JPS62279687A - 半導体レ−ザ駆動回路 - Google Patents
半導体レ−ザ駆動回路Info
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- JPS62279687A JPS62279687A JP12252186A JP12252186A JPS62279687A JP S62279687 A JPS62279687 A JP S62279687A JP 12252186 A JP12252186 A JP 12252186A JP 12252186 A JP12252186 A JP 12252186A JP S62279687 A JPS62279687 A JP S62279687A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 210000003323 beak Anatomy 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06835—Stabilising during pulse modulation or generation
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
産業上の利用分野
本発明は、光デイスクメモリー等に使用する半導体レー
ザ駆動回路に関する。
ザ駆動回路に関する。
従来の技術
第４図は従来の駆動方法による半導体レーザの電流−光
出力特性を示す図、第３図は従来の半導体レーザ駆動回
路の１例を示している。第３図において、１は半導体レ
ーザ、２は光検出素子（フォトダイオード）で、半導体
レーザ１の光出力を電気信号に変換する。３は光検出素
子２の出力信号により、読み出しパワーを一定に保つよ
うに半導体レーザ１のバイアス電流を制御するバイアス
電流回路、４は書き込み時にバイアス電流レベルを維持
するためのホールド回路、５は書き込みデータ信号によ
り半導体レーザ１を駆動するパルス電流回路、６は書き
込み、読み出しに応じて半導体レーザ１の駆動方法を切
換える切換回路である。
出力特性を示す図、第３図は従来の半導体レーザ駆動回
路の１例を示している。第３図において、１は半導体レ
ーザ、２は光検出素子（フォトダイオード）で、半導体
レーザ１の光出力を電気信号に変換する。３は光検出素
子２の出力信号により、読み出しパワーを一定に保つよ
うに半導体レーザ１のバイアス電流を制御するバイアス
電流回路、４は書き込み時にバイアス電流レベルを維持
するためのホールド回路、５は書き込みデータ信号によ
り半導体レーザ１を駆動するパルス電流回路、６は書き
込み、読み出しに応じて半導体レーザ１の駆動方法を切
換える切換回路である。
次に上記従来例の動作について説明する。第４図におい
て、温度Ｔ１で、バイアス電流がＩｂ１流れ、従って読
み出しパワーＬＲに制御されており、書き込み動作時は
、ＩＰのパルス電流を定電流駆動することにより、書き
込みパワーＬｗの出力を得ている。温度が’ｒ２ＶＣ上
昇すると、半導体レーザ１の閾値電流値も増加するが、
Ｉ−Ｌカーブ（Ｔ１）が右へ平行移動するだけと仮定し
、△Ｔの温度変化に対し、バイアス電流回路５により温
度Ｔ２ではバイアス電流Ｉｂ２にバイアスされ、書き込
み動作時はバイアス電流Ｉｂ２にパルス電流ＩＰが重畳
され、書き込みパワーＬｗを得ている。
て、温度Ｔ１で、バイアス電流がＩｂ１流れ、従って読
み出しパワーＬＲに制御されており、書き込み動作時は
、ＩＰのパルス電流を定電流駆動することにより、書き
込みパワーＬｗの出力を得ている。温度が’ｒ２ＶＣ上
昇すると、半導体レーザ１の閾値電流値も増加するが、
Ｉ−Ｌカーブ（Ｔ１）が右へ平行移動するだけと仮定し
、△Ｔの温度変化に対し、バイアス電流回路５により温
度Ｔ２ではバイアス電流Ｉｂ２にバイアスされ、書き込
み動作時はバイアス電流Ｉｂ２にパルス電流ＩＰが重畳
され、書き込みパワーＬｗを得ている。
このように上記従来のレーザ駆動回路でも、半導体レー
ザの電流−光出力特性の外部微分量子効率が、温度変動
、経時変化に対して一定であれば読み出しパワ一時のみ
の光出力制御（ＡＰＣ）十書き込みパルス定電流駆動と
いう構成で、書き込みパワーを一定に制御することがで
きる。
ザの電流−光出力特性の外部微分量子効率が、温度変動
、経時変化に対して一定であれば読み出しパワ一時のみ
の光出力制御（ＡＰＣ）十書き込みパルス定電流駆動と
いう構成で、書き込みパワーを一定に制御することがで
きる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記従来の半導体レーザ、駆動回路では
、第５図に示す様に温度変動、経時変化に対し、半導体
レーザの電流−光出力特性の変化を伴う外部微分量子効
率が変化するため、読み出しパワーでの光出力制御（Ａ
ＰＣ）＋パルス定電流駆動という方法では、書き込みパ
ワーを一定に制御できず、光デイスクメモリー等に使用
した場合、媒体に対し書き込みパワーの変動に対するマ
ージンが少ない、或いは正確に書き込みが行なえなくな
る、という問題があった。
、第５図に示す様に温度変動、経時変化に対し、半導体
レーザの電流−光出力特性の変化を伴う外部微分量子効
率が変化するため、読み出しパワーでの光出力制御（Ａ
ＰＣ）＋パルス定電流駆動という方法では、書き込みパ
ワーを一定に制御できず、光デイスクメモリー等に使用
した場合、媒体に対し書き込みパワーの変動に対するマ
ージンが少ない、或いは正確に書き込みが行なえなくな
る、という問題があった。
本発明は、このような従来の問題を解決するものであり
、半導体レーザの電流−光出力特性の外部微分量子効率
が変化しても、書き込み時の出力を一定に保ち、媒体に
対し適切な書き込みパワーで書き込みが行なえる優れた
半導体レーザ駆動回路を提供することを目的とするもの
である。
、半導体レーザの電流−光出力特性の外部微分量子効率
が変化しても、書き込み時の出力を一定に保ち、媒体に
対し適切な書き込みパワーで書き込みが行なえる優れた
半導体レーザ駆動回路を提供することを目的とするもの
である。
問題点を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するだめに、光導体レーザの出
力を光検出素子でモニタし、モニタ出力を用いて半導体
レーザのバイアス電流をバイアス電流制御手段により制
御すると共に、同じくモニタのピーク出力と基準値との
差を比較回路で比較し、前記比較回路の出力により、パ
ルス電流の可変増幅器を制御し、前記バイアス電流に重
畳して半導体レーザを駆動するように構成したものであ
る。
力を光検出素子でモニタし、モニタ出力を用いて半導体
レーザのバイアス電流をバイアス電流制御手段により制
御すると共に、同じくモニタのピーク出力と基準値との
差を比較回路で比較し、前記比較回路の出力により、パ
ルス電流の可変増幅器を制御し、前記バイアス電流に重
畳して半導体レーザを駆動するように構成したものであ
る。
作 用
したがって、本発明によれば、書き込み時のパルス光出
力ピーク値を横比することができ、これが基準値と比較
して大きいか、小さいかにより、パルス電流を制御する
ことにより、半導体レーザの外部微分量子効率が変化し
ても、常に一定の光出力で媒体に書き込みを行なうこと
ができる、という効果を有する。
力ピーク値を横比することができ、これが基準値と比較
して大きいか、小さいかにより、パルス電流を制御する
ことにより、半導体レーザの外部微分量子効率が変化し
ても、常に一定の光出力で媒体に書き込みを行なうこと
ができる、という効果を有する。
実施例
第１図は本発明の一実施例の構成を示すものである。第
２図は半導体レーザの電流−光出力特性を示し、本発明
の詳細な説明するためのものである。第１図において７
は半導体レーザ、８は半導体レーザ７の出力をモニタす
るための光検出素子（フォトダイオード）で、半導体レ
ーザ７の光出力を電気信号に変換する。９は前記光検出
素子８の出力により、読み出し時の光出力を一定とする
ように半導体レーザ７の直流バイアス電流を制御するバ
イアス電流制御回路、 １０は書き込み時の直前のバイ
アス電流値を保持するホールド回路、１１は書き込み時
に、光検出素子８の出力をピーク検出し、基準値（ｇｇ
ｐ）と比較し、比較結果をパルス電流制御回路１２に与
える。１３はパルス電流制御回路１２の出力により、半
導体レーザ１のピーク値が一定となるようなパルス入力
電流を与える可変増幅器としての電流増幅回路である。
２図は半導体レーザの電流−光出力特性を示し、本発明
の詳細な説明するためのものである。第１図において７
は半導体レーザ、８は半導体レーザ７の出力をモニタす
るための光検出素子（フォトダイオード）で、半導体レ
ーザ７の光出力を電気信号に変換する。９は前記光検出
素子８の出力により、読み出し時の光出力を一定とする
ように半導体レーザ７の直流バイアス電流を制御するバ
イアス電流制御回路、 １０は書き込み時の直前のバイ
アス電流値を保持するホールド回路、１１は書き込み時
に、光検出素子８の出力をピーク検出し、基準値（ｇｇ
ｐ）と比較し、比較結果をパルス電流制御回路１２に与
える。１３はパルス電流制御回路１２の出力により、半
導体レーザ１のピーク値が一定となるようなパルス入力
電流を与える可変増幅器としての電流増幅回路である。
１．４．１５は切り換え部で制御系及び半導体レーザ７
、光検出素子８を書き込み動作、読み出し動作にそれぞ
れ切り換えるだめのものである。
、光検出素子８を書き込み動作、読み出し動作にそれぞ
れ切り換えるだめのものである。
次に第１図、第２図によ）上記実施例の動作について説
明する。上記実施例において、切り換え制ダ入力（Ｒ／
Ｗ）により読み出し時には、切換部１４．１５はＲ側に
切換られており、光検出素子８の出力により、半導体レ
ーザ１の光出力（読み出しパワー）がＬＲとなるように
バイアス電流Ｉｂｘ（温度Ｔ１）にバイアス電流回路９
により制御される。一方、書き込み時には、切換部１４
．１５はＷ側に切換えられ、光検出素子８の出力を比較
回路１１でピーク検出のうえ、基準値（ＲＥＦ）と比較
し、比較出力をパルス電流制御回路１２に与える。パル
ス電流制御回路１２はデータ入力（ＤＡＴＡ）に対応し
、光パルスピーク値が一定（Ｌｗ）となるようにパルス
駆動電流増幅回路１３を制御すると共に、その出力だ加
算器１６によりバイアス電流を重畳する。
明する。上記実施例において、切り換え制ダ入力（Ｒ／
Ｗ）により読み出し時には、切換部１４．１５はＲ側に
切換られており、光検出素子８の出力により、半導体レ
ーザ１の光出力（読み出しパワー）がＬＲとなるように
バイアス電流Ｉｂｘ（温度Ｔ１）にバイアス電流回路９
により制御される。一方、書き込み時には、切換部１４
．１５はＷ側に切換えられ、光検出素子８の出力を比較
回路１１でピーク検出のうえ、基準値（ＲＥＦ）と比較
し、比較出力をパルス電流制御回路１２に与える。パル
ス電流制御回路１２はデータ入力（ＤＡＴＡ）に対応し
、光パルスピーク値が一定（Ｌｗ）となるようにパルス
駆動電流増幅回路１３を制御すると共に、その出力だ加
算器１６によりバイアス電流を重畳する。
また、周囲温度がＴ２に上昇し、半導体レーザ７の電流
−光出力特性が第２図のように変化したとすると、読み
出し時には上述のように読み出しパワーＬＲを保つよう
にバイアス電流がＩｂｔから１ｂ２に制御され、書き込
み時は、上述のように書き込みパワーがＬｗ一定となる
ようパルス電流がＩＰＩからＩＦ５に制御される。
−光出力特性が第２図のように変化したとすると、読み
出し時には上述のように読み出しパワーＬＲを保つよう
にバイアス電流がＩｂｔから１ｂ２に制御され、書き込
み時は、上述のように書き込みパワーがＬｗ一定となる
ようパルス電流がＩＰＩからＩＦ５に制御される。
このように、上記実施例によれば、半導体レーザの電流
−光出力特性が温度変動又は経時変化により閾値電流値
、外部微分量子効率が変化しても書き込みパワーを一定
に保ち、媒体に対して安定な書き込み品質が得られる、
という効果を有する。
−光出力特性が温度変動又は経時変化により閾値電流値
、外部微分量子効率が変化しても書き込みパワーを一定
に保ち、媒体に対して安定な書き込み品質が得られる、
という効果を有する。
発明の効果
本発明は上記実施例により明らかなように、以下に示す
効果を有する。
効果を有する。
（１）半導体レーザの背景光をモニタし、これにより読
み出し時の直流光出力及び書き込み時の、Ｃルスビーク
光出力が一定となるように制御しているので、温度変動
、経時変化による半導体レーダの閾値電流値、外部微分
量子効率が変化しても、読み出し、書き込みが安定に行
なうことができる。
み出し時の直流光出力及び書き込み時の、Ｃルスビーク
光出力が一定となるように制御しているので、温度変動
、経時変化による半導体レーダの閾値電流値、外部微分
量子効率が変化しても、読み出し、書き込みが安定に行
なうことができる。
（２）読み出しと書き込みとを切換えて制御するような
構成としであるので、これら２つの動作に対し、半導体
レーザとその光検出素子は１つで構成できる。
構成としであるので、これら２つの動作に対し、半導体
レーザとその光検出素子は１つで構成できる。
第１図は本発明の一実施例における半導体レーザ駆動回
路のブロック図、第２図は同回路の動作を説明するため
の特性図、第３図は従来の半導体レーザ駆動回路のブロ
ック図、第４図は外部微分量子効率一定時の同回路の動
作を説明するための特性図、第５図は外部微分量子効率
変化時の同回路の動作を説明するための特性図である。 ７・・・半導体レーザ、８・光検出素子、９・・バイア
ス電流制御回路、ｉｏ−ホールド回路、１１・・比較回
路、１２．パルス電流制御回路、１３・、パルス駆動電
流増幅回路、１４．１５・切換部、１６・・・加算器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
２ 図 第３図 第４図 第 ５ 図
路のブロック図、第２図は同回路の動作を説明するため
の特性図、第３図は従来の半導体レーザ駆動回路のブロ
ック図、第４図は外部微分量子効率一定時の同回路の動
作を説明するための特性図、第５図は外部微分量子効率
変化時の同回路の動作を説明するための特性図である。 ７・・・半導体レーザ、８・光検出素子、９・・バイア
ス電流制御回路、ｉｏ−ホールド回路、１１・・比較回
路、１２．パルス電流制御回路、１３・、パルス駆動電
流増幅回路、１４．１５・切換部、１６・・・加算器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
２ 図 第３図 第４図 第 ５ 図
Claims (1)
- 読み込み時は直流のバイアス電流により、また書込み時
には前記バイアス電流に入力データに応じて変化するパ
ルス電流を可変増幅器を介して重畳して印加駆動される
半導体レーザに、前記半導体レーザの出力をモニタする
光検出素子を有し、前記光検出素子の出力で前記バイア
ス電流を制御するためのバイアス電流制御手段を設ける
と共に、前記光検出素子からのピーク出力と基準値との
差を比較回路で比較し、前記比較回路の出力により前記
可変増幅器の増幅度を制御するようにした半導体レーザ
駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12252186A JPS62279687A (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 半導体レ−ザ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12252186A JPS62279687A (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 半導体レ−ザ駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62279687A true JPS62279687A (ja) | 1987-12-04 |
Family
ID=14837909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12252186A Pending JPS62279687A (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 半導体レ−ザ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62279687A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63254777A (ja) * | 1987-02-28 | 1988-10-21 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | レーザダイオード制御方法と装置 |
| US5797619A (en) * | 1989-01-30 | 1998-08-25 | Tip Engineering Group, Inc. | Automotive trim piece and method to form an air bag opening |
| JP2014150210A (ja) * | 2013-02-04 | 2014-08-21 | Spectronix Corp | 短光パルス発生装置及び短光パルス発生方法 |
-
1986
- 1986-05-28 JP JP12252186A patent/JPS62279687A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63254777A (ja) * | 1987-02-28 | 1988-10-21 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | レーザダイオード制御方法と装置 |
| JP2713413B2 (ja) * | 1987-02-28 | 1998-02-16 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | レーザダイオード制御方法と装置 |
| US5797619A (en) * | 1989-01-30 | 1998-08-25 | Tip Engineering Group, Inc. | Automotive trim piece and method to form an air bag opening |
| JP2014150210A (ja) * | 2013-02-04 | 2014-08-21 | Spectronix Corp | 短光パルス発生装置及び短光パルス発生方法 |
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