JPH05287500A - フィルムキャリア形基板の製造方法 - Google Patents
フィルムキャリア形基板の製造方法Info
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- JPH05287500A JPH05287500A JP8575792A JP8575792A JPH05287500A JP H05287500 A JPH05287500 A JP H05287500A JP 8575792 A JP8575792 A JP 8575792A JP 8575792 A JP8575792 A JP 8575792A JP H05287500 A JPH05287500 A JP H05287500A
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- carrier type
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 十分な可撓性を有すると共に金属層の密着性
が高く、且つ、フィルムと金属層等との間の熱伝導性も
良いフィルムキャリア形基板を乾式で容易に、安価に、
一定の品質で得る。 【構成】 真空中で有機高分子材料から成るフィルム２
１に対して、金属蒸気３６の蒸着と加速された窒素ガス
イオン４０の照射とを行うことによって、当該フィルム
上に金属層２３を、且つ、両者の界面付近に両者の構成
物質を含んで成る混合層２２を形成するフィルムキャリ
ア形基板の製造方法。
が高く、且つ、フィルムと金属層等との間の熱伝導性も
良いフィルムキャリア形基板を乾式で容易に、安価に、
一定の品質で得る。 【構成】 真空中で有機高分子材料から成るフィルム２
１に対して、金属蒸気３６の蒸着と加速された窒素ガス
イオン４０の照射とを行うことによって、当該フィルム
上に金属層２３を、且つ、両者の界面付近に両者の構成
物質を含んで成る混合層２２を形成するフィルムキャリ
ア形基板の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、フィルムキャリア方
式による例えばＩＣ等の高密度実装に用いられるフィル
ムキャリア形基板とその製造方法に関する。
式による例えばＩＣ等の高密度実装に用いられるフィル
ムキャリア形基板とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】フィルムキャリア方式は、ＩＣ実装の連
続化、ボンディングスピードの向上等が図れることか
ら、ＩＣ実装技術の中でも特に注目を浴びている方式で
ある。そのようなフィルムキャリア方式に用いられるフ
ィルムキャリア形基板としては、従来、例えば図３に
示すように、フィルム１１上に銅箔１３を接着剤１２で
接着し、この銅箔１３をエッチング法によりパターン化
して所定の電気回路を形成したもの、或いは上記のよ
うなフィルム１１の表面に無電解メッキ法を用いて銅、
ニッケル等の電気回路を形成したもの、等が用いられて
いる。いずれの場合もフィルム１１としては、ポリイミ
ドを主に有機高分子材料が使用されている。
続化、ボンディングスピードの向上等が図れることか
ら、ＩＣ実装技術の中でも特に注目を浴びている方式で
ある。そのようなフィルムキャリア方式に用いられるフ
ィルムキャリア形基板としては、従来、例えば図３に
示すように、フィルム１１上に銅箔１３を接着剤１２で
接着し、この銅箔１３をエッチング法によりパターン化
して所定の電気回路を形成したもの、或いは上記のよ
うなフィルム１１の表面に無電解メッキ法を用いて銅、
ニッケル等の電気回路を形成したもの、等が用いられて
いる。いずれの場合もフィルム１１としては、ポリイミ
ドを主に有機高分子材料が使用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、銅箔等を接
着した基板においては、接着剤層１２を介在している
ためフィルム１１と銅箔１３等との熱伝導性が悪い、
ポリイミド等のフィルム１１と銅箔１３との接着性が必
ずしも満足できるものではない、更にフィルム１１と
銅箔１３との接合性が１５０℃以上の温度に長時間さら
されると著しく劣化する、等の問題がある。
着した基板においては、接着剤層１２を介在している
ためフィルム１１と銅箔１３等との熱伝導性が悪い、
ポリイミド等のフィルム１１と銅箔１３との接着性が必
ずしも満足できるものではない、更にフィルム１１と
銅箔１３との接合性が１５０℃以上の温度に長時間さら
されると著しく劣化する、等の問題がある。
【０００４】一方、湿式法である無電解メッキ法による
基板においては、メッキ層の密着性が大きくばらつ
く、公害排除のためにメッキ液の管理等を厳重にする
必要がある、等の問題がある。そこでこの発明は、上記
のような従来の問題点を解決したフィルムキャリア形基
板とその製造方法を提供することを目的とする。
基板においては、メッキ層の密着性が大きくばらつ
く、公害排除のためにメッキ液の管理等を厳重にする
必要がある、等の問題がある。そこでこの発明は、上記
のような従来の問題点を解決したフィルムキャリア形基
板とその製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明のフィルムキャ
リア形基板は、有機高分子材料から成るフィルム上に金
属層が形成されており、且つ、両者の界面付近に両者の
構成物質を含んで成る混合層が形成されていることを特
徴とする。この発明の製造方法は、真空中で有機高分子
材料から成るフィルムに対して、金属蒸気の蒸着と加速
された窒素ガスイオンの照射とを行うことによって、当
該フィルム上に金属層を、且つ、両者の界面付近に両者
の構成物質を含んで成る混合層を形成することを特徴と
する。
リア形基板は、有機高分子材料から成るフィルム上に金
属層が形成されており、且つ、両者の界面付近に両者の
構成物質を含んで成る混合層が形成されていることを特
徴とする。この発明の製造方法は、真空中で有機高分子
材料から成るフィルムに対して、金属蒸気の蒸着と加速
された窒素ガスイオンの照射とを行うことによって、当
該フィルム上に金属層を、且つ、両者の界面付近に両者
の構成物質を含んで成る混合層を形成することを特徴と
する。
【０００６】
【作用】この発明のフィルムキャリア形基板は、有機高
分子材料から成るフィルム上に金属層を形成したもので
あるから十分な可撓性を有している。しかも混合層が言
わば連結体のような作用をするので、金属層のフィルム
に対する密着性が高く剥離しにくい。また接着剤を介在
させていないので、フィルムと金属層等との間の熱伝導
性も良い。
分子材料から成るフィルム上に金属層を形成したもので
あるから十分な可撓性を有している。しかも混合層が言
わば連結体のような作用をするので、金属層のフィルム
に対する密着性が高く剥離しにくい。また接着剤を介在
させていないので、フィルムと金属層等との間の熱伝導
性も良い。
【０００７】一方、この発明の製造方法によれば、上記
のようなフィルムキャリア形基板を乾式で容易に、安価
に、一定の品質で製造することができる。しかも金属層
や混合層の厚みの調整や金属層のパターン化等も容易で
ある。
のようなフィルムキャリア形基板を乾式で容易に、安価
に、一定の品質で製造することができる。しかも金属層
や混合層の厚みの調整や金属層のパターン化等も容易で
ある。
【０００８】
【実施例】図１は、この発明に係るフィルムキャリア形
基板の一例を拡大して示す部分断面図である。このフィ
ルムキャリア形基板２０は、例えばポリイミド等の有機
高分子材料から成るフィルム２１上に、例えばＡｕ、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ等の高電気伝導性の金属層２３を
形成し、且つ、フィルム２１と金属層２３の界面付近に
両者の構成物質、即ち上記有機高分子材料と上記金属を
含んで成る混合層（ミキシング層）を形成している。
基板の一例を拡大して示す部分断面図である。このフィ
ルムキャリア形基板２０は、例えばポリイミド等の有機
高分子材料から成るフィルム２１上に、例えばＡｕ、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ等の高電気伝導性の金属層２３を
形成し、且つ、フィルム２１と金属層２３の界面付近に
両者の構成物質、即ち上記有機高分子材料と上記金属を
含んで成る混合層（ミキシング層）を形成している。
【０００９】金属層２３等は、フィルム２１上の全面に
形成されている場合もあるし、一部分に電気回路として
パターン化されている場合もある。金属層２３の厚み
は、例えば０．１μｍ〜５０μｍ程度の範囲内にするの
が好ましい。これは、電気伝導性の面より０．１μｍ未
満では不足であり、逆に５０μｍを超えるとフィルム２
１の可撓性を低下させる恐れがあると共にコスト高にな
ってくるからである。
形成されている場合もあるし、一部分に電気回路として
パターン化されている場合もある。金属層２３の厚み
は、例えば０．１μｍ〜５０μｍ程度の範囲内にするの
が好ましい。これは、電気伝導性の面より０．１μｍ未
満では不足であり、逆に５０μｍを超えるとフィルム２
１の可撓性を低下させる恐れがあると共にコスト高にな
ってくるからである。
【００１０】混合層２２の厚みは、例えば５ｎｍ〜５０
０ｎｍ程度の範囲内にするのが好ましい。これは、その
程度で密着性が十分得られるからであり、またそれより
も厚くするとフィルム２１の可撓性等に影響が出始める
からである。上記のようなフィルムキャリア形基板２０
の特徴を列挙すれば次の通りである。 有機高分子材料から成るフィルム２１上に金属層２
３を密着形成したものであるから十分な、即ち従来の基
板と同等以上の可撓性を有している。 混合層２２が言わば連結体のような作用をするの
で、金属層２３のフィルム２１に対する密着性が高く剥
離しにくい。 フィルム２１と金属層２３間には接着剤等を介在さ
せていないので、しかも混合層２２によってフィルム２
１と金属層２３の界面の組成が連続的に変化したものと
なるため、フィルム２１と金属層２３等との間の熱伝導
性が非常に良い。
０ｎｍ程度の範囲内にするのが好ましい。これは、その
程度で密着性が十分得られるからであり、またそれより
も厚くするとフィルム２１の可撓性等に影響が出始める
からである。上記のようなフィルムキャリア形基板２０
の特徴を列挙すれば次の通りである。 有機高分子材料から成るフィルム２１上に金属層２
３を密着形成したものであるから十分な、即ち従来の基
板と同等以上の可撓性を有している。 混合層２２が言わば連結体のような作用をするの
で、金属層２３のフィルム２１に対する密着性が高く剥
離しにくい。 フィルム２１と金属層２３間には接着剤等を介在さ
せていないので、しかも混合層２２によってフィルム２
１と金属層２３の界面の組成が連続的に変化したものと
なるため、フィルム２１と金属層２３等との間の熱伝導
性が非常に良い。
【００１１】次に上記のようなフィルムキャリア形基板
２０の製造方法の一例を図２を参照して説明する。図２
は、この発明に係る製造方法を実施する装置の一例を示
す概略図である。前述したようなフィルム２１がホルダ
３０に取り付けられて真空容器（図示省略）内に収容さ
れており、当該フィルム２１に向けて蒸発源３２及びイ
オン源３８が配置されている。蒸発源３２は例えば電子
ビーム蒸発源であり、蒸発金属材料３４を加熱蒸気化し
て金属蒸気３６をフィルム２１上に蒸着させることがで
きる。イオン源３８は例えばバケット型イオン源が好ま
しく、それによれば供給された窒素ガスＧをイオン化し
て均一で大面積の窒素イオン４０を加速してフィルム２
１に向けて照射することができるので、一度に大面積の
処理が可能になる。尚、４２はフィルム２１上に形成さ
れる薄膜の膜厚モニタである。
２０の製造方法の一例を図２を参照して説明する。図２
は、この発明に係る製造方法を実施する装置の一例を示
す概略図である。前述したようなフィルム２１がホルダ
３０に取り付けられて真空容器（図示省略）内に収容さ
れており、当該フィルム２１に向けて蒸発源３２及びイ
オン源３８が配置されている。蒸発源３２は例えば電子
ビーム蒸発源であり、蒸発金属材料３４を加熱蒸気化し
て金属蒸気３６をフィルム２１上に蒸着させることがで
きる。イオン源３８は例えばバケット型イオン源が好ま
しく、それによれば供給された窒素ガスＧをイオン化し
て均一で大面積の窒素イオン４０を加速してフィルム２
１に向けて照射することができるので、一度に大面積の
処理が可能になる。尚、４２はフィルム２１上に形成さ
れる薄膜の膜厚モニタである。
【００１２】上記金属蒸気３６としては、例えば前述の
ようなＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ等の高電気伝導性
金属の蒸気を用いる。処理に際しては、真空容器内を例
えば１０-5〜１０-7Ｔｏｒｒ程度にまで排気した後、蒸
発源３２からの上述のような金属蒸気３６をフィルム２
１上に蒸着させるのと同時に、またはそれと交互に、イ
オン源３８からの加速された窒素ガスイオン４０をフィ
ルム２１に向けて照射する。その際、必要に応じてホル
ダ３０に冷却水等の冷却媒体を供給してフィルム２１を
冷却しても良い。
ようなＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ等の高電気伝導性
金属の蒸気を用いる。処理に際しては、真空容器内を例
えば１０-5〜１０-7Ｔｏｒｒ程度にまで排気した後、蒸
発源３２からの上述のような金属蒸気３６をフィルム２
１上に蒸着させるのと同時に、またはそれと交互に、イ
オン源３８からの加速された窒素ガスイオン４０をフィ
ルム２１に向けて照射する。その際、必要に応じてホル
ダ３０に冷却水等の冷却媒体を供給してフィルム２１を
冷却しても良い。
【００１３】また、蒸発源３２或いはイオン源３８は、
処理しようとするフィルム２１の面積等に応じて複数台
を併用しても良い。以上によってフィルム２１上に前述
したような金属層２３が形成されると共に、イオン４０
の押込み（ノックオン）作用によりフィルム２１と金属
層２３の界面付近に前述したような混合層２２が形成さ
れ、その結果、例えば図１に示したようなフィルムキャ
リア形基板２０が得られる。
処理しようとするフィルム２１の面積等に応じて複数台
を併用しても良い。以上によってフィルム２１上に前述
したような金属層２３が形成されると共に、イオン４０
の押込み（ノックオン）作用によりフィルム２１と金属
層２３の界面付近に前述したような混合層２２が形成さ
れ、その結果、例えば図１に示したようなフィルムキャ
リア形基板２０が得られる。
【００１４】金属層２３の膜厚は、例えば膜厚モニタ４
２を用いることによって所望のものに、例えば前述した
０．１μｍ〜５０μｍ程度に容易に調整することができ
る。混合層２２の厚みは、照射するイオン４０の加速エ
ネルギー（換言すればイオン４０の平均射影飛程）やイ
オン照射量に依存するが、この混合層２２を過度に厚く
すると（即ちイオン４０のエネルギーを過度に高めた
り、照射量を多くすると）、基材であるフィルム２１が
イオン照射により劣化する、フィルム２１の可撓性が低
下する、装置のコストが上昇する、等の問題が出るた
め、また前述のように混合層２３の密着性の面からは５
ｎｍ〜５００ｎｍ程度の厚みで十分であるため、イオン
４０の加速エネルギーは５００ｅＶ〜１０ＫｅＶ程度
に、特に２０ＫｅＶ程度以下に、そしてイオン照射量を
１．０×１０14〜１．０×１０18イオン／ｃｍ2 に抑え
るのが得策である。
２を用いることによって所望のものに、例えば前述した
０．１μｍ〜５０μｍ程度に容易に調整することができ
る。混合層２２の厚みは、照射するイオン４０の加速エ
ネルギー（換言すればイオン４０の平均射影飛程）やイ
オン照射量に依存するが、この混合層２２を過度に厚く
すると（即ちイオン４０のエネルギーを過度に高めた
り、照射量を多くすると）、基材であるフィルム２１が
イオン照射により劣化する、フィルム２１の可撓性が低
下する、装置のコストが上昇する、等の問題が出るた
め、また前述のように混合層２３の密着性の面からは５
ｎｍ〜５００ｎｍ程度の厚みで十分であるため、イオン
４０の加速エネルギーは５００ｅＶ〜１０ＫｅＶ程度
に、特に２０ＫｅＶ程度以下に、そしてイオン照射量を
１．０×１０14〜１．０×１０18イオン／ｃｍ2 に抑え
るのが得策である。
【００１５】尚、所定のパターンをしたマスクを介して
前記蒸着とイオン照射とを行っても良く、そのようにす
れば別工程を要することなく簡単に、フィルム２１上の
一部分に電気回路としてパターン化された金属層２３等
を形成することができる。もっとも、所定の電気回路パ
ターンを得る方法として、上記のようにして金属層２３
を形成した後、従来技術であるエッチング法によってそ
れをパターン化しても良い。
前記蒸着とイオン照射とを行っても良く、そのようにす
れば別工程を要することなく簡単に、フィルム２１上の
一部分に電気回路としてパターン化された金属層２３等
を形成することができる。もっとも、所定の電気回路パ
ターンを得る方法として、上記のようにして金属層２３
を形成した後、従来技術であるエッチング法によってそ
れをパターン化しても良い。
【００１６】上記のような製造方法の特徴を列挙すれば
次の通りである。 前述のような特徴を有するフィルムキャリア形基板
２０を、乾式で容易に、安価に、一定の品質で製造する
ことができる。 金属層２３や混合層２２の厚みの調整が容易であ
り、従って用途等に応じた、且つ、諸特性に優れたフィ
ルムキャリア形基板２０を容易に得ることができる。 表面の平滑性の良いものが得られるため、ＩＣチッ
プ等との密着性や熱伝導性の良いフィルムキャリア形基
板２０が得られる。 別工程によることなく金属層２３の形成と同時にそ
れをパターン化することができる。 実験例 図２に示すような装置を用い、冷却水を流したホルダ３
０に厚み０．１５ｍｍのポリイミドフィルムを装着し、
蒸発源３２の蒸発材料３４として無酸素銅を入れ、これ
を電子ビームで加熱して銅を当該フィルム上に蒸着させ
た。同時に、イオン源３８より窒素ガスイオンを５Ｋｅ
Ｖの加速エネルギーで引き出し、ホルダ３０上の電流密
度を１６．７μＡ／ｃｍ2 にて上記フィルムに照射し
た。この場合、銅の蒸着速度は５．０Å／ｓｅｃとし、
１００秒間処理を行って前述したようなフィルムキャリ
ア形基板を得た。
次の通りである。 前述のような特徴を有するフィルムキャリア形基板
２０を、乾式で容易に、安価に、一定の品質で製造する
ことができる。 金属層２３や混合層２２の厚みの調整が容易であ
り、従って用途等に応じた、且つ、諸特性に優れたフィ
ルムキャリア形基板２０を容易に得ることができる。 表面の平滑性の良いものが得られるため、ＩＣチッ
プ等との密着性や熱伝導性の良いフィルムキャリア形基
板２０が得られる。 別工程によることなく金属層２３の形成と同時にそ
れをパターン化することができる。 実験例 図２に示すような装置を用い、冷却水を流したホルダ３
０に厚み０．１５ｍｍのポリイミドフィルムを装着し、
蒸発源３２の蒸発材料３４として無酸素銅を入れ、これ
を電子ビームで加熱して銅を当該フィルム上に蒸着させ
た。同時に、イオン源３８より窒素ガスイオンを５Ｋｅ
Ｖの加速エネルギーで引き出し、ホルダ３０上の電流密
度を１６．７μＡ／ｃｍ2 にて上記フィルムに照射し
た。この場合、銅の蒸着速度は５．０Å／ｓｅｃとし、
１００秒間処理を行って前述したようなフィルムキャリ
ア形基板を得た。
【００１７】得られた試料基板についてポリイミドフィ
ルムと銅蒸着膜との界面強度をＰｅｅｌｉｎｇ試験（引
き剥し試験）にて評価した結果を表１に示す。同表には
比較としてイオン照射せずに真空蒸着しただけの試料
と、Ａｒガスイオンを用いて窒素ガスイオンのときと同
様な条件にてＩＶＤ処理を施した試料についても併せて
記してある。同表に示すように、窒素ガスイオン照射を
することにより密着力が著しく向上し、銅蒸着層が剥離
せずフィルムが破断し測定が不可能であった。
ルムと銅蒸着膜との界面強度をＰｅｅｌｉｎｇ試験（引
き剥し試験）にて評価した結果を表１に示す。同表には
比較としてイオン照射せずに真空蒸着しただけの試料
と、Ａｒガスイオンを用いて窒素ガスイオンのときと同
様な条件にてＩＶＤ処理を施した試料についても併せて
記してある。同表に示すように、窒素ガスイオン照射を
することにより密着力が著しく向上し、銅蒸着層が剥離
せずフィルムが破断し測定が不可能であった。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【発明の効果】以上のように本発明によると、十分な可
撓性を有すると共に金属層の密着性が高く、且つ、フィ
ルムと金属層等との間の熱伝導性も良いフィルムキャリ
ア形基板を乾式で容易に、安価に、一定の品質で製造す
ることができる。特に、照射するイオンに窒素ガスイオ
ンを用いたので、不活性ガスイオンを用いるよりも高い
密着性が得られている。また、金属層や混合層の厚みの
調整や金属層のパターン化も容易である。
撓性を有すると共に金属層の密着性が高く、且つ、フィ
ルムと金属層等との間の熱伝導性も良いフィルムキャリ
ア形基板を乾式で容易に、安価に、一定の品質で製造す
ることができる。特に、照射するイオンに窒素ガスイオ
ンを用いたので、不活性ガスイオンを用いるよりも高い
密着性が得られている。また、金属層や混合層の厚みの
調整や金属層のパターン化も容易である。
【図１】本発明に係るフィルムキャリア形基板の一例を
拡大して示す部分断面図である。
拡大して示す部分断面図である。
【図２】本発明に係る製造方法を実施する装置の一例を
示す概略図である。
示す概略図である。
【図３】従来のフィルムキャリア形基板の一例を拡大し
て示す部分断面図である。
て示す部分断面図である。
２０ フィルムキャリア形基板 ２１ フィルム ２２ 混合層 ２３ 金属層 ３２ 蒸発源 ３６ 金属蒸気 ３８ イオン源 ４０ イオン
Claims (3)
- 【請求項１】 真空中で有機高分子材料から成るフィル
ムに対して、金属蒸気の蒸着と加速された窒素ガスイオ
ンの照射とを行うことによって、当該フィルム上に金属
層を、且つ、両者の界面付近に両者の構成物質を含んで
成る混合層を形成することを特徴とするフィルムキャリ
ア形基板の製造方法。 - 【請求項２】 所定のパターンをしたマスクを介して前
記蒸着とイオン照射とを行うことを特徴とする請求項１
記載のフィルムキャリア形基板の製造方法。 - 【請求項３】 前記金属層を形成した後、エッチング法
でそれをパターン化することを特徴とする請求項１記載
のフィルムキャリア形基板の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8575792A JPH05287500A (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | フィルムキャリア形基板の製造方法 |
| US07/892,380 US5496772A (en) | 1992-04-07 | 1992-06-04 | Method of manufacturing film carrier type substrate |
| DE69228374T DE69228374T2 (de) | 1992-04-07 | 1992-06-05 | Herstellungsverfahren für ein Substrat vom Filmträgertyp |
| EP92109568A EP0564693B1 (en) | 1992-04-07 | 1992-06-05 | Method of manufacturing a film carrier type substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8575792A JPH05287500A (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | フィルムキャリア形基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05287500A true JPH05287500A (ja) | 1993-11-02 |
Family
ID=13867737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8575792A Pending JPH05287500A (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | フィルムキャリア形基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05287500A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100518147B1 (ko) * | 1998-06-01 | 2005-11-25 | 가부시키가이샤 아루박 | 증착장치,유기증발원및유기박막제조방법 |
| JP2006306009A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-11-09 | Kakogawa Plastic Kk | ２層フィルム、２層フィルムの製造方法およびプリント基板の製造方法 |
| JP2010272831A (ja) * | 2009-05-20 | 2010-12-02 | Faintekku:Kk | フレキシブルプリント基板の製造方法 |
| JP2011061113A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-04-07 JP JP8575792A patent/JPH05287500A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100518147B1 (ko) * | 1998-06-01 | 2005-11-25 | 가부시키가이샤 아루박 | 증착장치,유기증발원및유기박막제조방법 |
| JP2006306009A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-11-09 | Kakogawa Plastic Kk | ２層フィルム、２層フィルムの製造方法およびプリント基板の製造方法 |
| JP2010272831A (ja) * | 2009-05-20 | 2010-12-02 | Faintekku:Kk | フレキシブルプリント基板の製造方法 |
| JP2011061113A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020514 |