JP2551995B2 - 光メモリ素子 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光メモリ素子、特に、接着剤により貼り付
けられる保護基板を有する光メモリ素子に関するもので
ある。

〔従来の技術〕 従来、光メモリ素子としては、読出し専用型メモリ、
追加記録可能型メモリ及び書換え可能型メモリが知られ
ている。第10図に、その内の書換え可能型光メモリ素子
の一例を示す。

すなわち、この書換え可能型光メモリ素子は、透光性
を有する基板１の表面に磁気記録膜２を形成し、磁気記
録膜２の裏面側に接着剤層３を介して保護用基板４を接
着して構成されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、上記の光メモリ素子においては、基板１と
保護用基板４とを接着剤層３により接着する際に、接着
剤層３内に気泡５・５…が生じる問題がある。特にこの
ようにして生じた気泡５・５…が磁気記録膜２に接して
いると、磁気記録膜２にレーザ光を照射して昇温させな
がら磁気的に記録を行う際に、気泡５・５…の部位では
接着剤層３より熱伝導性が悪くなるため、磁気記録膜２
における気泡５・５…に面した部位と接着剤層３に面し
た部位とで記録ビットの大きさにばらつきが生じ、信号
特性が悪化するものである。

又、気泡５・５…が外気に接していると、気泡５・５
…の部位から磁気記録膜２に劣化が生じる不具合もあ
る。

以上では片面記録型の光メモリ素子について説明した
が、第11図に示すように、それぞれ磁気記録膜７・７を
形成した２枚の基板６・６を接着剤層８を介して貼り合
わせてなる両面記録型の光メモリ素子においても、接着
剤層８内に気泡９・９…が発生することにより、片面記
録型の光メモリ素子の場合と同様の問題が生じるもので
あった。

なお、真空引等の手段で上記の接着剤層３・８内の気
泡５・５…、９・９…を除去することも考えられるが、
その場合は作業が極めて煩雑になるという問題がある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係る光メモリ素子は、上記の課題を解決する
ために、基板上に磁気記録膜を形成し、この磁気記録膜
上に接着剤層を介して保護用基板を接着してなる光メモ
リ素子において、上記保護用基板には、保護用基板の厚
み方向に延び接着剤層と外気とを連通する複数の孔と、
接着剤層側に形成され保護用基板の中心から放射状に延
びてその外周端が外気に連通した複数の溝とが形成され
ていることを特徴とするものである。

〔作 用〕

上記の構成によれば、保護用基板に接着剤層と外気と
を連通する通路として、保護用基板の厚み方向に延びる
複数の孔と、放射状に延びる複数の溝とを形成したの
で、保護用基板を接着する際に接着剤層内に生じる気泡
は上記複数の孔及び溝を介して外部に放出されるように
なり、接着剤層内に気泡が残存する恐れは少なくなる。

〔実施例１〕 本発明の一実施例を第１図乃至第３図に基づいて説明
すれば、以下の通りである。

第１図及び第２図に示すように、光メモリ素子10は、
透光性の基板11と、基板11上に形成された磁気記録膜12
とを備えている。磁気記録膜12は膜面に対し垂直な方向
に磁化容易軸を有している。

磁気記録膜12上には接着剤層13を介して保護用基板14
が接着されている。保護用基板14はその厚み方向に延
び、接着剤層13と外気とを連通する通路としての複数の
孔15・15…を有し、孔15・15…内には接着剤層13から流
出した接着剤13a・13a…が充填されている。

この光メモリ素子10においては、周知のように、基板
11を通して磁気記録膜12にレーザ光を照射して昇温させ
ながら磁場を印加することにより、記録・消去が行われ
る。又、基板11を介して磁気記録膜12にレーザ光を照射
することにより、磁気光学効果を利用して情報の再生が
行える。

以下、上記の光メモリ素子10の製造手順を説明する。

まず、第３図（ａ）に示すように、ガラス又は透光性
の樹脂等からなる基板11に蒸着、スパッタリング等によ
り磁気記録膜12を所定の膜厚で形成し、引続き、磁気記
録膜12に、例えば、紫外線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂等
からなる接着剤を塗布して接着剤層13を形成する。

次に、第３図（ｂ）のように、接着剤層13上に保護用
基板14を載せ、下方に加圧する。そうすると、接着剤層
13内に気泡16・16…が存在する場合、これらの気泡16・
16…は第３図（ｃ）に示すように、保護用基板14の孔15
・15…を通して外部に放出される。更に、接着剤層13の
一部の接着剤13a・13a…が孔15・15…内に流入し、孔15
・15…が閉塞される。

その後、接着剤層13の種類に応じて、紫外線照射又は
加熱等を行い、孔15・15…内の接着剤13a・13a…を含む
接着剤13を硬化させる。

〔実施例２〕 次に、第４図乃至第６図に基づいて第２実施例を説明
する。

第４図（ａ）（ｂ）及び第５図に示すように、この光
メモリ素子17は、第１実施例の光メモリ素子10と基本的
に同一の構成を有している。但し、光メモリ素子17に
は、保護用基板14に孔15・15…に代えて、外気との通路
として接着剤層13側に複数の18・18…が形成されてい
る。すなわち、保護用基板14には、接着剤層13に接しな
がら保護用基板14の中心から放射状に延び、その外周端
が外気に連通した複数の溝18・18…が形成されている。
なお、第１実施例と共通の構成を有する部位には同一の
参照番号を付して示している。

以下、光メモリ素子17の製造手順を説明する。

第１実施例と同様に、まず、第６図（ａ）に示すよう
に、基板11上に磁気記録膜12を形成し、続いて、磁気記
録膜12上に接着剤を塗布して接着剤層13を形成する。

次に、第６図（ｂ）に示すように、接着剤層13上に保
護用基板14を載せ、下方に加圧すると、接着剤層13内に
気泡16・16…が存在する場合、これらの気泡16・16…が
第６図（ｃ）に示すように、溝18・18…を通して外部に
放出される。更に、溝18・18…内に接着剤層13の一部の
接着剤13a・13a…が流入し、溝18・18…が接着剤13a・1
3a…により閉塞される。その後、接着剤層13の種類に応
じた方法で接着剤層13が硬化される。

〔実施例３〕 次に、第７図及び第８図に基づいて第３実施例を説明
する。

第７図（ａ）（ｂ）及び第８図に示すように、第３実
施例における光メモリ素子20は第１及び第２実施例を組
み合わせてなるもので、保護用基板14に厚み方向に延び
る複数の孔15・15…と、放射状に延びる複数の溝18・18
…とが、気泡を放出するための通路として設けられてい
る。この光メモリ素子20の製造手順は詳述しないが、保
護用基板14を貼り付ける際に、接着剤層13内の気泡16・
16…が孔15・15…及び溝18・18…を通して外部に放出さ
れるので、気泡16・16…が接着剤層13内に残存する恐れ
が一層少なくなる。

〔実施例４〕 続いて第９図に基づいて第４実施例を説明する。

この第４実施例は両面記録型の光メモリ素子に関する
ものである。

すなわち、この光メモリ素子21はポリカーボネイト等
の樹脂又はAl等の金属等からなる透明又は不透明な基板
22と、基板22の両面にそれぞれ形成された１対の磁気記
録膜23・23とを備えている。

磁気記録膜23・23上には、それぞれ接着剤層24・24を
介して保護用基板25・25が貼り付けられている。各保護
用基板25は透光性樹脂等の透明部材からなり、かつ、そ
の厚み方向に延びる複数の孔26・26…が、気泡を放出す
るための通路として設けられている。なお、接着剤層24
をなす接着剤としては透光性を有し、かつ、その屈折率
が保護用基板25の屈折率とほぼ等しいものが使用されて
いる。

光メモリ素子21の製造に際しては、まず、基板22上に
磁気記録膜23・23が蒸着、スパッタリング等により形成
され、続いて、磁気記録膜23・23上に、例えば、紫外線
硬化型樹脂から成る接着剤が塗布されて接着剤層24・24
が形成される。

次に、接着剤層24・24上に保護用基板25・25が載せら
れ、基板22側に加圧される。これにより、接着剤層24・
24内に気泡が存在している場合、その気泡が保護用基板
25の孔26・26…を通して外部に放出される。更に、接着
剤層24・24の一部の接着剤24a・24a…が孔26・26…内に
流入し、孔26・26…が閉塞される。その後、接着剤層24
・24の種類に応じた方法で、接着剤層24・24の硬化が行
われる。

上記の光メモリ素子21においては、保護用基板25・25
を介して磁気記録膜23・23にレーザ光を照射しながら磁
場を印加することにより、磁気記録膜23・23に情報の記
録又は消去が行われる。又、保護用基板25・25を介して
磁気記録膜23・23にレーザ光を照射することにより、磁
気光学効果を利用して情報の再生が行われる。その場
合、保護用基板25・25は透光性材料により形成されると
ともに、接着剤層24・24が保護用基板25・25と屈折率の
ほぼ等しい透光性の接着剤により形成されているため、
情報の記録・再生・消去は円滑に行われ、信号再生品質
も高レベルに維持できるものである。

〔発明の効果〕

本発明に係る光メモリ素子の製造方法は、以上のよう
に、基板上に磁気記録膜を形成し、この磁気記録膜上に
接着剤層を介して保護用基板を接着してなる光メモリ素
子において、上記保護用基板には、保護用基板の厚み方
向に延び接着剤層と外気とを連通する複数の孔と、接着
剤層側に形成され保護用基板の中心から放射状に延びて
その外周端が外気に連通した複数の溝とが形成されてい
る構成である。

これにより、保護用基板を接着する際に接着剤層内に
生じる気泡は保護用基板に設けられた複数の孔及び溝を
介して外部に放出され、接着剤層内に気泡が残存する恐
れは少なくなる。

従って、磁気記録膜に気泡が接触することによる記録
ビットのサイズのばらつき等の信号特性の劣化が抑制さ
れ、又、磁気記録膜が気泡を介して外気と接触すること
による磁気記録膜の劣化も生じにくくなる。

その上、真空引等の特別の作業を行うことなく、容易
に接着剤層内の気泡を放出することができるようにな
る。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第３図は本発明の実施例を示すものである。 第１図は第２図のＡ−Ａ線に沿う光メモリ素子の拡大縦
断面部分図である。 第２図は光メモリ素子の平面図である。 第３図（ａ）〜（ｃ）は光メモリ素子の製造手順を示す
拡大縦断面部分図である。 第４図乃至第６図は本発明の他の実施例を示すものであ
る。 第４図（ａ）は第５図のＢ−Ｂ線に沿う光メモリ素子の
拡大縦断面部分図である。 第４図（ｂ）は第５図のＣ−Ｃ線に沿う光メモリ素子の
拡大縦断面部分図である。 第５図は光メモリ素子の平面図である。 第６図（ａ）〜（ｃ）は光メモリ素子の製造手順を示す
拡大縦断面部分図である。 第７図及び第８図は本発明の更に他の実施例を示すもの
である。 第７図（ａ）は第８図のＤ−Ｄ線に沿う光メモリ素子の
拡大縦断面部分図である。 第７図（ｂ）は第８図Ｅ−Ｅ線に沿う光メモリ素子の拡
大縦断面部分図である。 第８図は光メモリ素子の平面図である。 第９図は本発明の異なる実施例におけ光メモリ素子の拡
大縦断面部分図である。 第10図及び第11図はそれぞれ従来の光メモリ素子を示す
拡大縦断面部分図である。 10・17・20・21は光メモリ素子、11・22は基板、12・23
は磁気記録膜、13・24は接着剤層、14・25は保護用基
板、15・26は孔、16は気泡、18は溝である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 石川 俊夫 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に磁気記録膜を形成し、この磁気記
   録膜上に接着剤層を介して保護用基板を接着してなる光
   メモリ素子において、 上記保護用基板には、保護用基板の厚み方向に延び接着
   剤層と外気とを連通する複数の孔と、接着剤層側に形成
   された保護用基板の中心から放射状に延びてその外周端
   が外気に連通した複数の溝とが形成されていることを特
   徴とする光メモリ素子。