JP2951198B2 - 温度検出回路 - Google Patents
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- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
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- G—PHYSICS
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- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
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- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
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- G01K7/24—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor in a specially-adapted circuit, e.g. bridge circuit
- G01K7/25—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor in a specially-adapted circuit, e.g. bridge circuit for modifying the output characteristic, e.g. linearising
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10595—Control of operating function
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- Nonlinear Science (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、温度に応じて出力信号
を発生する温度検出回路に関し、特に、ＭＤ（ミニディ
スク）システムにおいて、周囲温度に応じて書き込みレ
ーザー光の強度を制御する温度検出回路に関する。
を発生する温度検出回路に関し、特に、ＭＤ（ミニディ
スク）システムにおいて、周囲温度に応じて書き込みレ
ーザー光の強度を制御する温度検出回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＭＤシステムにおいて、ＭＤ上の
所定部分に磁気を発生する磁気ヘッドと、ＭＤ上の前記
所定部分にレーザー光を発生する光ピックアップが備え
られている。録音時、レーザー光が回転する光磁気ディ
スクに照射されると、レーザー光が照射された部分のみ
温度が上昇し、そして、前記温度がキューリー温度に達
すると、光磁気ディスクの前記部分は保磁力が無くな
る。この時、磁気ヘッドによって、録音データに対応し
た磁気を光磁気ディスクに印加すると、前記部分だけが
前記磁気に応じて磁化される。その後、前記部分がレー
ザー光から外れるので、前記部分の温度は下がり、磁化
がそのまま残留する。この動作は繰り返されることによ
り、録音データが光磁気ディスクに記録される。
所定部分に磁気を発生する磁気ヘッドと、ＭＤ上の前記
所定部分にレーザー光を発生する光ピックアップが備え
られている。録音時、レーザー光が回転する光磁気ディ
スクに照射されると、レーザー光が照射された部分のみ
温度が上昇し、そして、前記温度がキューリー温度に達
すると、光磁気ディスクの前記部分は保磁力が無くな
る。この時、磁気ヘッドによって、録音データに対応し
た磁気を光磁気ディスクに印加すると、前記部分だけが
前記磁気に応じて磁化される。その後、前記部分がレー
ザー光から外れるので、前記部分の温度は下がり、磁化
がそのまま残留する。この動作は繰り返されることによ
り、録音データが光磁気ディスクに記録される。
【０００３】このようなシステムにおいて、周囲温度の
変化に対して安定した強度のレーザー光を発生する為
に、周囲温度を検出する回路を図２に示す。図２におい
て、ダイオード（１）に流れる電流が温度に対して略一
定であるとすると、ダイオード（１）の順方向電圧の温
度特性式は、
変化に対して安定した強度のレーザー光を発生する為
に、周囲温度を検出する回路を図２に示す。図２におい
て、ダイオード（１）に流れる電流が温度に対して略一
定であるとすると、ダイオード（１）の順方向電圧の温
度特性式は、
【０００４】
【数１】
【０００５】となる。但し、ＶDはダイオードの両端間
電圧、Ｔは絶対温度［Ｋ］、ＶEgは半導体のエネルギー
ギャップ電圧、ａは移動度の温度特性に関する定数、ｑ
は電子の電荷量、ｋはボルツマン定数である。上式よ
り、
電圧、Ｔは絶対温度［Ｋ］、ＶEgは半導体のエネルギー
ギャップ電圧、ａは移動度の温度特性に関する定数、ｑ
は電子の電荷量、ｋはボルツマン定数である。上式よ
り、
【０００６】
【数２】
【０００７】となるから、抵抗（２）に流れる電流Ｉ1
は、抵抗（２）の値をＲ1とすると、
は、抵抗（２）の値をＲ1とすると、
【０００８】
【数３】
【０００９】となる。一方、抵抗（３）に流れる電流Ｉ
2は、抵抗（３）の値をＲ2とすると、
2は、抵抗（３）の値をＲ2とすると、
【００１０】
【数４】
【００１１】となる。そして、抵抗（４）に流れる電流
Ｉ3は、式，及びより
Ｉ3は、式，及びより
【００１２】
【数５】
【００１３】となる。よって、ＶＣＡ（電圧制御型増幅
器）（５）の制御電圧ＶCは、抵抗（４）の電圧降下に
よって得られるから、
器）（５）の制御電圧ＶCは、抵抗（４）の電圧降下に
よって得られるから、
【００１４】
【数６】
【００１５】となる。従って、ＭＤシステムの周囲温度
が高くなると、制御電圧ＶCは低くなり、ＶＣＡ（５）
のゲインは小さくなるので、ＭＤ上に照射されるレーザ
ー光の強度は弱くなる。逆に、周囲温度が低くなると、
制御電圧ＶCは高くなるので、レーザー光の強度は強く
なる。
が高くなると、制御電圧ＶCは低くなり、ＶＣＡ（５）
のゲインは小さくなるので、ＭＤ上に照射されるレーザ
ー光の強度は弱くなる。逆に、周囲温度が低くなると、
制御電圧ＶCは高くなるので、レーザー光の強度は強く
なる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２の
回路において、式から明らかな如く、温度検出回路の
出力信号であるアンプ（６）の出力信号は、温度Ｔと電
源電圧ＶCCに応じて変化する。この様な温度検出回路を
ＭＤシステムのレーザー光の強度制御用に用いると、周
囲温度Ｔ以外に電源電圧ＶCCによっても制御電圧ＶCが
変化する為、正確なＭＤへの記録を行うことができな
い。
回路において、式から明らかな如く、温度検出回路の
出力信号であるアンプ（６）の出力信号は、温度Ｔと電
源電圧ＶCCに応じて変化する。この様な温度検出回路を
ＭＤシステムのレーザー光の強度制御用に用いると、周
囲温度Ｔ以外に電源電圧ＶCCによっても制御電圧ＶCが
変化する為、正確なＭＤへの記録を行うことができな
い。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の点に鑑み
成されたものであり、カソードが接地されたダイオード
と、該ダイオードのアノードに一端が接続された第１抵
抗と、一端が接地された第２抵抗と、エミッタがそれぞ
れ前記第１及び第２抵抗の他端に接続され、ベースにバ
イアス電圧が印加される第１及び第２トランジスタと、
該第１及び第２トランジスタのコレクタ電流を入力信号
とし、前記入力信号に応じて出力信号を発生する電流演
算回路とから成ることを特徴とする。
成されたものであり、カソードが接地されたダイオード
と、該ダイオードのアノードに一端が接続された第１抵
抗と、一端が接地された第２抵抗と、エミッタがそれぞ
れ前記第１及び第２抵抗の他端に接続され、ベースにバ
イアス電圧が印加される第１及び第２トランジスタと、
該第１及び第２トランジスタのコレクタ電流を入力信号
とし、前記入力信号に応じて出力信号を発生する電流演
算回路とから成ることを特徴とする。
【００１８】また前記電流演算回路は、コレクタ及びベ
ースが電源に接続されると共に、エミッタが前記第１及
び第２トランジスタのコレクタにそれぞれ接続された第
３及び第４トランジスタと、ベースが前記第１トランジ
スタのコレクタに接続された第５トランジスタと、コレ
クタが前記第５トランジスタのコレクタに接続されると
共に、ベースが前記第２トランジスタのコレクタに接続
される第６トランジスタと、前記第５トランジスタのエ
ミッタに接続される第１定電流源と、ベースが前記第５
トランジスタのエミッタに接続されると共に、コレクタ
が前記第６トランジスタのエミッタに接続される第７ト
ランジスタと、ベースが前記第６トランジスタのエミッ
タに接続され、エミッタが前記第７トランジスタのエミ
ッタに接続されると共に、コレクタに出力信号を発生す
る第８トランジスタと、前記第７及び第８トランジスタ
の共通エミッタに接続される第２定電流源とから成るこ
とを特徴とする。
ースが電源に接続されると共に、エミッタが前記第１及
び第２トランジスタのコレクタにそれぞれ接続された第
３及び第４トランジスタと、ベースが前記第１トランジ
スタのコレクタに接続された第５トランジスタと、コレ
クタが前記第５トランジスタのコレクタに接続されると
共に、ベースが前記第２トランジスタのコレクタに接続
される第６トランジスタと、前記第５トランジスタのエ
ミッタに接続される第１定電流源と、ベースが前記第５
トランジスタのエミッタに接続されると共に、コレクタ
が前記第６トランジスタのエミッタに接続される第７ト
ランジスタと、ベースが前記第６トランジスタのエミッ
タに接続され、エミッタが前記第７トランジスタのエミ
ッタに接続されると共に、コレクタに出力信号を発生す
る第８トランジスタと、前記第７及び第８トランジスタ
の共通エミッタに接続される第２定電流源とから成るこ
とを特徴とする。
【００１９】さらに、ＭＤシステムに用いられることを
特徴とする。
特徴とする。
【００２０】
【作用】本発明に依れば、第１及び第２トランジスタの
エミッタにバイアス電圧からベース−エミッタ電圧を差
し引いた電圧が発生するので、直列接続されたダイオー
ド及び第１抵抗と、第２抵抗とに所定電圧が印加され
る。その為、第１及び第２抵抗に電流が流れ、前記電流
が第３及び第４トランジスタに流れることにより、第３
及び第４トランジスタのエミッタに所定電圧が発生し、
第５及び第６トランジスタのベースに印加される。ま
た、第５及び第６トランジスタのエミッタにベース電圧
から所定電圧だけ下がった電圧が発生し、第７及び第８
トランジスタのベースに印加される。さらに、第７及び
第８トランジスタのエミッタにベース電圧から所定電圧
だけ下がった電圧が発生し、前記電圧は同電圧になる。
その為、電源電圧の変化に応じず、温度の変化に応じて
出力信号が発生する。
エミッタにバイアス電圧からベース−エミッタ電圧を差
し引いた電圧が発生するので、直列接続されたダイオー
ド及び第１抵抗と、第２抵抗とに所定電圧が印加され
る。その為、第１及び第２抵抗に電流が流れ、前記電流
が第３及び第４トランジスタに流れることにより、第３
及び第４トランジスタのエミッタに所定電圧が発生し、
第５及び第６トランジスタのベースに印加される。ま
た、第５及び第６トランジスタのエミッタにベース電圧
から所定電圧だけ下がった電圧が発生し、第７及び第８
トランジスタのベースに印加される。さらに、第７及び
第８トランジスタのエミッタにベース電圧から所定電圧
だけ下がった電圧が発生し、前記電圧は同電圧になる。
その為、電源電圧の変化に応じず、温度の変化に応じて
出力信号が発生する。
【００２１】
【実施例】図１は本発明の一実施例を示す図であり、
（７）はカソードがアースされたダイオード、（８）は
一端がダイオード（７）のアノードに接続された第１抵
抗、（９）は一端がアースされた第２抵抗、（１０）及
び（１１）は第１及び第２抵抗の他端にそれぞれ定電圧
を印加する為の第１及び第２トランジスタ、（１２）及
び（１３）はエミッタが第１及び第２トランジスタ（１
０）及び（１１）のコレクタにそれぞれ接続され、ベー
ス及びコレクタが電源電圧に接続された第３及び第４ト
ランジスタ、（１４）及び（１５）はベースが第１及び
第２トランジスタ（１０）及び（１１）のコレクタにそ
れぞれ接続された第５及び第６トランジスタ、（１６）
はベースが第５トランジスタ（１４）のエミッタに接続
された第７トランジスタ、（１７）はベースが第６トラ
ンジスタ（１５）のエミッタと第７トランジスタ（１
６）のコレクタとの接続点に接続された第８トランジス
タ、（１８）は第５トランジスタ（１４）のエミッタに
接続された第１定電流源、（１９）は第７及び第８トラ
ンジスタ（１６）及び（１７）の共通エミッタに接続さ
れた第２定電流源である。
（７）はカソードがアースされたダイオード、（８）は
一端がダイオード（７）のアノードに接続された第１抵
抗、（９）は一端がアースされた第２抵抗、（１０）及
び（１１）は第１及び第２抵抗の他端にそれぞれ定電圧
を印加する為の第１及び第２トランジスタ、（１２）及
び（１３）はエミッタが第１及び第２トランジスタ（１
０）及び（１１）のコレクタにそれぞれ接続され、ベー
ス及びコレクタが電源電圧に接続された第３及び第４ト
ランジスタ、（１４）及び（１５）はベースが第１及び
第２トランジスタ（１０）及び（１１）のコレクタにそ
れぞれ接続された第５及び第６トランジスタ、（１６）
はベースが第５トランジスタ（１４）のエミッタに接続
された第７トランジスタ、（１７）はベースが第６トラ
ンジスタ（１５）のエミッタと第７トランジスタ（１
６）のコレクタとの接続点に接続された第８トランジス
タ、（１８）は第５トランジスタ（１４）のエミッタに
接続された第１定電流源、（１９）は第７及び第８トラ
ンジスタ（１６）及び（１７）の共通エミッタに接続さ
れた第２定電流源である。
【００２２】図１において、第１及び第２トランジスタ
（１０）及び（１１）のベースにバイアス電圧が印加さ
れ、第１及び第２トランジスタ（１０）及び（１１）の
エミッタにバイアス電圧からトランジスタのＶBE（ベー
ス−エミッタ間電圧）だけ下がった電圧Ｖ1が発生す
る。尚、電圧Ｖ1はダイオード（７）のエネルギーギャ
ップ電圧ＶEgに等しくなるように設定される。前記電圧
Ｖ1は直列接続された第１抵抗（８）とダイオード
（７）、及び第２抵抗（９）に印加されるので、第１抵
抗（８）に流れる電流Ｉ4は、第１抵抗（８）の値を
Ｒ4、及び、ダイオード（７）の両端電圧をＶDとする
と、
（１０）及び（１１）のベースにバイアス電圧が印加さ
れ、第１及び第２トランジスタ（１０）及び（１１）の
エミッタにバイアス電圧からトランジスタのＶBE（ベー
ス−エミッタ間電圧）だけ下がった電圧Ｖ1が発生す
る。尚、電圧Ｖ1はダイオード（７）のエネルギーギャ
ップ電圧ＶEgに等しくなるように設定される。前記電圧
Ｖ1は直列接続された第１抵抗（８）とダイオード
（７）、及び第２抵抗（９）に印加されるので、第１抵
抗（８）に流れる電流Ｉ4は、第１抵抗（８）の値を
Ｒ4、及び、ダイオード（７）の両端電圧をＶDとする
と、
【００２３】
【数７】
【００２４】になり、また、第２抵抗（９）に流れる電
流Ｉ5は、第２抵抗（９）の値をＲ5とすると、
流Ｉ5は、第２抵抗（９）の値をＲ5とすると、
【００２５】
【数８】
【００２６】となる。第１及び第２抵抗（８）及び
（９）に流れる電流Ｉ4及びＩ5は、第１及び第２トラン
ジスタ（１０）及び（１１）のベース電流が微小なので
無視すると、第１及び第２トランジスタ（１０）及び
（１１）のコレクタと等しくなる。そして、前記第１及
び第２トランジスタ（１０）及び（１１）のコレクタ電
流は、それぞれ第３及び第４トランジスタ（１２）及び
（１３）から供給される。その為、第３トランジスタ
（１２）のベース−エミッタ間電圧ＶBE3は、第３トラ
ンジスタ（１２）の飽和電流をＩS3とすれば、
（９）に流れる電流Ｉ4及びＩ5は、第１及び第２トラン
ジスタ（１０）及び（１１）のベース電流が微小なので
無視すると、第１及び第２トランジスタ（１０）及び
（１１）のコレクタと等しくなる。そして、前記第１及
び第２トランジスタ（１０）及び（１１）のコレクタ電
流は、それぞれ第３及び第４トランジスタ（１２）及び
（１３）から供給される。その為、第３トランジスタ
（１２）のベース−エミッタ間電圧ＶBE3は、第３トラ
ンジスタ（１２）の飽和電流をＩS3とすれば、
【００２７】
【数９】
【００２８】となる。また、第４トランジスタ（１３）
のＶBE4は、第４トランジスタ（１３）の飽和電流をＩ
S4とすれば、
のＶBE4は、第４トランジスタ（１３）の飽和電流をＩ
S4とすれば、
【００２９】
【数１０】
【００３０】となる。よって、第３及び第４トランジス
タ（１２）及び（１３）のエミッタ電圧は、それぞれＶ
CC−ＶBE3及びＶCC−ＶBE4となり、第５及び第６トラン
ジスタ（１４）及び（１５）のベースに印加される。
尚、ＶCCは電源電圧である。また、第５トランジスタ
（１４）のエミッタ電流は第１定電流源（１８）の電流
Ｉ6と等しくなるので、第５トランジスタ（１４）のベ
ース−エミッタ間電圧ＶBE5は、第５トランジスタ（１
４）の飽和電流をＩS5とすると、
タ（１２）及び（１３）のエミッタ電圧は、それぞれＶ
CC−ＶBE3及びＶCC−ＶBE4となり、第５及び第６トラン
ジスタ（１４）及び（１５）のベースに印加される。
尚、ＶCCは電源電圧である。また、第５トランジスタ
（１４）のエミッタ電流は第１定電流源（１８）の電流
Ｉ6と等しくなるので、第５トランジスタ（１４）のベ
ース−エミッタ間電圧ＶBE5は、第５トランジスタ（１
４）の飽和電流をＩS5とすると、
【００３１】
【数１１】
【００３２】となり、第５トランジスタ（１４）のエミ
ッタ電圧はＶCC−ＶBE3−ＶBE5になる。一方、出力端子
（２０）から発生する出力電流をＩOUTとすると、出力
電流ＩO UTは第８及び第９トランジスタ（１７）及び
（２１）に流れる。よって、第６及び第７トランジスタ
（１５）及び（１６）には、第２定電流源（１９）の電
流をＩ7とすると、電流Ｉ7−ＩOUTが流れる。但し、そ
れぞれのトランジスタのベース電流は微小なので、無視
する。
ッタ電圧はＶCC−ＶBE3−ＶBE5になる。一方、出力端子
（２０）から発生する出力電流をＩOUTとすると、出力
電流ＩO UTは第８及び第９トランジスタ（１７）及び
（２１）に流れる。よって、第６及び第７トランジスタ
（１５）及び（１６）には、第２定電流源（１９）の電
流をＩ7とすると、電流Ｉ7−ＩOUTが流れる。但し、そ
れぞれのトランジスタのベース電流は微小なので、無視
する。
【００３３】第６トランジスタ（１５）には、電流Ｉ7
−ＩOUTが流れているので、第６トランジスタ（１５）
のベース−エミッタ間電圧ＶBE6は、第６トランジスタ
（１５）の飽和電流をＩS6とすると、
−ＩOUTが流れているので、第６トランジスタ（１５）
のベース−エミッタ間電圧ＶBE6は、第６トランジスタ
（１５）の飽和電流をＩS6とすると、
【００３４】
【数１２】
【００３５】となる。そして、第６トランジスタ（１
５）のベースに電圧ＶCC−ＶBE4が印加されるので、第
６トランジスタ（１５）のエミッタ電圧はＶCC−ＶBE4
−ＶBE6となり、さらに、第８トランジスタ（１７）の
ベースに印加される。第８トランジスタ（１７）におい
て、第８トランジスタ（１７）に電流ＩOUTが流れるの
で、第８トランジスタ（１７）の飽和電流をＩS8とする
と、第８トランジスタ（１７）のベース−エミッタ間電
圧ＶBE8は、
５）のベースに電圧ＶCC−ＶBE4が印加されるので、第
６トランジスタ（１５）のエミッタ電圧はＶCC−ＶBE4
−ＶBE6となり、さらに、第８トランジスタ（１７）の
ベースに印加される。第８トランジスタ（１７）におい
て、第８トランジスタ（１７）に電流ＩOUTが流れるの
で、第８トランジスタ（１７）の飽和電流をＩS8とする
と、第８トランジスタ（１７）のベース−エミッタ間電
圧ＶBE8は、
【００３６】
【数１３】
【００３７】となり、第８トランジスタ（１７）のエミ
ッタ電圧はＶCC−ＶBE4−ＶBE6−ＶBE 8になる。一方、
第７トランジスタ（１６）に電流Ｉ7−ＩOUTが流れるの
で、第７トランジスタ（１６）の飽和電流をＩS7とする
と、第７トランジスタ（１６）のベース−エミッタ間電
圧ＶBE7は、
ッタ電圧はＶCC−ＶBE4−ＶBE6−ＶBE 8になる。一方、
第７トランジスタ（１６）に電流Ｉ7−ＩOUTが流れるの
で、第７トランジスタ（１６）の飽和電流をＩS7とする
と、第７トランジスタ（１６）のベース−エミッタ間電
圧ＶBE7は、
【００３８】
【数１４】
【００３９】となる。また、第７トランジスタ（１６）
のベースに第５トランジスタ（１４）のエミッタ電圧が
印加されるので、第７トランジスタ（１６）のエミッタ
電圧はＶCC−ＶBE3−ＶBE5−ＶBE7となる。従って、第
７及び第８トランジスタ（１６）及び（１７）のエミッ
タは共通接続されているので、
のベースに第５トランジスタ（１４）のエミッタ電圧が
印加されるので、第７トランジスタ（１６）のエミッタ
電圧はＶCC−ＶBE3−ＶBE5−ＶBE7となる。従って、第
７及び第８トランジスタ（１６）及び（１７）のエミッ
タは共通接続されているので、
【００４０】
【数１５】
【００４１】となる。そして、式に式及びを代入
して、
して、
【００４２】
【数１６】
【００４３】となり、さらに、式に式を代入する
と、
と、
【００４４】
【数１７】
【００４５】となる。よって、式より、出力電流Ｉ
OUTは温度Ｔに比例するので、出力端子（２０）から温
度に応じた出力電流が発生する。また、式には、電源
電圧ＶCCの項が含まれていないので、出力電流ＩOUTは
電源電圧ＶCCの変化によって変化することはない。この
ような図１の温度検出回路をＭＤシステムに用いた場
合、前記温度検出回路の出力電流を、例えば電流−電圧
変換等を行って制御信号とし、ＭＤに照射されるレーザ
ーの出力強度を制御する制御アンプに印加すれば、レー
ザースポットの温度が略一定となるので、正確な記録が
行えると共に、電源電圧の変化を受けないので、減電時
等においてもレーザースポットの温度が略一定にでき、
正確な記録が行える。
OUTは温度Ｔに比例するので、出力端子（２０）から温
度に応じた出力電流が発生する。また、式には、電源
電圧ＶCCの項が含まれていないので、出力電流ＩOUTは
電源電圧ＶCCの変化によって変化することはない。この
ような図１の温度検出回路をＭＤシステムに用いた場
合、前記温度検出回路の出力電流を、例えば電流−電圧
変換等を行って制御信号とし、ＭＤに照射されるレーザ
ーの出力強度を制御する制御アンプに印加すれば、レー
ザースポットの温度が略一定となるので、正確な記録が
行えると共に、電源電圧の変化を受けないので、減電時
等においてもレーザースポットの温度が略一定にでき、
正確な記録が行える。
【００４６】
【発明の効果】従って、本発明に依れば、直列接続され
たダイオード及び第１抵抗と、第２抵抗とに一定電圧を
印加することにより得られる電流に応じて、出力電流を
生成するので、電源電圧に影響されない温度検出回路を
提供できる。
たダイオード及び第１抵抗と、第２抵抗とに一定電圧を
印加することにより得られる電流に応じて、出力電流を
生成するので、電源電圧に影響されない温度検出回路を
提供できる。
【図１】本発明の一実施例を示す回路図である。
【図２】従来例を示す回路図である。
７ ダイオード ８ 第１抵抗 ９ 第２抵抗 １０ 第１トランジスタ １１ 第２トランジスタ １２ 第３トランジスタ １３ 第４トランジスタ １４ 第５トランジスタ １５ 第６トランジスタ １６ 第７トランジスタ １７ 第８トランジスタ
Claims (3)
- 【請求項１】 カソードが接地されたダイオードと、 該ダイオードのアノードに一端が接続された第１抵抗
と、 一端が接地された第２抵抗と、 エミッタがそれぞれ前記第１及び第２抵抗の他端に接続
され、ベースにバイアス電圧が印加される第１及び第２
トランジスタと、 該第１及び第２トランジスタのコレクタ電流を入力信号
とし、前記入力信号に応じて出力信号を発生する電流演
算回路と、 から成ることを特徴とする温度検出回路。 - 【請求項２】 前記電流演算回路は、 コレクタ及びベースが電源に接続されると共に、エミッ
タが前記第１及び第２トランジスタのコレクタにそれぞ
れ接続された第３及び第４トランジスタと、 ベースが前記第１トランジスタのコレクタに接続された
第５トランジスタと、 コレクタが前記第５トランジスタのコレクタに接続され
ると共に、ベースが前記第２トランジスタのコレクタに
接続される第６トランジスタと、 前記第５トランジスタのエミッタに接続される第１定電
流源と、 ベースが前記第５トランジスタのエミッタに接続される
と共に、コレクタが前記第６トランジスタのエミッタに
接続される第７トランジスタと、 ベースが前記第６トランジスタのエミッタに接続され、
エミッタが前記第７トランジスタのエミッタに接続され
ると共に、コレクタに出力信号を発生する第８トランジ
スタと、 前記第７及び第８トランジスタの共通エミッタに接続さ
れる第２定電流源と、 から成ることを特徴とする請求項１記載の温度検出回
路。 - 【請求項３】 ＭＤシステムに用いられることを特徴と
する請求項１または２記載の温度検出回路。
Priority Applications (8)
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| CN101586987B (zh) * | 2008-05-23 | 2011-04-20 | 震一科技股份有限公司 | 适用于低电压运作的温度感应电路 |
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| US4047435A (en) * | 1976-05-20 | 1977-09-13 | Rockwell International Corporation | Temperature measuring apparatus |
| US4123698A (en) * | 1976-07-06 | 1978-10-31 | Analog Devices, Incorporated | Integrated circuit two terminal temperature transducer |
| US4184126A (en) * | 1978-09-27 | 1980-01-15 | Eaton Corporation | Temperature sensitive astable multivibrator |
| JPS58127134A (ja) * | 1982-01-26 | 1983-07-28 | Canon Inc | 温度検出回路 |
| JPS59140647A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-13 | Canon Inc | 光学的情報記録再生装置 |
| JPS61118630A (ja) * | 1984-11-15 | 1986-06-05 | Mitsubishi Electric Corp | Ｉｃチツプ温度検出装置 |
| US4931665A (en) * | 1988-04-13 | 1990-06-05 | National Semiconductor Corporation | Master slave voltage reference circuit |
| US4914317A (en) * | 1988-12-12 | 1990-04-03 | Texas Instruments Incorporated | Adjustable current limiting scheme for driver circuits |
| JP2749925B2 (ja) * | 1990-01-09 | 1998-05-13 | 株式会社リコー | Ｉｃ温度センサ |
| US5329512A (en) * | 1991-02-05 | 1994-07-12 | Sony Corporation | Temperature detection of a magneto-optic recording medium for controlling irradiation of an erasure region |
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| US5488296A (en) * | 1995-01-25 | 1996-01-30 | Honeywell Inc. | Temperature compensated magnetically sensitive circuit |
-
1994
- 1994-03-31 JP JP6063386A patent/JP2951198B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-02-08 TW TW084101018A patent/TW353165B/zh not_active IP Right Cessation
- 1995-03-27 DE DE69521356T patent/DE69521356T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-03-27 DK DK95302041T patent/DK0675346T3/da active
- 1995-03-27 EP EP95302041A patent/EP0675346B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-28 US US08/412,065 patent/US5660474A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-03-30 KR KR1019950007004A patent/KR100190152B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-03-31 CN CN95103837A patent/CN1088187C/zh not_active Expired - Fee Related
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| DE69521356T2 (de) | 2001-10-11 |
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|---|---|---|---|
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