JP2515775B2 - 表面処理方法および装置 - Google Patents
表面処理方法および装置Info
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/12—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
- B01J19/122—Incoherent waves
- B01J19/123—Ultraviolet light
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は表面処理方法および装置に係り、特にレジス
ト除去などに好適な表面処理方法およびこれを用いた表
面処理装置に関する。
ト除去などに好適な表面処理方法およびこれを用いた表
面処理装置に関する。
従来の装置は、特開昭60−129136号に記載のように、
供給反応ガスを横方向の一方向のみから供給するように
なつていた。
供給反応ガスを横方向の一方向のみから供給するように
なつていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕 上記従来技術は、反応ガスを一方向から供給するのみ
であるので、新鮮なガスが当る供給口に近い側の処理は
早いが、遠くになる側の処理が遅くなり、均一に短時間
に表面全体の処理をする点について問題があつた。
であるので、新鮮なガスが当る供給口に近い側の処理は
早いが、遠くになる側の処理が遅くなり、均一に短時間
に表面全体の処理をする点について問題があつた。
本発明の目的は、表面処理時間を短縮することにあ
る。
る。
上記目的は、新鮮な反応ガスを処理表面全体に供給す
ることにより達成される。
ることにより達成される。
すなわち、被処理物を載置する台の表面と所定の間隙
を介して対向配置され、台の中心からの距離が異なり、
かつ、それぞれ同一同心円周上にはない位置に設けられ
た複数の供給口から反応ガスを被処理物の表面に供給す
ると共に、前記台を回転し、各供給口から供給される反
応ガスの流れが被処理物表面上でぶつかり合わないよう
に、回転する被処理物表面への反応ガスの供給タイミン
グをずらして、サイクリックに順に各供給口から反応ガ
スを供給することにより、被処理物の処理表面全体に新
鮮な反応ガスを供給できるので、短時間に均一な表面処
理を行うことができる。
を介して対向配置され、台の中心からの距離が異なり、
かつ、それぞれ同一同心円周上にはない位置に設けられ
た複数の供給口から反応ガスを被処理物の表面に供給す
ると共に、前記台を回転し、各供給口から供給される反
応ガスの流れが被処理物表面上でぶつかり合わないよう
に、回転する被処理物表面への反応ガスの供給タイミン
グをずらして、サイクリックに順に各供給口から反応ガ
スを供給することにより、被処理物の処理表面全体に新
鮮な反応ガスを供給できるので、短時間に均一な表面処
理を行うことができる。
紫外線とたとえばオゾンとを有機物表面に供給する
と、紫外線により有機物の化学結合が切断され、さらに
供給されたオゾンがラジカル酸素に変わりこれが有機物
の成分である炭素や水素や酸素と化合しガス状となり揮
発して、有機物を分解除去できる。ここで、被処理表面
を回転することは、紫外線放射ランプの照度ムラを処理
表面上では時間的に均一化させる効果があり、また新鮮
な反応ガスを広い面積に当てる効果がある。反応ガスの
供給口を回転中心に対して同一同心円周上にない、離れ
たいくつかの位置に配することも新鮮な反応ガスを広い
面積に当てる効果がある。
と、紫外線により有機物の化学結合が切断され、さらに
供給されたオゾンがラジカル酸素に変わりこれが有機物
の成分である炭素や水素や酸素と化合しガス状となり揮
発して、有機物を分解除去できる。ここで、被処理表面
を回転することは、紫外線放射ランプの照度ムラを処理
表面上では時間的に均一化させる効果があり、また新鮮
な反応ガスを広い面積に当てる効果がある。反応ガスの
供給口を回転中心に対して同一同心円周上にない、離れ
たいくつかの位置に配することも新鮮な反応ガスを広い
面積に当てる効果がある。
ここで新鮮な反応ガスとは供給されたオゾンから出来
るラジカル酸素でありこれが、新しい処理表面に有効に
当ることが処理能率をよくする。供給口に近い部分は表
面が冷却されるので若干能率がおちるがそのすぐ外側で
は、上記のような能率のよい処理が行われる。供給口か
ら遠くに離れるとオゾンの濃度が低下することと揮発し
たガスが邪魔をするため処理能率が低下する。従つて、
単数の供給口では、短時間に均一に処理することはでき
ない。また、供給口の真下は、冷却効果によつて、処理
時間がその周辺より遅くなる。（第１図,A,B） 複数個の供給口を設け、同時に全ての供給口から反応
ガスを供給すると、表面上でのガスの流れのぶつかり合
う場所が生じ、この部分での処理時間が遅れる場合があ
る。しかし、複数個の供給口を設け、その供給口の真下
の冷却による逆効果，ガスの流れのぶつかり合う場所の
発生による逆効果を除くために、各供給口への反応ガス
の供給を短時間のサイクルで時間をずらせて供給すると
極めて短時間に均一な処理が可能となる。また、処理表
面面積や、表面温度、或は、有機物の性質の違い等によ
つて、各供給口への反応ガスの供給サイクルや時間およ
び供給量を可変することにより最適な処理条件を見い出
せ、一つの装置で多くの利用が可能となる。
るラジカル酸素でありこれが、新しい処理表面に有効に
当ることが処理能率をよくする。供給口に近い部分は表
面が冷却されるので若干能率がおちるがそのすぐ外側で
は、上記のような能率のよい処理が行われる。供給口か
ら遠くに離れるとオゾンの濃度が低下することと揮発し
たガスが邪魔をするため処理能率が低下する。従つて、
単数の供給口では、短時間に均一に処理することはでき
ない。また、供給口の真下は、冷却効果によつて、処理
時間がその周辺より遅くなる。（第１図,A,B） 複数個の供給口を設け、同時に全ての供給口から反応
ガスを供給すると、表面上でのガスの流れのぶつかり合
う場所が生じ、この部分での処理時間が遅れる場合があ
る。しかし、複数個の供給口を設け、その供給口の真下
の冷却による逆効果，ガスの流れのぶつかり合う場所の
発生による逆効果を除くために、各供給口への反応ガス
の供給を短時間のサイクルで時間をずらせて供給すると
極めて短時間に均一な処理が可能となる。また、処理表
面面積や、表面温度、或は、有機物の性質の違い等によ
つて、各供給口への反応ガスの供給サイクルや時間およ
び供給量を可変することにより最適な処理条件を見い出
せ、一つの装置で多くの利用が可能となる。
以下、本発明の一実施例を第１図，第２図により説明
する。
する。
本実施例の構成を第２図により説明すると紫外線放射
光源２の下に紫外線を透過する厚さ2.5mmの合成石英の
ガラス板３を、光源に近くかつ直径125mmの被処理物４
の表面に平行でそのギヤツプを2mmとしておき、このガ
ラス板３には、被処理物表面の回転半径の0,15,35,52.5
mmの位置に反応ガスであるオゾンを含む酸素ガスを供給
するノズルA,B,C,Dを配設しさらに、サイドより同様な
ノズルＥを設けた。被処理物４を載せる回転台５には、
ヒーターが入つており（図示せず）被処理物を加熱する
ことができる。紫外線放射光源２は、合成石英の管径9m
mの低圧水銀ランプを13mmピツチで12本の発光管を配置
した。オゾン濃度及び流量，紫外線放射照度，被処理物
の温度及び回転数を一定にしたときの１μｍの厚さのレ
ジストの除去時間分布を、反応ガスの供給方法を変えて
測定した結果を第１図に示す。
光源２の下に紫外線を透過する厚さ2.5mmの合成石英の
ガラス板３を、光源に近くかつ直径125mmの被処理物４
の表面に平行でそのギヤツプを2mmとしておき、このガ
ラス板３には、被処理物表面の回転半径の0,15,35,52.5
mmの位置に反応ガスであるオゾンを含む酸素ガスを供給
するノズルA,B,C,Dを配設しさらに、サイドより同様な
ノズルＥを設けた。被処理物４を載せる回転台５には、
ヒーターが入つており（図示せず）被処理物を加熱する
ことができる。紫外線放射光源２は、合成石英の管径9m
mの低圧水銀ランプを13mmピツチで12本の発光管を配置
した。オゾン濃度及び流量，紫外線放射照度，被処理物
の温度及び回転数を一定にしたときの１μｍの厚さのレ
ジストの除去時間分布を、反応ガスの供給方法を変えて
測定した結果を第１図に示す。
第１図の曲線７は、反応ガスの供給をノズルＡのみか
ら供給した場合の被処理表面でのレジスト除去時間の分
布を示す。同様に曲線８は、ノズルＢのみにより反応ガ
スを供給した場合、曲線９は、ノズルＥのみの場合、曲
線10は、ノズルB,C,Dからサイクリツクに順に反応ガス
を供給した場合の結果である。曲線7,8,9は、処理時間
の早い部分と遅い部分の差が大きく均一でないのに対し
て、曲線10はほぼ均一であり最終処理時間も早い結果と
なつた。
ら供給した場合の被処理表面でのレジスト除去時間の分
布を示す。同様に曲線８は、ノズルＢのみにより反応ガ
スを供給した場合、曲線９は、ノズルＥのみの場合、曲
線10は、ノズルB,C,Dからサイクリツクに順に反応ガス
を供給した場合の結果である。曲線7,8,9は、処理時間
の早い部分と遅い部分の差が大きく均一でないのに対し
て、曲線10はほぼ均一であり最終処理時間も早い結果と
なつた。
以上の実施例からも判るように本発明によれば、回転
する被処理表面への反応ガスの供給を、回転半径に対し
て異なる位置に設けた複数の供給口から適当な時間をず
らせて行なうことにより全面にわたつてほぼ均一で、結
果的に短時間での表面処理が可能となる。
する被処理表面への反応ガスの供給を、回転半径に対し
て異なる位置に設けた複数の供給口から適当な時間をず
らせて行なうことにより全面にわたつてほぼ均一で、結
果的に短時間での表面処理が可能となる。
なお、複数個の供給口の位置は、必ずしも同一半径上
になくてもよいが同一同心円周上は効果が少ない。
になくてもよいが同一同心円周上は効果が少ない。
また、実施例では、B,C,Dの三つの供給口を使うと効
果があつたが、被処理物の大きさによつては、２ケでも
同様な効果が得られる。またB,CとＥの組み合せもかな
りの効果が得られることは第１図からも充分予想でき
る。
果があつたが、被処理物の大きさによつては、２ケでも
同様な効果が得られる。またB,CとＥの組み合せもかな
りの効果が得られることは第１図からも充分予想でき
る。
本発明によれば、被処理物を回転させ、被処理表面
に、回転の同一同心円周上にない位置に複数個の反応ガ
ス供給口を設け、ガスの供給のタイミングを適当に選ぶ
ことにより、短時間に均一な表面処理ができるので、そ
の工業的な効果が大きい。
に、回転の同一同心円周上にない位置に複数個の反応ガ
ス供給口を設け、ガスの供給のタイミングを適当に選ぶ
ことにより、短時間に均一な表面処理ができるので、そ
の工業的な効果が大きい。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の一実施例における表面処理時間分布を
示すグラフ、第２図は本発明の一実施例を示す装置要部
の概略縦断面図である。 １……ガス供給ノズル、２……紫外線放射光源、３……
紫外線透過ガラス板、４……被処理物、５……ヒーター
内蔵回転台、６……回転シヤフト。
示すグラフ、第２図は本発明の一実施例を示す装置要部
の概略縦断面図である。 １……ガス供給ノズル、２……紫外線放射光源、３……
紫外線透過ガラス板、４……被処理物、５……ヒーター
内蔵回転台、６……回転シヤフト。
Claims (2)
- 【請求項１】被処理物を載置する台の表面と所定の間隙
を介して対向配置され、台の中心からの距離が異なり、
かつ、それぞれ同一同心円周上にはない位置に設けられ
た複数の供給口から反応ガスを被処理物の表面に供給す
ると共に、前記台を回転し、各供給口から供給される反
応ガスの流れが被処理物表面上でぶつかり合わないよう
に、回転する被処理物表面への反応ガスの供給タイミン
グをずらして、サイクリックに順に各供給口から反応ガ
スを供給することを特徴とする表面処理方法。 - 【請求項２】被処理物を載置する台と、この台を回転す
る回転手段と、台の表面と所定の間隙を介して対向配置
されると共に台の中心から距離が異なる位置に設けられ
た複数の供給口とを有し、この複数の供給口から回転す
る被処理物の表面に反応ガスを供給して被処理物の表面
処理を行う装置において、 前記複数の供給口は同一同心円周上には１つ設けられる
と共に、各供給口での反応ガスの供給、非供給のそれぞ
れの時間及び供給量を可変する制御手段を設けたことを
特徴とする表面処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62033251A JP2515775B2 (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 表面処理方法および装置 |
| US07/148,897 US4842828A (en) | 1987-02-18 | 1988-01-27 | Apparatus for treating surface of object with ultraviolet rays and reaction gas |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62033251A JP2515775B2 (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 表面処理方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63200835A JPS63200835A (ja) | 1988-08-19 |
| JP2515775B2 true JP2515775B2 (ja) | 1996-07-10 |
Family
ID=12381275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62033251A Expired - Lifetime JP2515775B2 (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 表面処理方法および装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4842828A (ja) |
| JP (1) | JP2515775B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03208038A (ja) * | 1990-01-10 | 1991-09-11 | Brother Ind Ltd | 画像記録装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS544347B2 (ja) * | 1974-01-29 | 1979-03-06 | ||
| JPS5565436A (en) * | 1978-11-10 | 1980-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma treatment device |
| US4209357A (en) * | 1979-05-18 | 1980-06-24 | Tegal Corporation | Plasma reactor apparatus |
| US4307283A (en) * | 1979-09-27 | 1981-12-22 | Eaton Corporation | Plasma etching apparatus II-conical-shaped projection |
| US4297162A (en) * | 1979-10-17 | 1981-10-27 | Texas Instruments Incorporated | Plasma etching using improved electrode |
| JPS5959450A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-05 | Toshiba Electric Equip Corp | 照射装置 |
| JPS59140365A (ja) * | 1983-02-01 | 1984-08-11 | Ushio Inc | 光化学蒸着装置 |
| JPS60129136A (ja) * | 1983-12-15 | 1985-07-10 | Toshiba Corp | 紫外線照射装置 |
| JPS60212222A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-24 | Ushio Inc | 光化学反応装置 |
| JPS60223127A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-07 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1987
- 1987-02-18 JP JP62033251A patent/JP2515775B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-01-27 US US07/148,897 patent/US4842828A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4842828A (en) | 1989-06-27 |
| JPS63200835A (ja) | 1988-08-19 |
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