JPH02301039A - 光メモリ素子 - Google Patents
光メモリ素子Info
- Publication number
- JPH02301039A JPH02301039A JP12181989A JP12181989A JPH02301039A JP H02301039 A JPH02301039 A JP H02301039A JP 12181989 A JP12181989 A JP 12181989A JP 12181989 A JP12181989 A JP 12181989A JP H02301039 A JPH02301039 A JP H02301039A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical memory
- memory element
- substrate
- magnetic recording
- adhesive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 43
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 32
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 6
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光メモリ素子、特に、接着剤により貼り付け
られる保護基板を有する光メモリ素子に関するものであ
る。
られる保護基板を有する光メモリ素子に関するものであ
る。
従来、光メモリ素子としては、読出し専用型メモリ、追
加記録可能型メモリ及び書換え可能型メモリが知られて
いる。第10図に、その内の書換え可能型光メモリ素子
の一例を示す。
加記録可能型メモリ及び書換え可能型メモリが知られて
いる。第10図に、その内の書換え可能型光メモリ素子
の一例を示す。
すなわち、この書換え可能型光メモリ素子は、透光性を
有する基板lの表面に磁気記録膜2を形成し、磁気記録
膜2の裏面側に接着剤[3を介して保護用基板4を接着
して構成されている。
有する基板lの表面に磁気記録膜2を形成し、磁気記録
膜2の裏面側に接着剤[3を介して保護用基板4を接着
して構成されている。
ところが、上記の光メモリ素子においては、基板1と保
護用基板4とを接着剤N3により接着する際に、接着剤
層3内に気泡5・5・・・が生じる問題がある。特に、
このようにして生じた気泡5・5・・・が磁気記録膜2
に接していると、磁気記録膜2にレーザ光を照射して昇
温させながら磁気的に記録を行う際に、気泡5・5・・
・の部位では接着剤層3より熱伝導性が悪くなるため、
磁気記録膜2における気泡5・5・・・に面した部位と
接着剤層3に面した部位とで記録ビットの大きさにばら
つきが生じ、信号特性が悪化するもの宅ある。
護用基板4とを接着剤N3により接着する際に、接着剤
層3内に気泡5・5・・・が生じる問題がある。特に、
このようにして生じた気泡5・5・・・が磁気記録膜2
に接していると、磁気記録膜2にレーザ光を照射して昇
温させながら磁気的に記録を行う際に、気泡5・5・・
・の部位では接着剤層3より熱伝導性が悪くなるため、
磁気記録膜2における気泡5・5・・・に面した部位と
接着剤層3に面した部位とで記録ビットの大きさにばら
つきが生じ、信号特性が悪化するもの宅ある。
又、気泡5・5・・・が外気に接していると、気泡5・
5・・・の部位から磁気記録膜2に劣化が生じる不具合
もある。
5・・・の部位から磁気記録膜2に劣化が生じる不具合
もある。
以上では片面記録型の光メモリ素子について説明したが
、第11図に示すように、それぞれ磁気記録1117・
7を形成した2枚の基板6・6を接着剤層8を介して貼
り合わせてなる両面記録型の光メモリ素子においても、
接着剤層8内に気泡9・9・・・が発生することにより
、片面記録型の光メモリ素子の場合と同様の問題が生じ
るものであった。
、第11図に示すように、それぞれ磁気記録1117・
7を形成した2枚の基板6・6を接着剤層8を介して貼
り合わせてなる両面記録型の光メモリ素子においても、
接着剤層8内に気泡9・9・・・が発生することにより
、片面記録型の光メモリ素子の場合と同様の問題が生じ
るものであった。
なお、真空引等の手段で上記の接着剤層3・8内の気泡
5・5・・・、9・9・・・を除去することも考えられ
るが、その場合は作業が極めて煩雑になるという問題が
ある。
5・5・・・、9・9・・・を除去することも考えられ
るが、その場合は作業が極めて煩雑になるという問題が
ある。
本発明に係る光メモリ素子は、上記の課題を解決するた
めに、基板上に磁気記録膜を形成し、この磁気記録膜上
に接着剤層を介して保護用基板を接着してなる光メモリ
素子において、上記保護用基板に接着剤層と外気とを連
通ずる通路が形成されていることを特徴とするものであ
る。
めに、基板上に磁気記録膜を形成し、この磁気記録膜上
に接着剤層を介して保護用基板を接着してなる光メモリ
素子において、上記保護用基板に接着剤層と外気とを連
通ずる通路が形成されていることを特徴とするものであ
る。
上記の構成によれば、保護用基板に接着剤層と外気とを
連通ずる通路を形成したので、保護用基板を接着する際
に接着剤層内に生じる気泡は保護用裁板内の通路を介し
て外部に放出されるようになり、接着剤層内に気泡が残
存する恐れは少なくなる。
連通ずる通路を形成したので、保護用基板を接着する際
に接着剤層内に生じる気泡は保護用裁板内の通路を介し
て外部に放出されるようになり、接着剤層内に気泡が残
存する恐れは少なくなる。
〔実施例1〕
本発明の一実施例を第1図乃至第3図に基づいて説明す
れば、以下の通りである。
れば、以下の通りである。
第1図及び第2図に示すように、光メモリ素子lOは、
透光性の基板11と、基板11上に形成された磁気記録
膜12とを備えている。磁気記録膜12は膜面に対し垂
直な方向に磁化容易軸を有している。
透光性の基板11と、基板11上に形成された磁気記録
膜12とを備えている。磁気記録膜12は膜面に対し垂
直な方向に磁化容易軸を有している。
磁気記録膜12上には接着剤層13を介して保護用基板
14が接着されている。保護用基板14はその厚み方向
に延び、接着剤層13と外気とを連通ずる通路としての
複数の孔15・15・・・を有し、孔15・15・・・
内には接着剤層13から流出した接着剤13a −13
a・・・が充填されている。
14が接着されている。保護用基板14はその厚み方向
に延び、接着剤層13と外気とを連通ずる通路としての
複数の孔15・15・・・を有し、孔15・15・・・
内には接着剤層13から流出した接着剤13a −13
a・・・が充填されている。
この光メモリ素子10においては、周知のように、基板
11を通して磁気記録膜12にレーザ光を照射して昇温
させながら磁場を印加することにより、記録・消去が行
われる。又、基板11を介して磁気記録膜12にレーザ
光を照射することにより、磁気光学効果を利用して情報
の再生が行える。
11を通して磁気記録膜12にレーザ光を照射して昇温
させながら磁場を印加することにより、記録・消去が行
われる。又、基板11を介して磁気記録膜12にレーザ
光を照射することにより、磁気光学効果を利用して情報
の再生が行える。
以下、上記の光メモリ素子lOの製造手順を説明する。
まず、第3図(a)に示すように、ガラス又は透光性の
樹脂等からなる基板11に蒸着、スパッタリング等によ
り磁気記録膜12を所定の膜厚で形成し、引続き、磁気
記録膜12に、例えば、紫外線硬化型樹脂、熱硬化型樹
脂等からなる接着剤を塗布して接着剤層13を形成する
。
樹脂等からなる基板11に蒸着、スパッタリング等によ
り磁気記録膜12を所定の膜厚で形成し、引続き、磁気
記録膜12に、例えば、紫外線硬化型樹脂、熱硬化型樹
脂等からなる接着剤を塗布して接着剤層13を形成する
。
次に、第3図(b)のように、接着剤層13上に保護用
基板14を載せ、下方に加圧する。そうすると、接着剤
層13内に気泡16・16・・・が存在する場合、これ
らの気泡16・l’ 6・・・は第3図(c)に示すよ
うに、保護用基板14の孔15・15・・・を通して外
部に放出される。更に、接着剤層13の一部の接着剤1
3a−13a・・・が孔15・15・・・内に流入し、
孔15・15・・・が閉塞される。
基板14を載せ、下方に加圧する。そうすると、接着剤
層13内に気泡16・16・・・が存在する場合、これ
らの気泡16・l’ 6・・・は第3図(c)に示すよ
うに、保護用基板14の孔15・15・・・を通して外
部に放出される。更に、接着剤層13の一部の接着剤1
3a−13a・・・が孔15・15・・・内に流入し、
孔15・15・・・が閉塞される。
その後、接着剤層13の種類に応じて、紫外線照射又は
加熱等を行い、孔15・15・・・内の接着剤13a−
13a・・・を含む接着剤層13を硬化させる。
加熱等を行い、孔15・15・・・内の接着剤13a−
13a・・・を含む接着剤層13を硬化させる。
〔実施例2〕
次に、第4図乃至第6図に基づいて第2実施例を説明す
る。
る。
第4図(a)(b)及び第5図に示すように、この光メ
モリ素子17は、第1実施例の光メモリ素子lOと基本
的に同一の構成を有している。但し、光メモリ素子17
では、保護用基板14に孔15・15・・・に代えて、
接・着剤層13に接しながら放射状に延び、外周端が外
気に連通した、通路としての複数の溝18・18・・・
が形成されている。なお、第1実施例と共通の構成を有
する部位には同一の参照番号を付して示している。
モリ素子17は、第1実施例の光メモリ素子lOと基本
的に同一の構成を有している。但し、光メモリ素子17
では、保護用基板14に孔15・15・・・に代えて、
接・着剤層13に接しながら放射状に延び、外周端が外
気に連通した、通路としての複数の溝18・18・・・
が形成されている。なお、第1実施例と共通の構成を有
する部位には同一の参照番号を付して示している。
以下、光メモリ素子17の製造手順を説明する。
第1実施例と同様に、まず、第6図(a)に示すように
、基板11上に磁気記録膜12を形成し、続いて、磁気
記録膜12上に接着剤を塗布して接着剤層13を形成す
る。
、基板11上に磁気記録膜12を形成し、続いて、磁気
記録膜12上に接着剤を塗布して接着剤層13を形成す
る。
次に、第6図(b)に示すように、接着剤層13上に保
護用基板14を載せ、下方に加圧すると、接着剤層13
内に気泡16・16・・・が存在する場合、これらの気
泡16・16・・・が第6図(C)に示すように、溝1
8・18・・・を通して外部に放出される。更に、溝1
8・18・・・内に接着剤N13の一部の接着剤13a
13a・・・が流入し、溝18・18・・・が接着剤1
3a−13a・・・により閉塞される。その後、接着剤
層13の種類に応じた方法で接着剤層13が硬化される
。
護用基板14を載せ、下方に加圧すると、接着剤層13
内に気泡16・16・・・が存在する場合、これらの気
泡16・16・・・が第6図(C)に示すように、溝1
8・18・・・を通して外部に放出される。更に、溝1
8・18・・・内に接着剤N13の一部の接着剤13a
13a・・・が流入し、溝18・18・・・が接着剤1
3a−13a・・・により閉塞される。その後、接着剤
層13の種類に応じた方法で接着剤層13が硬化される
。
〔実施例3〕
次に、第7図及び第8図に基づいて第3実施例を説明す
る。
る。
第7図(a)(b)及び第8図に示すように、第3実施
例における光メモリ素子20は第1及び第2実施例を組
み合わせてなるもので、保護用基板14に厚み方向に延
びる複数の孔15・15・・・と、放射状に延びる複数
の溝18・18・・・とが、気泡を放出するための通路
として設けられている。この光メモリ素子20の製造手
順は詳述しないが、保護用基板14を貼り付ける際に、
接着剤層13内の気泡16・16・・・が孔15・15
・・・及び溝18・18・・・を通して外部に放出され
るので、気泡16・16・・・が接着剤層13内に残存
する恐れが一層少なくなる。
例における光メモリ素子20は第1及び第2実施例を組
み合わせてなるもので、保護用基板14に厚み方向に延
びる複数の孔15・15・・・と、放射状に延びる複数
の溝18・18・・・とが、気泡を放出するための通路
として設けられている。この光メモリ素子20の製造手
順は詳述しないが、保護用基板14を貼り付ける際に、
接着剤層13内の気泡16・16・・・が孔15・15
・・・及び溝18・18・・・を通して外部に放出され
るので、気泡16・16・・・が接着剤層13内に残存
する恐れが一層少なくなる。
〔実施例4〕
続いて、第9図に基づいて第4実施例を説明する。
この第4実施例は両面記録型の光メモリ素子に関するも
のである。
のである。
すなわち、この光メモリ素子21はポリカーボネイト等
の樹脂又はA1等の金属等からなる透明又は不透明な基
板22と、基板22の両面にそれぞれ形成された1対の
磁気記録膜23・23とを備えている。
の樹脂又はA1等の金属等からなる透明又は不透明な基
板22と、基板22の両面にそれぞれ形成された1対の
磁気記録膜23・23とを備えている。
磁気記録膜23・23上には、それぞれ接着剤層24・
24を介して保護用基板25・25が貼り付けられてい
る。各保護用基板25は透光性樹脂等の透明部材からな
り、かつ、その厚み方向に延びる複数の孔26・26・
・・が、気泡を放出するための通路として設けられてい
る。なお、接着剤層24をなす接着剤としては透光性を
有し、かつ、その屈折率が保護用基板25の屈折率とほ
ぼ等しいものが使用されている。
24を介して保護用基板25・25が貼り付けられてい
る。各保護用基板25は透光性樹脂等の透明部材からな
り、かつ、その厚み方向に延びる複数の孔26・26・
・・が、気泡を放出するための通路として設けられてい
る。なお、接着剤層24をなす接着剤としては透光性を
有し、かつ、その屈折率が保護用基板25の屈折率とほ
ぼ等しいものが使用されている。
光メモリ素子21の製造に際しては、まず、基板22上
に磁気記録膜23・23が蒸着、スパッタリング等によ
り形成され、続いて、磁気記録膜23・23上に、例え
ば、紫外線硬化型樹脂から成る接着剤が塗布されて接着
剤層24・24が形成される。
に磁気記録膜23・23が蒸着、スパッタリング等によ
り形成され、続いて、磁気記録膜23・23上に、例え
ば、紫外線硬化型樹脂から成る接着剤が塗布されて接着
剤層24・24が形成される。
次に、接着剤層24・24上に保護用基板25・25が
載せられ、基板22側に加圧される。これにより、接着
剤層24・24内に気泡が存在している場合、その気泡
が保護用基板25の孔26・26・・・を通して外部に
放出される。更に、接着剤層24・24の一部の接着剤
24a・24a・・・が孔26・26・・・内に流入し
、孔26・26・・・が閉塞される。その後、接着剤層
24・240種類に応じた方法で、接着剤N24・24
の硬化が行われる。
載せられ、基板22側に加圧される。これにより、接着
剤層24・24内に気泡が存在している場合、その気泡
が保護用基板25の孔26・26・・・を通して外部に
放出される。更に、接着剤層24・24の一部の接着剤
24a・24a・・・が孔26・26・・・内に流入し
、孔26・26・・・が閉塞される。その後、接着剤層
24・240種類に応じた方法で、接着剤N24・24
の硬化が行われる。
上記の光メモリ素子21においては、保護用基板25・
25を介して磁気記録膜23・23にレーザ光を照射し
ながら磁場を印加することにより、磁気記録膜23・2
3に情報の記録又は消去が行われる。又、保護用基板2
5・25を介して磁気記録IP!23・23にレーザ光
を照射することにより、磁気光学効果を利用して情報の
再生が行われる。その場合、保護用基板25・25は透
光性材料により形成されるとともに、接着剤層24・2
4が保護用基板25・25と屈折率のほぼ等しい透光性
の接着剤により形成されているため、情報の記録・再生
・消去は円滑に行われ、信号再生品質も高レベルに維持
できるものである。
25を介して磁気記録膜23・23にレーザ光を照射し
ながら磁場を印加することにより、磁気記録膜23・2
3に情報の記録又は消去が行われる。又、保護用基板2
5・25を介して磁気記録IP!23・23にレーザ光
を照射することにより、磁気光学効果を利用して情報の
再生が行われる。その場合、保護用基板25・25は透
光性材料により形成されるとともに、接着剤層24・2
4が保護用基板25・25と屈折率のほぼ等しい透光性
の接着剤により形成されているため、情報の記録・再生
・消去は円滑に行われ、信号再生品質も高レベルに維持
できるものである。
本発明に係る光メモリ素子の製造方法は、以上のように
、基板上に磁気記録膜を形成し、この磁気記録膜上に接
着剤層を介して保護用基板を接着してなる光メモリ素子
において、上記保護用基板に接着剤層と外気とを連通ず
る通路が形成されている構成である。
、基板上に磁気記録膜を形成し、この磁気記録膜上に接
着剤層を介して保護用基板を接着してなる光メモリ素子
において、上記保護用基板に接着剤層と外気とを連通ず
る通路が形成されている構成である。
これにより、保護用基板を接着する際に接着剤層内に生
じる気泡は保護用基板内の通路を介して外部に放出され
、接着剤層内に気泡が残存する恐れは少なくなる。
じる気泡は保護用基板内の通路を介して外部に放出され
、接着剤層内に気泡が残存する恐れは少なくなる。
従って、磁気記録膜に気泡が接触することによる記録ビ
ットのサイズのばらつき等の信号特性の劣化が抑制され
、又、磁気記録膜が気泡を介して外気と接触することに
よる磁気記録膜の劣化も生じにくくなる。
ットのサイズのばらつき等の信号特性の劣化が抑制され
、又、磁気記録膜が気泡を介して外気と接触することに
よる磁気記録膜の劣化も生じにくくなる。
その上、真空引等の特別の作業を行うことなく、容易に
接着剤層内の気泡を放出することができるようになる。
接着剤層内の気泡を放出することができるようになる。
第1図乃至第3図は本発明の実施例を示すものである。
第1図は第2図のA−A線に沿う光メモリ素子の拡大縦
断面部分図である。 第2図は光メモリ素子の平面図である。 第3図(a)〜(C)は光メモリ素子の製造手順を示す
拡大縦断面部分図である。 第4図乃至第6図は本発明の他の実施例を示すものであ
る。 第4図(a)は第5図のB−B線に沿う光メモリ素子の
拡大縦断面部分図である。 第4図(b)は第5図のC−C線に沿う光メモリ素子の
拡大縦断面部分図である。 第5図は光メモリ素子の平面図である。 第6図(a)〜(C)は光メモリ素子の製造手順を示す
拡大縦断面部分図である。 第7図及び第8図は本発明の更に他の実施例を示すもの
である。 第7図(a)は第8図のD−D線に沿う光メモリ素子の
拡大縦断面部分図である。 第7図(b)は第8図のE−E綿に沿う光メモリ素子の
拡大縦断面部分図である。 第8図は光メモリ素子の平面図である。 第9図は本発明の異なる実施例における光メモリ素子の
拡大縦断面部分図である。 第10図及び第11図はそれぞれ従来の光メモリ素子を
示す拡大縦断面部分図である。 10・17・20・21は光メモリ素子、11・22は
基板、12・23は磁気記録膜、13・24は接着剤層
、14・25は保護用基板、15・26は孔(通路)、
16は気泡、18は溝(通路)である。 特許出願人 シャープ 株式会社第1図 第2図 第3図(a) 第3図(b) 第 3 図(C) 第8図 E 第9図 第10図 第11図
断面部分図である。 第2図は光メモリ素子の平面図である。 第3図(a)〜(C)は光メモリ素子の製造手順を示す
拡大縦断面部分図である。 第4図乃至第6図は本発明の他の実施例を示すものであ
る。 第4図(a)は第5図のB−B線に沿う光メモリ素子の
拡大縦断面部分図である。 第4図(b)は第5図のC−C線に沿う光メモリ素子の
拡大縦断面部分図である。 第5図は光メモリ素子の平面図である。 第6図(a)〜(C)は光メモリ素子の製造手順を示す
拡大縦断面部分図である。 第7図及び第8図は本発明の更に他の実施例を示すもの
である。 第7図(a)は第8図のD−D線に沿う光メモリ素子の
拡大縦断面部分図である。 第7図(b)は第8図のE−E綿に沿う光メモリ素子の
拡大縦断面部分図である。 第8図は光メモリ素子の平面図である。 第9図は本発明の異なる実施例における光メモリ素子の
拡大縦断面部分図である。 第10図及び第11図はそれぞれ従来の光メモリ素子を
示す拡大縦断面部分図である。 10・17・20・21は光メモリ素子、11・22は
基板、12・23は磁気記録膜、13・24は接着剤層
、14・25は保護用基板、15・26は孔(通路)、
16は気泡、18は溝(通路)である。 特許出願人 シャープ 株式会社第1図 第2図 第3図(a) 第3図(b) 第 3 図(C) 第8図 E 第9図 第10図 第11図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板上に磁気記録膜を形成し、この磁気記録膜上に
接着剤層を介して保護用基板を接着してなる光メモリ素
子において、 上記保護用基板に接着剤層と外気とを連通する通路が形
成されていることを特徴とする光メモリ素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1121819A JP2551995B2 (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 光メモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1121819A JP2551995B2 (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 光メモリ素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02301039A true JPH02301039A (ja) | 1990-12-13 |
JP2551995B2 JP2551995B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=14820716
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1121819A Expired - Fee Related JP2551995B2 (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 光メモリ素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2551995B2 (ja) |
-
1989
- 1989-05-15 JP JP1121819A patent/JP2551995B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2551995B2 (ja) | 1996-11-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20040152501A1 (en) | Gaming machine and display device therefor | |
CN101061541B (zh) | 光盘的制造方法和光盘 | |
JPH1011800A (ja) | 光ディスク及びその製造方法 | |
JPH02301039A (ja) | 光メモリ素子 | |
WO2006028051A1 (ja) | 光情報記録媒体の製造方法及び光情報記録媒体 | |
US20040158848A1 (en) | Optical disk and method for manufacturing the same | |
JPS5814342A (ja) | 光記憶素子の製造方法 | |
JPS63268145A (ja) | 光学情報担体デイスク | |
JPH1092015A (ja) | 光ディスク | |
JP4065348B2 (ja) | 光ディスクの製造方法 | |
JP2005092927A (ja) | 多層光ディスク | |
JPS61217944A (ja) | 情報記録デイスク | |
JPS62204446A (ja) | 光学的記録媒体 | |
JPH01109549A (ja) | 光ディスク | |
JPH0231349A (ja) | 光記録媒体 | |
JPH02308444A (ja) | 光記録媒体の製造方法 | |
JPH01237942A (ja) | 光方式情報記録ディスク | |
JPH02154337A (ja) | 光ディスク | |
JPH09270153A (ja) | 光ディスク用スタンパ及びその製造方法 | |
JPS62167634A (ja) | 情報担体デイスク | |
JPS6020332A (ja) | 情報担体デイスク | |
JPH10149580A (ja) | 光情報媒体 | |
JPH07176077A (ja) | 光学式情報媒体 | |
JPH1186343A (ja) | 光情報媒体 | |
JPS62281136A (ja) | 円盤状記憶媒体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |