JP2024063307A - 発光素子駆動装置 - Google Patents

発光素子駆動装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2024063307A
JP2024063307A JP2022171121A JP2022171121A JP2024063307A JP 2024063307 A JP2024063307 A JP 2024063307A JP 2022171121 A JP2022171121 A JP 2022171121A JP 2022171121 A JP2022171121 A JP 2022171121A JP 2024063307 A JP2024063307 A JP 2024063307A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitting element
switch
light emitting
terminal
transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022171121A
Other languages
English (en)
Inventor
祥嗣 上平
Yoshitsugu Kamihira
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP2022171121A priority Critical patent/JP2024063307A/ja
Publication of JP2024063307A publication Critical patent/JP2024063307A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)

Abstract

【課題】NBTIの影響を抑制することができる発光素子駆動装置を提供する。【解決手段】発光素子駆動装置(5)において、発光素子ドライバ部(1)に設けられる入力側トランジスタ(141)、第1出力側トランジスタ(142)、MOSトランジスタ(12)、および第1スイッチ(13)は、いずれもNMOSトランジスタにより構成される。【選択図】図1

Description

本開示は、発光素子駆動装置に関する。
従来、LED(発光ダイオード)などの発光素子を駆動するための発光素子駆動装置が知られている。例えば、特許文献1には、LEDを発光部として用いた近接センサが開示されている。
特開2020-187847号公報
発光素子がLEDである場合、発光素子駆動装置は、LEDドライバ部を有する。LEDドライバ部の電源電圧をLEDの電源電圧とした場合、LEDの電源電圧は比較的に高い電圧であるため、LEDドライバ部にPMOSトランジスタ(Pチャネル型MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor))を設けた場合、PMOSトランジスタにNBTIが発生するおそれがあった。NBTI(Negative Bias Temperature Instability)は、高温状態においてPMOSトランジスタのゲートに負バイアスが印加されて発生する経時劣化特性であり、PMOSトランジスタの閾値電圧が経時的にシフトする。
上記状況に鑑み、本開示は、NBTIの影響を抑制することができる発光素子駆動装置を提供することを目的とする。
例えば、本開示に係る発光素子駆動装置は、
第1電源電圧の印加端に接続される正極端を有する第1発光素子を駆動するように構成された発光素子駆動装置であって、
前記第1発光素子を駆動するように構成された発光素子ドライバ部と、
内部回路と、
を備え、
前記内部回路は、駆動電流を生成するように構成された電流プリドライバを有し、
前記発光素子ドライバ部は、
前記駆動電流を入力されるように構成された入力側トランジスタと、前記第1発光素子の負極端に接続されるように構成された第1出力側トランジスタと、を有する第1カレントミラーと、
第1切替え信号が入力されるように構成されたゲートを含む第1MOSトランジスタと、
前記第1電源電圧の印加端に接続されるように構成された第1端と、前記第1MOSトランジスタのドレインに接続される第2端とを含む第1プルアップ抵抗と、
前記第1プルアップ抵抗の前記第2端と前記第1MOSトランジスタのドレインとが接続される第1ノードに接続されるゲートを含み、前記第1出力側トランジスタの駆動のオンオフを切り替えるように構成された第1スイッチと、
を有し、
前記入力側トランジスタ、前記第1出力側トランジスタ、前記第1MOSトランジスタ、および前記第1スイッチは、いずれもNMOSトランジスタにより構成される構成としている。
本開示に係る発光素子駆動装置によれば、NBTIの影響を抑制することができる。
図1は、本開示の例示的な実施形態に係るLED駆動装置の構成を示す図である。 図2は、図1の構成において切替え信号S1がローレベルの場合を示す図である。 図3は、図1の構成において切替え信号S1がハイレベルの場合を示す図である。 図4は、本開示の第1変形例に係るLED駆動装置の構成を示す図である。 図5は、本開示の第2変形例に係るLED駆動装置の構成を示す図である。 図6は、比較例に係るLED駆動装置の構成を示す図である。
<1.LED駆動装置の構成>
図1は、本開示の例示的な実施形態に係るLED駆動装置5の構成を示す図である。LED駆動装置5は、LED3を駆動するための装置である。すなわち、LED駆動装置5は、発光素子駆動装置の一例である。
LED駆動装置5は、LEDドライバ部1と、内部回路2と、を集積化して有するIC(集積回路)である。LED駆動装置5は、外部との電気的接続を確立するための外部端子として、アノード端子51、カソード端子52、およびグランド端子53を有する。
LEDドライバ部1は、プルアップ抵抗11と、MOSトランジスタ12と、スイッチ13と、カレントミラー14と、分圧抵抗R1,R2と、分圧抵抗R3,R4と、抵抗R5と、を有する。
アノード端子51には、LED3のアノード(正極端)が外部接続されるとともに、第1電源電圧Vcc1が印加される。カソード端子52には、LED3のカソード(負極端)が外部接続される。すなわち、LED3は、LED駆動装置5に対して外付けされる。グランド端子53は、グランド電位の印加端に接続される。
プルアップ抵抗11の第1端は、アノード端子51に接続される。MOSトランジスタ12は、NMOSトランジスタ(Nチャネル型MOSFET)により構成される。プルアップ抵抗11の第2端は、ノードNd1においてMOSトランジスタ12のドレインに接続される。MOSトランジスタ12のソースは、グランド端子53に接続される。
内部回路2は、ADC(Analog-to-digital converter)21と、電流プリドライバ22と、インバータ23と、PMOSスイッチPM1,PM2と、を有する。内部回路2は、第2電源電圧Vcc2を電源として動作する。第1電源電圧Vcc1は、第2電源電圧Vcc2よりも高い。例えば、Vcc1=5V、Vcc2=3.3Vである。
MOSトランジスタ12のゲートには、インバータ23の出力である切替え信号S1が入力される。切替え信号S1のレベルに応じてMOSトランジスタ12のオン状態/オフ状態が切り替えられる。
カレントミラー14は、入力側トランジスタ141と、出力側トランジスタ142と、を有する。入力側トランジスタ141と出力側トランジスタ142ともに、NMOSトランジスタにより構成される。入力側トランジスタ141のドレインは、電流プリドライバ22の出力端に接続される。入力側トランジスタ141のゲート・ドレインは、短絡される。入力側トランジスタ141のソースおよび出力側トランジスタ142のソースは、グランド端子53に接続される。出力側トランジスタ142のゲートは、入力側トランジスタ141のゲートに接続される。
スイッチ13は、NMOSトランジスタにより構成される。スイッチ13のソースは、出力側トランジスタ142のドレインに接続される。スイッチ13のドレインは、カソード端子52に接続される。
電流プリドライバ22は、駆動電流Idを生成するように構成される。駆動電流Idは、入力側トランジスタ141のドレインに供給される。
このように、本実施形態では、LEDドライバ部1で用いられるMOSトランジスタ12、スイッチ13、入力側トランジスタ141、出力側トランジスタ142がいずれもNMOSトランジスタにより構成されるため、PMOSトランジスタを用いた場合に考慮すべきNBTIを考慮する必要がない。
ここで、例えば図6に示す比較例の構成のように、MOSトランジスタ12とPMOSトランジスタ15によりインバータを構成したような場合は、PMOSトランジスタ15によるNBTIを考慮する必要がある。
<2.LED電流のオンオフ制御>
LED3に流れるLED電流ILEDのオンオフ制御について、図2および図3を参照して説明する。
図2は、図1の構成において切替え信号S1がローレベル(すなわちインバータ23の入力がハイレベル)の場合を示す図である。この場合、MOSトランジスタ12はオフ状態となり、プルアップ抵抗11によりスイッチ13のゲートがハイレベル(Vcc1)とされ、スイッチ13はオン状態となる。電流プリドライバ22により生成される駆動電流Idは、カレントミラー14によりミラーリングされる。従って、LED3、スイッチ13、および出力側トランジスタ142の経路でLED電流ILEDが流れ、LED3は発光する。
一方、図3は、図1の構成において切替え信号S1がハイレベル(すなわちインバータ23の入力がローレベル)の場合を示す図である。この場合、MOSトランジスタ12はオン状態となり、スイッチ13のゲートがローレベルとされ、スイッチ13はオフ状態となる。従って、LED電流ILEDは、スイッチ13を介した経路では流れない。
<3.Vfのモニタ機能>
本実施形態に係るLED駆動装置5は、LED3のVf(順方向電圧)をモニタする機能を有する。環境温度のモニタ、あるいは異常検出などのためにVfをモニタする機能が設けられる。
アノード端子51とグランド端子53と間に、分圧抵抗R1,R2が直列に接続される。分圧抵抗R1,R2が接続される接続ノードNr1は、PMOSスイッチPM1を介してADC21の入力端に入力される。カソード端子52とグランド端子53と間に、分圧抵抗R3,R4が直列に接続される。分圧抵抗R3,R4が接続される接続ノードNr2は、PMOSスイッチPM2を介してADC21の入力端に入力される。PMOSスイッチPM1,PM2は、ともにPMOSトランジスタにより構成され、ゲートに印加される電圧のレベルに応じてオン状態/オフ状態が切り替えられる。
PMOSスイッチPM1がオン状態の場合、LED3のアノード電位が分圧抵抗R1,R2により分圧された電位がADC21に入力される。一方、PMOSスイッチPM2がオン状態の場合、LED3のカソード電位が分圧抵抗R3,R4により分圧された電位がADC21に入力される。ADC21において入力される電位差がAD変換されることで、LED3のVfがモニタされる。
PMOSスイッチPM1には、NBTIを考慮して第1電源電圧Vcc1が印加されることは避けることが望ましいため、分圧抵抗R1,R2により第1電源電圧Vcc1を分圧している。ここでの分圧比は、例えば1/2である。
<4.LED発光抑制機能>
上記のようにカソード端子52に分圧抵抗R3,R4が接続されるため、スイッチ13がオフ状態の場合でも、分圧抵抗R3,R4を介してLED3に電流が流れ、LED3が不要に発光してしまう。その対策として、分圧抵抗R3,R4に対して十分小さい抵抗値の抵抗R5をアノード端子51とカソード端子52の間に接続している。これにより、スイッチ13がオフ状態の場合に、抵抗R5を介して分圧抵抗R3,R4に電流が流れるため、LED3に電流が流れることを抑制し、LED3の不要な発光を抑制できる(図3に示す破線矢印の電流経路)。
<5.第1変形例>
図4は、本開示の第1変形例に係るLED駆動装置5の構成を示す図である。図4に示すLED駆動装置5は、LED3に加えてLED31を駆動可能に構成される。これにより、図4に示すLED駆動装置5は、先述した図1の構成に加えて、外部端子としてカソード端子521をさらに有する。また、図4に示すLEDドライバ部1は、先述した図1の構成に加えて、プルアップ抵抗111、MOSトランジスタ121、およびスイッチ131をさらに有している。また、図4に示す内部回路2は、先述した図1の構成に加えて、インバータ231をさらに有する。
スイッチ131およびMOSトランジスタ121は、NMOSトランジスタにより構成される。スイッチ131のドレインは、カソード端子521に接続される。スイッチ131のソースは、出力側トランジスタ142のドレインに接続される。プルアップ抵抗111の第1端は、アノード端子51に接続される。プルアップ抵抗111の第2端は、ノードNd11においてMOSトランジスタ121のドレインに接続される。MOSトランジスタ121のソースは、グランド端子53に接続される。ノードNd11は、スイッチ131のゲートに接続される。
MOSトランジスタ121のゲートには、インバータ231の出力である切替え信号S11が印加される。切替え信号S11のレベルに応じてMOSトランジスタ121のオン状態/オフ状態が切り替えられる。これにより、スイッチ131のオン状態/オフ状態が切り替えられ、LED31の発光/消灯が切り替えられる。従って、本変形例では、切替え信号S1,S11により、LED3,31の発光/消灯を個別に選択できる。ここで、スイッチ131およびMOSトランジスタ121がNMOSトランジスタにより構成されるため、LEDドライバ部1においてNBTIを考慮する必要がない。
なお、LED31と同様のLEDをさらに1つ以上追加し、それに伴ってLED駆動装置5の構成を変形してもよい。
<6.第2変形例>
図5は、本開示の第2変形例に係るLED駆動装置5の構成を示す図である。図5に示す構成では、図1に示す構成とスイッチ13を設ける箇所が異なっている。具体的には、図5に示す構成では、スイッチ13は、カレントミラー14を構成する入力側トランジスタ141のゲートと出力側トランジスタ142のゲートの間を接続するように配置される。スイッチ13のドレインは、入力側トランジスタ141のゲートに接続される。スイッチ13のソースは、出力側トランジスタ142のゲートに接続される。
また、図5に示す構成のLED駆動装置5では、図1に示すプルアップ抵抗11およびMOSトランジスタ12の代わりに、プルアップ抵抗11AとMOSトランジスタ12Aの組、およびプルアップ抵抗11BとMOSトランジスタ12Bの組が設けられる。MOSトランジスタ12A,12Bは、NMOSトランジスタにより構成される。プルアップ抵抗11AとMOSトランジスタ12Aとが接続されるノードNd11がMOSトランジスタ12Bのゲートに接続される。プルアップ抵抗11BとMOSトランジスタ12Bとが接続されるノードNd12がスイッチ13のゲートに接続される。
また、図5に示す構成のLED駆動装置5では、アナログスイッチAS1とAS2が設けられる。アナログスイッチAS1は、PMOSスイッチPM1とNMOSスイッチNM1の並列接続により構成される。アナログスイッチAS2は、PMOSスイッチPM2とNMOSスイッチNM2の並列接続により構成される。ノードNd11は、PMOSスイッチPM2のゲートとともにNMOSスイッチNM1のゲートに接続される。ノードNd12は、NMOSスイッチNM2のゲートとともにPMOSスイッチPM1のゲートに接続される。MOSトランジスタ12Aのゲートに切替え信号S1が印加される。
このような構成により、切替え信号S1がローレベルの場合、ノードNd11の電圧がハイレベル、ノードN12の電圧がローレベルとなり、スイッチ13はオフ状態である。これにより、出力側トランジスタ142の駆動はオフ状態となる。このとき、アナログスイッチAS1はオン状態、アナログスイッチAS2はオフ状態であり、第1電源電圧Vcc1(LED3のアノード電位)を分圧抵抗R1,R2により分圧した電圧がADコンバータ21に入力される。
切替え信号S1がハイレベルの場合、ノードNd11の電圧がローレベル、ノードN12の電圧がハイレベルとなり、スイッチ13はオン状態である。これにより、出力側トランジスタ142の駆動はオン状態となる。このとき、アナログスイッチAS1はオフ状態、アナログスイッチAS2はオン状態であり、LED3のカソード電位を分圧抵抗R3,R4により分圧した電圧がADコンバータ21に入力される。これにより、LED3のVfをモニタできる。
<7.適用例>
本開示に係るLED駆動装置5は、様々なアプリケーションに適用可能であり、例えば車載用とすることが好適である。例えば、LED駆動装置5は、近接センサの発光部に設けられるLEDを駆動するために車両に設けられる。その他、例えば、LED駆動装置5は、車両のヘッドランプ、リアランプなどに設けられるLEDを駆動するために車両に設けてもよい。
<8.その他>
なお、本開示に係る種々の技術的特徴は、上記実施形態の他、その技術的創作の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。すなわち、上記実施形態は、全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきであり、本発明の技術的範囲は、上記実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内に属する全ての変更が含まれると理解されるべきである。また、上記の各実施形態は、矛盾のない限り、適宜に組み合わせて実施してもよい。
<8.付記>
以上の通り、例えば、本開示に係る発光素子駆動装置(5)は、
第1電源電圧(Vcc1)の印加端に接続される正極端を有する第1発光素子(3)を駆動するように構成された発光素子駆動装置であって、
前記第1発光素子を駆動するように構成された発光素子ドライバ部(1)と、
内部回路(2)と、
を備え、
前記内部回路は、駆動電流(Id)を生成するように構成された電流プリドライバ(22)を有し、
前記発光素子ドライバ部は、
前記駆動電流を入力されるように構成された入力側トランジスタ(141)と、前記第1発光素子の負極端に接続されるように構成された第1出力側トランジスタ(142)と、を有する第1カレントミラー(14)と、
第1切替え信号(S1)が入力されるように構成されたゲートを含む第1MOSトランジスタ(12)と、
前記第1電源電圧の印加端に接続されるように構成された第1端と、前記第1MOSトランジスタのドレインに接続される第2端とを含む第1プルアップ抵抗(11)と、
前記第1プルアップ抵抗の前記第2端と前記第1MOSトランジスタのドレインとが接続される第1ノード(Nd1)に接続されるゲートを含み、前記第1出力側トランジスタの駆動のオンオフを切り替えるように構成された第1スイッチ(13)と、
を有し、
前記入力側トランジスタ、前記第1出力側トランジスタ、前記第1MOSトランジスタ、および前記第1スイッチは、いずれもNMOSトランジスタにより構成される構成としている(第1の構成)。
また、上記第1の構成において、前記発光素子ドライバ部(1)は、
前記正極端に接続されるように構成された第1分圧抵抗(R1,R2)と、
前記負極端に接続されるに構成された第2分圧抵抗(R3,R4)と、
を有し、
前記内部回路(2)は、
ADコンバータ(21)と、
前記第1分圧抵抗の接続ノード(Nr1)と前記ADコンバータの間に接続される第1PMOSスイッチ(PM1)と、
前記第2分圧抵抗の接続ノード(Nr2)と前記ADコンバータの間に接続される第2PMOSスイッチ(PM2)と、を有する構成としてもよい(第2の構成)。
また、上記第2の構成において、前記発光素子ドライバ部(1)は、前記正極端と前記負極端の間に接続されるように構成される抵抗(R5)を有し、
前記抵抗の抵抗値は、前記第2分圧抵抗(R3,R4)の抵抗値よりも小さい構成としてもよい(第3の構成)。
また、上記第1から第3のいずれかの構成において、前記第1電源電圧(Vcc1)の印加端に接続される正極端を有する第2発光素子(31)を駆動するように構成された前記発光素子駆動装置(5)であって、
前記発光素子ドライバ部(1)は、
前記入力側トランジスタ(141)と、前記第2発光素子の負極端に接続されるように構成された第2出力側トランジスタ(142)と、を有する第2カレントミラー(14)と、
第2切替え信号(S11)が入力されるように構成されたゲートを含む第2MOSトランジスタ(121)と、
前記第1電源電圧の印加端に接続されるように構成された第1端と、前記第2MOSトランジスタのドレインに接続される第2端とを含む第2プルアップ抵抗(111)と、
前記第2プルアップ抵抗の前記第2端と前記第2MOSトランジスタのドレインとが接続される第2ノード(Nd11)に接続されるゲートを含み、前記第2出力側トランジスタの駆動のオンオフを切り替えるように構成された第2スイッチ(131)と、
を有し、
前記第2MOSトランジスタおよび前記第2スイッチは、いずれもNMOSトランジスタにより構成される構成としてもよい(第4の構成)。
また、上記第1から第4のいずれかの構成において、前記内部回路は、第2電源電圧を用いて動作するように構成され、前記第1電源電圧は、前記第2電源電圧よりも高い構成としてもよい(第5の構成)。
また、上記第1から第5のいずれかの構成の発光素子駆動装置は、車載用であることが好適である(第6の構成)。
本開示は、各種用途の発光素子の駆動に利用することが可能である。
1 LEDドライバ部
2 内部回路
3,31 LED
5 LED駆動装置
11 プルアップ抵抗
11A,11B プルアップ抵抗
12 MOSトランジスタ
12A,12B MOSトランジスタ
13 スイッチ
14 カレントミラー
15 PMOSトランジスタ
21 ADコンバータ
22 電流プリドライバ
23 インバータ
51 アノード端子
52 カソード端子
53 グランド端子
111 プルアップ抵抗
121 MOSトランジスタ
131 スイッチ
141 入力側トランジスタ
142 出力側トランジスタ
231 インバータ
521 カソード端子
AS1,AS2 アナログスイッチ
NM1,NM2 NMOSスイッチ
PM1,PM2 PMOSスイッチ
R1,R2 分圧抵抗
R3,R4 分圧抵抗
R5 抵抗

Claims (6)

  1. 第1電源電圧の印加端に接続される正極端を有する第1発光素子を駆動するように構成された発光素子駆動装置であって、
    前記第1発光素子を駆動するように構成された発光素子ドライバ部と、
    内部回路と、
    を備え、
    前記内部回路は、駆動電流を生成するように構成された電流プリドライバを有し、
    前記発光素子ドライバ部は、
    前記駆動電流を入力されるように構成された入力側トランジスタと、前記第1発光素子の負極端に接続されるように構成された第1出力側トランジスタと、を有する第1カレントミラーと、
    第1切替え信号が入力されるように構成されたゲートを含む第1MOSトランジスタと、
    前記第1電源電圧の印加端に接続されるように構成された第1端と、前記第1MOSトランジスタのドレインに接続される第2端とを含む第1プルアップ抵抗と、
    前記第1プルアップ抵抗の前記第2端と前記第1MOSトランジスタのドレインとが接続される第1ノードに接続されるゲートを含み、前記第1出力側トランジスタの駆動のオンオフを切り替えるように構成された第1スイッチと、
    を有し、
    前記入力側トランジスタ、前記第1出力側トランジスタ、前記第1MOSトランジスタ、および前記第1スイッチは、いずれもNMOSトランジスタにより構成される、発光素子駆動装置。
  2. 前記発光素子ドライバ部は、
    前記正極端に接続されるように構成された第1分圧抵抗と、
    前記負極端に接続されるに構成された第2分圧抵抗と、
    を有し、
    前記内部回路は、
    ADコンバータと、
    前記第1分圧抵抗の接続ノードと前記ADコンバータの間に接続される第1PMOSスイッチと、
    前記第2分圧抵抗の接続ノードと前記ADコンバータの間に接続される第2PMOSスイッチと、
    を有する、請求項1に記載の発光素子駆動装置。
  3. 前記発光素子ドライバ部は、前記正極端と前記負極端の間に接続されるように構成される抵抗を有し、
    前記抵抗の抵抗値は、前記第2分圧抵抗の抵抗値よりも小さい、請求項2に記載の発光素子駆動装置。
  4. 前記第1電源電圧の印加端に接続される正極端を有する第2発光素子を駆動するように構成された前記発光素子駆動装置であって、
    前記発光素子ドライバ部は、
    前記入力側トランジスタと、前記第2発光素子の負極端に接続されるように構成された第2出力側トランジスタと、を有する第2カレントミラーと、
    第2切替え信号が入力されるように構成されたゲートを含む第2MOSトランジスタと、
    前記第1電源電圧の印加端に接続されるように構成された第1端と、前記第2MOSトランジスタのドレインに接続される第2端とを含む第2プルアップ抵抗と、
    前記第2プルアップ抵抗の前記第2端と前記第2MOSトランジスタのドレインとが接続される第2ノードに接続されるゲートを含み、前記第2出力側トランジスタの駆動のオンオフを切り替えるように構成された第2スイッチと、
    を有し、
    前記第2MOSトランジスタおよび前記第2スイッチは、いずれもNMOSトランジスタにより構成される、請求項1に記載の発光素子駆動装置。
  5. 前記内部回路は、第2電源電圧を用いて動作するように構成され、
    前記第1電源電圧は、前記第2電源電圧よりも高い、請求項1に記載の発光素子駆動装置。
  6. 車載用である請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の発光素子駆動装置。
JP2022171121A 2022-10-26 2022-10-26 発光素子駆動装置 Pending JP2024063307A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022171121A JP2024063307A (ja) 2022-10-26 2022-10-26 発光素子駆動装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022171121A JP2024063307A (ja) 2022-10-26 2022-10-26 発光素子駆動装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2024063307A true JP2024063307A (ja) 2024-05-13

Family

ID=91030593

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022171121A Pending JP2024063307A (ja) 2022-10-26 2022-10-26 発光素子駆動装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2024063307A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101069485B1 (ko) 모터 구동 회로
US8729821B2 (en) Semiconductor light source lighting circuit and control method
JP6863033B2 (ja) 電圧駆動型半導体素子の並列駆動回路
US8773040B2 (en) Indicator drive circuit
JP6229604B2 (ja) 半導体スイッチング素子の制御回路
US11522535B2 (en) Semiconductor device
JP4848689B2 (ja) 半導体集積回路
JP2010028522A (ja) 半導体装置
JP4482462B2 (ja) リレー駆動装置における同時オン防止回路
JP2024063307A (ja) 発光素子駆動装置
JP4821394B2 (ja) 半導体素子駆動回路
WO2021181733A1 (ja) 発光素子駆動装置及び発光システム
JP2020031390A (ja) スイッチ回路
TWI743752B (zh) 具閘極電流再利用功能之氮化鎵雷射二極體驅動場效電晶體
CN210518926U (zh) 用于光通信的驱动电路
US20210067156A1 (en) Gate driver circuitry
JP6452981B2 (ja) 送信駆動回路および半導体集積回路装置
JP6630842B2 (ja) 半導体スイッチの駆動装置
JP2011258797A (ja) 発光ダイオードの駆動制御回路およびバックライト照明装置
JP2011199401A (ja) 電源供給装置
JP6954845B2 (ja) レベルシフト装置、及びic装置
JP7055714B2 (ja) 半導体装置
US12058792B2 (en) Vehicle lamp
JP5554212B2 (ja) スイッチング駆動回路
WO2023234210A1 (ja) 車両灯具用の点灯回路及びこれを含む車両用灯具