JP2023131675A - 電子写真装置 - Google Patents

Abstract

【課題】画像形成時の電子写真感光体の帯電電位を短時間で高精度に制御できる電子写真装置を提供する。【解決手段】電子写真感光体と、導電性部材から該電子写真感光体に放電させるための電圧印加手段と、該導電性部材から該電子写真感光体への放電による単位時間当たりの電荷移動量を検知する電荷移動量検知手段と、帯電電位制御手段と、を有する電子写真装置であって、該電子写真感光体について、特定の手順により定めたＶ１およびＶ２が下記式（Ｅ－４）で示される関係を満たし、 １００Ｖ１＜Ｖ２－Ｖ１（Ｅ－４） 該帯電電位制御手段は、該電圧印加手段によって印加される直流電圧の絶対値が７００Ｖ以上の範囲から選ばれる少なくとも２点の直流電圧と、該少なくとも２点の直流電圧における電荷移動量との関係から、画像形成時の該電子写真感光体の帯電電位を制御するように構成されている、ことを特徴とする電子写真装置。【選択図】なし

Description

本発明は電子写真装置に関する。

複写機、レーザービームプリンタ、ファクシミリ等の電子写真感光体を用いた電子写真装置では、初めに電子写真感光体を一様に帯電し、レーザースキャナ等の像露光手段で、電子写真感光体に静電潜像を形成する。次いで、前記静電潜像をトナーによって現像し、電子写真感光体上にトナー像を形成させる。さらに、前記トナー像を電子写真感光体から紙等の転写材へ転写し、転写されたトナー像を熱、圧力等によって定着させることによって、画像の形成が行われる。

近年の電子写真装置では、電子写真装置の使用環境や感光体の膜厚等の状態変化によらずに一定濃度の画像を出力するため、画像形成時の電子写真感光体の帯電電位を所望の値に精度よく制御することが求められている。

またそれと同時に、画像形成が行われない間に上記の制御等を行うキャリブレーション時間（ダウンタイムと呼ぶ）を短くすることも求められており、上記制御を高速で実行することも強く求められている。

画像形成時の電子写真感光体の帯電電位を所望の値に制御するための従来の技術としては、電子写真感光体の帯電電位を、電子写真装置内に搭載した電位計にて直接検知する技術が提案されている（特許文献１）。

また、電位計を用いない技術として、帯電部材と電子写真感光体との間で放電が生じ始める電圧（放電開始電圧と呼ぶ）を推定することで、画像形成時の電子写真感光体の帯電電位を高い精度で適正化する手法が提案されている（特許文献２）。例えば、帯電部材としての帯電ローラーによって電子写真感光体を帯電する場合に、帯電手段によって、帯電ローラーに高電圧が印加される。そして、帯電ローラーに流れる放電電流を検知しながら、印加する電圧を徐々に変化させていき、印加した電圧に応じて検知された放電電流の値から、放電開始電圧を推定する。

特開平５－６６６３８号公報 特許第５６１５００４号公報

しかし特許文献１に記載の帯電電位の測定方法では、帯電電位を所望の値に精度よく制御するために、装置内に電位計を設けるスペースを確保すると、電子写真装置のサイズが大きくなる上に、コストがかかるという問題があった。

また、特許文献２に記載の方法では、帯電ローラーから電子写真感光体に対し放電が生じない電圧から、徐々にその絶対値を上昇させていく必要がある。そのため、精度は高い一方で、制御の完了までに時間を要するという課題があった。そのため、帯電電位の制御を短時間かつ高精度に実施することが困難であり、ダウンタイムのさらなる低減が求められる近年では、特許文献２に記載の方法で得られる効果が十分ではなかった。

したがって本発明の目的は、画像形成時の電子写真感光体の帯電電位を短時間で高精度に制御できる電子写真装置を提供することにある。

上記の目的は以下の本発明によって達成される。
即ち、本発明に係る電子写真装置は、電子写真感光体と、導電性部材から該電子写真感光体に放電させるための電圧印加手段と、該導電性部材から該電子写真感光体への放電による単位時間当たりの電荷移動量を検知する電荷移動量検知手段と、該電子写真感光体の帯電電位を制御する帯電電位制御手段とを有する電子写真装置であって、
該電子写真感光体について、以下の手順（１）～（８）によりＶ_１およびＶ_２を定めた時、該Ｖ_１および該Ｖ_２が下記式（Ｅ－４）で示される関係を満たし、
１００Ｖ_１＜Ｖ_２－Ｖ_１ （Ｅ－４）
該帯電電位制御手段は、該電圧印加手段によって印加される直流電圧の絶対値が７００Ｖ以上の範囲から選ばれる少なくとも２点の直流電圧と、該少なくとも２点の直流電圧における電荷移動量との関係から、画像形成時の該電子写真感光体の帯電電位を制御するように構成されている、ことを特徴とする。
（１）該電子写真感光体を０．００５秒間帯電させる。
（２）（１）の帯電開始から０．０６秒後に測定して得られる帯電電位の絶対値をＶ_ｄ［Ｖ］とする。
（３）（１）の帯電開始から０．１８秒後に再び帯電電位の絶対値が該Ｖ_ｄとなるように該電子写真感光体を０．００５秒間帯電させる。
（４）（３）の帯電開始から０．０２秒後に波長が８０５ｎｍで光量が０．５μＪ／ｃｍ^２の光で露光する。
（５）（３）の帯電開始から０．０６秒後に測定して得られる帯電電位の絶対値を残留電位Ｖ_ｒ［Ｖ］とする。
（６）該Ｖ_ｄを１００Ｖから１０００Ｖまで５０Ｖの間隔で変化させながら（１）～（５）の手順を繰り返し行い、各該Ｖ_ｄに対応する該Ｖ_ｒを測定する。
（７）（６）で得られた該Ｖ_ｄおよび該Ｖ_ｒについて、横軸を該Ｖ_ｄで縦軸を該Ｖ_ｒとしてプロットしたグラフを下記式（Ｅ－１）で近似することで、下記式（Ｅ－１）中の定数Ａ、ｍ、τを決定する。

（８）（７）で決定した該定数Ａ、ｍ、τを用いて下記式（Ｅ－２）および（Ｅ－３）により計算される電圧をそれぞれ該Ｖ_１、該Ｖ_２とする。

（式（Ｅ－２）中、Ｖ_ｍｉｎは該電荷移動量検知手段の精度で決まる数値である。）

本発明によれば、画像形成時の電子写真感光体の帯電電位を短時間で高精度に制御できる電子写真装置を提供することができる。

本発明で用いられる電子写真感光体の層構成の一例を示す図である。 帯電電位の絶対値Ｖ_ｄと残留電位Ｖ_ｒとの関係を表すグラフである。 帯電電位の絶対値Ｖ_ｄと、Ｖ_ｄと残留電位Ｖ_ｒとの差ΔＶとの関係を表すグラフである。 電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備え、電圧印加手段が帯電手段である場合の本発明に係る電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。 実施例において評価に用いた評価装置の概略を示した図である。

以下、好適な実施の形態を挙げて、本発明を詳細に説明する。
［電子写真装置］
本発明に係る電子写真装置は、電子写真感光体と、導電性部材から該電子写真感光体に放電させるための電圧印加手段と、該導電性部材から該電子写真感光体への放電による単位時間当たりの電荷移動量を検知する電荷移動量検知手段と、該電子写真感光体の帯電電位を制御する帯電電位制御手段とを有する電子写真装置であって、
該電子写真感光体について、以下の手順（１）～（８）によりＶ_１およびＶ_２を定めた時、該Ｖ_１および該Ｖ_２が下記式（Ｅ－４）で示される関係を満たし、
１００Ｖ_１＜Ｖ_２－Ｖ_１ （Ｅ－４）
該帯電電位制御手段は、該電圧印加手段によって印加される直流電圧の絶対値が７００Ｖ以上の範囲から選ばれる少なくとも２点の直流電圧と、該少なくとも２点の直流電圧における電荷移動量との関係から、画像形成時の該電子写真感光体の帯電電位を制御するように構成されている。
（１）該電子写真感光体を０．００５秒間帯電させる。
（２）（１）の帯電開始から０．０６秒後に測定して得られる帯電電位の絶対値をＶ_ｄ［Ｖ］とする。
（３）（１）の帯電開始から０．１８秒後に再び帯電電位の絶対値が該Ｖ_ｄとなるように該電子写真感光体を０．００５秒間帯電させる。
（４）（３）の帯電開始から０．０２秒後に波長が８０５ｎｍで光量が０．５μＪ／ｃｍ^２の光で露光する。
（５）（３）の帯電開始から０．０６秒後に測定して得られる帯電電位の絶対値を残留電位Ｖ_ｒ［Ｖ］とする。
（６）該Ｖ_ｄを１００Ｖから１０００Ｖまで５０Ｖの間隔で変化させながら（１）～（５）の手順を繰り返し行い、各該Ｖ_ｄに対応する該Ｖ_ｒを測定する。
（７）（６）で得られた該Ｖ_ｄおよび該Ｖ_ｒについて、横軸を該Ｖ_ｄ、縦軸を該Ｖ_ｒとしてプロットして得たであるグラフを下記式（Ｅ－１）で近似することで、下記式（Ｅ－１）中の定数Ａ、ｍ、τを決定する。

（８）（７）で決定した該定数Ａ、ｍ、τを用いて下記式（Ｅ－２）および（Ｅ－３）により計算される電圧をそれぞれ該Ｖ_１、該Ｖ_２とする。

（式（Ｅ－２）中、Ｖ_minは該電荷移動量検知手段の精度で決まる数値である。）

一般に、電子写真感光体を実際の画像形成プロセスにおいて帯電および露光したとき、電子写真感光体の帯電電位は必ずしも０にはならない。露光量が大きい場合の露光部における電位は特に残留電位と呼ばれる。

本発明においては、残留電位Ｖ_ｒを次の手順により定めた。
（１）該電子写真感光体を０．００５秒間帯電させる。
（２）（１）の帯電開始から０．０６秒後に測定して得られる帯電電位の絶対値をＶ_ｄ［Ｖ］とする。
（３）（１）の帯電開始から０．１８秒後に再び帯電電位の絶対値が該Ｖ_ｄとなるように該電子写真感光体を０．００５秒間帯電させる。
（４）（３）の帯電開始から０．０２秒後に波長が８０５ｎｍで光量が０．５μＪ／ｃｍ^２の光で露光する。
（５）（３）の帯電開始から０．０６秒後に測定して得られる帯電電位の絶対値を残留電位Ｖｒ［Ｖ］とする。

本発明者らは、Ｖ_ｄを１００Ｖから１０００Ｖまで５０Ｖの間隔で変化させながら、上記（１）～（５）の手順に従い、Ｖ_ｄと残留電位Ｖ_ｒとの関係を調べた結果、両者の関係を下記式（Ｅ－１）によって近似できることを見出した。

ここで、定数Ａは、式（Ｅ－１）においてＶ_ｄ＝０を代入したときの残留電位Ｖ_ｒに対応し、横軸をＶ_ｄ、縦軸をＶ_ｒとして、図２に示すようなグラフを描いたときに、式（Ｅ－１）が表す近似関数が縦軸と交わる切片を意味している。
また、定数ｍは式（Ｅ－１）が表す近似関数においてＶ_ｄ＝０およびＶ_ｄ＝１０００の２点を結んだ直線の傾きを意味している。
さらに、定数τは式（Ｅ－１）が表す近似関数において、関数の直線性を表しており、特にτ→±∞の極限において、式（Ｅ－１）が表す近似関数は直線になる。

また本発明者らは、種々の電子写真感光体について上記の近似関数を用いた解析を試みた結果、電子写真感光体の構成によって、式（Ｅ－１）の定数Ａ、ｍ、τの値が異なることを見出した。

さらに、後述する帯電電位制御手段によって画像形成時の電子写真感光体の帯電電位を制御した場合に、高精度と短時間とが両立される条件が、これらの定数の値をもとに算出できることを見出した。

以下、上記の条件について詳細に記載する。
本発明では、電子写真感光体の帯電電位を検知するのではなく、放電による単位時間あたりの電荷移動量を検知する構成を用いる。電子写真感光体への放電による単位時間あたりの電荷移動量Ｉは、電子写真感光体のＶ_ｄと残留電位Ｖ_ｒの差に比例し、下記式（Ｅ－５）により表すことができる。

（式（Ｅ－５）中、ｋは電子写真感光体の容量等によって決まる定数である。）

さらに式（Ｅ－５）において、ΔＶは式（Ｅ－１）の関係を用いると、下記式（Ｅ－６）で表すことができる。

後述するように、電荷移動量検知手段は、電子写真装置に固有な最小検知可能電位差を有する。最小検知可能電位差の絶対値をＶ_ｍｉｎとすると、電子写真感光体のＶ_ｄと残留電位Ｖ_ｒの差がちょうどＶ_ｍｉｎに合致するときの帯電電位の絶対値が、検知が可能な最小の帯電電位の絶対値である。この検知が可能な最小の帯電電位の絶対値をＶ_１とすると、式（Ｅ－６）から、下記式（Ｅ－７）を導くことができる。

Ｖ_１は電子写真装置本体における検知可能な電荷移動量の下限値をもとに計算される帯電電位の絶対値の下限値である。式（Ｅ－７）をＶ_１について解くと、下記式（Ｅ－２）が得られる。

また式（Ｅ－６）で示される関係は、横軸をＶ_ｄ、縦軸をΔＶとして描くと、図３に示されるようなグラフで表される。図３に示されるようなグラフは、式（Ｅ－６）から明らかなように傾きが必ずしも一定でなく、Ｖ_ｄが大きくなるにつれて傾きも変化する。このことから、Ｖ_ｄが大きな領域で、前述の従来技術のように放電開始電圧を推定すると、実際の放電開始電圧に対してずれΔを生じる。このずれΔはその絶対値が小さいほど、検知の精度が高いことを意味する。そこで、ずれΔの絶対値が所定の値に達するときの帯電電位の絶対値をＶ_２として、Ｖ_２によって高精度な帯電電位制御が可能な上限条件を規定する。すなわち、Ｖ_２は電子写真感光体の特性をもとに計算した、所望の精度を得るための帯電電位の絶対値の上限条件である。

Ｖ_２は次のように計算される。まず、式（Ｅ－６）をＶ_ｄで微分すると、下記式（Ｅ－８）が得られる。

式（Ｅ－８）で求められる値は、図３に示すグラフにおける任意の点における接線の傾きを意味するから、Ｖ_ｄ＝Ｖ_２における接線の方程式は、下記式（Ｅ－９）となる。

したがって、式（Ｅ－９）で表される接線の横軸との切片は、ΔＶ＝０として、下記式（Ｅ－１０）で表される。

式（Ｅ－１０）をＶ_ｄについて解きＶ_ｄ＝Δとおくと、下記式（Ｅ－１１）が得られる。

高精度に帯電電位を制御するためのずれΔの絶対値は、一般的な電子写真装置では３０Ｖ以内であることが必要である。τが正の時、図２に示したようにＶ_ｄとＶ_ｒとの関係は、下に凸の関数になるため、図３に示したようにＶ_ｄとΔＶとの関係は上に凸の関数になる。したがって、式（Ｅ－９）で表される接線の横軸との切片は負の値をとる。つまり、τが正の場合、Ｖ_２は、式（Ｅ－１１）に対してΔ＝－３０を代入し、さらに式（Ｅ－１１）をＶ_２について解くことで得られ、下記式（Ｅ－３－ａ）で表すことができる（Ｖ_２＞０）。

一方、τが負の時、Ｖ_ｄとΔＶとの関係は下に凸の関数になる。したがって、式（Ｅ－９）で表される接線の横軸との切片は正の値をとる。つまり、τが負の場合、Ｖ_２は、式（Ｅ－１１）に対してΔ＝３０を代入し、さらに式（Ｅ－１１）をＶ_２について解くことで得られ、下記式（Ｅ－３－ｂ）で表すことができる（Ｖ_２＞０）。

以上から、Ｖ_２はτの正負によって場合分けされ、下記式（Ｅ－３）が得られる。

次に、前述のＶ_１とＶ_２との関係について説明する。Ｖ_１およびＶ_２によって規定されるＶ_ｄの範囲は、本発明における電荷移動量検知手段の検知下限、すなわちＶ_１よりも十分に広く設けられることが必要であり、本発明者らが検討した結果、下記条件式（Ｅ－４）を満たす必要があることが分かった。すなわち、画像形成時の電子写真感光体の帯電電位を制御した場合に、高精度と短時間とが両立される条件は、下記式（Ｅ－４）を満たすことである。
１００Ｖ_１＜Ｖ_２－Ｖ_１ （Ｅ－４）

これまで述べてきたように、放電による単位時間あたりの電荷移動量を検知することで子写真感光体の残留電位が、帯電電位の上昇とともに変化することにある。したがって、このずれΔを小さく抑制する別の手法として、十分に長い露光時間を与えて残留電位を０に近づける制御を実施すれば、高精度に帯電電位を制御することが可能である。しかしながら、この手法を用いた場合、残留電位を０にするまでの制御時間が長くなり、ダウンタイムの増大につながるため、高精度化と短時間化との両立は達成できない。

本発明において、より高精度に帯電電位を制御するためには、ずれΔは、１０Ｖ以内であることが好ましい。この場合、先に述べた場合と同様にして、式（Ｅ－１１）にΔ＝－１０またはΔ＝１０を代入することで、下記式（Ｅ－１２）で表されるＶ_２´が得られる。

したがって、上記Ｖ_２´と、式（Ｅ－２）で表されるＶ１とが、下記式（Ｅ－１３）で表される関係を満足することが、画像形成時の電子写真感光体の帯電電位をより高精度に制御するために好ましい。
１００Ｖ_１＜Ｖ_２´－Ｖ_１ （Ｅ－１３）

本発明において、電子写真感光体の特性として、帯電電位によらず残留電位の絶対値は低いことが式（Ｅ－２）で表される下限条件をより小さくし、式（Ｅ－３）で表される上限条件をより大きくできるため好ましい。特に定数Ａの絶対値は小さいことが好ましく、具体的には、定数Ａは１５以下であることが好ましい。

また本発明において、電子写真感光体の特性として、帯電電位に対する残留電位の変化の傾きは小さいことが好ましい。すなわち定数ｍは小さいことが、式（Ｅ－２）で表される下限条件をより小さくし、式（Ｅ－３）で表される上限条件をより大きくできるため好ましい。具体的には、定数ｍは０．０５以下であることが好ましい。

さらに本発明において、電子写真感光体の特性を表す定数τの絶対値は大きいことが、式（Ｅ－２）で表される下限条件をより小さくし、式（Ｅ－３）で表される上限条件をより大きくできるため好ましい。具体的には、定数τの絶対値は４０００以上であることが好ましい。

本発明における電圧印加手段は、電子写真感光体を帯電するための帯電手段であってもよいし、トナーを前記電子写真感光体の表面から転写材に転写するための転写手段であってもよいし、帯電手段および転写手段とは別にこれを設けてもよい。また本発明における導電性部材は、電子写真感光体を帯電するための帯電部材であってもよいし、転写部材であってもよいし、これらとは別に設けてもよい。

中でも、電圧印加手段は、電子写真感光体を帯電するための帯電手段であり、かつ、導電性部材は帯電部材であることが好ましい。また、電圧印加手段は、トナーを前記電子写真感光体の表面から転写材に転写するための転写手段であり、かつ、導電性部材は転写部材であることが好ましい。

また、電圧印加手段が電子写真感光体を帯電するための帯電手段であり、かつ、導電性部材が帯電部材である場合、帯電部材は帯電ローラーであることが好ましい。

また、電圧印加手段がトナーを前記電子写真感光体の表面から転写材に転写するための転写手段であり、かつ、導電性部材が転写部材である場合、転写部材は転写ローラーであることが好ましい。

本発明に係る電子写真装置は、このほかに像露光手段、現像手段、定着手段、およびクリーニング手段等を設けても良い。像露光手段は、電子写真感光体の表面に像露光光を照射して電子写真感光体の表面に静電潜像を形成するための手段である。また、現像手段は、静電潜像をトナーによって現像して電子写真感光体の表面にトナー像を形成するための手段である。また、定着手段は、転写手段によってトナー像が転写された転写材に対して、トナー像を定着処理する手段である。また、またクリーニング手段は、転写後の電子写真感光体の表面に残ったトナー等の付着物を除去するための手段である。

図４に電圧印加手段が帯電手段であり、導電性部材が帯電部材である場合の、本発明に係る電子写真装置の概略構成の一例を示す。

円筒状の電子写真感光体１は、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。電子写真感光体１の表面は、帯電手段１３により、帯電部材３を介した放電によって正または負の所定電位に帯電される。帯電された電子写真感光体１の表面には、露光手段（不図示）から露光光４が照射され、目的の画像情報に対応した静電潜像が形成される。電子写真感光体１の表面に形成された静電潜像は、現像手段５内に収容されたトナーで現像され、電子写真感光体１の表面にはトナー像が形成される。電子写真感光体１の表面に形成されたトナー像は、転写手段１６が搭載する転写部材６によって転写材７に転写される。トナー像が転写された転写材７は、定着手段８へ搬送され、トナー像の定着処理を受け、電子写真装置の外へプリントアウトされる。

電子写真装置は、転写後の電子写真感光体１の表面に残ったトナー等の付着物を除去するための、クリーニング手段９を有していてもよい。また、クリーニング手段９を別途設けず、上記付着物を現像手段５等で除去する、所謂、クリーナーレスシステムを用いてもよい。

電子写真装置は、電子写真感光体１の表面を、前露光手段（不図示）からの前露光光１０により除電処理する除電機構を有していてもよい。また、プロセスカートリッジ１１を電子写真装置本体に着脱するために、レール等の案内手段１２を設けてもよい。

帯電手段１３が電圧印加手段であり、導電性部材が帯電部材３である場合の電子写真装置は、さらに電荷移動量検知手段１４を有する。

電荷移動量検知手段１４は、帯電部材３から電子写真感光体１への放電による単位時間あたりの電荷移動量を検知する。電荷移動量検知手段１４の検出部は、帯電部材３と電子写真感光体１と間で直流電圧印加時に流れる電荷移動量を電圧に変換する検出回路と、変換された電圧信号を増幅し、放電検出信号としてＣＰＵに出力するアンプとで構成される。ＣＰＵは、アンプからの放電検出信号をＡ／Ｄ変換器によってＡ／Ｄ変換する。このＡ／Ｄ変換されたアンプの出力から、ＣＰＵは、発生した電流の大きさ（帯電部材と電子写真感光体間に流れた電流の大きさ）を認識し、電子写真感光体１の１周の時間Ｔ（ｍｓ）で平均化した電流値を出力することができる。

なお、図２においては、電圧印加時に帯電部材側に流れる電荷移動量を検出する構成となっているが、電圧印加時に電子写真感光体１側に流れる電荷移動量を検出する構成としてもよい。

また電荷移動量検知手段１４は、電子写真装置に固有な最小検知可能電位差を有する。これは次のように算出できる。電荷移動量検知手段１４は、電気的なＡＣ成分によるノイズや回路抵抗の温度変化、電子写真感光体１や帯電部材３の回転ムラにより、前述の単位時間あたりの電荷移動量が低い場合では、帯電部材３から電子写真感光体１への放電による電荷移動量を検知できない。よって、検知可能な最小の単位時間あたりの電荷移動量Ｉ_ｍｉｎが存在する。Ｉ_ｍｉｎの測定方法については特に限定されないが、例えば、次のようにして測定することができる。まず、画像形成中の直流電圧（例えば－１１００Ｖ）を電子写真感光体１に印加する。そして、温湿度３２．５℃８０％の高温高湿度環境下および温湿度１５℃１０％の低温低湿度環境下のそれぞれにおいて、ドラムモータを駆動させたときの上記単位時間あたりの電荷移動量を、電子写真感光体１を１０周させてサンプリングする。続いて、上記単位時間あたりの電荷移動量の最大値と最小値との差を、検出可能な最小の単位時間あたりの電荷移動量Ｉ_ｍｉｎとすることができる。

さらにＩ_ｍｉｎは最小検知可能電位差に変換することができる。その方法については特に限定されないが、例えば次のような方法等がある。まず、（１）電子写真感光体１の回転速度ｖ、電子写真感光体１の電荷輸送層の膜厚ｄ、電子写真感光体１の誘電率εを基にＱ＝ＣＶを解く。ここでＱは電荷量、Ｃは静電容量、Ｖは帯電電位である。続いて、（２）温湿度および気圧を考慮して確実に放電開始電圧を超える帯電電圧Ｖ_aおよびＶ_ｂを印加し、その時の単位時間あたりの電荷移動量Ｉ_aおよびＩ_ｂを測定し、下記式（Ｅ－１４）によってＶ_ｍｉｎを算出する。
Ｖ_ｍｉｎ＝｜Ｉ_ｍｉｎ×（Ｖ_a－Ｖ_ｂ）/（Ｉ_a－Ｉ_ｂ）｜ （Ｅ－１４）

本発明において、電子写真装置は、帯電電位制御手段１５を有する。帯電電位制御手段１５は、電圧印加手段によって印加される直流電圧の絶対値が７００Ｖ以上の範囲から選ばれる少なくとも２点の直流電圧と、該少なくとも２点の直流電圧における電荷移動量との関係から、画像形成時の電子写真感光体１の帯電電位を制御する。

本発明で用いられる帯電電位制御手段１５において、帯電電位を制御するための制御変数を決定する方法については特に限定されないが、例えば次の（１）および（２）のような方法等が挙げられる。
（１）少なくとも２点における直流電圧と単位時間あたりの電荷移動量との関係から、放電開始電圧Ｖ_ｔｈを推定し、帯電電位の制御目標値Ｖ_ｔｄに対し、下記式（Ｅ－１５）に基づき、画像形成時に印加する直流電圧Ｖ_ＤＣを決定する方法。
Ｖ_ＤＣ＝Ｖ_ｔｈ＋Ｖ_ｔｄ （Ｅ－１５）
（２）少なくとも２点における直流電圧と単位時間あたりの電荷移動量の関係から、下記式（Ｅ－１６）で表される傾きＳを算出し、下記式（Ｅ－１７）に基づいて単位時間あたりの電荷移動量の狙い値Ｉ_ｔを決定する方法。
Ｓ＝（Ｉ_ｐ－Ｉ_ｑ）／（Ｖ_ｐ－Ｖ_ｑ） （Ｅ－１６）
Ｉ_ｔ＝Ｓ×Ｖ_ｔｄ （Ｅ－１７）

帯電電位制御手段１５は、電圧印加手段によって印加される絶対値が７００Ｖ以上の範囲から選ばれる少なくとも２点の直流電圧と、該少なくとも２点の直流電圧における電荷移動量との関係から、画像形成時に印加する直流電圧を制御することが好ましい。

また帯電電位制御手段１５は、電圧印加手段によって印加される絶対値が７００Ｖ以上の範囲から選ばれるｎ点における直流電圧と、該ｎ点における直流電圧における電荷移動量の関係を自由度ｎ以下の関数で近似し、該関数を校正曲線として画像形成時の該電子写真感光体の帯電電位を制御することが好ましい。ここで、ｎは２以上の整数である。この場合特に、上記関数は一次関数であることがより好ましい。

また本発明に係る電子写真装置は、次の条件を満たすことが、画像形成時の電子写真感光体の帯電電位をより高精度に制御するために好ましい。まず、前記電圧印加手段によって印加される、絶対値が７００Ｖ以上の範囲から選ばれる少なくとも２点の直流電圧のうち、絶対値が最も小さいものをＶ_{ＤＣ－ｍｉｎ}とし、絶対値が最も大きいものをＶ_{ＤＣ－ＭＡＸ}とする。また、該Ｖ_{ＤＣ－ｍｉｎ}における該電子写真感光体の帯電電位の絶対値をＶ_ｄｍとし、該Ｖ_{ＤＣ－ＭＡＸ}における該電子写真感光体の帯電電位の絶対値をＶ_ｄＭとする。このとき、該Ｖ_ｄｍおよび該Ｖ_ｄＭは、前記Ｖ_１より大きく前記Ｖ_２以下である。すなわち、該Ｖ_ｄｍおよび該Ｖ_ｄＭと、前記Ｖ_１および前記Ｖ_２とは、下記式（Ｅ－１８）で示される関係を満たすことが好ましい。
Ｖ_１＜Ｖ_ｄｍ＜Ｖ_ｄＭ≦Ｖ_２ （Ｅ－１８）

また、該Ｖ_ｄｍおよび該Ｖ_ｄＭと、前記Ｖ_１および前記Ｖ_２´とは、下記式（Ｅ－１９）で示される関係を満たすことがより好ましい。
Ｖ_１＜Ｖ_ｄｍ＜Ｖ_ｄＭ≦Ｖ_２´ （Ｅ－１９）

［電子写真感光体］
本発明で用いられる電子写真感光体を製造する方法としては、後述する各層の塗布液を調製し、所望の層の順番に支持体の上に塗布して、乾燥させる方法が挙げられる。このとき、塗布液の塗布方法としては、浸漬塗布、スプレー塗布、インクジェット塗布、ロール塗布、ダイ塗布、ブレード塗布、カーテン塗布、ワイヤーバー塗布、リング塗布等が挙げられる。これらの中でも、効率性および生産性の観点から、浸漬塗布が好ましい。
以下、支持体および各層について説明する。

＜支持体＞
本発明において、電子写真感光体は、導電性支持体を有する。また、支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、シート状等が挙げられる。中でも、円筒状支持体であることが好ましい。また、支持体の表面に、陽極酸化等の電気化学的な処理や、ブラスト処理、切削処理等を施してもよい。
支持体の材質としては、金属、樹脂、ガラス等が好ましい。
金属としては、アルミニウム、鉄、ニッケル、銅、金、ステンレスや、これらの合金等が挙げられる。中でも、アルミニウムを用いたアルミニウム製支持体であることが好ましい。
また、樹脂やガラスには、導電性材料を混合または被覆する等の処理によって、導電性を付与してもよい。

＜導電層＞
本発明において、支持体の上に導電層を設けてもよい。導電層を設けることで、支持体表面の傷や凹凸を隠蔽することや、支持体表面における光の反射を制御することができる。
導電層は、導電性粒子と、樹脂と、を含有することが好ましい。

導電性粒子の材質としては、金属酸化物、金属、カーボンブラック等が挙げられる。
金属酸化物としては、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化インジウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化ビスマス等が挙げられる。金属としては、アルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛、銀等が挙げられる。
これらの中でも、導電性粒子として、金属酸化物を用いることが好ましく、特に、酸化チタン、酸化スズ、酸化亜鉛を用いることがより好ましい。
導電性粒子として金属酸化物を用いる場合、金属酸化物の表面をシランカップリング剤等で処理したり、金属酸化物にリンやアルミニウム等元素やその酸化物をドーピングしたりしてもよい。
また、導電性粒子は、芯材粒子と、その粒子を被覆する被覆層とを有する積層構成としてもよい。芯材粒子としては、酸化チタン、硫酸バリウム、酸化亜鉛等が挙げられる。被覆層としては、酸化スズ等の金属酸化物が挙げられる。
また、導電性粒子として金属酸化物を用いる場合、その体積平均粒子径が、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましく、３ｎｍ以上４００ｎｍ以下であることがより好ましい。

樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等が挙げられる。
また、導電層は、シリコーンオイル、樹脂粒子、酸化チタン等の隠蔽剤等をさらに含有してもよい。

導電層の膜厚は、１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上４０μｍ以下であることが特に好ましい。

導電層は、上述の各材料および溶剤を含有する導電層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤等が挙げられる。導電層用塗布液中で導電性粒子を分散させるための分散方法としては、ペイントシェーカー、サンドミル、ボールミル、液衝突型高速分散機を用いた方法が挙げられる。

＜下引き層＞
本発明において、導電性支持体または導電層の上に、下引き層を設けてもよい。下引き層を設けることで、層間の接着機能が高まり、電荷注入阻止機能を付与することができる。

下引き層は、樹脂を含有することが好ましい。また、重合性官能基を有するモノマーを含有する組成物を重合することで硬化膜として下引き層を形成してもよい。

樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルフェノール樹脂、アルキッド樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリエチレンオキシド樹脂、ポリプロピレンオキシド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミド酸樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、セルロース樹脂等が挙げられる。

重合性官能基を有するモノマーが有する重合性官能基としては、イソシアネート基、ブロックイソシアネート基、メチロール基、アルキル化メチロール基、エポキシ基、金属アルコキシド基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、チオール基、カルボン酸無水物基、炭素－炭素二重結合基等が挙げられる。

これらの中でも、ポリアミド樹脂が好ましく、アルコール系溶剤に可溶なポリアミド樹脂が好ましい。例えば、３元系（６－６６－６１０）共重合ポリアミド、４元系（６－６６－６１０－１２）共重合ポリアミド、Ｎ－メトキシメチル化ナイロン、重合脂肪酸系ポリアミド、重合脂肪酸系ポリアミドブロック共重合体、ジアミン成分を有する共重合ポリアミド等が好ましく用いられる。

また、下引き層は、電気特性を高める目的で、電子輸送物質、金属酸化物、金属、導電性高分子等をさらに含有してもよい。これらの中でも、電子輸送物質、金属酸化物を用いることが低電界においても電荷発生層中の電荷の引き抜き効果が得られるため好ましい。
電子輸送物質としては、キノン化合物、イミド化合物、ベンズイミダゾール化合物、シクロペンタジエニリデン化合物、フルオレノン化合物、キサントン化合物、ベンゾフェノン化合物、シアノビニル化合物、ハロゲン化アリール化合物、シロール化合物、含ホウ素化合物等が挙げられる。電子輸送物質として、重合性官能基を有する電子輸送物質を用い、上述の重合性官能基を有するモノマーと共重合させることで、硬化膜として下引き層を形成してもよい。
金属酸化物としては、酸化インジウムスズ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素等が挙げられる。金属としては、金、銀、アルミ等が挙げられる。
また、下引き層は、添加剤をさらに含有してもよい。

下引き層の膜厚は、０．１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、０．２μｍ以上５μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以上３μｍ以下であることが特に好ましい。

下引き層は、上述の各材料および溶剤を含有する下引き層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥および／または硬化させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤等が挙げられる。

＜感光層＞
電子写真感光体の感光層は、主に、（１）積層型感光層と、（２）単層型感光層とに分類される。（１）積層型感光層は、電荷発生物質を含有する電荷発生層と、電荷輸送物質を含有する電荷輸送層と、を有する感光層である。（２）単層型感光層は、電荷発生物質と電荷輸送物質を共に含有する感光層である。

（１）積層型感光層
積層型感光層は、電荷発生層と、電荷輸送層と、を有する。

（１－１）電荷発生層
電荷発生層は、電荷発生物質と、樹脂と、を含有することが好ましい。

電荷発生物質としては、アゾ顔料、ペリレン顔料、多環キノン顔料、インジゴ顔料、フタロシアニン顔料等が挙げられる。これらの中でも、フタロシアニン顔料が好ましい。フタロシアニン顔料の中でも、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料またはチタニルフタロシアニン顔料が好ましい。

電荷発生物質としてフタロシアニン顔料を用いる場合において、該フタロシアニン顔料の調製におけるミリング処理において分散剤を用いる場合、その分散剤の量は、質量基準でフタロシアニン顔料の１０～５０倍が好ましい。また、用いられる溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルホルムアミド、Ｎ－メチルアセトアミド、Ｎ－メチルプロピオアミド等のアミド系溶剤、クロロホルム等のハロゲン系溶剤、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶剤等が挙げられる。また、溶剤の使用量は、質量基準でフタロシアニン顔料の５～３０倍が好ましい。

樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、セルロース樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。これらの中でも、ポリビニルブチラール樹脂がより好ましい。

また、電荷発生層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤等の添加剤をさらに含有してもよい。具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物等が挙げられる。

本発明の電荷発生層の平均膜厚は、０．１２μｍ以上であることが帯電電位の大きさによらず残留電位を低く安定させる点で好ましく、０．１４μｍ以上であることがより好ましい。

電荷発生層は、上述の各材料および溶剤を含有する電荷発生層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤等が挙げられる。

（１－２）電荷輸送層
電荷輸送層は、電荷輸送物質と、樹脂と、を含有することが好ましい。

電荷輸送物質としては、例えば、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、エナミン化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物や、これらの物質から誘導される基を有する樹脂等が挙げられる。これらの中でも、本願の効果を得るにはイオン化ポテンシャルが５．２ｅＶ以上５．４ｅＶ以下である化合物が好ましい。５．２ｅＶより小さいと電界強度依存性を表すαが大きく耐久後にメモリ現象が悪化する場合があり、５．４ｅＶより大きいと、残留電位が上がる場合があった。
イオン化ポテンシャルの測定は、理研計器（株）製の大気中光電子分光装置（商品名：ＡＣ－２）を用いて、電子を放出する閾値エネルギーを測定してイオン化ポテンシャルを測定した。

電荷輸送層中の電荷輸送物質の含有量は、電荷輸送層の全質量に対して、２５質量％以上７０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以上５５質量％以下であることがより好ましい。

樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂等が挙げられる。これらの中でも、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂が好ましい。ポリエステル樹脂としては、特にポリアリレート樹脂が好ましい。
電荷輸送物質と樹脂との含有量比（質量比）は、４：１０～２０：１０が好ましく、５：１０～１２：１０がより好ましい。

また、電荷輸送層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、レベリング剤、滑り性付与剤、耐摩耗性向上剤等の添加剤を含有してもよい。具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物、シロキサン変性樹脂、シリコーンオイル、フッ素樹脂粒子、ポリスチレン樹脂粒子、ポリエチレン樹脂粒子、シリカ粒子、アルミナ粒子、窒化ホウ素粒子等が挙げられる。

電荷輸送層の平均膜厚は、５μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましく、８μｍ以上１７μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以上１４μｍ以下であることが特に好ましい。

電荷輸送層は、上述の各材料および溶剤を含有する電荷輸送層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。これらの溶剤の中でも、エーテル系溶剤または芳香族炭化水素系溶剤が好ましい。

（２）単層型感光層
単層型感光層は、電荷発生物質、電荷輸送物質、樹脂および溶剤を含有する感光層用塗布液を調製し、この塗膜を下引き層上に形成し、乾燥させることで形成することができる。電荷発生物質、電荷輸送物質、樹脂としては、上記「（１）積層型感光層」における材料の例示と同様である。

＜保護層＞
本発明において、感光層の上に、保護層を設けてもよい。保護層を設けることで、耐久性を向上することができる。
保護層は、導電性粒子および／または電荷輸送物質と、樹脂とを含有することが好ましい。

導電性粒子としては、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム等の金属酸化物の粒子が挙げられる。
電荷輸送物質としては、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、エナミン化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物や、これらの物質から誘導される基を有する樹脂等が挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物が好ましい。

樹脂としては、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。中でも、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂が好ましい。

また、保護層は、重合性官能基を有するモノマーを含有する組成物を重合することで硬化膜として形成してもよい。その際の反応としては、熱重合反応、光重合反応、放射線重合反応等が挙げられる。重合性官能基を有するモノマーが有する重合性官能基としては、アクリロイル基、メタクリロイル基等が挙げられる。重合性官能基を有するモノマーとして、電荷輸送能を有する材料を用いてもよい。

保護層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、レベリング剤、滑り性付与剤、耐摩耗性向上剤、等の添加剤を含有してもよい。具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物、シロキサン変性樹脂、シリコーンオイル、フッ素樹脂粒子、ポリスチレン樹脂粒子、ポリエチレン樹脂粒子、シリカ粒子、アルミナ粒子、窒化ホウ素粒子等が挙げられる。

保護層の平均膜厚は、０．５μｍ以上５μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。

保護層は、上述の各材料および溶剤を含有する保護層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥および／または硬化させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、スルホキシド系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。

本発明に用いられる電子写真感光体は、支持体と、下引き層と、電荷発生層と、電荷輸送層と、をこの順に有し、該下引き層は、ポリアミド樹脂と、金属酸化物粒子とを含有することが好ましい。また、前記金属酸化物粒子は、酸化チタン粒子であり、該酸化チタン粒子の形状は球形であることが好ましく、その平均一次粒径は、電荷の蓄積の抑制と均一分散性という観点から、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。また、前記下引き層の膜厚は、０．５μｍ以上３．０μｍ以下であることが好ましい。
上記酸化チタン粒子を構成する酸化チタンの結晶構造は、残留電位上昇の抑制という観点から、ルチル型またはアナターゼ型であることが好ましく、光触媒活性の弱いルチル型であることがより好ましい。ルチル型である場合、ルチル化率９０％以上であることが好ましい。酸化チタン粒子は、分散性の観点からシランカップリング剤等で処理をしてもよい。例えば、酸化チタン粒子がビニルシランで表面処理されていると、低電界においても電荷発生層中の電荷の引き抜き効果が得られることから残留電位がより低く安定するため好ましい。

さらに、前記電荷発生層は、チタニルフタロシアニン顔料を含有し、該チタニルフタロシアニン顔料は、次の条件を満たすチタニルフタロシアニン顔料であることが好ましい。すなわち、該ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおけるブラッグ角度２θの９．８°±０．３°および２７．１°±０．３°にピークを示す結晶型の結晶粒子を有する。さらに、該チタニルフタロシアニン顔料は、小角Ｘ線散乱を用いて測定した結晶粒子サイズ分布において５０ｎｍ～１５０ｎｍの範囲内にピークＡを有し、該ピークＡの半値幅が１００ｎｍ以下である。

また、前記電荷発生層は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を含有し、該ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、次の条件を満たすヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料であることが好ましい。すなわち、該ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおけるブラッグ角度２θの７．４°±０．３°および２８．２°±０．３°にピークを示す結晶型の結晶粒子を有する。さらに、該ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、小角Ｘ線散乱を用いて測定した結晶粒子サイズ分布において２０ｎｍ～５０ｎｍの範囲内にピークＢを有し、該ピークＢの半値幅は、５０ｎｍ以下である。

フタロシアニン顔料の粉末Ｘ線回折測定は、次の条件で行うことができる。
（粉末Ｘ線回折測定）
使用測定機：理学電気（株）製、Ｘ線回折装置ＲＩＮＴ－ＴＴＲＩＩ
Ｘ線管球：Ｃｕ
Ｘ線波長：Ｋα１
管電圧：５０ＫＶ
管電流：３００ｍＡ
スキャン方法：２θスキャン
スキャン速度：４．０°／ｍｉｎ
サンプリング間隔：０．０２°
スタート角度２θ：５．０°
ストップ角度２θ：３５．０°
ゴニオメータ：ローター水平ゴニオメータ（ＴＴＲ－２）
アタッチメント：キャピラリ回転試料台
フィルター：なし
検出器：シンチレーションカウンター
インシデントモノクロ：使用する
スリット：可変スリット（平行ビーム法）
カウンターモノクロメータ：不使用
発散スリット：開放
発散縦制限スリット：１０．００ｍｍ
散乱スリット：開放
受光スリット：開放

以下、実施例および比較例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。本発明は、その要旨を超えない限り、以下の実施例によって何ら限定されるものではない。なお、以下の実施例の記載において、「部」とあるのは特に断りのない限り質量基準である。

実施例および比較例に係る電子写真感光体の各層の膜厚は、電荷発生層を除き、渦電流式膜厚計（Ｆｉｓｃｈｅｒｓｃｏｐｅ、フィッシャーインスツルメント製）を用いる方法、または、単位面積当たりの質量から比重換算する方法で求めた。電荷発生層の膜厚は、マクベス濃度値と、断面ＳＥＭ画像観察による膜厚測定値から予め取得した校正曲線とを用いて、電子写真感光体のマクベス濃度値を換算することで測定した。ここで、マクベス濃度値は、電子写真感光体の表面に分光濃度計（商品名：Ｘ－Ｒｉｔｅ５０４／５０８、Ｘ－Ｒｉｔｅ製）を押し当てて測定した。

［下引き層用塗布液１の調製例］
ルチル型酸化チタン粒子（平均一次粒径：５０ｎｍ、テイカ製）１００部をトルエン５００部と攪拌混合し、メチルジメトキシシラン（東芝シリコーン社製「ＴＳＬ８１１７」）３．０部を添加し、８時間攪拌した。その後、トルエンを減圧蒸留にて留去し、３時間１２０℃で乾燥させることによって、メチルジメトキシシランで表面処理済みのルチル型酸化チタン粒子を得た。
続いて、以下の材料を用意した。
・前記メチルジメトキシシランで表面処理済みのルチル型酸化チタン粒子１８部
・Ｎ－メトキシメチル化ナイロン（商品名：トレジンＥＦ－３０Ｔ、ナガセケムテックス製）４．５部
・共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ製）１．５部
これらを、メタノール９０部と１－ブタノール６０部との混合溶剤に加えて分散液を調製した。この分散液について、直径１．０ｍｍのガラスビーズを用いて縦型サンドミルにて６時間分散処理を行った。サンドミル分散処理を行った分散液について、その後さらに超音波分散機（ＵＴ－２０５、シャープ製）にて１時間分散処理を行うことにより下引き層用塗布液１を調製した。該超音波分散機の出力は１００％とした。また、このミリング処理においてガラスビーズ等のメディアは用いなかった。

［下引き層用塗布液２の調製例］
下引き層用塗布液１の調製例において、サンドミル分散処理時間を４時間に変更した以外は、下引き層用塗布液１と同様にして、下引き層用塗布液２を調製した。

［下引き層用塗布液３の調製例］
ルチル型酸化チタン粒子（平均一次粒径：１５ｎｍ、テイカ製）１００部をトルエン５００部と攪拌混合し、さらにメチルジメトキシシラン（東芝シリコーン社製「ＴＳＬ８１１７」）９．６部を添加して８時間攪拌した。その後、トルエンを減圧蒸留にて留去し、３時間１２０℃で乾燥させることによって、メチルジメトキシシランで表面処理済みのルチル型酸化チタン粒子を得た。
続いて、以下の材料を用意した。
・前記メチルジメトキシシランで表面処理済みのルチル型酸化チタン粒子６部
・Ｎ－メトキシメチル化ナイロン（商品名：トレジンＥＦ－３０Ｔ、ナガセケムテックス製）４．５部
・共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ製）１．５部
これらを、メタノール９０部と１－ブタノール６０部との混合溶剤に加えて分散液を調製した。この分散液について、直径１．０ｍｍのガラスビーズを用いて縦型サンドミルにて６時間分散処理を行った。サンドミル分散処理を行った分散液について、その後さらに超音波分散機（ＵＴ－２０５、シャープ製）にて１時間分散処理を行うことにより下引き層用塗布液３を調製した。該超音波分散機の出力は１００％とした。また、このミリング処理においてガラスビーズ等のメディアは用いなかった。

［下引き層用塗布液４の調製例］
下引き層用塗布液２の調製例において、サンドミル分散処理時間を４時間に変更した以外は、下引き層用塗布液２と同様にして、下引き層用塗布液４を調製した。

［下引き層用塗布液５の調製例］
ルチル型酸化チタン粒子（平均一次粒径：３５ｎｍ、テイカ製）１００部をトルエン５００部と攪拌混合し、さらにメチルジメトキシシラン（東芝シリコーン社製「ＴＳＬ８１１７」）４．３２部を添加して８時間攪拌した。その後、トルエンを減圧蒸留にて留去し、３時間１２０℃で乾燥させることによって、メチルジメトキシシランで表面処理済みのルチル型酸化チタン粒子を得た。
続いて、以下の材料を用意した。
・前記メチルジメトキシシランで表面処理済みのルチル型酸化チタン粒子１２部
・Ｎ－メトキシメチル化ナイロン（商品名：トレジンＥＦ－３０Ｔ、ナガセケムテックス製）４．５部
・共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ製）１．５部
これらを、メタノール９０部と１－ブタノール６０部との混合溶剤に加えて分散液を調製した。この分散液について、直径１．０ｍｍのガラスビーズを用いて縦型サンドミルにて６時間分散処理を行った。サンドミル分散処理を行った液について、その後さらに超音波分散機（ＵＴ－２０５、シャープ製）にて１時間分散処理を行うことにより下引き層用塗布液５を調製した。該超音波分散機の出力は１００％とした。また、このミリング処理においてガラスビーズ等のメディアは用いなかった。

［下引き層用塗布液６の調製例］
下引き層用塗布液５の調製例において、サンドミル分散処理時間を４時間に変更した以外は、下引き層用塗布液５と同様にして、下引き層用塗布液６を調製した。

［下引き層用塗布液７の調製例］
ルチル型酸化チタン粒子（平均一次粒径：８０ｎｍ、テイカ製）１００部をトルエン５００部と攪拌混合し、さらにメチルジメトキシシラン（東芝シリコーン社製「ＴＳＬ８１１７」）１．８部を添加して８時間攪拌した。その後、トルエンを減圧蒸留にて留去し、３時間１２０℃で乾燥させることによって、メチルジメトキシシランで表面処理済みのルチル型酸化チタン粒子を得た。
続いて、以下の材料を用意した。
・前記メチルジメトキシシランで表面処理済みのルチル型酸化チタン粒子１８部
・Ｎ－メトキシメチル化ナイロン（商品名：トレジンＥＦ－３０Ｔ、ナガセケムテックス製）４．５部
・共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ製）１．５部
これらを、メタノール９０部と１－ブタノール６０部との混合溶剤に加えて分散液を調製した。この分散液について、直径１．０ｍｍのガラスビーズを用いて縦型サンドミルにて６時間分散処理を行った。サンドミル分散処理を行った液について、その後さらに超音波分散機（ＵＴ－２０５、シャープ製）にて１時間分散処理を行うことにより下引き層用塗布液７を調製した。該超音波分散機の出力は１００％とした。また、このミリング処理においてガラスビーズ等のメディアは用いなかった。

［下引き層用塗布液８の調製例］
下引き層用塗布液７の調製例において、サンドミル分散処理時間を４時間に変更した以外は、下引き層用塗布液７と同様にして、下引き層用塗布液８を調製した。

［下引き層用塗布液９の調製例］
ルチル型酸化チタン粒子（平均一次粒径：１２０ｎｍ、テイカ製）１００部をトルエン５００部と攪拌混合し、さらにメチルジメトキシシラン（東芝シリコーン社製「ＴＳＬ８１１７」）１．８部を添加して８時間攪拌した。その後、トルエンを減圧蒸留にて留去し、３時間１２０℃で乾燥させることによって、メチルジメトキシシランで表面処理済みのルチル型酸化チタン粒子を得た。
続いて、以下の材料を用意した。
・前記メチルジメトキシシランで表面処理済みのルチル型酸化チタン粒子１８部
・Ｎ－メトキシメチル化ナイロン（商品名：トレジンＥＦ－３０Ｔ、ナガセケムテックス製）４．５部
・共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ製）１．５部
これらを、メタノール９０部と１－ブタノール６０部との混合溶剤に加えて分散液を調製した。この分散液について、直径１．０ｍｍのガラスビーズを用いて縦型サンドミルにて６時間分散処理を行った。サンドミル分散処理を行った液について、その後さらに超音波分散機（ＵＴ－２０５、シャープ製）にて１時間分散処理を行うことにより下引き層用塗布液９を調製した。該超音波分散機の出力は１００％とした。また、このミリング処理においてガラスビーズ等のメディアは用いなかった。

［下引き層用塗布液１０の調製例］
下引き層用塗布液１の調製例において、メチルジメトキシランをビニルトリメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ－１００３、信越化学製）に変更した以外は、下引き層用塗布液１と同様にして、下引き層用塗布液１０を調製した。

［下引き層用塗布液１１の調製例］
下引き層用塗布液１０の調製例において、サンドミル分散処理時間を４時間に変更した以外は、下引き層用塗布液１０と同様にして、下引き層用塗布液１１を調製した。

［下引き層用塗布液１２の調製例］
以下の材料を用意した。
・ルチル型酸化チタン粒子（平均一次粒径：５０ｎｍ、テイカ製）１８部
・Ｎ－メトキシメチル化ナイロン（商品名：トレジンＥＦ－３０Ｔ、ナガセケムテックス製）４．５部
・共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ製）１．５部
これらを、メタノール９０部と１－ブタノール６０部との混合溶剤に加えて分散液を調製した。この分散液について、直径１．０ｍｍのガラスビーズを用いて縦型サンドミルにて６時間分散処理を行った。こうしてサンドミル分散処理を行った液について、その後さらに超音波分散機（ＵＴ－２０５、シャープ製）にて１時間分散処理を行うことにより下引き層用塗布液１２を調製した。該超音波分散機の出力は１００％とした。また、このミリング処理においてガラスビーズ等のメディアは用いなかった。

［下引き層用塗布液１３の調製例］
Ｎ－メトキシメチル化ナイロン６（商品名：トレジンＥＦ－３０Ｔ、ナガセケムテックス製）２５部をメタノール／ｎ－ブタノール＝２／１混合溶液４８０部に６５℃で加熱して溶解させた。その後、これにより得られた溶液を室温まで冷却した。その後、冷却して得た溶液をメンブランフィルター（商品名：ＦＰ－０２２、孔径：０．２２μｍ、住友電気工業製）で濾過して、下引き層用塗布液１３を調製した。

［フタロシアニン顔料の合成］
［合成例１］
窒素フローの雰囲気下、オルトフタロニトリル５．４６部およびα－クロロナフタレン４５部を反応釜に投入した後、加熱して温度３０℃まで昇温させ、温度３０℃を維持した。次に、この温度３０℃で三塩化ガリウム３．７５部を反応釜に投入した。投入時の反応釜中の混合液の水分濃度は１５０ｐｐｍであった。その後、反応釜の温度を２００℃まで昇温させた。次に、窒素フローの雰囲気下、温度２００℃で４．５時間反応させた後、冷却し、温度１５０℃に達したときに生成物を濾過した。得られた濾過物をＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミドを用いて温度１４０℃で２時間分散洗浄した後、濾過した。得られた濾過物をメタノールで洗浄した後、乾燥させ、クロロガリウムフタロシアニン顔料を収率７１％で得た。

［合成例２］
前記合成例１で得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料４．６５部を、温度１０℃で濃硫酸１３９．５部に溶解させた。得られた溶液を、氷水６２０部中に攪拌下で滴下して再析出させ、析出物を含む溶液を、フィルタープレスを用いて減圧濾過した。このときにフィルターとして、Ｎｏ．５Ｃ（アドバンテック社製）を用いた。得られた濾過物を２％アンモニア水で３０分間分散洗浄した後、フィルタープレスを用いて濾過した。次いで、得られた濾過物をイオン交換水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いた濾過を３回繰り返した。最後に凍結乾燥を行い、固形分２３％のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料）を収率９７％で得た。

［合成例３］
前記合成例２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料６．６ｋｇをハイパー・ドライ乾燥機（商品名：ＨＤ－０６Ｒ、周波数（発振周波数）：２４５５ＭＨｚ±１５ＭＨｚ、日本バイオコン製）を用いて以下のように乾燥させた。

上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を、専用円形プラスチックトレイにフィルタープレスから取り出したままの固まりの状態（含水ケーキ厚４ｃｍ以下）で載せ、遠赤外線はオフ、乾燥機の内壁の温度は５０℃になるように設定した。そして、マイクロ波照射時は真空ポンプとリークバルブを調整し、真空度が４．０～１０．０ｋＰａの範囲内となるように調整した。

先ず、第１工程として、４．８ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に５０分間照射し、次に、マイクロ波を一旦オフにしてリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この時点でのヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の固形分は８８％であった。

第２工程として、リークバルブを調整し、真空度（乾燥機内の圧力）を上記設定値（４．０～１０．０ｋＰａ）内に調整した。その後、１．２ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に５分間照射し、また、マイクロ波を一旦オフにしてリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この第２工程をさらに１回繰り返した（計２回）。この時点でのヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の固形分は９８％であった。

さらに第３工程として、第２工程でのマイクロ波の出力を１．２ｋＷから０．８ｋＷに変更した以外は第２工程と同様にしてマイクロ波照射を行った。この第３工程をさらに１回繰り返した（計２回）。

さらに第４工程として、リークバルブを調整し、真空度（乾燥機内の圧力）を上記設定値（４．０～１０．０ｋＰａ）内に復圧した。その後、０．４ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に３分間照射し、また、マイクロ波を一旦オフにしてリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この第４工程をさらに７回繰り返した（計８回）。

以上、合計３時間で、含水率１％以下のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（結晶）を１．５２ｋｇ得た。

［合成例４］
α－クロロナフタレン１００ｇ中、ｏ－フタロジニトリル５．０ｇおよび四塩化チタン２．０ｇを２００℃にて３時間加熱攪拌した後、５０℃まで冷却した。冷却により析出した結晶を濾別してジクロロチタニウムフタロシアニンのペーストを得た。次に得られたペーストを、１００℃に加熱したＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド１００ｍＬで攪拌洗浄し、次いで６０℃のメタノール１００ｍＬで２回洗浄を繰り返した後、濾別した。さらに濾別により得られたペーストを脱イオン水１００ｍＬ中８０℃で１時間攪拌し、濾別して青色のチタニルフタロシアニン顔料を４．３ｇ得た。
次に得られた青色のチタニルフタロシアニン顔料を濃硫酸３０ｍＬに溶解させ２０℃の脱イオン水３００ｍＬ中に攪拌下で滴下して再析出した。その後、析出物を含む溶液を濾過して十分に水洗することで、非晶質のチタニルフタロシアニン顔料を得た。この非晶質のチタニルフタロシアニン顔料４．０ｇをメタノール１００ｍＬ中で室温（２２℃）下、８時間懸濁攪拌処理した。その後、濾別して減圧乾燥し、低結晶性のチタニルフタロシアニン顔料を得た。

［合成例５］
窒素フローの雰囲気下、α－クロロナフタレン１００ｍＬに、三塩化ガリウム１０ｇおよびオルトフタロニトリル２９．１ｇを加え、温度２００℃で２４時間反応させた後、生成物を濾過した。得られた濾過物を、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミドを用いて温度１５０℃で３０分間加熱撹拌した後、濾過した。得られた濾過物をメタノールで洗浄した後、乾燥させ、クロロガリウムフタロシアニン顔料を収率８３％で得た。
上記の方法で得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料２部を、濃硫酸５０部に溶解させ、２時間攪拌した。その後、これにより得た溶液を、氷冷しておいた蒸留水１７０ｍＬおよび濃アンモニア水６６ｍＬの混合溶液に滴下して、再析出させた。析出物を含む溶液を蒸留水で十分に洗浄し、乾燥して、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料１．８部を得た。

［電荷発生層用塗布液１の調製例］
以下の材料を用意した。
・合成例３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料０．５部
・Ｎ－メチルホルムアミド（製品コード：Ｆ００５９、東京化成工業製）９．５部
・直径０．９ｍｍのガラスビーズ１５部
これらを室温（２３℃）下で６時間、ペイントシェーカ（東洋精機製作所製）を用いてミリング処理した（一段階目）。この際、容器は規格びん（製品名：ＰＳ－６、柏洋硝子製）を用いた。ミリング処理した液を、室温（２３℃）下で１００時間、ボールミルでミリング処理した（二段階目）。この際、容器の中身を取り出すことなく、容器をそのままボールミルにセットし、容器が１分間に１２０回転する条件で行った。したがって、二段階目のミリング処理において一段階目と同様のガラスビーズを用いた。処理した液をフィルター（品番：Ｎ－ＮＯ．１２５Ｔ、孔径：１３３μｍ、ＮＢＣメッシュテック製）で濾過してガラスビーズを取り除いた。濾過後の溶液にＮ－メチルホルムアミドを３０部添加した後、濾過し、濾過器上の濾取物をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を０．４６部得た。

得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、次の位置にピークを有していた。すなわち、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、ブラッグ角度２θの７．４°±０．３°、９．９°±０．３°、１６．２°±０．３°、１８．６°±０．３°、２５．２°±０．３°および２８．２°±０．３°にピークを有していた。
また、^１Ｈ－ＮＭＲ測定により見積もられたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶粒子内におけるＮ－メチルホルムアミドの含有量は、ヒドロキシガリウムフタロシアニンの含有量に対して１．９質量％であった。

続いて、以下の材料を用意した。
・前記ミリング処理で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料２０部
・ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ－１、積水化学工業製）１０部
・シクロヘキサノン１９０部
・直径０．９ｍｍのガラスビーズ４８２部
これらを冷却水温度１８℃下で４時間、サンドミル（Ｋ－８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いて分散処理した。この際、ディスクが１分間に１，８００回転する条件で行った。この分散液にシクロヘキサノン４４４部および酢酸エチル６３４部を加えることによって、電荷発生層用塗布液１を調製した。

フタロシアニン顔料の小角Ｘ線散乱を用いた測定は以下の手順により行った。
まず、調製した電荷発生層塗布液１に対してシクロヘキサノンを追加し、電荷発生物質の濃度が１質量%になるまで希釈し、測定試料とした。
得られた測定試料について、リガク製の多目的Ｘ線回折装置ＳｍａｒｔＬａｂを用い、小角Ｘ線散乱測定（Ｘ線の波長：０．１５４ｎｍ）を行った。
測定で得られた散乱プロファイルを、粒径解析ソフトウェアＮＡＮＯ－Ｓｏｌｖｅｒを用いて解析し、結晶粒子サイズ分布を得た。なお、粒子形状は球を仮定した。

測定の結果、電荷発生層用塗布液１が含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、小角Ｘ線散乱を用いて測定した結晶粒子サイズ分布において３８ｎｍの位置にピークを有し、ピークの半値幅は３８ｎｍであった。

［電荷発生層用塗布液２の調製例］
電荷発生層用塗布液１の調製例において、二段階目のボールミルで１００時間のミリング処理を１０００時間に変更したこと以外は、電荷発生層用塗布液１と同様にして、電荷発生層用塗布液２を調製した。電荷発生層用塗布液２が含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、小角Ｘ線散乱を用いて測定した結晶粒子サイズ分布において３３ｎｍの位置にピークを有し、ピークの半値幅は３５ｎｍであった。
また、^１Ｈ－ＮＭＲ測定により見積もられたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶粒子内におけるＮ－メチルホルムアミドの含有量は、ヒドロキシガリウムフタロシアニンの含有量に対して１．５質量％であった。

［電荷発生層用塗布液３の調製例］
電荷発生層用塗布液１の調製例において、二段階目のボールミルで１００時間のミリング処理を２０００時間に変更したこと以外は、電荷発生層用塗布液１と同様にして、電荷発生層用塗布液３を調製した。電荷発生層用塗布液３が含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、小角Ｘ線散乱を用いて測定した結晶粒子サイズ分布において２７ｎｍの位置にピークを有し、ピークの半値幅は３５ｎｍであった。

また、^１Ｈ－ＮＭＲ測定により見積もられたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶粒子内におけるＮ－メチルホルムアミドの含有量は、ヒドロキシガリウムフタロシアニンの含有量に対して１．５質量％であった。

［電荷発生層用塗布液４の調製例］
以下の材料を用意した。
・電荷発生層用塗布液３の調製例におけるミリング処理で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料２５部
・ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ－１、積水化学工業製）５部
・シクロヘキサノン１９０部
これらを遠心分離用容器に入れ、設定温度１８℃下で３０分間、高速冷却遠心機（商品名：ｈｉｍａｃ ＣＲ２２Ｇ、日立工機社製）を用いて遠心分離処理した。この際、ローターとして商品名：Ｒ１４Ａ（日立工機社製）を用い、加速減速は最短時間、１分間に１，８００回転する条件で行った。この遠心分離後の上澄み液を速やかに別の遠心分離用容器に収集した。これにより得られた溶液について、１分間に８，０００回転する条件にしたこと以外は上記と同様にして再び遠心分離処理し、遠心分離後の上澄み液を除いて残った溶液を速やかに別のサンプルびんに収集した。これにより得られた溶液中のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料とポリビニルブチラールとの重量比を、^１Ｈ－ＮＭＲ測定によって求めた。また、得られた溶液について、１５０℃に設定した乾燥機を用いて３０分間の乾燥を行い、乾燥前後の重量差を測定する方法で固形分を求めた。
続いて、前記遠心分離処理で得られた溶液に対し、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ－１、積水化学工業製）およびシクロヘキサノンを加えた。このとき、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料とポリビニルブチラールとシクロヘキサノンとの重量比が２０：１０：１９０（ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料：ポリビニルブチラール：シクロヘキサノ）となるようにした。この溶液２２０部と、直径０．９ｍｍのガラスビーズ４８２部とを冷却水温度１８℃下で４時間、サンドミル（Ｋ－８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いて分散処理した。この際、ディスクが１分間に１，８００回転する条件で行った。この分散液にシクロヘキサノン４４４部および酢酸エチル６３４部を加えることによって、電荷発生層用塗布液４を調製した。電荷発生層用塗布液４が含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、小角Ｘ線散乱を用いて測定した結晶粒子サイズ分布において２０ｎｍの位置にピークを有し、ピークの半値幅は２７ｎｍであった。

［電荷発生層用塗布液５の調製例］
電荷発生層用塗布液４の調製例の遠心分離処理前において、用意するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を、以下により得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に変更した。それ以外は、電荷発生層用塗布液４の調製例と同様にして、電荷発生層用塗布液５を調製した。

まず、以下の材料を用意した。
・合成例３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料０．５部
・Ｎ－メチルホルムアミド（製品コード：Ｆ００５９、東京化成工業製）９．５部
・直径０．９ｍｍのガラスビーズ１５部
これらを室温（２３℃）下で１００時間、ボールミルでミリング処理した。この際、容器は規格びん（製品名：ＰＳ－６、柏洋硝子製）を用い、容器が１分間に６０回転する条件で行った。上記処理で得た液をフィルター（品番：Ｎ－ＮＯ．１２５Ｔ、孔径：１３３μｍ、ＮＢＣメッシュテック製）で濾過してガラスビーズを取り除いた。得られた濾液にＮ－メチルホルムアミドを３０部添加した後、濾過し、濾過器上の濾取物をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を０．４５部得た。

上記で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、次の位置にピークを有していた。すなわち、上記で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、ブラッグ角度２θの７．４°±０．３°、９．９°±０．３°、１６．２°±０．３°、１８．６°±０．３°、２５．２°±０．３°および２８．２°±０．３°にピークを有していた。

電荷発生層用塗布液５が含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、小角Ｘ線散乱を用いて測定した結晶粒子サイズ分布において４１ｎｍの位置にピークを有し、ピークの半値幅は４０ｎｍであった。また、^１Ｈ－ＮＭＲ測定により見積もられたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶粒子内におけるＮ－メチルホルムアミドの含有量は、ヒドロキシガリウムフタロシアニンの含有量に対して２．１質量％であった。

［電荷発生層用塗布液６の調製例］
電荷発生層用塗布液５の調製例において、ボールミルで１００時間のミリング処理を４０時間に変更したこと以外は、電荷発生層用塗布液５と同様にして、電荷発生層用塗布液６を調製した。電荷発生層用塗布液６が含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、小角Ｘ線散乱を用いて測定した結晶粒子サイズ分布において５５ｎｍの位置にピークを有し、ピークの半値幅は４９ｎｍであった。

［電荷発生層用塗布液７の調製例］
電荷発生層用塗布液１の調製例において、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を得る工程を以下のように変更したこと以外は、電荷発生層用塗布液１と同様にして、電荷発生層用塗布液７を調製した。

まず、以下の材料を用意した。
・合成例５で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料０．５部
・Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（製品コード：Ｄ０７２２、東京化成工業製）７．５部
・直径０．９ｍｍのガラスビーズ２９部
これらを温度２５℃下で２４時間、ボールミルでミリング処理した。この際、容器は規格びん（製品名：ＰＳ－６、柏洋硝子製）を用い、容器が１分間に６０回転する条件で行った。上記処理で得た液をフィルター（品番：Ｎ－ＮＯ．１２５Ｔ、孔径：１３３μｍ、ＮＢＣメッシュテック製）で濾過してガラスビーズを取り除いた。得られた濾液にＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミドを３０部添加した後、濾過し、濾過器上の濾取物を酢酸ｎ－ブチルで十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を０．４５部得た。

電荷発生層用塗布液７が含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、小角Ｘ線散乱を用いて測定した結晶粒子サイズ分布において６０ｎｍの位置にピークを有し、ピークの半値幅は５８ｎｍであった。

［電荷発生層用塗布液８の調製例］
以下の材料を用意した。
・合成例４で得られたチタニルフタロシアニン顔料０．５部
・テトラヒドロフラン１０部
・直径０．９ｍｍのガラスビーズ１５部
これらを冷却水温度１８℃下で４８時間、サンドミル（Ｋ－８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いてミリング処理した。この際、ディスクが１分間に５００回転する条件で行った。上記処理で得た液をフィルター（品番：Ｎ－ＮＯ．１２５Ｔ、孔径：１３３μｍ、ＮＢＣメッシュテック製）で濾過してガラスビーズを取り除いた。得られた濾液にテトラヒドロフランを３０部添加した後、濾過し、濾過器上の濾取物をメタノールと水で十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、チタニルフタロシアニン顔料を０．４６部得た。得られたチタニルフタロシアニン顔料はＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度２θ°の９．８°±０．３°および２７．１°±０．３°にピークを有していた。

続いて、以下の材料を用意した。
・前記ミリング処理で得られたチタニルフタロシアニン顔料１２部
・ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ－１、積水化学工業製）１０部
・シクロヘキサノン１３９部
・直径０．９ｍｍのガラスビーズ３５４部
これらを冷却水温度１８℃下で４時間、サンドミル（Ｋ－８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いて分散処理した。この際、ディスクが１分間に１，８００回転する条件で行った。この分散液にシクロヘキサノン３２６部および酢酸エチル４６５部を加えることによって、電荷発生層用塗布液８を調製した。

電荷発生層用塗布液８が含有するチタニルフタロシアニン顔料は、小角Ｘ線散乱を用いて測定した結晶粒子サイズ分布において７０ｎｍの位置にピークを有し、ピークの半値幅は９０ｎｍであった。

［電荷発生層用塗布液９の調製例］
以下の材料を用意した。
・チタニルフタロシアニン顔料（ＣＧ－０１Ｈ、ＩＴｃｈｅｍ社製）１５部
・ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ－１、積水化学工業製）１０部
・シクロヘキサノン１３９部
・直径０．９ｍｍのガラスビーズ３５４部
これらを冷却水温度１８℃下で４時間、サンドミル（Ｋ－８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いて分散処理した。この際、ディスクが１分間に１，８００回転する条件で行った。この分散液にシクロヘキサノン３２６部および酢酸エチル４６５部を加えることによって、電荷発生層用塗布液９を調製した。
電荷発生層用塗布液９が含有するチタニルフタロシアニン顔料は、小角Ｘ線散乱を用いて測定した結晶粒子サイズ分布において１００ｎｍの位置にピークを有し、ピークの半値幅は１４０ｎｍであった。

［電荷輸送層用塗布液１の調製例］
以下の材料を用意した。
・電荷輸送物質として、下記式（Ａ１）で示されるトリアリールアミン化合物５部
・電荷輸送物質として、下記式（Ａ２）で示されるトリアリールアミン化合物５部
・ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ－４００、三菱エンジニアリングプラスチックス製）１０部

これらをオルトキシレン２５部／安息香酸メチル２５部／ジメトキシメタン２５部の混合溶剤に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液１を調製した。

［電荷輸送層用塗布液２の調製例］
以下の材料を用意した。
・電荷輸送物質として、下記式（Ａ１０）で表される電荷輸送物質９０部
・下記式（Ａ１１）で示される構造単位と、下記式（Ａ１２）で示される構造単位とを、５：５の割合で有し、重量平均分子量が１００，０００であるポリアリレート樹脂１００部

これらを、ジメトキシメタン３００部およびクロロベンゼン７００部の混合溶剤に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液２を調製した。

［電荷輸送層用塗布液３の調製例］
以下の材料を用意した。
・電荷輸送物質として、下記式（Ａ１４）で示される電荷輸送物質５０部
・下記式（Ａ１５）で示される構造単位と、下記式（Ａ１６）で示される構造単位とを、繰り返し単位５１モル％：４９モル％の割合で有し、ｐ－ｔ－ブチルフェノールに由来する末端構造式を有するポリカーボネート樹脂１００部
・２，６－ジ－ｔ－ブチル－４－メチルフェノール８部
・シリコーンオイル（商品名：ＫＦ９６、信越化学工業（株）製）０．０３部

これらをテトラヒドロフラン／トルエン（重量比８／２）混合溶媒６４０部に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液３を調製した。

［保護層用塗布液１の調製例］
以下の材料を用意した。
・下記式（４－１）で示される化合物２４部
・シロキサン変性アクリル化合物（サイマックＵＳ２７０、東亞合成（株）製）１．２部
これらを、シクロヘキサン４２部と１－プロパノール１８部との混合溶媒と混合して撹拌し、保護層用塗布液１を調製した。

［電子写真感光体製造例１］
＜支持体＞
直径３０ｍｍ、長さ２６０．５ｍｍのアルミニウムシリンダーを支持体（円筒状支持体）とした。

＜導電層＞
基体として、平均一次粒径が２００ｎｍのアナターゼ型酸化チタンを使用した。また、チタンをＴｉＯ_２換算で３３．７部、ニオブをＮｂ_２Ｏ_５換算で２．９部含有するチタンニオブ硫酸溶液を調製した。
基体１００部を純水に分散して１０００部の懸濁液とし、６０℃に加温した。チタンニオブ硫酸溶液と１０ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウムとを懸濁液のｐＨが２～３になるよう３時間かけて上記懸濁液に滴下した。全量滴下後、ｐＨを中性付近に調製し、ポリアクリルアミド系凝集剤を添加して固形分を沈降させた。上澄みを除去し、ろ過および洗浄を行い、１１０℃で乾燥することで、凝集剤由来の有機物をＣ換算で０．１質量％含有する中間体を得た。この中間体を窒素中７５０℃で１時間焼成を行った後、空気中４５０℃で焼成して、酸化チタン粒子を作製した。得られた酸化チタン粒子は、走査型電子顕微鏡を用いた粒径測定方法で求められる平均粒径（平均一次粒径）が２２０ｎｍであった。

続いて、結着材料としてのフェノール樹脂５０部を、溶剤としての１－メトキシ－２－プロパノール３５部に溶解させて溶液を得た。フェノール樹脂としては、フェノール樹脂のモノマーとオリゴマーとの混合物である市販品（商品名：プライオーフェンＪ－３２５、ＤＩＣ製、樹脂固形分：６０％、硬化後の密度：１．３ｇ／ｃｍ^２）を用いた。
この溶液に酸化チタン粒子１を６０部加え、これを分散媒体として平均粒径１．０ｍｍのガラスビーズ１２０部を用いた縦型サンドミルに入れ、分散液温度２３±３℃、回転数１５００ｒｐｍ（周速５．５ｍ／ｓ）の条件で４時間分散処理を行い、分散液を得た。この分散液からメッシュでガラスビーズを取り除いた。

続いて、以下の材料を用意した。
・レベリング剤としてシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ ＰＡＩＮＴ ＡＤＤＩＴＩＶＥ、東レ・ダウコーニング製）０．０１部
・表面粗さ付与材としてシリコーン樹脂粒子（商品名：ＫＭＰ－５９０、信越化学工業製、平均粒径：２μｍ、密度：１．３ｇ／ｃｍ^３）８部
これらを、ガラスビーズを取り除いた後の分散液に添加して攪拌し、ＰＴＦＥ濾紙（商品名：ＰＦ０６０、アドバンテック東洋製）を用いて加圧ろ過することによって、導電層用塗布液を調製した。
上記により調製した導電層用塗布液を上述の支持体上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を１５０℃で２０分間加熱し硬化させることにより、膜厚が２５μｍの導電層を形成した。

＜下引き層＞
下引き層用塗布液１を上述の導電層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を温度１００℃で１０分間加熱乾燥することにより、膜厚が２μｍの下引き層を形成した。

＜電荷発生層＞
電荷発生層用塗布液１を上述の下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を温度１００℃で１０分間加熱乾燥することにより、膜厚が０．２μｍの電荷発生層を形成した。

＜電荷輸送層＞
電荷輸送層用塗布液１を上述の電荷発生層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を温度１２０℃で３０分間加熱乾燥することにより、膜厚が１４μｍの電荷輸送層を形成した。
以上のようにして、電子写真感光体１を得た。

［評価１］
電子写真感光体製造例１で得られた電子写真感光体１について、次の測定および解析を行い、定数Ａ、ｍ、τを算出した。

図５に示す測定装置を用意した。透明電極が表面に蒸着された透明ガラス２０１を用意し、その上に導通が取れるように電子写真感光体２０２を設置する。電子写真感光体２０２は支持体を介してアースに接続されている。電子写真感光体は透明ガラス２０１と導線を介して電源２０３と繋がっており、制御用のコンピュータ２０４から指令を出すことで電子写真感光体２０２に電圧を印加することができる。また、電子写真感光体２０２は透明ガラス２０１と導線を介して高速電位計２０５とも接続されており、透明ガラス２０１と接した電子写真感光体２０２表面の電位を瞬時に読み取ることができる。電子写真感光体表面２０２には、透明ガラス２０１の裏側から光源２０６によって光を照射することができ、帯電された電子写真感光体２０２に光源２０６から光を照射し、その時の電位の変化を高速電位計２０５で読み取ることができる。

図５に示す測定装置を用いて、電子写真感光体の特性を以下の条件で規定した。
（１）電子写真感光体２０２を０．００５秒間帯電させる。
（２）（１）の帯電開始から０．０６秒後に測定して得られる帯電電位の絶対値をＶ_ｄ［Ｖ］とする。
（３）（１）の帯電開始から０．１８秒後に再び帯電電位の絶対値がＶ_ｄとなるように該電子写真感光体２０２を０．００５秒間帯電させる。
（４）（３）の帯電開始から０．０２秒後に光源２０６を用いて波長が８０５［ｎｍ］で光量が０．５［μＪ／ｃｍ２］の光で露光する。
（５）（３）の帯電開始から０．０６秒後に測定して得られる帯電電位の絶対値を残留電位Ｖ_ｒ［Ｖ］とする。
（６）Ｖ_ｄを１００Ｖから１０００Ｖまで５０Ｖの間隔で変化させながら（１）～（５）の手順を繰り返し行い各該Ｖ_ｄに対応する該Ｖ_ｒを測定する。
（７）（６）で得られた該Ｖ_ｄおよび該Ｖ_ｒについて、横軸をＶ_ｄ、縦軸をＶ_ｒとしてプロットして得たグラフを下記式（Ｅ－１）で近似することで、下記式（Ｅ－１）中の定数Ａ、ｍ、τを決定する。

従来の電子写真感光体の特性評価においては、電子写真装置を改造して電子写真感光体の帯電電位を測定することが多い。この場合、電子写真感光体の露光位置と電位測定位置とが異なるため、露光部が露光位置から電位測定位置に来るまでの間に暗減衰による電位減少が生じる。そのため、残留電位Ｖ_ｒは露光した瞬間の電位よりも絶対値が小さく測定される。このとき、電子写真装置のプロセススピードが速いほど時間差は小さくなり暗減衰も小さくなる。本実施例における電子写真感光体の特性評価方法は、時間差なく電子写真感光体の帯電電位を測定することができることから、電子写真装置のプロセススピードを最大化した最も厳しい条件で測定できる装置と考えることができる。

［電子写真感光体製造例２］
電子写真感光体製造例１において、導電層を設けずに、支持体上に下引き層を形成した以外は、電子写真感光体製造例１と同様にして電子写真感光体を製造した。

［電子写真感光体製造例３］
電子写真感光体製造例１において、保護層用塗布液１を電子写真感光体製造例１の電荷輸送層上に浸漬塗布して以下の条件で塗膜を形成した。それ以外は、電子写真感光体製造例１と同様にして電子写真感光体を製造した。

保護層用塗布液１を電荷輸送層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を４分間３５℃で乾燥させた。その後、窒素雰囲気下にて、加速電圧５７ｋＶ、ビーム電流５．３ｍＡの条件で支持体（被照射体）と電子線照射窓の距離を２５ｍｍとし、支持体（被照射体）を３００ｒｐｍの速度で回転させながら、４．８秒間電子線を塗膜に照射した。なお、このときの電子線の吸収線量を測定したところ、２０ｋＧｙであった。その後、窒素雰囲気下にて、２５℃から１３７℃まで１０秒かけて昇温させ、塗膜の加熱を行った。電子線照射から、その後の加熱処理までの酸素濃度は１０ｐｐｍ以下であった。次に、大気中において、塗膜の温度が２５℃になるまで自然冷却し、塗膜の温度が１００℃になる条件で１０分間加熱処理を行い、膜厚３．０μｍの保護層を形成した。

［電子写真感光体製造例３～２９］
電子写真感光体製造例１に対して、導電層の有無；下引き層、電荷発生層、電荷発生層および電荷輸送層の形成に用いた各塗布液の種類および各層の膜厚；ならびに保護層の有無および膜厚を表１のように変更した。それ以外は電子写真感光体製造例１と同様にして電子写真感光体を製造した。

［実施例１］
ヒューレットパッカード社製のレーザービームプリンタ（商品名：ＨＰ ＬａｓｅｒＪｅｔ Ｅｎｔｅｒｐｒｉｓｅ Ｍ６１２ｄｎ）を改造した電子写真装置Ｘに電子写真感光体１を取り付け、これを電子写真装置１とした。

電子写真装置Ｘは、電子写真感光体の帯電電位を表面電位計によって測定できる。また電子写真装置Ｘには、電圧印加手段と、電荷移動量検知手段と、帯電電位制御手段とが取り付けられている。該電圧印加手段は、帯電ローラーに対して直流電圧を印加し、帯電ローラーから電子写真感光体１に放電させるための手段である。また、該電荷移動量検知手段は、帯電ローラーから電子写真感光体への放電による単位時間あたりの電荷移動量を検知するための手段である。また、該帯電電位制御手段は、検知された単位時間あたりの電荷移動量の情報をもとに、放電開始電圧Ｖ_ｔｈと直流電圧に対する電荷移動量の傾きとを算出する。帯電電位制御手段はさらに、算出結果をもとに帯電電位の制御目標値Ｖ_ｔｄに対する制御直流電圧Ｖ_ＤＣ１を算出し、その結果を電圧印加手段にフィードバックする。

電子写真装置Ｘにおける検出可能な最小の単位時間あたりの電荷移動量Ｉ_ｍｉｎは次のような方法で測定した．
以下、Ｉ_ｍｉｎの測定方法の具体的な手順を説明する。
まず、プロセスカートリッジと帯電ローラーとの接点Ａと、プロセスカートリッジと電子写真装置Ｘ本体との帯電高圧接点Ｂ（電子写真装置本体に内蔵された高圧電源からプロセスカートリッジへ電圧供給するための接点のこと）と、の間に電荷移動量検知手段を接続する。そして、接点Ａと帯電高圧接点Ｂとの間を絶縁することで、電荷移動量検知手段を介して電流が流れるようにする。これにより、帯電ローラーから電子写真感光体に流れる電荷移動量である電流量を測定できるようになる。
次に、べた白画像を５枚プリントし、前回転３秒、後回転１秒を除いた区間における、画像形成時の電流値を電荷移動量検知手段により測定する。電流値は１０ｍｓ刻みにサンプリングし、上記区間における電流値の最大値および最小値を特定する。
上記で特定する電流値の最大値と最小値との差とを、温湿度３２．５℃８０％の高温高湿度環境と１５℃１０％の低温低湿度環境との２環境において算出し、上記２環境で得られた電流値差の大きい方の値をＩ_ｍｉｎとする。

上述した方法を用いて、電子写真装置Ｘにおける検出可能な最小の単位時間あたりの電荷移動量Ｉ_ｍｉｎを測定した結果、Ｉ_ｍｉｎは１．４μＡであった。なお、高温高湿度環境で得られた電流値の最大値と最小値との差は１．２μＡであり、低温低湿度環境で得られた電流値の最大値と最小値との差は１．４μＡであった。

次に、測定されたＩ_ｍｉｎから次の方法で最小検知可能電位差の絶対値Ｖ_ｍｉｎを算出した。以下、Ｖ_ｍｉｎ測定方法の具体的な手順を説明する。
まず、上記電子写真装置Ｘ本体の帯電高圧接点Ｂを絶縁する。外部電源（ＴＲＥＫ６１５－３－Ｌ）を用意し、上記外部電源と接点Ａとを電荷移動量検知手段を介して接続する。上記外部電源はプロセスカートリッジを駆動させるモータに連動させ、モータ駆動と同時に電圧を印加し、モータ停止と同時に電圧の印加を停止するようにする。
次に、べた白画像を５枚プリントし、前回転３秒、後回転１秒を除いた区間における、画像形成時の電流値を測定する。外部電源の印加電圧Ｖ_ａを－８００Ｖに設定し、電流値は１０ｍｓ刻みにサンプリングし、上記区間における電流値の平均値Ｉ_ａを算出する。外部電源の設定を－１２００Ｖ（Ｖ_ｂ）に変更し、同様に上記区間における電流値の平均値Ｉ_ｂを算出する。

上記条件で電子写真装置１について測定を行ったところ、Ｉ_ａ＝２０．９μＡ、Ｉ_ｂ＝６５．７μＡであった。

次に、Ｖ_ａ、Ｖ_ｂ、Ｉ_ａ、およびＩ_ｂから電流に対して電圧をプロットして得られる直線の傾きを求め、Ｖ_ｍｉｎを算出した。
Ｖ_ｍｉｎ＝｜Ｉ_ｍｉｎ×（Ｖ_ａ－Ｖ_ｂ）/（Ｉ_ａ－Ｉ_ｂ）｜
＝｜－１．４×４００/４４．８｜
＝１２．５Ｖ
これより、最小検知可能電位差の絶対値Ｖ_ｍｉｎは、１２．５Ｖと算出された。

［評価２］
上述したＶ_１の算出式（Ｅ－２）およびＶ_２の算出式（Ｅ－３）に基づき、［評価１］で解析した電子写真感光体１の特性（Ａ、ｍ、τ）および上記算出したＶ_ｍｉｎの値から、Ｖ_１およびＶ_２を見積もった。その結果、表２に示す通り、Ｖ_１＝１６．８（Ｖ）、Ｖ_２＝８１０５（Ｖ）であった。
これより、電子写真装置１は、下記不等式（Ｅ－４）を満たすことが分かった。
１００Ｖ_１＜Ｖ_２－Ｖ_１ （Ｅ－４）
評価２では、上記不等式（Ｅ－４）を満たす場合をＡ、満たさない場合をＢと判定した。

［評価３］
上述したＶ_１の算出式（Ｅ－２）およびＶ_２´の算出式（Ｅ－１１）に基づき、［評価１］で解析した電子写真感光体１の特性（Ａ、ｍ、τ）および上記算出したＶ_ｍｉｎの値から、Ｖ_１およびＶ_２´を見積もった。その結果、表２に示す通り、Ｖ_１＝１６．８（Ｖ）、Ｖ_２´＝５２３７（Ｖ）であった。
これより、電子写真装置１は下記不等式（Ｅ－１２）を満たすことが分かった。
１００Ｖ１＜Ｖ２´－Ｖ１ （Ｅ－１２）
評価３では、上記不等式（Ｅ－１２）を満たす場合をＡ、満たさない場合をＢと判定した。

［評価４］
電子写真装置１において、以下の制御方法１に基づいて帯電電位の制御を実施した。帯電電位の制御目標値Ｖ_ｔｄ＝－５００Ｖとし、制御後に得られた帯電電位の絶対値Ｖ_ｄ１を用いて下記式（Ｅ－２０）に基づいて制御の精度Ａｃｃ１を算出した。
Ａｃｃ１＝１００×｜Ｖ_ｄ１－５００｜／５００ （Ｅ－２０）

［制御方法１］
（１）帯電電位が０Ｖの状態でシーケンススタート。
（２）メインモータを駆動。
（３）現像バイアスを印加。
（４）露光。
（５）帯電ローラーにＶＡ＝－８００（Ｖ）を印加し、電子写真感光体１周分の電流値を平均化する。
（６）帯電ローラーにＶＢ＝－３０００（Ｖ）を印加し、電子写真感光体１周分の電流値を平均化する。
（７）（５）および（６）の２点における印加電圧と電流値との関係を直線で近似することで、放電開始電圧Ｖ_ｔｈを算出する。
（８）（７）で算出された放電開始電圧Ｖ_ｔｈと、帯電電位の制御目標値Ｖ_ｔｄ＝－５００Ｖとから上述した式（Ｅ－１５）を用いて制御直流電圧Ｖ_ＤＣ１を算出する。
（９）メインモータ、現像バイアス停止、露光停止。
（１０）シーケンス終了。

上記制御（５）における帯電電位の絶対値はＶ_ｄｍ＝２６９（Ｖ）、上記制御（６）における帯電電位の絶対値はＶ_ｄＭ＝２４６９（Ｖ）であった。一方、［評価２］および［評価３］より、電子写真感光体１のＶ_１、Ｖ_２、およびＶ_２´は、それぞれＶ_１＝１６．８（Ｖ）、Ｖ_２＝８１０５（Ｖ）、Ｖ_２´＝５２３７（Ｖ）である。これより、電子写真装置１は下記不等式（Ｅ－１８）および下記不等式（Ｅ－１９）を満たすことが分かった。
Ｖ_１＜Ｖ_ｄｍ＜Ｖ_ｄＭ≦Ｖ_２ （Ｅ－１８）
Ｖ_１＜Ｖ_ｄｍ＜Ｖ_ｄＭ≦Ｖ_２´ （Ｅ－１９）
なお、評価４では、上記不等式（Ｅ－１８）および上記不等式（Ｅ－１９）それぞれについて、満たす場合をＡ、満たさない場合をＢと判定した。

上記制御（５）および（６）で得られた値より算出された推定放電開始電圧Ｖ_ｔｈは－５２７Ｖであった。よって上記制御（８）で得られた制御直流電圧Ｖ_ＤＣ１は－５２７（Ｖ）＋（－５００（Ｖ））＝－１０２７Ｖであった。これにより得られた制御直流電圧Ｖ_ＤＣ１を用いて電子写真装置１において電子写真感光体１を帯電させた結果、得られた帯電電位は－４９６Ｖであった。
よってＡｃｃ１は、Ａｃｃ１＝１００×｜４９６－５００｜／５００＝０．８（％）であった。
なお、上記の制御方法１を電子写真装置１に対して実行した結果、制御に要した時間は、１．５秒であった。

［実施例２］
実施例１において、評価４で実施する制御方法として制御方法１の代わりに以下に示す制御方法２を用いて帯電電位を制御した以外は、実施例１と同様に制御を実施した。

［制御方法２］
（１）帯電電位が０Ｖの状態でシーケンススタート。
（２）メインモータを駆動。
（３）現像バイアスを印加。
（４）露光。
（５）帯電ローラーにＶＡ＝－８００（Ｖ）を印加し、電子写真感光体１周分の電流値を平均化する。
（６）帯電ローラーにＶＣ＝－１３５０（Ｖ）を印加し、電子写真感光体１周分の電流値を平均化する。
（７）（５）および（６）の２点における印加電圧と電流値との関係を直線で近似することで、放電開始電圧Ｖ_ｔｈを算出する。
（８）（７）で算出された放電開始電圧Ｖ_ｔｈと、帯電電位の制御目標値Ｖ_ｔｄ＝－５００Ｖとから上述した式（Ｅ－１５）を用いて制御直流電圧Ｖ_ＤＣ２を算出する。
（９）メインモータ、現像バイアス停止、露光停止。
（１０）シーケンス終了。

上記制御（５）における帯電電位の絶対値はＶ_ｄｍ＝２６９（Ｖ）、上記制御（６）における帯電電位の絶対値はＶ_ｄＭ＝８１９（Ｖ）であった。一方、［評価２］および［評価３］より、電子写真感光体１のＶ_１、Ｖ_２、およびＶ_２´は、それぞれＶ_１＝１６．８（Ｖ）、Ｖ_２＝８１０５（Ｖ）、Ｖ_２´＝５２３７（Ｖ）である。これより、電子写真装置１は上記不等式（Ｅ－１８）および上記不等式（Ｅ－１９）を満たすことが分かった。

上記制御（５）および（６）で得られた値より算出された推定放電開始電圧Ｖ_ｔｈは－５２８Ｖであった。よって上記制御（８）で得られた制御直流電圧Ｖ_ＤＣ１は－５２８（Ｖ）＋（－５００（Ｖ））＝－１０２８Ｖであった。これにより得られた制御直流電圧Ｖ_ＤＣ１を用いて電子写真装置１において電子写真感光体１を帯電させた結果、得られた帯電電位は－４９７Ｖであった。
よってＡｃｃ１は、Ａｃｃ１＝１００×｜４９７－５００｜／５００＝０．６（％）であった。
なお、上記の制御方法２を電子写真装置１に対して実行した結果、制御に要した時間は、１．５秒であった。

［実施例３］
実施例１において、評価４で実施する制御方法として制御方法１の代わりに以下に示す制御方法３を用いて帯電電位を制御した以外は、実施例１と同様に制御を実施した。

［制御方法３］
（１）帯電電位が０Ｖの状態でシーケンススタート。
（２）メインモータを駆動。
（３）現像バイアスを印加。
（４）露光。
（５）帯電ローラーにＶＡ＝－８００（Ｖ）を印加し、ドラム１周分の電流値を平均化する。
（６）帯電ローラーにＶＣ＝－１３５０（Ｖ）を印加し、ドラム１周分の電流値を平均化する。
（７）帯電ローラーにＶＥ＝－１８００（Ｖ）を印加し、ドラム１周分の電流値を平均化する。
（８）（５）、（６）、および（７）の３点における印加電圧と電流値との関係を２次関数で近似することで、放電開始電圧Ｖ_ｔｈを算出する。
（９）（８）で算出された放電開始電圧Ｖ_ｔｈと、帯電電位の制御目標値Ｖ_ｔｄ＝－５００Ｖとから上述した式（Ｅ－１５）を用いて制御直流電圧Ｖ_ＤＣ３を算出する。
（１０）メインモータ、現像バイアス停止、露光停止。
（１１）シーケンス終了。

上記制御（５）における帯電電位の絶対値はＶ_ｄｍ＝２６９（Ｖ）、上記制御（７）における帯電電位の絶対値はＶ_ｄＭ＝１２６９（Ｖ）であった。一方、［評価２］および［評価３］より、電子写真感光体１のＶ_１、Ｖ_２、およびＶ_２´は、それぞれＶ_１＝１６．８（Ｖ）、Ｖ_２＝８１０５（Ｖ）、Ｖ_２´＝５２３７（Ｖ）である。これより、実施例３は上記不等式（Ｅ－１８）および上記不等式（Ｅ－１９）を満たすことが分かった。

上記制御（５）、（６）、および（７）で得られた値より算出された推定放電開始電圧Ｖ_ｔｈは－５２８Ｖであった。よって上記制御（８）で得られた制御直流電圧Ｖ_ＤＣ１は－５２８（Ｖ）＋（－５００（Ｖ））＝－１０２８Ｖであった。これにより得られた制御直流電圧Ｖ_ＤＣ１を用いて電子写真装置１において電子写真感光体１を帯電させた結果、得られた帯電電位は－４９７Ｖであった。
よってＡｃｃ１は、Ａｃｃ１＝１００×｜４９７－５００｜／５００＝０．６（％）であった。
なお、上記の制御方法３を電子写真感光体１に対して実行した結果、制御に要した時間は、１．８秒であった。

［実施例４～３０、比較例１～１１］
電子写真装置Ｘに取り付ける電子写真感光体の種類および帯電電位制御の制御方法を表２に示す通りに変えた以外は実施例１と同様にして評価を行った。

１ 電子写真感光体
２ 軸
３ 帯電部材
４ 露光光
５ 現像手段
６ 転写部材
７ 転写材
８ 定着手段
９ クリーニング手段
１０ 前露光光
１１ プロセスカートリッジ
１２ 案内手段
１３ 帯電手段
１４ 電荷移動量検知手段
１５ 帯電電位制御手段
１６ 転写手段
１０１ 支持体
１０２ 下引き層
１０３ 電荷発生層
１０４ 電荷輸送層
１０５ 感光層
２０１ 透明ガラス
２０２ 電子写真感光体
２０３ 電源
２０４ コンピュータ
２０５ 高速電位計
２０６ 光源

Claims (17)

1. 電子写真感光体と、
   導電性部材から該電子写真感光体に放電させるための電圧印加手段と、
   該導電性部材から該電子写真感光体への放電による単位時間当たりの電荷移動量を検知する電荷移動量検知手段と、
   該電子写真感光体の帯電電位を制御する帯電電位制御手段と、
   を有する電子写真装置であって、
   該電子写真感光体について、以下の手順（１）～（８）によりＶ_１およびＶ_２を定めた時、該Ｖ_１および該Ｖ_２が下記式（Ｅ－４）で示される関係を満たし、
   １００Ｖ_１＜Ｖ_２－Ｖ_１ （Ｅ－４）
   該帯電電位制御手段は、該電圧印加手段によって印加される直流電圧の絶対値が７００Ｖ以上の範囲から選ばれる少なくとも２点の直流電圧と、該少なくとも２点の直流電圧における電荷移動量との関係から、画像形成時の該電子写真感光体の帯電電位を制御するように構成されている、ことを特徴とする電子写真装置。
   （１）該電子写真感光体を０．００５秒間帯電させる。
   （２）（１）の帯電開始から０．０６秒後に測定して得られる帯電電位の絶対値をＶ_ｄ［Ｖ］とする。
   （３）（１）の帯電開始から０．１８秒後に再び帯電電位の絶対値が該Ｖ_ｄとなるように該電子写真感光体を０．００５秒間帯電させる。
   （４）（３）の帯電開始から０．０２秒後に波長が８０５ｎｍで光量が０．５μＪ／ｃｍ^２の光で露光する。
   （５）（３）の帯電開始から０．０６秒後に測定して得られる帯電電位の絶対値を残留電位Ｖ_ｒ［Ｖ］とする。
   （６）該Ｖ_ｄを１００Ｖから１０００Ｖまで５０Ｖの間隔で変化させながら（１）～（５）の手順を繰り返し行い、各該Ｖ_ｄに対応する該Ｖ_ｒを測定する。
   （７）（６）で得られた該Ｖ_ｄおよび該Ｖ_ｒについて、横軸を該Ｖ_ｄ、縦軸を該Ｖ_ｒとしてプロットして得たグラフを下記式（Ｅ－１）で近似することで、下記式（Ｅ－１）中の定数Ａ、ｍ、τを決定する。
   

   

   （８）（７）で決定した該定数Ａ、ｍ、τを用いて下記式（Ｅ－２）および（Ｅ－３）により計算される電圧をそれぞれ該Ｖ_１および該Ｖ_２とする。
   

   

   （式（Ｅ－２）中、Ｖ_ｍｉｎは該電荷移動量検知手段の精度で決まる数値である。）
   

   
2. 前記定数Ａ、ｍ、τから下記式（Ｅ－１２）で計算される電圧をＶ_２´としたとき、
   

   

   前記Ｖ_１と該Ｖ_２´とが、下記式（Ｅ－１３）の関係を満たす、請求項１に記載の電子写真装置。
   １００Ｖ_１＜Ｖ_２´－Ｖ_１ （Ｅ－１３）
3. 前記電圧印加手段は、前記電子写真感光体を帯電するための帯電手段であり、
   前記導電性部材は、帯電部材である、請求項１または２に記載の電子写真装置。
4. 前記帯電部材は、帯電ローラーである、請求項３に記載の電子写真装置。
5. 前記電圧印加手段は、トナーを前記電子写真感光体の表面から転写材に転写するための転写手段であり、
   前記導電性部材は、転写部材である、請求項１または２に記載の電子写真装置。
6. 前記帯電電位制御手段は、前記少なくとも２点の直流電圧と、前記少なくとも２点の直流電圧における前記電荷移動量との関係から、画像形成時に印加する直流電圧を制御するように構成されている、請求項１～５のいずれか１項に記載の電子写真装置。
7. 前記帯電電位制御手段は、前記電圧印加手段によって印加される直流電圧の絶対値が７００Ｖ以上の範囲から選ばれるｎ点における直流電圧と、該ｎ点における直流電圧における電荷移動量との関係を自由度ｎ以下の関数で近似し、ここでｎは２以上の整数であり、該関数を校正曲線として画像形成時の前記電子写真感光体の帯電電位を制御するように構成されている、請求項１～６のいずれか１項に記載の電子写真装置。
8. 前記関数は、一次関数である、請求項７に記載の電子写真装置。
9. 前記定数Ａは、１５以下である、請求項１～８のいずれか１項に記載の電子写真装置。
10. 前記定数ｍは、０．０５以下である、請求項１～９のいずれか１項に記載の電子写真装置。
11. 前記定数τの絶対値は、４０００以上である、請求項１～１０のいずれか１項に記載の電子写真装置。
12. 前記電子写真感光体は、支持体と、下引き層と、電荷発生層と、電荷輸送層と、をこの順に有し、
    該下引き層は、ポリアミド樹脂と、金属酸化物粒子とを含有する、請求項１～１１のいずれか１項に記載の電子写真装置。
13. 前記金属酸化物粒子は、酸化チタン粒子であり、
    該酸化チタン粒子の平均一次粒径は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である、請求項１２に記載の電子写真装置。
14. 前記下引き層の膜厚は、０．５μｍ以上３．０μｍ以下である請求項１２または１３に記載の電子写真装置。
15. 前記電荷発生層は、チタニルフタロシアニン顔料を含有し、
    該チタニルフタロシアニン顔料は、
    ＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおけるブラッグ角度２θの９．８°±０．３°および２７．１°±０．３°にピークを示す結晶型の結晶粒子を有し、かつ
    小角Ｘ線散乱を用いて測定した結晶粒子サイズ分布において５０ｎｍ～１５０ｎｍの範囲内にピークＡを有し、
    該ピークＡの半値幅は、１００ｎｍ以下である、請求項１２～１４のいずれか１項に記載の電子写真装置。
16. 前記電荷発生層は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を含有し、
    該ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、
    ＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおけるブラッグ角度２θの７．４°±０．３°および２８．２°±０．３°にピークを示す結晶型の結晶粒子を有し、かつ、
    小角Ｘ線散乱を用いて測定した結晶粒子サイズ分布において２０ｎｍ～５０ｎｍの範囲内にピークＢを有し、
    該ピークＢの半値幅は、５０ｎｍ以下である、請求項１２～１５のいずれか１項に記載の電子写真装置。
17. 前記電荷発生層の膜厚は、０．１２μｍ以上である、請求項１２～１６のいずれか１項に記載の電子写真装置。

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