JP6703645B2 - 保持装置、および、保持装置の製造方法 - Google Patents

保持装置、および、保持装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6703645B2
JP6703645B2 JP2019534898A JP2019534898A JP6703645B2 JP 6703645 B2 JP6703645 B2 JP 6703645B2 JP 2019534898 A JP2019534898 A JP 2019534898A JP 2019534898 A JP2019534898 A JP 2019534898A JP 6703645 B2 JP6703645 B2 JP 6703645B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ceramic member
joint portion
joining
base member
substantially perpendicular
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019534898A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2019230030A1 (ja
Inventor
誠 栗林
誠 栗林
真宏 井上
真宏 井上
利真 榊原
利真 榊原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Spark Plug Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of JP6703645B2 publication Critical patent/JP6703645B2/ja
Publication of JPWO2019230030A1 publication Critical patent/JPWO2019230030A1/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/043—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of metal
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/20—Layered products comprising a layer of metal comprising aluminium or copper
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
    • B32B3/02—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions
    • B32B3/08—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions characterised by added members at particular parts
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
    • B32B3/10—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a discontinuous layer, i.e. formed of separate pieces of material
    • B32B3/18—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a discontinuous layer, i.e. formed of separate pieces of material characterised by an internal layer formed of separate pieces of material which are juxtaposed side-by-side
    • B32B3/20—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a discontinuous layer, i.e. formed of separate pieces of material characterised by an internal layer formed of separate pieces of material which are juxtaposed side-by-side of hollow pieces, e.g. tubes; of pieces with channels or cavities
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/12—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B41/00—Arrangements for controlling or monitoring lamination processes; Safety arrangements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/02—Physical, chemical or physicochemical properties
    • B32B7/027—Thermal properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • B32B9/005—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising one layer of ceramic material, e.g. porcelain, ceramic tile
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • B32B9/04—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B9/041—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of metal
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • B32B9/04—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B9/045—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/02—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B1/00—Details of electric heating devices
    • H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
    • H05B1/0227—Applications
    • H05B1/023—Industrial applications
    • H05B1/0233—Industrial applications for semiconductors manufacturing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
    • H05B3/28—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material
    • H05B3/283—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material the insulating material being an inorganic material, e.g. ceramic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2250/00—Layers arrangement
    • B32B2250/02—2 layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2250/00—Layers arrangement
    • B32B2250/44—Number of layers variable across the laminate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/30—Properties of the layers or laminate having particular thermal properties
    • B32B2307/302—Conductive
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
    • B32B2307/554—Wear resistance
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/732—Dimensional properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/75—Printability
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/16—Silicon interlayers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C04B2237/343—Alumina or aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/36—Non-oxidic
    • C04B2237/366—Aluminium nitride
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/017—Manufacturing methods or apparatus for heaters

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Description

本明細書に開示される技術は、保持装置に関する。
保持装置として、例えば、ウェハを静電引力により吸着して保持する静電チャックが知られている。静電チャックは、セラミックス部材と、ベース部材と、セラミックス部材とベース部材とを接合する接合部と、セラミックス部材の内部に設けられたチャック電極とを備えており、チャック電極に電圧が印加されることにより発生する静電引力を利用して、セラミックス部材の表面（以下、「吸着面」という）にウェハを吸着して保持する。
静電チャックの吸着面に保持されたウェハの温度が所望の温度にならないと、ウェハに対する各処理（成膜、エッチング等）の精度が低下するおそれがあるため、静電チャックにはウェハの温度分布を制御する性能が求められる。
従来から、セラミックス部材の吸着面とは反対側の表面のうち、吸着面の温度分布に応じた位置に、熱伝導率が接合部の熱伝導率とは異なる調整用樹脂が埋設された静電チャックが知られている（例えば、特許文献１，２参照）。
特開２０１６−１７５７号公報 特開２０１３−２４７３４２号公報
上述した調整用樹脂が埋設された従来の静電チャックでは、セラミックス部材における調整用樹脂が埋設された部分と調整用樹脂が埋設されていない部分との熱伝導率の差に起因して吸着面に温度特異点が生じやすいため、更なる改良の余地があった。
なお、このような課題は、静電チャックに限らず、セラミックス部材とベース部材とが接合された保持装置（例えば、加熱装置、真空チャックなど）に共通の課題である。
本明細書では、上述した課題を解決することが可能な技術を開示する。
本明細書に開示される技術は、以下の形態として実現することが可能である。
（１）本明細書に開示される保持装置は、第１の方向に略垂直な第１の表面と、前記第１の表面とは反対側の第２の表面と、を有するセラミックス部材と、第３の表面を有し、前記第３の表面が前記セラミックス部材の前記第２の表面側に位置するように配置されたベース部材と、前記セラミックス部材の前記第２の表面と前記ベース部材の前記第３の表面との間に配置され、前記セラミックス部材と前記ベース部材とを接合する接合部と、を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置において、前記第１の方向に略垂直な方向を、第２の方向とし、前記第１の方向と前記第２の方向との両方に略垂直な方向を、第３の方向とするとき、前記接合部は、前記第１の方向視で前記接合部における前記第２の方向の端から端まで配置されている第１の接合部分であって、前記第２の方向に略垂直な任意の断面において、前記第１の方向の厚さが略均一であり、かつ、前記第３の方向に略垂直な任意の断面において、前記第１の方向の厚さが略均一である第１の接合部分と、前記第３の方向において前記第１の接合部分に対して前記接合部の少なくとも一方の端側に位置し、かつ、前記第２の方向に略垂直な任意の断面において、前記第１の方向の厚さが前記第１の接合部分側から前記接合部の前記端側に向けて厚くなっている第２の接合部分と、を含む。本保持装置では、接合部は、第１の接合部分と第２の接合部分とを含む。第１の接合部分は、第１の方向視で接合部における第２の方向の端から端まで配置されており、また、第２の方向に略垂直な任意の断面および第３の方向に略垂直な任意の断面において、第１の方向の厚さが略均一である。一方、第２の接合部分は、第３の方向において第１の接合部分に対して接合部の少なくとも一方の端側に位置する。また、第２の接合部分は、第２の方向に略垂直な任意の断面において、第１の方向の厚さが第１の接合部分側から接合部の端側に向けて厚くなっている。すなわち、第２の接合部分の第１の方向の厚さは、第１の接合部分の第１の方向の厚さに比べて厚い。このため、第２の接合部分におけるセラミックス部材からベース部材への熱移動量は、第１の接合部分におけるセラミックス部材からベース部材への熱移動量に比べて少ない。これにより、セラミックス部材の第１の表面においてセラミックス部材の外周側の温度を上昇させることができる。また、第２の接合部分は、第１の方向の厚さが第１の接合部分側から接合部の端側に向けて厚くなっているため、セラミックス部材の第１の表面においてセラミックス部材の外周側の温度分布を緩やかに変化させることができる。これにより、例えば接合部の第１の方向の厚さが段階的に厚くなっている構成に比べて、温度特異点が生じることを抑制することができる。また、接合部の第１の方向の厚さが段階的に厚くなっている箇所に生じる段差に、気泡を巻き込むことに起因して温度特異点が生じることを抑制することができる。
（２）上記保持装置において、さらに、前記セラミックス部材に設けられ、前記第１の方向に略垂直な仮想平面上に配置されたヒータ電極を備え、前記セラミックス部材の前記第２の表面のうち、前記第２の接合部分に接する表面部分は、前記第２の方向に略垂直な任意の断面において、前記第１の接合部分側から前記接合部の前記端側に向けて前記仮想平面に近づくように傾斜している構成としてもよい。本保持装置では、セラミックス部材の第２の表面に傾斜を設けることによって第２の接合部分が形成されている。これにより、本保持装置によれば、第２の接合部分の一部分は、第１の接合部分よりもヒータ電極の近くに配置されることによってヒータ電極の熱量が第２の接合部分まで移動し易くなるため、セラミックス部材の第２の表面全体が平坦である構成に比べて、第２の接合部分の存在によって、セラミックス部材の外周側の温度が極端に上昇することを抑制することができる。
（３）上記保持装置において、さらに、前記セラミックス部材に設けられ、前記第１の方向に略垂直な仮想平面上に配置されたヒータ電極を備え、前記ベース部材の前記第３の表面のうち、前記第２の接合部分に接する表面部分は、前記第２の方向に略垂直な任意の断面において、前記第１の接合部分側から前記接合部の前記端側に向けて前記仮想平面から離れるように傾斜している構成としてもよい。本保持装置では、ベース部材の第３の表面に傾斜を設けることによって第２の接合部分が形成されている。これにより、本保持装置によれば、ベース部材の第３の表面の内、第２の接合部分に接する部分は、第１の接合部分に接する部分よりもヒータ電極から離れて配置されることによって、ベース部材の第３の表面全体が平坦である構成に比べて、第２の接合部分の存在によって、セラミックス部材の外周側の温度を大きく上昇させることができる。すなわち、製造ラインや製造装置等ごとの特性に起因して温度特異点の温度が大幅に低くなる場合には、本保持装置が特に有効である。
（４）本明細書に開示される保持装置は、第１の方向に略垂直な第１の表面と、前記第１の表面とは反対側の第２の表面と、を有するセラミックス部材と、第３の表面を有し、前記第３の表面が前記セラミックス部材の前記第２の表面側に位置するように配置されたベース部材と、前記セラミックス部材の前記第２の表面と前記ベース部材の前記第３の表面との間に配置され、前記セラミックス部材と前記ベース部材とを接合する接合部と、を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置において、前記第１の方向に略垂直な方向を、第２の方向とし、前記第１の方向と前記第２の方向との両方に略垂直な方向を、第３の方向とするとき、前記セラミックス部材の前記第２の表面は、前記第１の方向視で前記セラミックス部材における前記第２の方向の端から端まで配置され、かつ、略平面状の平面部分と、前記第３の方向において前記平面部分に対して前記セラミックス部材の少なくとも一方の端側に位置し、かつ、前記平面部分に対して傾斜している傾斜面部分と、を含む。本保持装置によれば、温度特異点が生じることを抑制することができる。
（５）本明細書に開示される保持装置の製造方法は、第１の方向に略垂直な第１の表面と、前記第１の表面とは反対側の第２の表面と、を有するセラミックス部材と、第３の表面を有し、前記第３の表面が前記セラミックス部材の前記第２の表面側に位置するように配置されたベース部材と、前記セラミックス部材の前記第２の表面と前記ベース部材の前記第３の表面との間に配置され、前記セラミックス部材と前記ベース部材とを接合する接合部と、を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置の製造方法において、前記接合部を介して接合する前の前記セラミックス部材である接合前セラミックス部材と、前記接合部を介して接合する前の前記ベース部材である接合前ベース部材とが、仮接合部を介して接合された仮接合体の前記第１の表面の温度分布を測定する工程と、前記仮接合体における前記接合前セラミックス部材と前記接合前ベース部材とを離脱させ、前記接合前セラミックス部材の前記第２の表面と、前記接合前ベース部材の前記第３の表面と、の少なくとも一方に対して、前記温度分布の測定結果に応じた外周側の部分に傾斜面を形成する工程と、前記傾斜面の形成後に、前記接合前セラミックス部材と前記接合前ベース部材とを接合剤を介して接合することによって、前記第１の方向に略垂直な方向を、第２の方向とし、前記第１の方向と前記第２の方向との両方に略垂直な方向を、第３の方向とするとき、前記第１の方向視で前記接合部における前記第２の方向の端から端まで配置されている第１の接合部分であって、前記第２の方向に略垂直な任意の断面において、前記第１の方向の厚さが略均一であり、かつ、前記第３の方向に略垂直な任意の断面において、前記第１の方向の厚さが略均一である第１の接合部分と、前記第３の方向において前記第１の接合部分に対して前記接合部の少なくとも一方の端側に位置し、かつ、前記第２の方向に略垂直な任意の断面において、前記第１の方向の厚さが前記第１の接合部分側から前記接合部の前記端側に向けて厚くなっている第２の接合部分と、を含む前記接合部を形成する工程と、を含む。本保持装置の製造方法によれば、セラミックス部材とベース部材とが接合部を介して接合された完成体の温度分布の測定結果に応じた部分に傾斜面を形成することにより、低温の温度特異点の発生を効果的に抑制した保持装置を製造することができる。
（６）本明細書に開示される保持装置の製造方法は、第１の方向に略垂直な第１の表面と、前記第１の表面とは反対側の第２の表面と、を有するセラミックス部材と、第３の表面を有し、前記第３の表面が前記セラミックス部材の前記第２の表面側に位置するように配置されたベース部材と、前記セラミックス部材の前記第２の表面と前記ベース部材の前記第３の表面との間に配置され、前記セラミックス部材と前記ベース部材とを接合する接合部と、を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置の製造方法において、前記接合部を介して接合する前の前記セラミックス部材である接合前セラミックス部材と、前記接合部を介して接合する前の前記ベース部材である接合前ベース部材とが、仮接合部を介して接合された仮接合体の前記第１の表面の温度分布を測定する工程と、前記仮接合体における前記接合前セラミックス部材と前記接合前ベース部材とを離脱させ、前記接合前セラミックス部材の前記第２の表面と、前記接合前ベース部材の前記第３の表面と、の少なくとも一方に対して、前記温度分布の測定結果に応じた外周側の部分に傾斜面を形成する工程と、前記傾斜面の形成後に、前記接合前セラミックス部材と前記接合前ベース部材とを接合剤を介して接合することによって、前記第１の方向に略垂直な方向を、第２の方向とし、前記第１の方向と前記第２の方向との両方に略垂直な方向を、第３の方向とするとき、前記セラミックス部材の前記第２の表面のうち、前記第１の方向視で前記セラミックス部材における前記第２の方向の端から端まで配置され、かつ、略平面状の平面部分と、前記第３の方向において前記平面部分に対して前記セラミックス部材の少なくとも一方の端側に位置し、かつ、前記平面部分に対して傾斜している傾斜面部分と、の両方に接する前記接合部を形成する工程と、を含む。本保持装置の製造方法によれば、温度特異点の発生を効果的に抑制した保持装置を製造することができる。
（７）本明細書に開示される保持装置の製造方法は、第１の方向に略垂直な第１の表面と、前記第１の表面とは反対側の第２の表面と、を有するセラミックス部材と、第３の表面を有し、前記第３の表面が前記セラミックス部材の前記第２の表面側に位置するように配置されたベース部材と、前記セラミックス部材の前記第２の表面と前記ベース部材の前記第３の表面との間に配置され、前記セラミックス部材と前記ベース部材とを接合する接合部と、を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置の製造方法において、前記接合部を介して接合する前の前記セラミックス部材である接合前セラミックス部材の前記第１の表面の温度分布を測定する工程と、前記接合前セラミックス部材の前記第２の表面と、前記接合部を介して接合する前の前記ベース部材である接合前ベース部材の前記第３の表面と、の少なくとも一方に対して、前記温度分布の測定結果に応じた外周側の部分に傾斜面を形成する工程と、前記傾斜面の形成後に、前記接合前セラミックス部材と前記接合前ベース部材とを接合剤を介して接合することによって、前記第１の方向に略垂直な方向を、第２の方向とし、前記第１の方向と前記第２の方向との両方に略垂直な方向を、第３の方向とするとき、前記第１の方向視で前記接合部における前記第２の方向の端から端まで配置されている第１の接合部分であって、前記第２の方向に略垂直な任意の断面において、前記第１の方向の厚さが略均一であり、かつ、前記第３の方向に略垂直な任意の断面において、前記第１の方向の厚さが略均一である第１の接合部分と、前記第３の方向において前記第１の接合部分に対して前記接合部の少なくとも一方の端側に位置し、かつ、前記第２の方向に略垂直な任意の断面において、前記第１の方向の厚さが前記第１の接合部分側から前記接合部の前記端側に向けて厚くなっている第２の接合部分と、を含む前記接合部を形成する工程と、を含む。本保持装置の製造方法によれば、セラミックス部材とベース部材との分離を行うことなく、低温の温度特異点の発生を効果的に抑制した保持装置を製造することができる。
（８）本明細書に開示される保持装置の製造方法は、第１の方向に略垂直な第１の表面と、前記第１の表面とは反対側の第２の表面と、を有するセラミックス部材と、第３の表面を有し、前記第３の表面が前記セラミックス部材の前記第２の表面側に位置するように配置されたベース部材と、前記セラミックス部材の前記第２の表面と前記ベース部材の前記第３の表面との間に配置され、前記セラミックス部材と前記ベース部材とを接合する接合部と、を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置の製造方法において、前記接合部を介して接合する前の前記セラミックス部材である接合前セラミックス部材の前記第１の表面の温度分布を測定する工程と、前記接合前セラミックス部材の前記第２の表面と、前記接合部を介して接合する前の前記ベース部材である接合前ベース部材の前記第３の表面と、の少なくとも一方に対して、前記温度分布の測定結果に応じた外周側の部分に傾斜面を形成する工程と、前記傾斜面の形成後に、前記接合前セラミックス部材と前記接合前ベース部材とを接合剤を介して接合することによって、前記第１の方向に略垂直な方向を、第２の方向とし、前記第１の方向と前記第２の方向との両方に略垂直な方向を、第３の方向とするとき、前記セラミックス部材の前記第２の表面のうち、前記第１の方向視で前記セラミックス部材における前記第２の方向の端から端まで配置され、かつ、略平面状の平面部分と、前記第３の方向において前記平面部分に対して前記セラミックス部材の少なくとも一方の端側に位置し、かつ、前記平面部分に対して傾斜している傾斜面部分と、の両方に接する前記接合部を形成する工程と、を含む、ことを特徴とする。本保持装置の製造方法によれば、温度特異点の発生を効果的に抑制した保持装置を製造することができる。
なお、本明細書に開示される技術は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば、静電チャック、ＣＶＤヒータ等の加熱装置、真空チャック、その他のセラミックス部材とベース部材とが接合された保持装置、それらの製造方法等の形態で実現することが可能である。
実施形態における静電チャック１００の外観構成を概略的に示す斜視図である。 実施形態における静電チャック１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。 実施形態における静電チャック１００の製造方法を示すフローチャートである。 仮接合体１００Ｐと静電チャック１００とにおける温度分布とＸＺ断面構成とを示す説明図である。 静電チャック１００における温度分布とＹＺ断面構成とを示す説明図である。 比較例１００Ｘにおける温度分布とＸＺ断面構成とを示す説明図である。
Ａ．実施形態：
Ａ−１．静電チャック１００の構成：
図１は、本実施形態における静電チャック１００の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図２は、本実施形態における静電チャック１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。各図には、方向を特定するための互いに直交するＸＹＺ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Ｚ軸正方向を上方向といい、Ｚ軸負方向を下方向というものとするが、静電チャック１００は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。
静電チャック１００は、対象物（例えばウェハＷ）を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば半導体製造装置の真空チャンバー内でウェハＷを固定するために使用される。静電チャック１００は、所定の配列方向（本実施形態では上下方向（Ｚ軸方向））に並べて配置されたセラミックス部材１０およびベース部材２０を備える。セラミックス部材１０とベース部材２０とは、セラミックス部材１０の下面（以下、「セラミックス側接合面Ｓ２」という）とベース部材２０の上面（以下、「ベース側接合面Ｓ３」という）とが、後述する接合部３０を挟んで上記配列方向に対向するように配置されている。すなわち、ベース部材２０は、ベース部材２０のベース側接合面Ｓ３がセラミックス部材１０のセラミックス側接合面Ｓ２側に位置するように配置される。静電チャック１００は、さらに、セラミックス部材１０のセラミックス側接合面Ｓ２とベース部材２０のベース側接合面Ｓ３との間に配置された接合部３０を備える。上下方向（Ｚ軸方向）は、特許請求の範囲における第１の方向に相当し、セラミックス側接合面Ｓ２は、特許請求の範囲における第２の表面に相当し、ベース側接合面Ｓ３は、特許請求の範囲における第３の表面に相当する。
セラミックス部材１０は、例えば円形平面の板状部材であり、セラミックスにより形成されている。セラミックス部材１０の直径は、例えば５０ｍｍ〜５００ｍｍ程度（通常は２００ｍｍ〜３５０ｍｍ程度）であり、セラミックス部材１０の厚さは、例えば１ｍｍ〜１０ｍｍ程度である。
セラミックス部材１０の形成材料としては、種々のセラミックスが用いられ得るが、強度や耐摩耗性、耐プラズマ性等の観点から、例えば、酸化アルミニウム（アルミナ、Ａｌ２Ｏ３）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を主成分とするセラミックスが用いられることが好ましい。なお、ここでいう主成分とは、含有割合（重量割合）の最も多い成分を意味する。
セラミックス部材１０の内部には、導電性材料（例えば、タングステンやモリブデン等）により形成された一対の内部電極４０が設けられている。一対の内部電極４０に電源（図示せず）から電圧が印加されると、静電引力が発生し、この静電引力によってウェハＷがセラミックス部材１０の上面（以下、「吸着面Ｓ１」という）に吸着固定される。吸着面Ｓ１は、特許請求の範囲における第１の表面に相当する。
また、セラミックス部材１０の内部には、導電性材料（例えば、タングステンやモリブデン等）を含む抵抗発熱体により構成されたヒータ電極５０が設けられている。ヒータ電極５０に電源（図示せず）から電圧が印加されると、ヒータ電極５０が発熱することによってセラミックス部材１０が温められ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷが温められる。これにより、ウェハＷの温度制御が実現される。ヒータ電極５０は、例えば、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１をできるだけ満遍なく温めるため、Ｚ方向視で略同心円状に形成されている。
ベース部材２０は、例えばセラミックス部材１０と同径の、または、セラミックス部材１０より径が大きい円形平面の板状部材であり、例えば、熱伝導率がセラミックス部材１０を形成するセラミックス材料の熱伝導率より高い材料（例えば金属（アルミニウムやアルミニウム合金等））により形成されている。ベース部材２０の直径は、例えば２２０ｍｍ〜５５０ｍｍ程度（通常は２２０ｍｍ〜３５０ｍｍ程度）であり、ベース部材２０の厚さは、例えば２０ｍｍ〜４０ｍｍ程度である。
ベース部材２０の内部には冷媒流路２１が形成されている。冷媒流路２１に冷媒（例えば、フッ素系不活性液体や水等）が供給されると、ベース部材２０が冷却される。上述したヒータ電極５０によるセラミックス部材１０の加熱と併せてベース部材２０の冷却が行われると、接合部３０を介したセラミックス部材１０とベース部材２０との間の伝熱により、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷの温度が一定に維持される。さらに、プラズマ処理中にプラズマからの入熱が生じた際には、ヒータ電極５０に加える電力を調整することにより、ウェハＷの温度制御が実現される。
接合部３０は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着剤を含んでおり、セラミックス部材１０とベース部材２０とを接合している。接合部３０の厚さは例えば０．１ｍｍ以上、１ｍｍ以下である。なお、セラミックス部材１０と接合部３０との接触部分付近の構成については次述する。
Ａ−２．セラミックス部材１０と接合部３０との接触部分付近の構成：
後述の図４（Ｂ）の上段には、本実施形態の静電チャック１００のＸＹ平面構成が示されており、下段には、本実施形態の静電チャック１００のＸＺ断面構成が示されている。また、後述の図５の上段には、静電チャック１００のＸＹ平面構成が示されており、図５の下段（Ａ）には、図５の上段のＡ−Ａの位置における静電チャック１００のＹＺ断面構成が示されており、図５の下段（Ｂ）には、図５の上段のＢ−Ｂの位置における静電チャック１００のＹＺ断面構成が示されている。なお、各図の上段には、接合部３０が仮想線で示されている。また、図５（Ｂ）では、冷媒流路２１が省略されている。以下、本明細書では、便宜的に、Ｘ軸方向を左右方向といい、Ｙ軸方向を奥行き方向というものとする。奥行き方向は、特許請求の範囲における第２の方向に相当し、左右方向は、特許請求の範囲における第３の方向に相当する。
図２、図４（Ｂ）および図５に示すように、接合部３０は、扁平部分３２と肉厚変化部分３４とを含んでいる。扁平部分３２は、上下方向（Ｚ軸方向）視で、接合部３０における奥行き方向（Ｙ軸方向）の端から端まで配置されている（図４（Ｂ）上段図および図５上段図参照）。また、扁平部分３２は、全体として、上下方向の厚さ（Ｄ１）が略均一な扁平状である。具体的には、接合部３０の奥行き方向に略垂直な任意のＸＺ断面において、扁平部分３２の上下方向の厚さ（Ｄ１）は、扁平部分３２の左右方向（Ｘ軸方向）の全長にわたって略均一であり（図２および図４（Ｂ）下段図参照）、かつ、各ＸＺ断面間で扁平部分３２の上下方向の厚さ（Ｄ１）は略均一である。また、接合部３０の左右方向に略垂直な任意のＹＺ断面において、扁平部分３２の上下方向の厚さ（Ｄ１）は、扁平部分３２の奥行き方向の全長にわたって略均一であり（図５（Ａ）参照）、かつ、各ＹＺ断面間で扁平部分３２の上下方向の厚さ（Ｄ１）は略均一である。また、接合部３０の任意のＸＺ断面における扁平部分３２の上下方向の厚さ（Ｄ１）と、接合部３０の任意のＹＺ断面における扁平部分３２の上下方向の厚さ（Ｄ１）とは略同一である。なお、扁平部分３２の上下方向の厚さが略均一とは、扁平部分３２の上下方向の厚さのばらつきが±３０μｍ未満であることをいう。また、扁平部分３２の上下方向の厚さ（Ｄ１）は、例えば、１００μｍ以上、１０００μｍ以下である。
肉厚変化部分３４は、左右方向（Ｘ軸方向）において扁平部分３２に対して接合部３０の一方の端側（図２および図４（Ｂ）では、接合部３０の右側）に位置している。また、肉厚変化部分３４は、全体として、上下方向（Ｚ軸方向）の厚さが接合部３０の外周側に向けて連続的に厚くなっている。具体的には、接合部３０の奥行き方向（Ｙ軸方向）に略垂直な任意のＸＺ断面において、上下方向（Ｚ軸方向）の厚さが扁平部分３２側から接合部３０の右端側に向けて連続的に厚くなっている。また、接合部３０の左右方向に略垂直な任意のＹＺ断面において、肉厚変化部分３４の上下方向の厚さ（Ｄ３（Ｄ１＜Ｄ３＜Ｄ２））は、肉厚変化部分３４の奥行き方向（Ｙ軸方向）の全長にわたって略均一であり（図５（Ｂ）参照）、かつ、各ＹＺ断面間で肉厚変化部分３４の上下方向の厚さは互いに異なる。なお、本明細書において、「連続的に」とは、段差を有しないことを意味する。このため、「連続的に」には、直線状（平面状）であることに限らず、例えば、曲面状（曲面状）であることや、滑らかな凹凸状を有することも含まれる。
より具体的には、扁平部分３２と肉厚変化部分３４とは隣接しており、上下方向（Ｚ軸方向）視で、扁平部分３２と肉厚変化部分３４との境界線Ｌ２は、奥行き方向（Ｙ軸方向）に略平行な略直線である。扁平部分３２は、接合部３０のうち、上下方向視で、上記境界線Ｌ２と接合部３０の左側の外周線とによって囲まれる部分である。要するに、扁平部分３２は、上下方向視で、境界線Ｌ２以外の外縁は、接合部３０の外周線に達している。肉厚変化部分３４は、接合部３０のうち、上下方向視で、上記境界線Ｌ２と右側の接合部３０の外周線とによって囲まれる部分である。要するに、肉厚変化部分３４は、上下方向視で、境界線Ｌ２以外の外縁は、接合部３０の外周線に達している。肉厚変化部分３４の内、扁平部分３２に隣接する部位の上下方向の厚さは、扁平部分３２の上下方向の厚さ（Ｄ１）と略同一であり、肉厚変化部分３４の内、扁平部分３２から最も離れた部位の上下方向の厚さ（Ｄ２）は、扁平部分３２の上下方向の厚さ（Ｄ１）より大きい。なお、肉厚変化部分３４における肉厚の差が小さすぎたり、大きすぎたりすることは好ましくない。すなわち、肉厚変化部分３４における肉厚の差が小さすぎると、肉厚変化部分３４の傾斜が接合部３０自体の上下方向の厚さのばらつきに埋もれてしまい、肉厚変化部分３４による温度上昇効果が望めなくなるおそれがある。一方、肉厚変化部分３４における肉厚の差が大きすぎると、セラミックス部材１０の外周側の温度が過剰に上昇するだけでなく、特定箇所への応力集中に起因する接合部３０の強度低下につながるおそれがある。肉厚変化部分３４における上下方向の厚さが最小である部位の厚さ（Ｄ１）と最大である部位の厚さ（Ｄ２）との差は、２０μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましく、３０μｍ以上、６０μｍ以下であることが、より好ましい。また、肉厚変化部分３４の左右方向（Ｘ軸方向）の長さは、接合部３０の左右方向の全長の１０％以上、５０％未満であることが好ましい。また、肉厚変化部分３４の左右方向の長さは、３ｃｍ以上であることが好ましい。
また、本実施形態では、ベース部材２０のベース側接合面Ｓ３は、全体として略平面である。これに対して、セラミックス部材１０のセラミックス側接合面Ｓ２では、接合部３０の扁平部分３２に接する平面部分は、ベース部材２０のベース側接合面Ｓ３に略平行な平面になっており、肉厚変化部分３４に接する傾斜面部分は、接合部３０の外周側（平面部分とは反対側）に向かうに連れてベース側接合面Ｓ３から連続的に離間するように傾斜した傾斜平面になっている。
また、図２に示すように、上下方向視で、扁平部分３２の少なくとも一部は、ヒータ電極５０に重なっていることが好ましい。また、肉厚変化部分３４の少なくとも一部は、ヒータ電極５０に重なっていることが好ましい。本実施形態では、ヒータ電極５０は、吸着面Ｓ１に略平行な仮想平面Ｌ１上に配置されている。扁平部分３２の全体は、ヒータ電極５０から略等距離に配置されている。具体的には、セラミックス部材１０のセラミックス側接合面Ｓ２のうち、扁平部分３２に接する表面部分は、奥行き方向（Ｙ軸方向）に略垂直な任意の断面において、ヒータ電極５０が形成された仮想平面Ｌ１に略平行である。
一方、セラミックス側接合面Ｓ２のうち、肉厚変化部分３４に接する表面部分は、奥行き方向（Ｙ軸方向）に略垂直な任意の断面において、扁平部分３２側から接合部３０の外周側に向けて仮想平面Ｌ１に連続的に近づくように傾斜している。すなわち、肉厚変化部分３４は、扁平部分３２側から接合部３０の外周側に向かうにつれてヒータ電極５０に連続的に近づくように配置されている。なお、扁平部分３２は、特許請求の範囲における第１の接合部分に相当し、肉厚変化部分３４は、特許請求の範囲における第２の接合部分に相当する。
Ａ−３．静電チャック１００の製造方法：
図３は、本実施形態における静電チャック１００の製造方法を示すフローチャートである。図４は、仮接合体１００Ｐと静電チャック１００とにおける温度分布とＸＺ断面構成とを示す説明図である。図４（Ａ）の上段には、仮接合体１００ＰのＸＹ平面構成が示されており、下段には、仮接合体１００ＰのＸＺ断面構成が示されている。図５は、静電チャック１００における温度分布とＹＺ断面構成とを示す説明図である。仮接合体１００Ｐは、特許請求の範囲における仮接合体に相当する。
（仮接合体１００Ｐの準備工程）：
はじめに、仮接合体１００Ｐを準備する（Ｓ１１０）。仮接合体１００Ｐは、接合前セラミックス部材１０Ｐとベース部材２０とが仮接合部３０Ｐを介して接合された複合体である。接合前セラミックス部材１０Ｐは、後述の傾斜面の形成工程（Ｓ１３０）における加工が施される前のセラミックス部材１０である。具体的には、接合前セラミックス部材１０Ｐは、吸着面Ｓ１の反対側のセラミックス側接合面Ｓ２Ｐが、全体的に、ベース部材２０のベース側接合面Ｓ３と略平行な平面である点で、セラミックス部材１０とは異なり、その他の点はセラミックス部材１０と共通する。接合前セラミックス部材１０Ｐおよびベース部材２０は、公知の製造方法によって製造可能である。例えば、接合前セラミックス部材１０Ｐは以下の方法で製造される。すなわち、複数のセラミックスグリーンシート（例えばアルミナグリーンシート）を準備し、各セラミックスグリーンシートに、内部電極４０やヒータ電極５０等を構成するためのメタライズインクの印刷等を行い、その後、複数のセラミックスグリーンシートを積層して熱圧着し、所定の円板形状にカットした上で焼成し、最後に研磨加工等を行うことにより、接合前セラミックス部材１０Ｐが製造される。なお、接合部３０を介して接合する前のベース部材２０（Ｓ１１０〜Ｓ１３０までのベース部材２０）は、特許請求の範囲における接合前ベース部材に相当する。
（温度分布の測定工程）：
次に、仮接合体１００Ｐにおける接合前セラミックス部材１０Ｐの吸着面Ｓ１について、上下方向（Ｚ軸方向）に略垂直な面方向の温度分布を測定する（Ｓ１２０）。このとき、仮接合体１００Ｐの使用時の状態で吸着面Ｓ１の温度分布を測定することが好ましい。例えば、接合前セラミックス部材１０Ｐに備えられた内部電極４０およびヒータ電極５０に電力を供給し、かつ、ベース部材２０に形成された冷媒流路２１に冷媒を供給した状態で、吸着面Ｓ１の温度分布を測定する。温度分布の測定は、例えば、赤外線放射温度計や、熱電対付きウェハを用いて行うことができる。図４（Ａ）上段に示すように、Ｓ１２０の温度分布の測定結果では、仮接合体１００Ｐの吸着面Ｓ１上において、接合前セラミックス部材１０Ｐの外周側の特定部分に低温の温度特異点Ｓ１Ｃ（温度特異領域）が生じている。この要因は、例えば、静電チャック１００の製造ラインや製造装置等ごとの特性に起因することがある。
（傾斜面の形成工程）：
次に、仮接合体１００Ｐの接合前セラミックス部材１０Ｐとベース部材２０とを離脱させて、接合前セラミックス部材１０Ｐのセラミックス側接合面Ｓ２Ｐに対して、Ｓ１２０における吸着面Ｓ１の温度分布の測定結果に応じた部分に傾斜平面Ｓ２Ｖを形成する（Ｓ１３０）。より具体的には、Ｓ１２０における吸着面Ｓ１の温度分布の測定結果に基づき、吸着面Ｓ１の温度分布が所望の分布（例えば面方向における温度が略均一）になるようにセラミックス側接合面Ｓ２Ｐに傾斜平面Ｓ２Ｖを形成する。これにより、接合前セラミックス部材１０Ｐからセラミックス部材１０が完成する。傾斜平面Ｓ２Ｖは、例えば研磨加工やブラスト加工によって比較的簡単に形成することができる。
（セラミックス部材１０とベース部材２０との接合工程）：
次に、セラミックス部材１０とベース部材２０とを接合する（Ｓ１４０）。具体的には、セラミックス部材１０のセラミックス側接合面Ｓ２とベース部材２０のベース側接合面Ｓ３とを、接着剤（接合剤）を介して貼り合わせた状態で、接着剤を硬化させる硬化処理を行うことにより、接合部３０を形成する。以上の工程により、上述した構成の静電チャック１００の製造が完了する。これにより、図４（Ｂ）上段および図５上段に示すように、セラミックス部材１０の外周側の特定部分に低温の温度特異点Ｓ１Ｃが生じることが抑制される。以上の製造方法により、セラミックス部材１０とベース部材２０とが接合部３０を介して接合された完成体の温度分布の測定結果に応じた部分に傾斜平面Ｓ２Ｖを形成することにより、セラミックス部材１０の傾斜平面Ｓ２Ｖに対応する箇所の温度を上昇させることができた静電チャック１００を提供することができる。
Ａ−４．本実施形態の効果：
以上説明したように、本実施形態の静電チャック１００では、接合部３０は、扁平部分３２と肉厚変化部分３４とを含む（図２、図４（Ｂ）および図５参照）。扁平部分３２の上下方向（Ｚ軸方向）の厚さは、全体として、略均一である。これに対して、肉厚変化部分３４の上下方向の厚さは、接合部３０の外周側に向けて厚くなっている。すなわち、扁平部分３２の上下方向の厚さは、肉厚変化部分３４の上下方向の厚さに比べて厚い。このため、肉厚変化部分３４におけるセラミックス部材１０からベース部材２０への熱移動量は、扁平部分３２におけるセラミックス部材１０からベース部材２０への熱移動量に比べて少ない。これにより、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１においてセラミックス部材１０の外周側に低温の温度特異点Ｓ１Ｃが発生することを抑制することができる（図４参照）。
ここで、一般的に、接合部の形成材料の熱伝導率は、セラミックス部材やベース部材の形成材料の熱伝導率に比べて極端に低い。このため、セラミックス部材の吸着面（第１の表面）の温度分布を制御するために、接合部の厚さを調整することは有効であるが、その反面、接合部の厚さの僅かな変化でも吸着面の温度分布に顕著に影響する。そこで、本願発明者は、接合部の厚さの局所的な変化を抑制しつつ、吸着面の温度分布を制御する方法および構成を新たなに見出した。以下、具体的に説明する。
図６は、比較例１００Ｘにおける温度分布とＸＺ断面構成とを示す説明図である。図６の上段には、比較例１００ＸのＸＹ平面構成が示されており、下段には、比較例１００ＸのＸＺ断面構成が示されている。比較例１００Ｘは、セラミックス部材１０Ｘとベース部材２０とが接合部３０Ｘを介して接合された複合体である。セラミックス部材１０Ｘは、セラミックス部材１０Ｘのセラミックス側接合面Ｓ２Ｘに凹所３２Ｘが形成されている点で、接合前セラミックス部材１０Ｐとは異なり、その他の点は接合前セラミックス部材１０Ｐと共通する。図６の上段に示すように、比較例１００Ｘでは、セラミックス側接合面Ｓ２Ｘに凹所３２Ｘが形成されていることによって、セラミックス部材１０Ｘの吸着面Ｓ１において低温の温度特異点Ｓ１Ｃの発生が抑制された。しかし、セラミックス側接合面Ｓ２Ｘには、凹所３２Ｘによって段差が形成されており、この段差によって接合部３０Ｘには、厚さが局所的に大きく変化する部分が存在する。このため、図６の上段に示すように、この接合部３０Ｘの厚さが局所的に大きく変化する部分に起因して矩形状の温度特異点Ｓ１Ｘが生じることがある。また、このようにセラミックス側接合面Ｓ２Ｘに段差が存在する場合、例えば、図３のＳ１４０において、セラミックス部材１０Ｘとベース部材２０とを接合する際に、セラミックス側接合面Ｓ２Ｘの段差に気泡を巻き込みやすく、その結果、気泡を巻き込むことに起因して吸着面Ｓ１に温度特異点Ｓ１Ｘが生じることがある。
これに対して、本実施形態の静電チャック１００では、肉厚変化部分３４は、上下方向（Ｚ軸方向）の厚さが扁平部分３２側から接合部３０の端側に向けて厚くなっているため、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１においてセラミックス部材１０の外周側の温度分布を緩やかに変化させることができる。これにより、上記比較例１００Ｘや、例えば接合部の上下方向の厚さが段階的に厚くなっている構成に比べて、温度特異点が生じることを抑制することができる。また、接合部の上下方向の厚さが段階的に厚くなっている箇所に生じる段差に、気泡を巻き込むことに起因して温度特異点が生じることを抑制することができる。
また、本実施形態では、セラミックス側接合面Ｓ２のうち、肉厚変化部分３４に接する表面部分は、奥行き方向（Ｙ軸方向）に略垂直な任意の断面において、扁平部分３２側から接合部３０の外周側に向けて仮想平面Ｌ１に近づくように傾斜している。このため、本実施形態によれば、肉厚変化部分３４の一部分は、扁平部分３２よりもヒータ電極５０の近くに配置されることによってヒータ電極５０の熱量が肉厚変化部分３４まで移動し易くなるため、セラミックス部材１０のセラミックス側接合面Ｓ２全体が平坦である構成（仮接合体１００Ｐ）に比べて、肉厚変化部分３４の存在によって、セラミックス部材１０の外周側の温度分布が極端に変化することを抑制することができる。
Ｂ．変形例：
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。
上記各実施形態における静電チャック１００の構成は、あくまでも一例であり、種々変形可能である。例えば、セラミックス部材１０の内部に、内部電極４０とヒータ電極５０との少なくとも１つを備えないとしてもよい。このような形態でも、吸着面Ｓ１の温度分布の制御性が要求されることがあるからである。また、静電チャック１００は、例えば、セラミックス部材１０とベース部材２０との間に、金属、セラミックスや樹脂等が配置された構成や、セラミックス部材１０とベース部材２０との間に、セラミックス部材１０の内部に配置されたヒータ電極５０とは別に、ヒータが配置された構成でもよい。
また、上記実施形態では、接合部３０は、肉厚変化部分３４を１つだけ含むとされていたが、肉厚変化部分３４を複数含むとしてもよい。例えば、図２および図４（Ｂ）において、肉厚変化部分３４は、左右方向（Ｘ軸方向）において扁平部分３２に対して接合部３０の両端側（接合部３０の左右両側）に位置しているとしてもよい。この場合、上下方向視で、一方の肉厚変化部分３４と扁平部分３２との境界線Ｌ２と、他方の肉厚変化部分３４と扁平部分３２との境界線Ｌ２とは、略平行でもよいし、平行でなくてもよい。
また、上記実施形態では、扁平部分３２は、接合部３０における左右方向（Ｘ軸方向）の中心を含むように配置されていたが、扁平部分３２は、接合部３０における左右方向の中心を含まないように配置されると共に、肉厚変化部分３４が接合部３０における左右方向の中心を含むように配置されるとしてもよい。
上記実施形態において、例えば、セラミックス部材１０のセラミックス側接合面Ｓ２は、全体として略平面であり、ベース部材２０のベース側接合面Ｓ３に傾斜平面が形成されるとしてもよい。具体的には、ベース側接合面Ｓ３では、接合部３０の第１の接合部分に接する表面部分は、セラミックス側接合面Ｓ２に略平行な平面になっており、第２の接合部分に接する表面部分は、接合部３０の外周側に向かうに連れてセラミックス側接合面Ｓ２から離間するように傾斜した傾斜平面になっているとしてもよい。すなわち、この構成では、ベース部材２０のベース側接合面Ｓ３に傾斜を設けることによって第２の接合部分が形成されている。これにより、ベース部材２０のベース側接合面Ｓ３の内、第２の接合部分に接する部分は、第１の接合部分に接する部分よりもヒータ電極から離れて配置されることによって、ベース部材２０のベース側接合面Ｓ３全体が平坦である構成に比べて、第２の接合部分の存在によって、セラミックス部材１０の外周側の温度分布を大きく変化させることができる。すなわち、製造ラインや製造装置等ごとの特性に起因して温度特異点の温度が大幅に低くなる場合には、本構成が特に有効である。
さらに、上記実施形態において、セラミックス側接合面Ｓ２とベース側接合面Ｓ３とのそれぞれの対向部分が、いずれも、接合部３０の外周側に向かって互いに離間するような傾斜面になっているとしてもよい。要するに、第２の接合部分が、第２の方向に略垂直な任意の断面において、第１の方向の厚さが第１の接合部分側から接合部の端側に向けて厚くなっていればよい。
上記各実施形態における静電チャック１００の製造方法は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、図３のＳ１３０において、セラミックス側接合面Ｓ２Ｐに傾斜平面Ｓ２Ｖではなく、傾斜曲面を形成してもよい。要するに、接合部３０の肉厚変化部分３４（第２の接合部分）は、扁平部分３２（第１の接合部分）側から接合部３０の外周側に向けて、直線状に厚くなっているとしてもよいし、曲線状に厚くなっているとしてもよい。
また、上記実施形態では、接合前セラミックス部材１０Ｐのセラミックス側接合面Ｓ２Ｐに対して、図３のＳ１２０における吸着面Ｓ１の温度分布の測定結果に応じた部分に傾斜平面Ｓ２Ｖを形成する（Ｓ１３０）としたが、仮接合体１００Ｐにおける吸着面Ｓ１の温度分布を測定せずに、セラミックス側接合面Ｓ２Ｐに対して傾斜平面Ｓ２Ｖを形成することも可能である。例えば、静電チャック１００の製造ラインや製造装置等ごとの特性から、予め、仮接合体１００Ｐの吸着面Ｓ１上における温度特異点が生じる位置を予測できることがある。このような場合には、仮接合体１００Ｐの吸着面Ｓ１の温度分布を測定せずに、セラミックス側接合面Ｓ２Ｐに対して、製造ラインや製造装置等ごとの特性に応じた所定の位置に傾斜平面Ｓ２Ｖを形成すればよい。
また、上記実施形態では、仮接合体１００Ｐにおける吸着面Ｓ１の温度分布を測定し、その後に、接合前セラミックス部材１０Ｐとベース部材２０とを分離し、接合前セラミックス部材１０Ｐに傾斜平面Ｓ２Ｖを形成するとしたが、これに限らず、次のような製造方法でもよい。まず、接合前セラミックス部材１０Ｐ単体について、吸着面Ｓ１の温度分布を測定する。例えば、接合前セラミックス部材１０Ｐ単体に設けられたヒータ電極５０に電力を供給した状態で吸着面Ｓ１の温度分布を測定することにより、ヒータ電極５０の発熱分布を測定することができる。次に、接合前セラミックス部材１０Ｐ単体における温度分布の測定結果に応じた部分に傾斜平面Ｓ２Ｖを形成し、セラミックス部材１０を完成させる。この際、ベース部材２０のベース側接合面Ｓ３側に傾斜面を形成してもよい。その後、セラミックス部材１０とベース部材２０とを接合する。このような製造方法であれば、接合前セラミックス部材１０Ｐとベース部材２０との分離を行うことなく、静電チャック１００を製造することができる。
また、本発明は、静電引力を利用してウェハＷを保持する静電チャック１００に限らず、他の保持装置（真空チャックなど）およびその製造方法にも適用可能である。
１０，１０Ｘ：セラミックス部材 １０Ｐ：接合前セラミックス部材 ２０：ベース部材 ２１：冷媒流路 ３０，３０Ｘ：接合部 ３０Ｐ：仮接合部 ３２：扁平部分 ３２Ｘ：凹所 ３４：肉厚変化部分 ４０：内部電極 ５０：ヒータ電極 １００：静電チャック １００Ｐ：仮接合体 Ｄ１：厚さ Ｌ１：仮想平面 Ｌ２：境界線 Ｓ１：吸着面 Ｓ１Ｃ：温度特異点 Ｓ１Ｘ：温度特異点 Ｓ２，Ｓ２Ｘ，Ｓ２Ｐ：セラミックス側接合面 Ｓ２Ｖ：傾斜平面 Ｓ３：ベース側接合面 Ｗ：ウェハ

Claims (8)

  1. 第１の方向に略垂直な第１の表面と、前記第１の表面とは反対側の第２の表面と、を有するセラミックス部材と、
    第３の表面を有し、前記第３の表面が前記セラミックス部材の前記第２の表面側に位置するように配置されたベース部材と、
    前記セラミックス部材の前記第２の表面と前記ベース部材の前記第３の表面との間に配置され、前記セラミックス部材と前記ベース部材とを接合する接合部と、
    を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置において、
    前記第１の方向に略垂直な方向を、第２の方向とし、前記第１の方向と前記第２の方向との両方に略垂直な方向を、第３の方向とするとき、
    前記接合部は、
    前記第１の方向視で前記接合部における前記第２の方向の端から端まで配置されている第１の接合部分であって、前記第２の方向に略垂直な任意の断面において、前記第１の方向の厚さが略均一であり、かつ、前記第３の方向に略垂直な任意の断面において、前記第１の方向の厚さが略均一である第１の接合部分と、
    前記第３の方向において前記第１の接合部分に対して前記接合部の少なくとも一方の端側に位置し、かつ、前記第２の方向に略垂直な任意の断面において、前記第１の方向の厚さが前記第１の接合部分側から前記接合部の前記端側に向けて厚くなっている第２の接合部分と、
    を含む、
    ことを特徴とする保持装置。
  2. 請求項１に記載の保持装置において、さらに、
    前記セラミックス部材に設けられ、前記第１の方向に略垂直な仮想平面上に配置されたヒータ電極を備え、
    前記セラミックス部材の前記第２の表面のうち、前記第２の接合部分に接する表面部分は、前記第２の方向に略垂直な任意の断面において、前記第１の接合部分側から前記接合部の前記端側に向けて前記仮想平面に近づくように傾斜している、
    ことを特徴とする保持装置。
  3. 請求項１または請求項２に記載の保持装置において、さらに、
    前記セラミックス部材に設けられ、前記第１の方向に略垂直な仮想平面上に配置されたヒータ電極を備え、
    前記ベース部材の前記第３の表面のうち、前記第２の接合部分に接する表面部分は、前記第２の方向に略垂直な任意の断面において、前記第１の接合部分側から前記接合部の前記端側に向けて前記仮想平面から離れるように傾斜している、
    ことを特徴とする保持装置。
  4. 第１の方向に略垂直な第１の表面と、前記第１の表面とは反対側の第２の表面と、を有するセラミックス部材と、
    第３の表面を有し、前記第３の表面が前記セラミックス部材の前記第２の表面側に位置するように配置されたベース部材と、
    前記セラミックス部材の前記第２の表面と前記ベース部材の前記第３の表面との間に配置され、前記セラミックス部材と前記ベース部材とを接合する接合部と、
    を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置において、
    前記第１の方向に略垂直な方向を、第２の方向とし、前記第１の方向と前記第２の方向との両方に略垂直な方向を、第３の方向とするとき、
    前記セラミックス部材の前記第２の表面は、
    前記第１の方向視で前記セラミックス部材における前記第２の方向の端から端まで配置され、かつ、略平面状の平面部分と、
    前記第３の方向において前記平面部分に対して前記セラミックス部材の少なくとも一方の端側に位置し、かつ、前記平面部分に対して傾斜している傾斜面部分と、
    を含む、
    ことを特徴とする保持装置。
  5. 第１の方向に略垂直な第１の表面と、前記第１の表面とは反対側の第２の表面と、を有するセラミックス部材と、第３の表面を有し、前記第３の表面が前記セラミックス部材の前記第２の表面側に位置するように配置されたベース部材と、前記セラミックス部材の前記第２の表面と前記ベース部材の前記第３の表面との間に配置され、前記セラミックス部材と前記ベース部材とを接合する接合部と、を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置の製造方法において、
    前記接合部を介して接合する前の前記セラミックス部材である接合前セラミックス部材と、前記接合部を介して接合する前の前記ベース部材である接合前ベース部材とが、仮接合部を介して接合された仮接合体の前記第１の表面の温度分布を測定する工程と、
    前記仮接合体における前記接合前セラミックス部材と前記接合前ベース部材とを離脱させ、前記接合前セラミックス部材の前記第２の表面と、前記接合前ベース部材の前記第３の表面と、の少なくとも一方に対して、前記温度分布の測定結果に応じた外周側の部分に傾斜面を形成する工程と、
    前記傾斜面の形成後に、前記接合前セラミックス部材と前記接合前ベース部材とを接合剤を介して接合することによって、
    前記第１の方向に略垂直な方向を、第２の方向とし、前記第１の方向と前記第２の方向との両方に略垂直な方向を、第３の方向とするとき、前記第１の方向視で前記接合部における前記第２の方向の端から端まで配置されている第１の接合部分であって、前記第２の方向に略垂直な任意の断面において、前記第１の方向の厚さが略均一であり、かつ、前記第３の方向に略垂直な任意の断面において、前記第１の方向の厚さが略均一である第１の接合部分と、
    前記第３の方向において前記第１の接合部分に対して前記接合部の少なくとも一方の端側に位置し、かつ、前記第２の方向に略垂直な任意の断面において、前記第１の方向の厚さが前記第１の接合部分側から前記接合部の前記端側に向けて厚くなっている第２の接合部分と、
    を含む前記接合部を形成する工程と、
    を含む、
    ことを特徴とする保持装置の製造方法。
  6. 第１の方向に略垂直な第１の表面と、前記第１の表面とは反対側の第２の表面と、を有するセラミックス部材と、第３の表面を有し、前記第３の表面が前記セラミックス部材の前記第２の表面側に位置するように配置されたベース部材と、前記セラミックス部材の前記第２の表面と前記ベース部材の前記第３の表面との間に配置され、前記セラミックス部材と前記ベース部材とを接合する接合部と、を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置の製造方法において、
    前記接合部を介して接合する前の前記セラミックス部材である接合前セラミックス部材と、前記接合部を介して接合する前の前記ベース部材である接合前ベース部材とが、仮接合部を介して接合された仮接合体の前記第１の表面の温度分布を測定する工程と、
    前記仮接合体における前記接合前セラミックス部材と前記接合前ベース部材とを離脱させ、前記接合前セラミックス部材の前記第２の表面と、前記接合前ベース部材の前記第３の表面と、の少なくとも一方に対して、前記温度分布の測定結果に応じた外周側の部分に傾斜面を形成する工程と、
    前記傾斜面の形成後に、前記接合前セラミックス部材と前記接合前ベース部材とを接合剤を介して接合することによって、
    前記第１の方向に略垂直な方向を、第２の方向とし、前記第１の方向と前記第２の方向との両方に略垂直な方向を、第３の方向とするとき、
    前記セラミックス部材の前記第２の表面のうち、
    前記第１の方向視で前記セラミックス部材における前記第２の方向の端から端まで配置され、かつ、略平面状の平面部分と、
    前記第３の方向において前記平面部分に対して前記セラミックス部材の少なくとも一方の端側に位置し、かつ、前記平面部分に対して傾斜している傾斜面部分と、
    の両方に接する前記接合部を形成する工程と、
    を含む、
    ことを特徴とする保持装置の製造方法。
  7. 第１の方向に略垂直な第１の表面と、前記第１の表面とは反対側の第２の表面と、を有するセラミックス部材と、第３の表面を有し、前記第３の表面が前記セラミックス部材の前記第２の表面側に位置するように配置されたベース部材と、前記セラミックス部材の前記第２の表面と前記ベース部材の前記第３の表面との間に配置され、前記セラミックス部材と前記ベース部材とを接合する接合部と、を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置の製造方法において、
    前記接合部を介して接合する前の前記セラミックス部材である接合前セラミックス部材の前記第１の表面の温度分布を測定する工程と、
    前記接合前セラミックス部材の前記第２の表面と、前記接合部を介して接合する前の前記ベース部材である接合前ベース部材の前記第３の表面と、の少なくとも一方に対して、前記温度分布の測定結果に応じた外周側の部分に傾斜面を形成する工程と、
    前記傾斜面の形成後に、前記接合前セラミックス部材と前記接合前ベース部材とを接合剤を介して接合することによって、
    前記第１の方向に略垂直な方向を、第２の方向とし、前記第１の方向と前記第２の方向との両方に略垂直な方向を、第３の方向とするとき、前記第１の方向視で前記接合部における前記第２の方向の端から端まで配置されている第１の接合部分であって、前記第２の方向に略垂直な任意の断面において、前記第１の方向の厚さが略均一であり、かつ、前記第３の方向に略垂直な任意の断面において、前記第１の方向の厚さが略均一である第１の接合部分と、
    前記第３の方向において前記第１の接合部分に対して前記接合部の少なくとも一方の端側に位置し、かつ、前記第２の方向に略垂直な任意の断面において、前記第１の方向の厚さが前記第１の接合部分側から前記接合部の前記端側に向けて厚くなっている第２の接合部分と、
    を含む前記接合部を形成する工程と、
    を含む、
    ことを特徴とする保持装置の製造方法。
  8. 第１の方向に略垂直な第１の表面と、前記第１の表面とは反対側の第２の表面と、を有するセラミックス部材と、第３の表面を有し、前記第３の表面が前記セラミックス部材の前記第２の表面側に位置するように配置されたベース部材と、前記セラミックス部材の前記第２の表面と前記ベース部材の前記第３の表面との間に配置され、前記セラミックス部材と前記ベース部材とを接合する接合部と、を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置の製造方法において、
    前記接合部を介して接合する前の前記セラミックス部材である接合前セラミックス部材の前記第１の表面の温度分布を測定する工程と、
    前記接合前セラミックス部材の前記第２の表面と、前記接合部を介して接合する前の前記ベース部材である接合前ベース部材の前記第３の表面と、の少なくとも一方に対して、前記温度分布の測定結果に応じた外周側の部分に傾斜面を形成する工程と、
    前記傾斜面の形成後に、前記接合前セラミックス部材と前記接合前ベース部材とを接合剤を介して接合することによって、
    前記第１の方向に略垂直な方向を、第２の方向とし、前記第１の方向と前記第２の方向との両方に略垂直な方向を、第３の方向とするとき、
    前記セラミックス部材の前記第２の表面のうち、
    前記第１の方向視で前記セラミックス部材における前記第２の方向の端から端まで配置され、かつ、略平面状の平面部分と、
    前記第３の方向において前記平面部分に対して前記セラミックス部材の少なくとも一方の端側に位置し、かつ、前記平面部分に対して傾斜している傾斜面部分と、
    の両方に接する前記接合部を形成する工程と、
    を含む、
    ことを特徴とする保持装置の製造方法。
JP2019534898A 2018-05-28 2019-01-08 保持装置、および、保持装置の製造方法 Active JP6703645B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018101623 2018-05-28
JP2018101623 2018-05-28
PCT/JP2019/000153 WO2019230030A1 (ja) 2018-05-28 2019-01-08 保持装置、および、保持装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP6703645B2 true JP6703645B2 (ja) 2020-06-03
JPWO2019230030A1 JPWO2019230030A1 (ja) 2020-07-09

Family

ID=68697971

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019534898A Active JP6703645B2 (ja) 2018-05-28 2019-01-08 保持装置、および、保持装置の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11784067B2 (ja)
JP (1) JP6703645B2 (ja)
KR (1) KR102463946B1 (ja)
CN (1) CN112166496B (ja)
TW (1) TWI771587B (ja)
WO (1) WO2019230030A1 (ja)

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH088246B2 (ja) 1990-11-16 1996-01-29 日本碍子株式会社 加熱装置
US5978202A (en) * 1997-06-27 1999-11-02 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a thermal transfer regulator pad
JPH11162620A (ja) 1997-11-28 1999-06-18 Kyocera Corp セラミックヒーター及びその均熱化方法
JPH11274281A (ja) * 1998-03-26 1999-10-08 Kobe Steel Ltd 静電チャック及びその製造方法
JP3982674B2 (ja) 2001-11-19 2007-09-26 日本碍子株式会社 セラミックヒーター、その製造方法および半導体製造装置用加熱装置
JP2004220966A (ja) 2003-01-16 2004-08-05 Ngk Insulators Ltd ヒーターおよびその製造方法
JP4662725B2 (ja) 2004-02-25 2011-03-30 日本碍子株式会社 基板加熱装置とその製造方法
JP4749072B2 (ja) 2005-07-26 2011-08-17 京セラ株式会社 ウェハ保持体
JP2008041927A (ja) * 2006-08-07 2008-02-21 Shinko Electric Ind Co Ltd 静電チャックの製造方法
JP4943086B2 (ja) * 2006-08-10 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 静電チャック装置及びプラズマ処理装置
US20080041312A1 (en) * 2006-08-10 2008-02-21 Shoichiro Matsuyama Stage for plasma processing apparatus, and plasma processing apparatus
US7501605B2 (en) 2006-08-29 2009-03-10 Lam Research Corporation Method of tuning thermal conductivity of electrostatic chuck support assembly
US7723648B2 (en) 2006-09-25 2010-05-25 Tokyo Electron Limited Temperature controlled substrate holder with non-uniform insulation layer for a substrate processing system
JP4944601B2 (ja) 2006-12-28 2012-06-06 新光電気工業株式会社 静電チャック及び基板温調固定装置
JP4944600B2 (ja) 2006-12-28 2012-06-06 新光電気工業株式会社 基板温調固定装置
JP5201527B2 (ja) * 2008-03-28 2013-06-05 東京エレクトロン株式会社 静電チャック、及びその製造方法
JP5823915B2 (ja) 2012-05-29 2015-11-25 新光電気工業株式会社 静電チャックの製造方法
JP2013258268A (ja) * 2012-06-12 2013-12-26 Tokyo Electron Ltd 基板載置台及び基板処理装置
JP6140457B2 (ja) * 2013-01-21 2017-05-31 東京エレクトロン株式会社 接着方法、載置台及び基板処理装置
JP6215104B2 (ja) 2014-03-20 2017-10-18 新光電気工業株式会社 温度調整装置
CN105580129B (zh) * 2014-09-04 2018-10-02 日本碍子株式会社 晶片保持台及其制法
JP6384998B2 (ja) 2014-10-30 2018-09-05 オリンパス株式会社 撮像素子付中間筒
JP6413646B2 (ja) * 2014-10-31 2018-10-31 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
JP2016189428A (ja) 2015-03-30 2016-11-04 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
JP5891332B2 (ja) 2015-09-02 2016-03-22 新光電気工業株式会社 静電チャック
JP6580975B2 (ja) * 2015-12-18 2019-09-25 日本特殊陶業株式会社 静電チャックの製造方法
JP6639940B2 (ja) * 2016-02-17 2020-02-05 日本特殊陶業株式会社 保持装置および保持装置の製造方法
JP6449802B2 (ja) 2016-03-16 2019-01-09 日本特殊陶業株式会社 半導体製造用部品
US11069553B2 (en) * 2016-07-07 2021-07-20 Lam Research Corporation Electrostatic chuck with features for preventing electrical arcing and light-up and improving process uniformity
US10541168B2 (en) * 2016-11-14 2020-01-21 Lam Research Corporation Edge ring centering method using ring dynamic alignment data
JP6577932B2 (ja) * 2016-11-29 2019-09-18 エックスジェット エルティーディー． セルフパージ、沈澱防止、および、ガス除去の構造を備えた印刷システム

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2019230030A1 (ja) 2020-07-09
KR102463946B1 (ko) 2022-11-04
KR20200135480A (ko) 2020-12-02
WO2019230030A1 (ja) 2019-12-05
TW202004982A (zh) 2020-01-16
TWI771587B (zh) 2022-07-21
CN112166496A (zh) 2021-01-01
US11784067B2 (en) 2023-10-10
CN112166496B (zh) 2024-05-03
US20210233785A1 (en) 2021-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6865145B2 (ja) 保持装置
JP6196095B2 (ja) 静電チャック
JP6634315B2 (ja) 保持装置および保持装置の製造方法
JP6239894B2 (ja) 静電チャック
JP2018006737A (ja) 保持装置および保持装置の製造方法
JP6392961B2 (ja) 静電チャック
JP6758175B2 (ja) 静電チャック
JP6703645B2 (ja) 保持装置、および、保持装置の製造方法
JP6158634B2 (ja) 静電チャック
JP6703646B2 (ja) 保持装置の製造方法
JP6580975B2 (ja) 静電チャックの製造方法
JP6703647B2 (ja) 保持装置の製造方法、および、保持装置
JP2019125663A (ja) 保持装置
JP7283872B2 (ja) 保持装置
JP7077006B2 (ja) 保持装置
JP6695204B2 (ja) 保持装置
JP2019220496A (ja) 保持装置の製造方法
JP6943774B2 (ja) 保持装置
JP6959090B2 (ja) 加熱装置
JP2023061525A (ja) 保持装置
JP2019140164A (ja) 保持装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190625

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200414

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200508

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6703645

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250