JP2503530Y2 - 光出力制御回路 - Google Patents
光出力制御回路Info
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Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、書込み形光ディスクに用いられる光出力制
御回路に関するものである。
御回路に関するものである。
〔従来の技術〕 この種の光出力制御回路の従来例を第５図に示す。図
において、LDはレーザダイオードである。このレーザダ
イオードには、パルス電圧源Psの出力パルスVpが直流電
源E1の出力よりも低くてトランジスタTr1がオフの時、
定電流源Is1により定電流Id0が供給され、VpがE1より高
くなりトランジスタTr1がオンになると、定電流源Is2に
よる定電流ΔIdがこれに加わるように流れる。即ち、Vp
がE1より高い場合、レーザダイオードLDには Id＝Ido＋ΔId …（１） の順電流が流れる。第６図（イ）はレーザダイオードLD
の光出力（Po）−電流（Id）特性図、（ロ）図は第
（１）式に示す順電流Idの波形を示すもので、この順電
流をレーザダイオードLDに供給すると、（ハ）図の如く
オン，オフの光出力Poが得られ、この光出力Poにより光
ディスク（図示せず）に情報が記録される。第６図
（ハ）において、Pwは書込み時の光パワーを、Prは非書
込み時の光パワーを示すものである。この場合、非書込
み時の光パワーPrが所定値より大きすぎると光ディスク
に情報を書込んでしまうし、極端に小さいとディスク・
ヘッドのフォーカス・サーボ等が動作しなくなる。その
為、Pwと共にPrは一定値に保つ必要がある。ところで、
レーザダイオードLDのしきい値電流Ithは温度変化或い
は劣化現象等による経時変化を起こし、これはPw,Prの
値に影響をもたらす。この変化を補償する為に、一般に
はレーザダイオードLDの後方より出る光を第５図に示す
如くフォトダイオードPd（Pinダイオード）で受け、Pd
の出力電流Ipdを抵抗素子Rfに流してその電圧降下を比
較器U1において設定電圧Esと比較する。そして、その比
較結果を定電流源Is1に負帰還させてIdoを制御し、これ
により非書込み時のパワーPrを一定値に保つ工夫がなさ
れている。しかし、このような工夫をしても、フォトダ
イオードPDで理想的な方形波応答するものがアバランシ
ェ・フオト・ダイオードを除いて殆ど無いので、高い繰
返し周波数においてPrを正確にコントロールすることは
極めて困難である。
において、LDはレーザダイオードである。このレーザダ
イオードには、パルス電圧源Psの出力パルスVpが直流電
源E1の出力よりも低くてトランジスタTr1がオフの時、
定電流源Is1により定電流Id0が供給され、VpがE1より高
くなりトランジスタTr1がオンになると、定電流源Is2に
よる定電流ΔIdがこれに加わるように流れる。即ち、Vp
がE1より高い場合、レーザダイオードLDには Id＝Ido＋ΔId …（１） の順電流が流れる。第６図（イ）はレーザダイオードLD
の光出力（Po）−電流（Id）特性図、（ロ）図は第
（１）式に示す順電流Idの波形を示すもので、この順電
流をレーザダイオードLDに供給すると、（ハ）図の如く
オン，オフの光出力Poが得られ、この光出力Poにより光
ディスク（図示せず）に情報が記録される。第６図
（ハ）において、Pwは書込み時の光パワーを、Prは非書
込み時の光パワーを示すものである。この場合、非書込
み時の光パワーPrが所定値より大きすぎると光ディスク
に情報を書込んでしまうし、極端に小さいとディスク・
ヘッドのフォーカス・サーボ等が動作しなくなる。その
為、Pwと共にPrは一定値に保つ必要がある。ところで、
レーザダイオードLDのしきい値電流Ithは温度変化或い
は劣化現象等による経時変化を起こし、これはPw,Prの
値に影響をもたらす。この変化を補償する為に、一般に
はレーザダイオードLDの後方より出る光を第５図に示す
如くフォトダイオードPd（Pinダイオード）で受け、Pd
の出力電流Ipdを抵抗素子Rfに流してその電圧降下を比
較器U1において設定電圧Esと比較する。そして、その比
較結果を定電流源Is1に負帰還させてIdoを制御し、これ
により非書込み時のパワーPrを一定値に保つ工夫がなさ
れている。しかし、このような工夫をしても、フォトダ
イオードPDで理想的な方形波応答するものがアバランシ
ェ・フオト・ダイオードを除いて殆ど無いので、高い繰
返し周波数においてPrを正確にコントロールすることは
極めて困難である。
そこで従来では帰還抵抗Rfに並列にコンデンサCfを接
続し、その時定数Cf・Rfを第７図に示す如くパルス電圧
源Psにおける出力パルスVpの繰返し周波数の一周期より
も充分長く取っておいて、光出力Poの平均値を検出して
この平均値出力により定電流源Is1を制御し、これによ
りPrを一定値に制御する手段が取られていた。しかし、
この場合比較器U1において帰還抵抗Rfに生じる電圧降下
と比較される設定電圧Esを第７図に示す如く時定数Cf・
Rfで平均値Esaまで変化させてやらなければならない。
この場合、Esoを本来の非書込み時の設定電圧とする
と、（Esa−Eso）は（Pw−Pr）の値と、パルスVpのデュ
ーテイ・レシオとによって計算される値であるが、これ
は第６図（イ）に示すレーザダイオードLDのId−Po特性
が一定であることを前提としている。仮に、デューテイ
・レシオが80％,Pw＝20mW,Pr＝2mWで動作させていたも
のが、レーザダイオードLDの劣化等により、Id−Po特性
の勾配が例えば3/4になると第８図の点線のようにPrの
値は計算によると4.1mWに大きくなってしまい、非書き
込み時にも書き込んでしまう恐れがある。
続し、その時定数Cf・Rfを第７図に示す如くパルス電圧
源Psにおける出力パルスVpの繰返し周波数の一周期より
も充分長く取っておいて、光出力Poの平均値を検出して
この平均値出力により定電流源Is1を制御し、これによ
りPrを一定値に制御する手段が取られていた。しかし、
この場合比較器U1において帰還抵抗Rfに生じる電圧降下
と比較される設定電圧Esを第７図に示す如く時定数Cf・
Rfで平均値Esaまで変化させてやらなければならない。
この場合、Esoを本来の非書込み時の設定電圧とする
と、（Esa−Eso）は（Pw−Pr）の値と、パルスVpのデュ
ーテイ・レシオとによって計算される値であるが、これ
は第６図（イ）に示すレーザダイオードLDのId−Po特性
が一定であることを前提としている。仮に、デューテイ
・レシオが80％,Pw＝20mW,Pr＝2mWで動作させていたも
のが、レーザダイオードLDの劣化等により、Id−Po特性
の勾配が例えば3/4になると第８図の点線のようにPrの
値は計算によると4.1mWに大きくなってしまい、非書き
込み時にも書き込んでしまう恐れがある。
本考案はこのような問題点を解決する為になされたも
ので、非書込み時の光パワーの変動の小さい光出力制御
回路を提供することにある。
ので、非書込み時の光パワーの変動の小さい光出力制御
回路を提供することにある。
本考案は上記の目的を達成する為に、定電流とパルス
電流とを重畳した電流を順電流としてレーザダイオード
に供給すると共にこのレーザダイオードの光を受光する
pinダイオードの出力電流に応じた電圧降下を設定電圧
と比較し、その比較結果によって前記定電流の大きさを
制御することにより光出力パワーを制御するようにして
光ディスクに情報を書き込むようにした光出力制御回路
において、前記電圧降下がその非反転入力端子に加えら
れ反転入力端子は抵抗素子R1を介して基準電位点に接続
されると共に抵抗素子R2を介して出力端子に接続され、
かつ抵抗素子R1に並列に接続された抵抗素子R3とコンデ
ンサＣとの直列回路よりなる増幅器と、一定電流が供給
されて充電されるコンデンサCdと、このコンデンサCdと
前記増幅器の出力端子との間に接続されたダイオードと
よりなり前記増幅器の出力の最小値を検出する最小値検
出回路を備え、前記Pinダイオードの拡散電流による緩
和応答の時定数をτ0としたとき前記抵抗素子R3とR1,R2
及びコンデンサＣの値を次の関係に選定し、前記最小値
検出回路の出力を前記設定電圧と比較するように構成し
たものである。
電流とを重畳した電流を順電流としてレーザダイオード
に供給すると共にこのレーザダイオードの光を受光する
pinダイオードの出力電流に応じた電圧降下を設定電圧
と比較し、その比較結果によって前記定電流の大きさを
制御することにより光出力パワーを制御するようにして
光ディスクに情報を書き込むようにした光出力制御回路
において、前記電圧降下がその非反転入力端子に加えら
れ反転入力端子は抵抗素子R1を介して基準電位点に接続
されると共に抵抗素子R2を介して出力端子に接続され、
かつ抵抗素子R1に並列に接続された抵抗素子R3とコンデ
ンサＣとの直列回路よりなる増幅器と、一定電流が供給
されて充電されるコンデンサCdと、このコンデンサCdと
前記増幅器の出力端子との間に接続されたダイオードと
よりなり前記増幅器の出力の最小値を検出する最小値検
出回路を備え、前記Pinダイオードの拡散電流による緩
和応答の時定数をτ0としたとき前記抵抗素子R3とR1,R2
及びコンデンサＣの値を次の関係に選定し、前記最小値
検出回路の出力を前記設定電圧と比較するように構成し
たものである。
記 R3＝｛（R1・R2）／（R1＋R2）｝×1/K Ｃ＝τ0/R3（１＋Ｋ） 但し、Ｋは定数 〔本考案を説明する為の回路〕 第３図は本考案を説明する為の回路である。第３図に
おいて、U2は演算増幅器を用いて構成した非反転形の増
幅器で、その非反転入力端子は帰還抵抗Rfの一端に接続
され、反転入力端子は抵抗素子R1を介して基準電位点に
接続されると共に、抵抗素子R2を介して出力端子に接続
されている。Ｄはダイオード、Is3は定電流源、Cdはコ
ンデンサである。ダイオードＤのカソード電極は増幅器
U2の出力端子に接続され、アノード電極は定電流源Is3
の出力端子、コンデンサCdの一端、及び演算増幅器U1の
一方の入力端子に接続されている。演算増幅器U1の他方
の入力端子には設定電圧源Esが接続されている。この設
定電圧源Esは一定値のものである。演算増幅器U1の出力
により定電流源Is1の出力Idoが制御されるようになって
いる。なお、第３図において、他の部分は第５図回路と
同じであるので第５図と同一符号を付してその部分の説
明は省略する。
おいて、U2は演算増幅器を用いて構成した非反転形の増
幅器で、その非反転入力端子は帰還抵抗Rfの一端に接続
され、反転入力端子は抵抗素子R1を介して基準電位点に
接続されると共に、抵抗素子R2を介して出力端子に接続
されている。Ｄはダイオード、Is3は定電流源、Cdはコ
ンデンサである。ダイオードＤのカソード電極は増幅器
U2の出力端子に接続され、アノード電極は定電流源Is3
の出力端子、コンデンサCdの一端、及び演算増幅器U1の
一方の入力端子に接続されている。演算増幅器U1の他方
の入力端子には設定電圧源Esが接続されている。この設
定電圧源Esは一定値のものである。演算増幅器U1の出力
により定電流源Is1の出力Idoが制御されるようになって
いる。なお、第３図において、他の部分は第５図回路と
同じであるので第５図と同一符号を付してその部分の説
明は省略する。
このような構成において、フォトダイオードPdの出力
電流Ipdにより帰還抵抗Rfに生じる電圧降下をVinとする
と、このVinは増幅器U2により増幅され、その増幅出力V
2はダイオードＤのカソード電極に加えられる。一方、
定電流源Is3の出力電流IbによりコンデンサCdは正の電
圧に充電される。この充電電圧が増幅器U2の出力V2の最
小値よりも大きくなろうとしたときダイオードＤに電流
が流れ、その結果コンデンサCdにはV2の最小値がホール
ドされる。電圧V2はフォトダイオードPdの応答特性が理
想的である場合、レーザダイオードLDの光出力Poに対応
するもので、その最小値は非書込み時の光パワーPrに対
応する。即ち、コンデンサCdの端子電圧により非書き込
み時の光パワーPrが直接検出される。この検出電圧はコ
ンパレータU1において基準電圧Esと比較され、その差の
電圧により定電流源Is1の出力Idoが制御される。これに
より、非書込み時の光パワーPrが一定値に制御される。
電流Ipdにより帰還抵抗Rfに生じる電圧降下をVinとする
と、このVinは増幅器U2により増幅され、その増幅出力V
2はダイオードＤのカソード電極に加えられる。一方、
定電流源Is3の出力電流IbによりコンデンサCdは正の電
圧に充電される。この充電電圧が増幅器U2の出力V2の最
小値よりも大きくなろうとしたときダイオードＤに電流
が流れ、その結果コンデンサCdにはV2の最小値がホール
ドされる。電圧V2はフォトダイオードPdの応答特性が理
想的である場合、レーザダイオードLDの光出力Poに対応
するもので、その最小値は非書込み時の光パワーPrに対
応する。即ち、コンデンサCdの端子電圧により非書き込
み時の光パワーPrが直接検出される。この検出電圧はコ
ンパレータU1において基準電圧Esと比較され、その差の
電圧により定電流源Is1の出力Idoが制御される。これに
より、非書込み時の光パワーPrが一定値に制御される。
ところが、フォトダイオードPDとして高速動作を行う
PINダイオードを用いたとしても、このPINダイオードに
は第４図に示すような「拡散電流による緩和応答特性」
として知られている現象があり、その現象の為第３図回
路でもやはりPrに誤差を発生することが解った。即ち、
PINダイオードは10MHzオーダでの高い周波数では、方形
波の光に対して方形波のIpdを出力するが、長いパルス
に対しては第４図に示すごとくじわじわとIpdが大きく
なっていき、その最終的に到達した値がレーザダイオー
ドLDの光出力Poに比例する。この電流がじわじわと変化
していく現象は少数キャリアが拡散によって定常状態に
蓄積されるまでの過度的な現象であり、アバランシェ・
フォトダイオードのように強い電界によってこの現象が
無視できるぐらいに小さくしたフォトダイオード以外は
大なり小なりあるものである。この現象は前記のように
「拡散電流による緩和応答特性」によるもので、この特
性による電流のゆっくりとした増加分が高速パルス応答
に比べて第４図のようにｋ倍であったとする。この特性
は周波数が極く低い場合に比べ10MHz以上の高い周波数
ではPinダイオードの感度が1/（１＋ｋ）に小さくなっ
てしまったことに相当し、例えば高い周波数ではｋが0.
5でPw＝20mW,Pr＝0.5mW,デュテイ・レシオ75％の時、計
算では設定電圧EsとしてPr＝5.0mWに相当する値のEsを
設定しなければならず、その結果誤差が大きくなる。
PINダイオードを用いたとしても、このPINダイオードに
は第４図に示すような「拡散電流による緩和応答特性」
として知られている現象があり、その現象の為第３図回
路でもやはりPrに誤差を発生することが解った。即ち、
PINダイオードは10MHzオーダでの高い周波数では、方形
波の光に対して方形波のIpdを出力するが、長いパルス
に対しては第４図に示すごとくじわじわとIpdが大きく
なっていき、その最終的に到達した値がレーザダイオー
ドLDの光出力Poに比例する。この電流がじわじわと変化
していく現象は少数キャリアが拡散によって定常状態に
蓄積されるまでの過度的な現象であり、アバランシェ・
フォトダイオードのように強い電界によってこの現象が
無視できるぐらいに小さくしたフォトダイオード以外は
大なり小なりあるものである。この現象は前記のように
「拡散電流による緩和応答特性」によるもので、この特
性による電流のゆっくりとした増加分が高速パルス応答
に比べて第４図のようにｋ倍であったとする。この特性
は周波数が極く低い場合に比べ10MHz以上の高い周波数
ではPinダイオードの感度が1/（１＋ｋ）に小さくなっ
てしまったことに相当し、例えば高い周波数ではｋが0.
5でPw＝20mW,Pr＝0.5mW,デュテイ・レシオ75％の時、計
算では設定電圧EsとしてPr＝5.0mWに相当する値のEsを
設定しなければならず、その結果誤差が大きくなる。
ここにおいて、本考案は第３図を利用し、PINダイオ
ードが持つ「拡散電流による緩和応答特性」が非書き込
み時のレーザ・ダイオードの光出力パワーに影響を及ぼ
さないように改善したものである。
ードが持つ「拡散電流による緩和応答特性」が非書き込
み時のレーザ・ダイオードの光出力パワーに影響を及ぼ
さないように改善したものである。
第１図は本考案に係わる回路の一実施例の接続図であ
る。第１図において、R3は抵抗素子、Ｃはコンデンサで
ある。抵抗素子R3とコンデンサＣは直列に接続され、こ
の直列回路は抵抗素子R1に並列に接続されている。な
お、第１図において他の部分は第３図と同じであるので
第３図と同じ符号を付し、又基本的な動作も第１図と同
じであるのでそれらについての再説明は省略する。
る。第１図において、R3は抵抗素子、Ｃはコンデンサで
ある。抵抗素子R3とコンデンサＣは直列に接続され、こ
の直列回路は抵抗素子R1に並列に接続されている。な
お、第１図において他の部分は第３図と同じであるので
第３図と同じ符号を付し、又基本的な動作も第１図と同
じであるのでそれらについての再説明は省略する。
フォトダイオドPDに流れる電流Ipdによって帰還抵抗P
fに生じる電圧降下をVinとし、このVinを増幅器U2によ
って増幅した結果をV2とする。フォトダイオードPDとし
てPINダイオードを用いることにより、第４図で説明し
た如く「拡散電流による緩和応答特性」の為にIpdは時
間と共に序々に増加する。従って、同様にVinは第２図
（ロ）の如く序々に増加する。このVinを増幅器U2によ
り増幅した出力V2はこのままでは当然理想的なステップ
応答はえられず、その結果第３図で説明した如く高い周
波数における非書き込み時の光パワーPrに誤差が生じ
る。しかし、Vinが第２図（ロ）のような波形でも、V2
が第２図（イ）に示すごとく理想的なステップ応答にな
ればPrは一定値に制御される。V2が理想的なステップ応
答するように本考案においては抵抗素子R3とコンデサン
Ｃを挿入接続したものである。以下これを説明する。
fに生じる電圧降下をVinとし、このVinを増幅器U2によ
って増幅した結果をV2とする。フォトダイオードPDとし
てPINダイオードを用いることにより、第４図で説明し
た如く「拡散電流による緩和応答特性」の為にIpdは時
間と共に序々に増加する。従って、同様にVinは第２図
（ロ）の如く序々に増加する。このVinを増幅器U2によ
り増幅した出力V2はこのままでは当然理想的なステップ
応答はえられず、その結果第３図で説明した如く高い周
波数における非書き込み時の光パワーPrに誤差が生じ
る。しかし、Vinが第２図（ロ）のような波形でも、V2
が第２図（イ）に示すごとく理想的なステップ応答にな
ればPrは一定値に制御される。V2が理想的なステップ応
答するように本考案においては抵抗素子R3とコンデサン
Ｃを挿入接続したものである。以下これを説明する。
いま、Vinの変化の時定数をτ0とすると、第２図
（ロ）に示すVinは Vin＝Va｛１＋Ｋ（１−ε−t/τ０）｝ …（２） と表すことができる。なお、ｋは定数を表す。増幅器U2
の出力V2によって抵抗素子R2を流れる電流は抵抗素子R1
とR3に分流する。抵抗素子R3に流れる電流をI3とする
と、コンデンサＣはこの電流I3によって充電される。コ
ンデンサＣの充電電圧をVcとすると、Vcは第２図（ハ）
の如く表される。
（ロ）に示すVinは Vin＝Va｛１＋Ｋ（１−ε−t/τ０）｝ …（２） と表すことができる。なお、ｋは定数を表す。増幅器U2
の出力V2によって抵抗素子R2を流れる電流は抵抗素子R1
とR3に分流する。抵抗素子R3に流れる電流をI3とする
と、コンデンサＣはこの電流I3によって充電される。コ
ンデンサＣの充電電圧をVcとすると、Vcは第２図（ハ）
の如く表される。
いま、この電圧Vcを Vc＝Va（１＋ｋ）（１−ε−t/τ０）｝ …（３） と仮定する。抵抗素子R3とコンデンサＣの直列回路に加
わる電圧をV1とすると、増幅器U2が飽和していない場
合、 V1＝Vin …（４） となるので I3＝（Vin−Vc）/R3 ＝（Va・ε−t/τ０）/R3 …（５） となる。V2は V2＝Vin＋R2［Vin/R1）＋I3］ で表される。従って、この式と（２）式及び（５）式と
により V2＝Va［１＋ｋ（１−ε-t/τ０）］＋R2｛〔Va［１＋
ｋ（１−ε-t/τ０）］/R1〕＋Vaε-t/τ０）/R3｝ ＝Va（１＋ｋ）−Vakε-t/τ０＋（R2/R1）Va（１＋
ｋ）−（R2/R1）Vakε-t/τ０＋（R2/R3）Vaε-t/τ０ ＝Va（１＋ｋ）（１＋R2/R1）＋Vaε-t/τ０［−ｋ−
（R2/R1）ｋ＋（R2/R3）］ ＝Va（１＋ｋ）（１＋R2/R1）＋Vaε-t/τ０〔（R2/R
3）−ｋ［１＋（R2/R1）］〕 …（６） となる。第２図（イ）のように、V2か°ｔ＝０以後一定
であるためには、まず抵抗素子R3の値を （R2/R3）−ｋ［１＋（R2/R1）］＝０ …（７） を満足するように選ぶ必要がある。
わる電圧をV1とすると、増幅器U2が飽和していない場
合、 V1＝Vin …（４） となるので I3＝（Vin−Vc）/R3 ＝（Va・ε−t/τ０）/R3 …（５） となる。V2は V2＝Vin＋R2［Vin/R1）＋I3］ で表される。従って、この式と（２）式及び（５）式と
により V2＝Va［１＋ｋ（１−ε-t/τ０）］＋R2｛〔Va［１＋
ｋ（１−ε-t/τ０）］/R1〕＋Vaε-t/τ０）/R3｝ ＝Va（１＋ｋ）−Vakε-t/τ０＋（R2/R1）Va（１＋
ｋ）−（R2/R1）Vakε-t/τ０＋（R2/R3）Vaε-t/τ０ ＝Va（１＋ｋ）（１＋R2/R1）＋Vaε-t/τ０［−ｋ−
（R2/R1）ｋ＋（R2/R3）］ ＝Va（１＋ｋ）（１＋R2/R1）＋Vaε-t/τ０〔（R2/R
3）−ｋ［１＋（R2/R1）］〕 …（６） となる。第２図（イ）のように、V2か°ｔ＝０以後一定
であるためには、まず抵抗素子R3の値を （R2/R3）−ｋ［１＋（R2/R1）］＝０ …（７） を満足するように選ぶ必要がある。
次に、コンデンサＣに流れる電流Icはｔ＝０以後にお
いて（３）式を微分してＣを乗じると、 Ic＝Ｃ・dVc/dt ＝Ｃ・Va（１＋ｋ）（1/τ0）ε-t/τ０ …（８） いま、コンデンサＣの値を Ｃ（１＋ｋ）（1/τ0）＝1/R3 …（９） となるようにＣの値を選ぶと、（５），（８），（９）
式から Ic＝I3 …（10） となるので、（３）式の仮定を満足したことになる。即
ち、第２（ロ）のVinのようなPINダイオードの出力電流
波形を本考案に係わる第１図の回路を使用することによ
り理想的なステップ応答を得てPrの設定誤差を無くすこ
とができる。
いて（３）式を微分してＣを乗じると、 Ic＝Ｃ・dVc/dt ＝Ｃ・Va（１＋ｋ）（1/τ0）ε-t/τ０ …（８） いま、コンデンサＣの値を Ｃ（１＋ｋ）（1/τ0）＝1/R3 …（９） となるようにＣの値を選ぶと、（５），（８），（９）
式から Ic＝I3 …（10） となるので、（３）式の仮定を満足したことになる。即
ち、第２（ロ）のVinのようなPINダイオードの出力電流
波形を本考案に係わる第１図の回路を使用することによ
り理想的なステップ応答を得てPrの設定誤差を無くすこ
とができる。
〔考案の効果〕 以上説明した如く、本考案によれば非書き込み時の光
パワーの設定誤差の小さい光出力制御回路を得ることが
できる。
パワーの設定誤差の小さい光出力制御回路を得ることが
できる。
第１図は本考案に係わる光出力制御回路の一実施例の接
続図、第２図は第１図回路の動作を説明するための波形
図、第３図は本考案を説明するための光制御回路の接続
図、第４図はPinダイオードの特性図、第５図は従来の
回路の一例の接続図、第６図はレーザダイオードの特性
図、第７図及び第８図は第５図回路の動作を説明する為
の図である。 LD……レーザ・ダイオード、PD……Pinダイオード、U2
……増幅器、R1〜R3……抵抗素子、C,Cd……コンデン
サ。
続図、第２図は第１図回路の動作を説明するための波形
図、第３図は本考案を説明するための光制御回路の接続
図、第４図はPinダイオードの特性図、第５図は従来の
回路の一例の接続図、第６図はレーザダイオードの特性
図、第７図及び第８図は第５図回路の動作を説明する為
の図である。 LD……レーザ・ダイオード、PD……Pinダイオード、U2
……増幅器、R1〜R3……抵抗素子、C,Cd……コンデン
サ。
Claims (1)
- 【請求項１】定電流とパルス電流とを重畳した電流を順
電流としてレーザダイオードに供給すると共にこのレー
ザダイオードの光を受光するpinダイオードの出力電流
に応じた電圧降下を設定電圧と比較し、その比較結果に
よって前記定電流の大きさを制御することにより光出力
パワーを制御するようにして光ディスクに情報を書き込
むようにした光出力制御回路において、 前記電圧降下がその非反転入力端子に加えられ反転入力
端子は抵抗素子R1を介して基準電位点に接続されると共
に抵抗素子R2を介して出力端子に接続され、かつ抵抗素
子R1に並列に接続された抵抗素子R3とコンデンサＣとの
直列回路よりなる増幅器と、一定電流が供給されて充電
されるコンデンサCdと、このコンデンサCdと前記増幅器
の出力端子との間に接続されたダイオードとよりなり前
記増幅器の出力の最小値を検出する最小値検出回路を備
え、前記Pinダイオードの拡散電流による緩和応答の時
定数をτ0としたとき前記抵抗素子R3とR1,R2及びコンデ
ンサＣの値を次の関係に選定し、前記最小値検出回路の
出力を前記設定電圧と比較するようにした光出力制御回
路。 記 R3＝｛（R1・R2）／（R1＋R2）｝×1/K Ｃ＝τ0/R3（１＋Ｋ） 但し、Ｋは定数
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1129986U JP2503530Y2 (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 光出力制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1129986U JP2503530Y2 (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 光出力制御回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62124624U JPS62124624U (ja) | 1987-08-07 |
| JP2503530Y2 true JP2503530Y2 (ja) | 1996-07-03 |
Family
ID=30798385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1129986U Expired - Lifetime JP2503530Y2 (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 光出力制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2503530Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-01-29 JP JP1129986U patent/JP2503530Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62124624U (ja) | 1987-08-07 |
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