JP2022062329A - サーマルプリントヘッド - Google Patents

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明良 藤田
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Abstract

【課題】発熱部の中央部分における熱集中を緩和して、印字効率を向上させることができるサーマルプリントヘッドを提供する。【解決手段】サーマルプリントヘッドＡ１は、ヘッド基板１と、主走査方向ｘに配列された複数の発熱部４１Ａを有する抵抗体層４と、複数の発熱部４１Ａへの通電経路を構成する配線層３とを備えている。配線層３は、複数の発熱部４１Ａの各々に副走査方向ｙの一方（上流側）から繋がる第１電極部（帯状部３２１または帯状部３１３）と、各々が複数の発熱部４１Ａの各々に副走査方向ｙの他方（下流側）から繋がる第２電極部（各帯状部３３１）と、を含む。複数の発熱部４１Ａの各々は、副走査中央部４２１と一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂと含む。副走査中央部４２１の副走査方向単位抵抗値は、一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂの各々の副走査方向単位抵抗値よりも小さい。【選択図】図３

Description

本開示は、サーマルプリントヘッドに関する。
特許文献１には、従来のサーマルプリントヘッドの一例が開示されている。同文献に記載されたサーマルプリントヘッドは、支持基板と、抵抗体層（発熱抵抗体層）と、配線層（電極層）と、を備えている。支持基板は、抵抗体層および配線層を支持する。抵抗体層および配線層は、支持基板上に積層されている。抵抗体層は、主走査方向に配列された複数の発熱部を有する。配線層は、複数の発熱部に通電するための通電経路を構成する。配線層は、副走査方向において、複数の発熱部を挟んで対向する。各発熱部は、支持基板の厚さ方向に見てたとえば矩形状をなす。
特開２０１６－１７９５５４号公報
特許文献１に記載のサーマルプリントヘッドにおいては、発熱部における発熱温度分布は、発熱部の中央部分がピークとなっている。これは、発熱部の中央部分が相対的に放熱されにくく、発熱時の熱が当該中央部分に集中するからである。しかしながら、発熱部の発熱量が一定以上になると、印字媒体への印字濃度が飽和するため、必要以上の発熱は印字効率を低下させることになる。
本開示は、上記事情に鑑みて考え出されたものであり、その目的は、発熱部の中央部分における熱集中を緩和して、印字効率を向上させることができるサーマルプリントヘッドを提供することにある。
本開示の第１の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドは、基板と、前記基板に支持され、かつ、主走査方向に配列された複数の発熱部を有する抵抗体層と、前記基板に支持され、かつ、前記複数の発熱部への通電経路を構成する配線層と、を備えており、前記配線層は、前記複数の発熱部の各々に副走査方向の一方から繋がる第１電極部と、各々が前記複数の発熱部の各々に副走査方向の他方から繋がる第２電極部と、を含み、前記複数の発熱部の各々は、前記基板の厚さ方向に見て、副走査方向において中央部に位置する副走査中央部と、副走査方向において前記副走査中央部を挟んで配置された一対の副走査側方部と、を含み、前記一対の副走査側方部は、一方が前記第１電極部に繋がり、他方が前記第２電極部に繋がっており、前記副走査中央部の副走査方向単位抵抗値は、前記一対の副走査側方部の各々の副走査方向単位抵抗値よりも小さく、前記副走査中央部の前記副走査方向単位抵抗値は、前記副走査中央部の副走査方向における単位長さ当たりの抵抗値であり、前記一対の副走査側方部の各々の前記副走査方向単位抵抗値は、前記一対の副走査側方部の各々の副走査方向における単位長さ当たりの抵抗値であることを特徴とする。
本開示の第２の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドは、基板と、前記基板に支持され、かつ、主走査方向に配列された複数の発熱部を有する抵抗体層と、前記基板に支持され、かつ、前記複数の発熱部への通電経路を構成する配線層と、を備えており、前記配線層は、前記複数の発熱部の各々に副走査方向の一方から繋がる第１電極部と、各々が前記複数の発熱部の各々に副走査方向の他方から繋がる第２電極部と、を含み、前記複数の発熱部の各々は、前記基板の厚さ方向に見て、主走査方向において中央部に位置する主走査中央部と、主走査方向において前記主走査中央部を挟んで配置された一対の主走査側方部と、を含み、前記主走査中央部および前記一対の主走査側方部はそれぞれ、前記第１電極部および前記第２電極部に繋がっており、前記主走査中央部の主走査方向単位抵抗値は、前記一対の主走査側方部の各々の主走査方向単位抵抗値よりも大きく、前記主走査中央部の前記主走査方向単位抵抗値は、前記主走査中央部と前記第１電極部または前記第２電極部のいずれか一方との主走査方向における接触長当たりの抵抗値であり、前記一対の主走査側方部の各々の前記主走査方向単位抵抗値は、前記一対の主走査側方部の各々と前記第１電極部または前記第２電極部のいずれか一方との主走査方向における接触長当たりの抵抗値であることを特徴とする。
本開示のサーマルプリントヘッドによれば、発熱部の中央部分における熱集中を緩和して、印字効率を向上させることができる。
第１実施形態にかかるサーマルプリントヘッドを示す平面図である。 図２に示す平面図の一部を拡大した要部平面図である。 図２の一部（領域ＩＩＩ）を拡大した要部拡大平面図である。 第１実施形態にかかるサーマルプリントヘッドを備えるサーマルプリンタの部分拡大断面図であって、図１のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。 図４に示す断面の一部を拡大した要部断面図であって、図２のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。 図５の一部を拡大した要部拡大断面図である。 第１実施形態にかかるサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す要部断面図である。 第１実施形態にかかるサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す要部断面図である。 第１実施形態にかかるサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す要部拡大断面図である。 第１実施形態にかかるサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す要部断面図である。 第１実施形態にかかるサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す要部断面図である。 第１実施形態にかかるサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す要部断面図である。 第１実施形態にかかるサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す要部断面図である。 第１実施形態にかかるサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す要部拡大断面図である。 第２実施形態にかかるサーマルプリントヘッドを示す要部拡大平面図である。 第３実施形態にかかるサーマルプリントヘッドを示す要部拡大平面図である。 第４実施形態にかかるサーマルプリントヘッドを示す要部拡大平面図である。 図１７のＸＶＩＩＩ－ＸＶＩＩＩ線に沿う要部拡大断面図である。 第５実施形態にかかるサーマルプリントヘッドを示す要部拡大平面図である。 図１９のＸＸ－ＸＸ線に沿う要部拡大断面図である。 変形例にかかる発熱部を示す要部拡大平面図である。 変形例にかかる発熱部を示す要部拡大平面図である。 変形例にかかる発熱部を示す要部拡大平面図である。 変形例にかかる発熱部を示す要部拡大平面図である。 変形例にかかる発熱部を示す要部拡大平面図である。 変形例にかかる発熱部を示す要部拡大平面図である。 変形例にかかる配線層を示す要部拡大図である。
本開示のサーマルプリントヘッドの好ましい実施の形態について、図面を参照して、以下に説明する。以下の説明において、同一あるいは類似の構成要素については、同じ符号を付して、重複する説明を省略する。
図１～図６は、第１実施形態にかかるサーマルプリントヘッドＡ１を示している。サーマルプリントヘッドＡ１は、ヘッド基板１、絶縁層１９、保護層２、配線層３、抵抗体層４、接続基板５、複数のボンディングワイヤ６１、複数のドライバＩＣ７、保護樹脂７８および放熱部材８を備えている。サーマルプリントヘッドＡ１は、印刷媒体（図示略）に印字を施すサーマルプリンタＰｒ（図４参照）に組み込まれるものである。サーマルプリンタＰｒは、サーマルプリントヘッドＡ１およびプラテンローラ９１を備える。プラテンローラ９１は、サーマルプリントヘッドＡ１に正対する。印刷媒体は、サーマルプリントヘッドＡ１とプラテンローラ９１との間に挟まれ、このプラテンローラ９１によって、副走査方向に搬送される。このような印刷媒体としては、たとえばバーコードシートやレシートを作成するための感熱紙が挙げられる。サーマルプリントヘッドＡ１は、後に詳述する構成によって、抵抗体層４に複数の発熱部４１Ａが形成されており、複数の発熱部４１Ａを選択的に発熱駆動させることで、印刷媒体に印字を行う。プラテンローラ９１に代えて、平坦なゴムからなるプラテンを使用してもよい。このプラテンは、大きな曲率半径を有する円柱状のゴムにおける、断面視して弓形状の一部分を含む。本開示において、「プラテン」という用語は、プラテンローラ９１と平坦なプラテンとの双方を含む。
図１は、サーマルプリントヘッドＡ１を示す平面図である。図２は、サーマルプリントヘッドＡ１を示す要部平面図である。図３は、図２の一部（領域ＩＩＩ）を拡大した部分拡大図である。図４は、サーマルプリントヘッドＡ１を備えるサーマルプリンタＰｒの部分拡大断面図であって、図１のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。図５は、サーマルプリントヘッドＡ１を示す要部断面図であって、図２のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。図６は、図５の一部を拡大した部分拡大図である。図１～図３においては、保護層２を省略している。図２においては、複数のボンディングワイヤ６１および保護樹脂７８を省略している。これらの図において、ヘッド基板１の厚さ方向をｚ、主走査方向をｘ、副走査方向をｙとする。厚さ方向ｚ、主走査方向ｘおよび副走査方向ｙは、互いに直交する。図１～図３においては、副走査方向ｙの図中下側が上流側であり、図中上側が下流側である。図４～図６においては、副走査方向ｙの図中右側が上流側であり、図中左側が下流側である。
ヘッド基板１は、配線層３および抵抗体層４を支持する。ヘッド基板１は、主走査方向ｘを長手方向とする細長矩形状である。ヘッド基板１の大きさは、特に限定されないが、一例を挙げると、厚さ（厚さ方向ｚの寸法）が７２５μｍであり、主走査方向ｘの寸法が５０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下であり、副走査方向ｙの寸法が２．０ｍｍ以上５．０ｍｍ以下である。
ヘッド基板１は、単結晶半導体からなる。サーマルプリントヘッドＡ１における当該単結晶半導体は、たとえばシリコン（Ｓｉ）である。ヘッド基板１は、単結晶半導体ではなく絶縁材料（たとえばアルミナなどのセラミックス）で構成されていてもよい。ヘッド基板１は、図４～図６に示すように、第１主面１１および第１裏面１２を有する。第１主面１１および第１裏面１２は、厚さ方向ｚに離間し、かつ、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く。配線層３および抵抗体層４は、第１主面１１上に設けられる。
ヘッド基板１は、図４～図６に示すように、凸部１３を有する。凸部１３は、第１主面１１から厚さ方向ｚに突出しており、主走査方向ｘに長く伸びている。図示された例においては、凸部１３は、ヘッド基板１の副走査方向ｙ下流寄りに形成されている。凸部１３は、ヘッド基板１の一部であることから、単結晶半導体であるＳｉからなる。
凸部１３は、図６に示すように、頂部１３０、一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂおよび一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂを有する。
頂部１３０は、凸部１３のうち、第１主面１１からの厚さ方向ｚに沿う距離が最も大きい部位である。頂部１３０は、たとえば第１主面１１と略平行な面である。頂部１３０は、厚さ方向ｚ視において、主走査方向ｘに長く伸びる細長矩形状である。
一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂは、図６に示すように、頂部１３０の副走査方向ｙ両側に繋がっている。第１傾斜部１３１Ａは、副走査方向ｙの上流側から頂部１３０に繋がる。第１傾斜部１３１Ｂは、副走査方向ｙの下流側から頂部１３０に繋がる。図６に示すように、一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂはそれぞれ、第１主面１１に対して、角度α１だけ傾斜している（第１傾斜角度α１を以て傾斜している）。一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂはそれぞれ、厚さ方向ｚ視において主走査方向ｘに長く伸びる細長矩形状の平面である。なお、凸部１３は、一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂに繋がり、頂部１３０の主走査方向ｘ両端に隣接する傾斜部（図示略）を有していてもよい。
一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂは、図６に示すように、一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂに対して、副走査方向ｙにおいて頂部１３０と反対側から繋がる。第２傾斜部１３２Ａは、副走査方向ｙにおいて、第１傾斜部１３１Ａと第１主面１１とに挟まれている。第２傾斜部１３２Ａは、副走査方向ｙの上流側から第１傾斜部１３１Ａに繋がり、副走査方向ｙの下流側から第１主面１１に繋がる。第２傾斜部１３２Ｂは、副走査方向ｙにおいて、第１傾斜部１３１Ｂと第１主面１１とに挟まれている。第２傾斜部１３２Ｂは、副走査方向ｙの下流側から第１傾斜部１３１Ｂに繋がり、副走査方向ｙの上流側から第１主面１１に繋がる。図６に示すように、一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂはそれぞれ、第１主面１１に対して、角度α２だけ傾斜している（第２傾斜角度α２を以て傾斜している）。角度α２は、角度α１よりも大きい。一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂはそれぞれ、厚さ方向ｚ視において主走査方向ｘに長く伸びる細長矩形状の平面である。一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂはそれぞれ、第１主面１１に繋がっている。なお、凸部１３は、一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂに繋がり、頂部１３０の主走査方向ｘ両端の主走査方向ｘ外方に位置する傾斜部（図示略）を有していてもよい。
ヘッド基板１において、第１主面１１は（１００）面である。後述の製造方法によって形成された凸部１３においては、第１主面１１に対する各第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂの角度α１（図６参照）は、たとえば３０．１度であり、第１主面１１に対する各第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂの角度α２（図６参照）は、たとえば５４．７度である。凸部１３の厚さ方向ｚ寸法は、たとえば１５０μｍ以上３００μｍ以下である。
絶縁層１９は、図５および図６に示すように第１主面１１および凸部１３を覆っている。絶縁層１９は、ヘッド基板１の第１主面１１をより確実に絶縁するためのものである。絶縁層１９の構成材料としては、たとえばＴＥＯＳ（オルトケイ酸テトラエチル）を原料ガスとして成膜されるＳｉＯ2（ＴＥＯＳ－ＳｉＯ2）が採用される。ＴＥＯＳ－ＳｉＯ2の代わりに、他の方法（たとえば熱酸化）によって成膜されたＳｉＯ2（酸化膜）やＳｉＮ（窒化膜）が採用されてもよい。絶縁層１９の厚さは特に限定されないが、その一例を挙げるとたとえば５μｍ以上１５μｍ以下（好ましくは１０μｍ以上１５μｍ以下）である。
配線層３は、複数の発熱部４１Ａに通電するための通電経路を構成する。配線層３は、ヘッド基板１に支持されている。配線層３は、図５および図６に示すように、抵抗体層４上に積層されている。なお、配線層３の形状および配置は、図示された例に限定されない。配線層３は、図１および図２に示すように、共通電極３１、複数の個別電極３２および複数の中継電極３３を有する。
複数の中継電極３３の各々は、図２および図３に示すように、２つの帯状部３３１および連結部３３２を含む、２つの帯状部３３１は、副走査方向ｙに伸びる帯状である。２つの帯状部３３１は、互いに略平行に配置された状態で主走査方向ｘに離間している。２つの帯状部３３１はそれぞれ、隣接する発熱部４１Ａにそれぞれ接続している。図２および図３に示す例では、２つの帯状部３３１はそれぞれ、副走査方向ｙの下流側から各発熱部４１Ａに繋がっている。２つの帯状部３３１の主走査方向ｘの各寸法は、略同じである。連結部３３２は、２つの帯状部３３１のそれぞれに繋がる端部と、副走査方向ｙにおいて反対側の端部に接続されている。連結部３３２は、主走査方向ｘに伸びる帯状である。複数の中継電極３３は、それぞれが開口を副走査方向ｙ上流側に向けたコの字形状をなし、主走査方向ｘに等ピッチで配列されている。複数の中継電極３３はそれぞれ、複数の発熱部４１Ａの副走査方向ｙ下流側に位置する。
共通電極３１は、図２に示すように、複数の直行部３１１、複数の分岐部３１２、複数の帯状部３１３、および、連結部３１４を含む。複数の直行部３１１はそれぞれ、副走査方向ｙに伸びる帯状である。複数の直行部３１１は、主走査方向ｘに等ピッチで配列されている。複数の直行部３１１の各先端側（副走査方向ｙ下流側）には、分岐部３１２および２つの帯状部３１３が設けられている。当該２つの帯状部３１３は、隣接する発熱部４１Ａにそれぞれ接続している。図２および図３に示す例では、当該２つの帯状部３１３はそれぞれ、副走査方向ｙの上流側から発熱部４１Ａに繋がっている。各帯状部３１３の主走査方向ｘの寸法は、各帯状部３３１の主走査方向ｘの寸法と略同じである。また、帯状部３１３は、副走査方向ｙに見て帯状部３３１に重なる。複数の分岐部３１２はそれぞれ、各直行部３１１の先端に接続される。複数の分岐部３１２はそれぞれ、副走査方向ｙにおいて２つの帯状部３１３に繋がる各端部と反対側の端部に、各直行部３１１が接続されている。２つの帯状部３１３はそれぞれ、副走査方向ｙの上流側から発熱部４１Ａに繋がっている。連結部３１４は、複数の直行部３１１の基端側（副走査方向ｙ上流側）に位置して、主走査方向ｘに沿って伸びている。連結部３１４には、複数の直行部３１１がそれぞれ繋がっている。連結部３１４は、ボンディングワイヤ６１および接続基板５の配線を介して、コネクタ５９に接続されており、駆動電圧が印加される。
複数の個別電極３２はそれぞれ、共通電極３１に対して逆極性となる。複数の個別電極３２は、図２に示すように、主走査方向ｘに離間して配列されている。複数の個別電極３２はそれぞれ、図２に示すように、帯状部３２１およびボンディング部３２２を含む。各個別電極３２において、帯状部３２１は、副走査方向ｙに伸びる帯状であり、発熱部４１Ａの副走査方向ｙ上流側に位置する。図３に示す例では、帯状部３２１は、先端側（副走査方向ｙ下流側）で発熱部４１Ａに接続されている。帯状部３２１の主走査方向ｘの寸法は、各帯状部３３１の主走査方向ｘの寸法と略同じである。また、帯状部３２１の副走査方向ｙ下流側の端部は、副走査方向ｙに見て帯状部３３１に重なる。各個別電極３２において、ボンディング部３２２は、帯状部３２１の副走査方向ｙ上流側の端部に設けられている。ボンディング部３２２は、ボンディングワイヤ６１を介して、複数のドライバＩＣ７のいずれかの出力パッド７２（後述）のいずれかに接続している。
サーマルプリントヘッドＡ１では、図２に示すように、共通電極３１の各直行部３１１が、２つの個別電極３２の帯状部３２１に挟まれて配置されている。各中継電極３３の２つの帯状部３３１の一方が接続される発熱部４１Ａは、共通電極３１に接続しており、当該中継電極３３の２つの帯状部３３１の他方が接続される発熱部４１Ａは、複数の個別電極３２のいずれかに接続している。したがって、各個別電極３２が通電することで、これに接続する発熱部４１Ａと、当該発熱部４１Ａに中継電極３３を介して接続する発熱部４１Ａとに電流が流れて、これらの発熱部４１Ａが発熱する。つまり、２つの発熱部４１Ａが同時に発熱する。サーマルプリントヘッドＡ１では、各発熱部４１Ａが通電したとき、各発熱部４１Ａには、副走査方向ｙに沿って電流が流れる。
配線層３（共通電極３１、複数の個別電極３２および複数の中継電極３３のそれぞれ）は、図５および図６に示すように、厚さ方向ｚに積層された第１導体層３０１および第２導体層３０２を含んで構成されている。
第１導体層３０１は、図５および図６に示すように、抵抗体層４上に形成されている。第１導体層３０１は、副走査方向ｙにおける単位長さ当たりの抵抗値が、抵抗体層４よりも低抵抗であり、かつ、第２導体層３０２よりも高抵抗な材料からなる。好ましくは、第１導体層３０１の電気伝導率は、たとえば１０-6～１０-7Ωｍである。また、好ましくは、第１導体層３０１の熱伝導度は、たとえば１００Ｗ／ｍよりも小さい。第１導体層３０１の構成材料としては、たとえばＴｉ（チタン）が採用されるが、Ｔｉの代わりに、Ｔａ、Ｇａ、Ｓｎ、ＰｔＩｒ、Ｐｔ、Ｔｌ（タリウム）、Ｖ（バナジウム）あるいはＣｒなどを採用してもよい。第１導体層３０１の形成方法は特に限定されないが、たとえばスパッタリング法やＣＶＤ法、めっきなどによって形成され、採用される構成材料により適宜選定される。たとえば、第１導体層３０１の構成材料がＴｉの場合、第１導体層３０１はスパッタリング法により形成される。第１導体層３０１の厚さは特に限定されないが、その一例を挙げると０．１μｍ以上０．２μｍ以下である。
第２導体層３０２は、図５および図６に示すように、第１導体層３０１上に形成されている。第２導体層３０２は、第１導体層３０１を部分的に覆っている。よって、第１導体層３０１は第２導体層３０２から露出する部分がある。第２導体層３０２は、副走査方向ｙにおける単位長さ当たりの抵抗値が、抵抗体層４および第１導体層３０１よりも低抵抗な材料からなる。好ましくは、第２導体層３０２の電気抵抗率は、たとえば１０-7Ωｍ以下である。また、第２導体層３０２は、第１導体層３０１よりも熱伝導度が高い材料からなる。好ましくは、第２導体層３０２の熱導電度は、たとえば１００Ｗ／ｍ以上である。第２導体層３０２の構成材料は、たとえばＣｕが採用されるが、Ｃｕの代わりに、Ｃｕ合金、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｕ、Ａｇ、ＮｉあるいはＷ（タングステン）などを採用してもよい。第２導体層３０２の形成方法は特に限定されないが、たとえばスパッタリング法やＣＶＤ法、めっきなどによって形成され、採用される構成材料により適宜選定される。たとえば、第２導体層３０２の構成材料がＣｕの場合、第２導体層３０２はスパッタリング法により形成される。なお、第２導体層３０２の構成材料がＡｕ、Ａｇ、Ｎｉである場合、一般的にはめっきにより形成されるが、この場合、第２導体層３０２は、シード層（たとえばＣｕ）などを含んでいてもよい。第２導体層３０２は、第１導体層３０１よりも厚い。第２導体層３０２の厚さは、使用する材料、配線層３に流れる電流の値などに依存する。第２導体層３０２の厚さの一例を挙げると０．５μｍ以上５μｍ以下である。
サーマルプリントヘッドＡ１では、図３に示すように、各帯状部３１３（共通電極３１）、各帯状部３２１（各個別電極３２）、および、各帯状部３３１（各中継電極３３）のそれぞれのうちの各発熱部４１Ａに繋がる部分は、第２導体層３０２から露出する第１導体層３０１によって構成されている。つまり、各帯状部３１３（共通電極３１）、各帯状部３２１（各個別電極３２）、および、各帯状部３３１（各中継電極３３）のそれぞれは、第１導体層３０１のみで構成された部分と、第１導体層３０１と第２導体層３０２とが積層された部分とを含む。この構成とは異なり、各発熱部４１Ａに繋がる当該部分は、第１導体層３０１上に第２導体層３０２が積層された構成であってもよい。つまり、各帯状部３１３（共通電極３１）、各帯状部３２１（各個別電極３２）、および、各帯状部３３１（各中継電極３３）のそれぞれは、形成範囲のすべてにおいて、第１導体層３０１と第２導体層３０２とが積層されている。
抵抗体層４は、ヘッド基板１に支持されており、図５および図６に示すように、絶縁層１９を介してヘッド基板１に支持されている。抵抗体層４は、複数の発熱部４１Ａを有している。複数の発熱部４１Ａは、各々に選択的に通電されることにより、印刷媒体を局所的に加熱する。各発熱部４１Ａは、抵抗体層４のうち配線層３から露出した領域である。複数の発熱部４１Ａは、主走査方向ｘに沿って配列されており、主走査方向ｘにおいて互いに離間する。抵抗体層４は、副走査方向ｙにおける単位長さ当たりの抵抗値が配線層３よりも高抵抗な材料からなる。好ましくは、抵抗体層４の電気抵抗率は、１０-6Ωｍ以上である。抵抗体層４の構成材料としては、たとえばＴａＮが採用されるが、ＴａＮの代わりに、ＴａＳｉＯ2、ＴｉＯＮ、ＰｏｌｙＳｉ、Ｔａ2Ｏ5、ＲｕＯ2、ＲｕＴｉＯあるいはＴａＳｉＮなどを採用してもよい。抵抗体層４の形成方法は特に限定されないが、たとえばスパッタリング法やＣＶＤ法、めっきなどによって形成され、採用される構成材料により適宜選定される。たとえば、抵抗体層４の構成材料がＴａＮの場合、抵抗体層４はスパッタリング法により形成される。抵抗体層４は、厚さが一様に形成されており、当該厚さの一例を挙げると０．０２μｍ以上０．１μｍ以下（好ましくは０．０８μｍ程度）である。
各発熱部４１Ａは、凸部１３上に配置されている。図６に示す例では、各発熱部４１Ａは、第１傾斜部１３１Ｂから頂部１３０に跨って形成されている。各発熱部４１Ａの副走査方向ｙ上流側の端部は、頂部１３０上に位置し、各発熱部４１Ａの副走査方向ｙ下流側の端部は、第１傾斜部１３１Ｂ上に位置する。各発熱部４１Ａは、凸部１３上に配置されていれば、図６に示す位置に限定されない。
各発熱部４１Ａは、図３に示すように、副走査中央部４２１および一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂを含む。
副走査中央部４２１は、厚さ方向ｚ視において、副走査方向ｙ中央に位置する。一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂは、厚さ方向ｚ視において、副走査中央部４２１を挟んで配置されている。副走査側方部４２２Ａは、副走査中央部４２１に対して副走査方向ｙ上流側に位置する。副走査側方部４２２Ａは、副走査方向ｙ上流側の端部が帯状部３１３（共通電極３１）または帯状部３２１（個別電極３２）のいずれかに繋がり、副走査方向ｙ下流側の端部が副走査中央部４２１に繋がる。副走査側方部４２２Ｂは、副走査中央部４２１に対して副走査方向ｙ下流側に位置する。副走査側方部４２２Ｂは、副走査方向ｙ上流側の端部が副走査中央部４２１に繋がり、副走査方向ｙ下流側の端部が各帯状部３３１（中継電極３３）に繋がる。副走査中央部４２１と一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂとの各境界は、図３に示すように、主走査方向ｘに略平行する直線である。
各発熱部４１Ａでは、上述の通り、副走査方向ｙに沿って電流が流れる。よって、副走査中央部４２１および一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂは、各発熱部４１Ａに流れる電流の向きに沿って配置されている。つまり、副走査中央部４２１および一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂは、帯状部３２１と帯状部３３１との間、または、帯状部３１３と帯状部３３１との間において、電気的に直列に接続された構成となる。このため、副走査中央部４２１および一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂに流れる電流値は略同じとなり、副走査中央部４２１および一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂのうち抵抗値が大きい部分において、発熱量が大きくなる。
各発熱部４１Ａは、副走査中央部４２１の副走査方向単位抵抗値Ｒ１１が、一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂの各々の副走査方向単位抵抗値Ｒ１２よりも小さい。副走査中央部４２１の副走査方向単位抵抗値Ｒ１１は、副走査中央部４２１の副走査方向ｙにおける単位長さ当たりの抵抗値であり、副走査中央部４２１全体の抵抗値を副走査中央部４２１の副走査方向ｙの寸法で除算することで算出される。副走査側方部４２２Ａの副走査方向単位抵抗値Ｒ１２は、副走査側方部４２２Ａの副走査方向ｙにおける単位長さ当たりの抵抗値であり、副走査側方部４２２Ａ全体の抵抗値を副走査側方部４２２Ａの副走査方向ｙの寸法で除算することで算出される。副走査側方部４２２Ｂの副走査方向単位抵抗値Ｒ１２は、副走査側方部４２２Ｂの副走査方向ｙにおける単位長さ当たりの抵抗値であり、副走査側方部４２２Ｂ全体の抵抗値を副走査側方部４２２Ｂの副走査方向ｙの寸法で除算することで算出される。
図３に示す例では、各発熱部４１Ａは、副走査中央部４２１の一部が、一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂのそれぞれよりも主走査方向ｘの両側に突き出ている。このため、副走査中央部４２１の主走査方向ｘに沿う寸法は、一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂの主走査方向ｘに沿う各寸法よりも大きい。このことと、抵抗体層４の厚さが一様に形成されていることから、副走査中央部４２１の副走査方向ｙに直交する断面は、一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂの副走査方向ｙに直交する各断面よりも大きいことになる。電気抵抗値が導体の断面積に反比例することから、副走査中央部４２１の抵抗値が一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂの各抵抗値よりも小さくなる。これにより、副走査中央部４２１の副走査方向単位抵抗値Ｒ１１が一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂの各々の副走査方向単位抵抗値Ｒ１２よりも小さくなる。
各発熱部４１Ａは、図３に示すように、主走査中央部４３１および一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂを含む。
主走査中央部４３１は、厚さ方向ｚ視において、副走査方向ｙ中央に位置する。一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂは、厚さ方向ｚ視において、主走査中央部４３１を挟んで配置されている。主走査側方部４３２Ａは、主走査中央部４３１に対して主走査方向ｘの一方側に位置し、当該主走査方向ｘの一方側から主走査中央部４３１に繋がる。主走査側方部４３２Ｂは、主走査中央部４３１に対して主走査方向ｘの他方側に位置し、当該主走査方向ｘの他方側から主走査中央部４３１に繋がる。主走査中央部４３１および一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂはそれぞれ、副走査方向ｙ上流側の端部が帯状部３１３（共通電極３１）または帯状部３２１（個別電極３２）のいずれかに繋がり、副走査方向ｙ下流側の端部が帯状部３３１（個別電極３２）に繋がる。主走査中央部４３１と一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂとの各境界は、図３に示すように、副走査方向ｙに略平行する直線である。
各発熱部４１Ａでは、上述の通り、副走査方向ｙに沿って電流が流れる。よって、主走査中央部４３１および一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂは、各発熱部４１Ａに流れる電流の向きに直交する方向に沿って配置されている。つまり、主走査中央部４３１および一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂは、帯状部３２１と帯状部３３１との間、または、帯状部３１３と帯状部３３１との間において、電気的に並列に接続された構成となる。このため、主走査中央部４３１および一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂのそれぞれに印加される電圧値は略同じとなり、副走査中央部４２１および一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂのうち抵抗値が小さい部分において、発熱量が大きくなる。
各発熱部４１Ａは、主走査中央部４３１の主走査方向単位抵抗値Ｒ２１が、一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂの各々の主走査方向単位抵抗値Ｒ２２よりも大きい。主走査中央部４３１の主走査方向単位抵抗値Ｒ２１は、主走査中央部４３１と帯状部３３１との主走査方向ｘにおける接触長当たりの抵抗値であり、主走査中央部４３１全体の抵抗値を、主走査中央部４３１と帯状部３３１との境界Ｌ２１（図３参照）の主走査方向ｘに沿う寸法で除算することで算出される。主走査中央部４３１の主走査方向単位抵抗値Ｒ２１は、主走査中央部４３１と帯状部３１３（または帯状部３２１）との主走査方向ｘにおける接触長当たりの抵抗値としてもよい。この場合、主走査中央部４３１全体の抵抗値を、主走査中央部４３１と帯状部３１３（または帯状部３２１）との境界Ｌ１１（図３参照）の主走査方向ｘに沿う寸法で除算することで算出される。主走査側方部４３２Ａの主走査方向単位抵抗値Ｒ２２は、主走査側方部４３２Ａと帯状部３３１との主走査方向ｘにおける接触長当たりの抵抗値であり、主走査側方部４３２Ａ全体の抵抗値を、主走査側方部４３２Ａと帯状部３３１との境界Ｌ２２１（図３参照）の主走査方向ｘに沿う寸法で除算することで算出される。主走査側方部４３２Ａの主走査方向単位抵抗値Ｒ２２は、主走査側方部４３２Ａと帯状部３１３（または帯状部３２１）との主走査方向ｘにおける接触長当たりの抵抗値としてもよい。この場合、主走査側方部４３２Ａ全体の抵抗値を、主走査中央部４３１と帯状部３１３（または帯状部３２１）との境界Ｌ１２１（図３参照）の主走査方向ｘに沿う寸法で除算することで算出される。主走査側方部４３２Ｂの主走査方向単位抵抗値Ｒ２２は、主走査側方部４３２Ｂと帯状部３３１との主走査方向ｘにおける接触長当たりの抵抗値であり、主走査側方部４３２Ｂ全体の抵抗値を、主走査側方部４３２Ｂと帯状部３３１との境界Ｌ２２２（図３参照）の主走査方向ｘに沿う寸法で除算することで算出される。主走査側方部４３２Ｂの主走査方向単位抵抗値Ｒ２２は、主走査側方部４３２Ｂと帯状部３１３（または帯状部３２１）との主走査方向ｘにおける接触長当たりの抵抗値としてもよい。この場合、主走査側方部４３２Ｂ全体の抵抗値を、主走査中央部４３１と帯状部３１３（または帯状部３２１）との境界Ｌ１２２（図３参照）の主走査方向ｘに沿う寸法で除算することで算出される。
図３に示す例では、一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂのそれぞれにおいて、主走査方向ｘに沿う寸法が、帯状部３３１との境界Ｌ２２１，Ｌ２２２の主走査方向ｘに沿う寸法よりも大きい部分がある。なお、主走査中央部４３１においては、主走査方向ｘに沿う寸法が帯状部３３１との境界Ｌ２１の主走査方向ｘに沿う寸法よりも大きい部分はない。一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂの各々にこのような部分があることで、一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂの各々の主走査方向単位抵抗値Ｒ２２が、主走査中央部４３１の主走査方向単位抵抗値Ｒ２１よりも小さくなる。つまり、主走査中央部４３１の主走査方向単位抵抗値Ｒ２１が、一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂの各々の主走査方向単位抵抗値Ｒ２２よりも大きくなる。
図３に示す例では、主走査中央部４３１の副走査方向ｙに沿う寸法は、一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂの副走査方向ｙに沿う各寸法と略同じである。
保護層２は、図５および図６に示すように、配線層３および抵抗体層４を覆っており、配線層３および抵抗体層４を保護する。保護層２は、絶縁性材料からなる。この絶縁性材料としては、たとえばＳｉＮ（窒化ケイ素）が採用されるが、ＳｉＮの代わりに、ＳｉＯ2（酸化ケイ素）、ＳｉＣ（炭化ケイ素）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）などが採用されてもよい。保護層２は、先述の絶縁性材料の単層または複数層によって構成される。保護層２の厚さは特に限定されないが、その一例を挙げると１．０μｍ以上１０μｍ以下である。
保護層２は、図５に示すように、複数のパッド用開口２１を有する。各パッド用開口２１は、保護層２を厚さ方向ｚに貫通する。複数のパッド用開口２１はそれぞれ、各個別電極３２のボンディング部３２２を露出させている。図示された例示と異なり、複数のパッド用開口２１に導電性材料を充填させてもよい。この場合、この導電性材料上にめっき層を形成してもよい。このめっき層の構成は特に限定されないが、一例を挙げると、導電性材料の表面からＮｉ、Ｐｄ（パラジウム）、Ａｕの順に積層されている。
接続基板５は、図１、図２および図４に示すように、ヘッド基板１に対して副走査方向ｙ上流側に配置されている。接続基板５は、たとえばＰＣＢ基板であり、各ドライバＩＣ７やコネクタ５９（後述）が搭載される。接続基板５の形状などは特に限定されないが、本実施形態においては、主走査方向ｘを長手方向とする矩形状である。接続基板５は、図４に示すように、第２主面５１および第２裏面５２を有する。第２主面５１は、ヘッド基板１の第１主面１１と同じ側を向く面であり、第２裏面５２は、ヘッド基板１の第１裏面１２と同じ側を向く面である。本実施形態においては、第２主面５１は、第１主面１１よりも厚さ方向ｚ図中下方に位置する。
接続基板５には、図２に示すように、複数の制御電極５５が形成されている。各制御電極５５は、第２主面５１に配置され、ドライバＩＣ７よりも副走査方向ｙ上流側に配置されている、各制御電極５５は、副走査方向ｙに沿って伸びている。各制御電極５５は、それぞれボンディングワイヤ６１を介して、ドライバＩＣ７の入力パッド７１（後述）のいずれかに接続され、接続基板５の配線を介してコネクタ５９に接続している。
複数のドライバＩＣ７はそれぞれ、複数の発熱部４１Ａを選択駆動するために、発熱させる発熱部４１Ａに個別に電流を流すためのものである。ドライバＩＣ７の数は、発熱部４１Ａの個数に応じて、適宜変更される。各ドライバＩＣ７の通電制御は、コネクタ５９、接続基板５の配線および制御電極５５を介して、サーマルプリントヘッドＡ１外から入力される指令信号に従う。各ドライバＩＣ７は、接続基板５の第２主面５１に搭載され、複数のボンディングワイヤ６１を介して、複数の個別電極３２および複数の制御電極５５に接続されている。
各ドライバＩＣ７の上面には、図２に示すように、複数の入力パッド７１および複数の出力パッド７２が配置されている。複数の入力パッド７１は、各ドライバＩＣ７を制御するための各主信号などが入力される端子である。複数の入力パッド７１は、各ドライバＩＣ７の上面のうち、副走査方向ｙ上流側の端部寄りに配置されている。各入力パッド７１は、各ボンディングワイヤ６１を介して、各制御電極５５に接続されている。複数の出力パッド７２は、発熱部４１Ａを駆動する電流を流す端子である。複数の出力パッド７２は、各ドライバＩＣ７の上面のうち、副走査方向ｙ下流側の端部寄りに配置されている。各出力パッド７２は、各ボンディングワイヤ６１を介して、各個別電極３２のボンディング部３２２に接続されている。
保護樹脂７８は、複数のドライバＩＣ７および複数のボンディングワイヤ６１を覆う。保護樹脂７８は、たとえば絶縁性樹脂からなりたとえば黒色である。保護樹脂７８は、図１および図４に示すように、ヘッド基板１と接続基板５とに跨るように形成されている。
コネクタ５９は、サーマルプリントヘッドＡ１をサーマルプリンタＰｒに接続するために用いられる。コネクタ５９は、接続基板５に取り付けられており、接続基板５の配線パターン（図示略）および制御電極５５を介して、ドライバＩＣ７の入力パッド７１に接続されている。
放熱部材８は、ヘッド基板１および接続基板５を支持しており、複数の発熱部４１Ａによって生じた熱の一部を、ヘッド基板１を介して外部へと放熱するためのものである。放熱部材８は、たとえばＡｌ（アルミニウム）等の金属からなるブロック状の部材である。放熱部材８は、図４に示すように、第１支持面８１および第２支持面８２を有する。第１支持面８１および第２支持面８２は、各々が厚さ方向ｚ上側を向いている。第１支持面８１は、第２支持面８２よりも副走査方向ｙ下流側に位置する。図４に示すように、第１支持面８１には、ヘッド基板１の第１裏面１２が接合され、第２支持面８２には、接続基板５の第２裏面５２が接合されている。
次に、サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法について、説明する。図７～図１４は、当該製造方法の一工程を示す断面図である。
まず、図７に示すように、基板材料１Ｋを用意する。基板材料１Ｋは、単結晶半導体からなり、たとえば、ほぼ円形のＳｉウェハの一部分である。１枚のＳｉウェハは複数の基板材料１Ｋを含む。以下の図では、Ｓｉウェハの一部分であって１個のサーマルプリントヘッドＡ１に対応する１個の基板材料１Ｋ（ヘッド基板１）を対象にして図示する場合がある。基板材料１Ｋの厚さ（言い換えればＳｉウェハの厚さ）は特に限定されないが、本実施形態においては、たとえば７２５μｍ程度である。基板材料１Ｋは、互いに反対側を向く第１主面１１Ｋおよび第１裏面１２Ｋを有する。第１主面１１Ｋは、（１００）面である。
次いで、第１主面１１Ｋを所定のマスク層で覆った後、たとえばＫＯＨ（水酸化カリウム）を用いた異方性エッチングを行う。この異方性エッチングで用いる薬剤は、ＫＯＨではなくＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）を用いてもよいが、ＫＯＨを用いた方が、処理速度（エッチング速度）が速い。この異方性エッチングにより、図８に示すように、基板材料１Ｋには、凸部１３Ｋが形成される。凸部１３Ｋは、第１主面１１Ｋから突出しており、主走査方向ｘに長く伸びる。凸部１３Ｋは、頂部１３０Ｋおよび一対の傾斜部１３２Ｋを有する。頂部１３０Ｋは、第１主面１１Ｋと平行な面であり、第１主面１１Ｋと同じ（１００）面である。一対の傾斜部１３２Ｋは、頂部１３０Ｋの副走査方向ｙ両側に位置しており、頂部１３０Ｋと第１主面１１Ｋとの間に介在している。一対の傾斜部１３２Ｋはそれぞれ、頂部１３０Ｋおよび第１主面１１Ｋに対して傾斜した平面である。一対の傾斜部１３２Ｋのそれぞれと、第１主面１１Ｋおよび頂部１３０Ｋとがなす角度は、５４．７度である。
次いで、前記マスク層を除去した後に、たとえばＴＭＡＨを用いた異方性エッチングを行う。この異方性エッチングで用いる薬剤は、ＴＭＡＨではなくＫＯＨを用いてもよいが、ＴＭＡＨを用いた方が、エッチングによって形成される面（たとえば後述の一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂ）が平滑な面になる。この異方性エッチングにより、基板材料１Ｋが、図９に示すように、第１主面１１、第１裏面１２および凸部１３を有するヘッド基板１となる。凸部１３は、頂部１３０、一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂおよび一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂを有する。頂部１３０は、頂部１３０Ｋであった部分であり、一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂは、一対の傾斜部１３２Ｋであった部分である。一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂは、頂部１３０Ｋと一対の傾斜部１３２Ｋとの境界がＴＭＡＨによりエッチングされた部分である。第１主面１１に対する各第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂの角度α１（図９参照）は、３０．１度であり、第１主面１１に対する各第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂの角度α２（図９参照）は、５４．７度である。
次いで、図１０に示すように、絶縁層１９を形成する。絶縁層１９の形成は、たとえばＣＶＤを用いて、ＴＥＯＳ（オルトケイ酸テトラエチル）を原料ガスとして形成されるＳｉＯ2をヘッド基板１に堆積させることによって行う。絶縁層１９の形成方法は、これに限定されない。
次いで、図１１に示すように、抵抗体膜４Ｋを形成する。抵抗体膜４Ｋを形成する工程（抵抗体膜形成工程）では、たとえばスパッタリングによって絶縁層１９上にＴａＮの薄膜を形成する。抵抗体膜４Ｋの形成方法は、これに限定されない。
次いで、図１２および図１３に示すように、配線膜３Ｋを形成する。配線膜３Ｋを形成する工程（配線膜形成工程）では、図１２に示す第１導体膜３０１Ｋの形成と、図１３に示す第２導体膜３０２Ｋの形成との２つの工程がある。第１導体膜３０１Ｋを形成する工程（第１成膜工程）では、たとえば、スパッタリングによって抵抗体膜４Ｋ上に、Ｔｉの薄膜を形成する。このとき、図１２に示すように、第１導体膜３０１Ｋは、抵抗体膜４Ｋの略全面を覆っている。第２導体膜３０２Ｋを形成する工程（第２成膜工程）では、たとえば、めっきやスパッタリングなどによって第１導体膜３０１Ｋ上に、Ｃｕからなる層を形成する。このとき、第２導体膜３０２Ｋは、図１３に示すように、第１導体膜３０１Ｋの略全面を覆っている。
次いで、図１４に示すように、第２導体膜３０２Ｋの部分的な除去、第１導体膜３０１Ｋの部分的な除去、および、抵抗体膜４Ｋの部分的な除去を順に行う。第１導体膜３０１Ｋを部分的に除去する工程（第１部分除去工程）、第２導体膜３０２Ｋを部分的に除去する工程（第２部分除去工程）および抵抗体膜４Ｋを部分的に除去する工程（抵抗体膜部分除去工程）はそれぞれ、たとえばエッチングにより行う。第１部分除去工程により第１導体層３０１が形成され、第２部分除去工程により第２導体層３０２が形成され、抵抗体膜部分除去工程により抵抗体層４が形成される。なお、抵抗体膜部分除去工程は、第１成膜工程（図１２参照）および第２成膜工程（図１３参照）の前に行われてもよい。形成された第１導体層３０１および第２導体層３０２は、共通電極３１、複数の個別電極３２および複数の中継電極３３を有する配線層３を構成する。また、形成された抵抗体層４は、複数の発熱部４１Ａを有する。
次いで、保護層２を形成する。保護層２の形成は、たとえばＣＶＤを用いて絶縁層１９、配線層３（第１導体層３０１および第２導体層３０２）および抵抗体層４上にＳｉＮを堆積させることにより行われる。また、保護層２をエッチング等によって部分的に除去することにより、パッド用開口２１を形成する。この後は、ダイシング装置などを使用して、１枚のＳｉウェハを複数個のヘッド基板１に個片化する。
その後に、１個のヘッド基板１に対して組立工程が行われる。放熱部材８へのヘッド基板１および接続基板５の取付け、ドライバＩＣ７の接続基板５への搭載、複数のボンディングワイヤ６１のボンディング、および、保護樹脂７８の形成などの工程を経ることにより、上述のサーマルプリントヘッドＡ１が製造される。
サーマルプリントヘッドＡ１の作用および効果は、次の通りである。
サーマルプリントヘッドＡ１は、複数の発熱部４１Ａを有する抵抗体層４を備えている。複数の発熱部４１Ａはそれぞれ、ヘッド基板１の厚さ方向（厚さ方向ｚ）に見て、副走査方向ｙにおいて中央部に位置する副走査中央部４２１と、副走査方向ｙにおいて副走査中央部４２１を挟んで配置された一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂを含む。一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂは、副走査側方部４２２Ａが第１電極部に繋がり、副走査側方部４２２Ｂが第２電極部に繋がっている。本実施形態では、第１電極部は、各帯状部３２１（各個別電極３２）または各帯状部３１３（共通電極３１）であり、第２電極部は、各帯状部３３１（各中継電極３３）である。そして、副走査中央部４２１の副走査方向単位抵抗値Ｒ１１が、一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂの各々の副走査方向単位抵抗値Ｒ１２よりも小さい。各発熱部４１Ａにおいて、副走査中央部４２１および一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂは、第１電極部と第２電極部との間において、電気的に直列に接続された構成である。したがって、副走査中央部４２１および一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂに流れる電流が略同じ大きさとなることから、各副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂよりも副走査方向単位抵抗値が小さい副走査中央部４２１において、発熱が抑制される。つまり、各発熱部４１Ａは、副走査方向ｙにおける中央部の発熱が抑制される。したがって、サーマルプリントヘッドＡ１は、各発熱部４１Ａの中央部分における熱集中を緩和できるので、各発熱部４１Ａの中央部分が必要以上に発熱することを防ぎ、印字効率を向上できる。
サーマルプリントヘッドＡ１では、副走査中央部４２１が一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂよりも主走査方向ｘの両側にそれぞれ突き出ている。この構成によると、副走査中央部４２１の主走査方向ｘに沿う寸法を、一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂの主走査方向ｘに沿う各寸法よりも大きくできる。また、当該突き出た部分は、たとえば従来の平面視矩形状の発熱部（図３の二点鎖線参照）において配線層３や抵抗体層４が形成されていなかった領域に形成されている。つまり、発熱部４１Ａは、従来の発熱部では、絶縁されていた領域に抵抗体層４の一部が配置されることになり、従来の発熱部と比較して、各主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂの形成領域が大きくなる。これにより、各主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂに流れる電流が増大される。上述の通り、主走査中央部４３１および一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂは、第１電極部と第２電極部との間において、電気的に並列に接続された構成である。したがって、各主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂに流れる電流を増大させて、主走査中央部４３１に流れる電流を低減させることができる。つまり、各発熱部４１Ａは、主走査中央部４３１における発熱が抑制される。サーマルプリントヘッドＡ１は、各発熱部４１Ａの主走査方向ｘ中央部分における熱集中を緩和できるので、印字効率を向上できる。
サーマルプリントヘッドＡ１では、複数の発熱部４１Ａはそれぞれ、主走査方向ｘにおいて中央部に位置する主走査中央部４３１と、主走査方向ｘにおいて主走査中央部４３１を挟んで配置された一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂとを含む。主走査中央部４３１および一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂはそれぞれ、副走査方向ｙ上流側の端部が第１電極部に繋がり、副走査方向ｙの下流側の端部が第２電極部に繋がる。本実施形態では、第１電極部は、各帯状部３２１（各個別電極３２）または各帯状部３１３（共通電極３１）であり、第２電極部は、各帯状部３３１（各中継電極３３）である。そして、主走査中央部４３１の主走査方向単位抵抗値Ｒ２１が、一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂの各々の主走査方向単位抵抗値Ｒ２２よりも大きい。各発熱部４１Ａにおいて、主走査中央部４３１および一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂは、第１電極部と第２電極部との間において、電気的に並列に接続された構成である。したがって、主走査中央部４３１および一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂに印加される電圧が略同じ大きさとなることから、各主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂよりも主走査方向単位抵抗値が大きい主走査中央部４３１において、発熱が抑制される。つまり、各発熱部４１Ａは、主走査方向ｘにおける中央部の発熱が抑制される。したがって、サーマルプリントヘッドＡ１は、各発熱部４１Ａの中央部分における熱集中を緩和できるので、各発熱部４１Ｂの中央部分が必要以上に発熱することを防ぎ、印字効率を向上できる。
サーマルプリントヘッドＡ１では、厚さ方向ｚ視において、配線層３のうちの各発熱部４１Ａに接する部分は、第２導体層３０２から露出する第１導体層３０１である。第１導体層３０１は、副走査方向ｙに沿う単位長さ当たりの抵抗が、抵抗体層４（各発熱部４１Ａ）よりも低抵抗であり、かつ、第２導体層３０２よりも高抵抗である。第１導体層３０１、第２導体層３０２および抵抗体層４の各抵抗値が上記する関係であることから、第２導体層３０２から露出する第１導体層３０１における発熱量は、各発熱部４１Ａにおける発熱量よりも小さく、第１導体層３０１と第２導体層３０２とが積層された部分における発熱量よりも大きい。この構成によると、配線層３から各発熱部４１Ａに向けて、副走査方向ｙに温度勾配を緩和させることができる。
図１５は、第２実施形態にかかるサーマルプリントヘッドＡ２を示している。図１５は、サーマルプリントヘッドＡ２を示す要部拡大平面図であり、図３に対応する。サーマルプリントヘッドＡ２は、サーマルプリントヘッドＡ１と比較して、抵抗体層４が各発熱部４１Ａの代わりに各発熱部４１Ｂを有している。
各発熱部４１Ｂは、各発熱部４１Ａと同様に、副走査中央部４２１および一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂを含む。ただし、各発熱部４１Ｂでは、図１５に示すように、副走査中央部４２１の主走査方向ｘに沿う寸法は、一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂの主走査方向ｘに沿う各寸法と略同じである。
各発熱部４１Ｂは、各発熱部４１Ａと同様に、主走査中央部４３１および一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂを含む。ただし、各発熱部４１Ｂでは、図１５に示すように、厚さ方向ｚ視において、一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂの各々と各帯状部３３１との境界Ｌ２２１，Ｌ２２２が、主走査中央部４３１と各帯状部３３１との境界Ｌ２１よりも副走査方向ｙの上流側に位置する。また、図１５に示すように、厚さ方向ｚ視において、一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂの各々と帯状部３１３または帯状部３２１との境界Ｌ１２１，Ｌ１２２が、主走査中央部４３１と帯状部３１３または帯状部３２１との境界Ｌ１１よりも副走査方向ｙの下流側に位置する。このため、各発熱部４１Ｂでは、主走査中央部４３１の副走査方向ｙに沿う寸法が、一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂの副走査方向ｙに沿う各寸法よりも大きい。
各発熱部４１Ｂは、主走査中央部４３１の主走査方向単位抵抗値Ｒ２１が、一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂの各々の主走査方向単位抵抗値Ｒ２２よりも大きい。図１５に示す例では、主走査中央部４３１の副走査方向ｙに沿う寸法が一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂの副走査方向ｙに沿う各寸法よりも大きい。電気抵抗値が導体の長さに比例することから、主走査中央部４３１と各主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂとの主走査方向ｘに沿う寸法が同じ場合、主走査中央部４３１の抵抗値が一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂの各抵抗値よりも大きくなる。これにより、主走査中央部４３１の主走査方向単位抵抗値Ｒ２１が一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂの各々の主走査方向単位抵抗値Ｒ２２よりも大きくなる。
サーマルプリントヘッドＡ２では、各発熱部４１Ｂは、ヘッド基板１の厚さ方向（厚さ方向ｚ）に見て、主走査方向ｘにおいて中央部に位置する主走査中央部４３１と、主走査方向ｘにおいて主走査中央部４３１を挟んで配置された一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂとを含む。主走査中央部４３１および一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂはそれぞれ、副走査方向ｙ上流側の端部が第１電極部に繋がり、副走査方向ｙの下流側の端部が第２電極部に繋がる。本実施形態においても、第１電極部は、各帯状部３２１（各個別電極３２）または各帯状部３１３（共通電極３１）であり、第２電極部は、各帯状部３３１（各中継電極３３）である。そして、主走査中央部４３１の主走査方向単位抵抗値Ｒ２１が、一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂの各々の主走査方向単位抵抗値Ｒ２２よりも大きい。各発熱部４１Ｂにおいて、主走査中央部４３１および一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂは、第１電極部と第２電極部との間において、電気的に並列に接続された構成である。したがって、主走査中央部４３１および一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂに印加される電圧が略同じ大きさとなることから、各主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂよりも主走査方向単位抵抗値が大きい主走査中央部４３１において、発熱が抑制される。つまり、各発熱部４１Ｂは、主走査方向ｘにおける中央部の発熱が抑制される。したがって、サーマルプリントヘッドＡ２は、各発熱部４１Ｂの中央部分における熱集中を緩和できるので、各発熱部４１Ｂの中央部分が必要以上に発熱することを防ぎ、印字効率を向上できる。
サーマルプリントヘッドＡ２では、主走査中央部４３１が一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂよりも副走査方向ｙの両側にそれぞれ突き出ている。この構成によると、主走査中央部４３１の副走査方向ｙに沿う寸法を、一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂの副走査方向ｙに沿う各寸法よりも大きくできる。また、当該突き出た部分は、たとえば従来の平面視矩形状の発熱部（図１５の二点鎖線参照）において配線層３が配置されていた領域に形成されている。つまり、発熱部４１Ｂは、従来の発熱部において配線層３が形成された領域に抵抗体層４の一部が配置されることになり、従来の発熱部と比較して、各副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂの形成領域が大きくなる。抵抗体層４は、配線層３（第１電極部および第２電極部）よりも抵抗値が大きいため、従来の発熱部よりも、各副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂにおける抵抗値が大きくなる。上述の通り、副走査中央部４２１および一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂは、第１電極部と第２電極部との間において、電気的に直列に接続された構成である。したがって、各副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂの抵抗値を大きくすることで、各副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂにおける発熱が増加する。サーマルプリントヘッドＡ２は、各発熱部４１Ｂの副走査方向ｙ中央部分における熱集中を緩和できるので、印字効率を向上できる。
図１６は、第３実施形態にかかるサーマルプリントヘッドＡ３を示している。図１６は、サーマルプリントヘッドＡ３を示す要部拡大平面図であり、図３に対応する。サーマルプリントヘッドＡ３は、サーマルプリントヘッドＡ１と比較して、抵抗体層４が各発熱部４１Ａの代わりに各発熱部４１Ｃを有している。
各発熱部４１Ｃは、各発熱部４１Ａと同様に、副走査中央部４２１および一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂを含む。各発熱部４１Ｃは、図１６に示すように、各発熱部４１Ｂと同様に、副走査中央部４２１の主走査方向ｘに沿う寸法は、一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂの主走査方向ｘに沿う各寸法と略同じである。
各発熱部４１Ｃは、各発熱部４１Ａと同様に、主走査中央部４３１および一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂを含む。各発熱部４１Ｃは、図１６に示すように、各発熱部４１Ｂと同様に、厚さ方向ｚ視において、一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂの各々と各帯状部３３１との境界Ｌ２２１，Ｌ２２２が、主走査中央部４３１と各帯状部３３１との境界Ｌ２１よりも副走査方向ｙの上流側に位置する。また、図１６に示すように、厚さ方向ｚ視において、一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂの各々と帯状部３１３（または帯状部３２１）との境界Ｌ１２１，Ｌ１２２が、主走査中央部４３１と帯状部３１３（または帯状部３２１）との境界Ｌ１１よりも副走査方向ｙの下流側に位置する。このため、各発熱部４１Ｃでは、各発熱部４１Ｂと同様に、主走査中央部４３１の副走査方向ｙに沿う寸法が、一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂの副走査方向ｙに沿う各寸法よりも大きい。
サーマルプリントヘッドＡ３においては、サーマルプリントヘッドＡ２と同様の効果を奏することができる。
図１７および図１８は、第４実施形態にかかるサーマルプリントヘッドＡ４を示している。図１７は、サーマルプリントヘッドＡ４を示す要部拡大平面図であり、図３に対応する。図１８は、図１７のＸＶＩＩＩ－ＸＶＩＩＩ線に沿う要部拡大断面図である。サーマルプリントヘッドＡ４は、サーマルプリントヘッドＡ１と比較して、抵抗体層４が各発熱部４１Ａの代わりに各発熱部４１Ｄを有する。
各発熱部４１Ｄは、各発熱部４１Ａと同様に、副走査中央部４２１および一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂを含む。ただし、各発熱部４１Ｄは、各発熱部４１Ａと異なり、副走査中央部４２１および一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂの主走査方向ｘに沿う各寸法は、略同じである。また、各発熱部４１Ｄでは、図１７および図１８に示すように、各発熱部４１Ａと異なり、副走査中央部４２１上に被覆部４５が形成されている。
被覆部４５は、図１７に示すように、厚さ方向ｚ視において、副走査中央部４２１の主走査方向ｘの一方の端部から他方の端部まで繋がっている。被覆部４５は、厚さ方向ｚ視において主走査方向ｘに伸びる帯状である。図１７に示す例では、被覆部４５は、副走査中央部４２１のうちの副走査方向ｙの中央部分を覆っている。被覆部４５は、副走査方向ｙに沿う単位長さ当たりの抵抗値が、抵抗体層４よりも低い材料からなる。これにより、発熱部４１Ｄにおいて、被覆部４５で覆われた部分は、被覆部４５で覆われていない部分よりも抵抗値が小さくなる。被覆部４５の構成材料は、たとえば第１導体層３０１の構成材料と同じであり、一例ではＴｉである。被覆部４５の構成材料は、第１導体層３０１の構成材料と同じでなくてもよく、たとえばＴｉ上にＣｕが積層されたものであってもよい。被覆部４５が第１導体層３０１と同じ材料である場合、上記第１部分除去工程において被覆部４５が配置される領域の第１導体膜３０１Ｋを残すことで、被覆部４５が形成される。
各発熱部４１Ｄでは、副走査中央部４２１上に被覆部４５が形成されていることから、副走査中央部４２１のうち被覆部４５で覆われた部分の抵抗値が低減される。これにより、各発熱部４１Ｄでは、副走査中央部４２１の副走査方向単位抵抗値Ｒ１１が、一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂの各々の副走査方向単位抵抗値Ｒ１２よりも小さくなる。
各発熱部４１Ｄは、各発熱部４１Ａと同様に、主走査中央部４３１および一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂを含む。各発熱部４１Ｄは、図１７に示すように、各発熱部４１Ａと同様に、主走査中央部４３１および一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂの副走査方向ｙに沿う各寸法は、略同じである。
サーマルプリントヘッドＡ４においても、サーマルプリントヘッドＡ１と同様に、副走査中央部４２１の副走査方向単位抵抗値Ｒ１１が一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂの各々の副走査方向単位抵抗値Ｒ１２よりも小さい。よって、各副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂよりも副走査方向単位抵抗値が小さい副走査中央部４２１において、発熱が抑制される。つまり、各発熱部４１Ｄは、副走査方向ｙにおける中央部の発熱が抑制される。したがって、サーマルプリントヘッドＡ４は、サーマルプリントヘッドＡ１と同様に、各発熱部４１Ｄの中央部分における熱集中を緩和できるので、印字効率を向上できる。
図１９および図２０は、第５実施形態にかかるサーマルプリントヘッドＡ５を示している。図１９は、サーマルプリントヘッドＡ５を示す要部拡大平面図であり、図３に対応する。図２０は、図１９のＸＸ－ＸＸ線に沿う要部拡大断面図である。サーマルプリントヘッドＡ５は、サーマルプリントヘッドＡ１と比較して、抵抗体層４が各発熱部４１Ａの代わりに各発熱部４１Ｅを有する。
各発熱部４１Ｅは、各発熱部４１Ａと同様に、副走査中央部４２１および一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂを含む。ただし、各発熱部４１Ｅは、各発熱部４１Ａと異なり、副走査中央部４２１および一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂの主走査方向ｘに沿う各寸法は、略同じである。
各発熱部４１Ｅは、各発熱部４１Ａと同様に、主走査中央部４３１および一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂを含む。ただし、各発熱部４１Ｅでは、図１９および図２０に示すように、主走査中央部４３１にスリット４４が設けられている。
スリット４４は、厚さ方向ｚ視において、副走査方向ｙに伸びており、各発熱部４１Ｅの副走査方向ｙ上流側の端部から副走査方向ｙ下流側の端部まで繋がっている。図１９および図２０に示す例では、スリット４４は、主走査中央部４３１のうちの主走査方向ｘの中央部分に形成されている。スリット４４により、主走査中央部４３１は、図１９および図２０に示すように、主走査方向ｘに並ぶ一対の分離部４４１に分離されている。一対の分離部４４１は、厚さ方向ｚ視において、主走査方向ｘに絶縁層１９を挟んで配置されている。スリット４４には、たとえば保護層２が充填される。スリット４４は、たとえば上記抵抗体膜部分除去工程において形成される。
各発熱部４１Ｅでは、主走査中央部４３１にスリット４４が形成されていることから、スリット４４が形成されていない場合よりも、主走査中央部４３１の抵抗値が増大される。これは、スリット４４によって、電流が流れる方向（副走査方向ｙ）に直交する断面の面積が減少するからである。これにより、各発熱部４１Ｅでは、主走査中央部４３１の主走査方向単位抵抗値Ｒ２１が、一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂの各々の主走査方向単位抵抗値Ｒ２２よりも大きくなる。なお、主走査中央部４３１の主走査方向単位抵抗値Ｒ２１の算出に用いられる境界Ｌ２１には、スリット４４と帯状部３３１との境界部分も含まれ、また、当該算出に用いられる境界Ｌ１１には、スリット４４と帯状部３２１または帯状部３１３との境界部分も含まれる。
サーマルプリントヘッドＡ５においても、サーマルプリントヘッドＡ２と同様に、主走査中央部４３１の主走査方向単位抵抗値Ｒ２１が一対の主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂの各々の主走査方向単位抵抗値Ｒ２２よりも大きい。これにより、各主走査側方部４３２Ａ，４３２Ｂよりも主走査方向単位抵抗値が大きい主走査中央部４３１において、発熱が抑制される。つまり、各発熱部４１Ｅは、主走査方向ｘにおける中央部の発熱が抑制される。したがって、サーマルプリントヘッドＡ５は、サーマルプリントヘッドＡ２と同様に、各発熱部４１Ｅの中央部分における熱集中を緩和できるので、印字効率を向上させることができる。
第１実施形態ないし第５実施形態において例示した各発熱部４１Ａ～４１Ｅの構成は、一例であって、これらに限定されない。たとえば、各発熱部４１Ａ～４１Ｅの構成を適宜組み合わせた発熱部４１（図２１～図２６参照）が形成されていてもよい。図２１～図２６は、当該変形例にかかるサーマルプリントヘッドを示す要部拡大平面図であって、図３に対応する。以下に、図２１～図２６について説明する。
図２１に示す発熱部４１は、第１実施形態にかかる発熱部４１Ａと第２実施形態にかかる発熱部４１Ｂとを組み合わせた構成である。したがって、図２１に示す例では、各発熱部４１は、各発熱部４１Ａと同様に副走査方向ｙにおける中央部の発熱が抑制されるとともに、各発熱部４１Ｂと同様に主走査方向ｘにおける中央部の発熱が抑制される。
図２２に示す発熱部４１は、第１実施形態にかかる発熱部４１Ａと第３実施形態にかかる発熱部４１Ｃとを組み合わせた構成である。したがって、図２２に示す例では、各発熱部４１は、各発熱部４１Ａと同様に副走査方向ｙにおける中央部の発熱が抑制されるとともに、各発熱部４１Ｃと同様に主走査方向ｘにおける中央部の発熱が抑制される。
図２３に示す発熱部４１は、第２実施形態にかかる発熱部４１Ｂと第４実施形態にかかる発熱部４１Ｄとを組み合わせた構成である。したがって、図２３に示す例では、各発熱部４１は、各発熱部４１Ｂと同様に主走査方向ｘにおける中央部の発熱が抑制されるとともに、各発熱部４１Ｄと同様に副走査方向ｙにおける中央部の発熱が抑制される。
図２４に示す発熱部４１は、第３実施形態にかかる発熱部４１Ｃと第４実施形態にかかる発熱部４１Ｄとを組み合わせた構成である。したがって、図２４に示す例では、各発熱部４１は、各発熱部４１Ｃと同様に主走査方向ｘにおける中央部の発熱が抑制されるとともに、各発熱部４１Ｄと同様に副走査方向ｙにおける中央部の発熱が抑制される。
図２５に示す発熱部４１は、第１実施形態にかかる発熱部４１Ａと第５実施形態にかかる発熱部４１Ｅとを組み合わせた構成である。したがって、図２５に示す例では、各発熱部４１は、各発熱部４１Ａと同様に副走査方向ｙにおける中央部の発熱が抑制されるとともに、各発熱部４１Ｅと同様に主走査方向ｘにおける中央部の発熱が抑制される。
図２６に示す発熱部４１は、第４実施形態にかかる発熱部４１Ｄと第５実施形態にかかる発熱部４１Ｅとを組み合わせた構成である。したがって、図２６に示す例では、各発熱部４１は、各発熱部４１Ｄと同様に副走査方向ｙにおける中央部の発熱が抑制されるとともに、各発熱部４１Ｅと同様に主走査方向ｘにおける中央部の発熱が抑制される。
第１実施形態および第５実施形態において、配線層３の構成は、上記した例に限定されず、たとえば図２７に示すように構成されていてもよい。図２７は、当該変形例にかかるサーマルプリントヘッドを示す要部拡大平面図であって、図２に対応する。本変形例では、図２７に示すように、抵抗体層４が複数の発熱部４１Ａを有する場合を示すが、複数の発熱部４１Ａの代わりに、複数の発熱部４１，４１Ｂ～４１Ｅを有していてもよい。
図２７に示す変形例において、配線層３は、共通電極３１および複数の個別電極３２を有する。つまり、当該サーマルプリントヘッドの配線層３は、サーマルプリントヘッドＡ１の配線層３と比較して、複数の中継電極３３を有していない。
本変形例にかかる共通電極３１は、図２７に示すように、複数の帯状部３１３、連結部３１４および迂回部３１５を含む。連結部３１４は、ヘッド基板１の副走査方向ｙ下流側の端縁寄りに配置されている。連結部３１４は、主走査方向ｘに伸びる帯状である。複数の帯状部３１３はそれぞれ、連結部３１４から各発熱部４１Ａまで副走査方向ｙに伸びている。複数の帯状部３１３は、主走査方向ｘに等ピッチで配列されている。迂回部３１５は、連結部３１４の主走査方向ｘの一端から副走査方向ｙに伸びている。
本変形例にかかる各発熱部４１Ａは、図２７に示すように、副走査方向ｙにおいて共通電極３１の各帯状部３１３と各個別電極３２の帯状部３２１とに挟まれている。各帯状部３２１は、副走査方向ｙの上流側から、各発熱部４１Ａに繋がり、各帯状部３１３は、副走査方向ｙの下流側から各発熱部４１Ａに繋がっている。
図２７に示すサーマルプリントヘッドにおいても、サーマルプリントヘッドＡ１と同様に、各発熱部４１Ａは、副走査中央部４２１と一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂとを含み、一対の副走査側方部４２２Ａ，４２２Ｂは、副走査側方部４２２Ａが第１電極部に繋がり、副走査側方部４２２Ｂが第２電極部に繋がっている。本変形例では、第１電極部は、各帯状部３２１（各個別電極３２）であり、第２電極部は、各帯状部３１３（共通電極３１）である。したがって、本変形例にかかるサーマルプリントヘッドは、サーマルプリントヘッドＡ１と同様に、各発熱部４１Ａの中央部分における熱集中を緩和できるので、各発熱部４１Ａの中央部分が必要以上に発熱することを防ぎ、印字効率を向上できる。
第１実施形態ないし第５実施形態では、ヘッド基板１が凸部１３を有する例を示したが、ヘッド基板１に凸部１３が形成されていなくてもよい。つまり、第１主面１１がヘッド基板１の全域にわたって平坦であってもよい。また、凸部１３が一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂを有する例を示したが、凸部１３に一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂが形成されていなくてもよい。つまり、凸部１３において、一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂが頂部１３０に繋がっていてもよい。
本開示にかかるサーマルプリントヘッドは、上記した実施形態に限定されるものではない。本開示のサーマルプリントヘッドの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。たとえば、本開示のサーマルプリントヘッドは、以下の付記に関する実施形態を含む。
〔付記１〕
基板と、
前記基板に支持され、かつ、主走査方向に配列された複数の発熱部を有する抵抗体層と、
前記基板に支持され、かつ、前記複数の発熱部への通電経路を構成する配線層と、
を備えており、
前記配線層は、前記複数の発熱部の各々に副走査方向の一方から繋がる第１電極部と、各々が前記複数の発熱部の各々に副走査方向の他方から繋がる第２電極部と、を含み、
前記複数の発熱部の各々は、前記基板の厚さ方向に見て、副走査方向において中央部に位置する副走査中央部と、副走査方向において前記副走査中央部を挟んで配置された一対の副走査側方部と、を含み、
前記一対の副走査側方部は、一方が前記第１電極部に繋がり、他方が前記第２電極部に繋がっており、
前記副走査中央部の副走査方向単位抵抗値は、前記一対の副走査側方部の各々の副走査方向単位抵抗値よりも小さく、
前記副走査中央部の前記副走査方向単位抵抗値は、前記副走査中央部の副走査方向における単位長さ当たりの抵抗値であり、
前記一対の副走査側方部の各々の前記副走査方向単位抵抗値は、前記一対の副走査側方部の各々の副走査方向における単位長さ当たりの抵抗値である、ことを特徴とするサーマルプリントヘッド。
〔付記２〕
前記副走査中央部の主走査方向に沿う寸法は、前記一対の副走査側方部の主走査方向に沿う各寸法よりも大きい、付記１に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記３〕
前記副走査中央部は、前記一対の副走査側方部の各々よりも、主走査方向の両側に突き出ている、付記２に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記４〕
前記複数の発熱部の各々は、前記副走査中央部を覆う被覆部を含み、
前記被覆部は、前記抵抗体層よりも抵抗値が小さい、付記１ないし付記３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記５〕
前記複数の発熱部の各々は、主走査方向において中央部に位置する主走査中央部と、主走査方向において前記主走査中央部を挟んで配置された一対の主走査側方部と、を含み、
前記主走査中央部および前記一対の主走査側方部はそれぞれ、前記第１電極部および前記第２電極部に繋がっており、
前記主走査中央部の主走査方向単位抵抗値は、前記一対の主走査側方部の各々の主走査方向単位抵抗値よりも大きく、
前記主走査中央部の前記主走査方向単位抵抗値は、前記主走査中央部と前記第１電極部または前記第２電極部のいずれか一方との主走査方向における接触長当たりの抵抗値であり、
前記一対の主走査側方部の各々の前記主走査方向単位抵抗値は、前記一対の主走査側方部の各々と前記第１電極部または前記第２電極部のいずれか一方との主走査方向における接触長当たりの抵抗値である、付記１ないし付記４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記６〕
前記主走査中央部の副走査方向に沿う寸法は、前記一対の主走査側方部の副走査方向に沿う各寸法よりも大きい、付記５に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記７〕
前記厚さ方向に見て、前記一対の主走査側方部の各々と前記第１電極部との境界は、前記主走査中央部と前記第１電極部との境界よりも、副走査方向の他方に位置する、付記６に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記８〕
前記厚さ方向に見て、前記一対の主走査側方部の各々と前記第２電極部との境界は、前記主走査中央部と前記第２電極部との境界よりも、副走査方向の一方に位置する、付記６または付記７のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記９〕
前記基板と前記抵抗体層との間に挟まれた絶縁層をさらに備える、付記５ないし付記８のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１０〕
前記主走査中央部には、前記厚さ方向に見て副走査方向の一方から他方に繋がるスリットが形成されており、
前記主走査中央部は、前記スリットにより主走査方向に分離された一対の分離部を含み、
前記一対の分離部は、前記厚さ方向に見て、主走査方向に前記絶縁層を挟んで配置されている、付記９に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１１〕
前記抵抗体層は、前記基板上に形成され、
前記配線層は、前記抵抗体層の一部を露出させつつ前記抵抗体層上に積層された第１導体層と、前記第１導体層の一部を露出させつつ前記第１導体層上に積層された第２導体層とを含み、
前記第２導体層は、副走査方向における単位長さ当たりの抵抗値が前記複数の発熱部の各々よりも小さく、
前記第１導体層は、副走査方向における単位長さ当たりの抵抗値が前記複数の発熱部の各々と前記第１導体層との間をとる、付記１ないし付記１０のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１２〕
前記第１導体層の構成材料は、Ｔｉを含み、
前記第２導体層の構成材料は、Ｃｕを含む、付記１１に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１３〕
前記第１電極部および前記第２電極部はそれぞれ、前記第１導体層のうちの前記第２導体層から露出した部分が、前記厚さ方向に見て前記複数の発熱部の各々に繋がっている、付記１１または付記１２のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１４〕
前記基板は、前記厚さ方向の一方を向く主面と、前記主面から突き出し、かつ、主走査方向に伸びる凸部とを有し、
前記複数の発熱部の各々は、前記凸部の上に形成されている、付記１ないし付記１３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１５〕
前記基板上に形成され、前記抵抗体層および前記配線層を覆う保護層をさらに備える、付記１ないし付記１４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１６〕
前記基板は、単結晶半導体からなる、付記１ないし付記１５のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１７〕
前記単結晶半導体は、Ｓｉである、付記１６に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１８〕
基板と、
前記基板に支持され、かつ、主走査方向に配列された複数の発熱部を有する抵抗体層と、
前記基板に支持され、かつ、前記複数の発熱部への通電経路を構成する配線層と、
を備えており、
前記配線層は、前記複数の発熱部の各々に副走査方向の一方から繋がる第１電極部と、各々が前記複数の発熱部の各々に副走査方向の他方から繋がる第２電極部と、を含み、
前記複数の発熱部の各々は、前記基板の厚さ方向に見て、主走査方向において中央部に位置する主走査中央部と、主走査方向において前記主走査中央部を挟んで配置された一対の主走査側方部と、を含み、
前記主走査中央部および前記一対の主走査側方部はそれぞれ、前記第１電極部および前記第２電極部に繋がっており、
前記主走査中央部の主走査方向単位抵抗値は、前記一対の主走査側方部の各々の主走査方向単位抵抗値よりも大きく、
前記主走査中央部の前記主走査方向単位抵抗値は、前記主走査中央部と前記第１電極部または前記第２電極部のいずれか一方との主走査方向における接触長当たりの抵抗値であり、
前記一対の主走査側方部の各々の前記主走査方向単位抵抗値は、前記一対の主走査側方部の各々と前記第１電極部または前記第２電極部のいずれか一方との主走査方向における接触長当たりの抵抗値である、ことを特徴とするサーマルプリントヘッド。
Ａ１～Ａ５：サーマルプリントヘッド
１ ：ヘッド基板
１１ ：第１主面
１２ ：第１裏面
１３ ：凸部
１３０ ：頂部
１３１Ａ，１３１Ｂ：第１傾斜部
１３２Ａ，１３２Ｂ：第２傾斜部
１Ｋ ：基板材料
１１Ｋ ：第１主面
１２Ｋ ：第１裏面
１３Ｋ ：凸部
１３０Ｋ ：頂部
１３２Ｋ ：傾斜部
１９ ：絶縁層
２ ：保護層
２１ ：パッド用開口
３ ：配線層
３０１ ：第１導体層
３０２ ：第２導体層
３１ ：共通電極
３１１ ：直行部
３１２ ：分岐部
３１３ ：帯状部
３１４ ：連結部
３１５ ：迂回部
３２ ：個別電極
３２１ ：帯状部
３２２ ：ボンディング部
３３ ：中継電極
３３１ ：帯状部
３３２ ：連結部
３Ｋ ：配線膜
３０１Ｋ ：第１導体膜
３０２Ｋ ：第２導体膜
４ ：抵抗体層
４１，４１Ａ～４１Ｅ：発熱部
４２１ ：副走査中央部
４２２Ａ，４２２Ｂ：副走査側方部
４３１ ：主走査中央部
４３２Ａ，４３２Ｂ：主走査側方部
４４ ：スリット
４４１ ：分離部
４５ ：被覆部
４Ｋ ：抵抗体膜
５ ：接続基板
５１ ：第２主面
５２ ：第２裏面
５５ ：制御電極
５９ ：コネクタ
６１ ：ボンディングワイヤ
７ ：ドライバＩＣ
７１ ：入力パッド
７２ ：出力パッド
７８ ：保護樹脂
８ ：放熱部材
８１ ：第１支持面
８２ ：第２支持面
９１ ：プラテンローラ
Ｐｒ ：サーマルプリンタ

Claims (18)

  1. 基板と、
    前記基板に支持され、かつ、主走査方向に配列された複数の発熱部を有する抵抗体層と、
    前記基板に支持され、かつ、前記複数の発熱部への通電経路を構成する配線層と、
    を備えており、
    前記配線層は、前記複数の発熱部の各々に副走査方向の一方から繋がる第１電極部と、各々が前記複数の発熱部の各々に副走査方向の他方から繋がる第２電極部と、を含み、
    前記複数の発熱部の各々は、前記基板の厚さ方向に見て、副走査方向において中央部に位置する副走査中央部と、副走査方向において前記副走査中央部を挟んで配置された一対の副走査側方部と、を含み、
    前記一対の副走査側方部は、一方が前記第１電極部に繋がり、他方が前記第２電極部に繋がっており、
    前記副走査中央部の副走査方向単位抵抗値は、前記一対の副走査側方部の各々の副走査方向単位抵抗値よりも小さく、
    前記副走査中央部の前記副走査方向単位抵抗値は、前記副走査中央部の副走査方向における単位長さ当たりの抵抗値であり、
    前記一対の副走査側方部の各々の前記副走査方向単位抵抗値は、前記一対の副走査側方部の各々の副走査方向における単位長さ当たりの抵抗値である、
    ことを特徴とするサーマルプリントヘッド。
  2. 前記副走査中央部の主走査方向に沿う寸法は、前記一対の副走査側方部の主走査方向に沿う各寸法よりも大きい、
    請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。
  3. 前記副走査中央部は、前記一対の副走査側方部の各々よりも、主走査方向の両側に突き出ている、
    請求項２に記載のサーマルプリントヘッド。
  4. 前記複数の発熱部の各々は、前記副走査中央部を覆う被覆部を含み、
    前記被覆部は、前記抵抗体層よりも抵抗値が小さい、
    請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
  5. 前記複数の発熱部の各々は、主走査方向において中央部に位置する主走査中央部と、主走査方向において前記主走査中央部を挟んで配置された一対の主走査側方部と、を含み、
    前記主走査中央部および前記一対の主走査側方部はそれぞれ、前記第１電極部および前記第２電極部に繋がっており、
    前記主走査中央部の主走査方向単位抵抗値は、前記一対の主走査側方部の各々の主走査方向単位抵抗値よりも大きく、
    前記主走査中央部の前記主走査方向単位抵抗値は、前記主走査中央部と前記第１電極部または前記第２電極部のいずれか一方との主走査方向における接触長当たりの抵抗値であり、
    前記一対の主走査側方部の各々の前記主走査方向単位抵抗値は、前記一対の主走査側方部の各々と前記第１電極部または前記第２電極部のいずれか一方との主走査方向における接触長当たりの抵抗値である、
    請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
  6. 前記主走査中央部の副走査方向に沿う寸法は、前記一対の主走査側方部の副走査方向に沿う各寸法よりも大きい、
    請求項５に記載のサーマルプリントヘッド。
  7. 前記厚さ方向に見て、前記一対の主走査側方部の各々と前記第１電極部との境界は、前記主走査中央部と前記第１電極部との境界よりも、副走査方向の他方に位置する、
    請求項６に記載のサーマルプリントヘッド。
  8. 前記厚さ方向に見て、前記一対の主走査側方部の各々と前記第２電極部との境界は、前記主走査中央部と前記第２電極部との境界よりも、副走査方向の一方に位置する、
    請求項６または請求項７のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
  9. 前記基板と前記抵抗体層との間に挟まれた絶縁層をさらに備える、
    請求項５ないし請求項８のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
  10. 前記主走査中央部には、前記厚さ方向に見て副走査方向の一方から他方に繋がるスリットが形成されており、
    前記主走査中央部は、前記スリットにより主走査方向に分離された一対の分離部を含み、
    前記一対の分離部は、前記厚さ方向に見て、主走査方向に前記絶縁層を挟んで配置されている、
    請求項９に記載のサーマルプリントヘッド。
  11. 前記抵抗体層は、前記基板上に形成され、
    前記配線層は、前記抵抗体層の一部を露出させつつ前記抵抗体層上に積層された第１導体層と、前記第１導体層の一部を露出させつつ前記第１導体層上に積層された第２導体層とを含み、
    前記第２導体層は、副走査方向における単位長さ当たりの抵抗値が前記複数の発熱部の各々よりも小さく、
    前記第１導体層は、副走査方向における単位長さ当たりの抵抗値が前記複数の発熱部の各々と前記第１導体層との間をとる、
    請求項１ないし請求項１０のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
  12. 前記第１導体層の構成材料は、Ｔｉを含み、
    前記第２導体層の構成材料は、Ｃｕを含む、
    請求項１１に記載のサーマルプリントヘッド。
  13. 前記第１電極部および前記第２電極部はそれぞれ、前記第１導体層のうちの前記第２導体層から露出した部分が、前記厚さ方向に見て前記複数の発熱部の各々に繋がっている、
    請求項１１または請求項１２のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
  14. 前記基板は、前記厚さ方向の一方を向く主面と、前記主面から突き出し、かつ、主走査方向に伸びる凸部とを有し、
    前記複数の発熱部の各々は、前記凸部の上に形成されている、
    請求項１ないし請求項１３のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
  15. 前記基板上に形成され、前記抵抗体層および前記配線層を覆う保護層をさらに備える、
    請求項１ないし請求項１４のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
  16. 前記基板は、単結晶半導体からなる、
    請求項１ないし請求項１５のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
  17. 前記単結晶半導体は、Ｓｉである、
    請求項１６に記載のサーマルプリントヘッド。
  18. 基板と、
    前記基板に支持され、かつ、主走査方向に配列された複数の発熱部を有する抵抗体層と、
    前記基板に支持され、かつ、前記複数の発熱部への通電経路を構成する配線層と、
    を備えており、
    前記配線層は、前記複数の発熱部の各々に副走査方向の一方から繋がる第１電極部と、各々が前記複数の発熱部の各々に副走査方向の他方から繋がる第２電極部と、を含み、
    前記複数の発熱部の各々は、前記基板の厚さ方向に見て、主走査方向において中央部に位置する主走査中央部と、主走査方向において前記主走査中央部を挟んで配置された一対の主走査側方部と、を含み、
    前記主走査中央部および前記一対の主走査側方部はそれぞれ、前記第１電極部および前記第２電極部に繋がっており、
    前記主走査中央部の主走査方向単位抵抗値は、前記一対の主走査側方部の各々の主走査方向単位抵抗値よりも大きく、
    前記主走査中央部の前記主走査方向単位抵抗値は、前記主走査中央部と前記第１電極部または前記第２電極部のいずれか一方との主走査方向における接触長当たりの抵抗値であり、
    前記一対の主走査側方部の各々の前記主走査方向単位抵抗値は、前記一対の主走査側方部の各々と前記第１電極部または前記第２電極部のいずれか一方との主走査方向における接触長当たりの抵抗値である、
    ことを特徴とするサーマルプリントヘッド。
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