JPH02301039A

JPH02301039A - 光メモリ素子

Info

Publication number: JPH02301039A
Application number: JP12181989A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Ban; 和夫伴; Yoshiteru Murakami; 善照村上; Akira Takahashi; 明高橋; Kenji Ota; 賢司太田; Toshio Ishikawa; 俊夫石川
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1989-05-15
Filing date: 1989-05-15
Publication date: 1990-12-13
Anticipated expiration: 2011-11-06
Also published as: JP2551995B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、光メモリ素子、特に、接着剤により貼り付け
られる保護基板を有する光メモリ素子に関するものであ
る。

〔従来の技術〕

従来、光メモリ素子としては、読出し専用型メモリ、追
加記録可能型メモリ及び書換え可能型メモリが知られて
いる。第１０図に、その内の書換え可能型光メモリ素子
の一例を示す。

すなわち、この書換え可能型光メモリ素子は、透光性を
有する基板ｌの表面に磁気記録膜２を形成し、磁気記録
膜２の裏面側に接着剤［３を介して保護用基板４を接着
して構成されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、上記の光メモリ素子においては、基板１と保
護用基板４とを接着剤Ｎ３により接着する際に、接着剤
層３内に気泡５・５・・・が生じる問題がある。特に、
このようにして生じた気泡５・５・・・が磁気記録膜２
に接していると、磁気記録膜２にレーザ光を照射して昇
温させながら磁気的に記録を行う際に、気泡５・５・・
・の部位では接着剤層３より熱伝導性が悪くなるため、
磁気記録膜２における気泡５・５・・・に面した部位と
接着剤層３に面した部位とで記録ビットの大きさにばら
つきが生じ、信号特性が悪化するもの宅ある。

又、気泡５・５・・・が外気に接していると、気泡５・
５・・・の部位から磁気記録膜２に劣化が生じる不具合
もある。

以上では片面記録型の光メモリ素子について説明したが
、第１１図に示すように、それぞれ磁気記録１１１７・
７を形成した２枚の基板６・６を接着剤層８を介して貼
り合わせてなる両面記録型の光メモリ素子においても、
接着剤層８内に気泡９・９・・・が発生することにより
、片面記録型の光メモリ素子の場合と同様の問題が生じ
るものであった。

なお、真空引等の手段で上記の接着剤層３・８内の気泡
５・５・・・、９・９・・・を除去することも考えられ
るが、その場合は作業が極めて煩雑になるという問題が
ある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係る光メモリ素子は、上記の課題を解決するた
めに、基板上に磁気記録膜を形成し、この磁気記録膜上
に接着剤層を介して保護用基板を接着してなる光メモリ
素子において、上記保護用基板に接着剤層と外気とを連
通ずる通路が形成されていることを特徴とするものであ
る。

〔作　用〕

上記の構成によれば、保護用基板に接着剤層と外気とを
連通ずる通路を形成したので、保護用基板を接着する際
に接着剤層内に生じる気泡は保護用裁板内の通路を介し
て外部に放出されるようになり、接着剤層内に気泡が残
存する恐れは少なくなる。

〔実施例１〕本発明の一実施例を第１図乃至第３図に基づいて説明す
れば、以下の通りである。

第１図及び第２図に示すように、光メモリ素子ｌＯは、
透光性の基板１１と、基板１１上に形成された磁気記録
膜１２とを備えている。磁気記録膜１２は膜面に対し垂
直な方向に磁化容易軸を有している。

磁気記録膜１２上には接着剤層１３を介して保護用基板
１４が接着されている。保護用基板１４はその厚み方向
に延び、接着剤層１３と外気とを連通ずる通路としての
複数の孔１５・１５・・・を有し、孔１５・１５・・・
内には接着剤層１３から流出した接着剤１３ａ　−１３
ａ・・・が充填されている。

この光メモリ素子１０においては、周知のように、基板
１１を通して磁気記録膜１２にレーザ光を照射して昇温
させながら磁場を印加することにより、記録・消去が行
われる。又、基板１１を介して磁気記録膜１２にレーザ
光を照射することにより、磁気光学効果を利用して情報
の再生が行える。

以下、上記の光メモリ素子ｌＯの製造手順を説明する。

まず、第３図（ａ）に示すように、ガラス又は透光性の
樹脂等からなる基板１１に蒸着、スパッタリング等によ
り磁気記録膜１２を所定の膜厚で形成し、引続き、磁気
記録膜１２に、例えば、紫外線硬化型樹脂、熱硬化型樹
脂等からなる接着剤を塗布して接着剤層１３を形成する
。

次に、第３図（ｂ）のように、接着剤層１３上に保護用
基板１４を載せ、下方に加圧する。そうすると、接着剤
層１３内に気泡１６・１６・・・が存在する場合、これ
らの気泡１６・ｌ’　６・・・は第３図（ｃ）に示すよ
うに、保護用基板１４の孔１５・１５・・・を通して外
部に放出される。更に、接着剤層１３の一部の接着剤１
３ａ−１３ａ・・・が孔１５・１５・・・内に流入し、
孔１５・１５・・・が閉塞される。

その後、接着剤層１３の種類に応じて、紫外線照射又は
加熱等を行い、孔１５・１５・・・内の接着剤１３ａ−
１３ａ・・・を含む接着剤層１３を硬化させる。

〔実施例２〕次に、第４図乃至第６図に基づいて第２実施例を説明す
る。

第４図（ａ）（ｂ）及び第５図に示すように、この光メ
モリ素子１７は、第１実施例の光メモリ素子ｌＯと基本
的に同一の構成を有している。但し、光メモリ素子１７
では、保護用基板１４に孔１５・１５・・・に代えて、
接・着剤層１３に接しながら放射状に延び、外周端が外
気に連通した、通路としての複数の溝１８・１８・・・
が形成されている。なお、第１実施例と共通の構成を有
する部位には同一の参照番号を付して示している。

以下、光メモリ素子１７の製造手順を説明する。

第１実施例と同様に、まず、第６図（ａ）に示すように
、基板１１上に磁気記録膜１２を形成し、続いて、磁気
記録膜１２上に接着剤を塗布して接着剤層１３を形成す
る。

次に、第６図（ｂ）に示すように、接着剤層１３上に保
護用基板１４を載せ、下方に加圧すると、接着剤層１３
内に気泡１６・１６・・・が存在する場合、これらの気
泡１６・１６・・・が第６図（Ｃ）に示すように、溝１
８・１８・・・を通して外部に放出される。更に、溝１
８・１８・・・内に接着剤Ｎ１３の一部の接着剤１３ａ
１３ａ・・・が流入し、溝１８・１８・・・が接着剤１
３ａ−１３ａ・・・により閉塞される。その後、接着剤
層１３の種類に応じた方法で接着剤層１３が硬化される
。

〔実施例３〕次に、第７図及び第８図に基づいて第３実施例を説明す
る。

第７図（ａ）（ｂ）及び第８図に示すように、第３実施
例における光メモリ素子２０は第１及び第２実施例を組
み合わせてなるもので、保護用基板１４に厚み方向に延
びる複数の孔１５・１５・・・と、放射状に延びる複数
の溝１８・１８・・・とが、気泡を放出するための通路
として設けられている。この光メモリ素子２０の製造手
順は詳述しないが、保護用基板１４を貼り付ける際に、
接着剤層１３内の気泡１６・１６・・・が孔１５・１５
・・・及び溝１８・１８・・・を通して外部に放出され
るので、気泡１６・１６・・・が接着剤層１３内に残存
する恐れが一層少なくなる。

〔実施例４〕続いて、第９図に基づいて第４実施例を説明する。

この第４実施例は両面記録型の光メモリ素子に関するも
のである。

すなわち、この光メモリ素子２１はポリカーボネイト等
の樹脂又はＡ１等の金属等からなる透明又は不透明な基
板２２と、基板２２の両面にそれぞれ形成された１対の
磁気記録膜２３・２３とを備えている。

磁気記録膜２３・２３上には、それぞれ接着剤層２４・
２４を介して保護用基板２５・２５が貼り付けられてい
る。各保護用基板２５は透光性樹脂等の透明部材からな
り、かつ、その厚み方向に延びる複数の孔２６・２６・
・・が、気泡を放出するための通路として設けられてい
る。なお、接着剤層２４をなす接着剤としては透光性を
有し、かつ、その屈折率が保護用基板２５の屈折率とほ
ぼ等しいものが使用されている。

光メモリ素子２１の製造に際しては、まず、基板２２上
に磁気記録膜２３・２３が蒸着、スパッタリング等によ
り形成され、続いて、磁気記録膜２３・２３上に、例え
ば、紫外線硬化型樹脂から成る接着剤が塗布されて接着
剤層２４・２４が形成される。

次に、接着剤層２４・２４上に保護用基板２５・２５が
載せられ、基板２２側に加圧される。これにより、接着
剤層２４・２４内に気泡が存在している場合、その気泡
が保護用基板２５の孔２６・２６・・・を通して外部に
放出される。更に、接着剤層２４・２４の一部の接着剤
２４ａ・２４ａ・・・が孔２６・２６・・・内に流入し
、孔２６・２６・・・が閉塞される。その後、接着剤層
２４・２４０種類に応じた方法で、接着剤Ｎ２４・２４
の硬化が行われる。

上記の光メモリ素子２１においては、保護用基板２５・
２５を介して磁気記録膜２３・２３にレーザ光を照射し
ながら磁場を印加することにより、磁気記録膜２３・２
３に情報の記録又は消去が行われる。又、保護用基板２
５・２５を介して磁気記録ＩＰ！２３・２３にレーザ光
を照射することにより、磁気光学効果を利用して情報の
再生が行われる。その場合、保護用基板２５・２５は透
光性材料により形成されるとともに、接着剤層２４・２
４が保護用基板２５・２５と屈折率のほぼ等しい透光性
の接着剤により形成されているため、情報の記録・再生
・消去は円滑に行われ、信号再生品質も高レベルに維持
できるものである。

〔発明の効果〕

本発明に係る光メモリ素子の製造方法は、以上のように
、基板上に磁気記録膜を形成し、この磁気記録膜上に接
着剤層を介して保護用基板を接着してなる光メモリ素子
において、上記保護用基板に接着剤層と外気とを連通ず
る通路が形成されている構成である。

これにより、保護用基板を接着する際に接着剤層内に生
じる気泡は保護用基板内の通路を介して外部に放出され
、接着剤層内に気泡が残存する恐れは少なくなる。

従って、磁気記録膜に気泡が接触することによる記録ビ
ットのサイズのばらつき等の信号特性の劣化が抑制され
、又、磁気記録膜が気泡を介して外気と接触することに
よる磁気記録膜の劣化も生じにくくなる。

その上、真空引等の特別の作業を行うことなく、容易に
接着剤層内の気泡を放出することができるようになる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第３図は本発明の実施例を示すものである。第１図は第２図のＡ−Ａ線に沿う光メモリ素子の拡大縦
断面部分図である。第２図は光メモリ素子の平面図である。第３図（ａ）〜（Ｃ）は光メモリ素子の製造手順を示す
拡大縦断面部分図である。第４図乃至第６図は本発明の他の実施例を示すものであ
る。第４図（ａ）は第５図のＢ−Ｂ線に沿う光メモリ素子の
拡大縦断面部分図である。第４図（ｂ）は第５図のＣ−Ｃ線に沿う光メモリ素子の
拡大縦断面部分図である。第５図は光メモリ素子の平面図である。第６図（ａ）〜（Ｃ）は光メモリ素子の製造手順を示す
拡大縦断面部分図である。第７図及び第８図は本発明の更に他の実施例を示すもの
である。第７図（ａ）は第８図のＤ−Ｄ線に沿う光メモリ素子の
拡大縦断面部分図である。第７図（ｂ）は第８図のＥ−Ｅ綿に沿う光メモリ素子の
拡大縦断面部分図である。第８図は光メモリ素子の平面図である。第９図は本発明の異なる実施例における光メモリ素子の
拡大縦断面部分図である。第１０図及び第１１図はそれぞれ従来の光メモリ素子を
示す拡大縦断面部分図である。１０・１７・２０・２１は光メモリ素子、１１・２２は
基板、１２・２３は磁気記録膜、１３・２４は接着剤層
、１４・２５は保護用基板、１５・２６は孔（通路）、
１６は気泡、１８は溝（通路）である。特許出願人　　　　　シャープ　株式会社第１図第２図第３図（ａ）第３図（ｂ）第　３　図（Ｃ）第８図Ｅ第９図第１０図第１１図

Claims

【特許請求の範囲】１、基板上に磁気記録膜を形成し、この磁気記録膜上に
接着剤層を介して保護用基板を接着してなる光メモリ素
子において、上記保護用基板に接着剤層と外気とを連通する通路が形
成されていることを特徴とする光メモリ素子。