JP2023518650A - 化学機械研磨のための蒸気発生の制御 - Google Patents
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Abstract
Description
に基づいて計算することができ、ここで、KPは、調整中に設定される重みである。誤差信号e(t)は、第2の積分出力Iを計算する積分値計算器214にも入力される。積分出力Iは、
に基づいて計算することができ、ここで、KIは、調整中に設定される重みである。誤差信号e(t)は、3次微分出力Dを計算する微分値計算器216にも入力される。積分出力Dは、
に基づいて計算することができ、ここで、KDは、調整中に設定される重みである。
Claims (19)
- 化学機械研磨システムであって、
研磨パッドを支持するためのプラテン、
前記研磨パッドと接触するように基板を保持するためのキャリアヘッド、
前記プラテンと前記キャリアヘッドとの間の相対的運動を発生させるモータ、
吸水口及び蒸気出口を有する容器と、蒸気を発生させるために下方チャンバの一部に熱を加えるように構成された加熱要素とを含む蒸気発生器、
前記蒸気発生器から前記研磨パッド上に蒸気を供給するように方向付けられた少なくとも1つの開口を有する、前記プラテンにわたって延在するアーム、
前記開口及び前記蒸気出口を制御可能に接続及び接続解除するための、前記開口と前記蒸気出口との間の流体ラインにおける第1のバルブ、
蒸気パラメータをモニタリングするためのセンサ、並びに
前記センサ、前記バルブ、及び任意選択的に前記加熱要素に連結された制御システムであって、
非一時的記憶デバイス内にデータとして記憶された研磨処理レシピにおける蒸気供給スケジュールに従って前記バルブを開閉させ、
前記センサから前記蒸気パラメータの測定値を受信し、
前記蒸気パラメータの目標値を受信し、
前記測定値が、前記蒸気供給スケジュールに従って前記バルブが開くほぼ直前に前記目標値に達するように、前記第1のバルブ及び/又は第2の圧力解放バルブ及び/又は前記加熱要素を制御するように、前記目標値及び前記測定値を入力として比例-積分-微分制御アルゴリズムを実行する
ように構成された制御システム
を備えている化学機械研磨システム。 - 前記蒸気パラメータが蒸気温度であり、前記測定値が測定された蒸気温度値であり、前記目標値が目標蒸気温度値である、請求項1に記載のシステム。
- 前記蒸気パラメータが蒸気圧力であり、前記測定値が測定された蒸気圧力値であり、前記目標値が目標蒸気圧力値である、請求項1に記載のシステム。
- コントローラが、前記蒸気供給スケジュールにおける供給期間以外の時間に前記バルブを制御するように、前記比例-積分-微分制御アルゴリズムを実行するように構成されている、請求項1に記載のシステム。
- コントローラが、前記加熱要素を制御するように、前記比例-積分-微分制御アルゴリズムを実行するように構成されている、請求項1に記載のシステム。
- コントローラは、前記測定値が、前記バルブが開かれる10秒未満前に前記目標値に達するように、前記比例-積分-微分制御アルゴリズムを実行するように構成されている、請求項1に記載のシステム。
- 前記コントローラは、前記測定値が、前記バルブが開かれる3秒未満前に前記目標値に達するように、前記比例-積分-微分制御アルゴリズムを実行するように構成されている、請求項6に記載のシステム。
- 前記コントローラは、前記測定値が、前記バルブが開かれる1秒未満前に前記目標値に達するように、前記比例-積分-微分制御アルゴリズムを実行するように構成されている、請求項7に記載のシステム。
- 前記容器内の水位をモニタリングするための水位センサを備え、コントローラは、前記水位センサから信号を受信し、前記容器内の水位を前記加熱要素の上方に及び前記蒸気出口の下方に維持するように前記水位センサからの前記信号に基づいて前記吸水口を通る水の流量を修正するように構成されている、請求項1に記載のシステム。
- コントローラは、サイクルの分与段階中に前記バルブを開くように構成され、前記サイクルの回復段階中に前記バルブを閉じるように構成されている、請求項1に記載のシステム。
- 各サイクルが、単一の基板の研磨に対応する、請求項10に記載のシステム。
- 各サイクルが、単一の分与段階及び単一の回復段階からなる、請求項10に記載のシステム。
- 前記研磨パッドの温度を測定するための温度センサ位置をさらに含む、請求項10に記載のシステム。
- 前記コントローラが、前記センサから前記研磨パッドの前記温度を表す信号を受信し、前記信号に基づいて前記蒸気パラメータの前記目標値を設定するように構成されている、請求項13に記載のシステム。
- 前記コントローラが、サイクルごとに前記目標値を設定するように構成されている、請求項14に記載のシステム。
- 前記コントローラが、サイクルを通じて連続的に前記目標値を設定するように構成されている、請求項14に記載のシステム。
- 化学機械研磨システムであって、
研磨パッドを支持するためのプラテン、
前記研磨パッドと接触するように基板を保持するためのキャリアヘッド、
前記プラテンと前記キャリアヘッドとの間の相対的運動を発生させるモータ、
吸水口及び蒸気出口を有する容器と、蒸気を発生させるために下方チャンバの一部に熱を加えるように構成された加熱要素とを含む蒸気発生器、
前記蒸気発生器から前記研磨パッド上に蒸気を供給するように方向付けられた少なくとも1つの開口を有する、前記プラテンにわたって延在するアーム、
前記開口及び前記蒸気出口を制御可能に接続及び接続解除するための、前記開口と前記蒸気出口との間の流体ラインにおける第1のバルブ、
前記第1のバルブと前記蒸気出口との間の前記流体ラインにおける第2のバルブ又は流量調整器であって、当該第2のバルブが、前記容器から圧力を制御可能に抜くように構成された、第2のバルブ又は流量調整器、
蒸気パラメータをモニタリングするためのセンサ、並びに
前記センサ、前記バルブ、及び任意選択的に前記加熱要素に連結された制御システムであって、
非一時的記憶デバイス内にデータとして記憶された研磨処理レシピにおける蒸気供給スケジュールに従って前記第1のバルブを開閉させ、
前記センサから前記蒸気パラメータの測定値を受信し、
前記蒸気パラメータの目標値を受信し、
前記測定値が、前記蒸気供給スケジュールに従って前記バルブが開くほぼ直前に前記目標値に達するように、前記第2のバルブを制御するように、前記目標値及び前記測定値を入力として比例-積分-微分制御アルゴリズムを実行する
ように構成された制御システム
を備えている化学機械研磨システム。 - 蒸気発生アセンブリであって、
吸水口及び蒸気出口を有する容器と、蒸気を発生させるために下方チャンバの一部に熱を加えるように構成された加熱要素とを含む蒸気発生器、
前記蒸気出口を開口に制御可能に接続及び前記開口から制御可能に接続解除するための、前記蒸気出口からの流体ラインにおける第1のバルブ、
蒸気パラメータをモニタリングするためのセンサ、並びに
前記センサ、前記バルブ、及び任意選択的に前記加熱要素に連結された制御システムであって、
非一時的記憶デバイス内にデータとして記憶された研磨処理レシピにおける蒸気供給スケジュールに従って前記バルブを開閉させ、
前記センサから前記蒸気パラメータの測定値を受信し、
前記蒸気パラメータの目標値を受信し、
前記測定値が、前記蒸気供給スケジュールに従って前記バルブが開くほぼ直前に前記目標値に達するように、前記第1のバルブ及び/又は第2の圧力解放バルブ及び/又は前記加熱要素を制御するように、前記目標値及び前記測定値を入力として比例-積分-微分制御アルゴリズムを実行する
ように構成された制御システム
を備えている蒸気発生アセンブリ。 - 命令を有する非一時的コンピュータ可読媒体を備えたコンピュータプログラム製品であって、前記命令は、1つ又は複数のプロセッサに、
非一時的記憶デバイス内にデータとして記憶された研磨処理レシピにアクセスさせ、
蒸気発生デバイスの出口と開口との間の第1のバルブを蒸気供給スケジュールに従って開閉させ、
前記蒸気発生デバイス内の蒸気の蒸気パラメータの測定値をセンサから受信させ、
前記蒸気パラメータの目標値を受信させ、
前記測定値が、前記蒸気供給スケジュールに従って前記バルブが開くほぼ直前に前記目標値に達するように、前記第1のバルブ及び/又は第2の圧力解放バルブ及び/又は加熱要素を制御するように、前記目標値及び前記測定値を入力として比例-積分-微分制御アルゴリズムを実行させる、
コンピュータプログラム製品。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040016495A (ko) * | 2002-08-17 | 2004-02-25 | 삼성전자주식회사 | 연마 패드 컨디셔너 및 이를 갖는 화학적 기계적 연마 장치 |
JP2009527716A (ja) * | 2006-02-16 | 2009-07-30 | アドバンスド エナジー インダストリーズ, インコーポレイテッド | 蒸気を送達するシステムおよび方法 |
JP2011136406A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Ebara Corp | 基板研磨装置、基板研磨方法、及び基板研磨装置の研磨パッド面温調装置 |
Family Cites Families (113)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4450652A (en) | 1981-09-04 | 1984-05-29 | Monsanto Company | Temperature control for wafer polishing |
ES2059858T3 (es) | 1989-04-01 | 1994-11-16 | Messer Griesheim Gmbh | Dispositivo de pulido o esmerilado. |
US5196353A (en) | 1992-01-03 | 1993-03-23 | Micron Technology, Inc. | Method for controlling a semiconductor (CMP) process by measuring a surface temperature and developing a thermal image of the wafer |
US5700180A (en) | 1993-08-25 | 1997-12-23 | Micron Technology, Inc. | System for real-time control of semiconductor wafer polishing |
US5605487A (en) * | 1994-05-13 | 1997-02-25 | Memc Electric Materials, Inc. | Semiconductor wafer polishing appartus and method |
DE19522525A1 (de) | 1994-10-04 | 1996-04-11 | Kunze Concewitz Horst Dipl Phy | Verfahren und Vorrichtung zum Feinstreinigen von Oberflächen |
JP3633062B2 (ja) | 1994-12-22 | 2005-03-30 | 株式会社デンソー | 研磨方法および研磨装置 |
KR100281723B1 (ko) | 1995-05-30 | 2001-10-22 | 코트게리 | 연마방법및그장치 |
US5597442A (en) | 1995-10-16 | 1997-01-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Chemical/mechanical planarization (CMP) endpoint method using measurement of polishing pad temperature |
US5709593A (en) | 1995-10-27 | 1998-01-20 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for distribution of slurry in a chemical mechanical polishing system |
US5738574A (en) | 1995-10-27 | 1998-04-14 | Applied Materials, Inc. | Continuous processing system for chemical mechanical polishing |
US5762544A (en) | 1995-10-27 | 1998-06-09 | Applied Materials, Inc. | Carrier head design for a chemical mechanical polishing apparatus |
IT1278873B1 (it) | 1995-12-07 | 1997-11-28 | Giuliano Franchini | Caldaia a rapida produzione di vapore |
US5643050A (en) | 1996-05-23 | 1997-07-01 | Industrial Technology Research Institute | Chemical/mechanical polish (CMP) thickness monitor |
JP3672685B2 (ja) | 1996-11-29 | 2005-07-20 | 松下電器産業株式会社 | 研磨方法及び研磨装置 |
US5873769A (en) | 1997-05-30 | 1999-02-23 | Industrial Technology Research Institute | Temperature compensated chemical mechanical polishing to achieve uniform removal rates |
US5868003A (en) | 1997-07-14 | 1999-02-09 | Praxair Technology, Inc. | Apparatus for producing fine snow particles from a flow liquid carbon dioxide |
US5765394A (en) | 1997-07-14 | 1998-06-16 | Praxair Technology, Inc. | System and method for cooling which employs charged carbon dioxide snow |
JPH1133897A (ja) | 1997-07-24 | 1999-02-09 | Matsushita Electron Corp | 化学的機械研磨装置及び化学的機械研磨方法 |
DE19737849A1 (de) | 1997-08-29 | 1999-03-11 | Siemens Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Beheizen eines flüssigen oder zähflüssigen Poliermittels sowie Vorrichtung zum Polieren von Wafern |
DE19748020A1 (de) | 1997-10-30 | 1999-05-06 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren und Vorrichtung zum Polieren von Halbleiterscheiben |
US6332835B1 (en) | 1997-11-20 | 2001-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Polishing apparatus with transfer arm for moving polished object without drying it |
US5957750A (en) | 1997-12-18 | 1999-09-28 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for controlling a temperature of a polishing pad used in planarizing substrates |
US6121144A (en) | 1997-12-29 | 2000-09-19 | Intel Corporation | Low temperature chemical mechanical polishing of dielectric materials |
US6000997A (en) | 1998-07-10 | 1999-12-14 | Aplex, Inc. | Temperature regulation in a CMP process |
US6023941A (en) | 1998-07-22 | 2000-02-15 | Praxair Technology, Inc. | Horizontal carbon dioxide snow horn with adjustment for desired snow |
US6460552B1 (en) | 1998-10-05 | 2002-10-08 | Lorimer D'arcy H. | Method and apparatus for cleaning flat workpieces |
KR20000025767A (ko) | 1998-10-14 | 2000-05-06 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 씨엠피설비 |
US6159073A (en) | 1998-11-02 | 2000-12-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for measuring substrate layer thickness during chemical mechanical polishing |
US6280289B1 (en) | 1998-11-02 | 2001-08-28 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for detecting an end-point in chemical mechanical polishing of metal layers |
US6422927B1 (en) | 1998-12-30 | 2002-07-23 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with controllable pressure and loading area for chemical mechanical polishing |
US6206760B1 (en) | 1999-01-28 | 2001-03-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for preventing particle contamination in a polishing machine |
US6315635B1 (en) | 1999-03-31 | 2001-11-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Method and apparatus for slurry temperature control in a polishing process |
US6151913A (en) | 1999-04-23 | 2000-11-28 | Praxair Technology, Inc. | Method and apparatus for agglomerating fine snow particles |
US6225224B1 (en) | 1999-05-19 | 2001-05-01 | Infineon Technologies Norht America Corp. | System for dispensing polishing liquid during chemical mechanical polishing of a semiconductor wafer |
US6776692B1 (en) | 1999-07-09 | 2004-08-17 | Applied Materials Inc. | Closed-loop control of wafer polishing in a chemical mechanical polishing system |
US6399501B2 (en) | 1999-12-13 | 2002-06-04 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for detecting polishing endpoint with optical monitoring |
US6640151B1 (en) | 1999-12-22 | 2003-10-28 | Applied Materials, Inc. | Multi-tool control system, method and medium |
US6461980B1 (en) | 2000-01-28 | 2002-10-08 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and process for controlling the temperature of a substrate in a plasma reactor chamber |
US6257954B1 (en) | 2000-02-23 | 2001-07-10 | Memc Electronic Materials, Inc. | Apparatus and process for high temperature wafer edge polishing |
US6647309B1 (en) | 2000-05-22 | 2003-11-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for automated generation of test semiconductor wafers |
US20020023715A1 (en) | 2000-05-26 | 2002-02-28 | Norio Kimura | Substrate polishing apparatus and substrate polishing mehod |
US20010055940A1 (en) | 2000-06-15 | 2001-12-27 | Leland Swanson | Control of CMP removal rate uniformity by selective control of slurry temperature |
US20020039874A1 (en) | 2000-08-17 | 2002-04-04 | Hecker Philip E. | Temperature endpointing of chemical mechanical polishing |
KR100470137B1 (ko) | 2000-08-23 | 2005-02-04 | 주식회사 에프에스티 | 냉각 패드를 구비하는 연마 장치 및 이를 이용한 연마 방법 |
US6679769B2 (en) | 2000-09-19 | 2004-01-20 | Rodel Holdings, Inc | Polishing pad having an advantageous micro-texture and methods relating thereto |
US20020190207A1 (en) | 2000-09-20 | 2002-12-19 | Ady Levy | Methods and systems for determining a characteristic of micro defects on a specimen |
US6494765B2 (en) | 2000-09-25 | 2002-12-17 | Center For Tribology, Inc. | Method and apparatus for controlled polishing |
KR200241537Y1 (ko) | 2001-04-09 | 2001-10-11 | 정귀필 | 세탁소용 다리미의 스팀발생용 보일러 |
JP2003071709A (ja) | 2001-08-27 | 2003-03-12 | Applied Materials Inc | 基板の受け渡し方法および機械化学的研磨装置 |
US6562185B2 (en) | 2001-09-18 | 2003-05-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Wafer based temperature sensors for characterizing chemical mechanical polishing processes |
US6543251B1 (en) | 2001-10-17 | 2003-04-08 | Praxair Technology, Inc. | Device and process for generating carbon dioxide snow |
JP3627182B2 (ja) | 2001-12-28 | 2005-03-09 | 株式会社半導体先端テクノロジーズ | Cmp装置、研磨パッド及び研磨方法 |
US6994612B2 (en) | 2002-02-13 | 2006-02-07 | Micron Technology, Inc. | Methods for conditioning surfaces of polishing pads after chemical-mechanical polishing |
US6896586B2 (en) * | 2002-03-29 | 2005-05-24 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for heating polishing pad |
US6764388B2 (en) | 2002-05-09 | 2004-07-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | High-pressure pad cleaning system |
JP2004042217A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Ebara Corp | 研磨方法、研磨装置および研磨工具の製造方法 |
US20040029494A1 (en) | 2002-08-09 | 2004-02-12 | Souvik Banerjee | Post-CMP cleaning of semiconductor wafer surfaces using a combination of aqueous and CO2 based cryogenic cleaning techniques |
DE10252613A1 (de) | 2002-11-12 | 2004-05-27 | Infineon Technologies Ag | Verfahren, Vorrichtung, computerlesbares Speichermedium und Computerprogramm-Element zum Überwachen eines Herstellungsprozesses |
JP2004202666A (ja) | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Sony Corp | 研磨装置、研磨部材、および研磨方法 |
US7008295B2 (en) | 2003-02-04 | 2006-03-07 | Applied Materials Inc. | Substrate monitoring during chemical mechanical polishing |
JP2004306173A (ja) | 2003-04-03 | 2004-11-04 | Sharp Corp | 基板研磨装置 |
US7040966B2 (en) | 2003-04-16 | 2006-05-09 | Applied Materials | Carbonation of pH controlled KOH solution for improved polishing of oxide films on semiconductor wafers |
KR200326835Y1 (ko) | 2003-06-27 | 2003-09-13 | 조영식 | 전기 스팀보일러 |
US7112960B2 (en) | 2003-07-31 | 2006-09-26 | Applied Materials, Inc. | Eddy current system for in-situ profile measurement |
US7255771B2 (en) | 2004-03-26 | 2007-08-14 | Applied Materials, Inc. | Multiple zone carrier head with flexible membrane |
JP2005311246A (ja) | 2004-04-26 | 2005-11-04 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 化学機械研磨装置及び化学機械研磨方法 |
KR20060076332A (ko) | 2004-12-29 | 2006-07-04 | 삼성전자주식회사 | 화학 기계적 연마 장치 |
JP2007035973A (ja) | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び研磨装置 |
EP1856989B1 (fr) | 2006-05-18 | 2009-07-22 | L'AIR LIQUIDE, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Utilisation d'un mélange de neige carbonique et d'azote liquide dans des applications de surgélation |
DE102007054457A1 (de) * | 2006-11-13 | 2008-05-29 | Förster Technik GmbH | Verfahren zum Erzeugen von Dampf |
US8257142B2 (en) | 2008-04-15 | 2012-09-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing method |
KR20090046468A (ko) | 2007-11-06 | 2009-05-11 | 주식회사 동부하이텍 | 화학 기계적 연마장치의 컨디셔닝 방법 |
US8292691B2 (en) | 2008-09-29 | 2012-10-23 | Applied Materials, Inc. | Use of pad conditioning in temperature controlled CMP |
KR20100101379A (ko) | 2009-03-09 | 2010-09-17 | 삼성전자주식회사 | 상변화 물질의 화학 기계적 연마 방법, 및 이를 이용한 상변화 메모리 소자 제조 방법 |
US20100279435A1 (en) | 2009-04-30 | 2010-11-04 | Applied Materials, Inc. | Temperature control of chemical mechanical polishing |
JP2011097029A (ja) | 2009-09-30 | 2011-05-12 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2011216862A (ja) | 2010-03-16 | 2011-10-27 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
JP5481417B2 (ja) | 2010-08-04 | 2014-04-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US8591286B2 (en) | 2010-08-11 | 2013-11-26 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for temperature control during polishing |
JP2012148376A (ja) | 2011-01-20 | 2012-08-09 | Ebara Corp | 研磨方法及び研磨装置 |
JP5628067B2 (ja) | 2011-02-25 | 2014-11-19 | 株式会社荏原製作所 | 研磨パッドの温度調整機構を備えた研磨装置 |
TWI548483B (zh) | 2011-07-19 | 2016-09-11 | 荏原製作所股份有限公司 | 研磨裝置及方法 |
JP2013042066A (ja) | 2011-08-19 | 2013-02-28 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
CN202462201U (zh) * | 2012-03-05 | 2012-10-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 研磨温控***和研磨装置 |
JP5975563B2 (ja) | 2012-03-30 | 2016-08-23 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
US9005999B2 (en) | 2012-06-30 | 2015-04-14 | Applied Materials, Inc. | Temperature control of chemical mechanical polishing |
JP2014130881A (ja) | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Ebara Corp | 研磨装置 |
WO2014113220A1 (en) | 2013-01-15 | 2014-07-24 | Applied Materials, Inc | Cryogenic liquid cleaning apparatus and methods |
US9630295B2 (en) | 2013-07-17 | 2017-04-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Mechanisms for removing debris from polishing pad |
JP6161999B2 (ja) | 2013-08-27 | 2017-07-12 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法および研磨装置 |
US11261760B2 (en) * | 2013-09-05 | 2022-03-01 | Enviro Power, Inc. | On-demand vapor generator and control system |
CN105814231B (zh) | 2013-12-10 | 2020-03-06 | 应用材料公司 | 用于有机材料的蒸发源、用于在真空腔室中沉积有机材料的沉积设备及蒸发有机材料的方法 |
JP6139420B2 (ja) | 2014-01-10 | 2017-05-31 | 株式会社東芝 | 研磨装置および研磨方法 |
US9636797B2 (en) | 2014-02-12 | 2017-05-02 | Applied Materials, Inc. | Adjusting eddy current measurements |
CN205021393U (zh) * | 2015-01-30 | 2016-02-10 | K.C.科技股份有限公司 | 化学机械抛光装置 |
KR101587482B1 (ko) * | 2015-01-30 | 2016-01-21 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 장치 및 방법 |
US10058975B2 (en) | 2016-02-12 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | In-situ temperature control during chemical mechanical polishing with a condensed gas |
KR101722555B1 (ko) | 2016-03-08 | 2017-04-03 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마장치 및 방법 |
CN206541806U (zh) | 2016-05-03 | 2017-10-03 | K.C.科技股份有限公司 | 基板处理*** |
KR101816694B1 (ko) | 2016-07-26 | 2018-01-11 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마장치 및 그 제어방법 |
JP2018027582A (ja) * | 2016-08-17 | 2018-02-22 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法、研磨装置、およびコンピュータプログラムを記録した記録媒体 |
JP6875811B2 (ja) | 2016-09-16 | 2021-05-26 | 株式会社Screenホールディングス | パターン倒壊回復方法、基板処理方法および基板処理装置 |
TWI779986B (zh) * | 2016-11-30 | 2022-10-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 使用神經網路的光譜監測 |
JP2018122406A (ja) | 2017-02-02 | 2018-08-09 | 株式会社荏原製作所 | 研磨パッドの表面温度を調整するための熱交換器、研磨装置、研磨方法、およびコンピュータプログラムを記録した記録媒体 |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
TW202408726A (zh) | 2017-11-14 | 2024-03-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於化學機械研磨的溫度控制的方法與系統 |
WO2019177840A1 (en) * | 2018-03-14 | 2019-09-19 | Applied Materials, Inc. | Pad conditioner cut rate monitoring |
CN111512425A (zh) | 2018-06-27 | 2020-08-07 | 应用材料公司 | 化学机械抛光的温度控制 |
KR20200056015A (ko) | 2018-11-14 | 2020-05-22 | 부산대학교 산학협력단 | Cmp 장치 및 다구역 온도 프로파일 제어 방법 |
JP2022520834A (ja) | 2019-02-20 | 2022-04-01 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Cmp温度制御用の装置及び方法 |
TW202110575A (zh) | 2019-05-29 | 2021-03-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於化學機械研磨系統的蒸氣處置站 |
TWI753460B (zh) | 2019-06-27 | 2022-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於化學機械研磨的蒸汽產生 |
-
2021
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- 2021-06-29 TW TW112106412A patent/TW202329305A/zh unknown
-
2023
- 2023-09-12 US US18/465,519 patent/US20230415297A1/en active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040016495A (ko) * | 2002-08-17 | 2004-02-25 | 삼성전자주식회사 | 연마 패드 컨디셔너 및 이를 갖는 화학적 기계적 연마 장치 |
JP2009527716A (ja) * | 2006-02-16 | 2009-07-30 | アドバンスド エナジー インダストリーズ, インコーポレイテッド | 蒸気を送達するシステムおよび方法 |
JP2011136406A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Ebara Corp | 基板研磨装置、基板研磨方法、及び基板研磨装置の研磨パッド面温調装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210402554A1 (en) | 2021-12-30 |
TWI797656B (zh) | 2023-04-01 |
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TW202216357A (zh) | 2022-05-01 |
WO2022006008A1 (en) | 2022-01-06 |
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