JP2509724B2 - 光学式ディスク基板の製造方法 - Google Patents
光学式ディスク基板の製造方法Info
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- JP2509724B2 JP2509724B2 JP2008904A JP890490A JP2509724B2 JP 2509724 B2 JP2509724 B2 JP 2509724B2 JP 2008904 A JP2008904 A JP 2008904A JP 890490 A JP890490 A JP 890490A JP 2509724 B2 JP2509724 B2 JP 2509724B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、未溶融の粒状ポリカーボネートからディス
ク基板を直接製造し、異物強度が低く高品質な光学式デ
ィスク基板を製造する方法に関する。
ク基板を直接製造し、異物強度が低く高品質な光学式デ
ィスク基板を製造する方法に関する。
［従来の技術］ オーディオディスク，レーザディスク，光ディスクメ
モリあるいは光磁気ディスク等のレーザ光を利用して情
報の記録及び／または再生を行なう光学式記録媒体にあ
っては、成形性，強度，光線透過率及び耐湿性の点で優
れているポリカーボネートが多く用いられている。
モリあるいは光磁気ディスク等のレーザ光を利用して情
報の記録及び／または再生を行なう光学式記録媒体にあ
っては、成形性，強度，光線透過率及び耐湿性の点で優
れているポリカーボネートが多く用いられている。
この場合、透明基板中に含まれる異物（塵埃や炭化物
等）がビットエラーの発生に大きな影響を与えることが
知られている。
等）がビットエラーの発生に大きな影響を与えることが
知られている。
そこで従来は、原料中の異物を原料の精製過程や造粒
過程等においてフィルタで濾過するなどして異物の低減
化を図っており、例えば特開昭61−90345号あるいは同6
3−91231号に記載されているような技術が提案されてい
る。
過程等においてフィルタで濾過するなどして異物の低減
化を図っており、例えば特開昭61−90345号あるいは同6
3−91231号に記載されているような技術が提案されてい
る。
しかしながら、異物量を低減させる場合、未溶融原料
中から異物を取り除くだけでは不十分であり、原料のペ
レット化工程における塵埃の混入防止あるいは押出成形
時における炭化物の生成，混入防止等を図らなければな
らないことから、特開昭58−126119号あるいは同61−95
914号に記載されているような技術も提案されている。
中から異物を取り除くだけでは不十分であり、原料のペ
レット化工程における塵埃の混入防止あるいは押出成形
時における炭化物の生成，混入防止等を図らなければな
らないことから、特開昭58−126119号あるいは同61−95
914号に記載されているような技術も提案されている。
［解決すべき課題］ 特開昭58−126119号に記載されている技術は、ポリカ
ーボネートフレークに酸化防止剤を配合してペレット化
したペレットを用いて光学式ディスク基板の成形を行な
うものである。しかし、この技術は、ペレット化の際の
溶融加熱により材料の熱劣化をもたらすとともに、ペレ
ット化工程における異物の混入を十分防止することがで
きないという問題があった。したがって、高性能化にも
おのずから限界があった。
ーボネートフレークに酸化防止剤を配合してペレット化
したペレットを用いて光学式ディスク基板の成形を行な
うものである。しかし、この技術は、ペレット化の際の
溶融加熱により材料の熱劣化をもたらすとともに、ペレ
ット化工程における異物の混入を十分防止することがで
きないという問題があった。したがって、高性能化にも
おのずから限界があった。
また、特開昭61−95914号に記載の技術は、メチルメ
タクリレート（MMA）を懸濁重合して得たビーズ状の透
明アクリル樹脂をペレット化することなく、そのまま射
出成形して光学式のディスク基板を製造するものであ
る。しかし、この技術は、耐熱性，耐湿性，強度の低い
アクリル系樹脂に応用可能なものであり、光学式ディス
ク用の材料として優れた性能を有するポリカーボネート
には、その重合法の違いからビーズ状ポリマーは得られ
ず、そのまま適用することはできないという問題点があ
った。
タクリレート（MMA）を懸濁重合して得たビーズ状の透
明アクリル樹脂をペレット化することなく、そのまま射
出成形して光学式のディスク基板を製造するものであ
る。しかし、この技術は、耐熱性，耐湿性，強度の低い
アクリル系樹脂に応用可能なものであり、光学式ディス
ク用の材料として優れた性能を有するポリカーボネート
には、その重合法の違いからビーズ状ポリマーは得られ
ず、そのまま適用することはできないという問題点があ
った。
本発明は上記の事情にかんがみてなされたもので、異
物の混入を少なくするとともに、熱履歴を少なくして樹
脂の熱分解を抑えることにより、異物強度の低い、すな
わち、記録媒体としたときのビットエラー率（BER）を
低減した光学式ディスク基板の製造方法の提供を目的と
する。
物の混入を少なくするとともに、熱履歴を少なくして樹
脂の熱分解を抑えることにより、異物強度の低い、すな
わち、記録媒体としたときのビットエラー率（BER）を
低減した光学式ディスク基板の製造方法の提供を目的と
する。
［課題の解決手段］ 上記目的を達成するため、本発明の光学式ディスク基
板の製造方法は、粘度平均分子量10000〜22000の未溶融
の粒状ポリカーボネートを射出成形して、異物強度が１
×105μm2/g以下のディスク基板を製造するようにして
ある。そして好ましくは、上記粒状ポリカーボネート
が、500〜2000μｍの粒径からなるポリカーボネートで9
5wt.％以上をしめるようにしてあり、また上記粒状ポリ
カーボネートの嵩密度を0.6〜0.8g/cm3としてある。
板の製造方法は、粘度平均分子量10000〜22000の未溶融
の粒状ポリカーボネートを射出成形して、異物強度が１
×105μm2/g以下のディスク基板を製造するようにして
ある。そして好ましくは、上記粒状ポリカーボネート
が、500〜2000μｍの粒径からなるポリカーボネートで9
5wt.％以上をしめるようにしてあり、また上記粒状ポリ
カーボネートの嵩密度を0.6〜0.8g/cm3としてある。
未溶融の粒状ポリカーボネートから直接射出成型して
ディスク基板を製造すると、材料自体の異物強度を低く
できるとともに、樹脂の熱履歴を一回だけとして樹脂の
熱分解を少なくし炭化物の混入を最小限に抑えることが
できるので、異物含量が少なくビットエラーの少ない高
性能な光学式ディスク基板を容易に得られる。
ディスク基板を製造すると、材料自体の異物強度を低く
できるとともに、樹脂の熱履歴を一回だけとして樹脂の
熱分解を少なくし炭化物の混入を最小限に抑えることが
できるので、異物含量が少なくビットエラーの少ない高
性能な光学式ディスク基板を容易に得られる。
ここで「異物強度」とは、粒径が0.5μｍ以上の大き
さからなる単位重量当りの異物の、各々の粒径の平方と
個数との積の和である。異物は、評価すべき材料（原料
または基板等）を大過剰の有機溶媒（特に塩化メチレ
ン）に溶解した溶液中に検出されるものである。異物強
度は、式 Ｉ＝Σ｛［1/2（di＋di+1）］２ ×（ni−ni′）｝÷Ｗ で表わされる。式中、Ｉは異物強度であり、diは第ｉ番
目の粒径区分値（μｍ）であり、niは粒径di+1未満及び
粒径di以上であって溶液中に検出される異物の個数であ
り、ni′は使用前の溶液中に含まれている異物の個数で
あり、そしてＷは材料の重量（ｇ）である。
さからなる単位重量当りの異物の、各々の粒径の平方と
個数との積の和である。異物は、評価すべき材料（原料
または基板等）を大過剰の有機溶媒（特に塩化メチレ
ン）に溶解した溶液中に検出されるものである。異物強
度は、式 Ｉ＝Σ｛［1/2（di＋di+1）］２ ×（ni−ni′）｝÷Ｗ で表わされる。式中、Ｉは異物強度であり、diは第ｉ番
目の粒径区分値（μｍ）であり、niは粒径di+1未満及び
粒径di以上であって溶液中に検出される異物の個数であ
り、ni′は使用前の溶液中に含まれている異物の個数で
あり、そしてＷは材料の重量（ｇ）である。
粒径区分値設定の設定の一例を示せば、次のとおりで
ある。
ある。
d1＝0.5（μｍ） d6＝5.0（μｍ） d2＝0.6（μｍ） d7＝10.0（μｍ） d3＝0.7（μｍ） d8＝20.0（μｍ） d4＝1.1（μｍ） d9＝25.0（μｍ） d5＝2.5（μｍ） 粒径が25.0μｍを越える異物が検出される場合には、
適当な数値のd10、d11等を用いる。
適当な数値のd10、d11等を用いる。
本明細書で「異物」とは、本来的には光学式ディスク
基板に種々の経由から入りこむ汚染物質、例えば不純
物、ダストまたは原料樹脂の炭化物を意味するが、塩化
メチレン不溶成分である“異物”から算出した前記の異
物強度を用いて光学式ディスク基板のビットエラー率を
正確に評価することができる。
基板に種々の経由から入りこむ汚染物質、例えば不純
物、ダストまたは原料樹脂の炭化物を意味するが、塩化
メチレン不溶成分である“異物”から算出した前記の異
物強度を用いて光学式ディスク基板のビットエラー率を
正確に評価することができる。
そして異物強度が１×105μm2/g以下のときに、光学
式情報記録媒体用として十分信頼性のある光学式ディス
ク基板を得られる。
式情報記録媒体用として十分信頼性のある光学式ディス
ク基板を得られる。
以下、本発明光学式ディスク基板の製造方法の好まし
い一具体例について説明する。
い一具体例について説明する。
この製造方法においては、ディスク基板の材料として
ポリカーボネート樹脂を用いる。このとき、ポリカーボ
ネート樹脂は、粘度平均分子量10000〜22000、好ましく
は12000〜20000とし、従来一般に用いられて溶融ペレッ
ト化したものではなく、未溶融の粒状とする。
ポリカーボネート樹脂を用いる。このとき、ポリカーボ
ネート樹脂は、粘度平均分子量10000〜22000、好ましく
は12000〜20000とし、従来一般に用いられて溶融ペレッ
ト化したものではなく、未溶融の粒状とする。
粘度平均分子量を10000〜22000とするのは、ディスク
基板の強度，透明性，複屈折等の光学的性質の向上や均
一性を得るための良好な成形姓を確保するためである。
基板の強度，透明性，複屈折等の光学的性質の向上や均
一性を得るための良好な成形姓を確保するためである。
ここでポリカーボネート系樹脂としては、特に制限は
なく、例えば、粘度平均分子量が10000〜22000、好まし
くは12000〜20000のものであり、二価フェノールとホス
ゲンまたはジフェニルカーボネートのような炭酸エステ
ルとの反応により製造されるものである。二価フェノー
ル類としては、ハイドロキノン、4,4′−ジオキシフェ
ニル、ビス（ヒドロキシフェニル）アルカン、ビス（ヒ
ドロキシフェニル）シクロアルカン、ビス（ヒドロキシ
フェニル）エーテル、ビス（ヒドロキシフェニル）ケト
ン、ビス（ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（ヒ
ドロキシフェニル）スルホン、及びこれらの低級アルキ
ル、ハロゲン等の置換体をあげることができるが、2,
2′−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以
下、ビスフェノールＡという）、1,1−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）エタン、2,2−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）−ヘキサフルオロプロパン等を使用すること
が好ましい。
なく、例えば、粘度平均分子量が10000〜22000、好まし
くは12000〜20000のものであり、二価フェノールとホス
ゲンまたはジフェニルカーボネートのような炭酸エステ
ルとの反応により製造されるものである。二価フェノー
ル類としては、ハイドロキノン、4,4′−ジオキシフェ
ニル、ビス（ヒドロキシフェニル）アルカン、ビス（ヒ
ドロキシフェニル）シクロアルカン、ビス（ヒドロキシ
フェニル）エーテル、ビス（ヒドロキシフェニル）ケト
ン、ビス（ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（ヒ
ドロキシフェニル）スルホン、及びこれらの低級アルキ
ル、ハロゲン等の置換体をあげることができるが、2,
2′−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以
下、ビスフェノールＡという）、1,1−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）エタン、2,2−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）−ヘキサフルオロプロパン等を使用すること
が好ましい。
また、これらの二価フェノールは、単体で、あるいは
混合して使用することもできる。
混合して使用することもできる。
さらに、本発明で使用されるポリカーボネートとして
は、一部分枝構造といったものであってもよい。
は、一部分枝構造といったものであってもよい。
粘度平均分子量10000〜22000の制御はポリカーボネー
トの製造時に、ｐ−ｔ−ブチルフェノールのような末端
停止剤の添加により行なうことができる。粘度平均分子
量が10000未満であるとディスク基板の強度が実用に耐
えられなくなり、22000を越えると成形性，光学的特性
の点で十分な性能を有するディスク基板を得られない。
トの製造時に、ｐ−ｔ−ブチルフェノールのような末端
停止剤の添加により行なうことができる。粘度平均分子
量が10000未満であるとディスク基板の強度が実用に耐
えられなくなり、22000を越えると成形性，光学的特性
の点で十分な性能を有するディスク基板を得られない。
なお、粘度平均分子量［Mv］は、20℃の塩化メチレン
溶液中のポリカーボネート樹脂の比粘度ηsp測定し、式 ηsp/C＝［η］（１＋0.28ηsp） ［ここで、Ｃはポリカーボネート樹脂濃度（g/）であ
る］ および ［η］＝1.23×10-5Mv 0.83 によって算出することができる。
溶液中のポリカーボネート樹脂の比粘度ηsp測定し、式 ηsp/C＝［η］（１＋0.28ηsp） ［ここで、Ｃはポリカーボネート樹脂濃度（g/）であ
る］ および ［η］＝1.23×10-5Mv 0.83 によって算出することができる。
射出成形に用いる原料ポリカーボネートは、従来公知
の方法により製造した後、溶液状態において濾過処理を
したり、粒状の原料を、例えば加熱条件下でアセトンな
どの貧溶媒で洗浄したりして低分子量成分や未反応成分
などの不純物や異物を除去することが好ましい。いずれ
にしても、射出成形前の原料は、異物，不純物，溶媒な
どの含有量を極力低くしておくことが必要である。
の方法により製造した後、溶液状態において濾過処理を
したり、粒状の原料を、例えば加熱条件下でアセトンな
どの貧溶媒で洗浄したりして低分子量成分や未反応成分
などの不純物や異物を除去することが好ましい。いずれ
にしても、射出成形前の原料は、異物，不純物，溶媒な
どの含有量を極力低くしておくことが必要である。
また、必要により、例えばリン系等の酸化防止剤など
の添加剤を加えることも可能である。
の添加剤を加えることも可能である。
さらに、粒状ポリカーボネートにおける粒径分布は、
粒径が500〜2000μｍのものを95wt.％以上とすることが
好ましい。これは、粘度平均分子量が22000以下の場
合、一般的には微粉末ポリマーとなって、溶融時の脱
気、均一送りが不可能または困難で、安定して射出成形
できず良好なディスク基板を得られなくなるので、粒径
分布を上記のようにすることが好ましい。
粒径が500〜2000μｍのものを95wt.％以上とすることが
好ましい。これは、粘度平均分子量が22000以下の場
合、一般的には微粉末ポリマーとなって、溶融時の脱
気、均一送りが不可能または困難で、安定して射出成形
できず良好なディスク基板を得られなくなるので、粒径
分布を上記のようにすることが好ましい。
したがって、粒径分布は、粒径が700〜1400μｍのも
のを95wt.％以上とすることがより好ましい。このよう
にすると、粒径分布が狭く、射出成形時のスクリュ可塑
化を、あたかも溶融ペレットであるかのごとく安定して
行なうことができる。
のを95wt.％以上とすることがより好ましい。このよう
にすると、粒径分布が狭く、射出成形時のスクリュ可塑
化を、あたかも溶融ペレットであるかのごとく安定して
行なうことができる。
さらに、上記粒状ポリカーボネートの嵩密度は、溶融
性，脱気性，計量性等を良くするために0.6〜0.8g/cm3
とすることが好ましい。
性，脱気性，計量性等を良くするために0.6〜0.8g/cm3
とすることが好ましい。
上記ポリカーボネート樹脂より光学式ディスク基板を
製造する場合には射出成形機（射出圧縮成形機を含む）
を用いる。この射出成形機としては一般的に使用されて
いるものでよいが、炭化物の発生を少なくしディスク基
板の信頼性を高める観点からすると、シリンダ内壁面に
Co−Ni−Mo−Crからなる合金（例えばCo5〜80％、Ni5〜
80％、Mo0.1〜10％、Cr1〜20％からなる合金）ライニン
グを行なうとともに、スクリュ表面にTiCとTiNの二層コ
ーティングを行なったものを用いることが好ましい。
製造する場合には射出成形機（射出圧縮成形機を含む）
を用いる。この射出成形機としては一般的に使用されて
いるものでよいが、炭化物の発生を少なくしディスク基
板の信頼性を高める観点からすると、シリンダ内壁面に
Co−Ni−Mo−Crからなる合金（例えばCo5〜80％、Ni5〜
80％、Mo0.1〜10％、Cr1〜20％からなる合金）ライニン
グを行なうとともに、スクリュ表面にTiCとTiNの二層コ
ーティングを行なったものを用いることが好ましい。
すなわち、シリンダの内壁面にCo−Ni−Mo−Crからな
る合金ライニングや、スクリュの表面にTiCとTiNを二層
にコーティングすると、樹脂との非付着性や表面の耐蝕
性により、高温（400℃）になっても炭化物の発生を防
止できる。
る合金ライニングや、スクリュの表面にTiCとTiNを二層
にコーティングすると、樹脂との非付着性や表面の耐蝕
性により、高温（400℃）になっても炭化物の発生を防
止できる。
射出成形時における樹脂温度は300〜400℃とし、金型
温度は50〜140℃、好ましくは80〜130℃とする。
温度は50〜140℃、好ましくは80〜130℃とする。
なおこの場合、金型表面のみを高周波などを用いてガ
ラス転移温度以上に加熱して、樹脂射出成形後にディス
ク基板取り出し可能温度まで冷却するようにしてもよ
い。これにより、光学的に優れた基板を得ることができ
る。
ラス転移温度以上に加熱して、樹脂射出成形後にディス
ク基板取り出し可能温度まで冷却するようにしてもよ
い。これにより、光学的に優れた基板を得ることができ
る。
本製造方法によって製造される光学式ディスク基板の
サイズは、半径40〜170mm,厚み１〜3mmのものが多い。
また、光学式ディスク基板の異物強度は１×105μm2/g
以下となるようにし、ビットエラー率をさらに低減さ
せ、より確実な信頼性を得るためには５×104μm2/g以
下となるようにすることが好ましい。
サイズは、半径40〜170mm,厚み１〜3mmのものが多い。
また、光学式ディスク基板の異物強度は１×105μm2/g
以下となるようにし、ビットエラー率をさらに低減さ
せ、より確実な信頼性を得るためには５×104μm2/g以
下となるようにすることが好ましい。
このように異物強度を低くするためには、前記シリン
ダ内壁面及びスクリュ表面に加工を施した射出成形機を
用いるか及び／または粒状ポリマーの製造過程におい
て、溶融状態で充分な水洗い，酸洗い，アルカリ洗いを
繰返したり、水や温水で粒状化し、さらに、アセトン等
の貧溶媒で洗浄し（必要により加熱）低分子量成分（分
子量3000以下）を5wt.％以下、未反応ビスフェノールＡ
などの不純物を20ppm以下、塩化メチレン等の溶剤を20p
pm以下とした粒状ポリカーボネートを用いることが効果
的である。
ダ内壁面及びスクリュ表面に加工を施した射出成形機を
用いるか及び／または粒状ポリマーの製造過程におい
て、溶融状態で充分な水洗い，酸洗い，アルカリ洗いを
繰返したり、水や温水で粒状化し、さらに、アセトン等
の貧溶媒で洗浄し（必要により加熱）低分子量成分（分
子量3000以下）を5wt.％以下、未反応ビスフェノールＡ
などの不純物を20ppm以下、塩化メチレン等の溶剤を20p
pm以下とした粒状ポリカーボネートを用いることが効果
的である。
［実施例］ 次に、本発明の製造方法によって製造した光学式ディ
スク基板と、従来方法で製造した光学式ディスク基板の
性能を比較する。
スク基板と、従来方法で製造した光学式ディスク基板の
性能を比較する。
実施例１〜３ 原料としては表１に示す未溶融ポリカーボネート［粘
度平均分子量15600,粒径分布700〜1400μｍが96.5wt.
％，嵩密度0.68g/cm3］を用い、成形温度360℃，金型温
度120℃の条件下で、表１に表示の処理をした射出成形
機を使用して130mmφ×1.2mmの光学式ディスク基板を成
形した。
度平均分子量15600,粒径分布700〜1400μｍが96.5wt.
％，嵩密度0.68g/cm3］を用い、成形温度360℃，金型温
度120℃の条件下で、表１に表示の処理をした射出成形
機を使用して130mmφ×1.2mmの光学式ディスク基板を成
形した。
次に、この基板上に、Tb−Fe−Co系の記録膜をスパッ
タリングにより形成し、ビットエラーの測定を行なっ
た。
タリングにより形成し、ビットエラーの測定を行なっ
た。
ディスク基板の異物強度とビットエラー率の結果を表
１に示す。
１に示す。
比較例1,2 未溶融ポリカーボネートの代りに、溶融成形されたポ
リカーボネートペレット［粘度平均分子量15400,大きさ
3mmφ×3mm］を用いた以外は、実施例１に準じて行なっ
た。その結果を表１に示す。
リカーボネートペレット［粘度平均分子量15400,大きさ
3mmφ×3mm］を用いた以外は、実施例１に準じて行なっ
た。その結果を表１に示す。
この結果、本発明の製造方法で製造した光学式ディス
ク基板の方が、異物強度及びビットエラーの点で優れて
いることが判明した。すなわち、本発明方法によると、
異物強度10000μm2/g以下の高性能ディスク基板が得ら
れることが明らかである。
ク基板の方が、異物強度及びビットエラーの点で優れて
いることが判明した。すなわち、本発明方法によると、
異物強度10000μm2/g以下の高性能ディスク基板が得ら
れることが明らかである。
［発明の効果］ 以上のように、本発明光学式ディスク基板の製造方法
によれば、未溶融の粒状ポリカーボネートから直接射出
成形してディスク基板を製造しているので、材料自体の
異物強度を低くできるとともに、樹脂の熱履歴を一回だ
けとして樹脂の熱分解を少なくし炭化物の混入を最少限
に抑えることができるので、異物含量が少なくビットエ
ラーの少ない高性能な光学式ディスク基板を容易に得ら
れる。
によれば、未溶融の粒状ポリカーボネートから直接射出
成形してディスク基板を製造しているので、材料自体の
異物強度を低くできるとともに、樹脂の熱履歴を一回だ
けとして樹脂の熱分解を少なくし炭化物の混入を最少限
に抑えることができるので、異物含量が少なくビットエ
ラーの少ない高性能な光学式ディスク基板を容易に得ら
れる。
Claims (3)
- 【請求項１】粘度平均分子量10000〜22000の未溶融の粒
状ポリカーボネートを射出成形して、異物強度が１×10
5μm2/g以下のディスク基板を製造することを特徴とし
た光学式ディスク基板の製造方法。 - 【請求項２】上記粒状ポリカーボネートが、500〜2000
μｍの粒径からなるポリカーボネートで95wt.％以上を
しめていることを特徴とした特許請求の範囲第１項記載
の光学式ディスク基板の製造方法。 - 【請求項３】上記粒状ポリカーボネートの嵩密度が、0.
6〜0.8g/cm3であることを特徴とした特許請求の範囲第
１項記載の光学式ディスク基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008904A JP2509724B2 (ja) | 1989-01-20 | 1990-01-18 | 光学式ディスク基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-9994 | 1989-01-20 | ||
| JP999489 | 1989-01-20 | ||
| JP2008904A JP2509724B2 (ja) | 1989-01-20 | 1990-01-18 | 光学式ディスク基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02276040A JPH02276040A (ja) | 1990-11-09 |
| JP2509724B2 true JP2509724B2 (ja) | 1996-06-26 |
Family
ID=26343528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008904A Expired - Lifetime JP2509724B2 (ja) | 1989-01-20 | 1990-01-18 | 光学式ディスク基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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1990
- 1990-01-18 JP JP2008904A patent/JP2509724B2/ja not_active Expired - Lifetime
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