JP2553048B2 - レジスト膜の形成方法 - Google Patents
レジスト膜の形成方法Info
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- JP2553048B2 JP2553048B2 JP61154094A JP15409486A JP2553048B2 JP 2553048 B2 JP2553048 B2 JP 2553048B2 JP 61154094 A JP61154094 A JP 61154094A JP 15409486 A JP15409486 A JP 15409486A JP 2553048 B2 JP2553048 B2 JP 2553048B2
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- film
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、プリント配線板製造工程に於て導体の露出
したプリント配線板上へのレジスト膜の形成方法に関す
る。
したプリント配線板上へのレジスト膜の形成方法に関す
る。
導体の露出したプリント配線板上へのレジスト膜の形
成方法として、レジストインクをスクリーン印刷等の方
法で印刷し、その後加熱や紫外線を照射する事によって
硬化させる方法が一般的である。
成方法として、レジストインクをスクリーン印刷等の方
法で印刷し、その後加熱や紫外線を照射する事によって
硬化させる方法が一般的である。
しかしながら、近年プリント配線板の高密度化に併な
い、プリント配線板の導体回路形成ばかりでなくレジス
ト膜の形成に於ても、写真現像型のドライフィルムや液
状レジストが使用される様になって来た。
い、プリント配線板の導体回路形成ばかりでなくレジス
ト膜の形成に於ても、写真現像型のドライフィルムや液
状レジストが使用される様になって来た。
写真現像型のドライフィルムや液状レジストの現像方
法として、普通トリクロロエタンやトリクレン等の有機
溶剤もしくは苛性ソーダ、炭酸ソーダ等の無機アルカリ
が多用されているが、前者の有機溶剤現像の場合は溶剤
蒸気による環境汚染等の公害問題や溶剤回収等の手間及
び溶剤のコストの高騰等の諸問題がある。一方、後者の
アルカリ現像の場合、レジストとして使用される樹脂
は、一般に多量のカルボキシル基を含有することが現像
特性からみても必要であるが、カルボキシル基がレジス
ト膜中に多く存在することは、多湿環境における電気絶
縁を悪化させ、更に現像時に無機アルカリを用いた際、
光硬化後の露光部被膜表面のカルボキシル基がアルカリ
中でナトリウム塩等のアルカリ塩となるため、硬化後も
塩として残存し、レジストの吸湿性を促進させて電気絶
縁性を著しく低下させる原因となっている。
法として、普通トリクロロエタンやトリクレン等の有機
溶剤もしくは苛性ソーダ、炭酸ソーダ等の無機アルカリ
が多用されているが、前者の有機溶剤現像の場合は溶剤
蒸気による環境汚染等の公害問題や溶剤回収等の手間及
び溶剤のコストの高騰等の諸問題がある。一方、後者の
アルカリ現像の場合、レジストとして使用される樹脂
は、一般に多量のカルボキシル基を含有することが現像
特性からみても必要であるが、カルボキシル基がレジス
ト膜中に多く存在することは、多湿環境における電気絶
縁を悪化させ、更に現像時に無機アルカリを用いた際、
光硬化後の露光部被膜表面のカルボキシル基がアルカリ
中でナトリウム塩等のアルカリ塩となるため、硬化後も
塩として残存し、レジストの吸湿性を促進させて電気絶
縁性を著しく低下させる原因となっている。
このため、現在、かかるレジストの特性を低下させる
事のない溶剤現像型が主流となっている。しかしなが
ら、溶剤現像型は前記の様な別の諸問題をかかえてお
り、写真現像型のドライフィルムや液状レジストが市場
においていま一つ伸びない原因となっている。
事のない溶剤現像型が主流となっている。しかしなが
ら、溶剤現像型は前記の様な別の諸問題をかかえてお
り、写真現像型のドライフィルムや液状レジストが市場
においていま一つ伸びない原因となっている。
さらに、また、近年のプリント配線板の高密度化に併
ない、ファインラインの電気絶縁性の向上は最大の課題
である。
ない、ファインラインの電気絶縁性の向上は最大の課題
である。
本発明者らは、導体の露出したプリント配線板上に写
真現像型のレジストを塗布し、アルカリ現像を用いても
高湿度下で著しく電気絶縁性を低下させる事のない方法
を種々検討した結果、本発明に到達した。
真現像型のレジストを塗布し、アルカリ現像を用いても
高湿度下で著しく電気絶縁性を低下させる事のない方法
を種々検討した結果、本発明に到達した。
即ち本発明は、導体の露出したプリント配線板上に （Ａ）酸価30〜500のカルボキシル基含有樹脂 （Ｂ）多価ビニルオリゴマー （Ｃ）多価エポキシ化合物 に、光重合開始剤を配合してなる組成物の被膜を形成
し、所望の図版のフォトマスクを通し紫外線照射を行っ
た後、未露光部を第３級アミン又は第３級アルカノール
アミン水溶液にて現像除去し、しかる後に加熱処理によ
って露光部被膜表面部に存在する第３級アミン又は第３
級アルカノールアミンを蒸発除去せしめる事を特徴とす
るレジスト膜の形成方法である。
し、所望の図版のフォトマスクを通し紫外線照射を行っ
た後、未露光部を第３級アミン又は第３級アルカノール
アミン水溶液にて現像除去し、しかる後に加熱処理によ
って露光部被膜表面部に存在する第３級アミン又は第３
級アルカノールアミンを蒸発除去せしめる事を特徴とす
るレジスト膜の形成方法である。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明で使用される酸価30〜500のカルボキシル基含
有樹脂としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等
の不飽和モノカルボン酸又はイタコン酸、無水マレイン
酸、フマール酸等の不飽和ジカルボン酸又はそのモノエ
ステル類等を共重合可能なビニル単量体と共重合して得
られる樹脂が最も一般的であり、共重合可能なビニル単
量体の適当な例としてはメタクリル酸メチル、メタクリ
ル酸エチル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸２−エ
チルヘキシル、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、
アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、ス
チレン、α−メチルスチレン、２−ヒドロキシエチルメ
タクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２
−ヒドロキシプロピルメタクリレート、２−ヒドロキシ
プロピルアクリレート、グリシジルメタクリレート、グ
リシジルアクリレート、ｔ−ブチルアミノエチルメタク
リレート、ｔ−ブチルアミノエチルアクリレート、ジメ
チルアミノメタクリレート、ジメチルアミノアクリレー
ト、アクリルアミド、メタクリルアミド、アクリロニト
リル、Ｎ−ビニルピロリドン等があげられる。
有樹脂としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等
の不飽和モノカルボン酸又はイタコン酸、無水マレイン
酸、フマール酸等の不飽和ジカルボン酸又はそのモノエ
ステル類等を共重合可能なビニル単量体と共重合して得
られる樹脂が最も一般的であり、共重合可能なビニル単
量体の適当な例としてはメタクリル酸メチル、メタクリ
ル酸エチル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸２−エ
チルヘキシル、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、
アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、ス
チレン、α−メチルスチレン、２−ヒドロキシエチルメ
タクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２
−ヒドロキシプロピルメタクリレート、２−ヒドロキシ
プロピルアクリレート、グリシジルメタクリレート、グ
リシジルアクリレート、ｔ−ブチルアミノエチルメタク
リレート、ｔ−ブチルアミノエチルアクリレート、ジメ
チルアミノメタクリレート、ジメチルアミノアクリレー
ト、アクリルアミド、メタクリルアミド、アクリロニト
リル、Ｎ−ビニルピロリドン等があげられる。
上記した不飽和カルボン酸とこれらの共重合可能なビ
ニル単量体とを酸価が30〜500となる様適当な比率で組
み合わせて重合させ（Ａ）の酸価30〜500のカルボキシ
ル基含有樹脂とする事ができる。なお、その他本発明に
おいては、又、多価アルコールと多価カルボン酸との結
合によって得られる酸価30〜500のポリエステル樹脂も
用いることも出来る。酸価30未満の樹脂を使用した場合
はアルカリ現像工程において現像が困難となる為不適当
であり、又酸価が500を越えると形成したレジスト膜の
電気絶縁性が不良となって不適当であり、特に酸価が30
〜500の範囲にあることが好ましい。
ニル単量体とを酸価が30〜500となる様適当な比率で組
み合わせて重合させ（Ａ）の酸価30〜500のカルボキシ
ル基含有樹脂とする事ができる。なお、その他本発明に
おいては、又、多価アルコールと多価カルボン酸との結
合によって得られる酸価30〜500のポリエステル樹脂も
用いることも出来る。酸価30未満の樹脂を使用した場合
はアルカリ現像工程において現像が困難となる為不適当
であり、又酸価が500を越えると形成したレジスト膜の
電気絶縁性が不良となって不適当であり、特に酸価が30
〜500の範囲にあることが好ましい。
本発明の（Ｂ）多価ビニルオリゴマーとしては多価ア
ルコールのアクリル酸エステルおよびメタクリル酸エス
テル例えば、トリメチロールプロパン、トリメチロール
エタン、トリメチロールメタン、ペンタエリスリトー
ル、ジペンタエリスリトール、1,3−ブチレングリコー
ル、1,4−ブチレングリコール、1,6−ヘキサンジオー
ル、プロピレングリコール、トリプロピレングリコー
ル、ポリプロピレングリコール、エチレングリコール、
ポリエチレングリコール、ネオペンチルグリコール、ジ
ブロムネオペンチルグリコール、トリス（２−ヒドロキ
シエチル）イソシアヌル酸のアクリル酸、メタクリル酸
エステルが好ましいものとして挙げられる。またビスフ
ェノールＡのアルキレンオキシド付加体のアクリル酸、
メタクリル酸エステルでたとえば2,2ビス（４−アクリ
ロキシエトキシフェニル）プロパン、2,2ビス（４−ア
クリロキシプロピロキシフェニル）プロパン等も使用可
能である。又、多価エポキシ化合物とアクリル酸又はメ
タクリル酸の如き不飽和カルボン酸の付加物も用いるこ
とが出来る。
ルコールのアクリル酸エステルおよびメタクリル酸エス
テル例えば、トリメチロールプロパン、トリメチロール
エタン、トリメチロールメタン、ペンタエリスリトー
ル、ジペンタエリスリトール、1,3−ブチレングリコー
ル、1,4−ブチレングリコール、1,6−ヘキサンジオー
ル、プロピレングリコール、トリプロピレングリコー
ル、ポリプロピレングリコール、エチレングリコール、
ポリエチレングリコール、ネオペンチルグリコール、ジ
ブロムネオペンチルグリコール、トリス（２−ヒドロキ
シエチル）イソシアヌル酸のアクリル酸、メタクリル酸
エステルが好ましいものとして挙げられる。またビスフ
ェノールＡのアルキレンオキシド付加体のアクリル酸、
メタクリル酸エステルでたとえば2,2ビス（４−アクリ
ロキシエトキシフェニル）プロパン、2,2ビス（４−ア
クリロキシプロピロキシフェニル）プロパン等も使用可
能である。又、多価エポキシ化合物とアクリル酸又はメ
タクリル酸の如き不飽和カルボン酸の付加物も用いるこ
とが出来る。
上記した（Ｂ）多価ビニルオリゴマーは、フォトマス
クを通しての紫外線照射によって露光部のみが硬化反応
し、該露光部が後述する現像工程において不溶となり、
所望の図版に対応するレジスト膜の形成を可能にするの
である。
クを通しての紫外線照射によって露光部のみが硬化反応
し、該露光部が後述する現像工程において不溶となり、
所望の図版に対応するレジスト膜の形成を可能にするの
である。
上記した（Ｃ）多価エポキシ化合物は、ビスフェノー
ルＡ、ビスフェノールＦ、ノボラック樹脂、クレゾール
ノボラック樹脂等の多価フェノール化合物とエピクロル
ヒドリンの反応によって得られるエポキシ樹脂；無水フ
タル酸、イソフタル酸、アジピン酸等の二塩基酸のグリ
シジルエステル類、ブタンジオール、トレメチロールプ
ロパン、ポリプロピレングリコール、水添加ビスフェノ
ールＡの如き多価アルコールのグリシジルエーテル類；
アニリン、メチレンジアニリン、キシリレンジアミン、
ジアミノベンゾフェノン等のアミン類のグリシジル置換
体；シクロオレフィン類をエポキシ化したいわゆる脂環
族エポキシ化合物；トリグリシジルイソシアヌレート等
が用いられる。
ルＡ、ビスフェノールＦ、ノボラック樹脂、クレゾール
ノボラック樹脂等の多価フェノール化合物とエピクロル
ヒドリンの反応によって得られるエポキシ樹脂；無水フ
タル酸、イソフタル酸、アジピン酸等の二塩基酸のグリ
シジルエステル類、ブタンジオール、トレメチロールプ
ロパン、ポリプロピレングリコール、水添加ビスフェノ
ールＡの如き多価アルコールのグリシジルエーテル類；
アニリン、メチレンジアニリン、キシリレンジアミン、
ジアミノベンゾフェノン等のアミン類のグリシジル置換
体；シクロオレフィン類をエポキシ化したいわゆる脂環
族エポキシ化合物；トリグリシジルイソシアヌレート等
が用いられる。
これ等の（Ｃ）多価エポキシ化合物は、現像後の加熱
処理工程において上記（Ａ）のカルボキシル基含有樹脂
中のカルボキシル基と反応することによって、著しく多
湿環境下における電気絶縁性を向上せしめ、又配線導体
への密着性を向上させる。
処理工程において上記（Ａ）のカルボキシル基含有樹脂
中のカルボキシル基と反応することによって、著しく多
湿環境下における電気絶縁性を向上せしめ、又配線導体
への密着性を向上させる。
上記（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の成分に更に必要に応
じビニル重合可能な単量体を混合しても良いが、これ等
単量体は塗布工程において蒸発してしまうと、使用条件
によってレジスト膜の性質が変化してしまうので沸点が
少なくとも150℃以上、好ましくは200℃以上のものであ
ることが望ましく、又かかる単量体の過剰な使用は、被
膜の粘着性を増大せしめ、作業工程の障害となるのでこ
れ等の障害のない範囲での使用が許される。
じビニル重合可能な単量体を混合しても良いが、これ等
単量体は塗布工程において蒸発してしまうと、使用条件
によってレジスト膜の性質が変化してしまうので沸点が
少なくとも150℃以上、好ましくは200℃以上のものであ
ることが望ましく、又かかる単量体の過剰な使用は、被
膜の粘着性を増大せしめ、作業工程の障害となるのでこ
れ等の障害のない範囲での使用が許される。
上記した（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の配合割合は、
（Ａ）の樹脂のカルボキシル基含有量及び（Ｃ）の多価
エポキシ化合物のエポキシ基含有量等によって適性値が
異なるが、全被膜形成成分のカルボキシル基含有量が酸
価として10〜200であり、カルボキシル基とエポキシ基
の比率が1:0.1〜1:10であるのが一般的だが、最も好ま
しくは1:0.2〜1:1である。
（Ａ）の樹脂のカルボキシル基含有量及び（Ｃ）の多価
エポキシ化合物のエポキシ基含有量等によって適性値が
異なるが、全被膜形成成分のカルボキシル基含有量が酸
価として10〜200であり、カルボキシル基とエポキシ基
の比率が1:0.1〜1:10であるのが一般的だが、最も好ま
しくは1:0.2〜1:1である。
又（Ｂ）の多価ビニルオリゴマーの全被膜形成成分中
の重量割合が10〜40重量％であることが好ましい。
の重量割合が10〜40重量％であることが好ましい。
上記の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）には、光重合開始剤
を加えて紫外線照射部分の硬化を可能にするが、かかる
光重合開始剤としては例えばベンゾフェノン、4,4′−
ビス−（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、4,4′−ビ
ス−（ジエチルアミノ）等のベンゾフェノン類；ベンゾ
イン、ベンゾインブチルエーテル、ベンゾインイソプロ
ピルエーテル等のベンゾインアルキルエーテル類;2,2−
ジエトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−２−フ
ェニルアセトフェノン、2,2−ジクロル−４−フェノキ
シアセトフェノン等のアセトフェノン類;2−ヒドロキシ
−２−メチルプロピオフェノン、４−イソプロピル−２
−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン等のプロピ
オフェノン類;2−エチルアントラキノン、２−ｔ−ブチ
ルアントラキノン、２−クロルアントラキノン等のアン
トラキノン類；ジエチルチオキサントン、ジイソプロピ
ルチオキサントン、クロルチオキサントン等のチオキサ
ントン類；その他ベンジル、１−ヒドロキシシクロヘキ
シルフェニルケトン、２−メチル−〔４−（メチルチ
オ）フェニル〕−２−モルフォリノ−１−プロパン等が
挙げられる。
を加えて紫外線照射部分の硬化を可能にするが、かかる
光重合開始剤としては例えばベンゾフェノン、4,4′−
ビス−（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、4,4′−ビ
ス−（ジエチルアミノ）等のベンゾフェノン類；ベンゾ
イン、ベンゾインブチルエーテル、ベンゾインイソプロ
ピルエーテル等のベンゾインアルキルエーテル類;2,2−
ジエトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−２−フ
ェニルアセトフェノン、2,2−ジクロル−４−フェノキ
シアセトフェノン等のアセトフェノン類;2−ヒドロキシ
−２−メチルプロピオフェノン、４−イソプロピル−２
−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン等のプロピ
オフェノン類;2−エチルアントラキノン、２−ｔ−ブチ
ルアントラキノン、２−クロルアントラキノン等のアン
トラキノン類；ジエチルチオキサントン、ジイソプロピ
ルチオキサントン、クロルチオキサントン等のチオキサ
ントン類；その他ベンジル、１−ヒドロキシシクロヘキ
シルフェニルケトン、２−メチル−〔４−（メチルチ
オ）フェニル〕−２−モルフォリノ−１−プロパン等が
挙げられる。
これら光重合開始剤は単独あるいは混合して用いら
れ、その使用量は全被膜形成成分中の重量割合が0.1〜2
0重量％であり、好ましくは１〜15重量％である。
れ、その使用量は全被膜形成成分中の重量割合が0.1〜2
0重量％であり、好ましくは１〜15重量％である。
本発明に用いる組成物には、更にエポキシ化合物の硬
化剤であるジシアンジアミド類、二塩基酸ヒドラジド
類、イミダゾール類を併用したり、レベリング性、消
泡、密着向上、チクソトロピー性付与等の機能を有する
公知の助剤類、着色剤、充填剤等を配合使用しても良
く、これ等の各成分を通常、有機溶剤は溶解又は分散せ
しめ、導体の露出したプリント配線板上に塗布し、溶剤
を蒸発除去して被膜を形成せしめる。
化剤であるジシアンジアミド類、二塩基酸ヒドラジド
類、イミダゾール類を併用したり、レベリング性、消
泡、密着向上、チクソトロピー性付与等の機能を有する
公知の助剤類、着色剤、充填剤等を配合使用しても良
く、これ等の各成分を通常、有機溶剤は溶解又は分散せ
しめ、導体の露出したプリント配線板上に塗布し、溶剤
を蒸発除去して被膜を形成せしめる。
本発明においては、次に被膜を形成したプリント配線
板に、所望の図版のフォトマスクを通し、紫外線を照射
する。このフォトマスクは、被膜上に密着させても、又
被膜から一定の距離をおき、紫外線を平行光線として露
光してもいずれでも良い。
板に、所望の図版のフォトマスクを通し、紫外線を照射
する。このフォトマスクは、被膜上に密着させても、又
被膜から一定の距離をおき、紫外線を平行光線として露
光してもいずれでも良い。
紫外線露光部は光重合開始剤の分解によりラジカル種
を発生し、上記（Ｂ）の多価ビニルオリゴマー及び併用
する場合のあるビニル重合可能な単量体の重合反応がお
こる。
を発生し、上記（Ｂ）の多価ビニルオリゴマー及び併用
する場合のあるビニル重合可能な単量体の重合反応がお
こる。
本発明においては、現像は第３級アミン又は第３級ア
ルカノールアミンの水溶液によって行われる。第３級ア
ミン又は第３級アルカノールアミンとしては、例えばト
リメチルアミン、トリエチルアミン、トレブチルアミ
ン、ジメチルベンジルアミン、トリエタノールアミン、
トリイソパノールアミン、ジメチルエタノールアミン、
ジエチルエタノールアミン等が用いらる。これらは、通
常0.1〜10重量％の水溶液として用いられる。
ルカノールアミンの水溶液によって行われる。第３級ア
ミン又は第３級アルカノールアミンとしては、例えばト
リメチルアミン、トリエチルアミン、トレブチルアミ
ン、ジメチルベンジルアミン、トリエタノールアミン、
トリイソパノールアミン、ジメチルエタノールアミン、
ジエチルエタノールアミン等が用いらる。これらは、通
常0.1〜10重量％の水溶液として用いられる。
上記の第３級アミン又は第３級アルカノールアミンの
水溶液に接触せしめることによって紫外線未露光部は溶
出し、露光部のみがプリント配線板上に被膜として残存
し現像が完了する。
水溶液に接触せしめることによって紫外線未露光部は溶
出し、露光部のみがプリント配線板上に被膜として残存
し現像が完了する。
本発明においては、上記の如く現像を行った後通常10
0℃ないし200℃程度の温度において加熱処理を行い、残
存する第３級アミン又は第３級アルカノールアミンを蒸
発除去せしめる。加熱温度及び時間は、特に限定されな
いが、通常100℃であれば10分以上、150℃であれば３分
以上、200℃であれば20秒以上であることが好ましい。
勿論該上限の温度及び時間はプリント配線板の熱劣化や
変形が起こらない範囲において許容される。この加熱工
程において現像時に被膜表面部に塩を形成して存在する
第３級アミン又は第３級アルカノールアミンが解離し、
被膜中のカルボキシル基とエポキシ基の架橋反応を促進
すると共に、蒸発除去され強固に硬化したレジスト膜が
形成されるのである。
0℃ないし200℃程度の温度において加熱処理を行い、残
存する第３級アミン又は第３級アルカノールアミンを蒸
発除去せしめる。加熱温度及び時間は、特に限定されな
いが、通常100℃であれば10分以上、150℃であれば３分
以上、200℃であれば20秒以上であることが好ましい。
勿論該上限の温度及び時間はプリント配線板の熱劣化や
変形が起こらない範囲において許容される。この加熱工
程において現像時に被膜表面部に塩を形成して存在する
第３級アミン又は第３級アルカノールアミンが解離し、
被膜中のカルボキシル基とエポキシ基の架橋反応を促進
すると共に、蒸発除去され強固に硬化したレジスト膜が
形成されるのである。
上記の如くして形成されたレジスト膜は、多湿環境下
においてもすぐれた電気絶縁性を示し、すぐれた信頼性
高密度プリント配線板の製造を可能にした。
においてもすぐれた電気絶縁性を示し、すぐれた信頼性
高密度プリント配線板の製造を可能にした。
以下、実施例により本発明をより具体的に説明する。
実施例１ （ａ）50％メチルメタクリレート 20％ブチルアクリレート 10％エチルアクリレート 20％メタクリル酸からなる共重合体（酸価130） （50％メチルエチルケトン溶液で粘度測定6500cps 25
℃） 45（重量部） （ｂ）エピコート828（シェル社製） 30 （ｃ）トリメチロールプロパントリアクリレート10
（ｄ）アロニックスＭ−315（東亜合成化学社製） ５
（ｅ）ベンゾフェノン ４ （ｆ）4,4−ビス−（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン
２ （ｇ）カマヤ−PM−２（日本化薬社製） ３ （ｈ）フタロシアニングリーン ３ （ｉ）メチルエチルケトン 100 上記の配合にて感光液を調整し、導体の露出したプリ
ント配線板上にドクターブレードを用いて均一に塗布
後、70℃で10分間乾燥させる。乾燥した塗膜の膜厚は銅
回路上で21μであった。
℃） 45（重量部） （ｂ）エピコート828（シェル社製） 30 （ｃ）トリメチロールプロパントリアクリレート10
（ｄ）アロニックスＭ−315（東亜合成化学社製） ５
（ｅ）ベンゾフェノン ４ （ｆ）4,4−ビス−（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン
２ （ｇ）カマヤ−PM−２（日本化薬社製） ３ （ｈ）フタロシアニングリーン ３ （ｉ）メチルエチルケトン 100 上記の配合にて感光液を調整し、導体の露出したプリ
ント配線板上にドクターブレードを用いて均一に塗布
後、70℃で10分間乾燥させる。乾燥した塗膜の膜厚は銅
回路上で21μであった。
次に所望のフォトマスクを通して5KWの超高圧水銀灯
（距離50cm）（オーク製作所製）にて90秒間露光した。
積算光量は400mJ/cm2であった。
（距離50cm）（オーク製作所製）にて90秒間露光した。
積算光量は400mJ/cm2であった。
露光した塗膜を２重量％のトリエタノールアミン水溶
液で（30℃）を用いて２分間浸漬することにより現像を
行った。未露光部は容易に現像され所望の画像が得られ
た。更に150℃にて30分間加熱処理を行った。この塗膜
の鉛筆硬度（JIS D−0202）は5Hであり、クロスカット
後の密着性（JIS D−0202）は100/100であった。またこ
の塗膜はアセトン、メチルエチルケトン、トリクレン、
トリクロルエタンの有機溶剤に各12時間浸漬後も何の異
常も認められなかった。更に10％塩酸、10％硫酸、10％
水酸化ナトリウム水溶液に12時間浸漬後も塗膜には全く
欠陥は無かった。更にクロスカット後の密着性（JIS D
−0202）も全て100/100であった。
液で（30℃）を用いて２分間浸漬することにより現像を
行った。未露光部は容易に現像され所望の画像が得られ
た。更に150℃にて30分間加熱処理を行った。この塗膜
の鉛筆硬度（JIS D−0202）は5Hであり、クロスカット
後の密着性（JIS D−0202）は100/100であった。またこ
の塗膜はアセトン、メチルエチルケトン、トリクレン、
トリクロルエタンの有機溶剤に各12時間浸漬後も何の異
常も認められなかった。更に10％塩酸、10％硫酸、10％
水酸化ナトリウム水溶液に12時間浸漬後も塗膜には全く
欠陥は無かった。更にクロスカット後の密着性（JIS D
−0202）も全て100/100であった。
一方、この塗膜を270℃にハンダ浴に30秒間浸漬して
も塗膜のフクレやハガレは全く無く、通常のハンダ付け
やハンダエアーレベターにも充分耐える事が分かった。
も塗膜のフクレやハガレは全く無く、通常のハンダ付け
やハンダエアーレベターにも充分耐える事が分かった。
絶縁抵抗値（JIS−Ｚ−3197クシ型電極）を測定した
が、初期値5.2×1013Ωで60℃、95％の湿度下で10000時
間後の値は8.3×1012Ωであった。
が、初期値5.2×1013Ωで60℃、95％の湿度下で10000時
間後の値は8.3×1012Ωであった。
これらの事から得られた保護被膜はプリント配線板用
ソルダーレジストとして充分な特性を有する事が分かっ
た。
ソルダーレジストとして充分な特性を有する事が分かっ
た。
実施例２〜５ 次の感光組成物を製造した。
（例２） （ａ）45％スチレン 45％メチルメタクリレート 10％メタクリル酸からなる共重合体（酸価65） （50％メチルエチルケトン溶液で粘度測定4500cps25
℃） 40 （重量部） エピコート100/（シェル社製） 20 （ｃ）トリメチロールプロパントリアクリレート15
（ｄ）ペンタエリスリトールトリアクリレート15
（ｅ）ベンゾフェノン ５ （ｆ）4,4−ビス−（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン
２ （ｇ）カマヤ−PM−２（日本化薬社製）２ （ｈ）フタロシアニングリーン 2.5 （ｉ）ブチルセロソルブアセテート 100 （例３） （ａ）1:1のスチレンマレイン酸共重合物のモノブチル
エステル化合物（酸価204） （50％メチルエチルケトン溶液で粘度測定9500cps25
℃） 75 （重量部） （ｂ）トリグリシジルイソシアヌレート20 （ｃ）ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート15
（ｄ）２−ヒドロキシエチルメタクリレート５
（ｅ）ベンゾフェノン ４ （ｆ）4,4−ビス−（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン
２ （ｇ）１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン２
（ｈ）ベンゾトリアゾール 1.5 （ｉ）フタロシアニングリーン ３ （ｊ）セロソルブアセテート 150 （例４） 例３の感光性組成物100重量部にタルク30重量部、ア
エロジル２重量部を加え、三本ロール等の混練機を用い
て均一に分散し、スクリーン印刷可能な粘調液体を製造
した。
℃） 40 （重量部） エピコート100/（シェル社製） 20 （ｃ）トリメチロールプロパントリアクリレート15
（ｄ）ペンタエリスリトールトリアクリレート15
（ｅ）ベンゾフェノン ５ （ｆ）4,4−ビス−（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン
２ （ｇ）カマヤ−PM−２（日本化薬社製）２ （ｈ）フタロシアニングリーン 2.5 （ｉ）ブチルセロソルブアセテート 100 （例３） （ａ）1:1のスチレンマレイン酸共重合物のモノブチル
エステル化合物（酸価204） （50％メチルエチルケトン溶液で粘度測定9500cps25
℃） 75 （重量部） （ｂ）トリグリシジルイソシアヌレート20 （ｃ）ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート15
（ｄ）２−ヒドロキシエチルメタクリレート５
（ｅ）ベンゾフェノン ４ （ｆ）4,4−ビス−（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン
２ （ｇ）１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン２
（ｈ）ベンゾトリアゾール 1.5 （ｉ）フタロシアニングリーン ３ （ｊ）セロソルブアセテート 150 （例４） 例３の感光性組成物100重量部にタルク30重量部、ア
エロジル２重量部を加え、三本ロール等の混練機を用い
て均一に分散し、スクリーン印刷可能な粘調液体を製造
した。
（例５） （ａ）48％無水フタル酸 45％水添ビスフェノールＡ ７％トリメチロールプロパンからなるボリエステル樹脂
（酸価67） （50％メチルエチルケトン溶液12800cps25℃）55 （重
量部） （ｂ）クレゾールノボラック型エポキシ樹脂15
（日本化薬社製EOCN−103） （ｃ）アロニックスＭ−325（東亜合成化学社製） 20
（ｄ）トリメチロールプロパントリアクリレート10
（ｅ）２−ヒドロキシエチルアクリレート５
（ｆ）２−メチル−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−
２−モルフォリノ−１−プロパン ３ （ｇ）ｔ−ブチルアントラキノン ３ （ｈ）ｐ−ジメチルアミノ安息香酸エチメステル２
（ｉ）ベンゾトリアゾール 1.5 （ｊ）フタロシアニングリー ３ （ｋ）ブチルセロソルブ／トルエンの1/1混合溶剤 85
以上の感光液をそれぞれ調整し、実施例１と同様に導
体の露出したプリント配線板上にドクターブレードを用
いて均一に塗布した。ただし例４は150メッシュのポリ
エステルモノフィラメントスクリーンを用いてスクリー
ン印刷する事により塗布した。塗布後80℃で15分間乾燥
する事により溶剤を蒸発除去しタックのない被膜を形成
した。次に所望のフォトマスクヲ通して5KWの超高圧水
銀灯（実施例１と同様）を用いて２分間露光した。露光
後、２重量％のトリエタノールアミンまたは1.5重量％
のトリエチルアミン水溶液（30℃）にてそれそれ２分間
浸漬する事により現像を行った。未露光部は溶解され所
望の画像が得られた。更に140℃で40分間加熱処理を行
い、被膜を完全硬化させた。
（酸価67） （50％メチルエチルケトン溶液12800cps25℃）55 （重
量部） （ｂ）クレゾールノボラック型エポキシ樹脂15
（日本化薬社製EOCN−103） （ｃ）アロニックスＭ−325（東亜合成化学社製） 20
（ｄ）トリメチロールプロパントリアクリレート10
（ｅ）２−ヒドロキシエチルアクリレート５
（ｆ）２−メチル−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−
２−モルフォリノ−１−プロパン ３ （ｇ）ｔ−ブチルアントラキノン ３ （ｈ）ｐ−ジメチルアミノ安息香酸エチメステル２
（ｉ）ベンゾトリアゾール 1.5 （ｊ）フタロシアニングリー ３ （ｋ）ブチルセロソルブ／トルエンの1/1混合溶剤 85
以上の感光液をそれぞれ調整し、実施例１と同様に導
体の露出したプリント配線板上にドクターブレードを用
いて均一に塗布した。ただし例４は150メッシュのポリ
エステルモノフィラメントスクリーンを用いてスクリー
ン印刷する事により塗布した。塗布後80℃で15分間乾燥
する事により溶剤を蒸発除去しタックのない被膜を形成
した。次に所望のフォトマスクヲ通して5KWの超高圧水
銀灯（実施例１と同様）を用いて２分間露光した。露光
後、２重量％のトリエタノールアミンまたは1.5重量％
のトリエチルアミン水溶液（30℃）にてそれそれ２分間
浸漬する事により現像を行った。未露光部は溶解され所
望の画像が得られた。更に140℃で40分間加熱処理を行
い、被膜を完全硬化させた。
以下に得られたレジスト膜を実施例１に従い、特性を
評価しその結果を表１に示す。
評価しその結果を表１に示す。
（比較例１〜５） 実施例１〜５の感光液を用いて例１の作業工程に従
い、レジスト膜を形成させたが現像工程のみトリエタノ
ールアミンまたはトリエチルアミンの代わりに２重量％
の炭酸ナトリウム水溶液を用い て現像を行い、例１に従いレジスト膜の特性を評価し
た。その結果を表２に示す。
い、レジスト膜を形成させたが現像工程のみトリエタノ
ールアミンまたはトリエチルアミンの代わりに２重量％
の炭酸ナトリウム水溶液を用い て現像を行い、例１に従いレジスト膜の特性を評価し
た。その結果を表２に示す。
以上の結果から現像液としてアミン系水溶液を用いな
ければレジスト膜の特性として特に耐溶剤性、耐酸・ア
ルカリ性、高温高湿下での絶縁抵抗値が著しく低下する
ことがわかる。
ければレジスト膜の特性として特に耐溶剤性、耐酸・ア
ルカリ性、高温高湿下での絶縁抵抗値が著しく低下する
ことがわかる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−169143（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−114141（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−8145（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−175636（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】導体の露出したプリント配線板上に （Ａ）酸価30〜500のカルボキシル基含有樹脂 （Ｂ）多価ビニルオリゴマー （Ｃ）多価エポキシ化合物 に、光重合開始剤を配合してなる組成物の被膜を形成
し、所望の図版のフォトマスクを通し紫外線照射を行っ
た後、未露光部を第３級アミン又は第３級アルカノール
アミン水溶液にて現像除去し、しかる後に加熱処理によ
って露光部被膜表面部に存在する第３級アミン又は第３
級アルカノールアミンを解離せしめ、該被膜中のカルボ
キシル基とエポキシ基の架橋反応を促進せしめると共
に、蒸発除去せしめて強固に硬化したレジスト膜を形成
することを特徴とするレジスト膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61154094A JP2553048B2 (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | レジスト膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61154094A JP2553048B2 (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | レジスト膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63106651A JPS63106651A (ja) | 1988-05-11 |
| JP2553048B2 true JP2553048B2 (ja) | 1996-11-13 |
Family
ID=15576776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61154094A Expired - Fee Related JP2553048B2 (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | レジスト膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2553048B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS568145A (en) * | 1979-07-02 | 1981-01-27 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | Plate making method using silver complex salt diffusion transfer process |
| JPS57114141A (en) * | 1981-01-06 | 1982-07-15 | San Ei Chem Ind Ltd | Increasing method for developing power of developer for positive type photosensitive resin |
| JPS58169143A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 重合画像形成方法 |
| JPS61175636A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-07 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 感光性樹脂印刷版用現像処理剤 |
-
1986
- 1986-07-02 JP JP61154094A patent/JP2553048B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63106651A (ja) | 1988-05-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |