JP2023060058A - 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ - Google Patents
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Abstract
Description
図3(a)から図3(d)は、実施例1に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図である。図3(a)に示すように、支持基板10上に温度補償層13を成膜する。温度補償層13上に中間層11を成膜する。温度補償層13および中間層11の成膜には、例えばスパッタリング法、真空蒸着法またはCVD(Chemical Vapor Deposition)法を用いる。
以下、実施例1において周波数温度係数が0に近くなる理由について説明する。弾性波共振器20の周波数温度係数TCF(Temperature Coefficient of Frequency)は以下の式により表される。
TCF=TCV-CTE
TCV(Temperature Coefficient of Velocity)は、音速の温度係数である。CTE(Coefficient of Thermal Expansion)は線膨張係数である。圧電基板12として用いるX伝搬タンタル酸リチウム基板のX軸方向の線膨張係数は約16ppm/Kである。支持基板10として用いるサファイア基板のC軸(X軸に平行となる軸)の線膨張係数は約7.7ppm/Kである。よって、圧電基板12の厚さを小さくすると、弾性波共振器20としてのCTEは支持基板10のCTEに近づく。しかし、支持基板10のCTEより小さくはならない。
[実験]
実施例1、比較例1および2の弾性波共振器を作成した。図5(a)および図5(b)は、それぞれ比較例1および2に係る弾性波共振器の断面図である。図5(a)に示すように、比較例1では、圧電基板12の下に温度補償層13が設けられ、温度補償層13の下に中間層11が設けられている。中間層11の下に支持基板10が設けられている。温度補償層13と中間層11との間で常温接合した。その他の構成は実施例1と同じである。
弾性波の波長λ:5μm
IDT22の対数:100対
開口長:20λ
デュティ比:50%
弾性波の波長λはIDT22の電極指15の平均ピッチのほぼ2倍である。
中間層11:厚さT1が10nmの多結晶酸化アルミニウム層
温度補償層13:厚さT3が2μm(0.4λ)の酸化シリコン膜
支持基板10:厚さT0が500μmの単結晶サファイア基板
図11(a)は、実施例1の変形例1に係る弾性波共振器の断面図である。図11(a)に示すように、支持基板10と温度補償層13との界面を粗面56としている。粗面56には複数の凸部および複数の凹部が設けられている。粗面56は、支持基板10の上面をグラインダで研削することにより形成した。粗面56は、原子またはイオンを支持基板10の上面に照射することにより形成してもよい。
図12(a)から図12(d)は、実施例1およびその変形例2から4の中間層および温度補償層付近の断面図である。図12(a)に示すように、実施例1では、中間層11と圧電基板12との間を常温接合している。このため、中間層11は多結晶層11aとアモルファス層11bを備え、圧電基板12は単結晶層12aとアモルファス層12bを備える。アモルファス層12bは圧電性が低いため、アモルファス層12bが厚いと、弾性波共振器の特性が劣化する。よって、アモルファス層12bはアモルファス層11bより薄いことが好ましい。
図13(a)から図13(c)は、実施例1の変形例5から7の中間層および温度補償層付近の断面図、図13(d)は、接合層の断面図である。図13(a)に示すように、実施例1の変形例5では、温度補償層13と中間層11との間に接合層28が設けられている。図13(b)に示すように、実施例1の変形例6では、温度補償層13aと13bとの間に接合層28が設けられている。図13(c)に示すように、実施例1の変形例7では、支持基板10と温度補償層13との間に接合層28が設けられている。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。
図14(b)は、実施例2の変形例1に係るデュプレクサの回路図である。図14(b)に示すように、共通端子Antと送信端子Txとの間に送信フィルタ40が接続されている。共通端子Antと受信端子Rxとの間に受信フィルタ42が接続されている。送信フィルタ40は、送信端子Txから入力された高周波信号のうち送信帯域の信号を送信信号として共通端子Antに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ42は、共通端子Antから入力された高周波信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Rxに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信フィルタ40および受信フィルタ42の少なくとも一方を実施例2のフィルタとすることができる。
11 中間層
12 圧電基板
13 温度補償層
15 電極指
18 櫛型電極
20 弾性波共振器
22 IDT
Claims (6)
- 単結晶タンタル酸リチウム基板である圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられ、弾性波を励振する複数の電極指を備え、前記複数の電極指の平均ピッチは前記圧電基板の厚さの1/2以上である一対の櫛型電極と、
前記圧電基板の前記一対の櫛型電極が設けられた面と反対の面に接して設けられ、単結晶ニオブ酸リチウムからなる第1層と、
前記第1層の前記圧電基板と反対の面に設けられ、酸化シリコンを主成分とする第2層と、
を備える弾性波共振器。 - 前記第1層の厚さは2.5nm以上である請求項1に記載の弾性波共振器。
- 前記第1層の厚さは20nm以下である請求項2に記載の弾性波共振器。
- 前記第2層の前記第1層と反対の面に設けられ、サファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板、シリコン基板または炭化シリコン基板である支持基板を備える請求項1から3のいずれか一項に記載の弾性波共振器。
- 請求項1から4のいずれか一項に記載の弾性波共振器を含むフィルタ。
- 請求項5に記載のフィルタを含むマルチプレクサ。
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