JP2007035973A - 半導体装置の製造方法及び研磨装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】研磨布1の表面に加圧された水蒸気を噴射してコンディショニングする。この水蒸気の湿り度、圧及び温度を、噴射後に湿り水蒸気となるように制御する。例えば、圧を1〜6kg/cm2 、温度を100〜130℃とする。さらに、水蒸気に砥粒を溶解する薬液又はCMP用のスラリーを混合することもできる。この方法を実行するための研磨装置は、下面に水蒸気を噴射する噴射孔を備えた蒸気噴射管11と、噴射孔近傍に設けられた蒸気回収用の回収孔を下面に備えた蒸気回収管15とを、研磨布1上面に保持する。高温の水蒸気と噴流とにより研磨布1表面の砥粒等が溶解又は吹き飛ばされて清浄化する。
【選択図】図1
Description
また、研磨粒子を溶解させるドレッシング液を研磨布上に供給してブラッシングするとともに、ドレッシングに際して研磨布表面を薬液で親水性にすることでドレッシング後の乾燥を防止する方法が考案されている(例えば特許文献2参照。)。
(付記1)半導体基板を、スラリーが供給された研磨布の表面に押圧して化学的機械的研磨を行なう工程を有する半導体装置の製造方法において、
前記研磨布の表面に加圧された水蒸気を噴射して、前記研磨布をコンデショニングする工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記2)前記水蒸気は、飽和水蒸気又は湿り水蒸気であることを特徴とする付記1記載の半導体装置の製造方法。
(付記3)前記水蒸気の温度を100℃以上130℃以下とすることを特徴とする付記1又は2記載の半導体装置の製造方法。
(付記4)前記水蒸気は、1〜6kg/cm2 に加圧されていることを特徴とする付記1、2又は3記載の半導体装置の製造方法。
(付記5)前記水蒸気は、1〜6kg/cm2 に加圧され、かつ100℃以上130℃以下の温度を有することを特徴とする付記1記載の半導体装置の製造方法。
(付記6)前記スラリーに含まれる砥粒を溶解する薬液を、前記水蒸気に混合したことを特徴とする付記1〜5の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
(付記7)前記砥粒がシリカ又はアルミナからなり、前記薬液がシリカ又はアルミナを溶解するアルカリ系薬液であることを特徴とする付記6記載の半導体装置の製造方法。
(付記8)半導体基板を、スラリーが供給された研磨布の表面に押圧して化学的機械的研磨を行なう研磨装置において、
加圧された水蒸気を発生する蒸気発生装置と、
前記水蒸気を噴射孔から前記研磨布の表面に噴射する蒸気噴射管と、
前記噴射孔に近設された回収孔を備え、前記研磨布の表面に噴射された前記水蒸気を前記回収孔から吸気して回収する蒸気回収管とを備えたことを特徴とする研磨装置。
(付記9)前記蒸気発生器で発生された前記水蒸気と前記スラリーに含まれる砥粒を溶解する薬液とを混合して前記蒸気噴射管へ供給する混合装置を備えることを特徴とする付記8記載の研磨装置。
2 プラテン
2a 回転軸
2b 回転方法
3 ヘッド
3a 回転軸
3b 回転方向
3c 上板
3d メンブレン
3e リテーナリング
4 ウエーハ
10 蒸気噴射ユニット
11 蒸気噴射管
12 噴射孔
13 給気管
14 回収孔
15 蒸気回収管
16 排気管
20 蒸気発生ユニット
21 蒸気発生装置
22 純水供給装置
23 薬液供給装置
24 スラリー供給装置
25 混合装置
26 調合装置
27 湿り度調整装置
30 スラリー供給器
40 排出装置
Claims (5)
- 半導体基板を、スラリーが供給された研磨布の表面に押圧して化学的機械的研磨を行なう工程を有する半導体装置の製造方法において、
前記研磨布の表面に加圧された水蒸気を噴射して、前記研磨布をコンデショニングする工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記水蒸気は、1〜6kg/cm2 に加圧され、かつ100℃以上130℃以下の温度を有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記スラリーに含まれる砥粒を溶解する薬液を、前記水蒸気に混合したことを特徴とする請求項1、2又は3記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板を、スラリーが供給された研磨布の表面に押圧して化学的機械的研磨を行なう研磨装置において、
加圧された水蒸気を発生する蒸気発生装置と、
前記水蒸気を噴射孔から前記研磨布の表面に噴射する蒸気噴射管と、
前記噴射孔に近設された回収孔を備え、前記研磨布の表面に噴射された前記水蒸気を前記回収孔から吸気して回収する蒸気回収管とを備えたことを特徴とする研磨装置。 - 前記蒸気発生器で発生された前記水蒸気と前記スラリーに含まれる砥粒を溶解する薬液とを混合して前記蒸気噴射管へ供給する混合装置を備えることを特徴とする請求項5記載の研磨装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005217949A JP2007035973A (ja) | 2005-07-27 | 2005-07-27 | 半導体装置の製造方法及び研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005217949A JP2007035973A (ja) | 2005-07-27 | 2005-07-27 | 半導体装置の製造方法及び研磨装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007035973A true JP2007035973A (ja) | 2007-02-08 |
Family
ID=37794850
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005217949A Pending JP2007035973A (ja) | 2005-07-27 | 2005-07-27 | 半導体装置の製造方法及び研磨装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2007035973A (ja) |
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