度及び流速を最適化す
る。反応管4には基板の載置された試料台7が配設され
ており、反応管4の外周囲には加熱炉8が設けられてい
る。この加熱炉8によって反応管4内の堆積生成用基板
は約1000℃の温度に保持されている。ベンゼン分子が反
応管4内に給送されるとベンゼン分子は反応管4内で熱
分解し、基板上に炭素堆積物が生成される。反応管4内
へのガスは排気パイプ9を介して排気系10へ導入され、
反応管4から除去される。反応管4内に導入されたベン
ゼン分子は約1000℃の温度で加熱されて熱分解し、順次
基板上に成長形成される。この場合成長される炭素は金
属光沢を有した薄膜となり、従来のような製法により黒
鉛材料を形成する方法に比べ、低い温度で反応を進行さ
せるため、本発明の目的達成のために適した物性値をも
つ炭素材料が実現できる。また用いる出発物質,出発物
質の供給量,供給速度,反応温度を選定することによ
り、異方性等を任意に制御することができる利点を有す
る。この炭素体のCuKdを光源とするX線回折図を第2図
に示す。
この回折ピークからブラッグの式 により求めた(002)面の平均面間隔は3.45Åであり、
ピークの半値幅βから次式 より求めたc軸方向の結晶子の大きさは27.2Åであっ
た。
第3図はこの炭素体のアルゴンレーザを用いたラマン
スペクトルである。この図において1580cm-1のピーク強
度に対する1360cm-1のピーク強度をみた場合、0.8であ
った。また、反射高速電子線回折(RHEED)法で電子線
の回折写真を求めると、(002),(004),(006)反
射はブロードなスポットを示しており、各結晶子の配向
性はかなりよく、c軸方向の分布は±18度以内であるこ
とが判明した。
このように製作した炭素薄膜を集電用ネットが挾持
し、電極を作製した。これを試験極Aとする。試験極A
を第4図に示すような電解糟内に配設しリチウム金属を
対極、リチウムをドーパント物質として、リチウム元素
のドープ・脱ドープによる充放電試験を行なった。第4
図において12は本実施例に係る炭素体よりなる試験極A,
13は集電体,14は対極,15は参照極として用いたリチウ
ム,16は1モル過塩酸リチウムを溶解したプロピレンカ
ーボネートからなる電解液,17は電解槽である。第5図
は各種炭素材料にリチウムをドープ・脱ドープさせたと
きの25℃におけるリチウム参照極に対する電位変化図で
ある。第5図の曲線Aは本実施例による炭素材料の電位
変化曲線である。曲線Aにおいて、電位が零Vに近づく
方向がドープ(充電)、高電圧になる方向が脱ドープ
(放電)である。第6図は各種炭素材料をリチウム参照
電極に対し0Vから2.5Vの間で定電流により充放電させる
テストにおける放電容量の変化を示す。第6図の曲線A
は本実施例の特性曲線を示す。この結果より明らかな如
く、充放電の繰り返しによる容量劣化はほとんどなく繰
り返し特性は非常に良好である。
以上このような電極材料を用いることによって充放電
可能な非水リチウム二次電池の負極を構成することがで
きる。
<実施例2> 実施例1と同様な作製法でニッケル基板上へ炭素体を
堆積させた。この炭素体の諸特性を上記実施例1と同様
な方法で求めた。その結果(002)面の平均面間隔は第
7図に示す如く3.37Åであり、ラマンスペクトルによる
1580cm-1のピーク強度に対する1360cm-1のピーク強度比
は第8図に示す如く0.50であった。また、反射高速電子
線回折による各結晶子のc軸方向の分布は±60度以内で
あった。
このように製作した炭素体からリード線を取り出して
電極として試験極Bとした。これを実施例1と同様な方
法でリチウムをドーパント物質とし、ドープ・脱ドープ
による充放電テストを行なった。第5図の曲線Bは本実
施例による炭素材料の電位変化曲線である。また第6図
の曲線Bは本実施例による炭素材料の繰り返しテストに
おける放電容量の変化を示す。この結果より明らかな如
く、放電容量、繰り返し特性とも非常に良好である。本
実施例で示した作製法を用いて得られた炭素体は平均層
間隔3.37Å〜3.55Åのものが得られ、レーザのラマンス
ペクトルにおける1580cm-1のピーク強度に対する1360cm
-1のピーク強度比が0.4以上1.0以下であった。又、反射
高速電子線回折から得られる各結晶子間のc軸方向の相
対的な傾きが±75゜以下であり好ましくは±60゜以下で
ある。
これらの物性値を満たすものは本実施例に述べた製作
法によってのみ達成することができ、より低温で得られ
るスス状炭素堆積物やより高温で得られる高配向黒鉛化
炭素体を用いたものは上述したような電極特性を示さな
い。但し、熱エネルギー以外の光CVD法,プラズマCVD法
によっても最適化することによって本発明の目的は達成
される。
また、本実施例においては電解質に1モル過塩素酸リ
チウム、電解液にプロピレンカーボネートを用いて説明
したが、本発明はこれに限定されるものではなく、その
他の電解質としては六フッ化砒酸リチウム,ホウフッ化
リチウム,トリフルオロスルホン酸リチウム等があり、
また電解液としてはジメチルスルフオキシド,ガンマー
ブチルラクトン,スルフォランテトラヒドロフラン,2−
メチルテトラヒドロフラン,1.2−ジメトキシエタン,1.3
−ジオキソラン等の有機溶媒や水があげられ、これらを
単独もしくは混合して用いることができる。
<比較例1> 実施例1と同様な方法で石英基板上に1200℃で炭素体
を堆積させた。これを基板より剥ぎ取り2800℃にて熱処
理し、高配向性黒鉛化炭素体を得た。第9図にこの炭素
体のX線回折データを示す。この炭素体の(002)面の
面間隔は3.36Åであった。又、ラマンスペクトルにおい
て1580cm-1のピーク強度に対する1360cm-1のピーク強度
比は0.1、この炭素体を実施例1と同様な方法で電極と
し試験極Cとした。試験極Cを第4図に示すような電解
槽内に配設し、実施例1と同様に充放電テストを行なっ
た。第5図の曲線cは本比較例による炭素材料の電位変
化曲線である。この結果より上記実施例1,2の電極に比
べ、放電容量もわずかで、電極材としては不適であっ
た。
<比較例2> 原油から揮発成分を除いた未精製の石油コークスを50
0℃で熱処理した。この炭素粉末体のX線回折図を第11
図に示す。この回折ピークより(002)面の平均面間隔
は3.45Åであった。また、ラマンスペクトルにおいて15
80cm-1のピーク強度に対する1360cm-1のピーク強度比は
0.8であった。この結果を第12図に示す。また反射高速
電子線回折によりこの炭素体をプレスして得た電極にお
ける回折パターンによれば回折パターンの各リングが均
一となり、配向性を持っていないことが判明した。この
炭素体を発泡状ニッケル基板に充填し、プレスしたもの
を電極とし、試験極Dとした。試験極Dを第4図に示す
ような電解槽内に配設し、実施例1と同様に充放電テス
トを行なった。第5図の曲線Dは本比較例による炭素材
料の電位曲線である。この結果より上記実施例1,2に比
べ放電容量は少ない。しかし初期充放電特性は比較例1
に比べ、良好であった。試験極Dを実施例1と同じ方法
にて、充放電の繰り返しテストを行なった。第6図の曲
線Dは本比較例による結果を示したものである。この結
果より電極において各結晶子の配向性が全くないものは
充放電の繰り返しにより容量の劣化が生じ、長期使用に
は耐え難いことが認められ、選択的配向性を有する炭素
材料を少量でも含んだ炭素材料が電極として適している
ことがわかる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の説明に供する炭素材料生成
装置のブロック構成図である。 第2図及び第7図は本発明に係る炭素材料のX線回折図
である。 第3図及び第8図は本発明に係る炭素材料のラマンスペ
クトルを示す特性図である。 第4図は本発明に係る炭素材料の電極特性測定のための
装置の概略図である。 第5図は本発明に係る炭素材料及び既存の炭素材料の充
放電特性図である。 第6図は本発明に係る炭素材料及び既存の炭素材料の放
電容量のサイクル特性図である。 第9図及び第11図は既存の炭素材料のX線回折図であ
る。 第10図及び第12図は既存の炭素材料のラマンスペクトル
を示す特性図である。 1……バブル容器、2……アルゴンガス制御系、3……
パイレックスガラス管、4……反応管、5……バルブ、
6……希釈ライン、7……試料台、8……加熱炉、9…
…排気パイプ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 友成 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャー プ株式会社内 (72)発明者 田島 善光 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャー プ株式会社内 (72)発明者 好本 芳和 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャー プ株式会社内 (72)発明者 中島 重夫 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャー プ株式会社内 (72)発明者 笠原 三千世 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャー プ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−90863(JP,A) 特開 昭60−182670(JP,A) 特開 昭60−20466(JP,A)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】炭素の六角網目が形成する層間にドーパン
    ト物質がドープ、アンドープすることを利用した非水リ
    チウム2次電池用負極において、 選択的配向性を有する炭素材料であって、 黒鉛に比べてドーパント物質のドープ、アンドープが起
    こり易くかつ電気容量が大きくなるように、六角網目の
    平均面間隔が3.37Åから3.55Åであり、かつアルゴンレ
    ーザラマンスペクトルにおける1580cm-1のピーク強度に
    対する1360cm-1のピーク強度比が0.4以上1.0以下で特定
    (六角網目の平均面間隔が3.43Å以上であり、かつアル
    ゴンレーザラマンスペクトルにおける1580cm-1のピーク
    強度に対する1360cm-1のピーク強度比が0.6以上を除
    く)される黒鉛の層構造に若干の乱層構造を有する炭素
    材料を主成分とすることを特徴とする非水リチウム2次
    電池用負極。
  2. 【請求項2】前記炭素材料の選択的配向性が、反射高速
    電子線回折における(002)面の回折図形で各結晶子間
    のC軸方向の相対的傾きが±75゜以下であることを特徴
    とする特許請求の範囲第1項記載の非水リチウム2次電
    池用負極。
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