JP2501791B2 - フイルムキヤリヤ形基板とその製造方法 - Google Patents
フイルムキヤリヤ形基板とその製造方法Info
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- JP2501791B2 JP2501791B2 JP61098889A JP9888986A JP2501791B2 JP 2501791 B2 JP2501791 B2 JP 2501791B2 JP 61098889 A JP61098889 A JP 61098889A JP 9888986 A JP9888986 A JP 9888986A JP 2501791 B2 JP2501791 B2 JP 2501791B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、フィルムキャリヤ方式による例えばIC等
の高密度実装に用いられるフィルムキャリヤ形基板とそ
の製造方法に関する。
の高密度実装に用いられるフィルムキャリヤ形基板とそ
の製造方法に関する。
フィルムキャリヤ方式は、IC実装の連続化、ボンディ
ングスピードの向上等が図れることから、IC実装技術の
中でも特に注目を浴びている方式である。
ングスピードの向上等が図れることから、IC実装技術の
中でも特に注目を浴びている方式である。
そのようなフィルムキャリヤ方式に用いられるフィル
ムキャリヤ形基板としては、従来、例えば第３図に示
すようにフィルム11上に銅箔13を接着剤層12で接着し、
この銅箔13をエッチング法によりパターン化して所定の
電気回路を形成したもの、あるいは上記のようなフィ
ルム11の表面に無電解メッキ法を用いて銅、ニッケル等
の電気回路を形成したもの、等が用いられている。いず
れの場合もフィルム11としては、ポリイミドを主体に有
機高分子材料が使用されている。
ムキャリヤ形基板としては、従来、例えば第３図に示
すようにフィルム11上に銅箔13を接着剤層12で接着し、
この銅箔13をエッチング法によりパターン化して所定の
電気回路を形成したもの、あるいは上記のようなフィ
ルム11の表面に無電解メッキ法を用いて銅、ニッケル等
の電気回路を形成したもの、等が用いられている。いず
れの場合もフィルム11としては、ポリイミドを主体に有
機高分子材料が使用されている。
ところが、銅箔等を接着した基板においては、接着
剤層12を介在しているためフィルム11と銅箔13等との熱
伝導性が悪い、ポリイミド等のフィルム11と銅箔13と
の接着性が必ずしも満足できるものではない、更にフ
ィルム11と銅箔13との接合性が150℃以上の温度に長時
間さらされると著しく劣化する、等の問題がある。
剤層12を介在しているためフィルム11と銅箔13等との熱
伝導性が悪い、ポリイミド等のフィルム11と銅箔13と
の接着性が必ずしも満足できるものではない、更にフ
ィルム11と銅箔13との接合性が150℃以上の温度に長時
間さらされると著しく劣化する、等の問題がある。
一方、湿式法である無電解メッキ法による基板におい
ては、メッキ層の密着性が大きくばらついている、
公害排除のためにメッキ液の管理等を厳重にする必要が
ある、等の問題がある。
ては、メッキ層の密着性が大きくばらついている、
公害排除のためにメッキ液の管理等を厳重にする必要が
ある、等の問題がある。
そこでこの発明は、上記のような従来の問題点を解決
したフィルムキャリヤ形基板とその製造方法を提供する
ことを主たる目的とする。
したフィルムキャリヤ形基板とその製造方法を提供する
ことを主たる目的とする。
この発明のフィルムキャリヤ形基板は、有機高分子材
料から成るフィルムキャリヤ用のフィルム上に金属層が
形成されており、かつ両者の界面付近に、両者の構成物
質を含んで成り厚さが5nm〜50nmの混合層が形成されて
いることを特徴とする。
料から成るフィルムキャリヤ用のフィルム上に金属層が
形成されており、かつ両者の界面付近に、両者の構成物
質を含んで成り厚さが5nm〜50nmの混合層が形成されて
いることを特徴とする。
この発明の製造方法は、真空中で有機高分子材料から
成るフィルムキャリヤ用のフィルムに対して、金属蒸気
の蒸着と、アルゴン以上の質量を有しかつ2KeV〜50KeV
のエネルギーを有する不活性ガスイオンの照射とを行う
ことによって、当該フィルム上に金属層を、かつ両者の
界面付近に、両者の構成物質を含んで成り厚さが5nm〜5
0nmの混合層を形成することを特徴とする。
成るフィルムキャリヤ用のフィルムに対して、金属蒸気
の蒸着と、アルゴン以上の質量を有しかつ2KeV〜50KeV
のエネルギーを有する不活性ガスイオンの照射とを行う
ことによって、当該フィルム上に金属層を、かつ両者の
界面付近に、両者の構成物質を含んで成り厚さが5nm〜5
0nmの混合層を形成することを特徴とする。
この発明のフィルムキャリヤ形基板は、有機高分子材
料から成るフィルム上に金属層を形成したものであるか
ら十分な可撓性を有している。しかも混合層が言わば楔
のような作用をするので、金属層のフィルムに対する密
着性が高く剥離しにくい。また接着剤等を介在させてい
ないので、フィルムと金属層等との間の熱伝導性も良
い。
料から成るフィルム上に金属層を形成したものであるか
ら十分な可撓性を有している。しかも混合層が言わば楔
のような作用をするので、金属層のフィルムに対する密
着性が高く剥離しにくい。また接着剤等を介在させてい
ないので、フィルムと金属層等との間の熱伝導性も良
い。
一方この発明の製造方法によれば、上記のようなフィ
ルムキャリヤ形基板を乾式で容易にかつ安価にかつ一定
の品質で製造することができる。しかも金属層や混合層
の厚みの調整や金属層のパターン化等も容易である。
ルムキャリヤ形基板を乾式で容易にかつ安価にかつ一定
の品質で製造することができる。しかも金属層や混合層
の厚みの調整や金属層のパターン化等も容易である。
第１図は、この発明に係るフィルムキャリヤ形基板の
一例を拡大して示す部分断面図である。このフィルムキ
ャリヤ形基板20は、例えばポリイミド等の有機高分子材
料から成るフィルムキャリヤ用のフィルム21上に、例え
ばAu、Ag、Cu、Ni、Al等の高電気伝導性の金属層23を形
成し、かつフィルム21と金属層23の界面付近に、両者の
構成物質、即ち上記有機高分子材料と上記金属を含んで
成る混合層（ミキシング層）22を形成している。
一例を拡大して示す部分断面図である。このフィルムキ
ャリヤ形基板20は、例えばポリイミド等の有機高分子材
料から成るフィルムキャリヤ用のフィルム21上に、例え
ばAu、Ag、Cu、Ni、Al等の高電気伝導性の金属層23を形
成し、かつフィルム21と金属層23の界面付近に、両者の
構成物質、即ち上記有機高分子材料と上記金属を含んで
成る混合層（ミキシング層）22を形成している。
金属層23等は、フィルム21上の全面に形成されている
場合もあるし、一部分に電気回路としてパターン化され
て形成されている場合もある。
場合もあるし、一部分に電気回路としてパターン化され
て形成されている場合もある。
金属層23の厚みは、例えば0.1μｍ〜50μｍ程度の範
囲内にするのが好ましい。これは、電気伝導性の面より
0.1μｍ未満では不足であり、逆に50μｍを越えるとフ
ィルム21の可撓性を低下させる恐れが出ると共にコスト
高になってくるからである。
囲内にするのが好ましい。これは、電気伝導性の面より
0.1μｍ未満では不足であり、逆に50μｍを越えるとフ
ィルム21の可撓性を低下させる恐れが出ると共にコスト
高になってくるからである。
混合層22の厚みは、5nm〜50nmの範囲内にするのが好
ましい。これは、その程度で、フィルムキャリヤ形基板
に必要とされる金属層23の密着性が十分得られるからで
あり、またそれよりも厚くするとフィルム21の可撓性等
に影響が出始めるからである。
ましい。これは、その程度で、フィルムキャリヤ形基板
に必要とされる金属層23の密着性が十分得られるからで
あり、またそれよりも厚くするとフィルム21の可撓性等
に影響が出始めるからである。
上記のようなフィルムキャリヤ形基板20の特長を列挙
すれば次の通りである。
すれば次の通りである。
有機高分子材料から成るフィルム21上に金属層23を
密着形成したものであるから十分な、即ち従来の基板と
同等以上の可撓性を有している。
密着形成したものであるから十分な、即ち従来の基板と
同等以上の可撓性を有している。
混合層22が言わば楔のような作用をするので、金属
層23のフィルム21に対する密着性が高く剥離しにくい。
層23のフィルム21に対する密着性が高く剥離しにくい。
混合層22の厚さを5nm〜50nmにしているので、フィ
ルムキャリヤ形基板に必要とされる金属層23の密着性が
十分得られ、しかもフィルム21の可撓性を阻害せずに済
み、フィルム21に対する金属層23の密着性向上とフィル
ム21の可撓性維持とをうまく両立させることができる。
ルムキャリヤ形基板に必要とされる金属層23の密着性が
十分得られ、しかもフィルム21の可撓性を阻害せずに済
み、フィルム21に対する金属層23の密着性向上とフィル
ム21の可撓性維持とをうまく両立させることができる。
フィルム21と金属層23間には接着剤等を介在させて
いないので、しかも混合層22によってフィルム21と金属
層23間の界面の組成が連続的に変化したものとなるた
め、フィルム21と金属層23等との間の熱伝導性が非常に
良い。従ってこのフィルムキャリヤ形基板20は、放熱性
が良く、IC等の電子デバイスのより一層の高密度実装を
可能にする。
いないので、しかも混合層22によってフィルム21と金属
層23間の界面の組成が連続的に変化したものとなるた
め、フィルム21と金属層23等との間の熱伝導性が非常に
良い。従ってこのフィルムキャリヤ形基板20は、放熱性
が良く、IC等の電子デバイスのより一層の高密度実装を
可能にする。
次に上記のようなフィルムキャリヤ形基板20の製造方
法の一例を第２図を参照して説明する。第２図は、この
発明に係る製造方法を実施する装置の一例を示す概略図
である。
法の一例を第２図を参照して説明する。第２図は、この
発明に係る製造方法を実施する装置の一例を示す概略図
である。
前述したようなフィルム21がホルダ30に取り付けられ
て真空容器（図示省略）内に収納されており、当該フィ
ルム21に向けて蒸発源32およびイオン源38が配置されて
いる。蒸発源32は例えば電子ビーム蒸発源であり、蒸発
材料34を加熱蒸気化して金属蒸気36をフィルム21上に蒸
着させることができる。イオン源38は例えばバケット型
イオン源が好ましく、それによれば供給されたガスＧを
イオン化して均一で大面積のイオン40を加速してフィル
ム21に向けて照射することができるので、一度に大面積
の処理が可能になる。尚、42はフィルム21上に形成され
る薄膜の膜厚モニタである。
て真空容器（図示省略）内に収納されており、当該フィ
ルム21に向けて蒸発源32およびイオン源38が配置されて
いる。蒸発源32は例えば電子ビーム蒸発源であり、蒸発
材料34を加熱蒸気化して金属蒸気36をフィルム21上に蒸
着させることができる。イオン源38は例えばバケット型
イオン源が好ましく、それによれば供給されたガスＧを
イオン化して均一で大面積のイオン40を加速してフィル
ム21に向けて照射することができるので、一度に大面積
の処理が可能になる。尚、42はフィルム21上に形成され
る薄膜の膜厚モニタである。
上記金属蒸気36としては、例えば前述のようなAu、A
g、Cu、Ni、Al等の高電気伝導性金属の蒸気を用いる。
また上記イオン40としては、例えばアルゴン、キセノ
ン、クリプトン等のように、アルゴン以上の質量を有す
る不活性ガスＧをイオン化して得られる不活性ガスイオ
ンを用いる。
g、Cu、Ni、Al等の高電気伝導性金属の蒸気を用いる。
また上記イオン40としては、例えばアルゴン、キセノ
ン、クリプトン等のように、アルゴン以上の質量を有す
る不活性ガスＧをイオン化して得られる不活性ガスイオ
ンを用いる。
処理に際しては、真空容器内を例えば10-5〜10-7Torr
程度にまで排気した後、蒸発源32からの上述のような金
属蒸気36をフィルム21上に蒸着させるのと同時に、また
はそれと交互に、イオン源38からの加速された上記のよ
うなイオン40をフィルム21に向けて照射する。その際、
必要に応じてホルダ30に冷却水等の冷却媒体を供給して
フィルム21を冷却しても良い。また、蒸発源32あるいは
イオン源38は、処理しようとするフィルム21の面積等に
応じて複数台を併用しても良い。
程度にまで排気した後、蒸発源32からの上述のような金
属蒸気36をフィルム21上に蒸着させるのと同時に、また
はそれと交互に、イオン源38からの加速された上記のよ
うなイオン40をフィルム21に向けて照射する。その際、
必要に応じてホルダ30に冷却水等の冷却媒体を供給して
フィルム21を冷却しても良い。また、蒸発源32あるいは
イオン源38は、処理しようとするフィルム21の面積等に
応じて複数台を併用しても良い。
以上によってフィルム21上に前述したような金属層23
が形成されると共に、イオン40の押込み（ノックオン）
作用により、フィルム21と金属層23の界面付近に前述し
たような混合層22が形成され、その結果例えば第１図に
示したようなフィルムキャリヤ形基板20が得られる。
が形成されると共に、イオン40の押込み（ノックオン）
作用により、フィルム21と金属層23の界面付近に前述し
たような混合層22が形成され、その結果例えば第１図に
示したようなフィルムキャリヤ形基板20が得られる。
金属層23の膜厚は、例えば膜厚モニタ42を用いること
によって所望のものに、例えば前述した0.1μｍ〜50μ
ｍ程度に容易に調整することができる。
によって所望のものに、例えば前述した0.1μｍ〜50μ
ｍ程度に容易に調整することができる。
混合層22の厚みは、照射するイオン40の加速エネルギ
ー（換言すればイオン40の平均射影飛程）に依存し、厚
くする場合はイオン40のエネルギーを数十KeV〜数百KeV
と高めれば良い。但し、この混合層22を過度に厚くする
と（即ちイオン40のエネルギーを過度に高めると）、基
材であるフィルム21がイオン照射により劣化する、フィ
ルム21の可撓性が低下する、装置のコストが上昇する、
等の問題が出るため、また前述のように金属層23の密着
性の面からは5nm〜50nmの厚みで十分であるため、イオ
ン40の加速エネルギーは数十KeV程度に、特に50KeV以下
に抑えるのが得策である。但し、イオン40のエネルギー
が2KeV未満だと、形成される混合層22の厚さが小さ過ぎ
てフィルム21と金属層23間の密着性が悪くて金属層23が
剥がれやすくなるので、イオン40のエネルギーは2KeV以
上にするのが好ましい。
ー（換言すればイオン40の平均射影飛程）に依存し、厚
くする場合はイオン40のエネルギーを数十KeV〜数百KeV
と高めれば良い。但し、この混合層22を過度に厚くする
と（即ちイオン40のエネルギーを過度に高めると）、基
材であるフィルム21がイオン照射により劣化する、フィ
ルム21の可撓性が低下する、装置のコストが上昇する、
等の問題が出るため、また前述のように金属層23の密着
性の面からは5nm〜50nmの厚みで十分であるため、イオ
ン40の加速エネルギーは数十KeV程度に、特に50KeV以下
に抑えるのが得策である。但し、イオン40のエネルギー
が2KeV未満だと、形成される混合層22の厚さが小さ過ぎ
てフィルム21と金属層23間の密着性が悪くて金属層23が
剥がれやすくなるので、イオン40のエネルギーは2KeV以
上にするのが好ましい。
尚、所定のパターンをしたマスクを介して前記蒸着と
イオン照射とを行っても良く、そのようにすれば別工程
を要することなく簡単に、フィルム21上の一部分に電気
回路としてパターン化された金属層23等を形成すること
ができる。もっとも、所定の電気回路パターンを得る方
法として、上記のようにして金属層23を形成した後、従
来技術であるエッチング法によってそれをパターン化し
ても良い。
イオン照射とを行っても良く、そのようにすれば別工程
を要することなく簡単に、フィルム21上の一部分に電気
回路としてパターン化された金属層23等を形成すること
ができる。もっとも、所定の電気回路パターンを得る方
法として、上記のようにして金属層23を形成した後、従
来技術であるエッチング法によってそれをパターン化し
ても良い。
上記のような製造方法の特長を列挙すれば次の通りで
ある。
ある。
前述のような特徴を有するフィルムキャリヤ形基板
20を、乾式で容易に且つ安価にかつ一定の品質で製造す
ることができる。
20を、乾式で容易に且つ安価にかつ一定の品質で製造す
ることができる。
金属層23や混合層22の厚みの調整が容易であり、従
って用途等に応じた、かつ諸特性に優れたフィルムキャ
リヤ形基板20を容易に得ることができる。
って用途等に応じた、かつ諸特性に優れたフィルムキャ
リヤ形基板20を容易に得ることができる。
表面の平滑性の良いものが得られるため、ICチップ
等との密着性や熱伝導性の良いフィルムキャリヤ形基板
20が得られる。
等との密着性や熱伝導性の良いフィルムキャリヤ形基板
20が得られる。
別工程によることなく金属層23の形成と同時にそれ
をパターン化することができる。
をパターン化することができる。
イオン40として不活性ガスイオンを照射するため、
フィルム21を構成する有機高分子材料を変質させる恐れ
がなく、従ってフィルム21の可撓性低下や金属層23の密
着性低下を惹き起こさない。
フィルム21を構成する有機高分子材料を変質させる恐れ
がなく、従ってフィルム21の可撓性低下や金属層23の密
着性低下を惹き起こさない。
照射イオン40の質量が小さいと、当該イオンの照射
によって蒸着粒子やフィルム構成原子を移動拡散させる
ことが困難で混合層22をうまく形成することができない
けれども、アルゴン以上の質量を有する不活性ガスイオ
ンであれば、質量が大きいので混合層22を効果的に形成
して金属層23の密着力を高めることができる。
によって蒸着粒子やフィルム構成原子を移動拡散させる
ことが困難で混合層22をうまく形成することができない
けれども、アルゴン以上の質量を有する不活性ガスイオ
ンであれば、質量が大きいので混合層22を効果的に形成
して金属層23の密着力を高めることができる。
照射イオン40のエネルギーを2KeV〜50KeVとしてい
るので、フィルム21の可撓性を阻害することなく金属層
23の密着性を高めることができる。
るので、フィルム21の可撓性を阻害することなく金属層
23の密着性を高めることができる。
実験例 第２図に示すような装置を用い、冷却水を流したホル
ダ30に厚み0.15mmのポリイミドフィルムを装着し、蒸発
源32の蒸発材料34として無酸素銅を入れ、これを電子ビ
ームで加熱して銅を当該フィルム上に蒸着させた。同時
に、イオン源38よりアルゴンガスイオンを40KeVの加速
エネルギーで引き出し、50mAのイオン電流で上記フィル
ムに照射した。この場合、銅の蒸着速度は0.5μm/分と
し、10分間処理を行って前述したようなフィルムキャリ
ヤ形基板を得た。
ダ30に厚み0.15mmのポリイミドフィルムを装着し、蒸発
源32の蒸発材料34として無酸素銅を入れ、これを電子ビ
ームで加熱して銅を当該フィルム上に蒸着させた。同時
に、イオン源38よりアルゴンガスイオンを40KeVの加速
エネルギーで引き出し、50mAのイオン電流で上記フィル
ムに照射した。この場合、銅の蒸着速度は0.5μm/分と
し、10分間処理を行って前述したようなフィルムキャリ
ヤ形基板を得た。
得られた試料（基板）について、ポリイミドフィルム
と銅蒸着層との界面強度をピーリング法で測定した結
果、全ての試料において、銅蒸着層が剥離せずにポリイ
ミドフィルムが破断した。尚、試料の可撓性にも問題は
なかった。
と銅蒸着層との界面強度をピーリング法で測定した結
果、全ての試料において、銅蒸着層が剥離せずにポリイ
ミドフィルムが破断した。尚、試料の可撓性にも問題は
なかった。
一方比較のために、イオン照射を行わないで単に銅を
蒸着した試料について同様の測定をした結果、全て銅蒸
着層が界面より簡単に剥離してしまった。
蒸着した試料について同様の測定をした結果、全て銅蒸
着層が界面より簡単に剥離してしまった。
この発明のフィルムキャリヤ形基板によれば、次のよ
うな効果を奏する。
うな効果を奏する。
有機高分子材料から成るフィルム上に金属層を密着
形成したものであるから十分な、即ち従来のフィルムキ
ャリヤ形基板と同等以上の可撓性を有している。
形成したものであるから十分な、即ち従来のフィルムキ
ャリヤ形基板と同等以上の可撓性を有している。
フィルムと金属層間の混合層が言わば楔のような作
用をするので、金属層のフィルムに対する密着性が高く
剥離しにくい。
用をするので、金属層のフィルムに対する密着性が高く
剥離しにくい。
混合層の厚さを5nm〜50nmにしているので、フィル
ムキャリヤ形基板に必要とされる金属層の密着性が十分
得られ、しかもフィルムの可撓性を阻害せずに済み、フ
ィルムに対する金属層の密着性向上とフィルムの可撓性
維持とをうまく両立させることができる。
ムキャリヤ形基板に必要とされる金属層の密着性が十分
得られ、しかもフィルムの可撓性を阻害せずに済み、フ
ィルムに対する金属層の密着性向上とフィルムの可撓性
維持とをうまく両立させることができる。
フィルムと金属層間には接着剤等を介在させていな
いので、しかも混合層によってフィルムと金属層間の界
面の組成が連続的に変化したものとなるため、フィルム
と金属層等との間の熱伝導性が非常に良い。従ってこの
フィルムキャリヤ形基板は、放熱性が良く、IC等の電子
デバイスのより一層の高密度実装を可能にする。
いので、しかも混合層によってフィルムと金属層間の界
面の組成が連続的に変化したものとなるため、フィルム
と金属層等との間の熱伝導性が非常に良い。従ってこの
フィルムキャリヤ形基板は、放熱性が良く、IC等の電子
デバイスのより一層の高密度実装を可能にする。
この発明の製造方法によれば、次のような効果を奏す
る。
る。
十分な可撓性を有すると共に、金属層の密着性が高
く、かつフィルムと金属層との間の熱伝導性の良いフィ
ルムキャリヤ形基板を、乾式で容易にかつ安価にかつ一
定の品質で製造することができる。しかも金属層や混合
層の厚みの調整や金属層のパターン化も容易である。
く、かつフィルムと金属層との間の熱伝導性の良いフィ
ルムキャリヤ形基板を、乾式で容易にかつ安価にかつ一
定の品質で製造することができる。しかも金属層や混合
層の厚みの調整や金属層のパターン化も容易である。
不活性ガスイオンを照射するため、フィルムを構成
する有機高分子材料を変質させる恐れがなく、従ってフ
ィルムの可撓性低下や金属層の密着性低下を惹き起こさ
ない。
する有機高分子材料を変質させる恐れがなく、従ってフ
ィルムの可撓性低下や金属層の密着性低下を惹き起こさ
ない。
照射イオンの質量が小さいと、当該イオンの照射に
よって蒸着粒子やフィルム構成原子を移動拡散させるこ
とが困難で混合層をうまく形成することができないけれ
ども、アルゴン以上の質量を有する不活性ガスイオンで
あれば、質量が大きいので混合層を効果的に形成して金
属層の密着力を高めることができる。
よって蒸着粒子やフィルム構成原子を移動拡散させるこ
とが困難で混合層をうまく形成することができないけれ
ども、アルゴン以上の質量を有する不活性ガスイオンで
あれば、質量が大きいので混合層を効果的に形成して金
属層の密着力を高めることができる。
照射イオンのエネルギーを2KeV〜50KeVとしている
ので、フィルムの可撓性を阻害することなく金属層の密
着性を高めることができる。
ので、フィルムの可撓性を阻害することなく金属層の密
着性を高めることができる。
第１図は、この発明に係るフィルムキャリヤ形基板の一
例を拡大して示す部分断面図である。第２図は、この発
明に係る製造方法を実施する装置の一例を示す概略図で
ある。第３図は、従来のフィルムキャリヤ形基板の一例
を拡大して示す部分断面図である。 20…実施例に係るフィルムキャリヤ形基板、21…フィル
ム、22…混合層、23…金属層、32…蒸発源、36…金属蒸
気、38…イオン源、40…イオン。
例を拡大して示す部分断面図である。第２図は、この発
明に係る製造方法を実施する装置の一例を示す概略図で
ある。第３図は、従来のフィルムキャリヤ形基板の一例
を拡大して示す部分断面図である。 20…実施例に係るフィルムキャリヤ形基板、21…フィル
ム、22…混合層、23…金属層、32…蒸発源、36…金属蒸
気、38…イオン源、40…イオン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 緒方 潔 京都市右京区梅津高畝町47番地 日新電 機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭55−110771（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−152545（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−258468（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】有機高分子材料から成るフィルムキャリヤ
用のフィルム上に金属層が形成されており、かつ両者の
界面付近に、両者の構成物質を含んで成り厚さが5nm〜5
0nmの混合層が形成されていることを特徴とするフィル
ムキャリヤ形基板。 - 【請求項２】前記金属層がパターン化されていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のフィルムキャリ
ヤ形基板。 - 【請求項３】真空中で有機高分子材料から成るフィルム
キャリヤ用のフィルムに対して、金属蒸気の蒸着と、ア
ルゴン以上の質量を有しかつ2KeV〜50KeVのエネルギー
を有する不活性ガスイオンの照射とを行うことによっ
て、当該フィルム上に金属層を、かつ両者の界面付近
に、両者の構成物質を含んで成り厚さが5nm〜50nmの混
合層を形成することを特徴とするフィルムキャリヤ形基
板の製造方法。 - 【請求項４】所定のパターンをしたマスクを介して前記
蒸着とイオン照射とを行うことを特徴とする特許請求の
範囲第３項記載のフィルムキャリヤ形基板の製造方法。 - 【請求項５】前記金属層を形成した後、エッチング法で
それをパターン化することを特徴とする特許請求の範囲
第３項記載のフィルムキャリヤ形基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61098889A JP2501791B2 (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | フイルムキヤリヤ形基板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61098889A JP2501791B2 (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | フイルムキヤリヤ形基板とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62255137A JPS62255137A (ja) | 1987-11-06 |
| JP2501791B2 true JP2501791B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=14231704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61098889A Expired - Fee Related JP2501791B2 (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | フイルムキヤリヤ形基板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2501791B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7664042B2 (en) | 2003-09-17 | 2010-02-16 | Toshiba Storage Device Corporation | Storage control apparatus, storage apparatus, storage control method, and computer-readable recording medium for executing a command based on data in received packet |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08330728A (ja) * | 1995-05-26 | 1996-12-13 | Toyo Metaraijingu Kk | フレキシブルプリント配線用基板 |
| JP2016159606A (ja) * | 2015-03-05 | 2016-09-05 | 住友電気工業株式会社 | 積層構造体 |
| JP6178814B2 (ja) * | 2015-03-27 | 2017-08-09 | 大日本印刷株式会社 | サスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンションおよびハードディスクドライブ |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55110771A (en) * | 1979-02-16 | 1980-08-26 | Seiko Epson Corp | Vacuum vapor depositing apparatus |
| JPS57152545A (en) * | 1981-03-17 | 1982-09-20 | Hitachi Maxell Ltd | Manufacture of magnetic recording medium |
| JPS60258468A (ja) * | 1984-06-01 | 1985-12-20 | Nissin Electric Co Ltd | 薄膜形成装置 |
-
1986
- 1986-04-28 JP JP61098889A patent/JP2501791B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7664042B2 (en) | 2003-09-17 | 2010-02-16 | Toshiba Storage Device Corporation | Storage control apparatus, storage apparatus, storage control method, and computer-readable recording medium for executing a command based on data in received packet |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62255137A (ja) | 1987-11-06 |
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