JP2613935B2 - セラミック回路基板の製造方法 - Google Patents
セラミック回路基板の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はセラミック回路基板の製造方法に関し、特
に、セラミック基板の表面に、導体回路を構成する導体
金属層を形成する方法に関するものである。
に、セラミック基板の表面に、導体回路を構成する導体
金属層を形成する方法に関するものである。
セラミックスを基材とするセラミック回路基板は、耐
熱性に優れる、高周波特性が良い、熱膨張率がSi半導体
に近いのでベアチップを搭載でき小型化を図れる、等の
優れた特徴を有しているが、基材であるセラミックス
と、導体回路を構成するCu等の導体金属との接合が難し
い。この問題を解決する為に、種々の方法が開発されて
おり、例えば、セラミック基板の表面をプラズマエッチ
ングして導体金属の接合性を高めた後、スパッタ法、蒸
着法、あるいはイオンプレーティング法等で導体金属を
成膜する方法が特公昭62−22957号公報に開示されてい
る。また、セラミック基板の表面に、セラミックスと接
合し易いTi、Cr等を中間層として薄く成膜した後、Cu等
の導体金属を成膜する方法が特開昭55−69255号公報ほ
かに開示されている。
熱性に優れる、高周波特性が良い、熱膨張率がSi半導体
に近いのでベアチップを搭載でき小型化を図れる、等の
優れた特徴を有しているが、基材であるセラミックス
と、導体回路を構成するCu等の導体金属との接合が難し
い。この問題を解決する為に、種々の方法が開発されて
おり、例えば、セラミック基板の表面をプラズマエッチ
ングして導体金属の接合性を高めた後、スパッタ法、蒸
着法、あるいはイオンプレーティング法等で導体金属を
成膜する方法が特公昭62−22957号公報に開示されてい
る。また、セラミック基板の表面に、セラミックスと接
合し易いTi、Cr等を中間層として薄く成膜した後、Cu等
の導体金属を成膜する方法が特開昭55−69255号公報ほ
かに開示されている。
ところが、上記先行技術のうち、プラズマエッチング
を行う方法の場合、セラミック基板を高エネルギーのプ
ラズマ中にさらす為、基板温度が急激に上昇したり、処
理の均一性に欠けるという欠点があり、その上に形成さ
れる導体金属層の電気特性等が悪くなるという問題があ
った。また、TiやCrの中間層を形成する方法は、後工程
で導体金属層をエッチングして導体回路を形成する際
に、中間層もエッチングしなければならず、エッチング
が容易でなくなるという問題があった。
を行う方法の場合、セラミック基板を高エネルギーのプ
ラズマ中にさらす為、基板温度が急激に上昇したり、処
理の均一性に欠けるという欠点があり、その上に形成さ
れる導体金属層の電気特性等が悪くなるという問題があ
った。また、TiやCrの中間層を形成する方法は、後工程
で導体金属層をエッチングして導体回路を形成する際
に、中間層もエッチングしなければならず、エッチング
が容易でなくなるという問題があった。
そこで、この発明の課題は、上記のような従来技術の
問題点を解消し、セラミック基板と導体金属層の接合性
すなわち密着性に優れるとともに、電気特性等も良好な
セラミック回路基板を製造することのできる方法を提供
することにある。
問題点を解消し、セラミック基板と導体金属層の接合性
すなわち密着性に優れるとともに、電気特性等も良好な
セラミック回路基板を製造することのできる方法を提供
することにある。
上記課題を解決する、この発明のうち、請求項１記載
の発明は、セラミック基板の表面に、真空雰囲気下で不
活性ガスのイオンビームを照射した後、PVD法によって
導体金属層を形成するようてしている。
の発明は、セラミック基板の表面に、真空雰囲気下で不
活性ガスのイオンビームを照射した後、PVD法によって
導体金属層を形成するようてしている。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明の実施に
際し、セラミック基板に形成された導体金属層の表面
に、さらに、真空雰囲気下で不活性ガスのイオンビーム
を照射するようにしている。
際し、セラミック基板に形成された導体金属層の表面
に、さらに、真空雰囲気下で不活性ガスのイオンビーム
を照射するようにしている。
請求項３記載の発明は、請求項２記載の発明の実施に
際し、セラミック基板の表面に対して、真空雰囲気下に
おける不活性ガスのイオンビーム照射と、PVD法による
導体金属層の形成を繰り返すようにしている。
際し、セラミック基板の表面に対して、真空雰囲気下に
おける不活性ガスのイオンビーム照射と、PVD法による
導体金属層の形成を繰り返すようにしている。
請求項４記載の発明は、請求項１〜３記載の発明の実
施に際し、不活性ガスのイオンビームのエネルギーが20
0eV〜20keVであるようにしている。
施に際し、不活性ガスのイオンビームのエネルギーが20
0eV〜20keVであるようにしている。
セラミック基板の表面に、真空雰囲気下において不活
性ガスのイオンビームを照射すると、セラミック基板の
表面に付着した汚れの除去、表面の活性化、表面の凹凸
除去による平滑化等の作用があるととともに、これらの
作用が前記したプラズマエッチングに比べて均一であ
り、また、プラズマビームよりも穏やかに、かつ、均一
にセラミック基板が加熱される。このように処理された
後にPVD法によって導体金属層を形成すると、セラミッ
ク基板の表面には汚れがなく充分に活性化されているの
で基板と導体金属層との密着性が高くなり、基板が平滑
であるから導体金属層も平滑に形成され、形成される導
体金属の密度も高く緻密なものとなる。
性ガスのイオンビームを照射すると、セラミック基板の
表面に付着した汚れの除去、表面の活性化、表面の凹凸
除去による平滑化等の作用があるととともに、これらの
作用が前記したプラズマエッチングに比べて均一であ
り、また、プラズマビームよりも穏やかに、かつ、均一
にセラミック基板が加熱される。このように処理された
後にPVD法によって導体金属層を形成すると、セラミッ
ク基板の表面には汚れがなく充分に活性化されているの
で基板と導体金属層との密着性が高くなり、基板が平滑
であるから導体金属層も平滑に形成され、形成される導
体金属の密度も高く緻密なものとなる。
上記のようにして形成された導体金属層の表面に、さ
らに前記同様にイオンビームの照射を行うと、導体金属
層の表面の凹凸除去が行われて、導体金属層の表面の平
滑性および緻密性をさらに向上できる。
らに前記同様にイオンビームの照射を行うと、導体金属
層の表面の凹凸除去が行われて、導体金属層の表面の平
滑性および緻密性をさらに向上できる。
前記イオンビームの照射と導体金属層の形成とを繰り
返すことによって、導体金属層の厚みを増やすことがで
き、１工程では形成できないような分厚い導体金属層を
形成できるとともに、各層の導体金属層の表面がイオン
ビームの照射によって平滑化されているので、全体の導
体金属層が緻密で平滑なものとなる。
返すことによって、導体金属層の厚みを増やすことがで
き、１工程では形成できないような分厚い導体金属層を
形成できるとともに、各層の導体金属層の表面がイオン
ビームの照射によって平滑化されているので、全体の導
体金属層が緻密で平滑なものとなる。
照射するイオンビームのエネルギーを、200eV〜20keV
の範囲で実施することによって、前記した各作用を効率
良く発揮させることができる。
の範囲で実施することによって、前記した各作用を効率
良く発揮させることができる。
ついで、この発明を、実施例を示す図面を参照しなが
ら以下に説明する。
ら以下に説明する。
第１図は、この発明の実施に用いる装置の概略構造を
示しており、真空ポンプ２が接続された真空容器１内
に、セラミック基板Ｐを装着する基板ホルダ３が収容さ
れている。基板ホルダ３は、移動機構４に支持され、水
平方向に移動可能になっている。真空容器１内で、基板
ホルダ３の下方位置にはイオンガン５が設けられてい
る。イオンガン５には、ガス配管50およびバルブ53を経
て不活性ガスボンベ51が接続されており、イオンガン４
から照射される不活性ガスのイオンビームを、上方に配
置された基板ホルダ３のセラミック基板Ｐへ瀟洒できる
ようになっている。ガス配管50の一部は分岐され、バル
ブ54を経て真空容器１に開口されており、この開口端52
から真空容器１内に不活性ガスを直接供給できるように
もなっている。イオンガン５の側方にはスパッタリング
装置のスパッタカソード６が設けられ、スパッタカソー
ド６の上には、導体金属となるターゲット60が装着され
る。そして、基板ホルダ３をスパッタカソード６の上方
に移動させた状態で、スパッタリング装置を作動させれ
ば、ターゲット60の金属をセラミック基板Ｐの表面に堆
積させる、いわゆるスパッタリング法による導体金属層
の形成が行えるようになっている。
示しており、真空ポンプ２が接続された真空容器１内
に、セラミック基板Ｐを装着する基板ホルダ３が収容さ
れている。基板ホルダ３は、移動機構４に支持され、水
平方向に移動可能になっている。真空容器１内で、基板
ホルダ３の下方位置にはイオンガン５が設けられてい
る。イオンガン５には、ガス配管50およびバルブ53を経
て不活性ガスボンベ51が接続されており、イオンガン４
から照射される不活性ガスのイオンビームを、上方に配
置された基板ホルダ３のセラミック基板Ｐへ瀟洒できる
ようになっている。ガス配管50の一部は分岐され、バル
ブ54を経て真空容器１に開口されており、この開口端52
から真空容器１内に不活性ガスを直接供給できるように
もなっている。イオンガン５の側方にはスパッタリング
装置のスパッタカソード６が設けられ、スパッタカソー
ド６の上には、導体金属となるターゲット60が装着され
る。そして、基板ホルダ３をスパッタカソード６の上方
に移動させた状態で、スパッタリング装置を作動させれ
ば、ターゲット60の金属をセラミック基板Ｐの表面に堆
積させる、いわゆるスパッタリング法による導体金属層
の形成が行えるようになっている。
上記のような装置を用いて、セラミック回路基板を製
造する方法を説明する。
造する方法を説明する。
セラミック基板Ｐは、アルミナ基板等、通常の回路基
板に用いられているセラミック材料からなるものが使用
される。このセラミック基板Ｐを基板ホルダ３に装着し
て真空容器１内に挿入する。真空ポンプ２を作動させ
て、真空容器１内を所定の真空度まで排気する。このと
きの真空度は、イオンビームの照射が良好に行える程度
に設定しておけばよく、例えば、５×10-5Torr程度に設
定する。イオンガン４またはガス配管の開口端52から真
空容器１内にAr等の不活性ガスを供給し、真空ポンプ２
で排気しながら、不活性ガス圧がイオンビームの照射に
適当な範囲になるように、不活性ガスの供給量を調節す
る。この不活性ガス圧としては、上記Arガスの場合、例
えば、５×10-4〜５×10-3Torr程度に設定する。この状
態で、イオンガン５で不活性ガスのプラズマを発生させ
て不活性ガスのイオンビームを引き出し、このイオンビ
ームをセラミック基板Ｐの表面に照射する。イオンビー
ムの照射条件は、セラミック基板Ｐの材質や形状等によ
っても違うが、例えば、加速エネルギーを１〜1.5keV
に、照射密度を20μA/cm2とし、照射時間は、セラミッ
ク基板Ｐが96％アルミナ基板の場合には約10分間で実施
する。この発明の効果を充分に発揮させるには、イオン
ビームの加速エネルギーは、少なくとも200eV〜20keVの
範囲で実施するのが好ましい。
板に用いられているセラミック材料からなるものが使用
される。このセラミック基板Ｐを基板ホルダ３に装着し
て真空容器１内に挿入する。真空ポンプ２を作動させ
て、真空容器１内を所定の真空度まで排気する。このと
きの真空度は、イオンビームの照射が良好に行える程度
に設定しておけばよく、例えば、５×10-5Torr程度に設
定する。イオンガン４またはガス配管の開口端52から真
空容器１内にAr等の不活性ガスを供給し、真空ポンプ２
で排気しながら、不活性ガス圧がイオンビームの照射に
適当な範囲になるように、不活性ガスの供給量を調節す
る。この不活性ガス圧としては、上記Arガスの場合、例
えば、５×10-4〜５×10-3Torr程度に設定する。この状
態で、イオンガン５で不活性ガスのプラズマを発生させ
て不活性ガスのイオンビームを引き出し、このイオンビ
ームをセラミック基板Ｐの表面に照射する。イオンビー
ムの照射条件は、セラミック基板Ｐの材質や形状等によ
っても違うが、例えば、加速エネルギーを１〜1.5keV
に、照射密度を20μA/cm2とし、照射時間は、セラミッ
ク基板Ｐが96％アルミナ基板の場合には約10分間で実施
する。この発明の効果を充分に発揮させるには、イオン
ビームの加速エネルギーは、少なくとも200eV〜20keVの
範囲で実施するのが好ましい。
第２図には、セラミック基板Ｐの表面におけるイオン
ビームの作用を模式的に示しており、イオンビームを照
射する前のセラミック基板Ｐの表面は、粗い凹凸がある
とともに、セラミック基板Ｐの製造工程等で付着した汚
れ等の異物Ｓが残っている。イオンビームが照射される
と、イオン粒子Ｘがセラミック基板Ｐの表面に衝突し
て、異物Ｓを除去したり、表面の凹凸のうち、尖った山
の先端Ｔ等を削ることによって平滑化したり、セラミッ
ク基板Ｐの表面付近を活性化Ａしたりする。すなわち、
イオンビームには、セラミック基板Ｐの表面をクリーン
ニングする作用、表面を均らして平滑化する作用、ある
いは活性化する作用があるのである。
ビームの作用を模式的に示しており、イオンビームを照
射する前のセラミック基板Ｐの表面は、粗い凹凸がある
とともに、セラミック基板Ｐの製造工程等で付着した汚
れ等の異物Ｓが残っている。イオンビームが照射される
と、イオン粒子Ｘがセラミック基板Ｐの表面に衝突し
て、異物Ｓを除去したり、表面の凹凸のうち、尖った山
の先端Ｔ等を削ることによって平滑化したり、セラミッ
ク基板Ｐの表面付近を活性化Ａしたりする。すなわち、
イオンビームには、セラミック基板Ｐの表面をクリーン
ニングする作用、表面を均らして平滑化する作用、ある
いは活性化する作用があるのである。
イオンビームの照射が終了すれば、イオンガン５の作
動を停止した後、基板ホルダ３を移動させ、セラミック
基板Ｐをスパッタカソード６の上方に対面させる。不活
性ガスの供給量と真空ポンプの排気量とを調節して、不
活性ガス圧を、スパッタリング法の実施に適当な値に調
整する。具体的には、前記Arガスの場合、例えば、３×
10-3Torr程度になるように調整する。この状態で、スパ
ッタリング装置を作動させ、通常のスパッタリングを行
い、セラミック基板Ｐの表面にターゲット60の金属、例
えばCuを堆積させて、導体金属層を形成させる。
動を停止した後、基板ホルダ３を移動させ、セラミック
基板Ｐをスパッタカソード６の上方に対面させる。不活
性ガスの供給量と真空ポンプの排気量とを調節して、不
活性ガス圧を、スパッタリング法の実施に適当な値に調
整する。具体的には、前記Arガスの場合、例えば、３×
10-3Torr程度になるように調整する。この状態で、スパ
ッタリング装置を作動させ、通常のスパッタリングを行
い、セラミック基板Ｐの表面にターゲット60の金属、例
えばCuを堆積させて、導体金属層を形成させる。
こうして導体金属層が形成されたセラミック基板Ｐ
は、真空容器１から取り出した後、通常のエッチングそ
の他の回路形成工程を経て、導体回路が形成され、セラ
ミック回路基板が製造される。
は、真空容器１から取り出した後、通常のエッチングそ
の他の回路形成工程を経て、導体回路が形成され、セラ
ミック回路基板が製造される。
つぎに、上記の実施例と一部異なる方法について説明
する。すなわち、上記実施例と同様にして導体金属層が
形成されたセラミック基板Ｐを、真空容器１から取り出
さずに、再びイオンガン５の上方に移動させ、前記と同
様の工程で、導体金属層の表面に不活性ガスのイオンビ
ームを照射するのである。このイオンビームの照射によ
って、導体金属層の表面に残っている凹凸の凸部が削ら
れて導体金属層の表面がさらに平滑になり、導体金属層
を緻密化できる。このような処理を行ってセラミック基
板Ｐは、導体金属層の上にさらに絶縁層や第２の導体金
属層を形成して、いわゆる多層回路基板を形成するのに
好ましいものとなる。
する。すなわち、上記実施例と同様にして導体金属層が
形成されたセラミック基板Ｐを、真空容器１から取り出
さずに、再びイオンガン５の上方に移動させ、前記と同
様の工程で、導体金属層の表面に不活性ガスのイオンビ
ームを照射するのである。このイオンビームの照射によ
って、導体金属層の表面に残っている凹凸の凸部が削ら
れて導体金属層の表面がさらに平滑になり、導体金属層
を緻密化できる。このような処理を行ってセラミック基
板Ｐは、導体金属層の上にさらに絶縁層や第２の導体金
属層を形成して、いわゆる多層回路基板を形成するのに
好ましいものとなる。
さらに、別の実施例について説明する。セラミック基
板Ｐにイオンビームを照射した後、スパッタリング法で
導体金属層を形成するのは、前記実施例と同様である。
但し、このときの導体金属層の厚みは、比較的薄く、例
えば１〜２μ程度に形成する。そして、このような、イ
オンビームの照射および導体金属層の形成を繰り返すこ
とによって、薄い導体金属層を積み重ねて、必要とする
厚さの導体金属層を形成する方法であり、例えば、導体
回路を形成するために10μの導体金属層が必要な場合に
は、１μの薄い導体金属層を10層重ねればよく、前記イ
オンビームの照射およびスパッタリングを10回繰り返せ
ばよいことになる。
板Ｐにイオンビームを照射した後、スパッタリング法で
導体金属層を形成するのは、前記実施例と同様である。
但し、このときの導体金属層の厚みは、比較的薄く、例
えば１〜２μ程度に形成する。そして、このような、イ
オンビームの照射および導体金属層の形成を繰り返すこ
とによって、薄い導体金属層を積み重ねて、必要とする
厚さの導体金属層を形成する方法であり、例えば、導体
回路を形成するために10μの導体金属層が必要な場合に
は、１μの薄い導体金属層を10層重ねればよく、前記イ
オンビームの照射およびスパッタリングを10回繰り返せ
ばよいことになる。
上記のように、薄い導体金属層を重ねて所定の厚みを
形成する方法は、１度のスパッタリング法では形成困難
な分厚い導体金属層が形成できるとともに、各層の導体
金属層が形成されるたびに、その表面をイオンビームの
照射によって平滑化しているので、最終的に形成された
導体金属層全体の表面が極めて平滑化し、かつ、緻密な
導体金属層が形成される。
形成する方法は、１度のスパッタリング法では形成困難
な分厚い導体金属層が形成できるとともに、各層の導体
金属層が形成されるたびに、その表面をイオンビームの
照射によって平滑化しているので、最終的に形成された
導体金属層全体の表面が極めて平滑化し、かつ、緻密な
導体金属層が形成される。
以上に説明した、この発明にかかるセラミック回路基
板の製造方法では、セラミック基板の材質や形状は、前
記実施例以外にも自由に変更でき、セラミック基板に照
射するイオンビームも、前記ArイオンのほかHe,Neある
いはＮイオン等を用いることもできる。
板の製造方法では、セラミック基板の材質や形状は、前
記実施例以外にも自由に変更でき、セラミック基板に照
射するイオンビームも、前記ArイオンのほかHe,Neある
いはＮイオン等を用いることもできる。
この発明方法を実施するための装置としては、図示し
た装置のほか、真空容器１を、イオンビームを照射する
部分とスパッタリングを行う部分とに分けて、ゲートバ
ルブ等を開閉自在に分離しておけば、両方の工程を良好
に実施できる。また、図示した装置は、セラミック基板
Ｐを一定量づづ真空容器１内に収容して、イオンビーム
の照射およびスパッタリングを行うバッチ式の装置であ
るが、セラミック基板Ｐを連続的に供給しながら、順次
イオンビームの照射およびスパッタリングを行う連続式
の装置で実施することもできる。
た装置のほか、真空容器１を、イオンビームを照射する
部分とスパッタリングを行う部分とに分けて、ゲートバ
ルブ等を開閉自在に分離しておけば、両方の工程を良好
に実施できる。また、図示した装置は、セラミック基板
Ｐを一定量づづ真空容器１内に収容して、イオンビーム
の照射およびスパッタリングを行うバッチ式の装置であ
るが、セラミック基板Ｐを連続的に供給しながら、順次
イオンビームの照射およびスパッタリングを行う連続式
の装置で実施することもできる。
具体的なイオンビームの照射機構や照射時のセラミッ
ク基板の配置等は、通常のイオンビーム照射に用いられ
ている各種の照射機構等に変更でき、例えば、図示した
実施例のように、セラミック基板をイオンビームの光軸
に直交するように配置するほか、セラミック基板に対し
て傾斜方向からイオンビームが照射されるようにするこ
ともできる。イオンビームの照射条件も、セラミック基
板の材質等に対応して適宜に変更できる。
ク基板の配置等は、通常のイオンビーム照射に用いられ
ている各種の照射機構等に変更でき、例えば、図示した
実施例のように、セラミック基板をイオンビームの光軸
に直交するように配置するほか、セラミック基板に対し
て傾斜方向からイオンビームが照射されるようにするこ
ともできる。イオンビームの照射条件も、セラミック基
板の材質等に対応して適宜に変更できる。
スパッタリング装置は、図示した構造のもののほか、
通常の薄膜形成手段に採用されている各種のスパッタリ
ング装置の構造に変更することもでき、スパッタリング
法の実施条件も、適宜に変更できる。さらに、導体金属
層を形成する方法は、スパッタリング法に限らず、真空
蒸着法やイオンプレーティング法等の、いわゆるPVD法
の中から、適当な方法を採用することができる。
通常の薄膜形成手段に採用されている各種のスパッタリ
ング装置の構造に変更することもでき、スパッタリング
法の実施条件も、適宜に変更できる。さらに、導体金属
層を形成する方法は、スパッタリング法に限らず、真空
蒸着法やイオンプレーティング法等の、いわゆるPVD法
の中から、適当な方法を採用することができる。
〔発明の効果〕 以上に述べた、この発明のうち、請求項１記載の方法
によれば、セラミック基板の表面に、真空雰囲気下で不
活性ガスのイオンビームを照射することによって、セラ
ミック基板の表面をクリーンニングし、平滑化し、さら
に活性化することができる。特に、このイオンビーム法
は、従来のプラズマエッチングに比べて、処理が均一で
あるとともに、セラミック基板を急激に加熱することが
ない。したがって、PVD法によって形成する導体金属層
とセラミック基板との密着性を高め、導体金属層を平滑
にして緻密で均一に形成することができる。
によれば、セラミック基板の表面に、真空雰囲気下で不
活性ガスのイオンビームを照射することによって、セラ
ミック基板の表面をクリーンニングし、平滑化し、さら
に活性化することができる。特に、このイオンビーム法
は、従来のプラズマエッチングに比べて、処理が均一で
あるとともに、セラミック基板を急激に加熱することが
ない。したがって、PVD法によって形成する導体金属層
とセラミック基板との密着性を高め、導体金属層を平滑
にして緻密で均一に形成することができる。
このようにして、セラミック基板と導体金属層の密着
性が良くなるので、回路基板の信頼性が高まり、セラミ
ック基板と導体金属層との界面および導体金属層の表面
が平滑で、導体金属層が緻密に形成されるので、回路基
板を使用したときの、高周波における伝送損失、伝送遅
れが少なくなって回路基板の電気特性を向上させること
ができ、また、平滑で緻密な導体金属層は、回路形成を
行う際のエッチング精度も高くなるので、高精度な回路
を有するセラミック回路基板を製造できることになる。
性が良くなるので、回路基板の信頼性が高まり、セラミ
ック基板と導体金属層との界面および導体金属層の表面
が平滑で、導体金属層が緻密に形成されるので、回路基
板を使用したときの、高周波における伝送損失、伝送遅
れが少なくなって回路基板の電気特性を向上させること
ができ、また、平滑で緻密な導体金属層は、回路形成を
行う際のエッチング精度も高くなるので、高精度な回路
を有するセラミック回路基板を製造できることになる。
請求項２記載の方法によれば、導体金属層の表面にイ
オンビームを照射することによって、導体金属層の表面
を平滑かつ緻密にできるので、請求項１の上記効果をよ
り高めることができるとともに、導体金属層の上に絶縁
層を介して第２の導体金属層を積み重ねて形成する、い
わゆる多層回路基板を製造する場合に、導体金属層の表
面が平滑なので、その上に絶縁層や第２の導体金属層が
形成し易く、高周波における伝送損失や伝送遅れの少な
い回路基板が製造できる。
オンビームを照射することによって、導体金属層の表面
を平滑かつ緻密にできるので、請求項１の上記効果をよ
り高めることができるとともに、導体金属層の上に絶縁
層を介して第２の導体金属層を積み重ねて形成する、い
わゆる多層回路基板を製造する場合に、導体金属層の表
面が平滑なので、その上に絶縁層や第２の導体金属層が
形成し易く、高周波における伝送損失や伝送遅れの少な
い回路基板が製造できる。
請求項３記載の方法によれば、イオンビームの照射と
PVD法による導体金属層の形成を繰り返すことによっ
て、１回のPVD法では形成困難な分厚い導体金属層を形
成することができるとともに、個々の段階のPVD法によ
る導体金属層の形成を最適条件で行えるので、導体金属
層全体の電気的特性をより向上させることができる。
PVD法による導体金属層の形成を繰り返すことによっ
て、１回のPVD法では形成困難な分厚い導体金属層を形
成することができるとともに、個々の段階のPVD法によ
る導体金属層の形成を最適条件で行えるので、導体金属
層全体の電気的特性をより向上させることができる。
請求項４記載の方法によれば、イオンビームの出力を
一定の強さ範囲に限定することによって、前記した各請
求項記載の発明の効果を効率的に発揮することができ
る。
一定の強さ範囲に限定することによって、前記した各請
求項記載の発明の効果を効率的に発揮することができ
る。
第１図はこの発明の製造方法の実施に用いる装置の概略
構成図であり、第２図はイオンビーム照射のよる作用を
説明する模式的説明図である。 １……真空容器、２……真空ポンプ、３……基板ホル
ダ、５……イオンガン、51……不活性ガスボンベ、６…
…スパッタカソード、60……ターゲット、Ｐ……セラミ
ック基板
構成図であり、第２図はイオンビーム照射のよる作用を
説明する模式的説明図である。 １……真空容器、２……真空ポンプ、３……基板ホル
ダ、５……イオンガン、51……不活性ガスボンベ、６…
…スパッタカソード、60……ターゲット、Ｐ……セラミ
ック基板
Claims (4)
- 【請求項１】セラミック基板の表面に、真空雰囲気下で
不活性ガスのイオンビームを照射した後、PVD法によっ
て導体金属層を形成するセラミック回路基板の製造方
法。 - 【請求項２】セラミック基板に形成された導体金属層の
表面に、さらに、真空雰囲気下で不活性ガスのイオンビ
ームを照射する請求項１記載のセラミック回路基板の製
造方法。 - 【請求項３】セラミック基板の表面に対して、真空雰囲
気下における不活性ガスのイオンビーム照射と、PVD法
による導体金属層の形成を繰り返す請求項２記載のセラ
ミック回路基板の製造方法。 - 【請求項４】不活性ガスのイオンビームのエネルギーが
200eV〜20keVである請求項１〜３の何れかに記載のセラ
ミック回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31798488A JP2613935B2 (ja) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | セラミック回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31798488A JP2613935B2 (ja) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | セラミック回路基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02164784A JPH02164784A (ja) | 1990-06-25 |
| JP2613935B2 true JP2613935B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=18094185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31798488A Expired - Lifetime JP2613935B2 (ja) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | セラミック回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2613935B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2802181B2 (ja) * | 1991-04-23 | 1998-09-24 | 松下電工株式会社 | セラミック回路板における導体膜の形成方法 |
| JP2006307318A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-11-09 | Kobe Steel Ltd | αアルミナ層形成部材の製法および表面処理法 |
| US20060219325A1 (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-05 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Method for producing alpha-alumina layer-formed member and surface treatment |
| US10426043B2 (en) * | 2016-08-19 | 2019-09-24 | Honeywell Federal Manufacturing & Technologies, Llc | Method of thin film adhesion pretreatment |
-
1988
- 1988-12-15 JP JP31798488A patent/JP2613935B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02164784A (ja) | 1990-06-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080227 Year of fee payment: 11 |
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