JP2022090328A - サーマルプリントヘッド - Google Patents

Abstract

【課題】 共通配線部の抵抗値を下げるのに適したサーマルプリントヘッドを提供する。
【解決手段】 サーマルプリントヘッドＡ１は、厚さ方向ｚの一方を向く主面１１を有し、単結晶半導体からなる基材１０と、基材１０に支持され、主走査方向に配列された複数の発熱部４１を含む抵抗体層４と、基材１０に支持され、且つ抵抗体層４に導通する電極層３と、を備える。基材１０は、主面１１から凹む凹部１３を有する。電極層３は、複数の発熱部４１にそれぞれに共通に繋がる共通配線部３３を含み、共通配線部３３は、凹部１３に収容された埋設配線部３３０を有する。
【選択図】 図６

Description

本開示は、サーマルプリントヘッドに関する。

特許文献１には、従来のサーマルプリントヘッドの一例が開示されている。サーマルプリントヘッドは一般に、基材上に主走査方向に並ぶ多数の発熱部を備えている。各発熱部は、基材の主面上に形成された抵抗体層上に、抵抗体層の一部を露出させるように電極層を積層することで形成されている。電極層に通電することにより、上記抵抗体層の露出部（発熱部）がジュール熱により発熱する。当該発熱部の発熱によって、印刷媒体に印字ドットが形成される。

特許文献１に開示されたサーマルプリントヘッドは、基材としてＳｉ（シリコン）が用いられ、半導体プロセスにより、抵抗体層を含む各構成部が形成されている。特許文献１に記載されたサーマルプリントヘッドにおいて、電極層は、複数の発熱部それぞれに共通に繋がる共通配線部（同文献に図示された横行部３５２等）を有する。当該共通配線部は、基材の周縁付近を迂回するように形成されており、複数の発熱部に選択的に電流を流すための電流経路を構成している。サーマルプリントヘッドにおいて、主走査方向に並ぶ発熱部の数（単位長さ当たりの数）を増やすことで印字ドットの形成密度が高められ、高精細な印字が可能となる。このように印字品質を高めるには、抵抗体層における複数の発熱部を効率よく発熱させる必要がある。複数の発熱部を効率よく発熱させるためには、電極層（共通配線部）の抵抗値を下げることが望まれる。上記のような電極層（共通配線部）が基材の周縁付近に積層形成された構成によると、共通配線部（複数の発熱部に電流を流す電流経路）の断面積が比較的小さくなる。このことは、上記電流経路（共通配線部）の抵抗値を下げるうえで阻害要因となり、改善の余地があった。

特開２０１７－７２０３号公報

本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、共通配線部の抵抗値を下げるのに適したサーマルプリントヘッドを提供することを主たる課題とする。

本開示によって提供されるサーマルプリントヘッドは、厚さ方向の一方を向く主面を有し、単結晶半導体からなる基材と、前記基材に支持され、主走査方向に配列された複数の発熱部を含む抵抗体層と、前記基材に支持され、且つ前記抵抗体層に導通する電極層と、を備え、前記基材は、前記主面から凹む凹部を有し、前記電極層は、前記複数の発熱部にそれぞれに共通に繋がる共通配線部を含み、前記共通配線部は、前記凹部に収容された埋設配線部を有する。

本開示によれば、共通配線部の抵抗値を下げることが可能であり、サーマルプリントヘッドの印字品質の向上を図ることができる。

本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本開示の第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す平面図である。 図１に示すサーマルプリントヘッドの要部拡大平面図である。 図１に示すサーマルプリントヘッドの要部拡大平面図である。 図１のＩＶ－ＩＶ線に沿う概略断面図である。 図４の部分拡大図である。 図５の部分拡大図である。 図１のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う部分拡大断面図である。 図１に示すサーマルプリントヘッドの要部拡大平面図である。 図１に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す断面図である。 図９に続く工程を示す断面図である。 図１０に続く工程を示す断面図である。 図１１に続く工程を示す断面図である。 図１２に続く工程を示す断面図である。 図１３に続く工程を示す断面図である。 図１４に続く工程を示す断面図である。 図１５に続く工程を示す断面図である。 図１６に続く工程を示す断面図である。 図１７に続く工程を示す断面図である。 図１に示すサーマルプリントヘッドの変形例を示す、図６と同様の断面図である。 図１に示すサーマルプリントヘッドの変形例を示す、図７と同様の断面図である。 本開示の第２実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す、図８と同様の要部拡大平面図である。 図２１のＸＸＩＩ－ＸＸＩＩ線に沿う部分拡大断面図である。 図２１のＸＸＩＩＩ－ＸＸＩＩＩ線に沿う部分拡大断面図である。 図２１のＸＸＩＶ－ＸＸＩＶ線に沿う部分拡大断面図である。

以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」を含む。また、「ある物Ａがある物Ｂにある方向に見て重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。

＜第１実施形態＞
図１～図８は、本開示の第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示している。本実施形態のサーマルプリントヘッドＡ１は、ヘッド基板１、接続基板５、複数のワイヤ６１，６２、複数のドライバＩＣ７、保護樹脂７８および放熱部材８を備えている。サーマルプリントヘッドＡ１は、プラテンローラ９９（図４参照）によって搬送される印刷媒体（図示略）に印刷を施すプリンタに組み込まれるものである。印刷媒体としては、たとえばバーコードシートやレシートを作成するための感熱紙が挙げられる。

図１は、サーマルプリントヘッドＡ１を示す平面図である。図２は、サーマルプリントヘッドＡ１を示す要部拡大平面図である。図３は、サーマルプリントヘッドＡ１を示す要部拡大平面図である。図４の一部を拡大した断面図である。図４は、図１のＩＶ－ＩＶ線に沿う概略断面図である。図５は、サーマルプリントヘッドＡ１の要部断面図であり、図４の一部を拡大した断面図である。図６は、サーマルプリントヘッドＡ１の要部拡大断面図であり、図５の一部を拡大した断面図である。図７は、図１のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う部分拡大断面図である。図８は、サーマルプリントヘッドＡ１を示す要部拡大平面図である。図１～図３および図８においては、理解の便宜上、後述する保護層２を省略している。図１および図２においては、理解の便宜上、保護樹脂７８を省略している。また、図２においては、理解の便宜上、ワイヤ６１を省略している。また、これらの図において、ヘッド基板１の長手方向（主走査方向）をｘ方向とし、短手方向（副走査方向）をｙ方向とし、厚さ方向をｚ方向として説明する。また、ｙ方向については、図１～図３、図８の下方（図４～図６の右方）を印刷媒体が送られてくる「上流」とし、図１～図３、図８の上方（図４～図６の左方）を印刷媒体が排出される「下流」とする。また、ｚ方向については、図４～図７の上方（方向ｚを示す矢印が指す方向）を「上方」とし、その反対方向を「下方」とする。以下の図においても同様である。

図４に示すように、サーマルプリントヘッドＡ１において、ヘッド基板１および接続基板５は、放熱部材８上で、ｙ方向に隣接して搭載されている。ヘッド基板１には、後に詳説する構成により、ｘ方向に配列される複数の発熱部４１が形成されている。この発熱部４１は、接続基板５に搭載されたドライバＩＣ７により選択的に発熱駆動され、コネクタ５９を介して外部から送信される印字信号にしたがって、プラテンローラ９９によって発熱部４１に押圧される印刷媒体に印字を行う。

ヘッド基板１は、図１～図６に示すように、基材１０、第１絶縁膜１８、第２絶縁膜１９、保護層２、電極層３、および、抵抗体層４を備えている。

基材１０は、単結晶半導体からなる。単結晶半導体としては、Ｓｉが好適である。基材１０は、図１に示すように、ｚ方向視において、ｘ方向を長手方向とし、ｙ方向を短手方向とする細長矩形状である。基材１０の大きさは限定されないが、一例を挙げると、ｘ方向の寸法は、たとえば１０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下程度、ｙ方向の寸法は、たとえば３ｍｍ以上５ｍｍ以下程度、ｚ方向の寸法は、たとえば７２５μｍ程度である。基材１０において、ｙ方向のドライバＩＣ７に近い側が上流側であり、ドライバＩＣ７から遠い側が下流側である。印刷媒体は、プラテンローラ９９によって、ｙ方向の上流側から下流側に搬送される。

基材１０は、図１、図２、図５および図６に示すように、主面１１および凸部１２を有している。主面１１は、ｚ方向の上方を向く。本開示では、主面１１は、ｘ－ｙ平面（ｘ方向とｙ方向で規定される平面、他の平面も同様）に沿って広がっており、ｘ－ｙ平面に略平行な平面である。主面１１は、（１００）面である。凸部１２は、主面１１からｚ方向に突出しており、ｘ方向に延びている。凸部１２は、主面１１の下流側寄りに形成されている。凸部１２は、ｙ－ｚ平面に沿う断面の形状が、ｘ方向に一様である。以下では、ｙ－ｚ平面に沿う断面を「ｙ－ｚ断面」という。凸部１２は、ｚ方向下方側の端部におけるｙ方向の寸法Ｗ１が、たとえば５００μｍ程度であり、ｚ方向上方側の端部（後述する頂面１２１）におけるｙ方向の寸法Ｗ２が、たとえば２００μｍ程度である。また、凸部１２のｚ方向の寸法Ｈ１は、たとえば１５０μｍ程度である。

図５および図６に示すように、凸部１２は、頂面１２１および一対の傾斜面１２２を有する。頂面１２１は、主面１１と平行であり、略平面である。頂面１２１は、ｚ方向視において、ｘ方向に長く延びる細長矩形状である。上記凸部１２のｚ方向の寸法は、頂面１２１と主面１１とのｚ方向における離間距離である。一対の傾斜面１２２は、ｙ方向において頂面１２１を挟んでいる。また、一対の傾斜面１２２はそれぞれ、主面１１と頂面１２１とに繋がり、ｙ方向においてこれらに挟まれている。各傾斜面１２２は、頂面１２１からｙ方向に離れるほど低位となるように主面１１および頂面１２１に対して傾斜している。換言すると、一対の傾斜面１２２は、主面１１からｚ方向に遠ざかるにつれて（図中で上方に移動するにつれて）、ｙ方向において互いに近づく。各傾斜面１２２は、略平面である。主面１１に対する各傾斜面１２２の傾斜角α１は、たとえば５４．８度である。各傾斜面１２２は、（１１１）面である。

図２、図５～図８に示すように、基材１０は、凹部１３、第１区画壁１４１および第２区画壁１４２を有する。凹部１３は、主面１１から凹んでいる。本実施形態では、凹部１３は、複数の第１凹部１３１および複数の第２凹部１３２を含む。

複数の第１凹部１３１は、凸部１２に対してｙ方向の下流側に位置する。複数の第１凹部１３１は、それぞれｘ方向に延びており、ｙ方向に間隔を隔てて並んでいる。本実施形態において図示した例では、４つの第１凹部１３１がｙ方向に並んでいる。各第１凹部１３１は、第１底面１３１ａおよび一対の第１側面１３１ｂを有する。第１底面１３１ａは、ｚ方向の上方を向いており、略平面である。一対の第１側面１３１ｂはそれぞれ、第１底面１３１ａと主面１１とに繋がり、ｙ方向を向いて互いに対向している。第１区画壁１４１は、ｙ方向において隣接する第１凹部１３１の間に位置し、当該隣接する第１凹部１３１の相互間を区画している。なお、ｙ方向に並ぶ第１凹部１３１の数は、図示した４つに限定されない。

本実施形態では、図６に示すように、第１凹部１３１のｙ方向における長さ（第１長さＬ１）は、第１区画壁１４１のｙ方向における長さ（第２長さＬ２）よりも大である。また、第１凹部１３１のｚ方向における長さ（第３長さＬ３）は、第１凹部１３１の第１長さＬ１よりも大である。第１凹部１３１の第１長さＬ１は、たとえば第１区画壁１４１の第２長さＬ２の１～１０倍であり、好ましくは１～３倍である。また、第１凹部１３１の第３長さＬ３は、たとえば第１長さＬ１の２～２０倍であり、好ましくは１０～２０倍である。このように、本実施形態では、各第１凹部１３１は、ｘ方向に延びるスリット状の溝である。上記各部の寸法の一例を挙げると、第１凹部１３１の第１長さＬ１は、たとえば２０μｍ程度であり、第３長さＬ３は、たとえば３００μｍ程度である。第１区画壁１４１の第２長さＬ２は、たとえば１０μｍ程度である。ただし、上記の各寸法は一例であり、各部の寸法は上記例示した寸法値に限定されるものではない。

図７、図８に示すように、複数の第２凹部１３２は、複数の第１凹部１３１のｘ方向の少なくとも一方の端部に繋がっている。本実施形態では、複数の第２凹部１３２は、複数の第１凹部１３１のｘ方向両端部それぞれに繋がって配置されている。複数の第２凹部１３２は、それぞれｙ方向に延びており、ｘ方向に間隔を隔てて並んでいる。本実施形態において図示した例では、基材１０のｘ方向の一端部付近（図１の左端部付近）およびｘ方向の他端部付近（図１の右端部付近）において、４つずつの第２凹部１３２がｙ方向に並んでいる。各第２凹部１３２は、第２底面１３２ａおよび一対の第２側面１３２ｂを有する。第２底面１３２ａは、ｚ方向の上方を向いており、略平面である。一対の第２側面１３２ｂはそれぞれ、第２底面１３２ａと主面１１とに繋がり、ｘ方向を向いて互いに対向している。第２区画壁１４２は、ｘ方向において隣接する第２凹部１３２の間に位置し、当該隣接する第２凹部１３２の相互間を区画している。なお、ｘ方向に並ぶ第２凹部１３２の数は、図示した４つに限定されない。

図７に示した第２凹部１３２のｘ方向における長さ（第４長さＬ４）は、第１凹部１３１のｙ方向における第１長さＬ１と同程度である。同様に、第２区画壁１４２のｘ方向における長さ（第５長さＬ５）は、第１区画壁１４１のｙ方向における第２長さＬ２と同程度であり、第２凹部１３２のｚ方向における長さ（第６長さＬ６）は、第１凹部１３１のｚ方向における第３長さＬ３と同程度である。また、第２凹部１３２のｘ方向の第４長さＬ４は、第２区画壁１４２のｘ方向の第５長さＬ５よりも大である。本実施形態では、各第２凹部１３２は、ｙ方向に延びるスリット状の溝である。

第１絶縁膜１８は、図５～図７に示すように、基材１０の主面１１上に形成されており、基材１０のｚ方向の上方側全域を覆っている。より具体的には、主面１１、凸部１２、各第１凹部１３１および各第２凹部１３２に跨って形成されている。第１絶縁膜１８は、絶縁性材料からなり、たとえばＳｉＯ₂またはＳｉＮ（窒化ケイ素）からなる。第１絶縁膜１８の厚さは特に限定されず、たとえば１μｍ以上３μｍ以下程度である。

第２絶縁膜１９は、図５～図７に示すように、主面１１に配置されており、第１絶縁膜１８上に形成されている。第２絶縁膜１９は、第１絶縁膜１８の一部を覆っており、主に電極層３の後述する個別電極３１および櫛歯部３４と、抵抗体層４とに対応する領域に配置される。第２絶縁膜１９は、発熱部４１で生じた熱の蓄熱性を高めるためのものである。第２絶縁膜１９は、絶縁性材料からなり、たとえばＴＥＯＳ－ＳｉＯ₂（ＴＥＯＳ（オルトケイ酸テトラエチル）を原材料として形成されたＳｉＯ₂）からなる。第２絶縁膜１９の厚さは、第１絶縁膜１８の厚さよりも大である。第２絶縁膜１９の厚さは特に限定されず、たとえば５μｍ以上１５μｍ以下程度である。

抵抗体層４は、図５および図６に示すように、第２絶縁膜１９上に形成され、第２絶縁膜１９を覆う。抵抗体層４は、第２絶縁膜１９を挟んで、主面１１および凸部１２にわたって形成されている。抵抗体層４は、たとえばＴａＮ（窒化タンタル）からなる。抵抗体層４の厚さは特に限定されず、たとえば０．０２μｍ以上０．１μｍ以下程度である。

抵抗体層４は、図３、図５および図６に示すように、複数の発熱部４１を含む。複数の発熱部４１は、抵抗体層４のうち後述する電極層３に覆われずに露出する部分である。複数の発熱部４１は、各々に選択的に通電されることにより、印刷媒体を局所的に加熱する。複数の発熱部４１は、ｘ方向に配列されており、ｘ方向において互いに離間している。複数の発熱部４１は、凸部１２の頂面１２１に配置されている。複数の発熱部４１のｙ方向における形成領域は、凸部１２の頂面１２１のｙ方向の一部または全部を含んだ領域とされる。

電極層３は、抵抗体層４（複数の発熱部４１）に通電するための経路を構成するためのものであり、導電性材料によって形成されている。電極層３は、抵抗体層４よりも抵抗値が小さい金属材料からなり、たとえばＣｕ（銅）からなる。

電極層３は、図１～図３、図５および図６に示すように、複数の個別電極３１および共通電極３２を含んでいる。抵抗体層４のうち、複数の個別電極３１と共通電極３２との間において電極層３から露出した部分が、複数の発熱部４１となっている。ｚ方向視における各個別電極３１および共通電極３２の各形状、すなわち、各個別電極３１および共通電極３２の形成領域は、図１および図２の例示に限定されない。

複数の個別電極３１はそれぞれ、概ねｙ方向に延びる帯状である。複数の個別電極３１は、ｘ方向において互いに分離している。各個別電極３１は、各発熱部４１よりもｙ方向上流側に配置されている。図３および図６に表れているように、本実施形態では、各個別電極３１のｙ方向下流側の先端は、ｙ方向上流側の傾斜面１２２上まで延びている。各個別電極３１のｙ方向上流側の先端には、電極パッド部３１１が形成されている。電極パッド部３１１は、接続基板５に搭載されるドライバＩＣ７とワイヤ６１により接続される部分である。

共通電極３２は、図２および図３に示すように、共通配線部３３および複数の櫛歯部３４を含んでいる。共通配線部３３は、複数の櫛歯部３４を共通に繋げる。複数の櫛歯部３４は、互いに離間し、ｘ方向に並んでいる。各櫛歯部３４のｙ方向上流側の先端は、各個別電極３１の先端に対して所定間隔を隔てて対向させられている。よって、各櫛歯部３４のｙ方向上流側の先端と、各個別電極３１のｙ方向下流側の先端との間において、抵抗体層４が電極層３から露出する。図３および図６に表れているように、図示した例では、各櫛歯部３４のｙ方向上流側の先端は、ｙ方向下流側の傾斜面１２２を経て頂面１２１上まで延びている。

複数の個別電極３１および複数の櫛歯部３４は、たとえば金属膜により構成される。当該金属膜の厚さは特に限定されず、たとえば０．３μｍ以上２．０μｍ以下程度である。なお、上記金属膜は、Ｃｕ層と、Ｔｉ（チタン）層とが積層された構成であってもよい。この場合、Ｔｉ層は、Ｃｕ層と抵抗体層４との間に介在し、たとえば厚さ１００ｎｍ程度である。

共通配線部３３は、図１に示すように、複数の発熱部４１のｙ方向下流側に形成された領域と、複数の発熱部４１のｘ方向の両側に形成された領域と、を含み基材１０の周縁付近を迂回するように形成されている。

共通配線部３３は、図６および図７に示すように、埋設配線部３３０、第１積層配線部３３３および第２積層配線部３３４を有する。埋設配線部３３０は、凹部１３に収容される部分である。本実施形態では、埋設配線部３３０は、複数の第１埋設配線部３３１および複数の第２埋設配線部３３２を含む。図６に示すように、複数の第１埋設配線部３３１は、複数の第１凹部１３１に個別に収容されている。本実施形態において、各第１埋設配線部３３１は、第１凹部１３１の全体を埋めている。図７に示すように、複数の第２埋設配線部３３２は、複数の第２凹部１３２に個別に収容されている。本実施形態において、各第２埋設配線部３３２は、第２凹部１３２の全体を埋めている。

第１積層配線部３３３は、図６に示すように、複数の第１埋設配線部３３１に繋がり、各第１区画壁１４１の上に配置されている。本実施形態では、第１積層配線部３３３は、複数の第１埋設配線部３３１上および複数の第１区画壁１４１上（即ち主面１１上）に跨って形成されている。複数の第１埋設配線部３３１と第１積層配線部３３３とは、たとえばめっき処理により一体的に形成される。図６において、理解の便宜上、第１埋設配線部３３１と第１積層配線部３３３との境界を点線で表す。

第２積層配線部３３４は、図７に示すように、複数の第２埋設配線部３３２に繋がり、各第２区画壁１４２の上に配置されている。本実施形態では、第２積層配線部３３４は、複数の第２埋設配線部３３２上、複数の第２区画壁１４２上および主面１１上に跨って形成されている。複数の第２埋設配線部３３２と第２積層配線部３３４とは、たとえばめっき処理により一体的に形成される。図７において、理解の便宜上、第２埋設配線部３３２と第２積層配線部３３４との境界を点線で表す。

上記の埋設配線部３３０（複数の第１埋設配線部３３１および複数の第２埋設配線部３３２）、第１積層配線部３３３および第２積層配線部３３４は、たとえばめっき層により構成される。当該めっき層は、たとえばＣｕ、Ｎｉなどの金属材料により構成される。

保護層２は、図５～図７に示すように、電極層３および抵抗体層４を覆っている。保護層２は、絶縁性材料からなり、たとえばＳｉＯ₂、ＳｉＮ、ＳｉＣ（炭化ケイ素）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）のいずれかあるいはそれら２つ以上の積層体からなる。保護層２の厚さは特に限定されず、たとえば１μｍ以上１０μｍ以下である。保護層２は、図５に示すように、ｚ方向に貫通するパッド用開口２１を有する。パッド用開口２１は、複数の個別電極３１に設けた電極パッド部３１１をそれぞれ露出させている。

接続基板５は、図１および図４に示すように、ヘッド基板１に対してｙ方向上流側に隣接して配置されている。接続基板５は、たとえばＰＣＢ基板である。接続基板５は、たとえば、図１に示すように、ｚ方向視において、ｘ方向を長手方向とする細長矩形状である。図４に示すように、接続基板５には、ドライバＩＣ７およびコネクタ５９が搭載されている。

コネクタ５９は、サーマルプリントヘッドＡ１をプリンタ（図示略）に接続するために用いられる。コネクタ５９は、図４に示すように、接続基板５に取り付けられており、接続基板５の配線パターン（図示略）に接続されている。

ドライバＩＣ７は、図１および図４に示すように、接続基板５上に搭載されており、複数の発熱部４１を個別に通電させる。ドライバＩＣ７は、図４および図５に示すように、複数のワイヤ６１によって、各個別電極３１の各電極パッド部３１１にそれぞれ接続されている。また、ドライバＩＣ７は、複数のワイヤ６２によって、接続基板５上に形成された配線パターンに接続されている。ドライバＩＣ７にはコネクタ５９を介して外部から送信される印字信号、制御信号および複数の発熱部４１に供給される電圧が入力される。複数の発熱部４１は、印字信号および制御信号にしたがって個別に通電されることにより、選択的に発熱させられる。

ドライバＩＣ７および複数のワイヤ６１，６２は、図４および図５に示すように、ヘッド基板１と接続基板５とに跨るように形成された保護樹脂７８で覆われている。保護樹脂７８は、エポキシ樹脂などの黒色の絶縁性材料が用いられている。

放熱部材８は、図４に示すように、ヘッド基板１および接続基板５を支持しており、複数の発熱部４１により生じた熱の一部を外部へと放熱するために設けられる。放熱部材８はたとえばアルミニウム等の金属製である。

次に、サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法の一例について、図９～図１８を参照しつつ、以下に説明する。図９～図１８はそれぞれ、サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法の一工程を示す断面図であって、図６に示す断面に対応する。

まず、図９に示すように、基材１０Ａを準備する。基材１０Ａは、単結晶半導体からなり、たとえばＳｉウエハである。基材１０Ａは、主面１１Ａを有する。主面１１Ａは、略平坦であり、ｚ方向の上方を向く。主面１１Ａは（１００）面である。

次いで、図１０に示すように、凸部１２を形成する。凸部１２の形成は、主面１１Ａの一部に所定のマスク層（図９および図１０において想像線で示す）を形成し、基材１０Ａに異方性エッチングを施すことにより行う。凸部１２を形成する工程では、たとえばアルカリ水溶液を用いた異方性エッチングを行う。このアルカリ水溶液としては、たとえばＫＯＨ（水酸化カリウム）やＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）などが挙げられる。これにより、図１０に示すように、主面１１および凸部１２が形成される。主面１１は、主面１１Ａと同じく（１００）面である。凸部１２は、頂面１２１および一対の傾斜面１２２を有する。一対の傾斜面１２２はそれぞれ、（１１１）面であり、主面１１および頂面１２１に対して傾斜している。各傾斜面１２２の傾斜角α１は、たとえば５４．８度である。

次いで、図１１に示すように、凹部１３（複数の第１凹部１３１および図示しない複数の第２凹部１３２）を形成する。凹部１３の形成は、基材１０の適所にエッチングを施すことにより行う。凹部１３は、たとえばボッシュプロセス（Bosch process）などの深堀りエッチング技術により形成される。これにより、主面１１、凸部１２、凹部１３（複数の第１凹部１３１および図示しない複数の第２凹部１３２）、第１区画壁１４１および図示しない第２区画壁１４２を有する基材１０が形成される。

次いで、図１２示すように、第１絶縁膜１８を形成する。第１絶縁膜１８の形成は、たとえばＣＶＤを用いてＳｉＮを堆積させることにより行う。第１絶縁膜１８は、主面１１、凸部１２の表面（頂面１２１および傾斜面１２２）および凹部１３の内面（第１底面１３１ａ、第１側面１３１ｂ、図示しない第２底面１３２ａおよび第２側面１３２ｂ）を覆う。

次いで、図１３に示すように、めっき層３Ｂを形成する。めっき層３Ｂの形成は、たとえば無電解めっき処理によりＣｕを成膜することによって行う。めっき層３Ｂは、凹部１３（複数の第１凹部１３１および図示しない複数の第２凹部１３２）および主面１１の一部に形成される。これにより、埋設配線部３３０（複数の第１埋設配線部３３１および図示しない複数の第２埋設配線部３３２）、第１積層配線部３３３および図示しない第２積層配線部３３４を含むめっき層３Ｂ（共通配線部３３）が形成される。めっき層３Ｂの膜厚は、めっき処理条件に応じて変化し得る。本実施形態では、各第１埋設配線部３３１（図示しない各第２埋設配線部３３２）は、第１凹部１３１（図示しない第２凹部１３２）の全体を埋めている。

次いで、図１４に示すように、第２絶縁膜１９を形成する。第２絶縁膜１９の形成は、たとえばＣＶＤを用いてＴＥＯＳ－ＳｉＯ₂を堆積させ、エッチングを施して当該堆積膜を部分的により除去することにより行う。第２絶縁膜１９は、第１絶縁膜１８の一部を覆う。

次いで、図１５に示すように、抵抗体膜４Ａを形成する。抵抗体膜４Ａの形成は、たとえばスパッタリングにより第２絶縁膜１９上にＴａＮの薄膜を形成することによって行う。抵抗体膜４Ａは、第２絶縁膜１９の全面を覆う。

次いで、図１６に示すように、金属膜３Ａを形成する。金属膜３Ａの形成は、たとえばめっきやスパッタリングによりＣｕからなる層を形成することによって行う。金属膜３Ａは、抵抗体膜４Ａの全面を覆う。なお、金属膜３Ａの形成では、抵抗体膜４Ａ上にＴｉ層を形成した後、Ｃｕ層を形成した構成でもよい。

次いで、図１７に示すように、金属膜３Ａおよび抵抗体膜４Ａに選択的なエッチングを施すことにより、金属膜３Ａおよび抵抗体膜４Ａを部分的に除去する。これにより、ｘ方向に分離された抵抗体層４と、複数の発熱部４１を残して抵抗体層４を覆う複数の個別電極３１および複数の櫛歯部３４と、が形成される。ここで、複数の発熱部４１は、凸部１２（頂面１２１）の上に形成される。また、めっき層３Ｂにおける第１積層配線部３３３のｙ方向上流側の端部は、複数の櫛歯部３４と繋がっている。このようにして、複数の個別電極３１および共通電極３２（共通配線部３３および複数の櫛歯部３４）を有する電極層３が形成される。

次いで、図１８に示すように、保護層２を形成する。保護層２の形成は、たとえばＣＶＤを用いて、基材１０上の第１絶縁膜１８、電極層３および抵抗体層４のそれぞれの上にたとえばＳｉＮを堆積させることにより行われる。その後、パッド用開口２１を形成するために、保護層２をエッチング等により部分的に除去する。

次いで、基材１０をｘ方向およびｙ方向に沿って切断し、個片に分割する。以上により、ヘッド基板１が得られる。そして、放熱部材８上へのヘッド基板１および接続基板５の組付け、接続基板５へのドライバＩＣ７の搭載、複数のワイヤ６１，６２のボンディング、保護樹脂７８の形成等を行うことにより、図１～図８に示したサーマルプリントヘッドＡ１が製造される。

次に、本実施形態の作用について説明する。

サーマルプリントヘッドＡ１において、単結晶半導体からなる基材１０は、主面１１から凹む凹部１３を有する。電極層３は、複数の発熱部４１それぞれに繋がる共通配線部３３を含む。当該共通配線部３３は、複数の発熱部４１に電流を流す電流経路を構成する。共通配線部３３は、凹部１３に収容された埋設配線部３３０を有する。このような構成によれば、共通配線部が主面１１上に形成される場合と比べて、複数の発熱部４１に電流を流す電流経路である埋設配線部３３０（共通配線部３３）の断面積を容易に大きく確保することができる。これにより、共通配線部３３（複数の発熱部４１に電流を流す電流経路）の抵抗値を下げることが可能であり、複数の発熱部４１を効率よく発熱させることができる。したがって、本実施形態によれば、サーマルプリントヘッドＡ１の印字品質の向上を図ることができる。また、共通配線部３３の抵抗値を下げることは、サーマルプリントヘッドＡ１の消費電力の低減にも寄与する。

基材１０はｘ方向に延びる凸部１２を有し、複数の発熱部４１は凸部１２の上に配置されている。凹部１３は、凸部１２に対してｙ方向下流側に位置する第１凹部１３１を含み、第１凹部１３１はｘ方向に延びている。埋設配線部３３０は、第１凹部１３１に収容された第１埋設配線部３３１を含む。このような構成によれば、基材１０の周縁付近を迂回するように配置された共通配線部３３のうち、基材１０の長手方向に沿う部位（第１埋設配線部３３１）の抵抗値を効率よく下げることができる。

本実施形態では、複数の第１凹部１３１がｙ方向に間隔を隔てて並んでおり、埋設配線部３３０は、複数の第１凹部１３１に個別に収容された複数の第１埋設配線部３３１を含む。各第１凹部１３１は、第１底面１３１ａと、ｙ方向において互いに対向する一対の第１側面１３１ｂとを有する。このような構成によれば、第１凹部１３１のｚ方向の第３長さＬ３を比較的大きくし、かつ第１凹部１３１のｙ方向の第１長さＬ１を小さくすることで、めっき処理などの手法により、各第１凹部１３１に第１埋設配線部３３１を効率よく配置することができる。これにより、基材１０のサイズ（ｙ方向の寸法）が大きくなるのを抑制しつつ、複数の第１凹部１３１に収容された複数の第１埋設配線部３３１の抵抗値を効率よく下げることが可能である。

基材１０の第１区画壁１４１は、ｙ方向において隣接する第１凹部１３１の相互間を区画している。当該第１区画壁１４１のｙ方向の第２長さＬ２は、第１凹部１３１のｙ方向の第１長さＬ１よりも小である。これにより、複数の第１凹部１３１が形成された領域のｙ方向における長さを小さくすることができる。このことは、基材１０のサイズ（ｙ方向の寸法）が大きくなるのを抑制しつつ複数の第１埋設配線部３３１の抵抗値を下げるうえで、より好ましい。

共通配線部３３は、第１積層配線部３３３を含む。第１積層配線部３３３は、複数の第１埋設配線部３３１に繋がり、第１区画壁１４１の上に配置されている。このような構成によれば、共通配線部３３（複数の第１埋設配線部３３１、および第１積層配線部３３３）の断面積を大きく確保するとともに、これら第１埋設配線部３３１と第１積層配線部３３３との導通が適切に維持される。また、第１積層配線部３３３は、主面１１上に配置されている。このような第１積層配線部３３３（共通配線部３３）は、複数の櫛歯部３４と容易に導通状態で繋げられる。

各第１埋設配線部３３１は、第１凹部１３１の全体を埋めている。このような構成によれば、複数の第１埋設配線部３３１の断面積をより大きく確保することができる。このことは、共通配線部３３の抵抗値を下げるうえでより好ましい。

本実施形態において、凹部１３は、第１凹部１３１のｘ方向の端部に繋がる第２凹部１３２を含み、第２凹部１３２は、ｙ方向に延びている。埋設配線部３３０は、第２凹部１３２に収容された第２埋設配線部３３２を含む。第２埋設配線部３３２は、第１埋設配線部３３１に繋がっている。このような構成によれば、基材１０の周縁付近を迂回するように配置された共通配線部３３に関し、上記した基材１０の長手方向に沿う部位（第１埋設配線部３３１）の抵抗値に加え、基材１０の短手方向に沿う部位（第２埋設配線部３３２）の抵抗値についても効率よく下げることができる。

本実施形態において、複数の第２凹部１３２がｘ方向に間隔を隔てて並んでおり、埋設配線部３３０は、複数の第２凹部１３２に個別に収容された複数の第２埋設配線部３３２を含む。各第２凹部１３２は、第２底面１３２ａと、ｙ方向において互いに対向する一対の第２側面１３２ｂとを有する。このような構成によれば、第２凹部１３２のｚ方向の第６長さＬ６を比較的大きくし、かつ第２凹部１３２のｘ方向の第４長さＬ４を小さくすることで、めっき処理などの手法により、各第２凹部１３２に第２埋設配線部３３２を効率よく配置することができる。これにより、基材１０のサイズ（ｘ方向の寸法）が大きくなるのを抑制しつつ、複数の第２凹部１３２に収容された複数の第２埋設配線部３３２の抵抗値を効率よく下げることが可能である。

基材１０の第２区画壁１４２は、ｘ方向において隣接する第２凹部１３２の相互間を区画している。当該第２区画壁１４２のｘ方向の第５長さＬ５は、第２凹部１３２のｘ方向の第４長さＬ４よりも小である。これにより、複数の第２凹部１３２が形成された領域のｘ方向における長さを小さくすることができる。このことは、基材１０のサイズ（ｘ方向の寸法）が大きくなるのを抑制しつつ複数の第２埋設配線部３３２の抵抗値を下げるうえで、より好ましい。

共通配線部３３は、第２積層配線部３３４を含む。第２積層配線部３３４は、複数の第２埋設配線部３３２に繋がり、第２区画壁１４２の上に配置されている。このような構成によれば、共通配線部３３（複数の第２埋設配線部３３２、および第２積層配線部３３４）の断面積を大きく確保するとともに、これら第２埋設配線部３３２と第２積層配線部３３４との導通が適切に維持される。

各第２埋設配線部３３２は、第２凹部１３２の全体を埋めている。このような構成によれば、複数の第２埋設配線部３３２の断面積をより大きく確保することができる。このことは、共通配線部３３の抵抗値を下げるうえでより好ましい。

＜第１実施形態の変形例＞
図１９および図２０は、上記した第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ１の変形例を示している。なお、図１９以降の図面において、上記実施形態のサーマルプリントヘッドＡ１と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付しており、適宜説明を省略する。

本変形例のサーマルプリントヘッドＡ１１においては、共通配線部３３の構成が上記実施形態のサーマルプリントヘッドＡ１と異なっている。共通配線部３３の埋設配線部３３０（第１埋設配線部３３１および第２埋設配線部３３２）は、ｚ方向の上方から下方に向けて凹んだ形状とされている。各第１埋設配線部３３１は凹み３３１ａを有し、各第２埋設配線部３３２は凹み３３２ａを有する。凹み３３１ａは、第１凹部１３１の第１底面１３１ａおよび一対の第１側面１３１ｂで囲まれた領域まで延びている。これにより、第１埋設配線部３３１は、第１凹部１３１の全体を埋めてはいない。凹み３３２ａは、第２凹部１３２の第２底面１３２ａおよび一対の第２側面１３２ｂで囲まれた領域まで延びている。これにより、第２埋設配線部３３２は、第２凹部１３２の全体を埋めてはいない。第１積層配線部３３３において、各第１埋設配線部３３１の凹み３３１ａに対応する部分は、上面から凹んだ形状となっている。また、第２積層配線部３３４においても、各第２埋設配線部３３２の凹み３３２ａに対応する部分は、上面から凹んだ形状となっている。

上記凹み３３１ａや凹み３３２ａは、たとえば埋設配線部３３０を形成するめっき処理の際、上記実施形態のサーマルプリントヘッドＡ１と比べてめっき層の膜厚が小さい場合に形成される。

本変形例のサーマルプリントヘッドＡ１１においても、共通配線部３３は、凹部１３に収容された埋設配線部３３０を有する。このような構成によれば、共通配線部が主面１１上に形成される場合と比べて、複数の発熱部４１に電流を流す電流経路である埋設配線部３３０（共通配線部３３）の断面積を容易に大きく確保することができる。これにより、共通配線部３３（複数の発熱部４１に電流を流す電流経路）の抵抗値を下げることが可能であり、サーマルプリントヘッドＡ１１の印字品質の向上を図ることができる。その他、サーマルプリントヘッドＡ１１においても、サーマルプリントヘッドＡ１に関して上述したのと同様の作用効果を奏する。

＜第２実施形態＞
図２１～図２４は、本開示の第２実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示している。本実施形態のサーマルプリントヘッドＡ２は、基材１０および共通配線部３３の構成が上記実施形態のサーマルプリントヘッドＡ１と異なっている。

本実施形態において、基材１０に形成された凹部１３は、１つの第１凹部１３１および１つの第２凹部１３２を含む。第１凹部１３１は、上記実施形態において複数の第１凹部１３１が形成された領域に配置されている。第２凹部１３２は、上記実施形態において複数の第２凹部１３２が形成された領域に配置されている。

また、本実施形態では、上記実施形態における第１区画壁１４１および第２区画壁１４２に代えて、複数の第１柱状部１５および複数の第２柱状部１６を有する。複数の第１柱状部１５は、第１凹部１３１の第１底面１３１ａおよび一対の第１側面１３１ｂで囲まれた領域に配置されている。各第１柱状部１５は、第１底面１３１ａからｚ方向に延びている。複数の第１柱状部１５は、ｘ方向に間隔を隔てて配列されている。図示した例では、第１柱状部１５はｙ方向にも間隔を隔てて複数並んでいる。複数の第２柱状部１６は、第２凹部１３２の第２底面１３２ａおよび一対の第２側面１３２ｂで囲まれた領域に配置されている。各第２柱状部１６は、第２底面１３２ａからｚ方向に延びている。複数の第２柱状部１６は、ｙ方向に間隔を隔てて配列されている。図示した例では、第２柱状部１６はｘ方向にも間隔を隔てて複数並んでいる。

本実施形態において、共通配線部３３は、埋設配線部３３０、第３積層配線部３３５および第４積層配線部３３６を有する。埋設配線部３３０は、第１埋設配線部３３１および第２埋設配線部３３２を有する。図２２、図２３に示すように、第１埋設配線部３３１は、第１凹部１３１の全体を埋めている。図２４に示すように、第２埋設配線部３３２は、第２凹部１３２の全体を埋めている。

図２２、図２３に示すように、第３積層配線部３３５は、第１埋設配線部３３１に繋がり、第１埋設配線部３３１上および主面１１上に跨って形成されている。第１埋設配線部３３１と第３積層配線部３３５とは、たとえばめっき処理により一体的に形成される。第１埋設配線部３３１および第３積層配線部３３５の形成は、たとえば無電解めっき処理によりＣｕを成膜することによって行う。上記のように第１凹部１３１の内側に複数の第１柱状部１５が配列された構成によれば、めっき処理により、第１凹部１３１に第１埋設配線部３３１を効率よく配置することができる。

図２４に示すように、第４積層配線部３３６は、第２埋設配線部３３２に繋がり、第２埋設配線部３３２上および主面１１上に跨って形成されている。第２埋設配線部３３２と第４積層配線部３３６とは、たとえばめっき処理により一体的に形成される。上記のように第２凹部１３２の内側に複数の第２柱状部１６が配列された構成によれば、めっき処理により、第２凹部１３２に第２埋設配線部３３２を効率よく配置することができる。

本実施形態のサーマルプリントヘッドＡ２においても、共通配線部３３は、凹部１３に収容された埋設配線部３３０を有する。このような構成によれば、共通配線部が主面１１上に形成される場合と比べて、複数の発熱部４１に電流を流す電流経路である埋設配線部３３０（共通配線部３３）の断面積を容易に大きく確保することができる。これにより、共通配線部３３（複数の発熱部４１に電流を流す電流経路）の抵抗値を下げることが可能であり、サーマルプリントヘッドＡ２の印字品質の向上を図ることができる。その他、サーマルプリントヘッドＡ２においても、サーマルプリントヘッドＡ１に関して上述したのと同様の作用効果を奏する。

本開示に係るサーマルプリントヘッドは、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係るサーマルプリントヘッドの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

上記実施形態においては、基材１０が主面１１から突出する凸部１２を有する場合を例に挙げて説明したが、そのような凸部１２を有さない構成としてもよい。また、基材１０と発熱部４１（抵抗体層４）との間に蓄熱層が介在する構成としてもよい。

本開示は、以下の付記に関する構成を含む。

〔付記１〕
厚さ方向の一方を向く主面を有し、単結晶半導体からなる基材と、
前記基材に支持され、主走査方向に配列された複数の発熱部を含む抵抗体層と、
前記基材に支持され、且つ前記抵抗体層に導通する電極層と、を備え、
前記基材は、前記主面から凹む凹部を有し、
前記電極層は、前記複数の発熱部にそれぞれに共通に繋がる共通配線部を含み、
前記共通配線部は、前記凹部に収容された埋設配線部を有する、サーマルプリントヘッド。
〔付記２〕
前記基材は、前記主面から突出し、かつ前記主走査方向に延びる凸部を有し、
前記複数の発熱部は、前記凸部の上に配置されており、
前記凹部は、前記凸部に対して副走査方向の下流側に位置し、且つ前記主走査方向に延びる第１凹部を含み、
前記埋設配線部は、前記第１凹部に収容された第１埋設配線部を含む、付記１に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記３〕
前記第１凹部は、第１底面と、当該第１底面および前記主面に繋がり、前記副走査方向を向いて互いに対向する一対の第１側面と、を有する、付記２に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記４〕
前記凹部は、前記副走査方向に間隔を隔てて並んだ複数の前記第１凹部を含み、
前記基材は、前記副走査方向において隣接する前記第１凹部の相互間を区画する第１区画壁を有する、付記３に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記５〕
前記共通配線部は、複数の前記第１凹部に個別に収容された複数の前記第１埋設配線部と、前記複数の第１埋設配線部に繋がり、かつ前記第１区画壁の上に配置された第１積層配線部と、を含む、付記４に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記６〕
前記第１埋設配線部は、前記第１凹部の全体を埋めている、付記５に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記７〕
前記第１凹部の前記副走査方向における第１長さは、前記第１区画壁の前記副走査方向における第２長さよりも大である、付記４ないし６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記８〕
前記第１長さは、前記第２長さの１～１０倍である、付記７に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記９〕
前記第１凹部の前記厚さ方向における第３長さは、前記第１長さの２～２０倍である、付記７または８に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１０〕
前記凹部は、前記第１凹部の前記主走査方向における少なくとも一方の端部に繋がり、且つ前記副走査方向に延びる第２凹部を含み、
前記埋設配線部は、前記第１埋設配線部に繋がり、且つ前記第２凹部に収容された第２埋設配線部を含む、付記２ないし９のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１１〕
前記第２凹部は、第２底面と、当該第２底面および前記主面に繋がり、互いが前記主走査方向を向いて対向する一対の第２側面と、を有する、付記１０に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１２〕
前記凹部は、前記主走査方向に間隔を隔てて並んだ複数の前記第２凹部を含み、
前記基材は、前記主走査方向において隣接する前記第２凹部の相互間を区画する第２区画壁を有する、付記１１に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１３〕
前記共通配線部は、複数の前記第２凹部に個別に収容された複数の前記第２埋設配線部と、前記複数の第２埋設配線部に繋がり、かつ前記第２区画壁の上に配置された第２積層配線部と、を含む、付記１２に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１４〕
前記第２埋設配線部は、前記第２凹部の全体を埋めている、付記１３に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１５〕
前記基材は、前記第１底面および前記一対の第１側面で囲まれた領域に配置され、且つ各々が前記第１底面から前記厚さ方向に延びる複数の第１柱状部を有し、
前記複数の第１柱状部は、前記主走査方向に間隔を隔てて配列されている、付記３に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１６〕
前記凹部は、前記第１凹部の前記主走査方向における少なくとも一方の端部に繋がり、且つ前記副走査方向に延びる第２凹部を含み、
前記埋設配線部は、前記第１埋設配線部に繋がり、且つ前記第２凹部に収容された第２埋設配線部を含み、
前記第２凹部は、第２底面と、当該第２底面および前記主面に繋がり、互いが前記主走査方向を向いて対向する一対の第２側面と、を有し、
前記基材は、前記第２底面および前記一対の第２側面で囲まれた領域に配置され、且つ各々が前記第２底面から前記厚さ方向に延びる複数の第２柱状部を有し、
前記複数の第２柱状部は、前記副走査方向に間隔を隔てて配列されている、付記１５に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１７〕
前記凸部は、前記主面と平行な頂面と、当該頂面および前記主面に繋がり、前記副走査方向において前記頂面を挟む一対の傾斜面と、を有し、
前記複数の発熱部は、前記頂面に配置されている、付記２ないし１６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１８〕
前記凹部および前記主面に跨って形成された第１絶縁膜と、
前記主面に配置され、且つ前記第１絶縁膜の一部を覆っており、前記第１絶縁膜よりも厚さが大である第２絶縁膜と、を備え、
前記埋設配線部は、前記第１絶縁膜の上に配置される、付記１ないし１７のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１９〕
前記単結晶半導体は、Ｓｉからなり、
前記主面は、（１００）面である、付記１ないし１８のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。

Ａ１，Ａ１１，Ａ２：サーマルプリントヘッド
１ ：ヘッド基板
１０ ：基材
１１ ：主面
１１Ａ ：主面
１２ ：凸部
１２１ ：頂面
１２２ ：傾斜面
１３ ：凹部
１３１ ：第１凹部
１３１ａ ：第１底面
１３１ｂ ：第１側面
１３２ ：第２凹部
１３２ａ ：第２底面
１３２ｂ ：第２側面
１４１ ：第１区画壁
１４２ ：第２区画壁
１５ ：柱状部
１８ ：第１絶縁膜
１９ ：第２絶縁膜
２ ：保護層
２１ ：パッド用開口
３ ：電極層
３Ａ ：金属膜
３Ｂ ：めっき層
３１ ：個別電極
３１１ ：電極パッド部
３２ ：共通電極
３３ ：共通配線部
３３０ ：埋設配線部
３３１ ：第１埋設配線部
３３１ａ ：凹み
３３２ ：第２埋設配線部
３３２ａ ：凹み
３３３ ：第１積層配線部
３３４ ：第２積層配線部
３３５ ：第３積層配線部
３３６ ：第４積層配線部
３４ ：櫛歯部
４ ：抵抗体層
４Ａ ：抵抗体膜
４１ ：発熱部
５ ：接続基板
５９ ：コネクタ
６１，６２：ワイヤ
７ ：ドライバＩＣ
７８ ：保護樹脂
８ ：放熱部材
９９ ：プラテンローラ

Claims (19)

1. 厚さ方向の一方を向く主面を有し、単結晶半導体からなる基材と、
   前記基材に支持され、主走査方向に配列された複数の発熱部を含む抵抗体層と、
   前記基材に支持され、且つ前記抵抗体層に導通する電極層と、を備え、
   前記基材は、前記主面から凹む凹部を有し、
   前記電極層は、前記複数の発熱部にそれぞれに共通に繋がる共通配線部を含み、
   前記共通配線部は、前記凹部に収容された埋設配線部を有する、サーマルプリントヘッド。
2. 前記基材は、前記主面から突出し、かつ前記主走査方向に延びる凸部を有し、
   前記複数の発熱部は、前記凸部の上に配置されており、
   前記凹部は、前記凸部に対して副走査方向の下流側に位置し、且つ前記主走査方向に延びる第１凹部を含み、
   前記埋設配線部は、前記第１凹部に収容された第１埋設配線部を含む、請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。
3. 前記第１凹部は、第１底面と、当該第１底面および前記主面に繋がり、前記副走査方向を向いて互いに対向する一対の第１側面と、を有する、請求項２に記載のサーマルプリントヘッド。
4. 前記凹部は、前記副走査方向に間隔を隔てて並んだ複数の前記第１凹部を含み、
   前記基材は、前記副走査方向において隣接する前記第１凹部の相互間を区画する第１区画壁を有する、請求項３に記載のサーマルプリントヘッド。
5. 前記共通配線部は、複数の前記第１凹部に個別に収容された複数の前記第１埋設配線部と、前記複数の第１埋設配線部に繋がり、かつ前記第１区画壁の上に配置された第１積層配線部と、を含む、請求項４に記載のサーマルプリントヘッド。
6. 前記第１埋設配線部は、前記第１凹部の全体を埋めている、請求項５に記載のサーマルプリントヘッド。
7. 前記第１凹部の前記副走査方向における第１長さは、前記第１区画壁の前記副走査方向における第２長さよりも大である、請求項４ないし６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
8. 前記第１長さは、前記第２長さの１～１０倍である、請求項７に記載のサーマルプリントヘッド。
9. 前記第１凹部の前記厚さ方向における第３長さは、前記第１長さの２～２０倍である、請求項７または８に記載のサーマルプリントヘッド。
10. 前記凹部は、前記第１凹部の前記主走査方向における少なくとも一方の端部に繋がり、且つ前記副走査方向に延びる第２凹部を含み、
    前記埋設配線部は、前記第１埋設配線部に繋がり、且つ前記第２凹部に収容された第２埋設配線部を含む、請求項２ないし９のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
11. 前記第２凹部は、第２底面と、当該第２底面および前記主面に繋がり、互いが前記主走査方向を向いて対向する一対の第２側面と、を有する、請求項１０に記載のサーマルプリントヘッド。
12. 前記凹部は、前記主走査方向に間隔を隔てて並んだ複数の前記第２凹部を含み、
    前記基材は、前記主走査方向において隣接する前記第２凹部の相互間を区画する第２区画壁を有する、請求項１１に記載のサーマルプリントヘッド。
13. 前記共通配線部は、複数の前記第２凹部に個別に収容された複数の前記第２埋設配線部と、前記複数の第２埋設配線部に繋がり、かつ前記第２区画壁の上に配置された第２積層配線部と、を含む、請求項１２に記載のサーマルプリントヘッド。
14. 前記第２埋設配線部は、前記第２凹部の全体を埋めている、請求項１３に記載のサーマルプリントヘッド。
15. 前記基材は、前記第１底面および前記一対の第１側面で囲まれた領域に配置され、且つ各々が前記第１底面から前記厚さ方向に延びる複数の第１柱状部を有し、
    前記複数の第１柱状部は、前記主走査方向に間隔を隔てて配列されている、請求項３に記載のサーマルプリントヘッド。
16. 前記凹部は、前記第１凹部の前記主走査方向における少なくとも一方の端部に繋がり、且つ前記副走査方向に延びる第２凹部を含み、
    前記埋設配線部は、前記第１埋設配線部に繋がり、且つ前記第２凹部に収容された第２埋設配線部を含み、
    前記第２凹部は、第２底面と、当該第２底面および前記主面に繋がり、互いが前記主走査方向を向いて対向する一対の第２側面と、を有し、
    前記基材は、前記第２底面および前記一対の第２側面で囲まれた領域に配置され、且つ各々が前記第２底面から前記厚さ方向に延びる複数の第２柱状部を有し、
    前記複数の第２柱状部は、前記副走査方向に間隔を隔てて配列されている、請求項１５に記載のサーマルプリントヘッド。
17. 前記凸部は、前記主面と平行な頂面と、当該頂面および前記主面に繋がり、前記副走査方向において前記頂面を挟む一対の傾斜面と、を有し、
    前記複数の発熱部は、前記頂面に配置されている、請求項２ないし１６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
18. 前記凹部および前記主面に跨って形成された第１絶縁膜と、
    前記主面に配置され、且つ前記第１絶縁膜の一部を覆っており、前記第１絶縁膜よりも厚さが大である第２絶縁膜と、を備え、
    前記埋設配線部は、前記第１絶縁膜の上に配置される、請求項１ないし１７のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
19. 前記単結晶半導体は、Ｓｉからなり、
    前記主面は、（１００）面である、請求項１ないし１８のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。

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