JP2023043968A - 保持装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】対象物を保持する保持装置において、セラミックス基板の反りを抑制する技術を提供する。
【解決手段】保持装置は、第１面と、第１面の裏面である第２面と、を有する保持部と、保持部の第２面側に配置された冷却部と、保持部と冷却部との間に配置され、保持部と冷却部とを接合する接合部と、を備え、保持部は、セラミックスを主成分とし、第１面側に配置されるセラミックス基板と、無機材料を主成分とする熱伝導率が３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下の無機基板であって、セラミックス基板に対して第２面側に配置された無機基板と、を有し、セラミックス基板の厚みは２ｍｍ以上であり、かつセラミックス基板の厚み（ｍｍ）と、無機基板の弾性率（ＧＰａ）の積が２以上２００以下である。
【選択図】図１
【解決手段】保持装置は、第１面と、第１面の裏面である第２面と、を有する保持部と、保持部の第２面側に配置された冷却部と、保持部と冷却部との間に配置され、保持部と冷却部とを接合する接合部と、を備え、保持部は、セラミックスを主成分とし、第１面側に配置されるセラミックス基板と、無機材料を主成分とする熱伝導率が３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下の無機基板であって、セラミックス基板に対して第２面側に配置された無機基板と、を有し、セラミックス基板の厚みは２ｍｍ以上であり、かつセラミックス基板の厚み（ｍｍ）と、無機基板の弾性率（ＧＰａ）の積が２以上２００以下である。
【選択図】図１
Description
本発明は、対象物を保持する保持装置に関する。
半導体を製造する際にウェハ等の対象物を保持する保持装置として、例えば、静電チャックが用いられる。静電チャックは、対象物が載置されるセラミックス基板と、セラミックス基板を冷却する冷却部と、セラミックス基板と冷却部とを接合する接合部と、を備える。静電チャックを、例えば、２５０℃以上の高温プロセスで使用する場合、シリコーン接着剤などにより形成された接合部が、熱により劣化し、剥がれるという問題があった。この問題に対し、セラミックス基板と接合部との間に、樹脂製の断熱材を挿入し、接合部を熱保護する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
しかしながら、静電チャックを上記のような高温で使用する際には、セラミックス基板と断熱材の下部には大きな温度差が生じることがある。この温度差により断熱材内部で生じる力や、セラミックス基板と断熱材との熱膨張率差に伴い生じる力により、セラミック基板の表面に反りが生じる虞がある。また樹脂製の断熱材を高温で使用する場合、劣化によって強度が低下し、材料内部で破壊する虞がある。
このような課題は、静電チャックに限らず、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＶＤ（ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＬＤ（Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等の真空装置用ヒーター装置、サセプタ、載置台等の保持装置に共通する課題である。
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、対象物を保持する保持装置において、セラミックス基板の反りを抑制する技術を提供することを目的とする。
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。
（１）本発明の一形態によれば、対象物を保持する保持装置が提供される。この保持装置は、第１面と、前記第１面の裏面である第２面と、を有する保持部と、前記保持部の前記第２面側に配置された冷却部と、前記保持部と前記冷却部との間に配置され、前記保持部と前記冷却部とを接合する接合部と、を備え、前記保持部は、セラミックスを主成分とし、前記第１面側に配置されるセラミックス基板と、無機材料を主成分とする熱伝導率が３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下の無機基板であって、前記セラミックス基板に対して前記第２面側に配置された無機基板と、を有し、前記セラミックス基板の厚みは２ｍｍ以上であり、かつ前記セラミックス基板の厚み（ｍｍ）と、前記無機基板の弾性率（ＧＰａ）の積が２以上２００以下である。
この形態の保持装置によれば、無機基板の熱伝導率が３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下であるため、例えば、２５０℃の高温稼働において、無機基板の厚みを比較的薄くしても所望の断熱性を得ることができる。これにより接合部を熱保護することができる。無機基板の厚みを薄くすることにより、セラミック基板と無機基板の下部との温度差により無機基板の内部で生じる力を小さくすることができ、セラミック基板の変形を抑制することができる。さらに、セラミックス基板の厚みが２ｍｍ以上と厚く、無機基板の弾性率とセラミックス基板の厚みの積を２以上２００以下とすることにより、無機基板の内部で力が生じてもセラミックス基板は変形し難くなる。したがって、無機基板の変形をセラミックス基板により押さえつけることができ、セラミックス基板の反りを抑制することができる。
（２）上記形態の保持装置であって、前記セラミックス基板を形成する材料と前記無機基板を形成する材料の熱膨張率の差が１０ｐｐｍ以下であってもよい。このようにすると、両者の熱膨張差が小さくなるため、セラミックス基板の反りを抑制することができる。
（３）上記形態の保持装置であって、前記無機基板の厚みが５ｍｍ以下であってもよい。このようにすると、無機基板の内部で発生する力と、セラミックス基板との間で発生する力を小さくすることができ、セラミックス基板の反りをさらに抑制することができる。
（４）上記形態の保持装置であって、前記接合部はシリコーン樹脂を主成分としてもよい。このようにすると、接合部と保持部との剥がれを適切に抑制することができる。
（５）上記形態の保持装置であって、前記セラミックス基板の厚みは前記無機基板の厚みより厚くてもよい。このようにすると、セラミックス基板により、無機基板の変形をより押さえつけることができる。
（６）上記形態の保持装置であって、前記セラミックス基板に、ヒーターが配置されてもよい。このようにすると、保持装置に保持された対象物を容易に高温にすることができる。
なお、本発明は、種々の態様で実現することが可能であり、例えば、保持装置を含む半導体製造装置などの形態で実現することができる。
＜実施形態＞
図１は、実施形態の静電チャック１０の外観構成を概略的に示す説明図である。図２は、静電チャック１０のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。図１、図２には、方向を特定するために、互いに直交するＸＹＺ軸が示されている。図２において、Ｙ軸正方向は、紙面裏側に向かう方向である。本明細書では、便宜的に、Ｚ軸正方向を上方向といい、Ｚ軸負方向を下方向というものとするが、静電チャック１０は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。本実施形態における静電チャック１０を、「保持装置」とも呼ぶ。
図１は、実施形態の静電チャック１０の外観構成を概略的に示す説明図である。図２は、静電チャック１０のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。図１、図２には、方向を特定するために、互いに直交するＸＹＺ軸が示されている。図２において、Ｙ軸正方向は、紙面裏側に向かう方向である。本明細書では、便宜的に、Ｚ軸正方向を上方向といい、Ｚ軸負方向を下方向というものとするが、静電チャック１０は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。本実施形態における静電チャック１０を、「保持装置」とも呼ぶ。
静電チャック１０は、対象物（例えばウェハＷ）を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば半導体製造装置の真空チャンバー内でウェハＷを固定するために使用される。静電チャック１０は、上下方向（Ｚ軸方向）に並べて配置された保持部１００と、冷却部２００と、保持部１００と冷却部２００とを接合する接合部３００と、を備える。
保持部１００は、第１面Ｓ１と、第１面Ｓ１の裏面である第２面Ｓ２と、を有し、第１面Ｓ１側にセラミックス基板１１０が配置され、第２面Ｓ２側に無機基板１２０が配置されている。本実施形態において、無機基板１２０は、同時焼成によりセラミックス基板１１０に接合されている。他の実施形態では、無機基板１２０は、例えば、接着剤によりセラミックス基板１１０に接合されてもよいし、熱圧着によりセラミックス基板１１０に接合されてもよい。セラミックス基板１１０と無機基板１２０とを接着剤によって接合する場合には、耐熱性が高い無機材料の接着剤を用いるのが好ましい。例えば、無機基板１２０の形成材料と同一の材料を主成分としてもよい。このようにすると、セラミックス基板１１０の温度が、例えば、２５０℃等の高温になる場合にも用いることができる。
セラミックス基板１１０は、保持部１００の第１面Ｓ１である第１面Ｓ１と、第１面Ｓ１の裏面である第３面と、を有する板状部材である。詳しくは、セラミックス基板１１０は、略円形平面状の第１面Ｓ１を有する板状部材である第１セラミックス部１１２（図１）と、第１セラミックス部１１２より径が大きい略円形平面状の第３面Ｓ３を有する板状部材である第２セラミックス部１１４と、が積層された形状であり、全体として、下に向かって（Ｚ軸マイナス方向に向かって）階段状に拡径する板状部材である。本実施形態において、セラミックス基板１１０の第１面Ｓ１は、ウェハＷが載置される載置面として機能する。セラミックス基板１１０は、いわゆるファインセラミックス、ニューセラミックスと言われるセラミックス（例えば、アルミナや窒化アルミニウム等）を主成分とする緻密体である。第１セラミックス部１１２の第１面Ｓ１の直径は、例えば、５０ｍｍ～５００ｍｍ程度（通常は２００ｍｍ～３５０ｍｍ程度）である。
セラミックス基板１１０の内部には、導電性材料（例えば、タングステンやモリブデン等）により形成された吸着電極１１６（図２）が配置されている。Ｚ軸方向視での吸着電極１１６の形状は、例えば略円形である。吸着電極１１６に電源（不図示）から電圧が印加されると、静電引力が発生し、この静電引力によってウェハＷがセラミックス基板１１０の第１面Ｓ１に吸着固定される。
また、セラミックス基板１１０の内部には、吸着電極１１６よりも下側（Ｚ軸マイナス側）に、Ｚ軸方向視で渦巻き型のヒーター１１８（図２）が配置されている。本実施形態において、ヒーター１１８は、タングステンやモリブデン等により形成されたメタライズ層である。ヒーター１１８の形状は、本実施形態に限定されず、例えば、円盤形状等でもよい。他の実施形態では、セラミックス基板１１０は、ヒーター１１８を備えなくてもよい。
無機基板１２０は、セラミックス基板１１０の第２面Ｓ２と径が等しい略円形平面状の板状部材である。無機基板１２０は、無機材料を主成分とする熱伝導率が３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下の板状部材である。無機基板１２０の熱伝導率は、セラミックス基板１１０より低く、断熱材として機能する。無機材料としては、例えば、ガラス・シリカ等のセラミックス基板より熱伝導率の低い材料を主成分とする天然鉱物、いわゆるファインセラミックス、ニューセラミックスと言われるセラミックスを用いることができる。すなわち、無機材料は、セラミックスと天然鉱物を含む概念である。本実施形態において無機基板１２０は緻密体であり、静電チャック１０は良好な気密性を得ることができる。無機基板１２０は、熱伝導率が３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下であればよく、複数の気孔を有する多孔質体であってもよい。例えば、セラミックス基板１１０と同一のセラミックスから成る多孔質体を、無機基板として用いてもよい。
セラミックス基板１１０の厚みは２ｍｍ以上であり、かつセラミックス基板１１０の厚み（ｍｍ）と無機基板の弾性率（ＧＰａ）の積が２以上２００以下である。このようにすると、セラミックス基板１１０の反りを抑制することができる。
セラミックス基板１１０を形成する材料と無機基板１２０を形成する材料の熱膨張率の差は、特に限定されないが、１０ｐｐｍ以下であることが好ましい。このようにすると、セラミックス基板１１０と無機基板１２０との温度差により生じる力が小さくなるため、セラミックス基板１１０の反りを抑制することができる。
無機基板１２０の厚さは特に限定されないが、５ｍｍ以下であることが好ましい。このようにすると、無機基板の内部で発生する力と、セラミックス基板との間で発生する力を小さくすることができ、セラミックス基板１１０の反りをさらに抑制することができる。
また、セラミックス基板１１０の厚みは、無機基板１２０の厚みより厚いことがさらに好ましい。このようにすると、セラミックス基板１１０により無機基板１２０の変形を抑制することができるため、セラミックス基板１１０の反りをさらに抑制することができる。
冷却部２００は、セラミックス基板１１０より径が大きい略円形平面状の板状部材である。冷却部２００は、熱伝導率が高い金属によって形成されている。例えば、アルミニウム、チタン、モリブデン、これらのそれぞれを主成分とする合金等を用いることができる。冷却部２００の直径は、例えば、２２０ｍｍ～５５０ｍｍ程度（通常は２２０ｍｍ～３５０ｍｍ）であり、冷却部２００の厚さは、例えば、２０ｍｍ～４０ｍｍ程度である。
冷却部２００の内部には冷媒流路２１０（図２）が形成されている。静電チャック１０の保持部１００に保持されたウェハＷを、プラズマを利用して加工する際、ウェハＷに対してプラズマから入熱され、ウェハＷの温度が上昇する。冷却部２００に形成された冷媒流路２１０に冷媒（例えば、フッ素系不活性液体や水等）が流されると、冷却部２００が冷却される。接合部３００を介した冷却部２００と保持部１００との間の伝熱により保持部１００が冷却され、保持部１００の第１面Ｓ１に保持されたウェハＷが冷却される。これにより、ウェハＷの温度制御が実現される。他の実施形態では、冷却部は内部に冷媒流路が形成されていなくてもよく、外部から冷却してもよい。
接合部３００は、無機基板１２０の径と等しい略円形平面状の板状部材であり、無機基板１２０と冷却部２００とを接合することにより、保持部１００と冷却部２００とを接合する。接合部３００は、有機材料を主成分とする接着剤から形成されており、有機材料としては、例えば、シリコーン、アクリル、ポリイミド等を用いることができる。有機材料として、柔軟性が高く、耐熱性も有するシリコーンを用いると、例えば、２５０℃等の高温下で静電チャック１０を使用する場合にも、剥離を抑制することができるため、好ましい。
実施例により本発明を更に具体的に説明する。
上記実施形態の静電チャック１０の実施例１～５と、比較例１～６を用いて、セラミック基板の反りを評価した。
上記実施形態の静電チャック１０の実施例１～５と、比較例１～６を用いて、セラミック基板の反りを評価した。
表１は、実施例１～５、および比較例１～６の諸元、およびセラミック基板の反り量を示す。表１において、後述する要件の番号とその内容を記載し、その要件を満たさないものには、数値の後ろに括弧書きで×印を付している。
１．保持装置の製造
実施例および比較例の保持装置は、下記の方法により製造された。
・実施例１
まず、公知の方法により、アルミナを主成分とするセラミックスグリーンシートを作製する。セラミックスグリーンシート上にヒーターや吸着用電極、ビア、通気孔を作製し、複数のセラミックグリーンシートを積層して熱圧着した後、還元雰囲気下１４００℃～１６００℃で焼成を行い、厚み１０ｍｍのセラミックス基板を得た。
無機基板としてロックウールおよびシリカ、アルミナを主成分とした、緻密な無機基板（熱膨張率ＣＴＥ＝１９×１０-6 １／℃）を使用した。無機基板の弾性率は１８ＧＰａであった。無機基板を所定のサイズに切断し、穴あけ加工し、所定の厚さまで研磨を行った後、シランカップリング剤を含む無機バインダーを塗布し、熱圧着によりセラミック基板と接合した。
次いで、セラミック基板と無機基板の接合体と、冷却部をシリコーン接着剤により接合することで、保持装置を得た。
・実施例２
まず、公知の方法により、アルミナを主成分とするセラミックスグリーンシートを作製する。セラミックスグリーンシート上にヒーターや吸着用電極、ビア、通気孔を作製し、複数のセラミックグリーンシートを積層して熱圧着した後、還元雰囲気下１４００℃～１６００℃で焼成を行い、厚み６ｍｍのセラミックス基板を得た。
無機基板としてロックウールおよびシリカ、アルミナを主成分とした、緻密な無機基板（ＣＴＥ＝１８×１０-6 １／℃）を使用した。無機基板の弾性率は１．８ＧＰａであった。無機基板を所定のサイズに切断し、穴あけ加工し、所定の厚さまで研磨を行った後、シランカップリング剤を含む無機バインダーを塗布し、熱圧着によりセラミック基板と接合した。
次いで、セラミック基板と無機基板の接合体と、冷却部をシリコーン接着剤により接合することで、保持装置を得た。
・実施例３
まず、公知の方法により、アルミナを主成分とするセラミックスグリーンシートを作製する。セラミックスグリーンシート上にヒーターや吸着用電極、ビア、通気孔を作製し、複数のセラミックグリーンシートを積層して熱圧着した後、還元雰囲気下１４００℃～１６００℃で焼成を行い、厚み６ｍｍのセラミックス基板を得た。
無機基板としてガラスウールおよびシリカを主成分とした、緻密な無機基板（ＣＴＥ＝１２×１０-6 １／℃）を使用した。無機基板の弾性率は４ＧＰａであった。無機基板を所定のサイズに切断し、穴あけ加工し、所定の厚さまで研磨を行った後、シランカップリング剤を含む無機バインダーを塗布し、熱圧着によりセラミック基板と接合した。
次いで、セラミック基板と無機基板の接合体と、冷却部をシリコーン接着剤により接合することで、保持装置を得た。
・実施例４
まず、公知の方法により、アルミナを主成分とするセラミックスグリーンシートを作製する。セラミックスグリーンシート上にヒーターや吸着用電極、ビア、通気孔を作製し、複数のセラミックグリーンシートを積層して熱圧着した後、還元雰囲気下１４００℃～１６００℃で焼成を行い、厚み２ｍｍのセラミックス基板を得た。
無機基板としてガラスクロスおよびシリカを主成分とした、緻密な無機基板（ＣＴＥ＝１０×１０-6 １／℃）を使用した。無機基板の弾性率は６ＧＰａであった。無機基板を所定のサイズに切断し、穴あけ加工し、所定の厚さまで研磨を行った後、シランカップリング剤を含む無機バインダーを塗布し、熱圧着によりセラミック基板と接合した。
次いで、セラミック基板と無機基板の接合体と、冷却部をシリコーン接着剤により接合することで、保持装置を得た。
・実施例５
まず、公知の方法により、アルミナを主成分とするセラミックスグリーンシートを作製する。セラミックスグリーンシート上にヒーターや吸着用電極、ビア、通気孔を作製し、複数のセラミックグリーンシートを積層して熱圧着した後、還元雰囲気下１４００℃～１６００℃で焼成を行い、厚み２ｍｍのセラミックス基板を得た。
無機基板としてガラスウールおよびシリカを主成分とした、緻密な無機基板（ＣＴＥ＝１０×１０-6 １／℃）を使用した。無機基板の弾性率は１ＧＰａであった。無機基板を所定のサイズに切断し、穴あけ加工し、所定の厚さまで研磨を行った後、シランカップリング剤を含む無機バインダーを塗布し、熱圧着によりセラミック基板と接合した。
次いで、セラミック基板と無機基板の接合体と、冷却部をシリコーン接着剤により接合することで、保持装置を得た。
・比較例１
まず、公知の方法により、アルミナを主成分とするセラミックスグリーンシートを作製する。セラミックスグリーンシート上にヒーターや吸着用電極、ビア、通気孔を作製し、複数のセラミックグリーンシートを積層して熱圧着した後、還元雰囲気下１４００℃～１６００℃で焼成を行い、厚み１ｍｍのセラミックス基板を得た。
無機基板としてアルミナアースシリケートウールを押し固めた、緻密な無機基板（ＣＴＥ＝１９×１０-6 １／℃）を使用した。無機基板の弾性率は１ＧＰａであった。無機基板を所定のサイズに切断し、穴あけ加工し、所定の厚さまで研磨を行った後、無機接着剤によってセラミック基板と接合した。
次いで、セラミック基板と無機基板の接合体と、冷却部をシリコーン接着剤により接合することで、保持装置を得た。
・比較例２
まず、公知の方法により、アルミナを主成分とするセラミックスグリーンシートを作製する。セラミックスグリーンシート上にヒーターや吸着用電極、ビア、通気孔を作製し、複数のセラミックグリーンシートを積層して熱圧着した後、還元雰囲気下１４００℃～１６００℃で焼成を行い、厚み１ｍｍのセラミックス基板を得た。
無機基板として無機バインダーと共にアルミナアースシリケートウールを押し固めた、緻密な無機基板（ＣＴＥ＝１１×１０-6 １／℃）を使用した。無機基板の弾性率は１．２ＧＰａであった。無機基板を所定のサイズに切断し、穴あけ加工し、所定の厚さまで研磨を行った後、シランカップリング剤を含む無機バインダーを塗布し、熱圧着によりセラミック基板と接合した。
次いで、セラミック基板と無機基板の接合体と、冷却部をシリコーン接着剤により接合することで、保持装置を得た。
・比較例３
まず、公知の方法により、アルミナを主成分とするセラミックスグリーンシートを作製する。セラミックスグリーンシート上にヒーターや吸着用電極、ビア、通気孔を作製し、複数のセラミックグリーンシートを積層して熱圧着した後、還元雰囲気下１４００℃～１６００℃で焼成を行い、厚み１ｍｍのセラミックス基板を得た。
無機基板としてガラスウールおよびシリカを主成分とした、緻密な無機基板（ＣＴＥ＝１１×１０-6 １／℃）を使用した。無機基板の弾性率は１．２ＧＰａであった。無機基板を所定のサイズに切断し、穴あけ加工し、所定の厚さまで研磨を行った後、シランカップリング剤を含む無機バインダーを塗布し、熱圧着によりセラミック基板と接合した。
次いで、セラミック基板と無機基板の接合体と、冷却部をシリコーン接着剤により接合することで、保持装置を得た。
・比較例４
まず、公知の方法により、アルミナを主成分とするセラミックスグリーンシートを作製する。セラミックスグリーンシート上にヒーターや吸着用電極、ビア、通気孔を作製し、複数のセラミックグリーンシートを積層して熱圧着した。
無機基板としてアルミナおよびカーボン粒子を主成分とするセラミックスグリーンシートを作製する。セラミックスグリーンシート上にビア、通気孔を作製し、上記で作製したセラミックスグリーンシート積層体に積層し、熱圧着した。
得られた積層体を、還元雰囲気下１４００℃～１６００℃で同時焼成を行った。無機基板の層は多孔体となり断熱機能を有するようになる。焼成後、セラミックス基板の厚みは７ｍｍであり、無機基板の厚みは５ｍｍであった。また無機基板はＣＴＥ＝１６×１０-6 １／℃であり、弾性率は３２ＧＰａであった。
次いで、セラミック基板と無機基板の接合体と、冷却部をシリコーン接着剤により接合することで、保持装置を得た。
・比較例５
まず、公知の方法により、アルミナを主成分とするセラミックスグリーンシートを作製する。セラミックスグリーンシート上にヒーターや吸着用電極、ビア、通気孔を作製し、複数のセラミックグリーンシートを積層して熱圧着した。
無機基板としてアルミナおよびカーボン粒子を主成分とするセラミックスグリーンシートを作製する。セラミックスグリーンシート上にビア、通気孔を作製し、上記で作製したセラミックスグリーンシート積層体に積層し、熱圧着した。
得られた積層体を還元雰囲気下１４００℃～１６００℃で同時焼成を行った。無機基板の層は多孔体となり断熱機能を有するようになる。焼成後、セラミックス基板の厚みは６ｍｍであり、無機基板の厚みは５ｍｍであった。また無機基板はＣＴＥ＝１６×１０-6 １／℃であり、弾性率は３５ＧＰａであった。
次いで、セラミック基板と無機基板の接合体と、冷却部をシリコーン接着剤により接合することで、保持装置を得た。
・比較例６
まず、公知の方法により、アルミナを主成分とするセラミックスグリーンシートを作製する。セラミックスグリーンシート上にヒーターや吸着用電極、ビア、通気孔を作製し、複数のセラミックグリーンシートを積層して熱圧着した。
無機基板としてアルミナ、シリカおよびカーボン粒子を主成分とするセラミックスグリーンシートを作製する。セラミックスグリーンシート上にビア、通気孔を作製し、上記で作製したセラミックスグリーンシート積層体に積層、熱圧着した。
得られた積層体を、還元雰囲気下１４００℃～１６００℃で同時焼成を行った。この時、セラミックス基板の厚みは２ｍｍであり、無機基板の厚みは５．５ｍｍであった。また無機基板はＣＴＥ＝１１×１０-6 １／℃であり、弾性率は６ＧＰａであった。
次いで、セラミック基板と無機基板の接合体と、冷却部をシリコーン接着剤により接合することで、保持装置を得た。
実施例および比較例の保持装置は、下記の方法により製造された。
・実施例１
まず、公知の方法により、アルミナを主成分とするセラミックスグリーンシートを作製する。セラミックスグリーンシート上にヒーターや吸着用電極、ビア、通気孔を作製し、複数のセラミックグリーンシートを積層して熱圧着した後、還元雰囲気下１４００℃～１６００℃で焼成を行い、厚み１０ｍｍのセラミックス基板を得た。
無機基板としてロックウールおよびシリカ、アルミナを主成分とした、緻密な無機基板（熱膨張率ＣＴＥ＝１９×１０-6 １／℃）を使用した。無機基板の弾性率は１８ＧＰａであった。無機基板を所定のサイズに切断し、穴あけ加工し、所定の厚さまで研磨を行った後、シランカップリング剤を含む無機バインダーを塗布し、熱圧着によりセラミック基板と接合した。
次いで、セラミック基板と無機基板の接合体と、冷却部をシリコーン接着剤により接合することで、保持装置を得た。
・実施例２
まず、公知の方法により、アルミナを主成分とするセラミックスグリーンシートを作製する。セラミックスグリーンシート上にヒーターや吸着用電極、ビア、通気孔を作製し、複数のセラミックグリーンシートを積層して熱圧着した後、還元雰囲気下１４００℃～１６００℃で焼成を行い、厚み６ｍｍのセラミックス基板を得た。
無機基板としてロックウールおよびシリカ、アルミナを主成分とした、緻密な無機基板（ＣＴＥ＝１８×１０-6 １／℃）を使用した。無機基板の弾性率は１．８ＧＰａであった。無機基板を所定のサイズに切断し、穴あけ加工し、所定の厚さまで研磨を行った後、シランカップリング剤を含む無機バインダーを塗布し、熱圧着によりセラミック基板と接合した。
次いで、セラミック基板と無機基板の接合体と、冷却部をシリコーン接着剤により接合することで、保持装置を得た。
・実施例３
まず、公知の方法により、アルミナを主成分とするセラミックスグリーンシートを作製する。セラミックスグリーンシート上にヒーターや吸着用電極、ビア、通気孔を作製し、複数のセラミックグリーンシートを積層して熱圧着した後、還元雰囲気下１４００℃～１６００℃で焼成を行い、厚み６ｍｍのセラミックス基板を得た。
無機基板としてガラスウールおよびシリカを主成分とした、緻密な無機基板（ＣＴＥ＝１２×１０-6 １／℃）を使用した。無機基板の弾性率は４ＧＰａであった。無機基板を所定のサイズに切断し、穴あけ加工し、所定の厚さまで研磨を行った後、シランカップリング剤を含む無機バインダーを塗布し、熱圧着によりセラミック基板と接合した。
次いで、セラミック基板と無機基板の接合体と、冷却部をシリコーン接着剤により接合することで、保持装置を得た。
・実施例４
まず、公知の方法により、アルミナを主成分とするセラミックスグリーンシートを作製する。セラミックスグリーンシート上にヒーターや吸着用電極、ビア、通気孔を作製し、複数のセラミックグリーンシートを積層して熱圧着した後、還元雰囲気下１４００℃～１６００℃で焼成を行い、厚み２ｍｍのセラミックス基板を得た。
無機基板としてガラスクロスおよびシリカを主成分とした、緻密な無機基板（ＣＴＥ＝１０×１０-6 １／℃）を使用した。無機基板の弾性率は６ＧＰａであった。無機基板を所定のサイズに切断し、穴あけ加工し、所定の厚さまで研磨を行った後、シランカップリング剤を含む無機バインダーを塗布し、熱圧着によりセラミック基板と接合した。
次いで、セラミック基板と無機基板の接合体と、冷却部をシリコーン接着剤により接合することで、保持装置を得た。
・実施例５
まず、公知の方法により、アルミナを主成分とするセラミックスグリーンシートを作製する。セラミックスグリーンシート上にヒーターや吸着用電極、ビア、通気孔を作製し、複数のセラミックグリーンシートを積層して熱圧着した後、還元雰囲気下１４００℃～１６００℃で焼成を行い、厚み２ｍｍのセラミックス基板を得た。
無機基板としてガラスウールおよびシリカを主成分とした、緻密な無機基板（ＣＴＥ＝１０×１０-6 １／℃）を使用した。無機基板の弾性率は１ＧＰａであった。無機基板を所定のサイズに切断し、穴あけ加工し、所定の厚さまで研磨を行った後、シランカップリング剤を含む無機バインダーを塗布し、熱圧着によりセラミック基板と接合した。
次いで、セラミック基板と無機基板の接合体と、冷却部をシリコーン接着剤により接合することで、保持装置を得た。
・比較例１
まず、公知の方法により、アルミナを主成分とするセラミックスグリーンシートを作製する。セラミックスグリーンシート上にヒーターや吸着用電極、ビア、通気孔を作製し、複数のセラミックグリーンシートを積層して熱圧着した後、還元雰囲気下１４００℃～１６００℃で焼成を行い、厚み１ｍｍのセラミックス基板を得た。
無機基板としてアルミナアースシリケートウールを押し固めた、緻密な無機基板（ＣＴＥ＝１９×１０-6 １／℃）を使用した。無機基板の弾性率は１ＧＰａであった。無機基板を所定のサイズに切断し、穴あけ加工し、所定の厚さまで研磨を行った後、無機接着剤によってセラミック基板と接合した。
次いで、セラミック基板と無機基板の接合体と、冷却部をシリコーン接着剤により接合することで、保持装置を得た。
・比較例２
まず、公知の方法により、アルミナを主成分とするセラミックスグリーンシートを作製する。セラミックスグリーンシート上にヒーターや吸着用電極、ビア、通気孔を作製し、複数のセラミックグリーンシートを積層して熱圧着した後、還元雰囲気下１４００℃～１６００℃で焼成を行い、厚み１ｍｍのセラミックス基板を得た。
無機基板として無機バインダーと共にアルミナアースシリケートウールを押し固めた、緻密な無機基板（ＣＴＥ＝１１×１０-6 １／℃）を使用した。無機基板の弾性率は１．２ＧＰａであった。無機基板を所定のサイズに切断し、穴あけ加工し、所定の厚さまで研磨を行った後、シランカップリング剤を含む無機バインダーを塗布し、熱圧着によりセラミック基板と接合した。
次いで、セラミック基板と無機基板の接合体と、冷却部をシリコーン接着剤により接合することで、保持装置を得た。
・比較例３
まず、公知の方法により、アルミナを主成分とするセラミックスグリーンシートを作製する。セラミックスグリーンシート上にヒーターや吸着用電極、ビア、通気孔を作製し、複数のセラミックグリーンシートを積層して熱圧着した後、還元雰囲気下１４００℃～１６００℃で焼成を行い、厚み１ｍｍのセラミックス基板を得た。
無機基板としてガラスウールおよびシリカを主成分とした、緻密な無機基板（ＣＴＥ＝１１×１０-6 １／℃）を使用した。無機基板の弾性率は１．２ＧＰａであった。無機基板を所定のサイズに切断し、穴あけ加工し、所定の厚さまで研磨を行った後、シランカップリング剤を含む無機バインダーを塗布し、熱圧着によりセラミック基板と接合した。
次いで、セラミック基板と無機基板の接合体と、冷却部をシリコーン接着剤により接合することで、保持装置を得た。
・比較例４
まず、公知の方法により、アルミナを主成分とするセラミックスグリーンシートを作製する。セラミックスグリーンシート上にヒーターや吸着用電極、ビア、通気孔を作製し、複数のセラミックグリーンシートを積層して熱圧着した。
無機基板としてアルミナおよびカーボン粒子を主成分とするセラミックスグリーンシートを作製する。セラミックスグリーンシート上にビア、通気孔を作製し、上記で作製したセラミックスグリーンシート積層体に積層し、熱圧着した。
得られた積層体を、還元雰囲気下１４００℃～１６００℃で同時焼成を行った。無機基板の層は多孔体となり断熱機能を有するようになる。焼成後、セラミックス基板の厚みは７ｍｍであり、無機基板の厚みは５ｍｍであった。また無機基板はＣＴＥ＝１６×１０-6 １／℃であり、弾性率は３２ＧＰａであった。
次いで、セラミック基板と無機基板の接合体と、冷却部をシリコーン接着剤により接合することで、保持装置を得た。
・比較例５
まず、公知の方法により、アルミナを主成分とするセラミックスグリーンシートを作製する。セラミックスグリーンシート上にヒーターや吸着用電極、ビア、通気孔を作製し、複数のセラミックグリーンシートを積層して熱圧着した。
無機基板としてアルミナおよびカーボン粒子を主成分とするセラミックスグリーンシートを作製する。セラミックスグリーンシート上にビア、通気孔を作製し、上記で作製したセラミックスグリーンシート積層体に積層し、熱圧着した。
得られた積層体を還元雰囲気下１４００℃～１６００℃で同時焼成を行った。無機基板の層は多孔体となり断熱機能を有するようになる。焼成後、セラミックス基板の厚みは６ｍｍであり、無機基板の厚みは５ｍｍであった。また無機基板はＣＴＥ＝１６×１０-6 １／℃であり、弾性率は３５ＧＰａであった。
次いで、セラミック基板と無機基板の接合体と、冷却部をシリコーン接着剤により接合することで、保持装置を得た。
・比較例６
まず、公知の方法により、アルミナを主成分とするセラミックスグリーンシートを作製する。セラミックスグリーンシート上にヒーターや吸着用電極、ビア、通気孔を作製し、複数のセラミックグリーンシートを積層して熱圧着した。
無機基板としてアルミナ、シリカおよびカーボン粒子を主成分とするセラミックスグリーンシートを作製する。セラミックスグリーンシート上にビア、通気孔を作製し、上記で作製したセラミックスグリーンシート積層体に積層、熱圧着した。
得られた積層体を、還元雰囲気下１４００℃～１６００℃で同時焼成を行った。この時、セラミックス基板の厚みは２ｍｍであり、無機基板の厚みは５．５ｍｍであった。また無機基板はＣＴＥ＝１１×１０-6 １／℃であり、弾性率は６ＧＰａであった。
次いで、セラミック基板と無機基板の接合体と、冷却部をシリコーン接着剤により接合することで、保持装置を得た。
２．各パラメータの調整方法
実施例および比較例における各パラメータは下記の方法により調整した。
・無機基板の熱伝導率
無機基板の熱伝導率は、緻密質の場合は、使用する材料組成よって調整することができ、多孔質の場合は、使用する材料組成、気孔率によって調整することができる。
・無機基板の弾性率（ヤング率）
無機基板の弾性率（ヤング率）は使用する材料組成や、不純物量、密度によって調整することができる。
・熱膨張率差
セラミックス基板は高密度のセラミックスであるため、熱膨張率を制御することは難しい。そこで、熱膨張率差は無機基板の組成および気孔率によって調整することができる。無機基板にセラミックス基板と同等の熱膨張率を有する材料を用いることで、セラミックス基板との熱膨張率差を小さくすることができる。また無機基板中の気孔率を小さくすることでも熱膨張率差を小さくすることができる。
実施例および比較例における各パラメータは下記の方法により調整した。
・無機基板の熱伝導率
無機基板の熱伝導率は、緻密質の場合は、使用する材料組成よって調整することができ、多孔質の場合は、使用する材料組成、気孔率によって調整することができる。
・無機基板の弾性率（ヤング率）
無機基板の弾性率（ヤング率）は使用する材料組成や、不純物量、密度によって調整することができる。
・熱膨張率差
セラミックス基板は高密度のセラミックスであるため、熱膨張率を制御することは難しい。そこで、熱膨張率差は無機基板の組成および気孔率によって調整することができる。無機基板にセラミックス基板と同等の熱膨張率を有する材料を用いることで、セラミックス基板との熱膨張率差を小さくすることができる。また無機基板中の気孔率を小さくすることでも熱膨張率差を小さくすることができる。
３．各物性の測定方法および評価方法
以下に説明する方法により、実施例および比較例の保持装置におけるセラミックス基板および無機基板の物性の測定、および保持装置の評価を行った。
以下に説明する方法により、実施例および比較例の保持装置におけるセラミックス基板および無機基板の物性の測定、および保持装置の評価を行った。
・セラミックス基板および無機基板の厚み
図３は、セラミック基板および無機基板の厚みの測定方法の説明図である。セラミックス基板および無機基板（断熱板）の厚みは、保持装置の中央部を、５ｍｍの幅で垂直方向（Ｚ軸方向）に切断し、得られた切断片ＣＰを光学顕微鏡で観察することで測定した。図３（Ａ）は、実施形態の静電チャック１０の平面構成を概略的に示しており、切断線ＣＬを一点鎖線で図示し、切断片ＣＰに斜線ハッチングを付して示している。測定は端部から約７ｃｍ間隔で計５点行い、セラミックス基板および無機基板のそれぞれについて、最も薄い厚みを、各基板の厚みとして選択した。図３（Ｂ）は、切断片ＣＰの断面構成を概略的に図示しており、測定点をＰ１～Ｐ５として図示している。
図３は、セラミック基板および無機基板の厚みの測定方法の説明図である。セラミックス基板および無機基板（断熱板）の厚みは、保持装置の中央部を、５ｍｍの幅で垂直方向（Ｚ軸方向）に切断し、得られた切断片ＣＰを光学顕微鏡で観察することで測定した。図３（Ａ）は、実施形態の静電チャック１０の平面構成を概略的に示しており、切断線ＣＬを一点鎖線で図示し、切断片ＣＰに斜線ハッチングを付して示している。測定は端部から約７ｃｍ間隔で計５点行い、セラミックス基板および無機基板のそれぞれについて、最も薄い厚みを、各基板の厚みとして選択した。図３（Ｂ）は、切断片ＣＰの断面構成を概略的に図示しており、測定点をＰ１～Ｐ５として図示している。
・弾性率
セラミックス基板および無機基板の弾性率は、ナノインデンテーション法により測定した。シリコーン溶解剤を用いて、保持部を冷却部と分離し、保持部を適切な大きさに切断した後、セラミックス基板および無機基板のそれぞれの面に対して、弾性率（ヤング率）の測定を行った。測定はＩＳＯ１４５７７に準拠して行った。
セラミックス基板および無機基板の弾性率は、ナノインデンテーション法により測定した。シリコーン溶解剤を用いて、保持部を冷却部と分離し、保持部を適切な大きさに切断した後、セラミックス基板および無機基板のそれぞれの面に対して、弾性率（ヤング率）の測定を行った。測定はＩＳＯ１４５７７に準拠して行った。
・熱伝導率
無機基板の熱伝導率は保持装置から無機基板の部分を切り出し、非定常平面熱源法による測定を行った。装置はＲｉｇａｋｕ製のＴＣｉを使用し、室温（２３℃）環境下で測定した。
無機基板の熱伝導率は保持装置から無機基板の部分を切り出し、非定常平面熱源法による測定を行った。装置はＲｉｇａｋｕ製のＴＣｉを使用し、室温（２３℃）環境下で測定した。
・熱膨張率
各材料の熱膨張率は、熱機械分析装置Ｔｈｅｒｍｏ ｐｌｕｓ（ＲＩＧＡＫＵ製）により測定した。
各材料の熱膨張率は、熱機械分析装置Ｔｈｅｒｍｏ ｐｌｕｓ（ＲＩＧＡＫＵ製）により測定した。
・反り（評価）
セラミックス基板表面が１５０℃となるようヒーター電極に通電し、冷却部には３０℃の冷却水を流し水冷した状態で、セラミックス基板表面の反りを測定した。レーザー式の３次元測定機（ＮＥＸＩＶ）を使用し、セラミックス基板表面を１ｃｍ間隔で９００点測定することで反りを測定した。全測定点における最大値と最小値の差を反りとした。
セラミックス基板表面が１５０℃となるようヒーター電極に通電し、冷却部には３０℃の冷却水を流し水冷した状態で、セラミックス基板表面の反りを測定した。レーザー式の３次元測定機（ＮＥＸＩＶ）を使用し、セラミックス基板表面を１ｃｍ間隔で９００点測定することで反りを測定した。全測定点における最大値と最小値の差を反りとした。
３．評価結果
表１に示すように、実施例１～５は比較例１～６と比べて保持部の反り量を抑制することができ、反り量は２５０μｍ以下であった。
表１に示すように、実施例１～５は比較例１～６と比べて保持部の反り量を抑制することができ、反り量は２５０μｍ以下であった。
実施例１、２は、下記〔１〕～〔３〕の要件を満たしている（表１）。
〔１〕無機基板の熱伝導率が３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下である。
〔２〕セラミックス基板の厚みは２ｍｍ以上である。
〔３〕セラミックス基板の厚み（ｍｍ）と、無機基板の弾性率（ＧＰａ）の積が２以上２００以下である。
〔１〕無機基板の熱伝導率が３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下である。
〔２〕セラミックス基板の厚みは２ｍｍ以上である。
〔３〕セラミックス基板の厚み（ｍｍ）と、無機基板の弾性率（ＧＰａ）の積が２以上２００以下である。
実施例３は、上記〔１〕～〔３〕の要件に加え、さらに、下記〔４〕の要件を満たしている。
〔４〕セラミックス基板を形成する材料と無機基板を形成する材料の熱膨張率の差が１０ｐｐｍ以下である。
〔４〕セラミックス基板を形成する材料と無機基板を形成する材料の熱膨張率の差が１０ｐｐｍ以下である。
実施例４、５は、上記〔１〕～〔４〕の要件に加え、さらに、下記〔５〕の要件を満たしている。
〔５〕無機基板の厚みが５ｍｍ以下である。
〔５〕無機基板の厚みが５ｍｍ以下である。
これに対して、比較例１～６は、上記〔１〕～〔３〕のいずれかの要件を満たしていない。比較例１はさらに要件〔４〕、〔５〕を満たしておらず、比較例２および比較例６はさらに要件〔５〕を満たしていない。
上述の通り、実施例１～５は、要件〔１〕～〔３〕を全て満たしている。無機基板の熱伝導率が小さいため、無機基板における高さ方向（Ｚ軸方向）の温度勾配を抑制することができ、無機基板における内部応力の発生に伴う変形を抑制することができた。また、セラミックス基板の厚みが２ｍｍ以上であり、比較的厚いため、無機基板の変形をセラミックス基板により押さえつけることができた。さらに、セラミックス基板厚み（ｍｍ）×無機基板の弾性率（ＧＰａ）は反りの程度を示すパラメータを表しており、値が大きい程反りが大きくなる傾向を示すことを、発明者らは見出した。実施例１～５はセラミックス基板厚み（ｍｍ）×無機基板の弾性率（ＧＰａ）が２以上２００以下であるため、無機基板が比較的変形しにくく、セラミックス基板の反りを抑制することができた。
実施例３～５は、さらに、セラミックス基板と無機基板との熱膨張率の差が１０ｐｐｍ以下であるため、セラミックス基板と無機基板との熱膨張率差に伴う変形を抑制することができ、セラミックス基板の反りを、実施例１、２よりさらに抑制することができた。
実施例４、５は、さらに、無機基板の厚みが５ｍｍ以下であるため、無機基板の内部で発生する応力と、無機基板とセラミックス基板との間で発生する力を小さくすることができ、セラミックス基板の反りを、実施例３よりさらに抑制することができた。
比較例１～３は、無機基板の熱伝導率は３（Ｗ／（ｍ・Ｋ））以下と小さいものの、セラミック基板が薄く（１ｍｍ）、セラミックス基板厚み（ｍｍ）×無機基板の弾性率（ＧＰａ）も２より小さいため、セラミックス基板の反り量が実施例１～５より大きくなった。
比較例４はセラミックス基板の厚みは２ｍｍ以上であり（７ｍｍ）、熱伝導率も３．０（Ｗ／（ｍ・Ｋ））と小さいものの、セラミックス基板厚み（ｍｍ）×無機基板の弾性率（ＧＰａ）が２００より大きいため、セラミックス基板の反り量が実施例１～５より大きくなった。
比較例５はセラミックス基板の厚みは２ｍｍ以上（６ｍｍ）であるものの、セラミックス基板厚み（ｍｍ）×無機基板の弾性率（ＧＰａ）が２００より大きく、無機基板の熱伝導率が３（Ｗ／（ｍ・Ｋ））以上であるため、セラミックス基板の反り量が実施例１～５より大きくなった。
比較例６はセラミックス基板の厚みは２ｍｍ以上（２ｍｍ）であり、セラミックス基板厚み（ｍｍ）×無機基板の弾性率（ＧＰａ）が２以上２００以下（１２）であるものの、無機基板の熱伝導率が３（Ｗ／（ｍ・Ｋ））以上（３．５）であるため無機基板における高さ方向（Ｚ軸方向）の温度勾配が比較的大きく、かつ無機基板の厚みが５ｍｍ以上（５．５ｍｍ）と厚いため、無機基板の内部応力が比較的大きくなり、反り量が実施例１～５より大きくなった。
＜本実施形態の変形例＞
本発明は上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。
本発明は上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。
・上記実施形態では、セラミックス基板１１０の第１面Ｓ１の上に対象物が保持される例を示したが、セラミックス基板１１０の上に、さらに別のセラミックス基板を接合し、その上に対象物が保持される構成にしてもよい。
・上記実施形態において、保持装置として静電チャックを例示したが、保持装置は、静電チャックに限定されない。例えば、ＣＶＤ、ＰＶＤ、ＰＬＤ（Pulsed Laser Deposition）等の真空装置用ヒーター装置、サセプタ、載置台として構成することができる。
・上記実施形態において、保持装置として、略円形平面の板状部材の積層体を備える例を示したが、平面形状は上記実施形態に限定されない。例えば、矩形、多角形等であってもよい。
以上、実施形態、変形例に基づき本発明について説明してきたが、上記した態様の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本発明にはその等価物が含まれる。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することができる。
１０…静電チャック
１００…保持部
１１０…セラミックス基板
１１２…第１セラミックス部
１１４…第２セラミックス部
１１６…吸着電極
１１８…ヒーター
１２０…無機基板
２００…冷却部
２１０…冷媒流路
３００…接合部
ＣＬ…切断線
ＣＰ…切断片
Ｓ１…第１面
Ｓ２…第２面
Ｓ３…第３面
Ｗ…ウェハ
１００…保持部
１１０…セラミックス基板
１１２…第１セラミックス部
１１４…第２セラミックス部
１１６…吸着電極
１１８…ヒーター
１２０…無機基板
２００…冷却部
２１０…冷媒流路
３００…接合部
ＣＬ…切断線
ＣＰ…切断片
Ｓ１…第１面
Ｓ２…第２面
Ｓ３…第３面
Ｗ…ウェハ
Claims (6)
- 対象物を保持する保持装置であって、
第１面と、前記第１面の裏面である第２面と、を有する保持部と、
前記保持部の前記第２面側に配置された冷却部と、
前記保持部と前記冷却部との間に配置され、前記保持部と前記冷却部とを接合する接合部と、
を備え、
前記保持部は、
セラミックスを主成分とし、前記第１面側に配置されるセラミックス基板と、
無機材料を主成分とする熱伝導率が３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下の無機基板であって、前記セラミックス基板に対して前記第２面側に配置された無機基板と、
を有し、
前記セラミックス基板の厚みは２ｍｍ以上であり、かつ
前記セラミックス基板の厚み（ｍｍ）と、前記無機基板の弾性率（ＧＰａ）の積が２以上２００以下であることを特徴とする、
保持装置。 - 請求項１に記載の保持装置であって、
前記セラミックス基板を形成する材料と前記無機基板を形成する材料の熱膨張率の差が１０ｐｐｍ以下であることを特徴とする、
保持装置。 - 請求項１または請求項２に記載の保持装置であって、
前記無機基板の厚みが５ｍｍ以下であることを特徴とする、
保持装置。 - 請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の保持装置であって、
前記接合部はシリコーン樹脂を主成分とすることを特徴とする、
保持装置。 - 請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の保持装置であって、
前記セラミックス基板の厚みは前記無機基板の厚みより厚いことを特徴とする、
保持装置。 - 請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の保持装置であって、
前記セラミックス基板に、ヒーターが配置されることを特徴とする、
保持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021151746A JP2023043968A (ja) | 2021-09-17 | 2021-09-17 | 保持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021151746A JP2023043968A (ja) | 2021-09-17 | 2021-09-17 | 保持装置 |
Publications (1)
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| JP2023043968A true JP2023043968A (ja) | 2023-03-30 |
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ID=85725859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021151746A Pending JP2023043968A (ja) | 2021-09-17 | 2021-09-17 | 保持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2023043968A (ja) |
-
2021
- 2021-09-17 JP JP2021151746A patent/JP2023043968A/ja active Pending
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