JP2522861Y2 - Artificial diamond deposition equipment - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この考案は、フィラメントの支持
構造を改良した人工ダイヤモンド析出装置に関するもの
である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an artificial diamond deposition apparatus having an improved filament support structure.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、人工ダイヤモンドの析出生成方法
として多数の方法が提案され、実用に供されているが、
中でも加熱したフィラメントにより反応ガスを分解させ
て基板等の被処理材の表面に人工ダイヤモンドを析出さ
せる方法は、比較的簡単な装置で安定した人工ダイヤモ
ンド膜を高速で成膜することができることから、特に注
目されている方法である。2. Description of the Related Art Conventionally, many methods have been proposed as methods for producing and depositing artificial diamonds, and they have been put to practical use.
Above all, the method of decomposing a reaction gas by a heated filament to deposit artificial diamond on the surface of a material to be treated such as a substrate is capable of forming a stable artificial diamond film at a high speed with a relatively simple apparatus. This is a particularly noteworthy method.
【０００３】上記の方法は、例えば、図３に示す様な人
工ダイヤモンド析出装置（以下、単に析出装置と略称す
る）１を用いて行われる。この析出装置１は、基板（被
処理材）２にダイヤモンドを析出させるための石英製の
反応室３と、該反応室３に主としてＣＨ4，Ｃ2Ｈ2等の
炭化水素とＨ2ガスとで構成される反応ガスＧを導入す
るＭｏ製の反応ガス導入管４と、前記反応室３から反応
ガスＧを排出する反応ガス排出管５とから概略構成され
ている。[0003] The above method is performed, for example, using an artificial diamond deposition apparatus (hereinafter simply referred to as a deposition apparatus) 1 as shown in FIG. The deposition apparatus 1 comprises a reaction chamber 3 made of quartz for depositing diamond on a substrate (material to be processed) 2, and a hydrocarbon such as CH 4 , C 2 H 2 and H 2 gas in the reaction chamber 3. And a reaction gas discharge pipe 5 for discharging the reaction gas G from the reaction chamber 3.
【０００４】この反応室３には、制御機構６により制御
され、該反応室３内を上下方向に移動自在かつ任意の位
置に固定自在なる昇降装置８が設けられており、該昇降
装置８の上部８ａには前記基板２を支持するためのＭｏ
製のワークホルダ９が固定されている。また、このワー
クホルダ９の下面には熱電対１０が取り付けられてい
る。The reaction chamber 3 is provided with an elevating device 8 controlled by a control mechanism 6 so as to be movable vertically in the reaction chamber 3 and fixed at an arbitrary position. Mo 8 for supporting the substrate 2 is provided on the upper portion 8a.
A work holder 9 is fixed. A thermocouple 10 is attached to the lower surface of the work holder 9.
【０００５】また、この反応室３には、該反応室３の上
部位置に基板２を移動したときに、該基板２の表面２ａ
と対向する所定間隔上方の位置に金属タングステン
（Ｗ）もしくは金属タンタル（Ｔａ）製の螺旋状のフィ
ラメント１１が水平に設けられている。そして、この反
応室３の周囲には該反応室３を加熱するための電気炉１
２が配設されている。When the substrate 2 is moved to a position above the reaction chamber 3, the surface 2a of the substrate 2
A spiral filament 11 made of metal tungsten (W) or metal tantalum (Ta) is horizontally provided at a position above a predetermined interval opposite to the above. An electric furnace 1 for heating the reaction chamber 3 is provided around the reaction chamber 3.
2 are provided.
【０００６】フィラメント１１は、反応ガスＧとの接触
面積を大きくするために図４に示す様に螺旋状に巻かれ
ており、該フィラメント１１の両端部１１ａ，１１ａは
ステムピン１３，１３に固定されており、ステムピン１
３，１３はそれぞれ電極（図示せず）に接続されてい
る。The filament 11 is spirally wound as shown in FIG. 4 in order to increase the contact area with the reaction gas G, and both ends 11a of the filament 11 are fixed to the stem pins 13, 13. And stem pin 1
Reference numerals 3 and 13 are respectively connected to electrodes (not shown).
【０００７】次に、この析出装置１を用いて基板２の表
面２ａにダイヤモンドを成膜する方法について説明す
る。まず、反応ガス導入管４により反応ガスＧを反応室
３内に導入し、この反応ガスＧをフィラメント１１から
ワークホルダ９に向かう様に下方に流下させ、反応ガス
排出管５により反応室３の外方へ排出させる。Next, a method of forming a diamond film on the surface 2a of the substrate 2 using the deposition apparatus 1 will be described. First, the reaction gas G is introduced into the reaction chamber 3 through the reaction gas introduction pipe 4, the reaction gas G is caused to flow downward from the filament 11 toward the work holder 9, and the reaction gas G is introduced into the reaction chamber 3 through the reaction gas discharge pipe 5. Discharge to the outside.
【０００８】この間、反応室３内の雰囲気圧力を１０〜
３００ｔｏｒｒに保持しながらフィラメント１１を１５
００〜２５００℃に加熱して、反応ガスＧの加熱活性化
を図るとともに、所定間隔下方に配置された基板２の表
面２ａの温度を８００〜１０００℃の範囲内で保ち、こ
の状態で反応ガスＧを分解させて基板２の表面２ａに人
工ダイヤモンドを析出させる。During this time, the atmospheric pressure in the reaction chamber 3 is increased to 10
Hold the filament 11 at 15
The temperature of the surface 2a of the substrate 2 disposed below the predetermined interval is maintained within the range of 800 to 1000 ° C. while heating to a temperature of 00 to 2500 ° C. to activate the reaction gas G. G is decomposed to deposit artificial diamond on the surface 2 a of the substrate 2.
【０００９】この場合、反応ガスＧはフィラメント１１
により分解されて活性化された遊離炭素（Ｃ）となり、
基板２の上方からワークホルダ９の周囲に向かって流
れ、この活性化された遊離炭素が基板２の表面２ａに速
やかに推積し、該表面２ａにグラファイト構造とダイヤ
モンド構造が混在して形成される。ここでは、グラファ
イト構造の方が弱い構造であるから反応ガスＧの分解時
に生成される原子状の水素により表面２ａから選択的に
除去されダイヤモンド構造のみが残ることとなる。In this case, the reaction gas G is supplied to the filament 11
To become activated free carbon (C),
The activated free carbon flows from above the substrate 2 toward the periphery of the work holder 9, and the activated free carbon is quickly deposited on the surface 2 a of the substrate 2, and a graphite structure and a diamond structure are formed on the surface 2 a in a mixed manner. You. Here, since the graphite structure is a weaker structure, it is selectively removed from the surface 2a by atomic hydrogen generated when the reaction gas G is decomposed, leaving only the diamond structure.
【００１０】ダイヤモンドが析出された基板２は、昇降
装置８により下方に所定距離移動され自然冷却される。The substrate 2 on which the diamond has been deposited is moved downward by a predetermined distance by the elevating device 8 and naturally cooled.
【００１１】[0011]
【考案が解決しようとする課題】上記のフィラメント１
１においては、ＷもしくはＴａ等の耐熱材料が用いられ
ているといえども加熱活性化された反応ガスＧの雰囲気
中においては徐々に炭化されることとなり、経時ととも
に図５に示す様な変形（弛み）が生じるという問題があ
った。フィラメント１１に弛みが生じると、該フィラメ
ント１１と基板２との間隔、特に中央部分の間隔が狭く
なるためにダイヤモンドの成膜条件が変わり、結晶性の
良好なダイヤモンド膜を形成することが不可能になって
しまうために、製品の品質及び歩留まりに悪影響を及ぼ
す。[Problem to be Solved by the Invention] The above filament 1
In No. 1, even though a heat-resistant material such as W or Ta is used, it is gradually carbonized in the atmosphere of the heat-activated reaction gas G, and the deformation shown in FIG. (Slack) occurs. When the filament 11 is loosened, the distance between the filament 11 and the substrate 2, particularly, the distance between the centers thereof, becomes narrow, so that the diamond film forming conditions are changed, and it is impossible to form a diamond film having good crystallinity. And adversely affect product quality and yield.
【００１２】また、フィラメント１１に弛みが生じて螺
旋のピッチが変化すると、該フィラメント１１に部分的
に密な部分が生じ、この密な部分において放電が発生し
易くなり断線し易くなるという問題もあった。Further, if the pitch of the spiral is changed due to slackening of the filament 11, a partially dense portion is formed in the filament 11, and a discharge is easily generated in the dense portion, and disconnection is easily caused. there were.
【００１３】また、フィラメントに張力をかけて基板に
平行に直線状に張る方法も提案されれているが、この方
法ではフィラメントが直線状であるから反応ガスとの接
触面積が極めて狭いものとなり反応効率が極めて悪いと
いう欠点がある。A method has also been proposed in which the filament is tensioned and stretched linearly in parallel with the substrate. However, in this method, since the filament is linear, the contact area with the reaction gas is extremely small, and the reaction is difficult. There is a disadvantage that the efficiency is extremely low.
【００１４】この考案は、上記の事情に鑑みてなされた
ものであって、以上の欠点を有効に解決することができ
る析出装置を提供することにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a deposition apparatus capable of effectively solving the above-mentioned disadvantages.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この考案は次の様な析出装置を採用した。すなわ
ち、請求項１記載の析出装置としては、被処理材にダイ
ヤモンドを析出させるための反応室と、該反応室に反応
ガスを導入する反応ガス導入管と、前記反応室から反応
ガスを排出する反応ガス排出管と、前記被処理材を支持
するワークホルダと、前記反応室の上部位置に移動した
前記ワークホルダに支持される前記被処理材の表面と対
向する位置に設けられたフィラメントとを具備してなる
析出装置において、前記フィラメントの中間部を懸吊し
てなることを特徴としている。In order to solve the above problems, the present invention employs the following deposition apparatus. That is, in the deposition apparatus according to the first aspect, a reaction chamber for depositing diamond on the material to be processed, a reaction gas introduction pipe for introducing a reaction gas into the reaction chamber, and discharging the reaction gas from the reaction chamber. A reaction gas discharge pipe, a work holder supporting the material to be processed, and a filament provided at a position facing a surface of the material to be processed supported by the work holder moved to an upper position of the reaction chamber. In the deposition apparatus provided, an intermediate portion of the filament is suspended.
【００１６】また、請求項２記載の析出装置としては、
被処理材にダイヤモンドを析出させるための反応室と、
該反応室に反応ガスを導入する反応ガス導入管と、前記
反応室から反応ガスを排出する反応ガス排出管と、前記
被処理材を支持するワークホルダと、前記反応室の上部
位置に移動した前記ワークホルダに支持される前記被処
理材の表面と対向する位置に設けられたフィラメントと
を具備してなる析出装置において、前記フィラメントに
懸吊部材を挿通し該懸吊部材を緊張してなることを特徴
としている。[0016] Further, as the deposition apparatus according to the second aspect,
A reaction chamber for depositing diamond on the workpiece;
A reaction gas introduction pipe for introducing a reaction gas into the reaction chamber, a reaction gas discharge pipe for discharging the reaction gas from the reaction chamber, a work holder supporting the material to be processed, and moved to an upper position of the reaction chamber. In a deposition apparatus comprising a filament provided at a position facing a surface of the material to be processed supported by the work holder, a suspension member is inserted into the filament, and the suspension member is tensioned. It is characterized by:
【００１７】[0017]
【作用】この考案の請求項１記載の析出装置では、前記
フィラメントの中間部を懸吊することにより、前記フィ
ラメントを水平に支持し、前記フィラメントと被処理材
との間隔を最適に保つ。In the deposition apparatus according to the first aspect of the present invention, the filament is supported horizontally by suspending the intermediate portion of the filament, and the distance between the filament and the material to be processed is kept optimal.
【００１８】また、請求項２記載の析出装置では、前記
フィラメントに懸吊部材を挿通し該懸吊部材を緊張する
ことにより、前記フィラメントを水平に支持し、前記フ
ィラメントと被処理材との間隔を最適に保つ。Further, in the deposition apparatus according to the second aspect of the present invention, the filament is supported horizontally by inserting a suspension member into the filament and tensioning the suspension member, so that the distance between the filament and the material to be processed is increased. Keep optimal.
【００１９】[0019]
【実施例】以下、この考案の実施例について図面を基に
説明する。この考案の析出装置は、従来例で説明した析
出装置１の構成要素であるフィラメント１１の支持構造
を改良したものであり、この改良したフィラメント支持
構造以外の構成要素については同一の符号を付し、説明
を省略する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The deposition apparatus of the present invention is an improvement of the support structure of the filament 11 which is a component of the deposition apparatus 1 described in the conventional example. Components other than the improved filament support structure are denoted by the same reference numerals. The description is omitted.
【００２０】図１は、この考案の請求項１記載の析出装
置のフィラメント支持構造の一例を示す図である。この
構造は、両端部１１ａ，１１ａがステムピン１３，１３
にそれぞれ固定された螺旋状のフィラメント１１の中間
部が、このフィラメント１１の上方に直線状に等間隔に
配設されたワイヤ２１，…により懸吊されて水平に保持
された構成である。FIG. 1 is a view showing an example of a filament supporting structure of the deposition apparatus according to the first aspect of the present invention. In this structure, both ends 11a, 11a
Are suspended horizontally by wires 21 arranged linearly at equal intervals above the filament 11 and held horizontally.
【００２１】ワイヤ２１は、Ｗ，Ｍｏ等の耐熱性金属か
らなるワイヤである。これらのワイヤ２１，…がフィラ
メント１１の中間部を懸吊することにより、該フィラメ
ント１１を水平に支持し、フィラメント１１と基板２の
表面２ａとの間隔を最適に保持する。また、通電による
経時変化によりフィラメント１１に弛みが生じても、ワ
イヤ２１，…がフィラメント１１を懸吊し続けることに
よりフィラメント１１を略水平に保ち続け、このフィラ
メント１１と基板２の表面２ａとの間隔を最適に保ち続
ける。The wire 21 is a wire made of a heat-resistant metal such as W or Mo. By suspending the intermediate portion of the filament 11 by these wires 21, the filament 11 is supported horizontally, and the distance between the filament 11 and the surface 2 a of the substrate 2 is kept optimal. Also, even if the filament 11 is loosened due to a change with time due to the energization, the wire 21 keeps the filament 11 substantially horizontal by continuing to suspend the filament 11, and the filament 11 and the surface 2a of the substrate 2 Maintain optimal spacing.
【００２２】いま、上記のワイヤ２１を用い、 反応ガス組成：容量割合でＨ2／ＣＨ4＝１０００cc／mi
n／１０cc／min フィラメント１１と基板２の表面２ａとの距離：５０mm 反応室３内の雰囲気圧力：５０torr フィラメント１１の加熱温度：２０００℃ 反応時間：５時間 冷却：自然冷却（炉冷） の条件で人工ダイヤモンドの析出を行ったところ、基板
２の表面２ａには、平均膜厚４μmの人工ダイヤモンド
膜が均一に形成された。また、基板２の全てに均一な人工
ダイヤモンド膜が形成されており、従来と比べて製品の
歩留まりが大幅に向上することがわかった。Now, using the above wire 21, H 2 / CH 4 = 1000 cc / mi in a reaction gas composition: volume ratio.
n / 10 cc / min Distance between filament 11 and surface 2a of substrate 2: 50 mm Atmospheric pressure in reaction chamber 3: 50 torr Heating temperature of filament 11: 2000 ° C. Reaction time: 5 hours Cooling: natural cooling (furnace cooling) As a result, an artificial diamond film having an average thickness of 4 μm was uniformly formed on the surface 2 a of the substrate 2. In addition, it was found that a uniform artificial diamond film was formed on all of the substrates 2, and the product yield was greatly improved as compared with the conventional case.
【００２３】この場合、経時変化によりフィラメント１
１に弛みが生じても該フィラメント１１と基板２の表面
２ａとの間隔が最適に保たれ、ダイヤモンドの成膜条件
が変わることはなかった。In this case, the filament 1
Even if the film 1 was loosened, the distance between the filament 11 and the surface 2a of the substrate 2 was kept optimal, and the film forming conditions for diamond were not changed.
【００２４】以上説明した様に、この考案の請求項１記
載の析出装置によれば、フィラメント１１の中間部がこ
のフィラメント１１の上方に直線状に等間隔に配設され
たワイヤ２１，…により懸吊されて、水平に保持されて
いるので、フィラメント１１を水平に支持することがで
き、フィラメント１１と基板２の表面２ａとの間隔を最
適に保持することができる。また、通電による経時変化
によりフィラメント１１に弛みが生じても、ワイヤ２
１，…がフィラメント１１を懸吊し続けることによりフ
ィラメント１１を略水平に保ち続けることができ、この
フィラメント１１と基板２の表面２ａとの間隔を最適に
保ち続けることができる。したがって、全ての基板２の
表面２ａに均一かつ速やかに、極めて結晶性のよい人工
ダイヤモンドを析出させることができ、製品歩留まりを
大巾に向上させることができる。As described above, according to the deposition apparatus of the first aspect of the present invention, the intermediate portion of the filament 11 is formed by the wires 21 linearly arranged at equal intervals above the filament 11. Since it is suspended and held horizontally, the filament 11 can be supported horizontally, and the distance between the filament 11 and the surface 2a of the substrate 2 can be kept optimal. Further, even if the filament 11 is loosened due to a temporal change due to the energization, the wire 2
By keeping the filament 11 suspended, the filament 11 can be kept substantially horizontal, and the distance between the filament 11 and the surface 2a of the substrate 2 can be kept optimal. Therefore, artificial diamond having extremely high crystallinity can be deposited uniformly and quickly on the surfaces 2a of all the substrates 2, and the product yield can be greatly improved.
【００２５】なお、フィラメントの支持構造は上記実施
例に限定されることなく様々な変更が可能である。例え
ば、フィラメントの上方に直線状に等間隔に配設された
複数のワイヤのみにより懸吊されて水平に保持されてい
るとした構成であっても勿論よい。The filament support structure is not limited to the above embodiment, but can be variously modified. For example, of course, a configuration in which only the plurality of wires linearly arranged at equal intervals above the filament are suspended and held horizontally.
【００２６】図２は、この考案の請求項２記載の析出装
置のフィラメント支持構造の一例を示す図である。この
構造は、両端部１１ａ，１１ａがステムピン１３，１３
にそれぞれ固定された螺旋状のフィラメント１１にワイ
ヤ（懸吊部材）２２を挿通し、該ワイヤ２２の両端部２
２ａ，２２ａを軸方向に緊張して固定した構成である。
ワイヤ２２は、上記実施例のワイヤ２１と同様の材質か
らなるものである。FIG. 2 is a view showing an example of a filament supporting structure of the deposition apparatus according to the second aspect of the present invention. In this structure, both ends 11a, 11a
A wire (suspension member) 22 is inserted through the spiral filament 11 fixed to each of the
This is a configuration in which 2a and 22a are fixed by being tensioned in the axial direction.
The wire 22 is made of the same material as the wire 21 of the above embodiment.
【００２７】このワイヤ２２を軸方向に緊張して固定す
ることにより、フィラメント１１を水平に支持し、フィ
ラメント１１と基板２の表面２ａとの間隔を最適に保持
する。また、通電による経時変化によりフィラメント１
１に弛みが生じても、ワイヤ２２がフィラメント１１を
水平に保ち続け、このフィラメント１１と基板２の表面
２ａとの間隔を最適に保ち続ける。By fixing the wire 22 in tension in the axial direction, the filament 11 is supported horizontally, and the distance between the filament 11 and the surface 2a of the substrate 2 is optimally maintained. In addition, the filament 1
Even if the wire 1 is loosened, the wire 22 keeps the filament 11 horizontal, and keeps the distance between the filament 11 and the surface 2a of the substrate 2 optimal.
【００２８】以上説明した様に、この考案の請求項２記
載の析出装置によれば、フィラメント１１にワイヤ２２
を挿通し、該ワイヤ２２の両端部２２ａ，２２ａを軸方
向に緊張して固定したので、フィラメント１１を水平に
支持することができ、フィラメント１１と基板２の表面
２ａとの間隔を最適に保持することができる。また、通
電による経時変化によりフィラメント１１に弛みが生じ
ても、ワイヤ２２がフィラメント１１を水平に保持し続
けることができ、このフィラメント１１と基板２の表面
２ａとの間隔を最適に保ち続けることができる。したが
って、全ての基板２の表面２ａに均一かつ速やかに、極
めて結晶性のよい人工ダイヤモンドを析出させることが
でき、製品歩留まりを大巾に向上させることができる。As described above, according to the second aspect of the present invention, the filament 11 is connected to the wire 22.
Is inserted, and both ends 22a, 22a of the wire 22 are secured in the axial direction, so that the filament 11 can be supported horizontally, and the distance between the filament 11 and the surface 2a of the substrate 2 is optimally maintained. can do. In addition, even if the filament 11 is loosened due to a temporal change due to energization, the wire 22 can keep the filament 11 horizontal, and the distance between the filament 11 and the surface 2a of the substrate 2 can be kept optimal. it can. Therefore, artificial diamond having extremely high crystallinity can be deposited uniformly and quickly on the surfaces 2a of all the substrates 2, and the product yield can be greatly improved.
【００２９】[0029]
【考案の効果】以上説明した様に、この考案の請求項１
記載の析出装置によれば、被処理材にダイヤモンドを析
出させるための反応室と、該反応室に反応ガスを導入す
る反応ガス導入管と、前記反応室から反応ガスを排出す
る反応ガス排出管と、前記被処理材を支持するワークホ
ルダと、前記反応室の上部位置に移動した前記ワークホ
ルダに支持される前記被処理材の表面と対向する位置に
設けられたフィラメントとを具備してなる析出装置にお
いて、前記フィラメントの中間部を懸吊してなることと
したので、フィラメントを水平に支持することができ、
フィラメントと被処理材の表面との間隔を最適に保持す
ることができる。[Effect of the Invention] As described above, claim 1 of the present invention.
According to the deposition apparatus described above, a reaction chamber for depositing diamond on the material to be processed, a reaction gas introduction pipe for introducing a reaction gas into the reaction chamber, and a reaction gas discharge pipe for discharging a reaction gas from the reaction chamber A work holder supporting the material to be processed, and a filament provided at a position facing the surface of the material to be processed supported by the work holder moved to an upper position of the reaction chamber. In the deposition apparatus, since the intermediate portion of the filament is suspended, the filament can be supported horizontally,
The distance between the filament and the surface of the material to be treated can be kept optimal.
【００３０】また、通電による経時変化によりフィラメ
ントに弛みが生じても、懸吊部材がフィラメントを懸吊
し続けることによりフィラメントを略水平に保ち続ける
ことができ、このフィラメントと被処理材の表面との間
隔を最適に保ち続けることができる。したがって、全て
の被処理材の表面に均一かつ速やかに、極めて結晶性の
よい人工ダイヤモンドを析出させることができ、製品歩
留まりを大巾に向上させることができる。Further, even if the filament is loosened due to a change with the passage of time due to the energization, the filament can be kept substantially horizontal by the suspension member continuing to suspend the filament. Can be kept optimally. Therefore, artificial diamond having extremely high crystallinity can be deposited uniformly and quickly on the surfaces of all the materials to be treated, and the product yield can be greatly improved.
【００３１】また、この考案の請求項２記載の人工ダイ
ヤモンド析出装置によれば、被処理材にダイヤモンドを
析出させるための反応室と、該反応室に反応ガスを導入
する反応ガス導入管と、前記反応室から反応ガスを排出
する反応ガス排出管と、前記被処理材を支持するワーク
ホルダと、前記反応室の上部位置に移動した前記ワーク
ホルダに支持される前記被処理材の表面と対向する位置
に設けられたフィラメントとを具備してなる析出装置に
おいて、前記フィラメントに懸吊部材を挿通し該懸吊部
材を緊張してなることとしたので、フィラメントを水平
に支持することができ、フィラメントと被処理材の表面
との間隔を最適に保持することができる。According to the artificial diamond deposition apparatus of the present invention, a reaction chamber for depositing diamond on the material to be processed, a reaction gas introduction pipe for introducing a reaction gas into the reaction chamber, A reaction gas discharge pipe for discharging a reaction gas from the reaction chamber, a work holder for supporting the material to be processed, and a surface of the material to be processed supported by the work holder moved to an upper position of the reaction chamber. And a filament provided at a position where the suspension member is inserted into the filament and the suspension member is tensioned, so that the filament can be supported horizontally. The distance between the filament and the surface of the material to be treated can be kept optimal.
【００３２】また、通電による経時変化によりフィラメ
ントに弛みが生じても、懸吊部材がフィラメントを水平
に保持し続けることができ、このフィラメントと被処理
材の表面との間隔を最適に保ち続けることができる。し
たがって、全ての被処理材の表面に均一かつ速やかに、
極めて結晶性のよい人工ダイヤモンドを析出させること
ができ、製品歩留まりを大巾に向上させることができ
る。Further, even if the filament is loosened due to a change with time due to energization, the suspending member can keep the filament horizontal, and keep the distance between the filament and the surface of the material to be processed optimal. Can be. Therefore, uniformly and promptly on the surface of all materials to be treated,
An artificial diamond having extremely high crystallinity can be precipitated, and the product yield can be greatly improved.
【図１】本考案の請求項１記載の析出装置のフィラメン
ト支持構造の一例を示す正面図である。FIG. 1 is a front view showing an example of a filament support structure of a deposition apparatus according to claim 1 of the present invention.
【図２】本考案の請求項２記載の析出装置のフィラメン
ト支持構造の一例を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing an example of a filament supporting structure of the deposition apparatus according to the second aspect of the present invention.
【図３】従来の析出装置の概略図である。FIG. 3 is a schematic view of a conventional deposition apparatus.
【図４】従来の析出装置のフィラメント支持構造の一例
を示す正面図である。FIG. 4 is a front view showing an example of a filament supporting structure of a conventional deposition apparatus.
【図５】従来の析出装置の通電による経時変化後のフィ
ラメント支持構造の一例を示す正面図である。FIG. 5 is a front view showing an example of a filament supporting structure after a change over time due to energization of a conventional deposition apparatus.
２ 基板（被処理材） ３ 反応室 ４ 反応ガス導入管 ５ 反応ガス排出管 ６ 制御機構 ８ 昇降装置 ９ ワークホルダ １０ 熱電対 １１ フィラメント １１ａ 端部 １２ 電気炉 １３ ステムピン ２１ ワイヤ ２２ ワイヤ（懸吊部材） 2 Substrate (material to be processed) 3 Reaction chamber 4 Reaction gas introduction pipe 5 Reaction gas discharge pipe 6 Control mechanism 8 Lifting device 9 Work holder 10 Thermocouple 11 Filament 11a End 12 Electric furnace 13 Stem pin 21 Wire 22 Wire (suspension member) )
Claims (2)
めの反応室と、該反応室に反応ガスを導入する反応ガス
導入管と、前記反応室から反応ガスを排出する反応ガス
排出管と、前記被処理材を支持するワークホルダと、前
記反応室の上部位置に移動した前記ワークホルダに支持
される前記被処理材の表面と対向する位置に設けられた
フィラメントとを具備してなる人工ダイヤモンド析出装
置において、前記フィラメントの中間部を懸吊してなる
ことを特徴とする人工ダイヤモンド析出装置。A reaction chamber for depositing diamond on a material to be processed, a reaction gas introduction pipe for introducing a reaction gas into the reaction chamber, a reaction gas discharge pipe for discharging a reaction gas from the reaction chamber, Artificial diamond deposition comprising: a work holder supporting a material to be processed; and a filament provided at a position facing a surface of the material to be processed supported by the work holder moved to an upper position of the reaction chamber. An artificial diamond deposition device, wherein an intermediate portion of the filament is suspended.
めの反応室と、該反応室に反応ガスを導入する反応ガス
導入管と、前記反応室から反応ガスを排出する反応ガス
排出管と、前記被処理材を支持するワークホルダと、前
記反応室の上部位置に移動した前記ワークホルダに支持
される前記被処理材の表面と対向する位置に設けられた
フィラメントとを具備してなる人工ダイヤモンド析出装
置において、前記フィラメントに懸吊部材を挿通し該懸
吊部材を緊張してなることを特徴とする人工ダイヤモン
ド析出装置。2. A reaction chamber for depositing diamond on a material to be processed, a reaction gas introduction pipe for introducing a reaction gas into the reaction chamber, a reaction gas discharge pipe for discharging a reaction gas from the reaction chamber, Artificial diamond deposition comprising: a work holder supporting a material to be processed; and a filament provided at a position facing a surface of the material to be processed supported by the work holder moved to an upper position of the reaction chamber. An apparatus for depositing artificial diamond, characterized in that a suspension member is inserted into the filament and the suspension member is tensioned.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2665491U JP2522861Y2 (en) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | Artificial diamond deposition equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2665491U JP2522861Y2 (en) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | Artificial diamond deposition equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04114567U JPH04114567U (en) | 1992-10-08 |
| JP2522861Y2 true JP2522861Y2 (en) | 1997-01-16 |
Family
ID=31911088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2665491U Expired - Fee Related JP2522861Y2 (en) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | Artificial diamond deposition equipment |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2522861Y2 (en) |
-
1991
- 1991-03-27 JP JP2665491U patent/JP2522861Y2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04114567U (en) | 1992-10-08 |
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