JP2509723B2 - 光学式ディスク基板、該基板を用いた光学式情報記録媒体及び、該基板を製造する射出成形装置 - Google Patents
光学式ディスク基板、該基板を用いた光学式情報記録媒体及び、該基板を製造する射出成形装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、異物量を低減した光学式ディスク基板、光
学式記録情報媒体並びに、光学式ディスク基板の製造に
好適な射出成形装置に関する。
学式記録情報媒体並びに、光学式ディスク基板の製造に
好適な射出成形装置に関する。
［従来の技術］ オーディオディスク，レーザディスク，光ディスクメ
モリあるいは光磁気ディスク等のレーザ光を利用して情
報の記録及び／または再生を行なう光学式記録媒体にあ
っては、ポリカーボネート，ポリメタクリル酸メチル，
硝子等からなる透明基板、すなわち光学式ディスク基板
中に含まれる異物（塵埃や炭化物等）が、情報の記録及
び／または再生の信頼性に対して大きな影響を与える。
モリあるいは光磁気ディスク等のレーザ光を利用して情
報の記録及び／または再生を行なう光学式記録媒体にあ
っては、ポリカーボネート，ポリメタクリル酸メチル，
硝子等からなる透明基板、すなわち光学式ディスク基板
中に含まれる異物（塵埃や炭化物等）が、情報の記録及
び／または再生の信頼性に対して大きな影響を与える。
そこで従来は、原料中の異物を原料の精製過程や造粒
過程等においてフィルタで濾過するなどして異物の低減
化を図っており、例えば、特開昭61-90345号あるいは特
開昭63-91231号に示すような技術が提案されている。
過程等においてフィルタで濾過するなどして異物の低減
化を図っており、例えば、特開昭61-90345号あるいは特
開昭63-91231号に示すような技術が提案されている。
このうち特開昭61-90345号には、光学式ディスク用基
板中に含まれる粒径0.5μｍ以上の大きさの異物の量
を、１×105個/g以下とし、かつ、この条件を満足させ
るために、モノマー等の使用原料中の異物を蒸留及び／
または濾過によって除去するとともに、製造設備の洗浄
及び製造過程における異物の混入を防止する必要のある
ことが開示されている。
板中に含まれる粒径0.5μｍ以上の大きさの異物の量
を、１×105個/g以下とし、かつ、この条件を満足させ
るために、モノマー等の使用原料中の異物を蒸留及び／
または濾過によって除去するとともに、製造設備の洗浄
及び製造過程における異物の混入を防止する必要のある
ことが開示されている。
また、特開昭63-91231号には、光学素子において、粒
径１μｍ以上の大きさの異物の量を10000個/g以下と
し、かつこの条件を満足させるために、有機溶媒により
溶解せしめた溶液を濾過して異物を除去したり、溶融状
態のときに焼結金属フィルタを通して異物微粒子を除去
した樹脂組成物で光学素子を形成する技術が開示されて
いる。
径１μｍ以上の大きさの異物の量を10000個/g以下と
し、かつこの条件を満足させるために、有機溶媒により
溶解せしめた溶液を濾過して異物を除去したり、溶融状
態のときに焼結金属フィルタを通して異物微粒子を除去
した樹脂組成物で光学素子を形成する技術が開示されて
いる。
［発明が解決しようとする課題］ 上記従来技術には、0.5μｍまたは１μｍ以上の粒径
からなる異物の、原料1g当りに占める個数が記録再生特
性の性能、例えば、エラー率（ビットエラー率:BER）に
関係することが示されている。しかし、これらは異物の
粒径との関係が不明確であり、必ずしも適正な評価方法
とはいえない。
からなる異物の、原料1g当りに占める個数が記録再生特
性の性能、例えば、エラー率（ビットエラー率:BER）に
関係することが示されている。しかし、これらは異物の
粒径との関係が不明確であり、必ずしも適正な評価方法
とはいえない。
また、異物量を低減させる場合、未溶融原料樹脂中か
ら異物を取り除くだけでは、不十分であり、さらに溶融
状態で異物を取り除いて射出成形用ペレットを得ても充
分ではなく、これら以外に射出成形時における異物混入
量の減少化をも考慮しなければならなかった。すなわ
ち、射出成形時に、種々原因によって生じる樹脂の炭化
を抑えることを含めて、ディスク基板中の異物量の低減
化を図る必要があるが、上述した従来技術では、それら
の具体的手段についてなんら触れられていなかった。
ら異物を取り除くだけでは、不十分であり、さらに溶融
状態で異物を取り除いて射出成形用ペレットを得ても充
分ではなく、これら以外に射出成形時における異物混入
量の減少化をも考慮しなければならなかった。すなわ
ち、射出成形時に、種々原因によって生じる樹脂の炭化
を抑えることを含めて、ディスク基板中の異物量の低減
化を図る必要があるが、上述した従来技術では、それら
の具体的手段についてなんら触れられていなかった。
本発明者らは、異物強度の概念を採用すると光学式デ
ィスク基板の評価を実際に則して定量的に行なえること
を見出した。
ィスク基板の評価を実際に則して定量的に行なえること
を見出した。
本発明は上記問題点にかんがみてなされたもので、第
1,2項記載の発明は、異物強度を一定の水準以下として
基板中の異物に起因する記録再生特性の低下防止を図っ
た光学式ディスク基板の提供を目的としている。
1,2項記載の発明は、異物強度を一定の水準以下として
基板中の異物に起因する記録再生特性の低下防止を図っ
た光学式ディスク基板の提供を目的としている。
また、第３項記載の発明は、高品質で高い信頼性を維
持できるようにした光学式情報記録媒体の提供を目的と
する。
持できるようにした光学式情報記録媒体の提供を目的と
する。
さらに、第４項記載の発明は、射出成形時における異
物の混入を最小限に抑えることのできる、光学式ディス
ク基板を製造する射出成形装置の提供を目的とする。
物の混入を最小限に抑えることのできる、光学式ディス
ク基板を製造する射出成形装置の提供を目的とする。
［課題を解決するための手段］ 第１項記載の発明である光学式ディスク基板は、上記
目的を達成するため、基板の異物強度を１×105μm2/g
以下となるようにしてある。
目的を達成するため、基板の異物強度を１×105μm2/g
以下となるようにしてある。
すなわち、本発明は光学式ディスク基板に含まれてい
る異物量の評価方法として、異物強度なる概念を採用
し、この異物強度を記録再生特性との相関性を検討した
ところ、異物強度と記録再生特性のエラー率との間に相
関々係のあることを見出した。換言すれば、情報記録媒
体の性能評価として、単に異物の個数だけでなく、個数
と粒径分布を考慮した異物強度が最良であることを見出
した。
る異物量の評価方法として、異物強度なる概念を採用
し、この異物強度を記録再生特性との相関性を検討した
ところ、異物強度と記録再生特性のエラー率との間に相
関々係のあることを見出した。換言すれば、情報記録媒
体の性能評価として、単に異物の個数だけでなく、個数
と粒径分布を考慮した異物強度が最良であることを見出
した。
ここで「異物強度」とは、粒径が0.5μｍ以上の大き
さからなる単位重量当りの異物の、各々の粒径の平方と
個数との積の和である。異物は、評価すべき材料（原料
または基板等）を大過剰の有機溶媒（特に塩化メチレ
ン）に溶解した溶液中に検出されるものである。異物強
度は、式 Ｉ＝Σ｛［1/2（di＋di+1）］2×（ni−ni′）｝÷Ｗ で表わされる。
さからなる単位重量当りの異物の、各々の粒径の平方と
個数との積の和である。異物は、評価すべき材料（原料
または基板等）を大過剰の有機溶媒（特に塩化メチレ
ン）に溶解した溶液中に検出されるものである。異物強
度は、式 Ｉ＝Σ｛［1/2（di＋di+1）］2×（ni−ni′）｝÷Ｗ で表わされる。
式中、Ｉは異物強度であり、diは第ｉ番目の粒径区分
値（μｍ）であり、niは粒径di+1未満及び粒径di以上で
あって溶液中に検出される異物の個数であり、ni′は使
用前の溶液中に含まれている異物の個数であり、そして
Ｗは材料の重量（ｇ）である。
値（μｍ）であり、niは粒径di+1未満及び粒径di以上で
あって溶液中に検出される異物の個数であり、ni′は使
用前の溶液中に含まれている異物の個数であり、そして
Ｗは材料の重量（ｇ）である。
粒径区分値設定の設定の一例を示せば、次のとおりで
ある。
ある。
d1＝0.5（μｍ） d6＝ 5.0（μｍ） d2＝0.6（μｍ） d7＝10.0（μｍ） d3＝0.7（μｍ） d8＝20.0（μｍ） d4＝1.1（μｍ） d9＝25.0（μｍ） d5＝2.5（μｍ） 粒径が25.0μｍを越える大きさの異物が検出される場
合には、適当な数値のd10、d11等を用いる。
合には、適当な数値のd10、d11等を用いる。
本明細書で「異物」とは、本来的には光学式ディスク
基板に種々の経由から入りこむ汚染物質、例えば不純
物、ダストまたは原料樹脂の炭化物を意味するが、塩化
メチレン不溶成分である“異物”から算出した前記の異
物強度を用いて光学式ディスク基板のビットエラー率を
正確に評価することができる。
基板に種々の経由から入りこむ汚染物質、例えば不純
物、ダストまたは原料樹脂の炭化物を意味するが、塩化
メチレン不溶成分である“異物”から算出した前記の異
物強度を用いて光学式ディスク基板のビットエラー率を
正確に評価することができる。
本発明によれば、光学式情報記録媒体に用いるディス
ク基板として十分信頼性を得るためには、異物強度を１
×105μm2/g以下にする必要がある。
ク基板として十分信頼性を得るためには、異物強度を１
×105μm2/g以下にする必要がある。
異物強度が１×105μm2/gより増加すると、そのディ
スク基板を含む情報記録媒体では、異物が確実にビット
エラーを引き起こし、光学式ディスク基板の信頼性を低
下させる。
スク基板を含む情報記録媒体では、異物が確実にビット
エラーを引き起こし、光学式ディスク基板の信頼性を低
下させる。
なお、異物強度は５×104μm2/g以下とすることがよ
り十分な信頼性を得るうえで好ましく、さらには、異物
強度を３×104μm2/g以下とすると確実なる信頼性を得
ることもでき、より好ましい。
り十分な信頼性を得るうえで好ましく、さらには、異物
強度を３×104μm2/g以下とすると確実なる信頼性を得
ることもでき、より好ましい。
この光学式ディスク基板の原料樹脂としては、透明性
等の光学特性、成形性に優れた樹脂であれば、特に制限
されることなく用いることができる。例えば、ポリカー
ボネート樹脂、アクリル系樹脂、非晶性ポリオレフィン
等を用いることができる。耐熱性、強度およびコストの
点から、ポリカーボネート系樹脂を用いるのが好まし
い。
等の光学特性、成形性に優れた樹脂であれば、特に制限
されることなく用いることができる。例えば、ポリカー
ボネート樹脂、アクリル系樹脂、非晶性ポリオレフィン
等を用いることができる。耐熱性、強度およびコストの
点から、ポリカーボネート系樹脂を用いるのが好まし
い。
ここでポリカーボネート系樹脂としては、特に制限は
なく、例えば、粘度平均分子量が10000〜22000、好まし
くは12000〜20000のものであり、二価フェノールとホス
ゲンまたはジフェニルカーボネートのような炭酸エステ
ルとの反応により製造されるものである。二価フェノー
ル類としては、ハイドロキノン、4,4′−ジオキシフェ
ニル、ビス（ヒドロキシフェニル）アルカン、ビス（ヒ
ドロキシフェニル）シクロアルカン、ビス（ヒドロキシ
フェニル）エーテル、ビス（ヒドロキシフェニル）ケト
ン、ビス（ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（ヒ
ドロキシフェニル）スルホン、及びこれらの低級アルキ
ル、ハロゲン等の置換体をあげることができるが、2,
2′−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以
下、ビスフェノールＡという）、1,1−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）エタン、2,2−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）−ヘキサフルオロプロパン等を使用すること
が好ましい。
なく、例えば、粘度平均分子量が10000〜22000、好まし
くは12000〜20000のものであり、二価フェノールとホス
ゲンまたはジフェニルカーボネートのような炭酸エステ
ルとの反応により製造されるものである。二価フェノー
ル類としては、ハイドロキノン、4,4′−ジオキシフェ
ニル、ビス（ヒドロキシフェニル）アルカン、ビス（ヒ
ドロキシフェニル）シクロアルカン、ビス（ヒドロキシ
フェニル）エーテル、ビス（ヒドロキシフェニル）ケト
ン、ビス（ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（ヒ
ドロキシフェニル）スルホン、及びこれらの低級アルキ
ル、ハロゲン等の置換体をあげることができるが、2,
2′−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以
下、ビスフェノールＡという）、1,1−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）エタン、2,2−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）−ヘキサフルオロプロパン等を使用すること
が好ましい。
またこれらの二価フェノールは、単体で、あるいは混
合して使用することもできる。
合して使用することもできる。
さらに本発明で使用されるポリカーボネートとして
は、一部分枝構造のものであってもよい。
は、一部分枝構造のものであってもよい。
粘度平均分子量10000〜22000の制御は、ポリカーボネ
ートの製造時に、p-t−ブチルフェノールのような末端
停止剤の添加により行なうことができる。粘度平均分子
量が10000未満であるとディスク基板の強度が実用に耐
えられなくなり、22000を越えると成形性，光学的特性
の点で十分な性能を有するディスク基板を得られない。
ートの製造時に、p-t−ブチルフェノールのような末端
停止剤の添加により行なうことができる。粘度平均分子
量が10000未満であるとディスク基板の強度が実用に耐
えられなくなり、22000を越えると成形性，光学的特性
の点で十分な性能を有するディスク基板を得られない。
なお、粘度平均分子量［MV］は、20℃の塩化メチレン
溶液中のポリカーボネート樹脂の比粘土ηspを測定し、
式 ηsp/C＝［η］（１＋0.28ηsp） ［ここで、Ｃはポリカーボネート樹脂濃度（g/l）であ
る］ および ［η］＝1.23×10-5MV 0.83 によって算出することができる。
溶液中のポリカーボネート樹脂の比粘土ηspを測定し、
式 ηsp/C＝［η］（１＋0.28ηsp） ［ここで、Ｃはポリカーボネート樹脂濃度（g/l）であ
る］ および ［η］＝1.23×10-5MV 0.83 によって算出することができる。
射出成形に用いる原料ポリカーボネートは、従来公知
の方法により製造した後、溶液状態において濾過処理を
したり、粒状の原料を、例えば加熱条件下でアセトンな
どの貧溶媒で洗浄したりして低分子量成分や未反応成分
などの不純物や異物を除去することが好ましい。いずれ
にしても、射出成形前の原料は、異物，不純物，溶媒な
どの含有量を極力低くしておくことが必要である。
の方法により製造した後、溶液状態において濾過処理を
したり、粒状の原料を、例えば加熱条件下でアセトンな
どの貧溶媒で洗浄したりして低分子量成分や未反応成分
などの不純物や異物を除去することが好ましい。いずれ
にしても、射出成形前の原料は、異物，不純物，溶媒な
どの含有量を極力低くしておくことが必要である。
また、必要により、例えばリン系等の酸化防止剤など
の添加剤を加えることも可能である。
の添加剤を加えることも可能である。
ポリカーボネート系以外の樹脂としては、アクリル系
樹脂例えばポリメタクリル酸メチル、メタクリル酸メチ
ルと他のメタクリル酸エステル，アクリル酸エステルま
たはスチレン系モノマーなどとの共重合体、あるいは非
晶性ポリオレフィン（例えば、エチレンとシクロオレフ
ィン類とのランダム共重合体）などを用いることができ
る。
樹脂例えばポリメタクリル酸メチル、メタクリル酸メチ
ルと他のメタクリル酸エステル，アクリル酸エステルま
たはスチレン系モノマーなどとの共重合体、あるいは非
晶性ポリオレフィン（例えば、エチレンとシクロオレフ
ィン類とのランダム共重合体）などを用いることができ
る。
このように、異物強度と記録再生特性のエラー率（ビ
ットエラー率:BER）との間には相関々係があるので、デ
ィスク基板中の異物強度の大きさから光学式ディスクの
ビットエラー率を定量的に調べることができる。
ットエラー率:BER）との間には相関々係があるので、デ
ィスク基板中の異物強度の大きさから光学式ディスクの
ビットエラー率を定量的に調べることができる。
第３項記載の発明である光学式情報記録媒体は、上述
した第１または２項記載の発明である光学式ディスク基
板に、公知の情報記録層を形成することにより得ること
ができる。
した第１または２項記載の発明である光学式ディスク基
板に、公知の情報記録層を形成することにより得ること
ができる。
ここで、情報記録層としては、遷移金属（例えばFeま
たはCo）と希土類元素（例えばTbまたはGd）の組合せ材
料、例えば、Gd−Fe−Co系，Tb−Fe−Co系などをスパッ
タリング，蒸着等の手段によって、通常300〜1000Å程
度の厚みに形成する。さらにこの記録層の上に、紫外線
硬化樹脂により２〜10μｍの保護層を形成すると、光磁
気ディスクとしての光学式情報記録媒体とすることがで
きる。
たはCo）と希土類元素（例えばTbまたはGd）の組合せ材
料、例えば、Gd−Fe−Co系，Tb−Fe−Co系などをスパッ
タリング，蒸着等の手段によって、通常300〜1000Å程
度の厚みに形成する。さらにこの記録層の上に、紫外線
硬化樹脂により２〜10μｍの保護層を形成すると、光磁
気ディスクとしての光学式情報記録媒体とすることがで
きる。
なお、情報記録層としては、前記光磁気タイプのもの
に限らず、レーザ光などにより記録可能なものであれば
有機系記録層（例えば、フタロシアニンやテトラカルボ
ニルシアニン）等であってもよい。
に限らず、レーザ光などにより記録可能なものであれば
有機系記録層（例えば、フタロシアニンやテトラカルボ
ニルシアニン）等であってもよい。
第４項記載の発明である光学式ディスク基板を製造す
る射出成形装置は、上記目的を達成するため、シリンダ
内壁面にCo−Ni−Mo−Crからなる合金（例えば、Co５〜
80％、Ni５〜80％、Mo0.1〜10％、Cr１〜20％からなる
合金）ライニングを行なうとともに、スクリュの表面に
TiCとTiNの二層コーティングを行なった構成としてあ
る。
る射出成形装置は、上記目的を達成するため、シリンダ
内壁面にCo−Ni−Mo−Crからなる合金（例えば、Co５〜
80％、Ni５〜80％、Mo0.1〜10％、Cr１〜20％からなる
合金）ライニングを行なうとともに、スクリュの表面に
TiCとTiNの二層コーティングを行なった構成としてあ
る。
ライニングは通常、遠心鋳造法または熱間静水圧プレ
ス法により、0.5〜5mmの厚さの層を設ける。二層コーテ
ィングは、CVD法またはPVD法によりTiC層（１〜20μ
ｍ）およびその上にTiN層（１〜20μｍ）を設ける。
ス法により、0.5〜5mmの厚さの層を設ける。二層コーテ
ィングは、CVD法またはPVD法によりTiC層（１〜20μ
ｍ）およびその上にTiN層（１〜20μｍ）を設ける。
従来の射出成形機を用いると通常、射出成形時には、
局部的に樹脂が滞留したり、加熱が不均一になったりす
ることがあるため、加熱溶解された樹脂が部分的に炭化
して炭化物となり、これが異物となって樹脂中に混入す
る。また、洗浄時に除去できなかった射出成形装置の各
部に付着している異物が樹脂中に混入したりするため、
一般の射出成形装置によると原料のホッパ投入からディ
スク基板として成形されるまでの間に、異物強度は１×
104〜５×105μm2/g増加する。
局部的に樹脂が滞留したり、加熱が不均一になったりす
ることがあるため、加熱溶解された樹脂が部分的に炭化
して炭化物となり、これが異物となって樹脂中に混入す
る。また、洗浄時に除去できなかった射出成形装置の各
部に付着している異物が樹脂中に混入したりするため、
一般の射出成形装置によると原料のホッパ投入からディ
スク基板として成形されるまでの間に、異物強度は１×
104〜５×105μm2/g増加する。
特に、樹脂の部分的炭化による異物化は、異物強度の
増加に大きな影響を与えている。
増加に大きな影響を与えている。
本発明による射出成形装置は、シリンダの内壁面にCo
−Ni−Mo−Crからなる合金ライニングを行なっている。
このようにすると、合金の耐蝕性と非付着性により、樹
脂の付着や滞留が少なくなり、樹脂の部分的炭化あるい
は劣化を防止することができる。
−Ni−Mo−Crからなる合金ライニングを行なっている。
このようにすると、合金の耐蝕性と非付着性により、樹
脂の付着や滞留が少なくなり、樹脂の部分的炭化あるい
は劣化を防止することができる。
また、スクリュの表面にはTiCとTiNを二層にコーティ
ングしてある。このようにすると、樹脂との非付着性に
よりスクリュ表面での滞留焼けが防止され、炭化物の発
生を抑えることができる。この場合、TiCだけでなくTiN
を表層とした二層コーティングとしてあるので、高温状
態での耐酸化性が向上して、炭化物の発生をさらに効果
的に防止することができる。
ングしてある。このようにすると、樹脂との非付着性に
よりスクリュ表面での滞留焼けが防止され、炭化物の発
生を抑えることができる。この場合、TiCだけでなくTiN
を表層とした二層コーティングとしてあるので、高温状
態での耐酸化性が向上して、炭化物の発生をさらに効果
的に防止することができる。
原料樹脂としてポリカーボネートを用いて、本発明光
学式ディスク基板を製造する場合には、異物強度が通常
30000μm2/g以下、好ましくは15000μm2/g以下の原料を
用いる。射出成形時における樹脂温度は300〜400℃と
し、金型温度は通常50〜140℃とする。
学式ディスク基板を製造する場合には、異物強度が通常
30000μm2/g以下、好ましくは15000μm2/g以下の原料を
用いる。射出成形時における樹脂温度は300〜400℃と
し、金型温度は通常50〜140℃とする。
なお、金型表面温度のみを高周波等を用いてガラス転
移温度以上に加熱し、樹脂射出後にディスク基板取出し
可能温度まで冷却するようにしてもよい。このようにす
ると、より光学特性に優れた基板を得ることができる。
移温度以上に加熱し、樹脂射出後にディスク基板取出し
可能温度まで冷却するようにしてもよい。このようにす
ると、より光学特性に優れた基板を得ることができる。
［実施例］ 次に、第４項記載発明の射出成形装置を用いて光学式
ディスク基板を成形した実施例と、この比較例を示す。
ディスク基板を成形した実施例と、この比較例を示す。
実施例１ 射出成形装置（テクノプラス製:SIM4749）のシリンダ
内壁をCo−Ni−Mo−Crの合金（日本高周波鋼業製:Kアロ
イ）でライニングし、スクリュ表面をTiC層（４μm2）
及びTiN層（４μm2）の二層コーティングしたものを用
いた。
内壁をCo−Ni−Mo−Crの合金（日本高周波鋼業製:Kアロ
イ）でライニングし、スクリュ表面をTiC層（４μm2）
及びTiN層（４μm2）の二層コーティングしたものを用
いた。
成形原料としてはペレット状（3mmφ×3mm）のポリカ
ーボネート（粘度平均分子量15000）を用いた。
ーボネート（粘度平均分子量15000）を用いた。
この成形材料の異物強度は8000μm2/gであった。樹脂
温度360℃及び金型温度120℃の成形条件で成形して、光
学式ディスク基板130mmφ×1.2mmを調整した。
温度360℃及び金型温度120℃の成形条件で成形して、光
学式ディスク基板130mmφ×1.2mmを調整した。
得られたディスク基板に、記録材料としてTb−Fe−Co
系記録膜をスパッタリングにより形成し、光学式情報記
録媒体を得た。次いで、この情報記録媒体のビットエラ
ー率をナカミチ製評価装置OMS-1000にて測定した。
系記録膜をスパッタリングにより形成し、光学式情報記
録媒体を得た。次いで、この情報記録媒体のビットエラ
ー率をナカミチ製評価装置OMS-1000にて測定した。
このときの基板異物強度とビットエラー率を表１に示
す。
す。
実施例２および３ 原料ペレットとして、異物強度3500μm2/g（実施例
２）または異物強度2500μm2/g（実施例３）のポリカー
ボネートを用いた以外は、実施例１と同じ条件で光学式
ディスク基板を成形し、これを評価した。
２）または異物強度2500μm2/g（実施例３）のポリカー
ボネートを用いた以外は、実施例１と同じ条件で光学式
ディスク基板を成形し、これを評価した。
この結果を表１に示す。
比較例 射出成形装置のスクリュ表面をNi‐SiCでコーティン
グし、シリンダ内壁を窒化処理した以外は、実施例１と
同一条件で成形を行なった。
グし、シリンダ内壁を窒化処理した以外は、実施例１と
同一条件で成形を行なった。
このとき基板異物強度とビットエラー率を表１に示
す。
す。
この結果、本発明の装置によって成形した光学式ディ
スク基板の異物強度の方が低く、また、これにより得ら
れた光学式情報記録媒体のビットエラー率も小さいこと
が判明した。
スク基板の異物強度の方が低く、また、これにより得ら
れた光学式情報記録媒体のビットエラー率も小さいこと
が判明した。
［発明の効果］ 以上のように、第1,2項記載の発明によれば、基板異
物強度を１×105μm2/g以下とすることにより、信頼性
の高い光学式ディスク基板を得ることができる。
物強度を１×105μm2/g以下とすることにより、信頼性
の高い光学式ディスク基板を得ることができる。
また、第３項記載の発明によれば、ビットエラー率の
低い、高性能な光学式情報記録媒体を得ることができ
る。
低い、高性能な光学式情報記録媒体を得ることができ
る。
さらに、第４項記載の発明によれば、信頼性の高い光
学式ディスク基板を容易に成形することができる。
学式ディスク基板を容易に成形することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 7/26 ５２１ 7215−5Ｄ Ｇ１１Ｂ 7/26 ５２１ // Ｂ２９Ｋ 69:00 Ｂ２９Ｋ 69:00 Ｂ２９Ｌ 17:00 Ｂ２９Ｌ 17:00
Claims (4)
- 【請求項１】異物強度が１×105μm2/g以下であること
を特徴とした光学式ディスク基板。 - 【請求項２】粘度平均分子量が10000〜22000のポリカー
ボネート系樹脂からなることを特徴とした特許請求の範
囲第１項記載の光学式ディスク基板。 - 【請求項３】異物強度が１×105μm2/g以下である光学
式ディスク基板と、その上に担持された情報記録層とか
らなることを特徴とする光学式情報記録媒体。 - 【請求項４】シリンダ内壁面にCo−Ni−Mo−Crからなる
合金ライニングを行なうとともに、スクリュの表面にTi
CとTiNの二層コーティングを行なったことを特徴とする
光学式ディスク基板を製造する射出成形装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008903A JP2509723B2 (ja) | 1989-01-20 | 1990-01-18 | 光学式ディスク基板、該基板を用いた光学式情報記録媒体及び、該基板を製造する射出成形装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-9993 | 1989-01-20 | ||
| JP999389 | 1989-01-20 | ||
| JP2008903A JP2509723B2 (ja) | 1989-01-20 | 1990-01-18 | 光学式ディスク基板、該基板を用いた光学式情報記録媒体及び、該基板を製造する射出成形装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02276039A JPH02276039A (ja) | 1990-11-09 |
| JP2509723B2 true JP2509723B2 (ja) | 1996-06-26 |
Family
ID=26343525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008903A Expired - Lifetime JP2509723B2 (ja) | 1989-01-20 | 1990-01-18 | 光学式ディスク基板、該基板を用いた光学式情報記録媒体及び、該基板を製造する射出成形装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2509723B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006051305A1 (de) * | 2006-10-31 | 2008-05-08 | Bayer Materialscience Ag | Verfahren zur Filtration von Substratmaterialien |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60215020A (ja) * | 1984-04-10 | 1985-10-28 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | ポリカ−ボネ−ト樹脂光学成形品 |
| JPS6190345A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式デイスク |
| JPS6250801A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-05 | Teijin Chem Ltd | 光学用成形品 |
| JPS63278929A (ja) * | 1987-05-12 | 1988-11-16 | Teijin Chem Ltd | 光学用成形品の製造方法 |
| US4820879A (en) * | 1987-06-05 | 1989-04-11 | Lithium Corporation Of America | Preparation of hydrocarbyloxy magnesium halides |
| JP2526943B2 (ja) * | 1987-12-07 | 1996-08-21 | 三菱瓦斯化学株式会社 | ポリカ―ボネ―ト樹脂成形材料の製造法 |
| JPH0649320B2 (ja) * | 1988-01-29 | 1994-06-29 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 光学用ポリカーボネート樹脂成形材料の製造法 |
-
1990
- 1990-01-18 JP JP2008903A patent/JP2509723B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02276039A (ja) | 1990-11-09 |
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