JP2501791B2 - Film carrier type substrate and manufacturing method thereof - Google Patents
Film carrier type substrate and manufacturing method thereofInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、フィルムキャリヤ方式による例えばIC等
の高密度実装に用いられるフィルムキャリヤ形基板とそ
の製造方法に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a film carrier type substrate used for high-density mounting of, for example, ICs by a film carrier method, and a manufacturing method thereof.
フィルムキャリヤ方式は、IC実装の連続化、ボンディ
ングスピードの向上等が図れることから、IC実装技術の
中でも特に注目を浴びている方式である。The film carrier method is a method that has attracted particular attention among IC mounting technologies because it can achieve continuous IC mounting and improve bonding speed.
そのようなフィルムキャリヤ方式に用いられるフィル
ムキャリヤ形基板としては、従来、例えば第３図に示
すようにフィルム11上に銅箔13を接着剤層12で接着し、
この銅箔13をエッチング法によりパターン化して所定の
電気回路を形成したもの、あるいは上記のようなフィ
ルム11の表面に無電解メッキ法を用いて銅、ニッケル等
の電気回路を形成したもの、等が用いられている。いず
れの場合もフィルム11としては、ポリイミドを主体に有
機高分子材料が使用されている。As a film carrier type substrate used in such a film carrier system, conventionally, for example, as shown in FIG. 3, a copper foil 13 is adhered onto a film 11 with an adhesive layer 12,
This copper foil 13 is patterned by an etching method to form a predetermined electric circuit, or the surface of the film 11 as described above is formed with an electric circuit of copper, nickel or the like by using an electroless plating method, etc. Is used. In either case, the film 11 is mainly made of polyimide and an organic polymer material.
ところが、銅箔等を接着した基板においては、接着
剤層12を介在しているためフィルム11と銅箔13等との熱
伝導性が悪い、ポリイミド等のフィルム11と銅箔13と
の接着性が必ずしも満足できるものではない、更にフ
ィルム11と銅箔13との接合性が150℃以上の温度に長時
間さらされると著しく劣化する、等の問題がある。However, in a substrate to which a copper foil or the like is adhered, the thermal conductivity between the film 11 and the copper foil 13 is poor because the adhesive layer 12 is interposed, and the adhesiveness between the film 11 such as polyimide and the copper foil 13 is low. However, there is a problem that the bondability between the film 11 and the copper foil 13 is significantly deteriorated when exposed to a temperature of 150 ° C. or higher for a long time.
一方、湿式法である無電解メッキ法による基板におい
ては、メッキ層の密着性が大きくばらついている、
公害排除のためにメッキ液の管理等を厳重にする必要が
ある、等の問題がある。On the other hand, in the substrate by the electroless plating method which is a wet method, the adhesion of the plating layer greatly varies,
There is a problem that it is necessary to strictly control the plating solution in order to eliminate pollution.
そこでこの発明は、上記のような従来の問題点を解決
したフィルムキャリヤ形基板とその製造方法を提供する
ことを主たる目的とする。Therefore, the main object of the present invention is to provide a film carrier type substrate and a method for manufacturing the same, which solve the above-mentioned conventional problems.
この発明のフィルムキャリヤ形基板は、有機高分子材
料から成るフィルムキャリヤ用のフィルム上に金属層が
形成されており、かつ両者の界面付近に、両者の構成物
質を含んで成り厚さが5nm〜50nmの混合層が形成されて
いることを特徴とする。The film carrier type substrate of the present invention has a metal layer formed on a film for a film carrier made of an organic polymer material, and includes both constituent materials near the interface between the both, and has a thickness of 5 nm to It is characterized in that a mixed layer of 50 nm is formed.
この発明の製造方法は、真空中で有機高分子材料から
成るフィルムキャリヤ用のフィルムに対して、金属蒸気
の蒸着と、アルゴン以上の質量を有しかつ2KeV〜50KeV
のエネルギーを有する不活性ガスイオンの照射とを行う
ことによって、当該フィルム上に金属層を、かつ両者の
界面付近に、両者の構成物質を含んで成り厚さが5nm〜5
0nmの混合層を形成することを特徴とする。The production method of the present invention is, in vacuum, for a film for a film carrier made of an organic polymer material, vapor deposition of metal vapor, and having a mass of argon or more and 2 KeV to 50 KeV.
By irradiating with an inert gas ion having the energy of, a metal layer on the film, and in the vicinity of the interface between them, including both constituent materials, the thickness is 5 nm ~ 5
It is characterized in that a mixed layer of 0 nm is formed.
この発明のフィルムキャリヤ形基板は、有機高分子材
料から成るフィルム上に金属層を形成したものであるか
ら十分な可撓性を有している。しかも混合層が言わば楔
のような作用をするので、金属層のフィルムに対する密
着性が高く剥離しにくい。また接着剤等を介在させてい
ないので、フィルムと金属層等との間の熱伝導性も良
い。The film carrier type substrate of the present invention has sufficient flexibility because it has a metal layer formed on a film made of an organic polymer material. In addition, the mixed layer acts like a wedge, so that the metal layer has high adhesion to the film and is difficult to peel off. Further, since no adhesive or the like is interposed, the thermal conductivity between the film and the metal layer or the like is good.
一方この発明の製造方法によれば、上記のようなフィ
ルムキャリヤ形基板を乾式で容易にかつ安価にかつ一定
の品質で製造することができる。しかも金属層や混合層
の厚みの調整や金属層のパターン化等も容易である。On the other hand, according to the manufacturing method of the present invention, the film carrier type substrate as described above can be manufactured by a dry method easily and inexpensively with a constant quality. Moreover, it is easy to adjust the thickness of the metal layer or the mixed layer and to pattern the metal layer.
第１図は、この発明に係るフィルムキャリヤ形基板の
一例を拡大して示す部分断面図である。このフィルムキ
ャリヤ形基板20は、例えばポリイミド等の有機高分子材
料から成るフィルムキャリヤ用のフィルム21上に、例え
ばAu、Ag、Cu、Ni、Al等の高電気伝導性の金属層23を形
成し、かつフィルム21と金属層23の界面付近に、両者の
構成物質、即ち上記有機高分子材料と上記金属を含んで
成る混合層（ミキシング層）22を形成している。FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing an enlarged example of the film carrier type substrate according to the present invention. This film carrier type substrate 20 has a metal layer 23 of high electrical conductivity such as Au, Ag, Cu, Ni or Al formed on a film 21 for a film carrier made of an organic polymer material such as polyimide. In the vicinity of the interface between the film 21 and the metal layer 23, a mixed layer (mixing layer) 22 containing the constituent substances of both, that is, the organic polymer material and the metal is formed.
金属層23等は、フィルム21上の全面に形成されている
場合もあるし、一部分に電気回路としてパターン化され
て形成されている場合もある。The metal layer 23 and the like may be formed on the entire surface of the film 21, or may be partially formed as a patterned electric circuit.
金属層23の厚みは、例えば0.1μｍ〜50μｍ程度の範
囲内にするのが好ましい。これは、電気伝導性の面より
0.1μｍ未満では不足であり、逆に50μｍを越えるとフ
ィルム21の可撓性を低下させる恐れが出ると共にコスト
高になってくるからである。The thickness of the metal layer 23 is preferably in the range of, for example, about 0.1 μm to 50 μm. This is because of its electrical conductivity
This is because if it is less than 0.1 μm, it is insufficient, and if it exceeds 50 μm, the flexibility of the film 21 may be lowered and the cost becomes high.
混合層22の厚みは、5nm〜50nmの範囲内にするのが好
ましい。これは、その程度で、フィルムキャリヤ形基板
に必要とされる金属層23の密着性が十分得られるからで
あり、またそれよりも厚くするとフィルム21の可撓性等
に影響が出始めるからである。The thickness of the mixed layer 22 is preferably in the range of 5 nm to 50 nm. This is because the adhesiveness of the metal layer 23 required for the film carrier type substrate can be sufficiently obtained, and if the thickness is made thicker than that, the flexibility of the film 21 begins to be affected. is there.
上記のようなフィルムキャリヤ形基板20の特長を列挙
すれば次の通りである。The features of the film carrier type substrate 20 as described above are listed below.
有機高分子材料から成るフィルム21上に金属層23を
密着形成したものであるから十分な、即ち従来の基板と
同等以上の可撓性を有している。Since the metal layer 23 is closely formed on the film 21 made of an organic polymer material, it has sufficient flexibility, that is, equal to or more than the flexibility of the conventional substrate.
混合層22が言わば楔のような作用をするので、金属
層23のフィルム21に対する密着性が高く剥離しにくい。Since the mixed layer 22 acts as if it were a wedge, the metal layer 23 has high adhesion to the film 21 and is difficult to peel off.
混合層22の厚さを5nm〜50nmにしているので、フィ
ルムキャリヤ形基板に必要とされる金属層23の密着性が
十分得られ、しかもフィルム21の可撓性を阻害せずに済
み、フィルム21に対する金属層23の密着性向上とフィル
ム21の可撓性維持とをうまく両立させることができる。Since the thickness of the mixed layer 22 is set to 5 nm to 50 nm, sufficient adhesion of the metal layer 23 required for the film carrier type substrate can be obtained, and the flexibility of the film 21 is not impaired. The improvement of the adhesion of the metal layer 23 to the film 21 and the maintenance of the flexibility of the film 21 can be well balanced.
フィルム21と金属層23間には接着剤等を介在させて
いないので、しかも混合層22によってフィルム21と金属
層23間の界面の組成が連続的に変化したものとなるた
め、フィルム21と金属層23等との間の熱伝導性が非常に
良い。従ってこのフィルムキャリヤ形基板20は、放熱性
が良く、IC等の電子デバイスのより一層の高密度実装を
可能にする。Since no adhesive or the like is interposed between the film 21 and the metal layer 23, the composition of the interface between the film 21 and the metal layer 23 is continuously changed by the mixed layer 22, and therefore the film 21 and the metal layer 23 are changed. The thermal conductivity with the layers 23 etc. is very good. Therefore, the film carrier type substrate 20 has a good heat dissipation property and enables higher density mounting of electronic devices such as ICs.
次に上記のようなフィルムキャリヤ形基板20の製造方
法の一例を第２図を参照して説明する。第２図は、この
発明に係る製造方法を実施する装置の一例を示す概略図
である。Next, an example of a method of manufacturing the above film carrier type substrate 20 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a schematic view showing an example of an apparatus for carrying out the manufacturing method according to the present invention.
前述したようなフィルム21がホルダ30に取り付けられ
て真空容器（図示省略）内に収納されており、当該フィ
ルム21に向けて蒸発源32およびイオン源38が配置されて
いる。蒸発源32は例えば電子ビーム蒸発源であり、蒸発
材料34を加熱蒸気化して金属蒸気36をフィルム21上に蒸
着させることができる。イオン源38は例えばバケット型
イオン源が好ましく、それによれば供給されたガスＧを
イオン化して均一で大面積のイオン40を加速してフィル
ム21に向けて照射することができるので、一度に大面積
の処理が可能になる。尚、42はフィルム21上に形成され
る薄膜の膜厚モニタである。The film 21 as described above is attached to the holder 30 and housed in a vacuum container (not shown), and the evaporation source 32 and the ion source 38 are arranged toward the film 21. The evaporation source 32 is, for example, an electron beam evaporation source, and the evaporation material 34 can be heated and vaporized to deposit the metal vapor 36 on the film 21. As the ion source 38, for example, a bucket type ion source is preferable. According to this, the supplied gas G can be ionized to accelerate the uniform and large area ions 40 to irradiate the film 21 toward the film 21 at a time. Area processing becomes possible. Reference numeral 42 is a film thickness monitor of a thin film formed on the film 21.
上記金属蒸気36としては、例えば前述のようなAu、A
g、Cu、Ni、Al等の高電気伝導性金属の蒸気を用いる。
また上記イオン40としては、例えばアルゴン、キセノ
ン、クリプトン等のように、アルゴン以上の質量を有す
る不活性ガスＧをイオン化して得られる不活性ガスイオ
ンを用いる。Examples of the metal vapor 36 include Au and A as described above.
Vapors of highly electrically conductive metals such as g, Cu, Ni and Al are used.
As the ion 40, an inert gas ion obtained by ionizing an inert gas G having a mass of argon or more, such as argon, xenon, krypton, etc., is used.
処理に際しては、真空容器内を例えば10-5〜10-7Torr
程度にまで排気した後、蒸発源32からの上述のような金
属蒸気36をフィルム21上に蒸着させるのと同時に、また
はそれと交互に、イオン源38からの加速された上記のよ
うなイオン40をフィルム21に向けて照射する。その際、
必要に応じてホルダ30に冷却水等の冷却媒体を供給して
フィルム21を冷却しても良い。また、蒸発源32あるいは
イオン源38は、処理しようとするフィルム21の面積等に
応じて複数台を併用しても良い。At the time of processing, the inside of the vacuum vessel is, for example, 10 -5 to 10 -7 Torr.
After exhausting to a degree, accelerated metal ions 36 from an evaporation source 32 are deposited on the film 21 at the same time as, or alternatively with, the accelerated ions 40 from an ion source 38 as described above. Irradiate toward the film 21. that time,
If necessary, a cooling medium such as cooling water may be supplied to the holder 30 to cool the film 21. Further, a plurality of evaporation sources 32 or ion sources 38 may be used in combination depending on the area of the film 21 to be processed.
以上によってフィルム21上に前述したような金属層23
が形成されると共に、イオン40の押込み（ノックオン）
作用により、フィルム21と金属層23の界面付近に前述し
たような混合層22が形成され、その結果例えば第１図に
示したようなフィルムキャリヤ形基板20が得られる。As described above, the metal layer 23 as described above is formed on the film 21.
Is formed and ion 40 is pushed in (knock-on)
By the action, the mixed layer 22 as described above is formed in the vicinity of the interface between the film 21 and the metal layer 23, and as a result, the film carrier type substrate 20 as shown in FIG. 1 is obtained.
金属層23の膜厚は、例えば膜厚モニタ42を用いること
によって所望のものに、例えば前述した0.1μｍ〜50μ
ｍ程度に容易に調整することができる。The film thickness of the metal layer 23 is set to a desired value by using, for example, the film thickness monitor 42, for example, 0.1 μm to 50 μm described above.
It can be easily adjusted to about m.
混合層22の厚みは、照射するイオン40の加速エネルギ
ー（換言すればイオン40の平均射影飛程）に依存し、厚
くする場合はイオン40のエネルギーを数十KeV〜数百KeV
と高めれば良い。但し、この混合層22を過度に厚くする
と（即ちイオン40のエネルギーを過度に高めると）、基
材であるフィルム21がイオン照射により劣化する、フィ
ルム21の可撓性が低下する、装置のコストが上昇する、
等の問題が出るため、また前述のように金属層23の密着
性の面からは5nm〜50nmの厚みで十分であるため、イオ
ン40の加速エネルギーは数十KeV程度に、特に50KeV以下
に抑えるのが得策である。但し、イオン40のエネルギー
が2KeV未満だと、形成される混合層22の厚さが小さ過ぎ
てフィルム21と金属層23間の密着性が悪くて金属層23が
剥がれやすくなるので、イオン40のエネルギーは2KeV以
上にするのが好ましい。The thickness of the mixed layer 22 depends on the acceleration energy of the irradiated ions 40 (in other words, the average projected range of the ions 40), and when the thickness is increased, the energy of the ions 40 is several tens KeV to several hundreds KeV.
It should be raised. However, if the mixed layer 22 is excessively thick (that is, if the energy of the ions 40 is excessively increased), the film 21 that is the base material is deteriorated by ion irradiation, the flexibility of the film 21 is reduced, and the cost of the device. Rises,
In addition, since the thickness of 5 nm to 50 nm is sufficient from the viewpoint of the adhesion of the metal layer 23 as described above, the acceleration energy of the ions 40 is suppressed to about several tens KeV, particularly 50 KeV or less. Is a good idea. However, if the energy of the ions 40 is less than 2 KeV, the thickness of the mixed layer 22 formed is too small and the adhesion between the film 21 and the metal layer 23 is poor and the metal layer 23 is easily peeled off. The energy is preferably 2 KeV or more.
尚、所定のパターンをしたマスクを介して前記蒸着と
イオン照射とを行っても良く、そのようにすれば別工程
を要することなく簡単に、フィルム21上の一部分に電気
回路としてパターン化された金属層23等を形成すること
ができる。もっとも、所定の電気回路パターンを得る方
法として、上記のようにして金属層23を形成した後、従
来技術であるエッチング法によってそれをパターン化し
ても良い。Incidentally, the vapor deposition and ion irradiation may be performed through a mask having a predetermined pattern, and in that case, a part of the film 21 is easily patterned as an electric circuit without a separate step. The metal layer 23 and the like can be formed. However, as a method of obtaining a predetermined electric circuit pattern, after the metal layer 23 is formed as described above, it may be patterned by an etching method which is a conventional technique.
上記のような製造方法の特長を列挙すれば次の通りで
ある。The features of the above manufacturing method are listed below.
前述のような特徴を有するフィルムキャリヤ形基板
20を、乾式で容易に且つ安価にかつ一定の品質で製造す
ることができる。Film carrier type substrate having features as described above
20 can be manufactured dry, easily, inexpensively and with consistent quality.
金属層23や混合層22の厚みの調整が容易であり、従
って用途等に応じた、かつ諸特性に優れたフィルムキャ
リヤ形基板20を容易に得ることができる。The thicknesses of the metal layer 23 and the mixed layer 22 can be easily adjusted, so that the film carrier type substrate 20 suitable for the intended use and excellent in various characteristics can be easily obtained.
表面の平滑性の良いものが得られるため、ICチップ
等との密着性や熱伝導性の良いフィルムキャリヤ形基板
20が得られる。A film carrier type substrate with good adhesion and heat conductivity to IC chips, etc., because it has a smooth surface.
You get 20.
別工程によることなく金属層23の形成と同時にそれ
をパターン化することができる。It is possible to pattern the metal layer 23 simultaneously with the formation of the metal layer 23 without performing a separate process.
イオン40として不活性ガスイオンを照射するため、
フィルム21を構成する有機高分子材料を変質させる恐れ
がなく、従ってフィルム21の可撓性低下や金属層23の密
着性低下を惹き起こさない。To irradiate inert gas ions as ions 40,
There is no risk of degrading the organic polymer material forming the film 21, and therefore the flexibility of the film 21 and the adhesion of the metal layer 23 are not deteriorated.
照射イオン40の質量が小さいと、当該イオンの照射
によって蒸着粒子やフィルム構成原子を移動拡散させる
ことが困難で混合層22をうまく形成することができない
けれども、アルゴン以上の質量を有する不活性ガスイオ
ンであれば、質量が大きいので混合層22を効果的に形成
して金属層23の密着力を高めることができる。When the mass of the irradiation ions 40 is small, it is difficult to move and diffuse the vapor deposition particles and the film constituent atoms by irradiation of the ions, and the mixed layer 22 cannot be formed well, but an inert gas ion having a mass of argon or more. In this case, since the mass is large, the mixed layer 22 can be effectively formed and the adhesion of the metal layer 23 can be increased.
照射イオン40のエネルギーを2KeV〜50KeVとしてい
るので、フィルム21の可撓性を阻害することなく金属層
23の密着性を高めることができる。Since the energy of the irradiation ions 40 is set to 2 KeV to 50 KeV, the metal layer can be formed without impeding the flexibility of the film 21.
The adhesiveness of 23 can be improved.
実験例 第２図に示すような装置を用い、冷却水を流したホル
ダ30に厚み0.15mmのポリイミドフィルムを装着し、蒸発
源32の蒸発材料34として無酸素銅を入れ、これを電子ビ
ームで加熱して銅を当該フィルム上に蒸着させた。同時
に、イオン源38よりアルゴンガスイオンを40KeVの加速
エネルギーで引き出し、50mAのイオン電流で上記フィル
ムに照射した。この場合、銅の蒸着速度は0.5μm/分と
し、10分間処理を行って前述したようなフィルムキャリ
ヤ形基板を得た。Experimental Example Using an apparatus as shown in FIG. 2, a holder 30 in which cooling water was flown was fitted with a 0.15 mm-thick polyimide film, oxygen-free copper was put in as an evaporation material 34 of an evaporation source 32, and this was irradiated with an electron beam. Heat was applied to deposit copper on the film. At the same time, argon gas ions were extracted from the ion source 38 with an acceleration energy of 40 KeV, and the film was irradiated with an ion current of 50 mA. In this case, the deposition rate of copper was 0.5 μm / min, and treatment was performed for 10 minutes to obtain a film carrier type substrate as described above.
得られた試料（基板）について、ポリイミドフィルム
と銅蒸着層との界面強度をピーリング法で測定した結
果、全ての試料において、銅蒸着層が剥離せずにポリイ
ミドフィルムが破断した。尚、試料の可撓性にも問題は
なかった。With respect to the obtained samples (substrates), the interfacial strength between the polyimide film and the copper vapor deposition layer was measured by the peeling method. As a result, the copper vapor deposition layer was not peeled off and the polyimide film was broken in all the samples. There was no problem with the flexibility of the sample.
一方比較のために、イオン照射を行わないで単に銅を
蒸着した試料について同様の測定をした結果、全て銅蒸
着層が界面より簡単に剥離してしまった。On the other hand, for comparison, as a result of performing the same measurement on a sample in which copper was simply vapor-deposited without ion irradiation, all the copper vapor-deposited layers were easily peeled from the interface.
この発明のフィルムキャリヤ形基板によれば、次のよ
うな効果を奏する。The film carrier type substrate of the present invention has the following effects.
有機高分子材料から成るフィルム上に金属層を密着
形成したものであるから十分な、即ち従来のフィルムキ
ャリヤ形基板と同等以上の可撓性を有している。Since the metal layer is closely formed on the film made of the organic polymer material, it has sufficient flexibility, that is, equal to or more than the flexibility of the conventional film carrier type substrate.
フィルムと金属層間の混合層が言わば楔のような作
用をするので、金属層のフィルムに対する密着性が高く
剥離しにくい。Since the mixed layer between the film and the metal layer acts as if it were a wedge, the metal layer has high adhesion to the film and is difficult to peel off.
混合層の厚さを5nm〜50nmにしているので、フィル
ムキャリヤ形基板に必要とされる金属層の密着性が十分
得られ、しかもフィルムの可撓性を阻害せずに済み、フ
ィルムに対する金属層の密着性向上とフィルムの可撓性
維持とをうまく両立させることができる。Since the thickness of the mixed layer is 5 nm to 50 nm, sufficient adhesion of the metal layer required for the film carrier type substrate can be obtained, and the flexibility of the film is not impaired, and the metal layer for the film It is possible to achieve a good compatibility between the improvement of the adhesiveness and the flexibility of the film.
フィルムと金属層間には接着剤等を介在させていな
いので、しかも混合層によってフィルムと金属層間の界
面の組成が連続的に変化したものとなるため、フィルム
と金属層等との間の熱伝導性が非常に良い。従ってこの
フィルムキャリヤ形基板は、放熱性が良く、IC等の電子
デバイスのより一層の高密度実装を可能にする。Since there is no adhesive between the film and the metal layer, and because the composition of the interface between the film and the metal layer changes continuously due to the mixed layer, heat conduction between the film and the metal layer, etc. The sex is very good. Therefore, this film carrier type substrate has good heat dissipation and enables higher density mounting of electronic devices such as ICs.
この発明の製造方法によれば、次のような効果を奏す
る。According to the manufacturing method of the present invention, the following effects can be obtained.
十分な可撓性を有すると共に、金属層の密着性が高
く、かつフィルムと金属層との間の熱伝導性の良いフィ
ルムキャリヤ形基板を、乾式で容易にかつ安価にかつ一
定の品質で製造することができる。しかも金属層や混合
層の厚みの調整や金属層のパターン化も容易である。Manufacture of a film carrier type substrate that has sufficient flexibility, high adhesion of the metal layer, and good thermal conductivity between the film and the metal layer, is dry, easy, inexpensive, and of consistent quality. can do. Moreover, it is easy to adjust the thickness of the metal layer or the mixed layer and to pattern the metal layer.
不活性ガスイオンを照射するため、フィルムを構成
する有機高分子材料を変質させる恐れがなく、従ってフ
ィルムの可撓性低下や金属層の密着性低下を惹き起こさ
ない。Since it is irradiated with an inert gas ion, there is no risk of degrading the organic polymer material forming the film, and therefore the flexibility of the film and the adhesion of the metal layer are not reduced.
照射イオンの質量が小さいと、当該イオンの照射に
よって蒸着粒子やフィルム構成原子を移動拡散させるこ
とが困難で混合層をうまく形成することができないけれ
ども、アルゴン以上の質量を有する不活性ガスイオンで
あれば、質量が大きいので混合層を効果的に形成して金
属層の密着力を高めることができる。When the mass of the irradiated ions is small, it is difficult to move and diffuse the vapor deposition particles and film constituent atoms by irradiation of the ions, and the mixed layer cannot be formed well. In this case, since the mass is large, the mixed layer can be effectively formed and the adhesion of the metal layer can be enhanced.
照射イオンのエネルギーを2KeV〜50KeVとしている
ので、フィルムの可撓性を阻害することなく金属層の密
着性を高めることができる。Since the energy of irradiation ions is set to 2 KeV to 50 KeV, the adhesion of the metal layer can be enhanced without impeding the flexibility of the film.
第１図は、この発明に係るフィルムキャリヤ形基板の一
例を拡大して示す部分断面図である。第２図は、この発
明に係る製造方法を実施する装置の一例を示す概略図で
ある。第３図は、従来のフィルムキャリヤ形基板の一例
を拡大して示す部分断面図である。 20…実施例に係るフィルムキャリヤ形基板、21…フィル
ム、22…混合層、23…金属層、32…蒸発源、36…金属蒸
気、38…イオン源、40…イオン。FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing an enlarged example of the film carrier type substrate according to the present invention. FIG. 2 is a schematic view showing an example of an apparatus for carrying out the manufacturing method according to the present invention. FIG. 3 is an enlarged partial sectional view showing an example of a conventional film carrier type substrate. 20 ... Film carrier type substrate according to the embodiment, 21 ... Film, 22 ... Mixed layer, 23 ... Metal layer, 32 ... Evaporation source, 36 ... Metal vapor, 38 ... Ion source, 40 ... Ion.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 緒方 潔 京都市右京区梅津高畝町47番地 日新電 機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭55−110771（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−152545（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−258468（ＪＰ，Ａ) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Kiyoshi Ogata 47 Umezu Takaune-cho, Ukyo-ku, Kyoto City Nissin Electric Co., Ltd. (56) Reference JP-A-55-110771 (JP, A) JP-A-57- 152545 (JP, A) JP-A-60-258468 (JP, A)
Claims (5)
用のフィルム上に金属層が形成されており、かつ両者の
界面付近に、両者の構成物質を含んで成り厚さが5nm〜5
0nmの混合層が形成されていることを特徴とするフィル
ムキャリヤ形基板。1. A metal layer is formed on a film for a film carrier made of an organic polymer material, and a thickness of 5 nm to 5 including both constituent materials is present near the interface between the both.
A film carrier type substrate, wherein a mixed layer of 0 nm is formed.
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のフィルムキャリ
ヤ形基板。2. The film carrier type substrate according to claim 1, wherein the metal layer is patterned.
キャリヤ用のフィルムに対して、金属蒸気の蒸着と、ア
ルゴン以上の質量を有しかつ2KeV〜50KeVのエネルギー
を有する不活性ガスイオンの照射とを行うことによっ
て、当該フィルム上に金属層を、かつ両者の界面付近
に、両者の構成物質を含んで成り厚さが5nm〜50nmの混
合層を形成することを特徴とするフィルムキャリヤ形基
板の製造方法。3. A film for a film carrier made of an organic polymer material is vacuum-deposited with metal vapor and irradiated with an inert gas ion having a mass of argon or more and an energy of 2 KeV to 50 KeV. By carrying out, a film carrier type substrate characterized in that a metal layer is formed on the film, and a mixed layer containing both constituent materials and having a thickness of 5 nm to 50 nm is formed near the interface between the both. Manufacturing method.
蒸着とイオン照射とを行うことを特徴とする特許請求の
範囲第３項記載のフィルムキャリヤ形基板の製造方法。4. The method of manufacturing a film carrier type substrate according to claim 3, wherein the vapor deposition and the ion irradiation are performed through a mask having a predetermined pattern.
それをパターン化することを特徴とする特許請求の範囲
第３項記載のフィルムキャリヤ形基板の製造方法。5. The method of manufacturing a film carrier type substrate according to claim 3, wherein after forming the metal layer, the metal layer is patterned by an etching method.
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-
1986
- 1986-04-28 JP JP61098889A patent/JP2501791B2/en not_active Expired - Fee Related
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